HU212223B - Broad band signal switching device - Google Patents
Broad band signal switching device Download PDFInfo
- Publication number
- HU212223B HU212223B HU913066A HU306691A HU212223B HU 212223 B HU212223 B HU 212223B HU 913066 A HU913066 A HU 913066A HU 306691 A HU306691 A HU 306691A HU 212223 B HU212223 B HU 212223B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- input
- transistor
- matrix
- circuit
- line
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04Q—SELECTING
- H04Q3/00—Selecting arrangements
- H04Q3/42—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
- H04Q3/52—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
- H04Q3/521—Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
- Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
- Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
- Radar Systems Or Details Thereof (AREA)
- Transmitters (AREA)
- Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
A találmány tárgya szélessávú kapcsolóberendezés, FET-technikával kialakított keresztpont mátrixszal.
Amennyiben az ECL-technika olyan tulajdonságokkal jellemezhető, mint a nagy sebesség, a (közepesen) nagy integráltság és (közepesen) nagy veszteségi teljesítmény addig a FET-technika ezzel szemben csak közepes sebesség mellett igen nagy integráltsági fokkal és nagyon kis veszteségi teljesítménnyel tűnik ki. Ez utóbbi tulajdonságok vezettek azon törekvésekhez, hogy az eddig csak a bipoláris technikával elérhető sebességtartományokba lehessen jutni a FET-technikával integrált áramkörökkel is.
Ismeretes olyan FET-technikával kialakított kapcsolómátrixszal rendelkező szélessávú kapcsolóberendezés (pl. EP-A 0 262 479), amelynél a keresztpontok a vezérlő elektródán átkapcsoló-, illetve bontójellel vezérelt, egyik fő elektródájukkal a hozzájuk tartozó mátrix kimeneti vezetékre csatlakozó kapcsolótranzisztorokból vannak kialakítva, ahol a keresztponti elemek a kapcsolótranzisztorral sorbakapcsolt előtét tranzisztorral rendelkeznek, amelyek a vezérlő elektródájukkal a hozzájuk tartozó mátrix bemeneti vezetékhez csatlakoznak, és amelyeknek a soron kapcsolással ellenkező oldalon lévő fő elektródája egy letapogató tranzisztoron keresztül az üzemi feszültségforrás egyik vezetékével (test) van összekötve, a másik vezetékére pedig az adott mátrix kimenti vezetékei egy előtöltő tranzisztoron keresztül csatlakoznak, és ahol az előtöltő tranzisztorok és a letapogató tranzisztorok vezérlő elektródái egymással ellenkező ütemben egy bit átkapcsoló időrést egy előtöltő fázisra és egy tulajdonképpen átkapcsoló fázisra osztó kapcsolómező vezérlőjellel vannak vezérelve, melynek során mindegyik előfázisban zárt letapogató tranzisztor mellett a mátrix kimeneti vezeték a hozzátartozó előtöltő tranzisztoron keresztül legalább megközelítően az üzemi feszültségforrás fent említett másik pólusán lévő potenciálra töltődik.
Ennél az ismert szélessávú kapcsolóberendezésnél, amely keresztponti elemenként, kapcsolómátrix bemeneti vezetékenként vagy kapcsolómátrix kimeneti vezetékként egyéni letapogató tranzisztorokkal rendelkezik, a letapogató tranzisztorok vezérléséhez egyéni, a kapcsolómátrixot átkapcsoló ütemjel vezetékeket igényel, ami megfelelő felületigénnyel jelentkezik és a mátrix kimeneti vezetékeinek kapacilív terhelésével jár. A mátrix bemeneti és kimeneti vezetékek közötti ütemjelelosztás és átkapcsolás megfelelő zavarvédettség biztosítása esetén nagy jelamplitúdókat igényel a mátrix kimeneti vezetékeken, ami viszonylag nagy teljesítményfelvétellel jár.
Egy másik ismert megoldás (pl. EP-A 0 354 252) szintén FET-technikával kialakított keresztpont mátrixszal rendelkezik, amelynek bemenetel bemeneti meghajtó áramkörrel, kimenetei pedig kimeneti erősítő áramkörrel vannak ellátva, és a tartó-tároló elemekkel vezérelt keresztponti elemeit a vezérlőelektródáján átkapcsoló-, illetve bontójellel vezérelt kapcsolótranzisztor és a vezérlő elektródájával a hozzátartozó mátrix bemeneti vezetékre csatlakozó bemeneti tranzisztor soros kapcsolás alkotja. amelynél az egyik tranzisztor soros kapcsolással szemközti fő elektródája a hozzátartozó mátrix kimeneti vezetékre van csatlakoztatva, ahol a mátrix kimeneti vezetéke tranzisztoron keresztül az üzemi feszültségfonás egyik csatlakozójával van összekötve. Eközben a másik tranzisztor soros kapcsolással szemközti fő elektródája folyamatosan az üzemi feszültségforrás másik csatlakozójára van kötve, és az egyes keresztponti elemek sorbakötött tranzisztorai egy differenciálerősítő keresztpontkénti egyik ágát képezik, az ugyanazon kimeneti vezetékhez vezető keresztpontok közös másik ágát pedig vezérlőelektródájával az üzemi feszültségforrás másik csatlakozójára kötött első tranzisztor és vezérlőelektródájával referencia feszültségre csatlakozó második tranzisztor soros kapcsolásával ellátott, mátrix kimeneti vezetékenként egyéni kimeneti erősítő áramkörök képezik, amelyeknél az egyik tranzisztor soros kapcsolással ellentétes főelektródája a hozzátartozó mátrix kimeneti vezetékre csatlakozik és a másik tranzisztor soros kapcsolással ellentétes, az erősítő áramkör kimenetére kivezetett főelektródája terhelő tranzisztoron keresztül az üzemi feszültségforrás másik említett csatlakozójára van kötve.
Az „elosztott” differenciálerősítő ilyen koncepciója az említett referenciafeszültség viszonylag nagy pontosságát igényli, amihez költséges referenciafeszültség-generátor szükséges; másrészt viszont egy elosztott differenciálerősítőnél a tranzisztorok párba válogatása, azaz egymásnak megfelelő paraméterű tranzisztorok kiválasztása is problematikus.
A találmány feladata tehát olyan szélessávú kapcso1 óberendezések kidolgozása, amelyeknél az említett problémák nem jelentkeznek.
A találmány olyan FET-technikával kialakított keresztpont mátrixot tartalmazó szélessávú kapcsolóberendezésre vonatkozik, amelynek bemenetel bemeneti meghajtó áramkörökkel, kimenetel pedig kimeneti erősítő áramkörrel vannak ellátva, és a tároló elemekkel (Híj) vezérelt keresztponti elemeit a vezérlőelektródáján átkapcsoló-, illetve bontójellel vezérelt kapcsolótranzisztor és a vezérlő elektródájával a hozzátartozó mátrix bemeneti vezetékre csatlakozó bemeneti tranzisztor soron kapcsolása alkotja, amelynél az egyik tranzisztor soros kapcsolással ellentétes fő elektródája a hozzátartozó mátrix kimeneti vezetékre van csatlakoztatva, ahol a mátrix kimeneti vezetéke vezérlő bemenetével egy bit-átkapcsolási időrést egy előtöltő fázisra és egy kiértékelő fázisra bontó keresztponti vezérlőjel órajelvezetékére kötött előtöltő tranzisztoron keresztül előtöltő feszültségforrásra van kötve, ahol a bemeneti tranzisztor minden egyes előtöltő fázisban le van zárva, és a mátrix kimeneti vezeték előtöltésre kerül.
Egy ilyen szélessávú kapcsolóberendezésre a találmány szerint az jellemző, hogy a mátrix kimeneti vezetékek és a kimeneti erősítők közé a kimeneti erősítő bemenetén lévő előtöltő tranzisztorból és vezérlőjelelektródájával egy referencia potenciálra kötött n-csatornás soros tranzisztorból kialakított töltésátvivő áramkör van beiktatva.
Ezen a helyen melegítjük, hogy két kapacitív terhelés között elrendezett, vezérlőelektródájával egy refe2
HU 212 223 Β rencia potenciálra kötött n-csatornás soros tranzisztorból és órajellel vezérelt előtöltő tranzisztorból kialakított töltésátvivő áramkör már ismert (Annaratone: „Digital CMOS Circuit Design” Kluver Academix Publishers 1986, 198...200 oldal), viszont további kapcsolat a találmány alapját képező problematikával és annak megoldásával nincs.
A fent leírt töltésátvivő áramkör nyújtotta feszültség erősítés előnyén kívül a találmány szerinti megoldás alkalmazása azzal a további előnnyel jár, hogy nem szükséges a referenciafeszültség pontos beállítása, és így nincs szükség pontos és érzékeny referencia-feszültségforrásra sem. A referenciafeszültség előállításához elegendő csupán az üzemi feszültség egyszerű leosztása, ahol viszont a találmány egyik előnyös kiviteli példája szerint előnyös, ha a referencia feszültség kondenzátorral van elválasztva a vonatkozási potenciáltól (földpotenciáltól). A tranzisztorok párbaválogatása sem játszik szerepet; a technológiai jellemzők ingadozása csupán a jel löketét változtatja meg a kimeneti vezetéken, ahol viszont már egy kis, pl. 0,5 V-os löket is elegendő ahhoz, hogy a kimeneti erősítőn megjelenő átkapcsolt bitek felismerése biztonságos legyen, és ahol a kis jellöketnek megfelelően kis veszteségi teljesítménnyel is lehet számolni. A találmány szerinti szélessávújel kapcsolóberendezés bemeneti vezetékein csökkentett jellöket is alkalmazható.
A bemeneti tranzisztor lezárása az előtöltő fázisokban például a bemeneti vezetékekbe beiktatott, vezérló elektródájával az órajelvezetékre csatlakozó, az előtöltő tranzisztorral ellentétes ütemben vezérelt keretáramkörrel is megoldható, amint az már ismert (pl. EP 90 107 016.9), ha nem akarunk letapogató tranzisztorokat alkalmazni a keresztponti elemek tápfeszültség ellátásához (lásd EP-A 0 262 479).
A találmány egy további kiviteli példájánál a mátrix bemeneti vezeték elé beiktatott bemeneti meghajtó áramkör bemenetén elhelyezett előtöltő tranzisztor vezérlő elektródája is ráköthető az előtöltő-kiértékelőórajelvezetékre, ahonnan egyidejűleg a bemeneti meghajtó áramkör elé beiktatott transzfer-kapuáramkör is vezérelhető.
A találmány további részleteit a következőkben a mellékelt rajzon ábrázolt példaképpen kiviteli alakok alapján ismertetjük, ahol az
1. ábra egy szélessávú kapcsolóberendezés blokkvázlata, a
2. ábra az 1. ábra szerinti kapcsolóberendezés kapcsolástechnikai megoldásának vázlata és a
3. ábra a keresztpontok átkapcsoló órajele.
Az 1. ábrán a találmány megértéséhez szükséges részletességgel egy szélessávú kapcsolóberendezés elvi vázlata látható, ahol egy keresztpontmátrix sl...sj...sn oszlopvezetékeihez vezető el...ej...en bemenetekhez El...Ej...En bemeneti meghajtó áramkörök vannak csatlakoztatva, és amelynek a keresztpont mátrix zl...zi...zm sorvezetékeivel elért al...ai...am kimenetei Al...Ai...Am kimeneti erősítő áramkörökkel vannak ellátva.
A keresztpont mátrix KPll...KPij...KPmn keresztpontokkal rendelkezik, amelyek keresztponti elemei, amint az egy KPij keresztpont Kij keresztponti eleménél részletesebben fel van tüntetve, keresztpontonként egyéni (a KPij keresztpontnál Hij) tartó-tároló elemekkel vezérelhetők, amelyek s kimenetei az adott (a KPij keresztpontnál Kij) keresztponti elem vezérlő bemenetére csatlakoznak.
A...Hij... tartó-tároló elemeket az 1. ábra szerint két dekóder, a jelen esetben DX sordekóder és DY oszlopdekóder vezérli megfelelő koordináták xl...xi...xm, illetve yl...yj...yn vezérlő vezetékein keresztül.
Ehhez, amint az az 1. ábrán látható a DX sordekóderre és a DY oszlopdekóderre a Reg X és Reg Y bemeneti regiszterből egyszerre több, ugyanazon sorban, illetve oszlopban lévő keresztpontot kijelölő keresztponti sorcímet, illetve oszlopcímet lehet kiadni, aminek következtében a kiválasztott sor- illetve oszlopcímnek megfelelő vezérlő vezetéken „1” vezérlőjelet adnak le. Egy „1” sorvezérlőjel és egy „1” oszlopvezérlőjel találkozásánál a kiválasztott mátrix sor és oszlop keresztezés] pontjában egy kapcsolat létrehozása során az ott lévő tartó-tároló elem, például a Hij tartó-tároló elem aktiválását váltja ki, aminek következtében az adott Hij tartó-tároló elemmel vezérelt keresztponti elem jelen esetben Kij keresztponti elem vezetővé válik.
Annak érdekében, hogy a példaképpen kiválasztott Kij keresztponti elem egy kapcsolat felépítése során ismét lezárjon, a Reg X bemeneti regiszterből a DX sordekóderbe megfelelő sorcímet viszünk át, aminek következtében a DX sordekóder az xi vezérlő vezetéken „1” vezérlőjelet ad le, és ezzel egyidőben a DY oszlopdekóder a hozzátartozó Reg Y bemeneti regiszterből üres címet vagy egy olyan címet kap, ami egy üres oszlopot jelöl ki, aminek következtében az yj vezérlő vezetéken „0” oszlop vezérlőjelet ad le. Egy „1” sorvezérlőjel és egy „0” oszlopvezérlőjel találkozása a Hij tartó-tároló elem visszaállítását váltja ki, aminek következtében az adott Hij tartó-tároló elemmel vezérelt Kij keresztponti elem lezár.
A Hij... tartó-tároló elemek ismert módon alakíthatók ki, például úgy, amint az az EP-A 0 238 834-ból megismerhető és ezért itt részletesebb ismertetése szükségtelen.
A ...Kij... keresztponti elemek kapcsolástechnikai kialakítását a 2. ábra szemlélteti: A...Kij... keresztponti elemek vezérlőelektródáján a Hij tartó tároló elem felől átkapcsoló-, illetve lezárójellel vezérelt Tnk kapcsolótranzisztor és vezérlő elektródájával a hozzátartozó mátrix sj oszlopvezetékére kötött Tne bemeneti tranzisztor soros kapcsolással vannak kialakítva, ahol az egyik Tnk kapcsoló tranzisztor soros kapcsolás végét képező főelektródájával a hozzátartozó mátrix zi sorvezetékére van csatlakoztatva. A mátrix zi sorvezeték n-csatomás Tns soros tranzisztoron keresztül az Ai kimeneti erősítő áramkör bemenetéhez csatlakozik. Az Ai kimeneti erősítő áramkör bemenetéhez kapcsolódik továbbá egy Tpi előtöltő tranzisztor, amelyen keresztül (és sorban a Tns soros tranzisztorral) a hozzátartozó mátrix zi sorvezeték a bit-átkapcsolási időrészt egy keresztponti vezérlőjellel pv
HU 212 223 Β előtöltő fázisra és ph kiértékelő fázisra osztó minden előtöltési ciklusban (3. ábra) UDD előtöltő potenciállal van összekapcsolva. A Tpi előtöltő tranzisztor vezérlő elektródája ehhez a keresztponti vezérlő órajel T órajelvezetékére van csatlakoztatva.
A mátrix zi sorvezeték és az Ai kimeneti erősítő áramkör között elhelyezett n-csatomás Tns soros tranzisztor vezérlő elektródája Uref referencia feszültségforrásra van kötve, ahol a referencia feszültségre és az előbb említett UDD előtöltő potenciálra az Urej<UDD összefüggés érvényes. Az Uref referencia feszültségforrás földpotenciáltól való elválasztását CBkx:k kondenzátor biztosítja.
A mátrix zi sorvezeték és az Al kimeneti erősítő áramkör között elhelyezett n-csatomás Tns soros tranzisztor és az Ai kimeneti erősítő áramkör bemenetére csatlakozó Tpi előtöltő tranzisztor együtt egy töltésátvivő áramkört alkot, amire a 2. ábrán látható kapcsolástechnikai elrendezés működésének ismertetésekor még visszatérünk, előbb viszont még tovább tárgyaljuk a találmány szerinti szélessávú kapcsolóberendezés ej bemenetéhez vezető sj oszlopvezetékhez csatlakozó kapcsolási elrendezést:
A 2. ábrának megfelelően a mátrix bemeneti sj oszlopvezetékhez Ej bemeneti meghajtó áramkör csatlakozik, amelynek bemenetére egyik bemenetével a keresztponti vezérlőjel T órajelvezetékére csatlakozó, másik bemenetével pedig a keresztponti vezérlőjel negált T órajel vezetékére csatlakozó TGj transzfer-kapuáramkör van kötve. Az Ej bemeneti meghajtó áramkör bemenetére csatlakozik ezenkívül egy további Tpj előtöltő tranzisztor, amelynek vezérlő elektródája szintén a pr előtöltő fázist és a ph kiértékelő fázist meghatározó T órajelvezetékre van kötve.
A 2. ábrán látható kapcsolási elrendezés a következőképpen működik:
A Pv előtöltő fázis alatt (3. ábra) a bemeneti oldalon lévő Tpj előtöltő tranzisztor van vezető állapotban, ezért az Ej bemeneti meghajtó áramkör bemenetére olyan vezérlő potenciál kerül, aminek hatására az Ej bemeneti meghajtó áramkör kimenete és ezzel az sj oszlopvezeték a vonatkozási potenciálra (0 V, test) kerül, ami azzal jár, hogy a Tne bemeneti tranzisztor - és ezzel a Tne bemeneti tranzisztor és a Tnk kapcsolótranzisztor soros kapcsolása - lezárt állapotba kerül.
Az Ai kimeneti erősítő áramkör bemenete a pv előtöltő fázis ideje alatt (3. ábra) a Tpi előtöltő tranzisztoron keresztül az UDD előtöltő potenciálra kerül, aminek következtében az n-csatornás Tns soros tranzisztoron keresztül a mátrix kimeneti zi sorvezetékre Uref-Ulh potenciál kerül, ahol Uth a Tns soros tranzisztor küszöbfeszültsége.
A kapcsolómező vezérlő órajelének (3. ábra) átmenete a LOW-ból HIGH-ba (UDD) határozza meg a pv előtöltő fázis végét és az ezt követő ph kiértékelő fázis kezdetét. Az Ej bemeneti meghajtó áramkör bemenetén lévő Tpj előtöltő tranzisztor lezár, és a TGj transzferkapuáramkör vezetni kezd, aminek következtében a mátrix bemeneti sj oszlopvezeték az ej bemeneten lévő átkapcsolandó bit függvényében megmarad az eredeti potenciálon (0 V, test) vagy pedig feltöltődik.
Az első esetben a mátrix kimeneti zi sorvezetéke változatlan marad, míg a második esetben a mátrix kimeneti zi sorvezetéke az éppen tárgyalt, átkapcsolást állapotban lévő Kij keresztponti elem Tne bemeneti tranzisztora és a Tnk kapcsolótranzisztora soros kapcsolásán keresztül kisül. A mátrix kimeneti zi sorvezeték ilyen potenciál változása következtében az n-csatornás Tns soros tranzisztor, amely előzőleg a pv előtöltő fázis alatt az Uth küszöbfeszültség elérése előtt lezárt állapotban volt, most viszont az Uth küszöbfeszültség átlépése után vezetővé válik, és így villamos töltés jut az Ai kimeneti erősítő áramkör UDD előtöltő potenciálra feltöltött bemenetéről a Tns soros tranzisztoros keresztül a mátrix kimeneti zi sorvezetékre. Az Ai kimeneti erősítő áramkör bemeneti u^ feszültséglöketének és a mátrix kimeneti zi sorvezeték feszültséglöketének a viszonyára az uAi _ Cg Űzi - CAl összefüggés érvényes, ahol CZI a mátrix kimeneti zi sorvezeték kapacitása és CAj az Ai kimeneti erősítő áramkör bemenetén hatásos kapcsolási kapacitás. Mivel a hosszú mátrix kimeneti zi sorvezeték Cz, kapacitása lényegesen nagyobb, mint az Ai kimeneti erősítő áramkör CAl kapacitása, ez az Ai kimeneti erősítő áramkör bemeneti bemenetén megfelelő feszültségerősítéshez vezet, ezért már egy kis jellöket is elegendő a mátrix kimeneti zi sorvezetékén az Ai kimeneti erősítő áramkörrel átkapcsolt bit biztonságos felismeréséhez. Ezt a bitet azután a ph kiértékelő fázis végén lehet az Ai kimeneti erősítő áramkörről kikapuzni.
Claims (3)
- SZABADALMI IGÉNYPONTOK1. Szélessávú kapcsolóberendezés, FET-technikával kialakított keresztpont mátrixszal, amelynek bemeneti (el,...ej,...en) bemeneti meghajtó áramkörrel (El,...Ej,...En), kimenetei (al,...ai,...am) pedig kimeneti erősítő áramkörrel (Al,- Ai,...Am) vannak ellátva, és a tartó-tároló elemekkel (Híj) vezérelt keresztponti elemeit (Kij) a vezérlőelektródáján átkapcsoló-, illetve bontójellel vezérelt kapcsolótranzisztor (Tnk) és a vezérlő elektródájával a hozzátartozó mátrix bemeneti oszlopvezetékre (sj) csatlakozó bemeneti tranzisztor (Zne) soros kapcsolása alkotja, amelynél az egyik tranzisztornak (Tnk vagy Tne) a soros kapcsolás végére eső fő elektródája a hozzátartozó mátrix kimeneti sorvezetékre (zi) van csatlakoztatva, ahol a mátrix kimeneti sorvezetéke (zi) vezérlő bemenetével egy bitátkapcsolási időrést egy előtöltő fázisra (pv) és egy kiértékelő fázisra (ph) bontó keresztponti vezérlőjel órajelvezetékére (T) kötött előtöltő tranzisztoron (Tpi) keresztül előtöltő feszültségforrásra van kötve, ahol a bemeneti tranzisztor (Tne) minden egyes előtöltő fázisban (pv) le van zárva, és a mátrix kimeneti sorvezeték (zi) előtöltésre kerül, azzal jellemezve, hogy a mátrix kimeneti sorvezeték (zi) és a kimeneti erősítők áramkörHU 212 223 B (Ai) közé a kimeneti erősítő áramkör (Ai) bemenetén lévő előtöltő tranzisztorból (Tpi) és vezérlőelektródájával egy referencia feszültségforrásra (Uref) kötött n-csatornás soros tranzisztorból (Tns) kialakított töltésátvivő áramkör van beiktatva. 5
- 2. Az 1. igénypont szerinti szélessávú kapcsolóberendezés, azzal jellemezve, hogy a referencia feszültségforrás (Uref) kondenzátorral (CBIock) van elválasztva a vonatkozási potenciáltól (testtől).
- 3. Az 1. vagy 2. igénypont szerinti szélessávú kapcsolóberendezés, azzal jellemezve, hogy a mátrix bemeneti oszlopvezetékre (sj) kötött bemeneti meghajtó áramkör (Ej) bemenetére egy további előtöltő tranzisztor (Tpj) csatlakozik, amelynek vezérlő elektródája szintén a bemeneti meghajtó áramkör (Ej) bemenetére kötött transzfer-kapuáramkört (TGj) is vezérlő, az előtöltő fázist (pv) és a kiértékelő fázist (ph) meghatározó vezérlőjelet szolgáltató órajelvezetékre (T) van kötve.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP90118489A EP0477403B1 (de) | 1990-09-26 | 1990-09-26 | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung mit Ladungstransferschaltung in den Ausgangsleitungen |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HU913066D0 HU913066D0 (en) | 1992-01-28 |
| HUT60084A HUT60084A (en) | 1992-07-28 |
| HU212223B true HU212223B (en) | 1996-04-29 |
Family
ID=8204515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU913066A HU212223B (en) | 1990-09-26 | 1991-09-25 | Broad band signal switching device |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5214424A (hu) |
| EP (1) | EP0477403B1 (hu) |
| JP (1) | JPH04259191A (hu) |
| AT (1) | ATE117498T1 (hu) |
| CA (1) | CA2052157A1 (hu) |
| DE (1) | DE59008319D1 (hu) |
| HU (1) | HU212223B (hu) |
| LU (1) | LU87902A1 (hu) |
| RU (1) | RU2103841C1 (hu) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2300330B (en) * | 1995-04-28 | 1999-11-03 | Northern Telecom Ltd | Crosspoint matrix switch arrangement |
| US5760603A (en) * | 1996-10-10 | 1998-06-02 | Xilinx, Inc. | High speed PLD "AND" array with separate nonvolatile memory |
| US8230152B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-07-24 | The Regents Of The University Of Michigan | Crossbar circuitry and method of operation of such crossbar circuitry |
| FR2969871B1 (fr) * | 2010-12-23 | 2013-02-08 | Alstom Transport Sa | Dispositif de commutation electrique, notamment pour la commutation de forts courants electriques |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4577190A (en) * | 1983-04-11 | 1986-03-18 | At&T Bell Laboratories | Programmed logic array with auxiliary pull-up means to increase precharging speed |
| LU86790A1 (de) * | 1986-09-17 | 1987-07-24 | Siemens Ag | Breitbandsignal-koppeleinrichtung |
| DE3886042D1 (de) * | 1988-08-08 | 1994-01-13 | Siemens Ag | Breitbandsignal-Koppeleinrichtung. |
| ATE98076T1 (de) * | 1988-08-08 | 1993-12-15 | Siemens Ag | Breitbandsignal-koppeleinrichtung. |
| ATE97290T1 (de) * | 1989-03-31 | 1993-11-15 | Siemens Ag | Breitbandsignal-koppeleinrichtung. |
| US5121111A (en) * | 1990-07-13 | 1992-06-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Broadband signal switching network with respective threshold-value holding feedback member |
-
1990
- 1990-09-26 DE DE59008319T patent/DE59008319D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-26 AT AT90118489T patent/ATE117498T1/de not_active IP Right Cessation
- 1990-09-26 EP EP90118489A patent/EP0477403B1/de not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-03-06 LU LU87902A patent/LU87902A1/de unknown
- 1991-09-16 US US07/760,492 patent/US5214424A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-20 JP JP3268786A patent/JPH04259191A/ja not_active Withdrawn
- 1991-09-24 CA CA002052157A patent/CA2052157A1/en not_active Abandoned
- 1991-09-25 RU SU5001560A patent/RU2103841C1/ru active
- 1991-09-25 HU HU913066A patent/HU212223B/hu not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04259191A (ja) | 1992-09-14 |
| EP0477403A1 (de) | 1992-04-01 |
| DE59008319D1 (de) | 1995-03-02 |
| HUT60084A (en) | 1992-07-28 |
| ATE117498T1 (de) | 1995-02-15 |
| EP0477403B1 (de) | 1995-01-18 |
| HU913066D0 (en) | 1992-01-28 |
| LU87902A1 (de) | 1992-01-15 |
| RU2103841C1 (ru) | 1998-01-27 |
| US5214424A (en) | 1993-05-25 |
| CA2052157A1 (en) | 1992-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013023B1 (ko) | 감지회로를 갖춘 독출출력회로 | |
| US3953839A (en) | Bit circuitry for enhance-deplete ram | |
| US5243573A (en) | Sense amplifier for nonvolatile semiconductor storage devices | |
| US4654831A (en) | High speed CMOS current sense amplifier | |
| KR0137768B1 (ko) | 단일 트랜지스터 메모리 셀과 함께 사용하는 고속 자동 센스 증폭기 | |
| KR890002967A (ko) | 반도체 집적회로 | |
| KR20000028707A (ko) | 비트선 프리차징 시간을 감소시킨 반도체 기억 장치 | |
| US4099162A (en) | Decoder circuit | |
| KR950020703A (ko) | 반도체 기억 장치(Semiconductor Memory Device) | |
| KR910001744A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR950001767A (ko) | 반도체집적회로의 데이타 입출력선 센싱회로 | |
| TW286404B (en) | Semiconductor memory device for reducing operating power consumption amount | |
| KR920010645A (ko) | 전기적 특성이 향상된 메모리 회로 | |
| US6101140A (en) | Sense amplifier driver circuit for supplying a reduced driving voltage to sense amplifier | |
| US5117392A (en) | Non-volatile semiconductor memory device | |
| US4811304A (en) | MDS decoder circuit with high voltage suppression of a decoupling transistor | |
| HU212223B (en) | Broad band signal switching device | |
| US4513399A (en) | Semiconductor memory | |
| TW344823B (en) | Address decoder | |
| US4899309A (en) | Current sense circuit for a ROM system | |
| KR950020734A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR950010084A (ko) | 반도체 메모리 장치 | |
| US20040257895A1 (en) | Bit line precharge signal generator for memory device | |
| JPH0574158B2 (hu) | ||
| US6310810B1 (en) | High-speed sense amplifier |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |