IT1312212B1 - Metodo per la cancellazione e riscrittura di celle di memoria nonvolatile ed in particolare di celle flash - Google Patents
Metodo per la cancellazione e riscrittura di celle di memoria nonvolatile ed in particolare di celle flashInfo
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Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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IT1999MI000859A IT1312212B1 (it) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Metodo per la cancellazione e riscrittura di celle di memoria nonvolatile ed in particolare di celle flash |
US09/553,526 US6282125B1 (en) | 1999-04-23 | 2000-04-20 | Method for erasing and rewriting non volatile memory cells and particularly flash cells |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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IT1999MI000859A IT1312212B1 (it) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Metodo per la cancellazione e riscrittura di celle di memoria nonvolatile ed in particolare di celle flash |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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ITMI990859A1 ITMI990859A1 (it) | 2000-10-23 |
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IT1999MI000859A IT1312212B1 (it) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | Metodo per la cancellazione e riscrittura di celle di memoria nonvolatile ed in particolare di celle flash |
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US (1) | US6282125B1 (it) |
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Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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TWI292914B (it) * | 2002-01-17 | 2008-01-21 | Macronix Int Co Ltd |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5555204A (en) * | 1993-06-29 | 1996-09-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor memory device |
-
1999
- 1999-04-23 IT IT1999MI000859A patent/IT1312212B1/it active
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US6282125B1 (en) | 2001-08-28 |
ITMI990859A1 (it) | 2000-10-23 |
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