FR3114676A1 - Boîtier électronique - Google Patents

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Abstract

Boîtier électronique La présente description concerne un boîtier (10) pour dispositif électronique (12), le boîtier comprenant une plaque (22) et un mur latéral (20), séparés par une couche en un matériau de fixation et au moins une région (28) en un matériau configuré pour former dans la région (28) une ouverture entre l'intérieur et l'extérieur du boîtier lorsque le boîtier est chauffé. Figure pour l'abrégé : Fig. 1

Description

Boîtier électronique
La présente description concerne de façon générale les dispositifs électroniques et plus particulièrement les boîtiers, par exemple les boîtiers comprenant des dispositifs optoélectroniques, et leurs procédés de fabrication.
Il est courant de commercialiser des composants électroniques ou des dispositifs électroniques situés dans un boîtier. Le boîtier comprend par exemple un support, constituant le coté inférieur du boîtier, une plaque supérieure constituant le coté supérieur du boîtier et un mur constituant les cotés latéraux du boiter.
Le boîtier est généralement fixé et connecté électriquement à un autre dispositif. Cependant, l'étape de fixation du boîtier peut entraîner des dommages au boîtier.
Un mode de réalisation pallie tout ou partie des inconvénients des boîtiers connus.
Un mode de réalisation prévoit un boîtier pour dispositif électronique, le boîtier comprenant une plaque et un mur latéral, séparés par une couche en un matériau de fixation et au moins une région en un matériau configuré pour former dans la région une ouverture entre l'intérieur et l'extérieur du boîtier lorsque le boîtier est chauffé.
Un autre mode de réalisation prévoit un procédé de fabrication d'un boîtier pour dispositif électronique, le boîtier comprenant une plaque et un mur latéral, le procédé comprenant la formation d'une couche en un matériau de fixation et au moins une région, séparant la plaque et le mur, la région étant en un matériau configuré pour former dans la région une ouverture entre l'intérieur et l'extérieur du boîtier lorsque le boîtier est chauffé.
Selon un mode de réalisation, la région est configurée pour former l'ouverture lorsque le boîtier est chauffé à une température supérieure à 150°C.
Selon un mode de réalisation, le mur latéral est en résine.
Selon un mode de réalisation, la plaque est en verre.
Selon un mode de réalisation, ladite région est située entre le mur et la plaque.
Selon un mode de réalisation, le dispositif situé dans le boîtier est un dispositif optoélectronique, de préférence une caméra.
Selon un mode de réalisation, le dispositif et le mur repose sur un support, le support comprenant des éléments conducteurs reliant le dispositif à des éléments de soudure situées sous le support.
Selon un mode de réalisation, la plaque est le support.
Selon un mode de réalisation, l'ouverture est configurée pour se former durant une étape de soudure des éléments de soudure.
Selon un mode de réalisation, le boîtier est configuré pour être hermétique avant l'étape de soudure.
Selon un mode de réalisation, le boîtier est nettoyé ou rincé par un liquide avant l'étape de soudure.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend le dépôt d'un moule sur le support et l'injection de résine dans le moule de manière à former le mur.
Selon un mode de réalisation, le procédé comprend la formation du mur séparément du support et la fixation du mur sur le support par une couche de fixation.
Ces caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres, seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles :
la figure 1A est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'un boîtier comprenant un dispositif optoélectronique ;
la figure 1B est une vue en coupe du mode de réalisation de la figure 1A ;
la figure 2A représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 2B représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 2C représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 2D représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 2E représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 3 représente une variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B ;
la figure 4 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B ; et
la figure 5 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
De mêmes éléments ont été désignés par de mêmes références dans les différentes figures. En particulier, les éléments structurels et/ou fonctionnels communs aux différents modes de réalisation peuvent présenter les mêmes références et peuvent disposer de propriétés structurelles, dimensionnelles et matérielles identiques.
Par souci de clarté, seuls les étapes et éléments utiles à la compréhension des modes de réalisation décrits ont été représentés et sont détaillés. En particulier, les applications du dispositif situé dans le boîtier ne seront pas détaillées.
Sauf précision contraire, lorsque l'on fait référence à deux éléments connectés entre eux, cela signifie directement connectés sans éléments intermédiaires autres que des conducteurs, et lorsque l'on fait référence à deux éléments reliés (en anglais "coupled") entre eux, cela signifie que ces deux éléments peuvent être connectés ou être reliés par l'intermédiaire d'un ou plusieurs autres éléments.
Dans la description qui suit, lorsque l'on fait référence à des qualificatifs de position absolue, tels que les termes "avant", "arrière", "haut", "bas", "gauche", "droite", etc., ou relative, tels que les termes "dessus", "dessous", "supérieur", "inférieur", etc., ou à des qualificatifs d'orientation, tels que les termes "horizontal", "vertical", etc., il est fait référence sauf précision contraire à l'orientation des figures.
Sauf précision contraire, les expressions "environ", "approximativement", "sensiblement", et "de l'ordre de" signifient à 10 % près, de préférence à 5 % près.
La figure 1A est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'un boîtier 10 comprenant un dispositif optoélectronique 12. La figure 1B est une vue en coupe du mode de réalisation de la figure 1A dans le plan B de la figure 1A.
Le dispositif 12 est de préférence un dispositif optoélectronique. Le dispositif 12 est de préférence un dispositif recevant ou émettant des rayonnements lumineux, de préférence par une face supérieure 12a. Le dispositif 12 est par exemple un capteur d'images, par exemple une caméra vidéo.
Le boîtier 10 comprend un support 14. Le support 14 constitue la face, ou plaque, inférieure du boîtier. Le dispositif 12 repose de préférence sur le support 14. Le support 14 comprend des éléments conducteurs 16 permettant de connecter électriquement la face supérieure du support 14 à la face inférieure du support 14. De préférence, le support 14 est en un matériau isolant dans lequel sont situés les éléments conducteurs. Par exemple, les éléments conducteurs 16 sont des pistes conductrices. Par exemple, le support 14 comprend des niveaux de pistes conductrices 16 reliées électriquement les uns aux autres par des vias conducteurs non représentés. De préférence, le support 14 comprend des pistes conductrices 16a affleurant la face supérieure du support 14 et permettant des connexions électriques avec le dispositif 12, par exemple par des fils électriques 17, non représentés en figure 1A. Le support 14 comprend, en outre, des pistes 16b, ou plots 16b, affleurant la face inférieure du support 14.
Des billes de soudure 18 sont par exemple situées sur les pistes 16b. Le boîtier 10 peut ainsi être soudé à un autre dispositif non représenté par les billes de soudure 18. A titre de variante, les billes de soudure 18 peuvent être remplacées par d'autres éléments métalliques permettant la soudure du boîtier 10 à l'autre dispositif. Ainsi, une matrice de pastilles (LGA ou "Land Grid Array" en anglais) métalliques ou une pâte de soudure peut être formée sur la face inférieure du support 14, de manière à remplacer les billes 18. Des connexions électriques peuvent ainsi être formées entre le dispositif 12 situé dans le boîtier 10 et l'autre dispositif par l'intermédiaire des fils 17, des pistes 16 et des éléments de soudure, par exemple les billes 18 ou des pastilles.
Le boîtier 10 comprend en outre un mur 20. Le mur 20 est par exemple en plastique, en résine, en céramique ou en un matériau organique. De préférence, le mur 20 est en résine. Le mur 20 forme le contour latéral du boîtier 10. Le mur 20 constitue ainsi les faces latérales du boîtier 10. Le mur 20 repose sur le support 14. Le mur 20 s'étend à partir du boîtier 10. Ainsi, le mur 20 s'étend sur la périphérie de la face supérieure du support 14. Le mur 20 s'étend autour du dispositif 12.
Le mur 20 est de préférence séparé du dispositif 12 par un espace, par exemple rempli d'air. Le mur 20 est de préférence un mur continu.
Le mur 20 est de préférence au moins aussi haut que le dispositif 12. Ainsi, la face supérieure du mur 20 est de préférence située au-dessus du dispositif 12.
Une plaque 22 est fixée sur le mur 20. La plaque forme ainsi la face supérieure du boîtier 10. Le boîtier 10 comprend ainsi le support 14, le mur 20 et la plaque 22. Le support 14, le mur 20 et la plaque 22 forment une cavité interne 24 dans laquelle est situé le dispositif 12. La cavité 24 est de préférence remplie d'air.
La plaque 22 est rigide, c’est-à-dire que la forme de la plaque n'est pas modifiée lors de son placement sur le mur 20. En particulier, la plaque 22 ne s'étire pas dans la cavité 24 du boîtier 10. De préférence, la plaque 22 comprend des faces supérieure et inférieure planes, et de préférence parallèles entre elles. Ainsi, la plaque 22 n'est de préférence pas en contact avec le dispositif 12. De préférence, la plaque 22 est séparée du dispositif 12 par un espace, de préférence rempli d'air.
De préférence la plaque 22 est en un matériau transparent. En particulier, si le dispositif 12 est un dispositif optoélectronique, la plaque 22 est en un matériau transparent aux longueurs d'onde émises et/ou reçues par le dispositif 12. Par exemple, si le dispositif 12 est une caméra vidéo, la plaque 22 est transparente aux longueurs d'onde du visible. De préférence, la plaque 22 est en verre.
Le boîtier 10 comprend de plus une couche 26 de fixation, fixant la plaque 22 au mur 20. Le boîtier 10 comprend en outre une région 28 entre la plaque et le mur 20. La couche 26 est de préférence une couche de colle. La couche 26 repose sur, et en contact avec, la face supérieure du mur 20. La plaque 22 repose sur, et en contact avec, la couche 26. La couche 26 s'étend sur la face supérieure du mur 20, de manière continue autour de la cavité 24, à l'exception de l'emplacement de la région 28. Ainsi, la couche 26 s'étend de préférence sur toute la face supérieure du mur 20 à l'exception de l'emplacement de la région 28. Autrement dit, la couche 26 comprend une ouverture remplie entièrement du matériau de la région 28. Ainsi, la région 28 et la couche 26 forment un anneau continu faisant le tour de la cavité 24. La région 28 est ainsi en contact avec la couche 26. La cavité interne 24 du boîtier 10, et donc le dispositif 12, est ainsi entièrement entourée par le boîtier 10. La plaque 22 est ainsi séparée du mur 20 par la couche 26 ou la région 28.
La région 28 s'étend de la cavité interne 24 du boîtier 10, c’est-à-dire l'intérieur du boîtier 10, jusqu'à l'extérieur du boîtier 10. Ainsi, la région 28 n'est pas séparée de la cavité interne 24 du boîtier 10 et n'est pas séparé de l'extérieur du boîtier 10. En particulier, la région 28 n'est pas séparée de la cavité interne 24 du boîtier 10 et de l'extérieur du boîtier 10 par la couche 26. La cavité interne 24 du boîtier 10 est ainsi directement séparée de l'extérieur du boîtier 10 par la région 28.
La région 28 a par exemple sensiblement la forme d'un parallélépipède. La région 28 comprend par exemple :
- une face, de préférence une face latérale, en contact avec l'intérieur du boîtier 10, de préférence en contact avec l'air compris dans la cavité interne 24 du boîtier 10 ;
- une face, de préférence une face latérale, en contact avec l'extérieur du boîtier 10, de préférence en contact avec l'air situé à l'extérieur du boîtier 10 ;
- une face, de préférence une face supérieure, en contact avec la plaque 22 :
- une face, de préférence une face inférieure, en contact avec le mur 20 ; et
deux faces, de préférence des faces latérales, de préférence deux faces opposées l'une à l'autre, en contact avec la couche 26.
Le boîtier 10 comprend ainsi un assemblage de la plaque 22 sur un ensemble comprenant le mur 20 et le support 14. La plaque 22 est de préférence séparée du mur 20 par deux matériaux distincts, de préférence uniquement deux matériaux, c’est-à-dire le matériau de fixation de la couche 26 et le matériau de la région 28.
Le boîtier 10 peut subir, après sa formation, par exemple après les étapes décrites en relation avec les figures 2A à 2E, une étape de nettoyage ou de rinçage. L'étape de nettoyage ou de rinçage est par exemple effectuée avec un liquide, par exemple avec de l'eau. Lors de cette étape de rinçage, le boîtier 10 est hermétique, c’est-à-dire que le liquide ne pénètre pas dans la cavité interne 24 du boîtier 10. Autrement dit, le matériau de la couche de fixation 26 et le matériau de la région 28 sont étanches, c’est-à-dire qu'ils sont tels que la liaison entre la plaque 22 et le mur 20 est hermétique. Il n'y a donc pas d'ouverture entre la plaque 22 et le mur 20 lors de cette étape.
Après l'étape de nettoyage ou rinçage, le boîtier 10 peut être stocké pendant une longue durée, par exemple pendant plusieurs jours, voire plusieurs semaines, avant d'être fixé, par exemple par les billes 18 ou par un autre élément de soudure, à un autre dispositif. L'étape de fixation correspond à une étape de soudure, par exemple des billes 18, autrement dit à une étape de fusion des éléments de soudure situés sur la face inférieure du support 14, par exemple les billes 18, sur l'autre dispositif. Le boîtier 10 est ainsi chauffé à une température par exemple supérieure à 150 °C.
Durant la période de stockage, de l'humidité peut se propager dans la cavité interne 24 du boîtier 10, par exemple par l'intermédiaire du support 14, ou du mur 20.
Lors de l'étape de fusion des éléments de soudure, par exemple des billes 18, l'humidité dans la cavité interne 24 du boîtier 10 se transforme en vapeur et augmente la pression dans la cavité interne 24 du boîtier 10. Le matériau de la région 28 est choisi de telle manière que la région 28 se dégrade sous la pression de la vapeur d'eau lors de cette étape de fusion et forme une ouverture. La région 28 constitue donc une soupape pour le boîtier 10.
La température de fusion des éléments de soudure, par exemple des billes 18, dépend du matériau des éléments de soudure, par exemple des billes 18. Les éléments de soudure sont en métal et ont de préférence une température de fusion supérieure à 150 °C, de préférence supérieure à 200 °C, encore plus préférentiellement supérieure à 250 °C. Ainsi, le matériau de la région 28 est choisi de manière à former une ouverture entre l'extérieur du boîtier 10 et la cavité interne 24 du boîtier 10 à la température de fusion des éléments de soudure, c’est-à-dire à une température supérieure à 150 °C, de préférence supérieure à 200 °C, encore plus préférentiellement supérieure à 250 °C.
De préférence, la région 28 est configurée pour former une ouverture lorsque la pression dans la cavité interne 24 du boîtier 10 atteint une valeur supérieure à 1 atmosphère, de préférence supérieure à 1,5 atmosphère.
La région 28 constitue ainsi un évent dans le boîtier 10 lors de l'étape de fusion des éléments de soudure. La région 28 permet ainsi de dégazer la cavité interne 24 du boîtier 10.
Par exemple, la région est en un matériau souple, étirable et/ou déformable de telle manière que lors de l'étape de fusion, au moins une partie de la face de la région 28 située la plus proche de la cavité interne 24 du boîtier 10 se déplace jusqu'à être à l'extérieur du boîtier 10. Par exemple, la région est en un matériau souple, étirable et/ou déformable de telle manière que lors de l'étape de fusion, une bulle d'air se forme dans la région 28 et se perce à l'extérieure de la cavité 24. De préférence, du matériau de la région 28 subsiste après la formation de l'ouverture.
Par exemple, le matériau de la région 28 a une adhérence au matériau de la plaque 22, de la couche 26 et/ou du mur 20 telle que, lors de l'étape de fusion des éléments de soudure, la pression entraine la séparation de la région 28 et de la plaque 22, de la couche 26 et/ou du mur 20, ce qui permet le passage d'air vers l'extérieur du boîtier 10. Autrement dit, la pression générée lors de l'étape de fusion peut entrainer la délamination du matériau de la région 28.
Par exemple, le matériau de la région 28 est un matériau poreux, pouvant être traversé par de l'air mais pas par de l'eau.
Par exemple, le matériau de la région 28 est un matériau visqueux, par exemple un gel permettant, sous la pression générée lors de l'étape de fusion, de permettre le passage d'air. De préférence, le matériau de la région 28 est un silicone, de préférence un gel silicone. L'ouverture formée dans la région 28 peut alors se refermée après le passage de l'air.
De préférence, l'ouverture formée dans la région 28 est définitive. Autrement dit, le matériau 28 ne reprend de préférence pas sa forme originelle après l'étape de fusion. Autrement dit, l'ouverture est pérenne une fois formée.
On aurait pu choisir de ne pas former une région 28. La couche de fixation 26 formerait alors un anneau continu entourant la cavité interne 24 du boîtier 10 et rendant hermétique la cavité. Lors de la période de stockage, la cavité 24 du boîtier 10 pourrait accumuler suffisamment d'humidité pour que la pression formée dans la cavité 24 lors de la fusion des éléments de soudure endommage le boîtier 10, en particulier endommage le mur 20, le support 14 ou la plaque 22. Les dommages engendrés seraient alors dans des endroits non prévus et pourraient désavantageusement modifier la structure du boîtier 10.
Les figures 2A à 2E représentent le résultat d'étapes, de préférence successives, d'un exemple de procédé de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B. Les figures 2A à 2E sont des vues en coupe dans le plan de la figure 1B. Plus précisément, les figures 2A à 2E représentent des étapes de formation de trois boîtiers 10, comprenant chacun un dispositif 12. De manière plus générale, les étapes de fabrication décrites en relation avec les figures 2A à 2E sont par exemple effectuées à partir d'une plaque 40 permettant de former une pluralité de boîtiers 10.
La figure 2A représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
Au cours de cette étape, le support 14 de chaque boîtier 10 est formé. En particulier, les pistes 16 sont formées, de préférence dans un matériau isolant, de manière à former les supports 14.
Autrement dit, la plaque 40, comprenant de préférence une pluralité de supports 14, est formée. La figure 2A représente trois supports 14, chacun entouré par des pointillés, dans la plaque 40.
Les pistes 16 des supports 14 ne seront pas détaillés dans les figures suivantes.
La figure 2B représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
Au cours de cette étape, un moule 42 est placé sur la plaque 40. Le moule 42 est situé en contact avec la face de la plaque 40 sur laquelle seront situés les murs 20 des différents boîtiers 10.
Le moule 40 comprend des cavités 44 aux emplacements des murs 20. Les cavités 44 sont situées du coté de la plaque 40. Certaines cavités 44 peuvent correspondre aux murs 20 de plusieurs boîtiers 10 voisins. Ainsi, la figure 2B représente des cavités 44a ayant des dimensions correspondant sensiblement à deux murs 20 côte à côte. Les deux murs seront séparés par la suite, lors de l'individualisation des boîtiers 10.
Le moule 42 comprend, en outre, des ouvertures non représentées permettant d'accéder aux cavités 44 lorsque le moule est en contact avec la plaque 40. Plus précisément, lesdites ouvertures non représentées sont des ouvertures destinées à être utilisée pour placer le matériau des murs 20 dans les cavités 44 du moule 42.
La figure 2C représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
Au cours de cette étape, le matériau des murs 20 est placée dans les cavités 44 par les ouvertures non représentées. Par exemple, le matériau des murs 20 est une résine. La résine est par exemple chauffée de manière à devenir liquide. La résine liquide est ensuite envoyée dans les cavités 44 par l'intermédiaire des ouvertures non représentées. La résine est ensuite refroidie de manière à prendre un état solide.
Les dispositifs 12 sont ensuite placés sur la plaque 40. Chaque dispositif 12 est placées de manière à être entouré par un mur 20.
De manière plus générale, cette étape comprend la formation des divers éléments situés dans la cavité interne 24 de chaque boîtier 10. Cette étape comprend donc, par exemple, la formation de fils électriques non représentés reliant un dispositif 12 à des pistes 16.
La figure 2D représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
Au cours de cette étape, une couche de fixation correspondant aux couches de fixation 26 des boîtiers 10 est formée sur les murs 20, plus précisément sur la face supérieure des murs 20. La couche de fixation n'est pas située aux emplacements des régions 28. Les emplacements des régions 28 sont ainsi maintenus vides.
Au cours de cette étape, les plaques 22 de chaque boîtier 10 sont placées sur la couche 26 du boîtier 10 correspondant. De préférence, les couches 26 ont été placées de telle manière que lorsque les plaques 22 reposent sur les couches 26, le matériau des couches 26 ne débordent pas dans les emplacements des régions 28.
Les couches de fixation 26 sont ensuite par exemple chauffées, par exemple à une température comprise entre 80 °C et 200 °C et/ou mises sous lumière UV (Ultraviolet), de manière à solidifier le matériau des couches 26 et à fixer les plaques 22 aux murs 20.
De préférence, les seules ouvertures dans les anneaux formés par les couches 26 sont situées aux emplacements des régions 28.
La figure 2E représente le résultat d'une étape de fabrication du mode de réalisation des figures 1A et 1B.
Au cours de cette étape, les emplacements des régions 28 sont remplies par le matériau des régions 28.
Au cours de cette étape, les boîtiers 10 sont individualisés. Autrement dit, la plaque 40, les murs 20a et les couches 26 sont coupés de manière à séparer les différents boîtiers 10. Autrement dit, la plaque 40 est séparée en une pluralité de supports 14, les murs 20a sont séparés en une pluralité de murs 20 et les couches 26 sont séparées de manière à former les couches 26 des différents boîtiers 10.
Les plaques 22 sont de préférence placées de manière à être suffisamment séparées les unes des autres pour permettre l'individualisation des boîtiers 10, autrement dit pour permettre la séparation des murs 20a et des supports 14 entre les plaques 22.
Au cours de cette étape, les billes 18 sont fixées à des pistes sur la face inférieure de chaque support 14. A titre de variante, les billes 18 ou, de manière plus générale les éléments de soudure, peuvent être formés plus tard, par exemple avant l'étape de soudure du boîtier 10 à un autre dispositif, par exemple après l'étape de rinçage.
Le remplissage des régions 28, l'individualisation des boîtiers 10 et le placement des billes 18 peuvent être effectués dans un ordre différent.
A titre de variante, les étapes illustrées par les figures 2B et 2C peuvent être remplacées par des étapes au cours desquelles : un maillage correspondant aux murs 20 correspondants aux supports 14 de la plaque 40 est formé séparément de la plaque 40 ; et ledit maillage est fixé à la plaque 40 par une couche de fixation, de préférence une couche de colle. La liaison entre le mur 20 et le support 14 est, dans ce mode de réalisation, hermétique. Le placement des dispositifs 12 s'effectue comme décrit en relation avec la figure 2C. Les étapes suivantes sont ensuite par exemple effectuées comme décrit en relation avec les figures 2D et 2E.
La figure 3 représente une variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B. Plus précisément, la figure 3 est une vue en coupe d'une variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B. La figure 3 comprend les éléments des figures 1A et 1B, qui ne seront pas décrits de nouveau.
Le mode de réalisation de la figure 3 diffère du mode de réalisation des figures 1A et 1B en ce que la région 28 est séparée de la couche 26 par des parties 46.
Les parties 46 s'étendent à partir de la face supérieure du mur 20. Les parties 46 s'étendent jusqu'à la plaque 22. Les parties 46 sont ainsi en contact, par une face supérieure, avec la plaque 22, et, par une face inférieure, avec le mur 20. Chaque partie 46 s'étend de préférence de l'extérieur du boîtier 10 à la cavité interne 24. Les parties 46 sont de préférence en le matériau du mur 20.
Dans l'exemple de la figure 3, le boîtier 10 comprend uniquement deux parties 46. Chacune des deux parties est située entre une face latérale de la région 28 et la couche 26. La région 28 n'est donc pas en contact avec la couche 26. La région délimitée par les deux parties 46, la plaque 22 et par le mur 20 est entièrement remplie par la région 28. La région 28 est ainsi en contact avec les parties 46. De même, la couche 26 est en contact avec les parties 46, de préférence avec toutes les parties 46.
Le procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 3 diffère du procédé décrit en relation avec les figures 2A à 2E par la forme du moule 42. En effet, le moule 42 dans un procédé de fabrication du mode de réalisation de la figure 3 comprend des cavités 44 ayant la forme du mur 20 et des parties 46. Les parties 46 sont ainsi formées lors de la formation du mur 20, en injectant le matériau du mur 20 dans les cavités 44. La couche 26 est par la suite déposée sur toute la face supérieure du mur 20 en dehors de l'emplacement de la région 28. De préférence, l'épaisseur de la couche 26 est choisi de telle manière que la face supérieure de la couche 26, après fixation de la plaque 22, soit sensiblement coplanaire avec les faces supérieures des parties 46.
Un avantage du mode de réalisation de la figure 3 est qu'il est possible de mieux contrôler les dimensions de la région 28. En effet, la couche 26 ne peut pas déborder sur l'emplacement de la région 28, le matériau de la couche 26 étant bloqué par les parties 46.
La figure 4 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B. Plus précisément, la figure 4 est une vue en coupe d'une variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B. La figure 4 comprend les éléments des figures 1A et 1B et les éléments de la figure 3, qui ne seront pas décrits de nouveau.
Le mode de réalisation de la figure 4 diffère du mode de réalisation de la figure 3 en ce que la couche 26 est séparées en plusieurs portions 26' par des parties 48.
Les parties 48 s'étendent à partir de la face supérieure du mur 20. Les parties 48 s'étendent jusqu'à la plaque 22. Les parties 48 sont ainsi en contact, par une face supérieure, avec la plaque 22, et par une face inférieure avec le mur 20. Les parties 48 sont en le matériau du mur 20. Chaque partie 48 s'étend de préférence de l'extérieur du boîtier 10 à la cavité interne 24. A titre de variante, les parties 48 peuvent avoir une forme différente. Par exemple, les parties 48 peuvent ne pas s'étendre de l'extérieur du boîtier 10 à la cavité interne 24, mais uniquement sur une partie de la dimension allant de l'extérieur du boîtier 10 à la cavité interne 24.
Dans le mode de réalisation de la figure 4, le boîtier 10 comprend trois parties 48. Chaque partie 48 est située sur un coté du boîtier 10. Plus précisément, dans le mode de réalisation de la figure 4, la couche 26 comprend quatre portions sensiblement rectangulaires en vue de dessus, chaque portion étant séparée, par exemple sensiblement au milieu, par une partie 48 ou par les parties 46 et la région 48. Autrement dit, la couche 26 comprend quatre portions, situées sur les angles de la face supérieure du mur 20, chaque portion étant séparée de la portion voisine par une partie 48 ou par les parties 46 et la région 48.
De manière plus générale, le boîtier 10 peut comprendre au moins une partie 48, de préférence située en regard de la région 46, de manière à maintenir la plaque 22 horizontale. De préférence, le boîtier 10 comprend au moins deux parties 48. De préférence les au moins deux parties 48 sont situées sur des cotés différents du boîtier 10 de manière à maintenir la plaque 22.
La plaque 22 est de préférence séparée du mur 20 par deux matériaux distincts, de préférence uniquement deux matériaux, autre que le matériau du mur 20 c’est-à-dire le matériau de fixation de la couche 26 et le matériau de la région 28.
A titre de variante, au moins une des parties 48 peut être remplacée par une région 28. Ladite région 28 peut par exemple être entourée de parties 46.
La figure 5 représente une autre variante du mode de réalisation des figures 1A et 1B. Le mode de réalisation de la figure 5 comprend un boîtier 50 qui diffère du boîtier 10 des figures 1A et 1B en ce que le mur 20 est fixé au support 14 par une couche de fixation 52 et que la région 28 est située entre le mur 20 et le support 14.
Comme le boîtier 10 des figures 1A et 1B, le boîtier 50 comprend le support 14, les éléments de soudure, par exemple les billes 18, le mur 20, et la plaque 22.
La plaque 22 est fixée au mur 20 par la couche 26. La couche 26 entoure entièrement la cavité interne 24 du boîtier 50. Ainsi, la face supérieure du mur 20 est de préférence entièrement recouverte de manière à fixer la plaque 22 au mur 20. La plaque 22 est ainsi séparée du mur 20 par un unique matériau, le matériau de fixation. La liaison entre le mur 20 et la plaque 22 est alors étanche. Autrement dit, la liaison entre le mur 20 et la plaque 22 ne permet de préférence pas le passage de liquide.
Le mur 20 est, dans ce mode de réalisation, formé séparément du support 14, comme cela est décrit comme variante du procédé de fabrication des figures 2A à 2E. Le mur 20 est ainsi fixé sur le support 14 par la couche de fixation 52.
La région 28 est, dans ce mode de réalisation, située entre le mur 20 et le support 14, de la même manière que la région 28 est située entre la plaque 22 et le mur 20 dans le mode de réalisation des figures 1A et 1B. Le mur 20 et le support 14 sont ainsi séparés par la couche 52 et la région 28.
Le procédé de fabrication du boîtier 50 comprend par exemple :
- la formation du support 14, par exemple la formation de plusieurs supports 14 dans une même plaque ;
- la formation d'un maillage des murs 20 séparé des supports 14, comme décrits précédemment ;
- le dépôt des couches 52 et du matériau des régions 28 sur les supports 14 ;
- le placement du maillage sur les supports 14 et sa fixation, par exemple par chauffage ;
- le placement des éléments contenus dans les boîtiers ;
- la formation de la couche isolante 26 ; et
- l'individualisation des boîtiers 50.
A titre de variante, la formation de la région 28 peut être effectuée après l'individualisation des boîtiers 50.
Un avantage des modes de réalisation décrits est qu'ils évitent les dommages au mur 20, au support 14 et à la plaque 22 lors de la fusion des billes 18.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que le boîtier est hermétique lors de l'étape de nettoyage ou de rinçage.
Un autre avantage des modes de réalisation décrits est que le boîtier comprend, en quelque sorte, une soupape de dégazage lors de l'étape de fusion des billes 18.
Divers modes de réalisation et variantes ont été décrits. La personne du métier comprendra que certaines caractéristiques de ces divers modes de réalisation et variantes pourraient être combinées, et d’autres variantes apparaîtront à la personne du métier.
Enfin, la mise en oeuvre pratique des modes de réalisation et variantes décrits est à la portée de la personne du métier à partir des indications fonctionnelles données ci-dessus.

Claims (14)

  1. Boîtier (10) pour dispositif électronique (12), le boîtier comprenant une plaque (14, 22) et un mur latéral (20), séparés par une couche en un matériau de fixation et au moins une région (28) en un matériau configuré pour former dans la région (28) une ouverture entre l'intérieur et l'extérieur du boîtier lorsque le boîtier est chauffé.
  2. Procédé de fabrication d'un boîtier (10) pour dispositif électronique (12), le boîtier comprenant une plaque (14, 22) et un mur latéral (20), le procédé comprenant la formation d'une couche en un matériau de fixation et au moins une région (28), séparant la plaque et le mur, la région étant en un matériau configuré pour former dans la région (28) une ouverture entre l'intérieur et l'extérieur du boîtier lorsque le boîtier est chauffé.
  3. Boîtier selon la revendication 1 ou procédé selon la revendication 2, dans lequel la région (28) est configurée pour former l'ouverture lorsque le boîtier (10) est chauffé à une température supérieure à 150°C.
  4. Boîtier selon la revendication 1 ou 3 ou procédé selon la revendication 2 ou 3, dans lequel le mur latéral (20) est en résine.
  5. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1, 3 ou 4 ou procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel la plaque (22) est en verre.
  6. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3 à 5 ou procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel ladite région (28) est située entre le mur (20) et la plaque (22).
  7. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3 à 6 ou procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, dans lequel le dispositif (12) situé dans le boîtier (12) est un dispositif optoélectronique, de préférence une caméra.
  8. Boîtier selon l'une quelconque des revendications 1 ou 3 à 7 ou procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, dans lequel le dispositif (12) et le mur (20) repose sur un support (14), le support comprenant des éléments conducteurs (16) reliant le dispositif (12) à des éléments de soudure (18) situées sous le support (14).
  9. Boîtier ou procédé selon la revendication 8, dans lequel la plaque est le support (14).
  10. Boîtier ou procédé selon la revendication 8 ou 9, dans lequel l'ouverture est configurée pour se former durant une étape de soudure des éléments de soudure (18).
  11. Boîtier ou procédé selon la revendication 10, dans lequel le boîtier (10) est configuré pour être hermétique avant l'étape de soudure.
  12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, dans lequel le boîtier (10) est nettoyé ou rincé par un liquide avant l'étape de soudure.
  13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 12 dans son rattachement à la revendication 8, comprenant le dépôt d'un moule (42) sur le support (14) et l'injection de résine dans le moule de manière à former le mur (20).
  14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 12 dans son rattachement à la revendication 8, comprenant la formation du mur (20) séparément du support (14) et la fixation du mur sur le support par une couche de fixation (52).
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303481A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
WO2012165647A1 (fr) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif à semi-conducteurs
US20140008753A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5013871A (en) * 1988-02-10 1991-05-07 Olin Corporation Kit for the assembly of a metal electronic package
US5612576A (en) * 1992-10-13 1997-03-18 Motorola Self-opening vent hole in an overmolded semiconductor device
JP4519424B2 (ja) * 2003-06-26 2010-08-04 ルネサスエレクトロニクス株式会社 樹脂モールド型半導体装置
US7005720B2 (en) * 2004-01-23 2006-02-28 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Semiconductor package with photosensitive chip and fabrication method thereof
US20060237829A1 (en) * 2005-04-26 2006-10-26 Eiichi Hosomi Method and system for a semiconductor package with an air vent
US7675149B1 (en) * 2006-09-12 2010-03-09 Maxim Integrated Products, Inc. Check valve package for Pb-free, single piece electronic modules
US8258013B1 (en) * 2010-02-12 2012-09-04 Xilinx, Inc. Integrated circuit assembly having vented heat-spreader
US10461066B2 (en) * 2016-06-29 2019-10-29 Maxim Integrated Products, Inc. Structure and method for hybrid optical package with glass top cover
US20180130719A1 (en) * 2016-11-09 2018-05-10 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages and method of manufacturing the same
US11515220B2 (en) * 2019-12-04 2022-11-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package structures and methods of manufacturing the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303481A (ja) * 2005-03-25 2006-11-02 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
WO2012165647A1 (fr) * 2011-06-01 2012-12-06 Canon Kabushiki Kaisha Dispositif à semi-conducteurs
US20140008753A1 (en) * 2012-07-06 2014-01-09 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera

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