FR2975223A1 - Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur. - Google Patents

Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur. Download PDF

Info

Publication number
FR2975223A1
FR2975223A1 FR1154015A FR1154015A FR2975223A1 FR 2975223 A1 FR2975223 A1 FR 2975223A1 FR 1154015 A FR1154015 A FR 1154015A FR 1154015 A FR1154015 A FR 1154015A FR 2975223 A1 FR2975223 A1 FR 2975223A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
gas
precursor
temperature
injection
cooling
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR1154015A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2975223B1 (fr
Inventor
Gregory Savidand
Daniel Lincot
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Electricite de France SA
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Original Assignee
Electricite de France SA
Centre National de la Recherche Scientifique CNRS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to FR1154015A priority Critical patent/FR2975223B1/fr
Application filed by Electricite de France SA, Centre National de la Recherche Scientifique CNRS filed Critical Electricite de France SA
Priority to KR1020137032641A priority patent/KR20140035929A/ko
Priority to CN201280023001.7A priority patent/CN103703550A/zh
Priority to PCT/FR2012/050994 priority patent/WO2012153046A1/fr
Priority to JP2014509791A priority patent/JP5795430B2/ja
Priority to US14/115,664 priority patent/US20140080249A1/en
Priority to CA2834209A priority patent/CA2834209A1/fr
Priority to EP12725101.5A priority patent/EP2707896A1/fr
Priority to AU2012252173A priority patent/AU2012252173B2/en
Publication of FR2975223A1 publication Critical patent/FR2975223A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2975223B1 publication Critical patent/FR2975223B1/fr
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02568—Chalcogenide semiconducting materials not being oxides, e.g. ternary compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02614—Transformation of metal, e.g. oxidation, nitridation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments
    • H01L21/02667—Crystallisation or recrystallisation of non-monocrystalline semiconductor materials, e.g. regrowth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/42—Bombardment with radiation
    • H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/6776—Continuous loading and unloading into and out of a processing chamber, e.g. transporting belts within processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

La présente invention concerne le traitement thermique d'un précurseur réagissant avec la température, et comportant en particulier les étapes : - préchauffer ou refroidir un gaz caloporteur à une température contrôlée, et injecter le gaz préchauffé ou refroidi sur le précurseur. Avantageusement, outre la température du gaz caloporteur (T ), on contrôle aussi le débit du gaz (D) à l'injection sur le précurseur, ainsi qu'une distance (x) entre le précurseur et une sortie (5) d'injection du gaz sur le précurseur, pour contrôler finement la température du précurseur recevant le gaz injecté.

Description

Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur
L'invention concerne le domaine des traitements thermiques de matériaux notamment en couches minces, et plus particulièrement les traitements thermiques dits « rapides » (traduction du tenue anglais « Rapid Thermal Process »). Il s'agit typiquement de procédés capables d'appliquer des montées d'au moins 700°C en une durée de l'ordre de la minute.
Cette technique est avantageuse notamment pour recuire des semi-conducteurs en 10 couches minces déposées sur substrats.
L'inertie du four dans lequel est appliqué le traitement thermique est un problème permanent dans ce type de technique. Il est en effet difficile de contrôler les montées en température (et aussi les refroidissements, notamment mais non exclusivement pour 15 les effets de trempe)
En outre, des capteurs de température sont habituellement positionnés nécessairement prés des éléments chauffants et près du substrat pour en connaître la température, le plus précisément possible. Une adaptation industrielle de ce type de procédé pour des 20 substrats de grande dimension nécessite alors des coûts importants.
On connaît actuellement des procédés de traitement thermique rapide basés sur plusieurs sortes de technologies : - le recuit par infrarouge : les longueurs d'onde utilisées sont des infrarouges courts 25 (0,76 à 2µm) ou moyens (2 à 4 µm) ; la température du substrat (et de la (ou des) couche(s) que porte le substrat) est contrôlée par la puissance émise par les émetteurs infrarouges et peut suivre des montées très rapide comme par exemple atteindre 700°C en moins d'une minute ; le recuit par défilement dans une enceinte chaude : le substrat transite d'une 30 enceinte froide à une enceinte chaude éventuellement par l'intermédiaire d'une enceinte tampon à température intermédiaire ; la vitesse de défilement du substrat permet le contrôle des rampes de température ; - le recuit par induction : le substrat est déposé sur un porte-substrat magnétique et un champ magnétique est appliqué en créant un courant induit dans le porte- substrat, lequel s'échauffe par effet Joule en chauffant le substrat.
Le premier type de procédé présente certains inconvénients : - il s'agit d'un processus de recuit indirect qui s'effectue par l'intermédiaire de la lumière ; - de plus, le comportement thermique des enceintes de réaction sont dépendantes des caractéristiques optiques du substrat ; - en outre, il est possible de contrôler des montées en température mais pas des effets de trempe. Ces facteurs rendent le contrôle de la température délicat.
Le deuxième type de procédé présente l'inconvénient d'utiliser une enceinte chaude restant donc à température fixe. L'enceinte doit avoir alors une dimension adaptée à la surface du substrat, ce qui augmente la consommation d'énergie et de là les coûts d'application industrielle.
L'intérêt manifeste du troisième type de procédé est la vitesse élevée de montée en température (plusieurs centaines de degrés par seconde). Toutefois, dans certaines applications, le substrat est souvent en verre et chauffe alors beaucoup plus rapidement sur sa face inférieure (en contact avec le porte-substrat) que sur sa face supérieure, ce qui provoque des gradients thermiques dans l'épaisseur de verre. Les contraintes thermiques provoquées conduisent souvent à une rupture du verre.
Dans tous les procédés présentés ci-dessus, il est difficile, voire impossible, de mesurer la température réelle de l'échantillon. La mesure de température est toujours indirecte (sur le porte-substrat, sur une paroi du four, ou autre).
La présente invention vient améliorer la situation.
Elle propose à cet effet un procédé de traitement thermique d'un précurseur réagissant avec la température, comportant les étapes : - préchauffer ou refroidir un gaz caloporteur à une température contrôlée, et - injecter le gaz préchauffé ou refroidi sur le précurseur.
Ainsi, le traitement thermique par projection d'un gaz chaud permet de fixer la température du substrat et de la couche mince qu'il porte. On choisit préférentiellement un gaz à capacité calorifique élevée. Par exemple, l'argon est un bon candidat, déjà en tant que gaz neutre (donc non susceptible de réagir de façon non souhaitée avec la couche mince), mais aussi pour ses capacités calorifiques. Le gaz monte donc très vite en température et apporte alors la chaleur directement à la surface du substrat.
Il n'est plus nécessaire de positionner un capteur de température à proximité du substrat. La projection de gaz peut être en continu. Le contrôle de la température en chauffage (et en refroidissement aussi) est avantageusement atteint par des techniques à très bas coût de mise en oeuvre. Un outil de gestion des rampes de température en montée et en refroidissement peirnet alors de coupler les contrôles à la fois du chauffage et du refroidissement du substrat. La projection du gaz à la surface du substrat permet de contrôler la température réelle appliquée.
Outre la température du gaz caloporteur, on contrôle aussi le débit du gaz à l'injection sur le précurseur. Comme on le verra en référence aux figures 4(a) et 4(b), ce paramètre a une influence sur la température de surface du précurseur recevant l'injection de gaz.
Outre la température du gaz caloporteur, on contrôle aussi une distance entre le précurseur et une sortie d'injection du gaz sur le précurseur. Comme on le verra encore en référence aux figures 4(a) et 4(b) décrites ci-après, ce paramètre a aussi une influence sur la température de surface du précurseur recevant l'injection de gaz.
Le gaz caloporteur peut comporter au moins un élément parmi l'hydrogène, l'argon et l'azote, ces gaz étant avantageux en raison de leurs capacités thermiques pour le transport de la chaleur. Le préchauffage du gaz comporte, dans une réalisation concrète décrite ci-après, une élévation en température du gaz de l'ordre de 1000°C.
Dans ces conditions, l'injection de gaz produit une montée en température à la surface 10 du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines de degrés par seconde, pour un'débit de gaz injecté de l'ordre de quelques litres par minute (par exemple entre 3 et 6 litres par minute).
L'élévation de température du précurseur peut atteindre en surface au moins 400°C en 15 quelques dizaines de secondes, avec une distance entre le précurseur et une sortie d'injection du gaz sur le précurseur inférieure à cinq centimètres.
Pour le refroidissement, le procédé peut comporter en outre une injection de gaz froid, par exemple après le recuit pour produire un effet de trempe. Avantageusement, la 20 surface du précurseur recevant le gaz froid peut être refroidie à une vitesse de l'ordre de 100°C en quelques secondes.
Une telle réalisation décrite ci-dessus est avantageuse, notamment mais non exclusivement, pour un précurseur comportant des espèces atomiques des colonnes I et 25 III, et éventuellement VI, de la classification périodique des éléments, pour l'obtention, après traitement thermique, d'une couche mince sur substrat d'un alliage I-III-VI2 à propriétés photovoltaïques. On peut également la considérer pour des éléments des colonnes I, II, IV, VI (préférablement Cu, Zn, Sn, S ou Se) pour la formation d'un alliage I2-II-IV-VI4. Des éléments de la colonne V, comme le phosphore peuvent être 30 considérés aussi, notamment pour la foünation d'alliages II-IV-V (par exemple ZnSnPI5 La présente invention vise aussi une installation de traitement thermique pour la mise en oeuvre du procédé ci-avant, et comportant : - un circuit d'acheminement du gaz comportant des moyens de chauffage et/ou des moyens de refroidissement du gaz, et un injecteur du gaz sur le précurseur, terminant le circuit précité.
Dans un exemple de réalisation décrit en détails ci-après, l'injecteur peut simplement se présenter sous la forme d'une tubulure (portant la référence 5 sur la figure 8(a) ou la figure 8(b)) d'un conduit (3) d'injection du gaz sur le précurseur.
Dans une réalisation possible, les moyens de chauffage comportent une résistance thermique apte à dégager de la chaleur par application d'un courant circulant dans la résistance. Ainsi, les moyens de chauffage peuvent comporter en outre un circuit de commande de l'intensité de ce courant pour régler la température de chauffe de la résistance et, de là, la température du gaz à injecter.
Les moyens de refroidissement peuvent comporter un module à effet Pelletier et/ou un circuit réfrigérant, ainsi qu'un circuit de commande aussi pour régler la température de refroidissement du gaz.
Il est avantageux de prévoir dans le circuit d'acheminement du gaz au moins une vanne d'arrêt/circulation du gaz (pour un fonctionnement binaire de l'injection comme on le verra dans la description détaillée ci-après). Cette vanne peut servir aussi à régler le débit de gaz injecté.
L'installation comporte avantageusement des moyens de déplacement relatif de l'injecteur par rapport au précurseur, au moins en hauteur (en configuration verticale ou non) pour régler une distance entre l'injecteur et le précurseur (et, de là, la température à la surface du précurseur comme décrit ci-après en référence aux figures 4(a) et 4(b)).
L'installation peut comporter aussi des moyens de déplacement du précurseur, par rapport à l'injecteur, sur un tapis roulant dans une direction perpendiculaire à un axe d'injection du gaz issu de l'injecteur. Un exemple de ce type d'installation pour la mise en oeuvre d'un procédé de type dit « en batch » sera décrit plus loin en référence à la figure 8(a). Ce type de procédé est avantageux notamment pour des précurseurs déposés sur substrats non souples, par exemple en verre.
Dans le cas où le précurseur est une couche mince déposée sur un substrat souple, l'installation peut être conçue pour opérer selon un procédé de type dit « en roll-toroll ». A cet effet, l'installation comporte deux rouleaux motorisés sur lesquels le substrat est enroulé, et, par action des rouleaux, le substrat s'enroule sur un rouleau et se déroule de l'autre rouleau, créant un déplacement du précurseur, par rapport à l'injecteur, dans une direction perpendiculaire à un axe d'injection du gaz issu de l'injecteur (figure 8()) sur laquelle les rouleaux précités comportent les références R1,R2).
Bien entendu, d'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée d'exemples possibles de réalisation, présentée ci- après, et des dessins ci-annexés sur lesquels : - la figure 1 représente schématiquement une installation pour la mise en oeuvre de l'invention, - la figure 2 illustre en particulier la zone recuite sur un précurseur, par la mise en oeuvre du procédé de l'invention, - la figure 3 illustre schématiquement un dispositif utilisé pour la caractérisation thermique ; - les figures 4(a) et 4(b) illustrent des évolutions temporelles de température de réaction Tr en fonction de paramètres d'injection du gaz tels que le débit D du gaz dans un conduit d'injection et la distance x entre la tubulure de sortie de ce conduit et le précurseur, respectivement pour un débit D=3 litres par minute (a) et D=6 litres par minute (b) ; la figure 5 illustre une combinaison en parallèle d'éléments chauffants pour contrôler les vitesses de montée et de descente en température du gaz ; - la figure 6 illustre une combinaison en série d'éléments chauffants pour contrôler les vitesses de montée et de descente en température du gaz ; - la figure 7 montre un exemple de rampe de traitement thermique possible à partir d'une installation présentée en figure 5 ou en figure 6 ; - les figures 8(a) et 8(b) représentent schématiquement un exemple d'intégration de l'installation sur une ligne industrielle, respectivement de type « batch » (a) ou de type « roll to roll » (b).
Ci-après on décrit à titre aucunement limitatif une application du procédé de l'invention à la fabrication d'alliages de type I-III-VI2 de structure cristallographique de type chalcopyrite et à propriétés photovoltaïques. On cherche à faire réagir à pression contrôlée un précurseur (en foi nie de couche mince) dans une atmosphère réactive. La notation « I » (respectivement « III » et « VI ») désigne les éléments de la colonne 1 (respectivement III et VI) de la classification périodique des éléments, tels le cuivre (respectivement l'indium et/ou le gallium et/ou l'aluminium, et le sélénium et/ou le soufre). Dans une réalisation classique, le précurseur comporte des éléments I et III, et il est obtenu sous la forme d'un alliage I-III suite à un premier recuit (« recuit réducteur » défini ci-après). Une fois que les éléments I et III ont été bien mélangés dans l'alliage obtenu après ce premier recuit, on procède à un recuit réactif, en présence d'élément(s) VI, pour leur incorporation dans l'alliage I-III et pour la cristallisation de l'alliage final chalcopyrite I-III-VI2. Cette réaction est dite de « sélénisation » et/ou de « sulfuration », dans ce contexte.
Bien entendu, dans une autre forme de réalisation, l'élément VI peut être également présent initialement dans la couche précurseur et le procédé de l'invention prévoit l'injection d'un gaz chaud pour recuire le précurseur et obtenir sa cristallisation selon la stoechiométrie I-III-VI2. Dans la suite, il est désigné par :30 - précurseur : un dépôt composé d'un ou plusieurs des éléments : Cu, In, Ga, Al mais aussi possiblement Se, S, Zn, Sn, O, sur un substrat ; recuit réducteur : un recuit du précurseur avec un gaz comportant au moins l'un des éléments : alcool, amines, hydrogène (H2) , - recuit réactif : une réaction de cristallisation qui consiste à faire réagir avec un élément réactif le précurseur ayant subi ou non un recuit réducteur préalable ; - D : la valeur de débit du gaz injecté sur le précurseur ; - x : une distance entre le substrat et une tubulure d'un conduit d'injection du gaz sur le précurseur ; - T : la température des éléments chauffants du gaz ; - Tr : la température de recuit à la surface du précurseur.
En référence à la figure 1, un flux d'entrée de gaz 1 subit une modification de température, par exemple une élévation de température, dans une enceinte thermique comportant un conduit 3 renfermant un élément chauffant 4 auquel est appliquée une alimentation électrique 2. En sortie 5 du conduit 3, le gaz présente une température T(0,D,To) qui est fonction de son débit D dans le conduit 3 et de la température To de l'élément chauffant 4. La référence 6 de la figure 1 désigne ici un précurseur à base de Cu, In, Ga, Zn, Sn, Al, Se, et/ou S, subissant un traitement thermique (ou « recuit » ci-après) à une température Tr(x,D,To). Cette température de recuit Tr dépend, là encore, du débit D et de la température To de l'élément chauffant, mais aussi de la distance x séparant le précurseur 6 de la tubulure de sortie 5 du conduit 3. On peut prévoir avantageusement en outre un circuit 7 de récupération des gaz. Plus particulièrement, les gaz injectés peuvent être récupérés, pour être ensuite chauffés à nouveau et réinjectés sur le précurseur de façon à avoir un circuit fermé, avantageux pour des questions de coûts.
Comme illustré sur la figure 2, le recuit par propulsion de gaz chaud présente, parmi ses avantages, celui de recuire uniquement la surface A d'un précurseur sur substrat B.
En effet, il a été observé que la propulsion du gaz affecte directement la surface du précurseur et permet un recuit local (zone A). L'autre partie (partie B) est chauffée différemment (chauffée dans une moindre mesure et surtout plus lentement).
Or, cette propriété est avantageuse, notamment lorsque le substrat présente des fragilités mécaniques, dans des conditions de variations thermiques. Tel est le cas par exemple des substrats de verre, classiquement utilisés pour la fabrication de panneaux solaires, sur lesquels sont déposées des couches photovoltaïques I-III-VI2 souvent par l'intermédiaire de couches de molybdène.
Ainsi, un premier avantage d'un tel recuit localisé en surface du précurseur est d'éviter la casse du substrat en verre.
Des mesures de la température d'un flux d'argon en sortie de l'enceinte, en fonction : - de la distance x au plan de sortie 5 du conduit 3, - et du débitDdegaz ont été réalisées. Le gaz utilisé est, dans cet exemple de réalisation, de l'argon à une pression P de 1 bar en entrée 1 de l'installation et à température ambiante (autour de 20°C).
On a représenté sur la figure 3 les éléments d'un dispositif pour mesurer la température du gaz en sortie 5. Une consigne de température To (par exemple To=1000°C) est donnée .a l'élément chauffant (par exemple à l'aide d'un circuit de commande comprenant un variateur de type potentiomètre, réglant l'intensité aux bornes de l'élément chauffant 4, telle une résistance chauffante par exemple). Le débit D du gaz peut être géré par le degré d'ouverture d'une vanne en amont de l'entrée 1 (non représentée sur la figure 3) et peut faire l'objet d'une consigne fixe D=Do. En revanche, on cherche ici à mesurer la température Tr en fonction en particulier de la distance x en sortie 5 de l'enceinte (donnée par exemple en cm par une règle de mesure MES).30 L'évolution temporelle de la température Tr, pour différentes distances mesurées x, est donnée sur la figure 4(a) en particulier pour un débit D de gaz (Argon) de 3 litres par minute. On a représenté une même évolution sur la figure 4(b) mais avec un débit D de 6 litres par minute. L'instant «0» sur l'axe des abscisses correspond à l'ouverture de la vanne d'injection de gaz dans l'enceinte 1.
On observe alors que : plus on s'éloigne de la sortie 5 (distance x croissante), plus la température Tr atteinte diminue ; plus on augmente le débit D, plus la température Tr augmente rapidement, d'une part, et moins la température Tr atteinte est dépendante de la distance, d'autre part.
Ainsi, un deuxième avantage de l'invention consiste en ce qu'il est possible de contrôler très finement la température Tr du gaz injecté sur le précurseur, par un contrôle du débit de gaz D et de la position x du substrat par rapport à la sortie 5.
On a représenté alors sur les figures 5 et 6 une installation utilisant une combinaison d'éléments chauffant/refroidissant à faible inertie thermique. La figure 5 présente une combinaison en parallèle d'éléments chauffant et refroidissant. Le gaz en entrée 1 est orienté par l'intermédiaire d'une vanne V1 à trois voies vers deux circuits (un circuit chaud à température de consigne Tc et un circuit froid à température de consigne Tf). Si le gaz passe par le circuit chaud (comportant une résistance chauffante 14 pilotée par une alimentation électrique variable 12), sa température est contrôlée par un circuit de commande comprenant par exemple un potentiomètre fixant par exemple une tension d'alimentation 12. Puis, le gaz suit son trajet à travers une vanne V2 à trois voies etEsort du conduit 5 pour apporter de la chaleur à la surface du précurseur. Dans le cas où il est orienté par la vanne V1 dans le circuit froid (comportant par exemple un circuit réfrigérant 24 piloté par une alimentation électrique réglable 22), le gaz se refroidit et en particulier, sa température de refroidissement est contrôlée par un circuit de commande (comprenant par exemple un potentiomètre) fixant par exemple une tension d'alimentation 22.
Dès lors que les alimentations 12 et 22 sont réglables, il n'est aucunement nécessaire de prévoir deux conduits distincts (un chaud et un froid) et, en référence à la figure 6, il peut être avantageux de mettre en oeuvre une combinaison en série d'éléments chauffant et refroidissant. La température de refroidissement Tf de l'élément refroidissant 24 est contrôlée par la tension de l'alimentation électrique 22 et il en est de même pour l'élément chauffant 14 avec l'alimentation 12. En outre, on peut ici se servir du refroidissement du gaz par l'élément 24 pour faire transiter un gaz froid dans l'élément chauffant 14 pour accélérer son refroidissement.
La figure 7 illustre à titre d'exemple une rampe de température avantageuse pour une sélénisation, appliquée en combinant la variation de débit D au chauffage des éléments de la figure 6 pour une position du précurseur à une distance x fixe.
La température du gaz est portée de la température ambiante (par exemple 25°C) à 600°C en une minute. La température de l'élément chauffant augmente. Il se stabilise pour appliquer un palier à 600°C pendant une minute. Puis, l'élément refroidissant est enclenché pour que le gaz se refroidisse ici en une minute jusqu'à 400°C. Les tensions d'alimentation des deux éléments chauffant et refroidissant sont stabilisées et le débit du gaz est fixe pour assurer un palier d'une minute à 400°C. Enfin, le gaz est refroidi de 400°C à -10°C en 2 minutes pour produire un effet de trempe par exemple. L'élément chauffant est arrêté et l'élément refroidissant est actif pendant cette période.
On comprendra ainsi que le procédé au sens de l'invention peut avantageusement comporter : - une ou plusieurs étapes d'injection de gaz chaud pour produire une montée en température à la surface du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines de degrés par seconde, - une ou plusieurs étapes de maintien à température sensiblement constante du précurseur, et - une ou plusieurs étapes d'injection de gaz froid pour produire un refroidissement en température à la surface du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines de degrés par seconde.
Ces étapes peuvent être, pour certaines, interverties de manière à définir des périodes successives de chauffage, de maintien en température ou de refroidissement, comme représenté sur la figure 7.
En particulier, ces étapes de chauffage, maintien en température, ou refroidissement s'enchaînent selon une succession prédéterminée définissant un profil temporel de variation de température appliquée à la surface du précurseur recevant le gaz, comme le profil représenté à titre d'exemple sur la figure 7, pour une séquence choisie de traitement thermique du précurseur.
On décrit ci-après un exemple de choix possible de matériel pour contrôler la température du gaz injecté.
Concernant les éléments chauffants 14, des résistances chauffantes (sous forme de bande ou de fil) composées d'un alliage de fer, chrome, nickel et aluminium, capable de monter à 1400°C, peuvent par exemple être utilisées. Elles sont disponibles dans le commerce (par exemple distribuées par l'entreprise suédoise Kanthal®)
Concernant les éléments refroidissants, des modules à effet Peltier, ou encore un circuit de gaz froid transitant dans un serpentin, peuvent être utilisés. Les modules à effet Peltier sont des systèmes thermoélectriques fonctionnant comme suit : une différence de potentiel appliqué à un module permet d'obtenir un refroidissement jusqu'à 18°C en dessous de la température ambiante. Pour descendre plus bas en température, on tonnait aussi des systèmes par compresseur de vapeur qui permettent d'atteindre des valeurs en dessous de 0°C. Il existe dans le commerce des refroidisseurs de gaz dont plusieurs produits sont présentés notamment sur le site www.directindustry.fr .
Par la mise en oeuvre de l'invention, il est possible d'appliquer des rampes de température « ultra rapides », à savoir de l'ordre de 500°C en moins d'une demi-minute sur la surface d'un échantillon par propulsion de gaz chaud, et ce sans inertie thermique. L'intégration du procédé de l'invention dans une ligne de production industrielle de panneaux solaires notamment est avantageuse avec des recuits rapides nécessitant des temps de maintien en température très faibles (de 1 à 5 minutes pour l'inter-miction d'élément VI dans le précurseur par exemple).
En référence à la figure 8(a), des échantillons à recuire viennent en défilement sur une ligne selon un procédé dit « en batch ». Les échantillons 52 sont disposés les uns derrière les autres sur un tapis défilant 51, le tapis amenant ainsi chaque précurseur pour être traité thermiquement sous le conduit 3 d'injection de gaz (flèche 54). Le tapis s'arrête le temps nécessaire pour traiter le précurseur. Lorsque la durée de traitement est dépassée. Le tapis apporte l'échantillon suivant, selon le sens de défilement 53, et répète la séquence. Un tel type de procédé est adapté notamment lorsque le substrat est non souple, par exemple en verre.
On décrit maintenant, en référence à la figure 8(b), un procédé dans lequel le substrat 6 est souple (par exemple un feuillard métallique ou en polymère(s)) et déroulé entre deux rouleaux R1, R2, selon un procédé de type dit « Roll to Roll ». Dans ce cas, le substrat 6 portant le précurseur est débobiné et le traitement s'effectue directement sur sa surface (flèche 54).
D'une manière similaire au précédent mode de réalisation (figure 8(a)), le précurseur se déroule progressivement par action des rouleaux R1, R2. La partie à traiter est placée sous le conduit d'injection 3. Le déroulement est alors arrêté. Après traitement, une autre partie du précurseur non traitée se substitue à la précédente par actionnement des rouleaux RI, R2 et le procédé est répété.30 La mise en oeuvre de l'invention peut être totalement automatisée puisqu'une simple électrovanne à l'entrée du conduit 3 (et/ou encore en amont du conduit 3) permet de laisser passer ou non un gaz chaud (ou froid). Une conception binaire du fonctionnement de telle(s) électrovarme(s) permet de déterminer le temps de défilement du précurseur en lien exact avec le temps de son traitement.
Il est possible alors de prévoir une synchronisation entre le défilement d'un précurseur et son traitement thermique. On peut considérer en particulier deux états binaires (injection de gaz chaud ou non) pour l'application d'un traitement sur le précurseur et son défilement. Un état « 1 » correspond alors à l'application du traitement thermique sur le précurseur, et l'état « 0 » correspond à l'arrêt du traitement thermique. Néanmoins, pour rappel, la température sur le précurseur peut être finement réglée ensuite en fonction : du débit D du gaz injecté, - de sa température en sortie du conduit 3, et de la distance x entre l'ouverture du conduit 3 et le précurseur à traiter. On notera alors qu'il est possible de faire varier la hauteur de la tubulure de sortie du conduit 3 pour régler la température souhaitée du précurseur, selon donc un déplacement vertical de la tubulure.
On peut prévoir aussi de régler finement le déplacement latéral de la tubulure (dans une direction perpendiculaire au défilement du substrat) pour effectuer une succession de traitements thermiques locaux et donc recuire toute la surface du substrat par déplacement selon les deux axes perpendiculaires au conduit 3. On peut ainsi recuire toute une surface de substrat ou n'appliquer qu'un traitement thermique local.
Il est possible de recuire des précurseurs provenant d'une étape antérieur de fabrication et obtenus par diverses techniques (électrolyse, pulvérisation de cibles ou « sputtering », imprimerie), en présence ou non d'agents réactifs. 5 On peut appliquer alors traitement thermique ultrarapide à la surface d'un substrat, et ce dans une gamme de température très large (de -50°C à 1000°C), en contrôlant finement des vitesses de montée en température et des vitesses de refroidissement (par l'intermédiaire du débit du gaz, de sa température et de la position du substrat).
Selon un autre avantage, l'injection du gaz sur le précurseur peut être effectuée dans des conditions de pression atmosphérique et ainsi, il n'est pas nécessaire de prévoir l'injection dans une enceinte fermée sous vide ou à basse pression. L'injection peut s'effectuer à l'air libre.

Claims (9)

  1. REVENDICATIONS1. Procédé de traitement thermique d'un précurseur réagissant avec la température, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes : préchauffer ou refroidir un gaz caloporteur à une température contrôlée, et - injecter le gaz préchauffé ou refroidi sur le précurseur.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, outre la température du gaz caloporteur, on contrôle aussi le débit (D) dudit gaz à l'injection sur le précurseur.
  3. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que, outre la température du gaz caloporteur, on contrôle aussi une distance (x) entre le précurseur et une sortie (5) d'injection du gaz sur le précurseur. 15
  4. 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le gaz caloporteur comporte au moins un élément parmi l'hydrogène, l'argon et l'azote.
  5. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le préchauffage du gaz comporte une élévation en température du gaz de l'ordre de 20 1000°C.
  6. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'injection de gaz produit une montée en température à la surface du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines de degrés par seconde, pour un débit de gaz injecté de 25 l'ordre de quelques litres par minute.
  7. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'élévation de température du précurseur atteint en surface au moins 400°C en quelques dizaines de secondes, avec une distance (x) entre le précurseur et une sortie (5) d'injection du 30 gaz sur le précurseur inférieure à cinq centimètres. 1610
  8. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte une injection de gaz froid produisant un refroidissement de la surface du précurseur recevant le gaz froid de l'ordre de 100°C en quelques secondes.
  9. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte : - une ou plusieurs étapes d'injection de gaz chaud pour produire une montée en température à la surface du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines 10 de degrés par seconde, - une ou plusieurs étapes de maintien à température sensiblement constante du précurseur, et - une ou plusieurs étapes d'injection de gaz froid pour produire un refroidissement en température à la surface du précurseur recevant le gaz, de l'ordre de quelques dizaines 15 de degrés par seconde, lesdites étapes de chauffage ou de refroidissement étant enchaînées selon une succession prédéterminée définissant un profil temporel de variation de température appliquée à la surface du précurseur recevant le gaz, pour une séquence choisie de traitement thermique du précurseur. 20 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le précurseur comporte des espèces atomiques des colonnes I et III, et éventuellement VI, de la classification périodique des éléments, pour l'obtention, après traitement thermique, d'une couche mince sur substrat d'un alliage I-III-VI2 à propriétés 25 photovoltaïques. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le précurseur comporte des espèces atomiques des colonnes I. II et IV, et éventuellement VI, de la classification périodique des éléments, pour l'obtention, après traitement thermique, 30 d'une couche mince sur substrat d'un alliage I2-II-IV-VI4.12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le précurseur comporte des espèces atomiques des colonnes II et IV, et éventuellement V, de la classification périodique des éléments, pour l'obtention, après traitement thermique, d'une couche mince sur substrat d'un alliage II-IV-V. 13. Installation de traitement thermique pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle comporte : un circuit (1,3) d'acheminement du gaz comportant des moyens de chauffage (12,14 ; 22,24) et/ou des moyens de refroidissement du gaz, et un injecteur (5) du gaz sur le précurseur, terminant ledit circuit. 14. Installation selon la revendication 13, caractérisée en ce que les moyens de chauffage comportent une résistance thermique (14) apte à dégager de la chaleur par application d'un courant circulant dans la résistance, et en ce que les moyens de chauffage comportent en outre un potentiomètre (12) de commande de l'intensité dudit courant pour régler la température de chauffe de la résistance. 15. Installation selon l'une des revendications 13 et 14, caractérisée en ce que les moyens de refroidissement comportent un module à effet Pelletier et/ou un circuit réfrigérant (24), ainsi qu'un potentiomètre (22) pour régler la température de refroidissement du gaz. 16. Installation selon l'une des revendications 13 à 15, caractérisée en ce que le circuit d'acheminement comporte au moins une vanne (V1, V2) d'arrêt/circulation du gaz, 25 et/ou pour régler le débit de gaz injecté. 17. Installation selon l'une des revendications 13 à 16, caractérisée en ce qu'elle comporte des moyens de déplacement relatif de l'injecteur par rapport au précurseur, au moins en hauteur pour régler une distance (x) entre l'injecteur et le précurseur. 3018. Installation selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisée en ce qu'elle comporte des moyens de déplacement du précurseur, par rapport à l'injecteur (3), sur un tapis roulant (51) dans une direction perpendiculaire à un axe d'injection du gaz issu de l'injecteur (3). 19. Installation selon l'une des revendications 13 à 17, caractérisée en ce que, le précurseur étant une couche mince déposée sur un substrat souple, elle comporte deux rouleaux motorisés (R1,R2) sur lesquels le substrat est enroulé, et, par action des rouleaux, le substrat s' enroule sur un rouleau et se déroule de l'autre rouleau, créant un déplacement du précurseur, par rapport à l'injecteur (3), dans une direction perpendiculaire à un axe d'injection du gaz issu de l'injecteur (3).
FR1154015A 2011-05-10 2011-05-10 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur. Active FR2975223B1 (fr)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1154015A FR2975223B1 (fr) 2011-05-10 2011-05-10 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.
CN201280023001.7A CN103703550A (zh) 2011-05-10 2012-05-03 籍助于喷射传热气体的热处理
PCT/FR2012/050994 WO2012153046A1 (fr) 2011-05-10 2012-05-03 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.
JP2014509791A JP5795430B2 (ja) 2011-05-10 2012-05-03 熱伝導ガスの噴射による熱処理
KR1020137032641A KR20140035929A (ko) 2011-05-10 2012-05-03 열전달가스의 주입에 의한 열처리
US14/115,664 US20140080249A1 (en) 2011-05-10 2012-05-03 Heat treatment by injection of a heat-transfer gas
CA2834209A CA2834209A1 (fr) 2011-05-10 2012-05-03 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur
EP12725101.5A EP2707896A1 (fr) 2011-05-10 2012-05-03 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.
AU2012252173A AU2012252173B2 (en) 2011-05-10 2012-05-03 Heat treatment by injection of a heat-transfer gas

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1154015A FR2975223B1 (fr) 2011-05-10 2011-05-10 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2975223A1 true FR2975223A1 (fr) 2012-11-16
FR2975223B1 FR2975223B1 (fr) 2016-12-23

Family

ID=46201724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR1154015A Active FR2975223B1 (fr) 2011-05-10 2011-05-10 Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20140080249A1 (fr)
EP (1) EP2707896A1 (fr)
JP (1) JP5795430B2 (fr)
KR (1) KR20140035929A (fr)
CN (1) CN103703550A (fr)
AU (1) AU2012252173B2 (fr)
CA (1) CA2834209A1 (fr)
FR (1) FR2975223B1 (fr)
WO (1) WO2012153046A1 (fr)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10167565B2 (en) 2013-04-10 2019-01-01 Electricite De France Method and device for electroplating in cylindrical geometry

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017216397A (ja) * 2016-06-01 2017-12-07 株式会社アルバック アニール処理装置およびアニール処理方法
CN107222165A (zh) * 2017-07-06 2017-09-29 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 具有加热装置的路面发电系统

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0337008A2 (fr) * 1988-03-21 1989-10-18 Praxair Technology, Inc. Procédé et dispositif pour commander des mouvements croisés de fluides dans un procédé à zones multiples
WO2003070402A1 (fr) * 2002-02-20 2003-08-28 Flow Holdings Sagl Procede de refroidissement de dispositif de pressage isostatique chaud et dispositif de pressage isostatique chaud
US20070169810A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-26 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor
US20080135415A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-12 Yongbong Han Electrodeposition technique and apparatus to form selenium containing layers
DE102009011695A1 (de) * 2009-03-09 2010-09-16 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4638148A (en) * 1983-09-21 1987-01-20 Robertshaw Controls Company Control system and control device for controlling a heating unit and method of making the same
EP0181830B1 (fr) * 1984-11-08 1991-06-12 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Procédé et dispositif pour chauffer un ruban métallique dans un four de recuit continu
US5361587A (en) * 1993-05-25 1994-11-08 Paul Georgeades Vapor-compression-cycle refrigeration system having a thermoelectric condenser
US5985691A (en) * 1997-05-16 1999-11-16 International Solar Electric Technology, Inc. Method of making compound semiconductor films and making related electronic devices
GB0029281D0 (en) * 2000-11-30 2001-01-17 Boc Group Plc Quenching Method & Apparatus
KR20050085704A (ko) * 2002-12-17 2005-08-29 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 반응 챔버 플라스마 반응기 시스템으로 증발-응축 방법을사용하는 나노입자의 제조 방법
JP4652120B2 (ja) * 2004-05-21 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造装置、およびパターン形成方法
US20070111367A1 (en) * 2005-10-19 2007-05-17 Basol Bulent M Method and apparatus for converting precursor layers into photovoltaic absorbers
JP2007269589A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Nagaoka Univ Of Technology 硫化物薄膜の作製方法
US8093493B2 (en) * 2007-04-30 2012-01-10 Solyndra Llc Volume compensation within a photovoltaic device
EP2232576A2 (fr) * 2007-12-06 2010-09-29 Craig Leidholm Procédés et dispositifs de traitement d'une couche de précurseur dans un environnement de groupe via
US20090260670A1 (en) * 2008-04-18 2009-10-22 Xiao-Chang Charles Li Precursor ink for producing IB-IIIA-VIA semiconductors
JP2010001560A (ja) * 2008-11-04 2010-01-07 Philtech Inc 膜形成方法および膜形成装置
DE102009037299A1 (de) * 2009-08-14 2011-08-04 Leybold Optics GmbH, 63755 Vorrichtung und Behandlungskammer zur thermischen Behandlung von Substraten
EP2504276A1 (fr) * 2009-11-25 2012-10-03 E. I. du Pont de Nemours and Company Procédé aqueux de production de nanoparticules de chalcogénures de cuivre cristallines, nanoparticules ainsi produites et encres et substrats revêtus contenant ces nanoparticules

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0337008A2 (fr) * 1988-03-21 1989-10-18 Praxair Technology, Inc. Procédé et dispositif pour commander des mouvements croisés de fluides dans un procédé à zones multiples
WO2003070402A1 (fr) * 2002-02-20 2003-08-28 Flow Holdings Sagl Procede de refroidissement de dispositif de pressage isostatique chaud et dispositif de pressage isostatique chaud
US20070169810A1 (en) * 2004-02-19 2007-07-26 Nanosolar, Inc. High-throughput printing of semiconductor precursor layer by use of chalcogen-containing vapor
US20080135415A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-12 Yongbong Han Electrodeposition technique and apparatus to form selenium containing layers
DE102009011695A1 (de) * 2009-03-09 2010-09-16 Centrotherm Photovoltaics Ag Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Umsetzung metallischer Precursorschichten in halbleitende Schichten

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
TOMAR M S ET AL: "Spray pyrolysis in solar cells and gas sensors", PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION, PERGAMON, OXFORD, GB, vol. 4, no. 3, 1 January 1981 (1981-01-01), pages 221 - 248, XP024448979, ISSN: 0146-3535, [retrieved on 19810101], DOI: 10.1016/0146-3535(81)90004-6 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10167565B2 (en) 2013-04-10 2019-01-01 Electricite De France Method and device for electroplating in cylindrical geometry

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140035929A (ko) 2014-03-24
AU2012252173A1 (en) 2013-11-14
WO2012153046A1 (fr) 2012-11-15
JP5795430B2 (ja) 2015-10-14
CA2834209A1 (fr) 2012-11-15
US20140080249A1 (en) 2014-03-20
FR2975223B1 (fr) 2016-12-23
EP2707896A1 (fr) 2014-03-19
JP2014519701A (ja) 2014-08-14
AU2012252173B2 (en) 2014-12-18
AU2012252173A2 (en) 2014-06-05
CN103703550A (zh) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Barhoumi et al. Aluminum doped ZnO thin films deposited by direct current sputtering: structural and optical properties
FR2975223A1 (fr) Traitement thermique par injection d'un gaz caloporteur.
FR2484469A1 (fr) Procede de preparation de couches homogenes de hg1-xcdxte
CA1170459A (fr) Procede et dispositif pour la regulation de la temperature d'une feuille de verre dans un four a plusieurs cellules
KR20140096401A (ko) 화합물 반도체층을 제조하기 위한 방법 및 그 장치
CN106784303B (zh) 一种可弯曲的超大不饱和磁阻材料制备方法及制备的材料
Sedky et al. Optimal Conditions for Micromachining $\hbox {Si} _ {1-{\rm x}}\hbox {Ge} _ {\rm x} $ at 210$^{\circ}\hbox {C} $
FR3008501A1 (fr) Procede de regulation de chauffage electrique en cas d’ouverture de fenetre
EP0193422A1 (fr) Procédé de traitement de profils conducteurs, notamment métalliques installation pour sa mise en oeuvre
EP2596523B1 (fr) Dispositif et procédé pour former sur un nanofil en semi-conducteur un alliage de ce semi-conducteur avec un métal ou un métalloïde
WO2008000939A1 (fr) Installation de mesure de la temperature du ruban dans une etenderie de recuisson de verre plat, et procede de conduite d'une etenderie
Dwivedi et al. Rare-earth doped chalcogenide thin films fabricated by pulsed laser deposition
FR2799828A1 (fr) Installation de controle de l'etancheite d'echangeurs de chaleur eau-gaz pour fours industriels
Jayswal et al. Tracking optical properties of VOx films to optimize polycrystalline VO2 fabrication
US8389422B2 (en) Rapid thermal processing by stamping
Xu et al. Effects of Ar and He atmosphere on CdTe thin film deposition and CdTe solar cell performance [J]
Choi et al. Influence of current density on constant current electric field enhanced aluminum induced crystallization of amorphous silicon thin films
EP2992549A1 (fr) Formation d'une couche semi-conductrice i-iii-vi2 par traitement thermique et chalcogenisation d'un precurseur metallique i-iii
CN117286458A (zh) 一种二硒化钯晶圆级制备方法和应用
Nasr et al. Phase Control of RF Sputtered SnS x with Post-Deposition Annealing for a Pseudo-Homojunction Photovoltaic Device
Wong et al. Helium Interactions with Tungsten as a Plasma Facing Surface Material.
Marienfeld et al. FAST CIGS CO-EVAPORATION PROCESSES BY CONTROLLED RAPID RAMPING OF THERMAL EVAPORATION SOURCES TO VERY HIGH RATES
Mittal et al. Optical quality ZnSe films on silicon for mid-IR waveguides
Tinkham et al. Enhancement of Electrical and Optical Properties of Reactively Sputtered In
Lee et al. Novel high-precision micropipette thermal sensor for materials thermal characterizations

Legal Events

Date Code Title Description
PLFP Fee payment

Year of fee payment: 5

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 6

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 7

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 8

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 9

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 10

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 11

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 12

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 13

PLFP Fee payment

Year of fee payment: 14