FR2969376A1

FR2969376A1 - Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés

Info

Publication number: FR2969376A1
Application number: FR1060639A
Authority: FR
Inventors: Laurent-Luc Chapelon; Julien Cuzzocrea
Original assignee: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Current assignee: STMicroelectronics Crolles 2 SAS
Priority date: 2010-12-16
Filing date: 2010-12-16
Publication date: 2012-06-22
Anticipated expiration: 2030-12-16
Also published as: FR2969376B1; US8518802B2; US20120153425A1

Abstract

Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, comprenant : réaliser des portions d'affaiblissement (13) dans une plaquette de substrat (10), autour d'une pluralité d'emplacements (15) ; réaliser une pluralité de puces de circuits intégrés (36) dans lesdits emplacements, incluant respectivement les portions de ladite plaquette de substrat correspondant auxdits emplacements ; et détruire lesdites portions d'affaiblissement (13) de façon à singulariser des puces de circuits intégrés.

Description

GRB 10-4956FR 1

Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés La présente invention concerne le domaine des puces de circuits intégrés et de leurs procédés de fabrication. Lorsque l'on fabrique collectivement des puces de circuits intégrés sous forme de plaquettes en faisant usage de plaquettes supports de renforcement, souvent appelées des poignées, il existe une difficulté liée à l'enlèvement de ces plaquettes supports. En particulier, l'utilisation de colle comme moyen de liaison temporaire entre la plaquette de circuits intégrés et la plaquette support impose de limiter à environ 240°C la température des opérations pouvant être effectuées pendant la présence de la plaquette support, afin de pouvoir ultérieurement dissoudre ladite colle pour enlever la plaquette support, ce qui rend le procédé de fabrication complexe. Par ailleurs, actuellement, pour singulariser des puces de circuits intégrés fabriquées collectivement, sous forme de plaquettes, on utilise des outils de coupe mécanique, généralement des scies. De tels outils mécaniques nécessitent des outils de maintien des plaquettes et engendrent des vibrations qui peuvent détériorer les puces de circuits intégrés ou pour le moins nuire à leur qualité. Selon un mode de mise en oeuvre, il est proposé un procédé de fabrication évitant au moins en partie les inconvénients cités ci- dessus. I1 est proposé un procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, qui peut comprendre : réaliser des portions d'affaiblissement dans une plaquette de substrat, autour d'une pluralité d'emplacements ; réaliser une pluralité de puces de circuits intégrés dans lesdits emplacements, incluant respectivement les portions de ladite plaquette de substrat correspondant auxdits emplacements ; et détruire lesdites portions d'affaiblissement de façon à singulariser des puces de circuits intégrés.

Le procédé peut comprendre : réaliser des portions d'affaiblissement dans une plaquette de substrat épaisse, autour d'une pluralité d'emplacements et à partir d'une face avant ; réaliser des parties avant intégrées des puces de circuits intégrés sur les emplacements de la plaquette de substrat épaisse ; monter une plaquette support du côté desdites parties avant intégrées ; amincir la plaquette de substrat par l'arrière ; réaliser des parties arrière intégrées des puces de circuits intégrés sur la plaquette de substrat amincie ; et détruire lesdites portions d'affaiblissement de façon à singulariser des puces de circuits intégrés. Le procédé peut comprendre : réaliser, par l'avant et/ou par l'arrière, des vias de connexion électrique traversant la plaquette de substrat et reliant les parties avant et les parties arrière. Selon un autre mode de mise en oeuvre, il est proposé un procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, qui peut comprendre : réaliser dans une plaquette de substrat, à partir d'une face avant de cette dernière, des portions d'affaiblissement autour d'emplacements ; réaliser dans lesdits emplacements, sur la face avant de la plaquette de substrat, des parties avant intégrées comprenant des circuits intégrés et des réseaux avant de connexion électrique dans une couche avant formant une face avant, ainsi que des trous dans la plaquette de substrat contenant une matière conductrice de l'électricité de façon à former des vias de connexion électrique reliés sélectivement auxdits réseaux avant de connexion électrique ; fixer une plaquette support dans une position telle que ladite face avant de ladite couche avant est au-dessus d'une face d'appui de cette plaquette support ; amincir la plaquette de substrat par sa face arrière de façon à découvrir lesdites portions d'affaiblissement et lesdits vias de connexion électrique ; réaliser dans lesdits emplacements des parties arrière intégrées comprenant des moyens arrière de connexion électrique extérieure sur la face arrière de la plaquette de substrat amincie, ces moyens arrière de connexion étant sélectivement reliés auxdits vias de connexion électrique ; et détruire les portions d'affaiblissement de la plaquette de substrat de façon à singulariser des puces de circuits intégrés formées dans lesdits emplacements.

Le procédé peut comprendre : réaliser dans la plaquette de substrat des portions d'affaiblissement plus profondes que les trous des vias de connexion électrique. Selon un autre mode de mise en oeuvre, il est proposé un procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, qui peut comprendre ; réaliser dans une plaquette de substrat, à partir d'une face avant de cette dernière, des portions d'affaiblissement, autour d'emplacements ; réaliser dans lesdits emplacements, sur la face avant de la plaquette de substrat, des parties avant intégrées comprenant des circuits intégrés et des réseaux avant de connexion électrique dans une couche avant présentant une face avant ; fixer une plaquette support sur ladite face avant ; amincir la plaquette de substrat par sa face arrière de façon à découvrir lesdites portions d'affaiblissement ; réaliser dans lesdits emplacements des trous dans la plaquette de substrat amincie par sa face arrière et inclure dans ces trous une matière conductrice de l'électricité de façon à former des vias de connexion électrique reliés sélectivement auxdits réseaux avant de connexion électrique, ainsi des parties arrière intégrées comprenant des moyens arrière de connexion électrique extérieure sur la face arrière de la plaquette de substrat amincie, ces moyens de connexion étant sélectivement reliés auxdits vias de connexion électrique ; et détruire les portions d'affaiblissement de la plaquette de substrat de façon à singulariser les puces de circuits intégrés formées dans lesdits emplacements.

Le procédé peut comprendre : réaliser une pluralité de portions d'affaiblissement respectivement autour desdits emplacements, espacées les unes des autres ; fixer la plaquette support sur ladite face avant par l'intermédiaire de zones ou cordons de colle de maintien s'étendant entre lesdites portions d'affaiblissement.

Le procédé peut comprendre : réaliser des portions d'affaiblissement selon des lignes et des colonnes, qui se croisent ; fixer la plaquette support sur ladite face avant par l'intermédiaire de zones de colle de maintien s'étendant dans lesdits emplacements.

Le procédé peut comprendre : monter une plaquette de transfert au-dessus de la face avant des puces de circuits intégrés, avant la destruction des portions d'affaiblissement. Le procédé peut comprendre : monter la plaquette de transfert sur les puces par l'intermédiaire d'une couche de colle. La plaquette de substrat peut comprendre une plaquette de silicium et les portions d'affaiblissement comprennent du silicium poreux résultant d'une attaque électrochimique de cette plaquette de silicium.

Selon un mode de réalisation, il est également proposé une plaquette de circuits intégrés qui peut comprendre une plaquette de substrat et, dans des emplacements, une pluralité de puces de circuits intégrés incluant respectivement des portions de ladite plaquette de substrat, ladite plaquette de substrat comprenant des portions d'affaiblissement entre lesdits emplacements. La plaquette de substrat de cette plaquette de circuits intégrés peut comprendre une plaquette de silicium et les portions d'affaiblissement comprennent du silicium poreux. Des modes de fabrication de puces de circuits intégrés vont maintenant être décrits à titre d'exemples non limitatifs illustrés par les dessins sur lesquels : - la figure 1 représente une coupe de puces de circuits intégrés en cours de réalisation, selon un mode de fabrication ; - la figure 2 représente une vue de dessus de la figure 1 ; - les figures 3 à 10 représentent des coupes de puces de circuits intégrés en cours de fabrication, dans différentes étapes de fabrication, selon ledit mode de fabrication ; - les figures 11 et 12 représentent des coupes de puces de circuits intégrés en cours de fabrication, selon une variante de réalisation dudit mode de fabrication ; - la figure 13 représente une coupe de puces de circuits intégrés en cours de réalisation, selon un autre mode de fabrication ; - la figure 14 représente une vue de dessus de la figure 13 ; - les figures 15 à 19 représentent des coupes de puces de circuits intégrés en cours de fabrication, dans différentes étapes de fabrication, selon ledit autre mode de fabrication. En se reportant aux figures 1 à 10, on va décrire une variante de fabrication collective de puces de circuits intégrés. Comme illustré sur les figures 1 et 2, partant d'une plaquette de substrat épaisse 10 présentant une face avant 11 et une face arrière 12, on réalise, dans cette plaquette de substrat 10 et à partir de sa face avant 11, une pluralité de portions borgnes d'affaiblissement 13 par exemple rectangulaires ou carrées, sur une profondeur Pl. Ces portions d'affaiblissement 13 entourent des portions principales 14 formant des emplacements 15 et présentent entre elles des portions de transition 16. La plaquette de substrat 10 étant par exemple en silicium, les portions d'affaiblissement 13 peuvent être formées par du silicium poreux résultant d'une attaque électrochimique adaptée du silicium, par électrolyse dans un électrolyte d'acide fluorhydrique, au travers de passages traversants d'un masque. Ensuite, comme illustré sur la figure 3, on réalise dans les emplacements 15, dans les portions principales 14 de la plaquette de substrat 10 et à partir de sa face avant 11, des trous borgnes 17 et on inclut dans ces trous une matière conductrice de l'électricité de façon à former des vias de connexion électrique 18. Les trous 16 peuvent être réalisés sur une profondeur P2 égale à la profondeur Pl des portions d'affaiblissement 13. Néanmoins, il est souhaitable que la profondeur Pl des portions d'affaiblissement 13 soit supérieure à la profondeur P2 des trous 16. Puis, on réalise, dans les emplacements 15, sur la face avant 1l de la plaquette de substrat 10, des parties avant intégrées 10a comprenant des circuits intégrés 19 et des réseaux avant de connexion électrique 20 dans une couche avant 21 présentant une face avant 22, ces réseaux avant d'interconnexion électrique 20 reliant sélectivement les vias de connexion électrique 18 et les circuits intégrés 19. Les vias de connexion électrique 18 peuvent par exemple être reliés aux premiers niveaux métalliques des réseaux d'interconnexion électrique 20. Dans une variante de réalisation, on pourrait réaliser les circuits intégrés 19, puis les vias de connexion électrique 18 et les réseaux avant d'interconnexion électrique 20, en même temps que la couche avant 21. Ensuite, comme illustré sur la figure 4, on réalise au travers de la couche 21, autour des emplacements 15, une pluralité de rainures 23 de façon à découvrir à l'avant les portions d'affaiblissement 13. La couche avant 21 présente alors, à l'intérieur des rainures 23, des portions principales 24 situées au-dessus de portions principales 14 de la plaquette de substrat 10 et, entre ces rainures 23, des portions de transition 25 situées au-dessus des portions de transition 16 de la plaquette de substrat 10.

Ensuite, comme illustré sur la figure 5, on monte la plaquette de substrat 10 sur une plaquette support avant 26, du côté de la face avant 11 de plaquette de substrat 10, c'est-à-dire du côté de la face avant 22 de la couche avant 21, par l'intermédiaire de zones ou cordons de colle de maintien 27 qui s'étendent entre les portions de transition 25 de la couche avant 21 et la face arrière d'appui 28 de la plaquette support avant 26. Ensuite, comme illustré sur la figure 6, on procède à un amincissement de la plaquette de substrat 10, par sa face arrière, jusqu'à découvrir, à l'arrière, les portions d'affaiblissement 13 et les vias de connexion électrique 18, éventuellement en rognant les extrémités des portions d'affaiblissement 13 si la profondeur Pl est supérieure à la profondeur P2. I1 en résulte que les portions d'affaiblissement 13 et les vias de connexion électrique 18 traversent la plaquette de substrat 10 amincie qui présente alors une face arrière 29. Cet amincissement peut être réalisé par un polissage mécano- chimique. Ensuite, comme illustré sur la figure 7, on procède à la réalisation, dans les emplacements 15, de parties arrière intégrées l0b comprenant des moyens arrière de connexion électrique extérieure 30 sur la face arrière 29 de la plaquette de substrat amincie 10, en reliant sélectivement, à l'arrière, ces moyens arrière de connexion électrique extérieure 30 aux vias de connexion électrique 18. Ces moyens arrière de connexion électrique extérieure 30 peuvent comprendre des piliers ou des billes de connexion électrique 31, en saillie par rapport à une couche arrière 32 dans laquelle sont aménagées de rainures traversantes 33 au-dessus des portions d'affaiblissement 13, de façon que ces portions d'affaiblissement 13 soient, à l'arrière, découvertes ou ne soient pas recouvertes. La couche arrière 32 présente alors des portions principales 34 dans les emplacements 15 sur les portions principales amincies 14 de la plaquette de substrat amincie 10 et des portions de transition 35 sur les portions de transition amincies 16 de la plaquette de substrat amincie 10.

Sont alors obtenues, dans les emplacements 15, des puces de circuits intégrés 36 qui comprennent respectivement les portions principales 14 amincies de la plaquette de substrat amincie 10, les parties avant intégrées l0a formées par les circuits intégrés 19, les réseaux d'interconnexion électrique 20, avec les parties principales 24 de la couche avant 21, les parties arrière intégrées l0b formées par les moyens arrière de connexion électrique 30 et les parties principales 34 de la couche arrière 32, ainsi que les vias traversants de connexion électrique correspondants 18. Les puces de circuits intégrés 36 sont reliées entre elles par les portions d'affaiblissement 13 et les portions de transition 16 de la plaquette de substrat 10 amincie. Ensuite, comme illustré sur la figure 8, on peut monter une plaque arrière de transfert 37 du côté de la face arrière 38 de la couche arrière 32, cette plaque de transfert 37 pouvant être munie d'une couche collante 39 sur laquelle les extrémités arrière des piliers ou billes 31 sont collées, de telle sorte qu'il subsiste un espace 40 entre la face arrière 38 de la couche arrière 32 et la plaque arrière de transfert 37. Ensuite, comme illustré sur la figure 9, on procède à une destruction des portions d'affaiblissement 13 par une attaque chimique par exemple par immersion de l'ensemble dans une solution d'hydroxyde de potassium, le produit chimique d'attaque atteignant les portions d'affaiblissement 13 par l'arrière en passant dans l'espace 40. I1 en résulte qu'il existe alors des passages traversants 41 autour des puces de circuits intégrés 36 qui sont ainsi singularisées. Puis, comme illustré sur la figure 10, on éloigne la plaquette support avant 26 et la plaquette arrière de transfert 37, perpendiculairement l'une part rapport à l'autre. Ce faisant, la plaquette arrière de transfert 37 emmène avec elle les puces de circuits intégrés 36 alors singularisées, tandis que la plaquette support avant 26 emmène avec elle les portions de transition 14 de la plaquette de substrat amincie 10, les portions de transition 23 de la couche avant 20 et les portions de transition 35 de la couche arrière 32 et la colle 27. Ainsi, la colle de maintien 27, n'ayant pas à être dissoute pour libérer les puces de circuits intégrés, peut être choisie parmi les colles permanentes résistant à des températures plus hautes, de telle sorte que les opérations de fabrication décrites peuvent être réalisées à plus hautes températures. Les puces de circuits intégrés 36 singularisées, portées par la plaquette de transfert 37, peuvent alors être transférées, sans aucun nettoyage. En se reportant aux figures 11, 12 puis 7, on va décrire une variante de réalisation des puces de circuits intégrés 36, dans laquelle les vias de connexion électrique 18 ne sont pas fabriqués à la même étape. Comme illustré sur la figure 11, à l'étape correspondant à la figure 3, on procède uniquement à la réalisation des circuits intégrés 19 et à la réalisation des réseaux d'interconnexion électrique 20 avec la couche avant 21, sans réaliser les vias de connexion électrique 18.

Comme illustré sur la figure 12, à l'étape correspondant à la figure 6, on procède à un amincissement de la plaquette de substrat 10, par l'arrière de façon à découvrir ou enlever partiellement les parties arrière des portions d'affaiblissement 13 et obtenir la face arrière 29.

Puis, à l'étape faisant référence à la figure 7, on procède, par l'arrière, à la réalisation des trous 17 au travers de la plaquette de substrat 10 amincie, par exemple jusqu'au premier niveau métallique des réseaux avant d'interconnexion 20, on inclut une matière conductrice dans ces trous 17 de façon à former les vias de connexion électrique 18, puis on procède à la réalisation des moyens arrière de connexion électrique extérieure 30. En se reportant aux figures 13 à 19, on va décrire une autre variante de fabrication collective de puces de circuits intégrés pour lesquelles les mêmes références que dans l'exemple décrit en référence aux figures 1 à 10 sont employées. Comme illustré sur les figures 13 et 14, partant d'une plaquette de substrat épaisse 50 présentant une face avant 51 et une face arrière 52, on réalise, dans cette plaquette de substrat 50 et à partir de sa face avant 51, une pluralité de portions d'affaiblissement 53 établies selon des lignes 54 et des colonnes 55 qui se croisent perpendiculairement. Ces lignes 54 et des colonnes 55 des portions d'affaiblissement 53 définissent entre elles des portions principales 14 de la plaquette de substrat 50, formant des emplacements 15 Ensuite, comme illustré sur la figure 15, de façon équivalente à la figure 3, on procède, du côté de la face avant 51 de la plaquette de substrat 50, dans les emplacements 15, à la réalisation de circuits intégrés 19, de trous 17 remplis d'une matière conductrice pour former des vias de connexion électrique 18, et de réseaux d'interconnexion électrique 20 dans une couche avant 21 qui présente une face avant 22. Puis, de façon équivalente à la figure 4, on procède à la réalisation de rainures 56 au travers de la couche avant 21, au-dessus des portions d'affaiblissement 53 de façon à découvrir, à l'avant, ces portions d'affaiblissement 53.

Ensuite, comme illustré sur la figure 16, de façon équivalente à la figure 5, on monte la plaquette de substrat 50 sur une plaquette support avant 26 par l'intermédiaire d'une couche de colle de maintien 57 qui, cette fois, s'étend entre la face avant 22 de la couche avant 21 et la face arrière d'appui 28 de la plaquette support 26, dans les zones des emplacements 15. Ensuite, comme illustré sur la figure 17, de façon équivalente à la figure 6, on procède à un amincissement de la plaquette de substrat, par l'arrière de façon à découvrir, à l'arrière, les portions d'affaiblissement 53 et les vias de connexion électrique 18, en obtenant une face arrière 29. Puis, de façon équivalente à la figure 7, on procède à la réalisation de moyens de connexion électrique 30 dans une couche arrière 32 dans laquelle on réalise des rainures traversantes 58 au-dessus des portions d'affaiblissement 53, les moyens de connexion électrique 30 comprenant des piliers ou billes de connexion électrique 31 en saillie par rapport à la couche arrière 32. On obtient alors, comme précédemment, des puces de circuits intégrés 36 dans les emplacements 15.

Ensuite, comme illustré sur la figure 18, de façon équivalente à la figure 8, on peut monter une plaque arrière de transfert 37 pouvant être munie d'une couche collante 39 sur laquelle les extrémités arrière des piliers ou billes 31 sont collées, de telle sorte qu'il subsiste un espace 40 entre la face arrière 38 de la couche arrière 32 et la plaque arrière de transfert 37. Puis, cette fois, on enlève la plaquette support 26, par exemple en chauffant la couche de colle de maintien 57 et en faisant glisser la plaquette support 37. Ensuite, comme illustré sur la figure 19, de façon équivalente à la figure 9, on procède à une destruction des portions d'affaiblissement 53 par une attaque chimique par exemple en plongeant l'ensemble dans un bain, le produit chimique d'attaque atteignant les portions d'affaiblissement 53 par l'arrière en passant dans l'espace 40 et par l'avant. I1 existe alors des passages traversants 59 autour des puces de circuits intégrés 36 qui se trouvent ainsi singularisées. I1 peut être utile de procéder à un nettoyage des faces avant 22 des puces obtenues 36 afin d'enlever la colle 57 résiduelle. I1 résulte des modes de réalisation décrits que les plaquettes supports peuvent être montées et démontées aisément et que les puces de circuits intégrés peuvent être singularisées statiquement, sans risques de détériorations mécaniques. La présente invention ne se limite pas aux exemples ci-dessus décrits. En particulier, les caractéristiques structurelles et fonctionnelles des modes de fabrication et des puces de circuits intégrés peuvent être combinées différemment. Bien d'autres variantes de réalisation sont possibles, sans sortir du cadre défini par les revendications annexées.

Claims

REVENDICATIONS1. Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, comprenant : réaliser des portions d'affaiblissement (13, 53) dans une plaquette de substrat (10, 50), autour d'une pluralité d'emplacements (15) ; réaliser une pluralité de puces de circuits intégrés (36) dans lesdits emplacements, incluant respectivement les portions de ladite plaquette de substrat correspondant auxdits emplacements ; et détruire lesdites portions d'affaiblissement (13, 53) de façon à singulariser des puces de circuits intégrés.
2. Procédé selon la revendication 1, comprenant : réaliser des portions d'affaiblissement dans une plaquette de substrat épaisse, autour d'une pluralité d'emplacements et à partir d'une face avant ; réaliser des parties avant intégrées (l0a) des puces de circuits intégrés sur les emplacements de la plaquette de substrat épaisse ; monter une plaquette support (26) du côté desdites parties avant intégrées ; amincir la plaquette de substrat par l'arrière ; réaliser des parties arrière intégrées (l0b) des puces de circuits intégrés sur la plaquette de substrat amincie ; et détruire lesdites portions d'affaiblissement de façon à singulariser des puces de circuits intégrés.
3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, comprenant : réaliser, par l'avant et/ou par l'arrière, des vias de connexion électrique (18) traversant la plaquette de substrat et reliant les parties avant et les parties arrière.
4. Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, comprenant : réaliser dans une plaquette de substrat (10, 50), à partir d'une face avant de cette dernière, des portions d'affaiblissement (13, 53) autour d'emplacements (15) ;réaliser dans lesdits emplacements, sur la face avant de la plaquette de substrat, des parties avant intégrées (l0a) comprenant des circuits intégrés et des réseaux avant de connexion électrique dans une couche avant formant une face avant, ainsi que des trous dans la plaquette de substrat contenant une matière conductrice de l'électricité de façon à former des vias de connexion électrique (18) reliés sélectivement auxdits réseaux avant de connexion électrique ; fixer une plaquette support (26) dans une position telle que ladite face avant de ladite couche avant est au-dessus d'une face d'appui de cette plaquette support ; amincir la plaquette de substrat par sa face arrière de façon à découvrir lesdites portions d'affaiblissement (13, 53) et lesdits vias de connexion électrique (18) ; réaliser dans lesdits emplacements des parties arrière intégrées (l0b) comprenant des moyens arrière de connexion électrique extérieure (30) sur la face arrière de la plaquette de substrat amincie, ces moyens arrière de connexion étant sélectivement reliés auxdits vias de connexion électrique ; et détruire les portions d'affaiblissement de la plaquette de substrat de façon à singulariser des puces de circuits intégrés formées dans lesdits emplacements.
5. Procédé selon la revendication 4, comprenant : réaliser dans la plaquette de substrat des portions d'affaiblissement (13, 53) plus profondes que les trous (17) des vias de connexion électrique.
6. Procédé de fabrication de puces de circuits intégrés, comprenant : réaliser dans une plaquette de substrat (10, 50), à partir d'une face avant de cette dernière, des portions d'affaiblissement (13, 53), autour d'emplacements (15) ; réaliser dans lesdits emplacements, sur la face avant de la plaquette de substrat, des parties avant intégrées (l0a) comprenant des circuits intégrés et des réseaux avant de connexion électrique dans une couche avant présentant une face avant ; fixer une plaquette support sur ladite face avant ;amincir la plaquette de substrat par sa face arrière de façon à découvrir lesdites portions d'affaiblissement ; réaliser dans lesdits emplacements des trous dans la plaquette de substrat amincie par sa face arrière et inclure dans ces trous une matière conductrice de l'électricité de façon à former des vias de connexion électrique (18) reliés sélectivement auxdits réseaux avant de connexion électrique, ainsi des parties arrière intégrées (lOb) comprenant des moyens arrière de connexion électrique extérieure (30) sur la face arrière de la plaquette de substrat amincie, ces moyens de connexion étant sélectivement reliés auxdits vias de connexion électrique ; et détruire les portions d'affaiblissement (13, 53) de la plaquette de substrat de façon à singulariser les puces de circuits intégrés formées dans lesdits emplacements.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : réaliser une pluralité de portions d'affaiblissement (13) respectivement autour desdits emplacements (15), espacées les unes des autres; fixer la plaquette support (26) sur ladite face avant par l'intermédiaire de zones ou cordons de colle de maintien (27) s'étendant entre lesdites portions d'affaiblissement (13).
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, comprenant : réaliser des portions d'affaiblissement (53) selon des lignes et des colonnes, qui se croisent ; fixer la plaquette support sur ladite face avant par l'intermédiaire de zones de colle de maintien (57) s'étendant dans lesdits emplacements (15).
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant : monter une plaquette de transfert (37) au-dessus de la face avant des puces de circuits intégrés, avant la destruction des portions d'affaiblissement.
10. Procédé selon la revendication 9, comprenant : monter la plaquette de transfert sur les puces par l'intermédiaire d'une couche de colle (39).
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel la plaquette de substrat (10, 50) comprend une plaquette de silicium et les portions d'affaiblissement comprennent du silicium poreux résultant d'une attaque électrochimique de cette plaquette de silicium.
12. Plaquette de circuits intégrés comprenant une plaquette de substrat et, dans des emplacements (15), une pluralité de puces de circuits intégrés incluant respectivement des portions (14) de ladite plaquette de substrat, ladite plaquette de substrat comprenant des portions d'affaiblissement (13, 53) entre lesdits emplacements.
13. Plaquette selon la revendication 12, dans laquelle la plaquette de substrat comprend une plaquette de silicium et les portions d'affaiblissement comprennent du silicium poreux.