IT1244910B - Cella convertitrice tensione-corrente, regolabile, realizzata mediante uno stadio differenziale, a transistori mos. in particolare per formare sinapsi di reti neuroniche e combinazione di tali celle per formare il corredo di sinapsi di un nucleo neuronico. - Google Patents

Cella convertitrice tensione-corrente, regolabile, realizzata mediante uno stadio differenziale, a transistori mos. in particolare per formare sinapsi di reti neuroniche e combinazione di tali celle per formare il corredo di sinapsi di un nucleo neuronico.

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IT1244910B
IT1244910B ITRM910075A ITRM910075A IT1244910B IT 1244910 B IT1244910 B IT 1244910B IT RM910075 A ITRM910075 A IT RM910075A IT RM910075 A ITRM910075 A IT RM910075A IT 1244910 B IT1244910 B IT 1244910B
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mos transistors
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Giulio Marotta
Eros Pasero
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Texas Instruments Italia Spa
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Abstract

Oggetto dell'invenzione è una cella convertitrice tensione-corrente, a transistori MOS, per formare sinapsi di reti neuroniche, in particolare per convertire in corrente la differenza tra una tensione di ingresso (VIN) ed una tensione di ponderazione (VW) della sinapsi, realizzata mediante uno stadio differenziale comprendente un primo transistore (M1) operante come generatore di corrente a cui fanno capo un primo ed un secondo ramo in parallelo, comprendenti rispettivamente un secondo (M2) ed un terzo transistore (M3) collegati in opposizione, alle cui regioni di gate sono applicate rispettivamente la tensione di ingresso (VIN) e la tensione di ponderazione (VW) della sinapsi, ed ai quali sono collegati in serie rispettivamente un quarto (M4) ed un quinto (M5) transistore, in cui il quarto (M4) ed il quinto (M5) transistore sono transistori N-MOS con le regioni di gate cortocircuitale e detto quarto transistore N-MOS (M4) è collegato come diodo, ed in cui la corrente di uscita (IOUT) è prelevata dal nodo di connessione (N) tra detto terzo (N3) e detto quinto (M5) transistore inseriti in serie in detto secondo ramo del circuito ed un condensatore (c) è collegato alla regione di gate di detto terzo transistore (M3) per memorizzare la tensione di ponderazione (VW) della sinapsi applicata al circuito.Vedere Figura 2.
ITRM910075A 1991-01-31 1991-01-31 Cella convertitrice tensione-corrente, regolabile, realizzata mediante uno stadio differenziale, a transistori mos. in particolare per formare sinapsi di reti neuroniche e combinazione di tali celle per formare il corredo di sinapsi di un nucleo neuronico. IT1244910B (it)

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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0768610B1 (en) * 1995-10-13 2000-08-09 STMicroelectronics S.r.l. Low-voltage, very-low-power neural network
US6829598B2 (en) 2000-10-02 2004-12-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for modeling a neural synapse function by utilizing a single conventional MOSFET
US6501294B2 (en) 2001-04-26 2002-12-31 International Business Machines Corporation Neuron circuit
US9418333B2 (en) 2013-06-10 2016-08-16 Samsung Electronics Co., Ltd. Synapse array, pulse shaper circuit and neuromorphic system
US11741352B2 (en) 2016-08-22 2023-08-29 International Business Machines Corporation Area and power efficient implementation of resistive processing units using complementary metal oxide semiconductor technology
CN109635943B (zh) * 2018-12-13 2022-03-18 佛山眼图科技有限公司 数模混合神经元电路

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4634890A (en) * 1984-09-06 1987-01-06 Thomson Components-Mostek Corporation Clamping circuit finding particular application between a single sided output of a computer memory and a differential amplifier sensing circuit
US4866645A (en) * 1987-12-23 1989-09-12 North American Philips Corporation Neural network with dynamic refresh capability
US5055897A (en) * 1988-07-27 1991-10-08 Intel Corporation Semiconductor cell for neural network and the like
JP2824780B2 (ja) * 1989-04-18 1998-11-18 科学技術振興事業団 論理回路
US5097141A (en) * 1990-12-12 1992-03-17 Motorola, Inc. Simple distance neuron

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