FR3078821A1 - Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat - Google Patents

Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat Download PDF

Info

Publication number
FR3078821A1
FR3078821A1 FR1852069A FR1852069A FR3078821A1 FR 3078821 A1 FR3078821 A1 FR 3078821A1 FR 1852069 A FR1852069 A FR 1852069A FR 1852069 A FR1852069 A FR 1852069A FR 3078821 A1 FR3078821 A1 FR 3078821A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
intermediate layer
film
front face
opening
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1852069A
Other languages
English (en)
Other versions
FR3078821B1 (fr
Inventor
Arnaud Garnier
Laetitia Castagne
Anthony DE LUCA
Daniel MERMIN
Pierre Montmeat
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA, Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority to FR1852069A priority Critical patent/FR3078821B1/fr
Priority to EP19717523.5A priority patent/EP3743940A1/fr
Priority to PCT/FR2019/050468 priority patent/WO2019170987A1/fr
Priority to US16/977,987 priority patent/US11309269B2/en
Publication of FR3078821A1 publication Critical patent/FR3078821A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR3078821B1 publication Critical patent/FR3078821B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0272—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers for lift-off processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05647—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/11001—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003—Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1131—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in liquid form
    • H01L2224/1132—Screen printing, i.e. using a stencil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
    • H01L2224/11474—Multilayer masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/116—Manufacturing methods by patterning a pre-deposited material
    • H01L2224/1161—Physical or chemical etching
    • H01L2224/11614—Physical or chemical etching by chemical means only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/11848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/11848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
    • H01L2224/11849—Reflowing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/1302—Disposition
    • H01L2224/13023—Disposition the whole bump connector protruding from the surface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13109—Indium [In] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

L'invention concerne un procédé de réalisation par sérigraphie d'une bille de brasure (50) sur une face avant d'un substrat (10), qui comprend les étapes : a) la formation d'un film (30) sur la face avant ; b) la formation d'une ouverture dans le film (30) ; c) le remplissage de l'ouverture par un matériau de brasure ; d) le retrait du film (30) ; le procédé étant caractérisé en que l'étape a) est précédée de la formation d'une couche intermédiaire (20) intercalée entre le film et la face avant, la couche intermédiaire (20) étant adaptée pour présenter une énergie d'adhésion, selon l'une et/ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant et le film, inférieure à l'énergie d'adhésion d'une interface susceptible d'être formée entre le film et la première face avant.

Description

TITRE PROCEDE DE REALISATION D'UNE BILLE DE BRASURE SUR UNE FACE D'UN SUBSTRAT DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQUE
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une bille de brasure sur une face d'un substrat, et notamment par sérigraphie à travers un film, avantageusement un film photosensible. En particulier, la présente invention met en œuvre une couche intermédiaire destinée à faciliter le retrait du film après la formation des billes de brasure.
ART ANTÉRIEUR
L'assemblage d'un premier substrat et d'un second substrat peut impliquer la formation de billes de brasure (« Bumps » selon la terminologie anglosaxonne) sur une face de l'un ou l'autre des premier et second substrats afin d'établir des interconnexions électriques entres des dispositifs susceptibles d'être présents sur l'un et l'autre des premier et second substrats, mais également de garantir la cohésion mécanique de l'assemblage formé par ces derniers.
La formation des billes de brasure implique généralement une étape de chauffage à une température supérieure à leur température de fusion (communément appelée « Reflow » selon la terminologie anglo-saxonne), conférant auxdites billes une forme de sphère tronquée. L'étape de « Reflow » permet notamment de promouvoir l'adhérence des billes de brasure sur la surface sur laquelle elles sont formées, mais également d'homogénéiser la brasure formant chacune des billes.
Par ailleurs, lors de l'étape d'assemblage des premier et second substrats, les billes de brasure sont également soumises à un chauffage destiné à les faire passer dans un état liquide, et ainsi favoriser le mouillage des surfaces d'assemblage de chacun des premier et second substrats.
Parmi les solutions permettant la formation des billes de brasure, la sérigraphie à travers un film sec photosensible apparaît comme une technique de choix.
En effet, la sérigraphie à travers un film sec offre la possibilité de former les billes de brasure à l'échelle du substrat avec des équipements souvent présents dans les usines de fabrication de composants électroniques. Ainsi, la maîtrise technique de la sérigraphie à travers un film sec, et le coût qui lui est associé ne constituent pas un obstacle à la réalisation desdites billes.
Par ailleurs, la sérigraphie à travers un film sec permet d'envisager la formation de billes de brasure de diamètre important (supérieur à 50 pm, par exemple 80 pm), et selon un pas relativement faible (par exemple de l'ordre de 100 pm).
Un tel choix de diamètre de billes est souvent dicté par les étapes subséquentes à l'assemblage des premier et second substrats. En particulier, dès lors qu'une étape de remplissage inter substrat (communément nommée « underfilling » selon la terminologie anglo-saxonne) est requise, le diamètre des billes doit être suffisant pour permettre l'écoulement, par capillarité, d'un matériau de remplissage dans l'espace inter substrat ménagé par lesdites billes.
Les autres techniques de formation de billes de brasure telles que le dépôt électrolytique, le placement individuel de billes (« Wafer level solder sphere placement » selon la terminologie anglo-saxonne), jet de soudure (« solder jetting » selon la terminologie anglo-saxonne) ou la sérigraphie à travers un pochoir ne sont pas souhaitables soit parce qu'elles ne remplissent pas les requis en termes de diamètre et de pas de billes, soit parce que leur coût est incompatible avec les requis de l'industrie de la microélectronique.
Ainsi, un procédé, connu de l'état de la technique, de réalisation des billes de brasure sur une face, dite face avant, d'un substrat, comprend les étapes suivantes :
a) une étape de laminage d'un film sec photosensible, par exemple du Dupont WBR2075, en recouvrement de la face avant ;
b) une étape de formation d'ouvertures dans le film photosensible, lesdites ouvertures étant destinées à délimiter les billes de brasure ;
c) une étape de remplissage des ouvertures, par sérigraphie, par un matériau de brasure destiné à former lesdites billes ;
d) une étape de retrait du film sec photosensible.
Cependant, ce procédé connu de l'état de la technique n'est pas satisfaisant.
En effet, l'étape c) nécessite généralement l'exécution d'un traitement thermique (« Reflow ») à une température supérieure à 250°C qui affecte directement les propriétés physico-chimiques du film sec photosensible, et renforce son énergie d'adhésion avec la surface sur laquelle il repose. Dans ces conditions, l'exécution de l'étape d) requiert l'emploi d'agents chimique de décapage ou de délaminage (« stripping » selon la terminologie anglo-saxonne) très agressifs qui peuvent endommager la face avant, et en particulier les structures électroniques ou films susceptibles d'être présents sur ladite face avant.
Un but de la présente invention est alors de proposer un procédé de réalisation de structures, notamment des billes de brasure, selon la technique de sérigraphie à travers un film sec moins agressif que le procédé connu de l'état de la technique.
EXPOSÉ DE L'INVENTION
Le but de l'invention est, au moins en partie, atteint par un procédé de réalisation par sérigraphie d'au moins une bille de brasure sur une face, dite première face avant, d'un premier substrat, le procédé comprenant les étapes suivantes :
a) une étape de formation d'un film en recouvrement de la première face avant ;
b) une étape de formation d'au moins une ouverture dans le film, ladite au moins une ouverture étant destinée à délimiter l'au moins une bille de brasure ;
c) une étape de remplissage, par sérigraphie, de l'au moins une ouverture par un matériau de brasure de manière à former l'au moins une bille de brasure ;
d) une étape de retrait du film ;
le procédé étant remarquable en ce que l'étape a) est précédée de la formation d'une couche intermédiaire intercalée entre le film et la première face avant, la couche intermédiaire étant adaptée pour présenter une énergie d'adhésion, selon l'une et/ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant et le film, inférieure à l'énergie d'adhésion d'une interface susceptible d'être formée entre le film et la première face avant.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape a) comprend le laminage du film, préformé, sur la première face avant.
Selon un mode de mise en œuvre, une étape cl) de traitement thermique est exécutée entre les étapes c) et d), le traitement thermique comprenant une élévation de température, avantageusement une élévation de température à une température supérieure à 250°C.
Selon un mode de mise en œuvre, la première face avant est pourvue d'au moins un plot métallique sur lequel est formée l'au moins une bille de brasure, avantageusement le plot métallique comprend du cuivre.
Selon un mode de mise en œuvre, le film comprend un matériau photosensible.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape b) comprend une étape de photolithographie.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape b) comprend également le retrait de la couche intermédiaire du fond de l'au moins une ouverture.
Selon un mode de mise en œuvre, le retrait de la couche intermédiaire du fond de l'au moins une ouverture est exécuté par gravure plasma, avantageusement par un plasma d'oxygène.
Selon un mode de mise en œuvre, le retrait de la couche intermédiaire du fond de l'au moins une ouverture est exécuté par gravure par faisceau d'ions de manière à redéposer les résidus de gravure de la couche intermédiaire sur les flancs de l'au moins une ouverture.
Selon un mode de mise en œuvre, le retrait de la couche intermédiaire du fond de l'au moins une ouverture est précédé de la formation d'une couche intermédiaire additionnelle, de même nature que la couche intermédiaire, en recouvrement du film, et du fond et des flancs de l'au moins une ouverture.
Selon un mode de mise en œuvre, la formation de la couche intermédiaire additionnelle est suivie d'une étape de gravure anisotrope adaptée pour retirer la couche intermédiaire additionnelle et la couche intermédiaire du fond de l'au moins une ouverture, et conserver la couche intermédiaire additionnelle sur les flancs de l'au moins une ouverture.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape d) est exécutée par pelage.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape d) est suivie d'une seconde étape, dite étape e), de traitement thermique qui comprend une élévation de température destinée à conférer à l'au moins une bille de brasure une forme de sphère tronquée.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape e) est suivie d'une étape f) d'assemblage du premier substrat avec un second substrat, l'assemblage comprenant la mise en contact de l'au moins une bille de brasure avec une face, dite seconde face avant, du second substrat.
Selon un mode de mise en œuvre, l'étape f) est suivie d'une étape de remplissage de l'espace compris entre la première et la seconde face avant par un matériau polymère.
Selon un mode de mise en œuvre, la couche intermédiaire présente une épaisseur inférieure à 100 nm, avantageusement inférieure à 5 nm.
Selon un mode de mise en œuvre, la couche intermédiaire comprend un polymère fluoré.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
D'autres caractéristiques et avantages apparaîtront dans la description qui va suivre d'un procédé de réalisation d'au moins une bille de brasure selon l'invention, donnés à titre d'exemples non limitatifs, en référence aux dessins annexés dans lesquels :
- les figures la à lg sont des représentations schématiques des différentes étapes d'un premier mode de mise œuvre du procédé selon la présente invention ;
- les figures 2a et 2b sont des représentations schématiques de l'étape de retrait de la couche intermédiaire du fond des ouvertures selon un second mode de mise œuvre du procédé selon la présente invention ;
- les figures 3a à 3c sont des représentations schématiques relative à la formation d'une couche intermédiaire additionnelle selon un troisième mode de mise œuvre du procédé selon la présente invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
L'invention décrite de manière détaillée ci-dessous met en œuvre un procédé de formation de billes de brasure par sérigraphie à travers un film, par exemple un film photosensible, avantageusement un film photosensible sec.
L'étape de sérigraphie est généralement suivie d'une étape de retrait du film, par exemple par gravure sèche ou par gravure liquide ou humide.
Dans le cadre de la présente invention, une couche intermédiaire 20, destinée à faciliter le retrait de film, est intercalé entre le film et le substrat sur lequel ce dernier repose.
Aux figures la à lg, on peut voir un premier mode de mise en œuvre d'un procédé de formation de billes de brasure 50 sur une face, dite première face avant 12, d'un premier substrat 10.
Le premier substrat 10 peut comprendre tout type de substrat fait de matériau semi-conducteur, et notamment du silicium.
Le premier substrat 10 peut également comprendre sur sa première face avant 12 des plots de connexion 11, par exemple des plots de connexion 11 faits de cuivre, associés à des dispositifs formés sur ou dans le premier substrat 10 (figure la).
Le procédé selon ce premier mode de mise en œuvre comprend alors une étape de formation d'une couche intermédiaire 20, en recouvrement de la première face avant 12 du premier substrat 10.
La formation de la couche intermédiaire 20 est suivie d'une étape a) de formation d'un film 30 sur ladite couche intermédiaire 20.
Le film 30 peut par exemple comprendre un matériau photosensible et ainsi former un film photosensible.
Par « film photosensible », on entend un film dans lequel des motifs ou des structures peuvent être formés par une étape de photolithographie. En particulier, une étape de photolithographie peut comprendre l'insolation dudit film à travers un masque définissant des motifs, suivie de son développement de manière à ne conserver qu'une partie du film.
Le film 30 peut être un film 30 sec qui est déposé sur la couche intermédiaire 20 par un procédé de laminage. Par exemple, le film 30 peut comprendre du SU8, une résine DuPont™ WBR™ Sériés, par exemple du WBR2075.
Les films secs peuvent présenter des épaisseurs relativement importantes (par exemple des épaisseurs supérieures à 50 μιτι, voire supérieures à 80 μιτι) et ainsi permettre la formation de billes de brasure 50 de diamètre également important.
De manière particulièrement avantageuse, la couche intermédiaire 20 est adaptée pour présenter une énergie d'adhésion, selon l'une et/ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant 12 et le film 30, inférieure à l'énergie d'adhésion d'une interface susceptible d'être formée entre le film 30 et la première face avant 12. En d'autres termes, la couche intermédiaire comprend un composé qui présente très peu d'affinité pour le film 30 et/ou la première face avant 12.
Dans ces conditions, la couche intermédiaire 20 est adaptée pour permettre un retrait du film 30 selon des conditions moins agressives que celles connues de l'état de la technique, par exemple par pelage, ou encore par gravure chimique de la couche intermédiaire 20.
Notamment, la couche intermédiaire 20 peut être choisie de sorte que l'énergie d'adhésion de ladite couche selon l'une ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant 12 et le film 30 est inférieure à 1 J/m2 (l'énergie d'adhésion étant mesurée par la méthode de Maszara décrite dans la référence [1] citée à la fin de la description).
La couche intermédiaire 20 peut en particulier comprendre un polymère fluoré.
Par exemple le polymère fluoré peut comprendre au moins un des matériaux choisi parmi : FDTS (CI3Si(CH2)2(CF2)7CF3), FDDMCS (CF3(CF2)7(CH2)2(CH3)2SiCI), OPTOOL (mélange de 80% de perfluorohexane et 20 % d'un composé fluoré).
La couche intermédiaire peut également comprendre de l'OTS (CH3(CH2)17SiCI3).
La couche intermédiaire 20 peut être formée à partir d'une technique de dépôt en couche mince, par exemple par trempage, par pulvérisation, par plasma, à l'aide d'une tournette. La couche intermédiaire 20 peut également présenter une épaisseur inférieure à 100 nm, avantageusement inférieure à 5 nm, encore plus avantageusement inférieure à 2 nm.
L'étape a) est suivie d'une étape b) qui comprend la formation d'ouvertures 40, dans le film 30, et destinées à délimiter les billes de brasure 50 (figure lb).
Si le film 30 est un film photosensible, la formation des ouvertures 40 peut comprendre une étape de photolithographie.
De manière alternative et/ou complémentaire la formation des ouvertures 40 peut comprendre une étape de gravure sèche, par exemple une gravure plasma.
Par ailleurs, dès lors que des plots de connexion 11 sont présents au niveau de la première face avant 12, il est entendu que les ouvertures 40 sont également destinées à exposer lesdits plots à l'environnement extérieur.
Les ouvertures 40 présentent préférentiellement une section circulaire, de diamètre supérieur à 50 pm, par exemple égal à 80 pm.
La présente invention n'est toutefois pas limitée à des ouvertures 40 de forme circulaire, et l'homme du métier peut envisager toute autre forme en fonction des requis qui lui sont imposés. Par exemple, s'il est tenu d'augmenter le volume de brasure, tout en conservant un pas d'interconnexion petit, l'homme du métier pourra considérer des ouvertures 40 de forme oblongue.
La formation des ouvertures 40 selon ce premier mode de mise en œuvre comprend également le retrait de la couche intermédiaire 20 du fond des ouvertures 40 (figure le). Ce retrait peut alors être exécuté par gravure sèche, par exemple par gravure plasma de dioxygène.
L'étape de formation des ouvertures 40 est suivie d'une étape c) de sérigraphie d'un mélange à brasure destiné à combler, au moins en partie, le volume des ouvertures 40 (figure ld).
Le mélange de brasure peut comprendre toute brasure à base d'étain, notamment un mélange d'étain, d'argent et de cuivre, ou un mélange d'or et d'étain, des brasures à base d'indium ou toute autre brasure à bas.
La sérigraphie peut être suivie d'une étape cl) de traitement thermique à une température supérieure à 250°C destinée à homogénéiser chimiquement la brasure et promouvoir son adhésion sur la première face avant 12, et le cas échéant sur les plots de connexion 11 (figure le).
Le film 30 peut ensuite être retiré lors d'une étape d) laissant ainsi les billes de brasure 50 sur la première face avant 12 (figure lf).
La présence de la couche intermédiaire 20, du fait de sa relativement faible adhésion selon l'une et/ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant 12 et le film 30, permet un retrait aisé, par exemple par pelage du film photosensible 30. De manière alternative, une gravure chimique de la couche intermédiaire 20 peut également être considérée.
L'étape d) de retrait du film 30 peut être précédée d'une étape de détourage dudit film 30.
Par « détourage », on entend l'action de retrier ou graver le pourtour du film 30 de manière à en faciliter le pelage.
Le détourage peut être mis en œuvre dès la formation du film 30, par exemple avant la formation des ouvertures 40, et en même temps que la formation des ouvertures 40.
Par exemple, le détourage peut être exécuté avant une étape d'indépendamment avant ou après l'étape cl) de traitement thermique. Le détourage est toutefois exécuté de manière préférentielle après l'étape cl) de traitement thermique (et assurément avant l'étape d)).
De manière particulièrement avantageuse, le détourage du film 30 peut comprendre également le retrait de la ou des portions de la couche intermédiaire 20 exposée à l'air libre, et notamment des portions de couche intermédiaire 20 s'étendant à partir des flancs du film 30, de manière à faciliter l'exécution de l'étape d) par pelage.
Les billes de brasure 50 peuvent également être soumises à une seconde étape de traitement thermique, dite étape e), qui comprend une élévation de température destinée à conférer à l'au moins une bille de brasure une forme de sphère tronquée (figure lg).
Cette étape e) peut être suivie d'une étape f), d'assemblage du premier substrat 10 avec un second substrat, qui comprend la mise en contact de l'au moins une bille de brasure avec une face, dite seconde face avant, du second substrat. L'étape f) peut également être précédée du retrait de la couche intermédiaire 20.
L'étape f) peut être suivie d'une étape de remplissage de l'espace compris entre la première et la seconde face avant par un matériau polymère.
Cette étape de remplissage est destinée à assurer une meilleure cohésion mécanique de l'assemblage formé par les premier et second substrats.
Aux figures 2a et 2b, on peut voir un second mode de mise en œuvre d'un procédé de formation de billes de brasure 50 selon la présente invention.
Ce second mode de réalisation diffère du premier mode en ce que le retrait de la couche intermédiaire 20 du fond des ouvertures 40 est exécuté par gravure par faisceau d'ions (« IBE » ou « Ion Beam Etching » selon la terminologie anglo-saxonne) de manière à redéposer les résidus de gravure de la couche intermédiaire 20 sur les flancs des ouvertures 40. En d'autres termes la couche intermédiaire 20 se forme à nouveau sur les flancs des ouvertures 40. La reformation de la couche intermédiaire 20 sur les flancs des ouvertures 40 limite ainsi l'adhésion de la brasure formée par sérigraphie sur lesdits flancs.
Aux figures 3a à 3c, on peut voir un troisième mode de mise en œuvre d'un procédé de formation de billes de brasure 50 selon la présente invention.
Ce troisième mode de réalisation diffère du premier mode en ce que le retrait de la couche intermédiaire 20 du fond des ouvertures 40 est précédé de la formation d'une couche intermédiaire additionnelle 21, de même nature que la couche intermédiaire, en recouvrement du film photosensible 30, et du fond et des flancs des ouvertures 40 (figure 3a).
La couche intermédiaire additionnelle 21 peut être formée par un procédé plasma, par exemple avec un plasma ICP de CxFy (« ICP » : Inductive Coupled Plasma).
La formation de la couche intermédiaire additionnelle 21 est alors suivie d'une étape de gravure anisotrope adaptée pour retirer la couche intermédiaire additionnelle 21 et la couche intermédiaire du fond des ouvertures 40, tout en conservant la couche intermédiaire additionnelle 21 sur les flancs des ouvertures 40 (figure 3b).
Les trois modes de mise en œuvre du procédé selon la présente invention permettent donc de réaliser des billes de brasure 50 de grand diamètre et peu espacées par sérigraphie à travers un film photosensible 30.
Par ailleurs, la mise en œuvre de la couche intermédiaire permet la retrait du film photosensible 30 selon des conditions qui préviennent la dégradation des billes de brasure 50 et/ou des dispositifs susceptibles d'être présents sur la première face avant 12.
RÉFÉRENCES [1] Maszara et al., « Bonding ofsilicon wafers for silicon-on-insulator », J. Appl. Phys. 64 (1 0), 15 November 1988.

Claims (17)

  1. REVENDICATIONS
    1. Procédé de réalisation par sérigraphie d'au moins une bille de brasure (50) sur une face, dite première face avant (12), d'un premier substrat (10), le procédé comprenant les étapes suivantes :
    a) une étape de formation d'un film (30) en recouvrement de la première face avant (12) ;
    b) une étape de formation d'au moins une ouverture (40) dans le film (30), ladite au moins une ouverture (40) étant destinée à délimiter l'au moins une bille de brasure (50) ;
    c) une étape de remplissage, par sérigraphie, de l'au moins une ouverture (40) par un matériau de brasure de manière à former l'au moins une bille de brasure (50) ;
    d) une étape de retrait du film (30) ;
    le procédé étant caractérisé en que l'étape a) est précédée de la formation d'une couche intermédiaire (20) intercalée entre le film (30) et la première face avant (12), la couche intermédiaire (20) étant adaptée pour présenter une énergie d'adhésion, selon l'une et/ou l'autre des interfaces formées avec la première face avant (12) et le film (30), inférieure à l'énergie d'adhésion d'une interface susceptible d'être formée entre le film (30)et la première face avant (12).
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape a) comprend le laminage du film (30), préformé, sur la première face avant (12).
  3. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel une étape cl) de traitement thermique est exécutée entre les étapes c) et d), le traitement thermique comprenant une élévation de température, avantageusement une élévation de température à une température supérieure à 250°C.
  4. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel la première face avant (12) est pourvue d'au moins un plot (11) métallique sur lequel est formée l'au moins une bille de brasure (50), avantageusement le plot (11) métallique comprend du cuivre.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le film (30) comprend un matériau photosensible.
  6. 6. Procédé selon la revendication 5, dans lequel l'étape b) comprend une étape de photolithographie.
  7. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel l'étape b) comprend également le retrait de la couche intermédiaire (20) du fond de l'au moins une ouverture (40).
  8. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le retrait de la couche intermédiaire (20) du fond de l'au moins une ouverture (40) est exécuté par gravure plasma, avantageusement par un plasma d'oxygène.
  9. 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le retrait de la couche intermédiaire (20) du fond de l'au moins une ouverture (40) est exécuté par gravure par faisceau d'ions de manière à redéposer les résidus de gravure de la couche intermédiaire (20) sur les flancs de l'au moins une ouverture (40).
  10. 10. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le retrait de la couche intermédiaire (20) du fond de l'au moins une ouverture (40) est précédé de la formation d'une couche intermédiaire additionnelle (21), de même nature que la couche intermédiaire (20), en recouvrement du film (30), et du fond et des flancs de l'au moins une ouverture (40).
  11. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel la formation de la couche intermédiaire additionnelle (21) est suivie d'une étape de gravure anisotrope adaptée pour retirer la couche intermédiaire additionnelle (21) et la couche intermédiaire (20) du fond de l'au moins une ouverture (40), et conserver au moins en partie la couche intermédiaire additionnelle (21) sur les flancs de l'au moins une ouverture (40).
  12. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, dans lequel l'étape d) est exécutée par pelage.
  13. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, dans lequel l'étape d) est suivie d'une seconde étape, dite étape e), de traitement thermique qui comprend une élévation de température destinée à conférer à l'au moins une bille de brasure (50) une forme de sphère tronquée.
  14. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'étape e) est suivie d'une étape f) d'assemblage du premier substrat (10) avec un second substrat, l'assemblage comprenant la mise en contact de l'au moins une bille de brasure (50) avec une face, dite seconde face avant, du second substrat.
  15. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel l'étape f) est suivie d'une étape de remplissage de l'espace compris entre la première et la seconde face avant par un matériau polymère.
  16. 16. Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, dans lequel la couche intermédiaire (20) présente une épaisseur inférieure à 100 nm, avantageusement inférieure à 5 nm.
  17. 17. Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, dans lequel la couche intermédiaire (20) comprend un polymère fluoré.
FR1852069A 2018-03-09 2018-03-09 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat Active FR3078821B1 (fr)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1852069A FR3078821B1 (fr) 2018-03-09 2018-03-09 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
EP19717523.5A EP3743940A1 (fr) 2018-03-09 2019-03-01 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
PCT/FR2019/050468 WO2019170987A1 (fr) 2018-03-09 2019-03-01 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
US16/977,987 US11309269B2 (en) 2018-03-09 2019-03-01 Method for producing a solder bump on a substrate surface

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1852069A FR3078821B1 (fr) 2018-03-09 2018-03-09 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
FR1852069 2018-03-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR3078821A1 true FR3078821A1 (fr) 2019-09-13
FR3078821B1 FR3078821B1 (fr) 2020-04-03

Family

ID=62455690

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1852069A Active FR3078821B1 (fr) 2018-03-09 2018-03-09 Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11309269B2 (fr)
EP (1) EP3743940A1 (fr)
FR (1) FR3078821B1 (fr)
WO (1) WO2019170987A1 (fr)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030119300A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making a bump on a substrate using multiple photoresist layers
EP1542520A1 (fr) * 2002-08-22 2005-06-15 JSR Corporation Procede servant a creer une protuberance sur une pastille d'electrode au moyen d'un film double couche
JP3854213B2 (ja) * 2002-09-20 2006-12-06 富士通株式会社 バンプ電極付き電子部品の製造方法
US20070152024A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Mengzhi Pang System, apparatus, and method for advanced solder bumping
WO2016019210A1 (fr) * 2014-08-01 2016-02-04 Orthogonal, Inc. Formation de motifs photolithographique de dispositifs

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6687523B2 (ja) 2014-01-07 2020-04-22 ブルーワー サイエンス アイ エヌ シー． ウェーハの一時接着処理に使用する環状オレフィンポリマー組成物およびポリシロキサン離型層

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030119300A1 (en) * 2001-12-21 2003-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of making a bump on a substrate using multiple photoresist layers
EP1542520A1 (fr) * 2002-08-22 2005-06-15 JSR Corporation Procede servant a creer une protuberance sur une pastille d'electrode au moyen d'un film double couche
JP3854213B2 (ja) * 2002-09-20 2006-12-06 富士通株式会社 バンプ電極付き電子部品の製造方法
US20070152024A1 (en) * 2005-12-29 2007-07-05 Mengzhi Pang System, apparatus, and method for advanced solder bumping
WO2016019210A1 (fr) * 2014-08-01 2016-02-04 Orthogonal, Inc. Formation de motifs photolithographique de dispositifs

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019170987A1 (fr) 2019-09-12
US20210074659A1 (en) 2021-03-11
FR3078821B1 (fr) 2020-04-03
US11309269B2 (en) 2022-04-19
EP3743940A1 (fr) 2020-12-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2992467A1 (fr) Procede de realisation d'un composant a contact electrique traversant et composant obtenu
EP1210733A1 (fr) Procede de fabrication de connexions traversantes dans un substrat et substrat equipe de telles connexions
FR2991503A1 (fr) Dispositif a semiconducteur a separation dielectrique et procede de fabrication
EP2365741B1 (fr) Procede de metallisation de vias borgnes
EP2223581B1 (fr) Procédé de réalisation d'une interconnexion électrique entre deux couches conductrices
FR3059153A1 (fr) Procede de realisation de vias sur substrat flexible
FR3078821A1 (fr) Procede de realisation d'une bille de brasure sur une face d'un substrat
EP2791969B1 (fr) Formation d'une connexion electrique du type via
FR2785449A1 (fr) Systeme d'assemblage de substrats a zones d'accrochage pourvues de cavites
EP2684434B1 (fr) Procédé d'interconnexion par retournement d'un composant électronique
EP1760042B1 (fr) Procédé pour la réalisation de moyens de connexion et/ou de soudure d'un composant
WO2005078785A1 (fr) Procede de realisation d’un circuit electronique integre et circuit electronique integre ainsi obtenu
EP2072458B1 (fr) Procédé de formation de catalyseur de croissance de nanotubes/nanofibres et de croissance horizontale de nanotubes/nanofibres
FR2888986A1 (fr) Realisation de bossage conducteur pour circuit integre
EP4280261A1 (fr) Procede de collage temporaire
WO2020183090A1 (fr) Procede d'enrobage de puces
EP2365743B1 (fr) Structure d'interconnexion comprenant des vias borgnes destinés à être métallisés
FR3050865A1 (fr) Procede de realisation d'interconnexions conductrices sur un substrat et interconnexions ainsi obtenues
FR2983346A1 (fr) Procede de prevention d'une panne electrique dans un empilement de couches semi-conductrices, cellule photovoltaïque a concentration a substrat mince, et assemblage de cellule solaire
WO2012098302A1 (fr) Procede de gravure de couches micro-electriques par un faisceau laser
FR3139411A1 (fr) Boîtier de circuit integre
FR2969381A1 (fr) Puce electronique comportant des piliers de connexion, et procede de fabrication
FR3043671A1 (fr) Procede de preparation d'un support

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 2

PLSC Publication of the preliminary search report

Effective date: 20190913

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 3

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 4

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7