HU208594B - Insulated gate electrode lateral rectifier - Google Patents
Insulated gate electrode lateral rectifier Download PDFInfo
- Publication number
- HU208594B HU208594B HU875749A HU574987A HU208594B HU 208594 B HU208594 B HU 208594B HU 875749 A HU875749 A HU 875749A HU 574987 A HU574987 A HU 574987A HU 208594 B HU208594 B HU 208594B
- Authority
- HU
- Hungary
- Prior art keywords
- region
- type
- suction
- semiconductor
- sink
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000009747 swallowing Effects 0.000 description 24
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 7
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/08—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including only semiconductor components of a single kind
- H01L27/0817—Thyristors only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
Landscapes
- Power Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
A leírás terjedelme: 6 oldal (ezen belül 1 lap ábra)
HU 208 594 Β tartomány (22) van, amely az első nyelőtartománytól (18) az első félvezető tartomány (14) felé nyúlik, a nagyobb felületen (11) egy szigetelőréteg (24) van, és az első árok (12) fölött első szigetelőréteg rész (24a) van, amely az első félvezető tartománynak (14) legalább egy részét takarja az első forrástartomány (16) és az első nyelőtartomány (18) közötti részen, az első szigetelőréteg részen (24a) egy első kapuelektróda (Gl) van legalább részben az első félvezető tartomány (14) említett része (14a) fölött, és a szubsztrátumtól (10) elszigetelve, a második árokban (13) első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második forrástartomány (26) van, a második árokban (13) első vezetési típusú, felületcsatlakozású harmadik nyelőtartomány (28) van, amelyben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású negyedik nyelőtartomány (30) van, a második árokban (13) egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második nyelőt megnövelő tartomány (32) van, amely a harmadik nyelőtartománytól (28) a második forrástartomány (26) felé nyúlik, a nagyobb felületen (11), a második árok (13) fölött, a szigetelőrétegnek (24) második szigetelőréteg része (24b) van, amely a második ároknak (13) a második forrástartomány (26) és a második nyelőt megnövelő tartomány (32) közötti részének legalább egy részét fedi, a második szigetelőréteg említett részén (24b), a második ároknak (13) legalább az említett része fölött második kapuelektróda (G2) van, amely a szubsztrátumtól (10) szigetelve van, a második, illetve negyedik nyelőtartományhoz (20, 30) első, illetve második nyelőelektróda (Dl, D2) csatlakozik, valamint az első félvezető tartományhoz (14) az első forrástartományhoz (16) és a második forrástartományhoz (26) forráselektróda (S) csatlakozik.
A találmány tárgya egy szigetelt kapuelektródás laterális egyenirányító eszköz, amely félvezető alaphordozóra (szubsztrátumra) felvitt szilíciumból kerül kialakításra. A továbbiakban erre mint LIGR eszközre fogunk hivatkozni.
A találmány tárgyát képező szigetelt kapuelektródás laterális egyenirányítónak közelebbről egy adott első - vezetési típusú félvezető szubsztrátuma és annak egy nagyobb felülete van. Az egyenirányító egy vagy több nyelőtartománnyal, csatornatartománnyal, forrástartománnyal, ezekhez vezető módon csatlakozó kontaktus elektródákkal és kapuelektródákkal rendelkezik, ahol a csatornatartomány nyelő- és forrástartományok között helyezkedik el, valamint a csatomatartomány fölött, attól szigetelőréteggel elválasztottan elhelyezkedő kapuelektróda van, továbbá amelynek a szubsztrátum első vezetési típusával ellentétes - második - vezetési típusú, egymással szomszédos, felület-csatlakozású félvezető árkai vannak, amelyek egymástól a szubsztrátum egy részével el vannak választva.
Különösen alkalmas ez az eszköz teljesítmény áramkörökben, például kisülő lámpák elektronikus vezérlő/meghajtó áramköreiben történő alkalmazásra.
Ismert, hogy teljesítményvezérlő áramkörökben gyakran használják a félhíd kapcsolást, amelyben két azonos kapcsolótranzisztor van sorbakapcsolva. Térvezérelt tranzisztorok esetében az egyik tranzisztor forrása a másik tranzisztor nyelőjéhez van kapcsolva, amely pont egy közös kimeneti csatlakozó pontot alkot. Ezt az elrendezést általában integrált teljesítmény áramkörökben alkalmazzák, mivel a tranzisztorokhoz szükséges feszültség így a legkisebb. Ennek az elrendezésnek azonban bizonyos hátrányai vannak. Például, az egyik tranzisztor forráskövetőként működik, amikor is a vezető állapotú belső ellenállás nagyobb, mint földelt forrású elrendezésben, és a szubsztráthoz képest nagyobb a letörési feszültség. Ezek a hátrányok kiküszöbölhetők például az EP-A 114435 számon közzétett európai szabadalmi bejelentés szerinti forráskövető kapcsolással, amely azonban nagyon összetett, és ezért gyártása nehézkes.
Egy másik megoldás szerint, amelyet különösen diszkrét alkatrészekből felépített áramkörökben használnak, komplementer MOSFET eszközöket használnak közös nyelőjű konfigurációban. Ez a konfiguráció azonban integrált áramkörökben nem előnyös, mivel gyártásuk nehézkes, és mert a két eszköz integrálva vezető állapotban alapvetően különböző ellenállású, aminek eredményeképpen kiegyenlítetlen kimeneti jelalakok keletkeznek.
A LIGR viszonylag új típusú eszköz, amely nagyon alkalmasnak bizonyult nagyteljesítményű kapcsolási célokra. Önálló LIGR eszközök több konfigurációja látható például EP-A 111 803 számon közzétett európai szabadalmi bejelentésben. Amint e szabadalmi bejelentésben látható, az önálló LIGR struktúrája teljesen hasonló a laterális MOS tranzisztoréhoz, és két ilyen eszköznek egyetlen komplementer integrált áramköri struktúrában történő egyesítése a fentebb már említett nehézségeket jelenti.
A találmány elé célul tűztük ki egy olyan komplementer eszköznek a kidolgozását, amely alkalmas teljesítmény áramkörben való felhasználásra, félhíd kapcsolással, forráskövető áramkör alkalmazása nélkül.
A találmány célja továbbá egy olyan komplementer eszköznek a kidolgozása, amely teljesítmény áramkörben való felhasználásra alkalmas, amelynek egyszerűbb struktúrája van, és amely olcsón integrálható, emellett két olyan komplementer kapcsolóeszközt kapunk, amelynek vezető ellenállása egymáshoz hasonló nagyságrendű.
A kitűzött célt a találmány szerint egy félvezető alapú szilícium, egységesen integrált komplementer, szigetelt kapuelektródás laterális egyenirányító révén értük el. A konstrukcióban felhasználtuk a bevezetőben is említett, a félvezetőtechnikából jól ismert és a LIGR eszközökben is szokásosan alkalmazott FET alkotóelemeket, nevezetesen az egy vagy több nyelőtartománnyal, csatomatartománnyal, forrástartománnyal, ezekhez vezető módon csatlakozó kontaktus elektródákkal, és kapuelektródákkal rendelkező kialakítást, ahol a csatornatartomány nyelő- és forrástartományok
HU 208 594 B között helyezkedik el, valamint a csatomatartomány fölött, attól szigetelőréteggel elválasztottan elhelyezkedő kapuelektróda van, továbbá amelynek a szubsztrátum első vezetési típusával ellentétes - második - vezetési típusú, egymással szomszédos, felület-csatlakozású félvezető árkok - más szokásos megnevezéssel félvezető zsebek - vannak, amelyek egymástól a szubsztrátum egy részével vannak elválasztva.
A jelen találmány értelmében a laterális egyenirányító komplementer struktúraként van kialakítva. Egy első árokban első vezetési típusú, felület-csatlakozású első félvezető tartomány, valamint ebben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású első forrástartomány van, az első árokban második vezetési típusú, felület-csatlakozású, első nyelőtartomány, valamint ebben egy sekélyebb, első vezetési típusú felület-csatlakozású második nyelőtartomány van, az első árokban első vezetési típusú, felület-csatlakozású, első nyelőt megnövelő tartomány van, amely az első nyelötartománytól az első félvezető tartomány felé nyúlik, a nagyobb felületen egy szigetelőréteg van, és az első árok fölött első szigetelőréteg rész van, amely az első félvezető tartománynak legalább egy részét takarja az első forrástartomány és az első nyelőtartomány közötti részen, az első szigetelőréteg részen egy első kapuelektróda van legalább részben az első félvezető tartomány említett része fölött, és a szubsztrátumtól elszigetelve, a második árokban első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második forrás tartomány van, a második árokban első vezetési típusú, felület-csatlakozású harmadik nyelőtartomány van, amelyben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású negyedik nyelőtartomány van, a második árokban egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második nyelőt megnövelő tartomány van, amely a harmadik nyelőtartománytól a második forrástartomány felé nyúlik, a nagyobb felületen, a második árok fölött, a szigetelőrétegnek második szigetelőréteg része van, amely a második ároknak a második forrástartomány és a második nyelőt megnövelő tartomány közötti részének legalább egy részét fedi, a második szigetelőréteg említett részén, a második ároknak legalább az említett része fölött második kapuelektróda van, amely a szubsztrátumtól szigetelve van, a második, illetve negyedik nyelőtartományhoz első, illetve második nyelőelektróda csatlakozik, valamint az első félvezető tartományhoz, az első forrástartományhoz és a második forrástartományhoz forráselektróda csatlakozik.
A találmányt a továbbiakban ábrákkal illusztráljuk.
Az 1. ábra a találmány egy első kiviteli alakját, a
2. ábra a találmány egy másik kiviteli alakját vázolja.
A rajzokon az azonos típusú félvezető zónák azonos irányban vannak vonalkázva. A rajzok nem méretarányosak, különösen függőleges irányban vannak megnyújtva.
Az 1. ábrán egy komplementer LIGR eszköz látható, amely teljesítmény áramkörökben, pl. pl kisülő lámpák meghajtó körében alkalmazható jól. Az 1. ábra szerinti LIGR eszköznek egy adott - nevezzük ezt elsőnek - vezetési típusú félvezető (10) szubsztrátuma van, amely vezetési típus az adott esetben p-típusú, amelynél a szennyezési koncentráció szintje hozzávetőlegesen 5xl014 atom/cm3. A (10) szubsztrátum egy (11) nagyobb felületén az első vezetési típussal ellentétes második vezetési típusú, egymással szomszédos két felület-csatlakozású félvezető (12 és 13) árok van, amely második vezetési típus a jelen esetben n-típusú, és szennyezési koncentráció-szintje mintegy lxlO15 atom/cm3. Ezeknek a félvezető (12 és 13) árkoknak a vastagsága jellemzően 5-20 pm tartományban van. Megjegyzendő, hogy minden szennyezési szint és tartományvastagság a következőkben csupán tájékoztató jellegű, és az adott eszköz paramétereit a hagyományos tervezési szempontok szerint kell megválasztani, figyelemmel a gyártási technológiára, valamint olyan tényezőkre, mint az üzemi feszültség, teljesítményszint és hasonlók. Jóllehet, a két félvezető (12 és 13) árok egymással szomszédos, azok egymással közvetlenül nem érintkeznek, hanem azok egymástól egy, a félvezető (10) szubsztrátum (10a) keskeny része által van elválasztva.
A komplementer (1) LIGR eszköz első része az első (12) árokban van elhelyezve, amely egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású első (14) félvezető tartományt, valamint ebben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású első (16) forrástartományt tartalmaz. Ebben az esetben az első (14) félvezető tartomány p vezetési típusú, amelynek szennyezési koncentráció-szintje mintegy 10l6-1017 atom/cm3, és vastagsága mintegy 3-4 pm, és az első (16) forrástartomány n vezetési típusú, amelynek a szennyezés-koncentrációszintje hozzávetőlegesen 1018 atom/cm3, és vastagsága kisebb vagy egyenlő mintegy 1 pm-nél.
Az első (12) árokban lévő LIGR struktúra ki van egészítve egy nyelő struktúrával, amely az első (12) árokban második vezetési típusú, felület-csatlakozású első (18) nyelő tartományból, és egy ebben levő, sekélyebb első vezetési típusú, felület-csatlakozású második (20) nyelő tartományból áll, továbbá az első (12) árokban egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású első nyelőt megnövelő (22) tartományból áll, amely utóbbi az első (18) nyelőtartományból az első (14) félvezető tartomány felé nyúlik. A (18) nyelő tartomány n vezetési típusú, vastagsága mintegy 3-4 pm, és szennyezés-koncentrációjának szintje egyenlő vagy nagyobb mint mintegy 1017 atom/cm3, míg a (20) nyelő tartomány p vezetési típusú, szennyezési koncentrációjának szintje mintegy 1018 atom/cm3, vastagsága legfeljebb mintegy 1 pm.
A (22) tartomány p vezetési típusú, szennyezési koncentrációjának szintje mintegy 2xl016 atom/cm3, és vastagsága mintegy 1 pm.
A (11) nagyobb felületen lévő oxid (24) szigetelőrétegnek egy első (24a) szigetelőréteg része van, amely az első (12) árok fölött és az első (16) forrástartomány és első (18) nyelőtartomány között, az első (14) félvezető tartománynak legalább egy (14a) részét fedi.
Az LIGR struktúra első része ki van egészítve egy (D[) nyelőelektródával, amely a második (20) nyelőtartományhoz csatlakozik, továbbá egy (G,) kapuelektró3
HU 208 594 Β dával, amely a (24a) szigetelőréteg részen van, a (14) félvezető tartomány (14a) része fölött, és egy (S) forráselektródával, amely kapcsolódik az első (14) félvezető tartományhoz, első (16) forrástartományhoz és a második (13) árokban levő, első vezetési típusú, felület-csatlakozású második (26) forrástartománnyal is össze van kötve, A második (26) forrástartomány p vezetési típusú, amelynek szennyezés-koncentrációszintje mintegy ΙΟ16—1017 atom/cm3, és vastagsága mintegy 3-4 gm.
A második félvezető (13) árokban lévő struktúra többi része az előbb ismertetett első (12) árokban lévő struktúrának jórészt a tükörképe, amelyben egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású, harmadik (28) nyelőtartomány, valamint egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású, negyedik (30) nyelőtartomány van a harmadik (28) nyelőtartományon belül. Egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második nyelőt megnövelő (32) tartomány van a második (13) árokban, amely a harmadik (28) nyelőtartománytól a második (26) forrástartomány felé nyúlik. A (32) tartomány vastagsága és szennyezés-koncentrációja azonos a fentebb ismertetett (22) tartományéval, míg a (28) nyelőtartomány p vezetési típusú, és szenynyezés-koncentrációjának szintje mintegy 10161017 atom/cm3, vastagsága mintegy 3-4 gm. A negyedik (30) nyelőtartomány n vezetési típusú, vastagsága legfeljebb mintegy 1 gm és szennyezés-koncentrációjának szintje mintegy 1018 atom/cm3.
Az eszközstruktúra a (11) nagyobb felületen a (24) szigetelőrétegnek egy második (24b) szigetelőréteg részével van kiegészítve, a második (13) árok fölött, amely legalább részben letakarja a második (13) ároknak azt a részét, amely a második (26) forrástartomány és a második nyelőt megnövelő (32) tartomány között van. Egy második (G2) kapuelektróda van a második (24b) szigetelőréteg részen, legalább a második (13) árok (34) része fölött, a második (26) forrástartomány és a második nyelőt megnövelő (32) tartomány között. Végül a negyedik (30) nyelőtartományhoz egy második (D2) nyelőelektróda van csatlakoztatva.
Megjegyzendő, hogy míg a komplementer LIGR eszköz két félrésze egymással általában szimmetrikus (kivéve a forrástartomány-konfigurációkat), a kívánt komplementerműködés elérhető a szimmetrikusan elhelyezett kapuelektródákkal, amelyek az eszköz különböző részein hoznak létre csatornatartományokat. Ily módon az első (12) árokban egy megfelelő jelet adva a (G|) kapuelektródára, egy csatorna alakul ki az első (14) félvezető tartomány (14a) részén, míg a második félvezető (13) árok (G2) kapuelektródája egy, az előbbivel analóg csatornát alakít ki a második (13) árok (34) részén a második (26) forrástartomány és a második nyelőt megnövelő (32) tartomány között. Ily módon komplementer eszközt kapunk, amelynek a struktúrája lényegében szimmetrikus, amellyel az egyszerű gyártás lehetősége is társul.
A találmány szerinti LIGR eszköz egy második kiviteli alakja látható a 2. ábrán. A 2. ábrán látható komplementer (2) LIGR eszköz lényegében ugyanolyan strukturális konfigurációval rendelkezik, mint fentebb, az (1) LIGR eszköz kapcsán ismertettük, kivéve a második és negyedik, felület-csatlakozású (20 és 30) nyelőtartományok struktúráját. Ennek megfelelően, az azonos hivatkozási számmal jelölt részeket az egyszerűség kedvéért nem ismételjük.
A 2. ábrán bemutatott eszköz az 1. ábra szerintitől a nyelőtartományok konfigurációjában tér el. A (2) LIGR eszközben az első (18) nyelőtartományban egy második vezetési típusú (ebben az esetben n-típusú) felületcsatlakozású, ötödik (20a) nyelőtartomány van, a második (20) nyelőtartomány mentén, amely az első (D,) nyelőelektródához csatlakozik. Hasonlóképpen, a harmadik (28) nyelőtartományban, a negyedik (30) nyelőtartomány mentén első vezetési típusú (ebben az esetben p vezetési típusú), felület-csatlakozású, hatodik (30a) nyelőtartomány van. A (20a és 30a) nyelőtartományok szennyezés-koncentrációja és vastagsága a (30 és 20) nyelőtartományokéval összemérhető.
A 2. ábrán bemutatott kiviteli alak szerinti nyelőkonfiguráció különleges összetettségét az indokolja, hogy az eszköznek ily módon kedvezőbb tulajdonságai vannak. Az 1. ábrán bemutatott eszköznél a (18, 20 és 28, 30) nyelőtartományok ellentétes vezetési típusúak, így p-n átmeneteket alkotnak a pálya mentén. Ezzel együttjár mintegy 0,7 V-os nyitóirányú feszültségesés, ami járulékos teljesítmény-disszipációt eredményez, és amely nagyobb áramok esetén nagyon lényeges lehet. Ez a járulékos teljesítmény-disszipáció lényegében elkerülhető a 2. ábra szerinti eszközzel, mivel kezdeti vezetés van a (18, 20a és 28, 30a) nyelő tartományok ellenálláspályáin keresztül. Mivel mindegyik tartománypámak azonos vezetési típusa van [a (18 és 20a) nyelőtartományok n-vezetési típusúak, míg a (28 és 30a) nyelő tartományok p-vezetési típusúak], az 1. ábra szerinti eszköz járulékos teljesítmény-disszipációja elkerülhető azáltal, hogy az átmenet ellenállás-pályáján levő feszültségesést nyitóirányban előfeszítjük.
Összefoglalva, a találmány szerinti komplementer, rétegesen szigetelt kapuegyenirányító (LIGR) olyan kapcsoló eszköz, amely könnyen és olcsón integrálható, amellyel két komplementer kapcsoló eszközt tudunk kialakítani, amelyeknek vezető állapotban lévő ellenállásuk összemérhető. Ezen túlmenően, ezeket az előnyöket anélkül értük el, hogy forráskövető áramkörökre szükség lett volna.
Jóllehet, a találmány szerinti megoldást részletesen bemutattuk és leírtuk, a különböző előnyös kiviteli példák kapcsán, szakember számára nyilvánvaló, hogy a kiviteli formában és részletekben több olyan változtatás lehetséges, anélkül, hogy a találmány szerinti kitanítástól eltérnénk.
Claims (2)
1. Szigetelt kapuelektródás laterális egyenirányító, amelynek egy adott - első - vezetési típusú félvezető szubsztrátuma és annak egy nagyobb felülete van, továbbá amely szigetelt kapuelektródás laterális egyen4
HU 208 594 B irányító egy vagy több nyelőtartománnyal, csatornatartománnyal, forrástartománnyal, ezekhez vezető módon csatlakozó kontaktus elektródákkal, és kapuelektródákkal rendelkezik, ahol a csatornatartomány nyelő- és forrástartományok között helyezkedik el, valamint a csatornatartomány fölött, attól szigetelőréteggel elválasztottan elhelyezkedő kapuelektróda van, továbbá amelynek a szubsztrátum első vezetési típusával ellentétes - második - vezetési típusú, egymással szomszédos, felület-csatlakozású félvezető árkai vannak, amelyek egymástól a szubsztrátum egy részével el vannak választva, azzal jellemezve, hogy a laterális egyenirányító komplementer kialakítású, továbbá az első árokban (12) első vezetési típusú, felület-csatlakozású első félvezető tartomány (14), valamint ebben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású első forrástartomány (16) van, az első árokban (12) második vezetési típusú, felület-csatlakozású, első nyelőtartomány (18), valamint ebben egy sekélyebb, első vezetési típusú felület-csatlakozású második nyelőtartomány (20) van, az első árokban (12) első vezetési típusú, felület-csatlakozású, első nyelőt megnövelő tartomány (22) van, amely az első nyelőtartománytól (18) az első félvezető tartomány (14) felé nyúlik, a nagyobb felületen (11) egy szigetelőréteg (24) van, és az első árok (12) fölött első szigetelőréteg rész (24a) van, amely az első félvezető tartománynak (14) legalább egy részét takarja az első forrástartomány (16) és az első nyelőtartomány (18) közötti részen, az első szigetelőréteg részen (24a) egy első kapuelektróda (Gl) van legalább részben az első félvezető tartomány (14) említett része (14a) fölött, és a szubsztrátumtól (10) elszigetelve, a második árokban (13) első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második foirástartomány (26) van, a második árokban (13) első vezetési típusú, felület-csatlakozású harmadik nyelőtartomány (28) van, amelyben egy sekélyebb, második vezetési típusú, felület-csatlakozású negyedik nyelőtartomány (30) van, a második árokban (13) egy első vezetési típusú, felület-csatlakozású, második nyelőt megnövelő tartomány (32) van, amely a harmadik nyelőtartománytól (28) a második foirástartomány (26) felé nyúlik, a nagyobb felületen (11), a második árok (13) fölött, a szigetelőrétegnek (24) második szigetelőréteg része (24b) van, amely a második ároknak (13) a második forrástartomány (26) és a második nyelőt megnövelő tartomány (32) közötti részének legalább egy részét fedi, a második szigetelőréteg említett részén (24b), a második ároknak (13) legalább az említett része fölött második kapuelektróda (G2) van, amely a szubsztrátumtól (10) szigetelve van, a második, illetve negyedik nyelőtartományhoz (20, 30) első, illetve második nyelőelektróda (Dl, D2) csatlakozik, valamint az első félvezető tartományhoz (14), az első forrástartományhoz (16) és a második forrástartományhoz (26) forráselektróda (S) csatlakozik.
2. Az 1. igénypont szerinti szigetelt kapuélektródás laterális egyenirányító, azzal jellemezve, hogy az első nyelőtartományban (18) második vezetési típusú, felületcsatlakozású ötödik nyelőtartomány (20a) van, amely a második nyelőtartománnyal (20) érintkezik, és az első nyelőelektródához csatlakozik, továbbá a harmadik nyelőtartományban (28) első vezetési típusú felület-csatlakozású hatodik nyelőtartomány (30a) van, amely a negyedik nyelőtartománnyal (30) érintkezik, és a második nyelőelektródához (D2) csatlakozik.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/945,420 US4712124A (en) | 1986-12-22 | 1986-12-22 | Complementary lateral insulated gate rectifiers with matched "on" resistances |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| HUT49754A HUT49754A (en) | 1989-10-30 |
| HU208594B true HU208594B (en) | 1993-11-29 |
Family
ID=25483062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| HU875749A HU208594B (en) | 1986-12-22 | 1987-12-17 | Insulated gate electrode lateral rectifier |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4712124A (hu) |
| EP (1) | EP0272754B1 (hu) |
| JP (1) | JP2542656B2 (hu) |
| KR (1) | KR970000719B1 (hu) |
| CN (1) | CN1010531B (hu) |
| AT (1) | ATE75878T1 (hu) |
| AU (1) | AU597540B2 (hu) |
| CA (1) | CA1264866A (hu) |
| DE (1) | DE3778856D1 (hu) |
| HU (1) | HU208594B (hu) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2206443A (en) * | 1987-06-08 | 1989-01-05 | Philips Electronic Associated | A method of manufacturing a semiconductor device |
| JPH01112764A (ja) * | 1987-10-27 | 1989-05-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
| US4939566A (en) * | 1987-10-30 | 1990-07-03 | North American Philips Corporation | Semiconductor switch with parallel DMOS and IGT |
| US4926074A (en) * | 1987-10-30 | 1990-05-15 | North American Philips Corporation | Semiconductor switch with parallel lateral double diffused MOS transistor and lateral insulated gate transistor |
| US4990976A (en) * | 1987-11-24 | 1991-02-05 | Nec Corporation | Semiconductor device including a field effect transistor having a protective diode between source and drain thereof |
| US5258319A (en) * | 1988-02-19 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a MOS type field effect transistor using an oblique ion implantation step |
| US5061975A (en) * | 1988-02-19 | 1991-10-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | MOS type field effect transistor having LDD structure |
| US4998156A (en) * | 1988-03-25 | 1991-03-05 | General Electric Company | Structure for a complementary-symmetry COMFET pair |
| US4910563A (en) * | 1988-08-15 | 1990-03-20 | General Electric Company | Complementary circuit and structure with common substrate |
| JP3093771B2 (ja) * | 1990-03-22 | 2000-10-03 | 沖電気工業株式会社 | 半導体記憶装置 |
| US5072268A (en) * | 1991-03-12 | 1991-12-10 | Power Integrations, Inc. | MOS gated bipolar transistor |
| JP3203814B2 (ja) * | 1992-10-19 | 2001-08-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP2920061B2 (ja) * | 1994-02-04 | 1999-07-19 | モトローラ株式会社 | 高負荷駆動ドライバ用半導体集積装置及び高負荷駆動ドライバ装置 |
| JP3185656B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2001-07-11 | 富士電機株式会社 | 横型電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
| US6236084B1 (en) * | 1998-06-01 | 2001-05-22 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor integrated circuit device having double diffusion insulated gate field effect transistor |
| KR100745557B1 (ko) * | 1999-02-17 | 2007-08-02 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | Ｉｇｂｔ 및 전력변환 장치 |
| US6894349B2 (en) | 2001-06-08 | 2005-05-17 | Intersil Americas Inc. | Lateral DMOS structure with lateral extension structure for reduced charge trapping in gate oxide |
| US7943318B2 (en) * | 2006-01-05 | 2011-05-17 | The Ohio State University Research Foundation | Microrna-based methods and compositions for the diagnosis, prognosis and treatment of lung cancer |
| CN104979340B (zh) * | 2014-04-01 | 2018-02-13 | 旺宏电子股份有限公司 | 半导体结构与静电放电防护电路 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4626879A (en) * | 1982-12-21 | 1986-12-02 | North American Philips Corporation | Lateral double-diffused MOS transistor devices suitable for source-follower applications |
| DE3301648A1 (de) * | 1983-01-19 | 1984-07-19 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Misfet mit eingangsverstaerker |
| NL8302731A (nl) * | 1983-08-02 | 1985-03-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting. |
| EP0144654A3 (en) * | 1983-11-03 | 1987-10-07 | General Electric Company | Semiconductor device structure including a dielectrically-isolated insulated-gate transistor |
| US4639761A (en) * | 1983-12-16 | 1987-01-27 | North American Philips Corporation | Combined bipolar-field effect transistor resurf devices |
| JPH0612818B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1994-02-16 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置 |
| US4609929A (en) * | 1984-12-21 | 1986-09-02 | North American Philips Corporation | Conductivity-enhanced combined lateral MOS/bipolar transistor |
| ATE73963T1 (de) * | 1986-12-22 | 1992-04-15 | Philips Nv | Komplementaere, laterale silizium-aufisolatorgleichrichter mit isoliertem gate. |
-
1986
- 1986-12-22 US US06/945,420 patent/US4712124A/en not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-12-16 AT AT87202541T patent/ATE75878T1/de active
- 1987-12-16 DE DE8787202541T patent/DE3778856D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-16 EP EP87202541A patent/EP0272754B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-17 HU HU875749A patent/HU208594B/hu not_active IP Right Cessation
- 1987-12-17 CA CA000554654A patent/CA1264866A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-18 AU AU82830/87A patent/AU597540B2/en not_active Ceased
- 1987-12-19 CN CN87101229A patent/CN1010531B/zh not_active Expired
- 1987-12-22 JP JP62323021A patent/JP2542656B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1987-12-22 KR KR1019870014665A patent/KR970000719B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE75878T1 (de) | 1992-05-15 |
| AU8283087A (en) | 1988-06-23 |
| EP0272754A2 (en) | 1988-06-29 |
| CN1010531B (zh) | 1990-11-21 |
| KR880008458A (ko) | 1988-08-31 |
| EP0272754B1 (en) | 1992-05-06 |
| EP0272754A3 (en) | 1990-03-14 |
| US4712124A (en) | 1987-12-08 |
| HUT49754A (en) | 1989-10-30 |
| CN87101229A (zh) | 1988-09-14 |
| DE3778856D1 (de) | 1992-06-11 |
| JPS63166269A (ja) | 1988-07-09 |
| CA1264866A (en) | 1990-01-23 |
| JP2542656B2 (ja) | 1996-10-09 |
| KR970000719B1 (ko) | 1997-01-18 |
| AU597540B2 (en) | 1990-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| HU208594B (en) | Insulated gate electrode lateral rectifier | |
| US6507080B2 (en) | MOS transistor and fabrication method thereof | |
| KR100207338B1 (ko) | 드라이버 회로 | |
| US20030164527A1 (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| EP0348998B1 (en) | Semiconductor integrated circuit including differential transistor circuit having a pair of FETs | |
| EP0596565B1 (en) | Novel device configuration with multiple HV-LDMOS transistors and a floating well circuit | |
| US4072868A (en) | FET inverter with isolated substrate load | |
| GB2168534A (en) | Integrated power MOS bridge circuit | |
| EP0700090B1 (en) | Semiconductor integrated circuit comprising a current mirror circuit | |
| JP3282375B2 (ja) | 相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ | |
| US6088208A (en) | Electronic device, electronic switching apparatus including the same, and production method thereof | |
| US7816212B2 (en) | Method of high voltage operation of a field effect transistor | |
| JPH03214666A (ja) | 電荷転送デバイスを含む半導体装置およびその製造方法 | |
| US4680605A (en) | High voltage depletion mode transistor with serpentine current path | |
| HU208595B (en) | Insulated gate electrode lateral rectifier | |
| US6864550B2 (en) | Semiconductor device | |
| US5663587A (en) | Field effect transistor of high breakdown voltage type having stable electrical characteristics | |
| JP2920061B2 (ja) | 高負荷駆動ドライバ用半導体集積装置及び高負荷駆動ドライバ装置 | |
| US5856218A (en) | Bipolar transistor formed by a high energy ion implantation method | |
| TWI775078B (zh) | 具有稽納二極體的功率元件 | |
| CA1285663C (en) | Buried contact structure for reducing resistance in integrated circuits | |
| US6104070A (en) | Semiconductor device with reduced number of through holes and method of manufacturing the same | |
| US4885627A (en) | Method and structure for reducing resistance in integrated circuits | |
| EP0452874A2 (en) | MOS semiconductor device | |
| JPS612355A (ja) | 複合半導体素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HMM4 | Cancellation of final prot. due to non-payment of fee |