JPH04259191A - 広帯域信号結合装置 - Google Patents

広帯域信号結合装置

Info

Publication number
JPH04259191A
JPH04259191A JP3268786A JP26878691A JPH04259191A JP H04259191 A JPH04259191 A JP H04259191A JP 3268786 A JP3268786 A JP 3268786A JP 26878691 A JP26878691 A JP 26878691A JP H04259191 A JPH04259191 A JP H04259191A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
input
matrix
line
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3268786A
Other languages
English (en)
Inventor
Gerhard Heiduk
ゲルハルト ハイドウク
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Publication of JPH04259191A publication Critical patent/JPH04259191A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • H03K17/693Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04QSELECTING
    • H04Q3/00Selecting arrangements
    • H04Q3/42Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker
    • H04Q3/52Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements
    • H04Q3/521Circuit arrangements for indirect selecting controlled by common circuits, e.g. register controller, marker using static devices in switching stages, e.g. electronic switching arrangements using semiconductors in the switching stages

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transmitters (AREA)
  • Stereo-Broadcasting Methods (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Use Of Switch Circuits For Exchanges And Methods Of Control Of Multiplex Exchanges (AREA)
  • Measurement And Recording Of Electrical Phenomena And Electrical Characteristics Of The Living Body (AREA)
  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Radar Systems Or Details Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、FET技術による結合
点マトリックスを有する広帯域信号結合装置広帯域信号
結合装置に関する。
【0002】
【従来の技術】ECL技術は高い動作速度、(中程度の
)高い集積度および(中程度の)高い損失電力のような
特性を有する。それにくらべてFET技術は、動作速度
は中程度であるけれども、集積度が非常に高くまた損失
電力が非常に低い点で優れている。これらの2つの特徴
があるので、これまでバイポーラ技術によっていた速度
範囲にもFET技術による集積回路を使用可能にしよう
という努力がなされている。
【0003】たとえばヨーロッパ特許出願第02624
79号明細書から公知の広帯域信号結合装置はFET技
術による結合点マトリックスを有し、その結合要素がそ
れぞれ、その制御電極に導通または阻止信号を与えられ
、主電極で付属のマトリックス出力線に接続されている
スイッチトランジスタにより形成されており、その際に
結合要素がそれぞれ、スイッチトランジスタと共に直列
回路を形成する予切換トランジスタを有し、予切換トラ
ンジスタがその制御電極で付属のマトリックス入力線に
接続されており、またその直列回路と反対側の主電極が
走査トランジスタを介して動作電圧源の一方の端子と接
続されており、その他方の端子とそのつどのマトリック
ス出力線が予充電トランジスタを介して接続されており
、またその際に予充電トランジスタおよび走査トランジ
スタが互いに逆向きにそれぞれその制御電極に、ビット
導通時間を予充電段階および本来の導通段階に分割する
結合装置駆動クロックを与えられており、こうして各予
充電段階で走査トランジスタの阻止状態においてマトリ
ックス出力線が予充電トランジスタを介して少なくとも
近似的に、動作電圧源の前記他方の端子に存在する電位
に充電される。結合要素個別の走査トランジスタまたは
マトリックス入力線またはマトリックス出力線個別の走
査トランジスタを有し得るこの公知の広帯域信号結合装
置は、これらの走査トランジスタの駆動のために、結合
点マトリックスを通過する固有のクロック線を必要とし
、このことは相応の占有面積を必要とし、またマトリッ
クス出力線の相応の容量性負荷を必然的に伴う。マトリ
ックス入力線とマトリックス出力線との間のクロック分
配および結合は十分なノイズ耐性の保証のためにマトリ
ックス出力線上に十分に大きい信号振幅を必要とし、こ
のことは比較的大きい電力消費と結び付いている。
【0004】たとえばヨーロッパ特許出願第03542
52号明細書から公知の別の広帯域信号結合装置は、F
ET技術による結合点マトリックスを有する広帯域信号
結合装置であって、結合点マトリックスは、その入力端
にそれぞれ入力ドライバ回路が設けられ、その出力端に
それぞれ出力増幅器回路が設けられており、それぞれ保
持メモリセルにより制御される結合要素がそれぞれ、そ
の制御電極に導通または阻止信号を与えられるスイッチ
トランジスタとその制御電極で付属のマトリックス入力
線に接続されている入力トランジスタとの直列回路によ
り形成されており、該直列回路は一方のトランジスタの
直列回路と反対側の主電極で付属のマトリックス出力線
に接続されており、その際にマトリックス出力線がトラ
ンジスタを介して作動電圧源の一方の端子と接続されて
おり、その際に、他方のトランジスタの直列回路と反対
側の主電極は連続的に動作電圧源の他方の端子と接続さ
れており、また各結合要素のトランジスタ直列回路は差
動増幅器の結合点個別の一方の枝路を形成しており、そ
のそれぞれ同一の出力線に通ずる結合点に共通の他方の
枝路は、その制御電極で動作電圧源の他方の端子に接続
されている第1のトランジスタと、その制御電極に参照
電圧を与えられている第2のトランジスタとの直列回路
を有するマトリックス出力線個別の出力増幅器回路によ
り形成されており、該出力増幅器回路は一方のトランジ
スタの直列回路と反対側の主電極で付属のマトリックス
出力線に接続されており、またその他方のトランジスタ
の直列回路と反対側の、増幅器出力端に通ずる主電極は
負荷トランジスタを介して動作電圧源の前記他方の端子
と接続されている。
【0005】“分配された”差動増幅器のこのコンセプ
トは一方では前記参照電圧の比較的高い精度、従ってま
た相応に高価な参照電圧発生器を必要とし、他方では分
配された差動増幅器に対していわゆるトランジスタのマ
ッチングに、すなわち、それらのなかに特性値が互いに
一致するトランジスタを用意することに問題がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、広帯
域信号結合装置におけるこのような問題を回避する方策
を示すことである。
【0007】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、FET技術による結合点マトリックスを有する広
帯域信号結合装置であって、その入力端にそれぞれ入力
ドライバ回路が設けら、  その出力端にそれぞれ出力
増幅器回路が設けられており、それぞれ保持メモリセル
により制御される結合要素がそれぞれ、制御電極に導通
または阻止信号を与えられるスイッチトランジスタと、
制御電極で付属のマトリックス入力線に接続されている
入力トランジスタとの直列回路により形成されており、
この直列回路が、一方のトランジスタの直列回路と反対
側の主電極で付属のマトリックス出力線に接続されてお
り、マトリックス出力線が、ビット導通時間スパンを予
充電段階および評価段階に分割する結合フィールド駆動
クロックのクロック信号線にその制御入力端で接続され
ている予充電トランジスタを介して、予充電電位源と接
続されており、その際に各予充電段階で入力トランジス
タが阻止され、またマトリックス出力線が予充電される
ように構成されている広帯域信号結合装置において、そ
れぞれマトリックス出力線と出力増幅器回路との間に、
出力増幅器回路の入力端に接続されている予充電トラン
ジスタと一緒に電荷転送回路を形成し、またその制御電
極で参照電位源に接続されているnチャネル直列トラン
ジスタが挿入されていることを特徴とする広帯域信号結
合装置により解決される。
【0008】ここで言及すべきこととして、その制御電
極に参照電圧を印加されるnチャネル直列トランジスタ
と、クロック制御される予充電トランジスタとを有する
電荷転送回路はそれ自体は(Annaratone:“
ディジタルCMOS回路設計”、KluwerAcad
emic Publishers、1986、第198
〜200頁から)公知である。本発明の基礎となってい
る問題点との接点およびその解決策はそこには記載され
ていない。
【0009】本発明は、上記の形式の電荷転送回路と結
び付けられる電圧増幅の利点のほかに、参照電圧の正確
な設定が必要でなく、従って正確で敏感な参照電圧源が
必要とされないという利点をもたらす。それどころか参
照電圧は内部で動作電圧の分圧により導き出され、その
際に、本発明の別の実施例において、参照電位源がコン
デンサにより基準電位(接地点)に対して良好にブロッ
クされていることは目的にかなっている。トランジスタ
のマッチングも重要でない。テクノロジーに起因する特
性値の変動は単に出力線上の信号スパンを変化させる。 出力線上の信号スパンは、それぞれ導通されるビットを
出力増幅器で確実に認識することを保証するために、た
とえば0.5Vの小さいスパンで既に十分である。その
際に信号スパンが小さければ、損失電力も相応に小さい
。本発明による広帯域信号結合装置は入力線上の減ぜら
れた信号スパンによっても動作し得る。
【0010】各予充電段階での入力トランジスタの阻止
は、(ヨーロッパ特許出願第0262479号明細書か
ら公知の)走査トランジスタを結合要素の動作電圧供給
線に設けたくないならば、原理的に同じく既に(ヨーロ
ッパ特許第90107016.9号明細書から)公知の
ように、たとえば入力線に挿入されており、それぞれそ
の制御入力端でクロック信号線に接続されており、また
予充電トランジスタと逆方向に制御されるゲート回路に
より行われ得る。
【0011】しかし、本発明の他の実施例では、マトリ
ックス入力線の前に接続されている入力ドライバ回路の
入力端に設けられている予充電トランジスタもその制御
電極で予充電‐評価‐クロック信号線に接続されており
、それにより同時に、入力ドライバ回路の前に接続され
ているトランスファゲートも制御される。
【0012】本発明の他の特殊性は、以下に図面により
本発明を一層詳細に説明するなかで明らかになろう。
【0013】
【実施例】図1には、本発明の理解に必要な範囲で広帯
域信号結合装置の概要が示されている。結合マトリック
スの列線s1…sj…snに通ずるその入力端e1…e
j…enには入力ドライバ回路E1…Ej…Enが設け
られており、また結合マトリックスの行線z1…zi…
zmから到達されるその出力端a1…ai…amは出力
増幅器回路A1…Ai…Amを設けられている。
【0014】結合点マトリックスは結合点KP11…K
Pij…KPmnを有し、それらの結合要素は、その結
合要素Kijに対する結合点KPijにおいて詳細に示
されているように、それぞれ結合点個別の(結合点KP
ijにおける)保持メモリセルHijにより制御される
ことができ、またその出力端sはそのつどの結合要素(
結合点KPijにおけるKij)の制御入力端に通じて
いる。
【0015】保持メモリセル…Hij…は、図1によれ
ば、2つの駆動デコーダ、すなわち行デコーダDXおよ
び列デコーダDYにより2つの座標のなかの相応の駆動
線x1…xi…xm;y1…yj…ynを介して駆動さ
れる。
【0016】そのために、図1から明らかなように、両
駆動デコーダDX、DYは入力レジスタRegX、Re
gYからそれぞれ、結合点のマトリックス行または列に
共通の結合点行または結合点列アドレスを与えられ、そ
れによって両駆動デコーダはそれぞれそのつどのアドレ
スに相応する駆動線にそれぞれ1つの“1”駆動信号を
発する。相応の接続の形成の際に当該のマトリックス列
との当該のマトリックス行の交叉点において行駆動信号
“1”および列駆動信号“1”が衝突すると、そこに位
置する保持メモリセル、たとえばメモリセルHijが能
動化され、その結果として、当該の保持メモリセル(H
ij)から制御される結合要素、例では結合要素Kij
が導通状態になる。
【0017】例として考察されている結合要素Kijが
当該の接続の解除の際に再び阻止されるように、再び駆
動デコーダDXは入力レジスタRegXから当該の行ア
ドレスを与えられ、従って行デコーダDXは再びその出
力線xi上に行駆動信号“1”を発し、また同時に列デ
コーダDYはその入力端レジスタRegYからたとえば
空アドレスまたは接続されない結合点の列のアドレスを
与えられ、従って列デコーダDYはその出力線yj上に
列駆動信号“0”を発する。行駆動信号“1”および列
駆動信号“0”が衝突すると、保持メモリセルHijは
リセットされ、その結果として、その保持メモリセルに
より制御される結合要素Kijは阻止される。
【0018】保持メモリセル…Hij…はたとえばヨー
ロッパ特許出願第0238834号明細書から明らかな
ようにそれ自体公知の仕方で構成されることができ、従
ってここでこれ以上に詳細に説明する必要はない。
【0019】結合要素…Kij…が回路技術的にどのよ
うに実現され得るかが図2に示されている。結合要素…
Kij…はそれぞれ、その制御電極に保持メモリセルか
ら導通または阻止信号を与えられるスイッチトランジス
タTnkと、その制御電極で付属の(マトリックス入力
線)列線sjに接続されている入力トランジスタTne
との直列回路により形成されており、該直列回路は一方
のトランジスタTnkの直列回路と反対側の主電極で付
属のマトリックス出力線ziに接続されている。マトリ
ックス出力線ziはnチャネル直列トランジスタTns
を介して出力増幅器回路Aiの入力端と接続されており
、その際に出力増幅器回路Aiの入力端にはさらに予充
電トランジスタTpiが接続されており、それを介して
(直列トランジスタTnsと直列に)付属のマトリック
ス出力線ziが、結合フィールド駆動クロックT(図3
中)により予充電段階pv(図3中)および評価段階p
h(図3中)に分割されるビット導通時間スパンの各予
充電段階pv(図3中)で、予充電電位源UDDと接続
されている。予充電トランジスタTpiはそのためにそ
の制御入力端で結合フィールド駆動クロックのクロック
信号線T(図2中)に接続されている。
【0020】マトリックス出力線ziと出力増幅器回路
Aiとの間に挿入されているnチャネル直列トランジス
タTnsはその制御電極で参照電位Urefに接続され
ており、その際に参照電位(Uref)および前記の予
充電電位(UDD)に対しては関係Uref UDDが
成り立つ。コンデンサCBlockにより参照電位源U
refは接地点に対してブロックされている。
【0021】マトリックス出力線ziと出力増幅器回路
Aiとの間に接続されているnチャネル直列トランジス
タTnsは、出力増幅器回路Aiの入力端に接続されて
いる予充電トランジスタTpiと一緒に電荷転送回路を
形成している。この電荷転送回路については、図2に示
されている回路装置の作用の仕方を後で説明する際にま
た説明する。その前に、広帯域信号結合装置の結合点マ
トリックスの列線sjに通ずる入力端ejにおける回路
技術的実施例を考察しておく。
【0022】図2によれば、マトリックス入力線(列線
)sjの前に入力ドライバ回路Ejが接続されており、
この入力ドライバ回路Ejの前には転送ゲートTGjが
接続されており、この転送ゲートTGjはその両制御入
力端で、結合フィールド駆動クロックを導くクロック信
号線Tまたは否定された結合フィールド駆動クロックを
導くクロック信号線T−に接続されている。入力ドライ
バ回路Ejの入力端には別の予充電トランジスタTpj
が接続されており、この予充電トランジスタTpjはそ
の制御電極で同じく予充電段階‐評価段階‐クロック信
号線Tに接続されている。
【0023】図2に示されている回路装置は下記のよう
に動作する。
【0024】予充電段階(図3中のpv)の間は入力側
の予充電トランジスタTpjが導通しているので、入力
ドライバ回路Ejの入力端は制御電位を受け、それに基
づいて入力ドライバ回路Ejの出力端、従ってまた列線
sjが基準電位(0V、接地)に達し、その結果として
、入力トランジスタTneが、従ってまた入力トランジ
スタTneおよびスイッチ‐トランジスタTnkの直列
回路も阻止状態に達する。
【0025】出力増幅器Aiの入力端は予充電段階(図
3中のpv)の間に予充電トランジスタTpiを介して
UDD電位に引かれ、その結果として、nチャネル直列
トランジスタTnsを介してマトリックス出力線(行線
)ziが電位Uref−Uthに達する。ここで、Ut
hは直列トランジスタTnsのしきい値電圧である。
【0026】低から高(UDD)への結合フィールド駆
動クロック信号T(図3中)の移行により予充電段階(
図3中のpv)は終了し、また後続の評価段階(図3中
のph)が開始する。入力ドライバ回路ejの入力端に
おける予充電トランジスタTpjは阻止され、また転送
ゲートTGjは導通状態となり、その結果、入力端Ej
にまさに生じている導通すべきビットに応じて、マトリ
ックス入力線(列線)sjはそのこれまでの電位(0V
、接地)にとどまり、または充電される。
【0027】第1の場合にはマトリックス出力線(行線
)ziの電位は不変にとどまり、他方において第2の場
合にはマトリックス出力線ziは、まさに考察されてい
る導通状態にある結合要素Kijの入力トランジスタT
neおよびスイッチ‐トランジスタTnkの直列回路を
介して放電される。マトリックス出力線zi上のこの電
位変化により、先に予充電段階でそのしきい値電圧の下
方超過の際に阻止状態に達したnチャネル直列トランジ
スタTnsはいまやそのしきい値電圧の上方超過に基づ
いて再び導通状態となり、電荷が出力増幅器回路Aiの
UDD電位に充電された入力端から直列トランジスタT
nsを介してマトリックス出力線zi上に達する。その
際に出力増幅器回路Aiの入力端における電圧スパンu
Aiとマトリックス出力線zi上の電圧スパンuziと
の比については関係式 uAi/uzi=Czi/CAi が成り立つ。ここで、Cziはマトリックス出力線zi
のキャパシタンス、またCAiは出力増幅器回路Aiの
入力端において有効な回路キャパシタンスを意味する。 いま長いマトリックス出力線(行線)ziのキャパシタ
ンスCziは出力増幅器回路Aiの入力端におけるキャ
パシタンスC  よりもはるかに大きいので、このこと
は出力増幅器回路Aiの入力端において相応の電圧増幅
に通じ、従って既にマトリックス出力線zi上の小さい
電圧スパンが、出力増幅器回路Aiにおけるそれぞれ導
通されるビットの確実な認識を保証するために十分であ
る。このビットは次いで評価段階(図3中のph)の終
了時に出力増幅器回路Aiからクロックアウトされ得る
【図面の簡単な説明】
【図1】広帯域信号結合装置の概要図。
【図2】本発明によるその回路技術的実現の詳細図。
【図3】そのなかの結合フィールド導通クロックを示す
図。
【符号の説明】 Ai    出力増幅器回路 DX    行デコーダ DY    列デコーダ Ej    入力ドライバ回路 e1〜sj    入力線 Hij    保持メモリセル Kij    結合要素 KP11〜KPmn    結合点 pv    予充電段階 ph    評価段階 RegX、RegY    入力レジスタs1〜sn 
   列線 TGj    転送ゲート Tne    入力トランジスタ Tnk    スイッチ‐トランジスタTns    
nチャネル直列トランジスタTpi、Tpj    予
充電トランジスタUref   参照電位源 UDD    予充電電位源 x1〜xm、y1〜yn…駆動線 z1〜zm…行線

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  FET技術による結合点マトリックス
    を有する広帯域信号結合装置であって、その入力端(e
    j−sj)にそれぞれ入力ドライバ回路(Ej)が設け
    ら、その出力端(zi−ai)にそれぞれ出力増幅器回
    路(Aj)が設けられており、それぞれ保持メモリセル
    (Hij)により制御される結合要素(Kij)がそれ
    ぞれ、制御電極に導通または阻止信号を与えられるスイ
    ッチトランジスタ(Tnk)と、制御電極で付属のマト
    リックス入力線(sj)に接続されている入力トランジ
    スタ(Tne)との直列回路により形成されており、こ
    の直列回路が、一方のトランジスタ(TnkまたはTn
    e)の直列回路と反対側の主電極で付属のマトリックス
    出力線(zi)に接続されており、マトリックス出力線
    (zi)が、ビット導通時間スパンを予充電段階(pv
    )および評価段階(ph)に分割する結合フィールド駆
    動クロックのクロック信号線(T)にその制御入力端で
    接続されている予充電トランジスタ(Tpi)を介して
    、予充電電位源(UDD)と接続されており、その際に
    各予充電段階(pv)で入力トランジスタ(Tne)が
    阻止され、またマトリックス出力線(zi)が予充電さ
    れるように構成されている広帯域信号結合装置において
    、それぞれマトリックス出力線(zi)と出力増幅器回
    路(Aj)との間に、出力増幅器回路(Ai)の入力端
    に接続されている予充電トランジスタ(Tpi)と一緒
    に電荷転送回路を形成し、またその制御電極で参照電位
    源(Uref)に接続されているnチャネル直列トラン
    ジスタ(Tns)が挿入されていることを特徴とする広
    帯域信号結合装置。
  2. 【請求項2】  参照電位源(Uref)がコンデンサ
    (CBlock)により接地点に対してブロックされて
    いることを特徴とする請求項1記載の広帯域信号結合装
    置。
  3. 【請求項3】  マトリックス入力線(sj)の前に接
    続されている入力ドライバ回路(Ej)の入力端に設け
    られている予充電トランジスタ(Tpj)もその制御電
    極で予充電段階‐評価段階‐クロック信号線(T)に接
    続されており、それにより同時に、入力ドライバ回路(
    Ej)の前に接続されているトランスファゲート(TG
    j)も制御されることを特徴とする請求項1または2記
    載の広帯域信号結合装置。
JP3268786A 1990-09-26 1991-09-20 広帯域信号結合装置 Withdrawn JPH04259191A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT90118489.5 1990-09-26
EP90118489A EP0477403B1 (de) 1990-09-26 1990-09-26 Breitbandsignal-Koppeleinrichtung mit Ladungstransferschaltung in den Ausgangsleitungen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04259191A true JPH04259191A (ja) 1992-09-14

Family

ID=8204515

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3268786A Withdrawn JPH04259191A (ja) 1990-09-26 1991-09-20 広帯域信号結合装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US5214424A (ja)
EP (1) EP0477403B1 (ja)
JP (1) JPH04259191A (ja)
AT (1) ATE117498T1 (ja)
CA (1) CA2052157A1 (ja)
DE (1) DE59008319D1 (ja)
HU (1) HU212223B (ja)
LU (1) LU87902A1 (ja)
RU (1) RU2103841C1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010193443A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Regents Of The Univ Of Michigan クロスバー回路およびそのようなクロスバー回路の動作方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2300330B (en) * 1995-04-28 1999-11-03 Northern Telecom Ltd Crosspoint matrix switch arrangement
US5760603A (en) * 1996-10-10 1998-06-02 Xilinx, Inc. High speed PLD "AND" array with separate nonvolatile memory
FR2969871B1 (fr) * 2010-12-23 2013-02-08 Alstom Transport Sa Dispositif de commutation electrique, notamment pour la commutation de forts courants electriques

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4577190A (en) * 1983-04-11 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Programmed logic array with auxiliary pull-up means to increase precharging speed
LU86790A1 (de) * 1986-09-17 1987-07-24 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung
EP0354252B1 (de) * 1988-08-08 1993-12-01 Siemens Aktiengesellschaft Breitbandsignal-Koppeleinrichtung
ATE98078T1 (de) * 1988-08-08 1993-12-15 Siemens Ag Breitbandsignal-koppeleinrichtung.
DE58906174D1 (de) * 1989-03-31 1993-12-16 Siemens Ag Breitbandsignal-Koppeleinrichtung.
US5121111A (en) * 1990-07-13 1992-06-09 Siemens Aktiengesellschaft Broadband signal switching network with respective threshold-value holding feedback member

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010193443A (ja) * 2009-02-13 2010-09-02 Regents Of The Univ Of Michigan クロスバー回路およびそのようなクロスバー回路の動作方法

Also Published As

Publication number Publication date
CA2052157A1 (en) 1992-03-27
ATE117498T1 (de) 1995-02-15
HU913066D0 (en) 1992-01-28
HU212223B (en) 1996-04-29
DE59008319D1 (de) 1995-03-02
RU2103841C1 (ru) 1998-01-27
US5214424A (en) 1993-05-25
EP0477403B1 (de) 1995-01-18
EP0477403A1 (de) 1992-04-01
LU87902A1 (de) 1992-01-15
HUT60084A (en) 1992-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5128563A (en) CMOS bootstrapped output driver method and circuit
US4813020A (en) Semiconductor device
GB1567858A (en) Voltage comparators
US5355028A (en) Lower power CMOS buffer amplifier for use in integrated circuit substrate bias generators
US4788457A (en) CMOS row decoder circuit for use in row and column addressing
US5644548A (en) Dynamic random access memory having bipolar and C-MOS transistor
JPS5827915B2 (ja) リセット回路
JPH04259191A (ja) 広帯域信号結合装置
CA1226908A (en) Highly sensitive high performance sense amplifiers
US4496850A (en) Semiconductor circuit for enabling a quick rise of the potential _on the word line for driving a clock signal line
US5539701A (en) Sense circuit for semiconductor memory devices
JPS5812677B2 (ja) Fet回路の出力ノ−ドを再充電する回路
US4379345A (en) Dynamic read amplifier for metal-oxide-semiconductor memories
JPS5877092A (ja) メモリの読取り方法
JPH0241114B2 (ja)
RU2106755C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
JPH02181514A (ja) 集積化デジタル増幅器およびこれを備える集積回路
RU2103832C1 (ru) Устройство коммутации широкополосных сигналов
JP2638252B2 (ja) 高速バス回路
US6456545B1 (en) Method and apparatus for data transmission and reception
JP2871902B2 (ja) 電流セル回路
RU2013877C1 (ru) Устройство связи широкополосных сигналов
JPS6129496A (ja) 半導体記憶装置
JP2615113B2 (ja) キャッシュメモリ
JP2552009B2 (ja) 半導体メモリ

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19981203