BE1023710B1 - Procede de separation mecanique pour un double transfert de couche - Google Patents

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Abstract

La présente invention concerne un procédé pour séparer mécaniquement des couches, en particulier, dans un processus de transfert de double couche, plus particulièrement, un procédé pour séparer mécaniquement des couches, comprenant les étapes de fourniture d'un composé semi-conducteur (206) comprenant une couche d'un substrat de manipulation (204) et une couche active (202) avec une face principale avant (209) et une face principale arrière (211) opposée à ladite face principale avant (209), la couche de substrat de manipulation (204) étant fixée à la face principale avant (209) de la couche active (202), puis de fourniture d'une couche d'un substrat porteur (207) sur la face principale arrière (211) de ladite couche active (202), et puis enfin d'amorçage de la séparation mécanique de ladite couche de substrat de manipulation (204), la couche de substrat de manipulation (204) et la couche de substrat porteur (207) étant dotées d'une structure mécanique sensiblement symétrique.

Description

Procédé de séparation mécanique pour un double transfert de couche Arrière-plan de l’invention
La présente invention concerne un procédé permettant de séparer mécaniquement des couches, en particulier dans un processus de transfert de double couche. La présente invention concerne plus particulièrement un procédé permettant de séparer mécaniquement des couches selon le préambule de la revendication 1.
Le transfert de couche de dispositifs électroniques utilisant la liaison de tranches est communément utilisé dans plusieurs applications semi-conductrices. Le transfert de double couche (ou de deux couches) (DLT) d’un dispositif à couche active est particulièrement important lors de l’amélioration de dispositifs semi-conducteurs, par exemple, lors du remplacement d’un substrat porteur initial portant une couche active par un nouveau substrat porteur d’un matériau différent permettant une meilleure performance du dispositif à couche active.
La figure 1 illustre schématiquement un exemple d’un processus de DLT connu pour remplacer le substrat porteur initial d’un dispositif à couche active 100 par un nouveau substrat porteur. Dans ce processus connu, le dispositif à couche active 100 comprend un substrat porteur en Si ou en verre initial 101 portant une couche de dispositif active 102 avec une couche d’oxyde enterrée (BOX) 103 entre eux.
Selon le processus connu et comme illustré ci-après sur la figure 1, un substrat de manipulation en Si provisoire 104 est ensuite fixé à la couche active 102 sur le côté du dispositif à couche active 100 opposé au substrat porteur en Si initial 101, formant ainsi un composé intermédiaire 105.
Comme illustré de manière plus détaillée, le substrat porteur en Si initial 101 est ensuite détaché du composé intermédiaire 105, d’ordinaire par séparation mécanique à l’aide d’une lame ou d’un tranchant inséré(e) au niveau de l’interface entre le substrat porteur en Si initial 101 et la couche BOX 103 ou, en variante, par polissage et/ou gravure, formant ainsi un composé intermédiaire subséquent 106. A ce stade, en cas de séparation mécanique, le substrat porteur initial 101 risque d’être endommagé voire rompu en raison de la contrainte exercée sur celui-ci par la lame ou le tranchant. En cas de polissage et/ou de gravure, il existe des risques d’emprisonnement de particules. Ainsi, à ce stade, il existe des risques pour que le substrat porteur initial 101 ne puisse pas être recyclé. De tels risques peuvent être acceptables selon qu’il est souhaitable de réutiliser le substrat porteur initial 101 ou non pour d’autre processus.
La figure 1 montre ensuite qu’un substrat porteur à résistivité élevée (HR) final 107 est par la suite fixé, par exemple par liaison directe ou par n’importe quelle technologie de transfert de couche appropriée, à la couche de dispositif active 102 au niveau de la couche BOX 103, à la place du substrat porteur en Si initial détaché 101, formant ainsi un composé intermédiaire subséquent 108. Selon les applications, on sait utiliser des substrats homogènes (par exemple substrats RF) ou composites (par exemple multicouche) pour le substrat HR final 107. En outre, on sait que l’étape de fixation peut nécessiter des étapes complexes supplémentaires de préparation de surface.
Le substrat de manipulation en Si provisoire 104 utilisé au cours du processus de DLT est ensuite détaché par séparation mécanique. Une lame ou un tranchant est introduit(e) au niveau de l’interface entre la couche active 102 et le substrat de manipulation en Si provisoire 104 pour amorcer la séparation mécanique le long de cette interface en vue d’obtenir le dispositif à couche active final 110 souhaité.
Cependant, à ce stade, la force mécanique nécessaire pour retirer le substrat de manipulation en Si provisoire 104 affecte l’intégrité de la structure soudée. Ainsi, la rupture de la tranche, en particulier l’endommagement de la surface 109 de la couche active 102 et/ou l’endommagement du substrat porteur HR final 107, peuvent survenir au cours de cette étape de séparation mécanique.
Des variantes de processus de DLT sont également connues, dans lesquelles, en partant du composé 106, un substrat porteur final en un matériau polymère est surmoulé sur la face arrière de la couche active 102 au lieu d’être fixé à elle au moyen de technologies de liaison directe ou de transfert de couche. On sait que dans le composé résultant, avant la séparation mécanique du substrat de manipulation en Si provisoire, le substrat porteur final est également fixé au substrat de manipulation en Si provisoire au niveau de régions de bord de celui-ci.
Ainsi, en plus du risque susmentionné de rupture de tranche, des variantes connues de processus de DLT présentent également des risques qu’une séparation complète du substrat de manipulation en Si provisoire ne puisse pas être réalisée correctement, en particulier au niveau des régions de bord fixes se chevauchant du substrat de manipulation provisoire et du substrat porteur.
Objet de l’invention
Un objet de la présente invention est, par conséquent, de fournir un processus de DLT amélioré pour remplacer le substrat porteur initial d’un dispositif à couche active en tenant compte des problèmes susmentionnés.
En particulier, un objet de la présente invention consiste à améliorer la séparation mécanique du substrat de manipulation provisoire de la couche active en empêchant la rupture de tranche et l’endommagement de la surface de la couche active.
Description de l’invention L’objet de l’invention est obtenu au moyen d’un procédé permettant de séparer mécaniquement les couches selon la revendication 1. Les caractéristiques avantageuses sont décrites dans les revendications dépendantes et seront également détaillées ci-après.
Dans ce contexte, une « structure mécanique sensiblement symétrique » signifie que, même si la couche du substrat de manipulation provisoire et la couche du substrat porteur final ont des propriétés mécaniques intrinsèques différentes (élasticité/rigidité, ténacité, etc.) et/ou des géométries différentes (épaisseur, forme, etc.) l’une par rapport à l’autre, elles sont prévues de telle sorte que les propriétés mécaniques globales sur l’un et l’autre côté de la couche active sont sensiblement les mêmes lorsque la séparation mécanique est amorcée. Par conséquent, les contraintes mécaniques au cours de l’étape de séparation mécanique sont réparties uniformément sur l’un et l’autre côté de la couche active, ce qui permet d’éviter une rupture de tranche ou une séparation incomplète, comme nous le détaillerons de manière plus approfondie ci-après.
Les propriétés mécaniques et géométriques telles que rigidité et épaisseur du substrat porteur de remplacement peuvent être très différentes de celles du substrat de manipulation provisoire, qui est choisi initialement de manière à réaliser une séparation mécanique réussie du substrat porteur d’origine dans les premières étapes des processus de DLT connus. Ces asymétries mécaniques et/ou géométriques peuvent être encore plus importantes lorsque le substrat porteur de remplacement est fourni sous forme d’un empilage composite de couches de matériaux ayant des propriétés mécaniques différentes.
On a découvert que l’asymétrie mécanique (élasticité/rigidité, ténacité, etc.) entre le substrat de manipulation provisoire et le substrat porteur HR final affectait la force mécanique nécessaire pour retirer le substrat de manipulation en Si provisoire. On a également découvert que l’asymétrie géométrique (épaisseur, forme, etc.) entre le substrat porteur final et le substrat de manipulation provisoire pouvait également affecter la séparation mécanique.
Ainsi, après avoir placé le substrat porteur de remplacement sur la couche active, pour la séparation mécanique subséquente du substrat de manipulation provisoire, la présente invention permet que les contraintes mécaniques soient réparties uniformément entre le substrat de manipulation provisoire et le substrat porteur de remplacement. Ceci permet de réduire au minimum le niveau maximal de contrainte dans les matériaux au cours de la séparation mécanique.
En particulier, dans des modes de réalisation avantageux, on a découvert que le fait d’avoir un module de Young du matériau de substrat multiplié par l’épaisseur des produits au cube de la couche, ou produits E.t3 similaires pour le substrat de manipulation provisoire et le substrat porteur permettait d’obtenir des déformations similaires. Ici, par « produits E.t3 similaires », on entend que la différence entre les deux produits E.t3 doit être de préférence dans une plage inférieure ou égale à environ 20 %. Ainsi, la rupture de la tranche pourrait être évitée. Au contraire, l’utilisation d’un substrat de manipulation provisoire et d’un substrat porteur de remplacement ayant des produits E.t3 très différents était plus susceptible de conduire à la rupture de la tranche.
Dans certains modes de réalisation, il peut être avantageux de doter le substrat porteur de remplacement d’un ou plusieurs chanfreins, de telle sorte qu’un contact direct entre le substrat de manipulation provisoire et le substrat porteur de remplacement puisse être évité. Ceci a pour avantage de faciliter l’insertion d’une lame ou d’un tranchant au niveau de l’interface de séparation mécanique de telle sorte qu’une pression puisse être appliquée uniformément sur le substrat de manipulation provisoire et sur le substrat porteur dans le but d’amorcer la séparation mécanique du substrat de manipulation provisoire.
Ceci s’est avéré particulièrement avantageux dans certains modes de réalisation d’un processus de DLT, dans lequel le substrat porteur de remplacement peut être surmoulé sur la couche active du dispositif. En effet, comme le substrat porteur de remplacement doit présenter une forte adhérence à la face arrière de la couche active ou du circuit, lorsqu’il est surmoulé sur la couche active, comme par exemple dans le processus de DLT connu illustré sur la figure 2, les bords du substrat de manipulation provisoire et du substrat porteur de remplacement présentent également une forte adhérence l’un par rapport à l’autre et, par conséquent, se rompent au cours de la séparation mécanique, puisqu’ils sont soumis à des efforts de compression excessifs.
Cela s’est également avéré avantageux dans certains modes de réalisation, dans lesquels le substrat porteur de remplacement peut se présenter sous forme d’une couche préformée, qui est fixée, éventuellement après des étapes de préparation de surface facultatives, à la face arrière de la couche active. Dans de tels modes de réalisation, les bords chanfreinés peuvent être obtenus, par exemple par polissage ou gravure, sur la couche du substrat porteur de remplacement avant et/ou après sa fixation à la face arrière de la couche active.
Dans certains modes de réalisation, une configuration peut être obtenue, permettant le transfert d’une couche active d’un substrat de manipulation provisoire sur un substrat porteur final ou de remplacement présentant une structure composite. Par exemple, on a découvert qu’un substrat porteur de remplacement comportant une couche « tendre », par exemple constituée d’un polymère, pouvait être avantageux pour limiter le risque de rupture de tranche au cours de la séparation mécanique du substrat de manipulation provisoire. En particulier, pour les substrats porteurs de remplacement composites, il s’est avéré avantageux de reproduire la structure mécanique du substrat porteur de remplacement sur le substrat de manipulation provisoire.
Ainsi, la présente invention permet avantageusement une correction du comportement asymétrique des tranches soudées par DLT avant la séparation mécanique du substrat de manipulation provisoire. En particulier, afin d’éviter la rupture de la tranche et de permettre la séparation complète du substrat de manipulation provisoire, la structure du substrat porteur final peut être reproduite sur le substrat de manipulation provisoire. La présente invention s’est avérée particulièrement avantageuse pour les substrats porteurs finaux ayant des structures composites.
Brève description des figures
Nous allons à présent décrire l’invention plus en détail, sur la base de modes de réalisation avantageux décrits en combinaison avec les figures suivantes :
La figure 1 illustre schématiquement un processus de DLT connu ; la figure 2 illustre schématiquement un premier exemple de mode de réalisation d’un procédé de séparation mécanique selon la présente invention ; la figure 3 illustre schématiquement un deuxième exemple de mode de réalisation d’un procédé de séparation mécanique selon la présente invention ; et la figure 4 illustre schématiquement un troisième exemple de mode de réalisation d’un procédé de séparation mécanique selon l’invention.
Description détaillée de modes de réalisation
La figure 2 illustre schématiquement un premier exemple de mode de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé permettant de séparer mécaniquement des couches selon la présente invention sera utilisée dans un processus de DLT réalisé pour remplacer le substrat porteur d’origine 201 d’un dispositif à couche active existant 200 par un nouveau substrat porteur, de préférence, améliorateur de performance 207. Les premières étapes, S200 à S202, du processus de DLT illustré sur la figure 2 peuvent être similaires à celles du processus de DLT connu illustré sur la figure 1.
Ainsi, dans le premier mode de réalisation, à l’étape S200, le dispositif à couche active initial 200 est fourni et comprend une couche d’un substrat porteur initial 201 portant une couche de dispositif active 202. Dans le premier mode de réalisation, le substrat porteur initial 201 peut être un substrat porteur en Si, mais dans d’autres modes de réalisation, le substrat porteur initial 201 pourrait être du verre ou du saphir ou de l’AsGa ou similaire. Eventuellement, selon le processus utilisé pour obtenir le dispositif à couche active initial 200, tel qu’illustré sur la figure 2, la couche active 202 peut également comprendre une couche d’oxyde enterrée (BOX) 203 sur sa face arrière ou son interface 211 avec la couche du substrat porteur initial 201. Etant donné que la couche BOX 203 est facultative dans tous les modes de réalisation décrits ci-après, l’interface 211 sera utilisée indistinctement pour décrire la face arrière de la couche active 202 ou de la couche BOX 203 qui est fixée à la couche du substrat porteur 201.
Ensuite, à l’étape S201, comme illustré de manière plus détaillée sur la figure 2, une couche d’un substrat de manipulation en Si provisoire 204 est fixée sur une face avant 209 de la couche active 202, qui est la face libre opposée à l’interface 211 comportant la couche du substrat porteur Si initial 201, formant ainsi un composé intermédiaire 205. Bien que le Si soit communément choisi comme matériau pour le substrat de manipulation provisoire 204, il sera évident pour l’homme du métier que d’autres matériaux pourraient être choisis à la place de celui-ci, en fonction en particulier des propriétés du substrat porteur initial 201 ou du nouveau substrat porteur 207, comme nous l’expliquerons ci-après.
Ensuite, à l’étape S202, comme illustré de manière plus détaillée sur la figure 2, la couche du substrat porteur en Si initial 201 est détachée du composé intermédiaire 205. La séparation mécanique est réalisée à l’aide d’une lame ou d’un tranchant inséré(e) entre la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 et la couche de substrat porteur en Si initial 201 ou au niveau de l’interface 211 entre la couche de substrat porteur Si initial 201 et la couche BOX 203, en utilisant éventuellement la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 comme point d’appui pour exercer une pression sur la couche de substrat porteur en Si initial 201. Comme la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 n’est utilisée que provisoirement, il n’est pas utile de savoir si elle est endommagée au cours de cette étape. Au cours de cette séparation mécanique, la couche du substrat porteur en Si initial 201 est détachée, formant ainsi un autre composé intermédiaire 206 dans lequel la face arrière 211 est à présent libre.
Ensuite, à l’étape S203, comme mieux illustré sur la figure 2, une couche homogène 207 en un matériau fortement résistant, par exemple un polymère tel que du SU-8, ou du verre, ou une colle céramique, ou un matériau présentant une résistivité d’au moins 10 kQ-cm est surmoulée sur la face arrière 211 de la couche active 202 et/ou de la couche BOX 203. Ceci évite l’utilisation d’étapes complexes de préparation de surface contrairement au processus de DLT connu illustré sur la figure 1. Dans cette étape, du fait du moulage, la couche du nouveau substrat porteur 207 et la couche du substrat de manipulation en Si provisoire 204 adhèrent l’une à l’autre au niveau des régions périphériques 212.
Afin d’éviter une rupture de tranche lors de l’amorce de la séparation mécanique de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204, la couche du nouveau substrat porteur 207 doit être de préférence dotée d’une structure mécanique similaire. En particulier, selon une variante avantageuse de la présente invention, la couche du nouveau substrat porteur 207 peut être choisie avec un module de Young E2 et une épaisseur t2 de telle sorte que son produit E2.t23 corresponde au produit E1.t13 correspondant de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204, à savoir E2.t23« Ei.ti3, de préférence dans une plage inférieure ou égale à environ 20 %. Ainsi, le matériau pour la couche du nouveau substrat porteur 207 peut être choisi en conséquence. En fait, dans les modes de réalisation préférés, selon le matériau choisi en premier entre celui du substrat de manipulation provisoire 204 ou celui du nouveau substrat porteur 207, il est possible de choisir la couche, en particulier le matériau, de l’autre couche présentant le module de Young et l’épaisseur appropriés de sorte à satisfaire la relation ci-dessus dans la plage de tolérance donnée inférieure ou égale à environ 20 %. En d’autres termes, la couche de substrat porteur provisoire 204 et/ou la couche de nouveau substrat de manipulation 207 peuvent être choisies de telle sorte que leurs produits E.t3 soient similaires, en particulier dans une plage inférieure ou égale à environ 20 %. Inversement, si une épaisseur prédéterminée t2 est souhaitable pour la couche du nouveau substrat porteur 207, il est également possible d’ajouter une étape d’amincissement intermédiaire, facultative de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 de telle sorte que son épaisseur ^ permette la correspondance susmentionnée entre les produits E.t3. De cette manière, il est possible d’obtenir la couche de nouveau substrat porteur 207 et la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 à structures et propriétés mécaniques essentiellement symétriques, favorisant ainsi une séparation mécanique subséquente complète de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204.
Ensuite, à l’étape S204, comme illustré de manière plus détaillée sur la figure 2, en variante ou en plus de l’ajustement des produits E.t3, selon une autre variante avantageuse de la présente invention, les bords 213 de la couche du nouveau substrat porteur 207 peuvent être chanfreinés au niveau des régions de bord se chevauchant 212 avec la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 de telle sorte qu’il n’existe qu’un faible contact, voire aucun contact, entre la couche de nouveau substrat porteur 207 et la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204. Ceci peut être réalisé par exemple à l’aide de procédés connus tels qu’un procédé de gravure, en particulier, de gravure chimique, ou de polissage du biseau. De cette manière, il devient plus facile d’insérer une lame ou un tranchant entre la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 et la couche de nouveau substrat porteur 207 pour amorcer la séparation mécanique de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204.
En outre, puisque c’est à présent la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 qui a besoin d’être détachée, la couche de nouveau substrat porteur 207 peut être un point d’appui pour utilisation de la lame ou du tranchant au cours de la séparation mécanique. Les bords chanfreinés 213 peuvent alors également empêcher avantageusement la couche de nouveau substrat porteur 207 d’être endommagée par l’effet de levier de la lame ou du tranchant au cours de la séparation mécanique.
Ainsi, dans le premier mode de réalisation, le procédé inventif permet de détacher la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 sans risque de rupture de tranche et sans endommagement de la couche de nouveau substrat porteur 207 ou de la couche active 202. L’étape S205 sur la figure 2 illustre en outre que, une fois que la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 204 est détachée, un nouveau dispositif à couche active final 210 est obtenu, dans lequel le nouveau substrat porteur améliorateur de performance 207 a remplacé le substrat porteur en Si initial 201 du dispositif à couche active initial 200.
La figure 3 illustre schématiquement un deuxième exemple de mode de réalisation de l’invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé permettant de séparer mécaniquement les couches selon la présente invention sera utilisée dans un autre processus de DLT, différent de celui du premier mode de réalisation, réalisé pour remplacer le substrat porteur d’origine d’un dispositif à couche active existant par un nouveau substrat porteur, de préférence, améliorateur de performance 307.
Comme illustré sur la figure 3, à l’étape S302, est prévu un composé semiconducteur 306, comprenant une couche d’un substrat de manipulation en Si provisoire 304 fixée à une face avant 309 d’une couche active 302. Ladite couche active 302 comprend éventuellement une couche d’un oxyde 303 sur sa face arrière 311. Dans ce mode de réalisation, le composé semi-conducteur 306 peut être à tous égards similaire au composé intermédiaire 206 du premier mode de réalisation. Ainsi, dans le deuxième mode de réalisation, bien que les deux premières étapes ne soient pas illustrées sur la figure 3, le composé 306 peut avoir été prévu dans les étapes S300 à S302 qui correspondent respectivement aux étapes S200 à S202 du premier mode de réalisation. Ainsi, on se réfère à nouveau à la description ci-dessus à ce sujet. A l’étape S303, telle qu’illustrée sur la figure 3, une couche d’un matériau à forte résistivité homogène 307, par exemple un substrat RF ou un polymère tel que du SU-8, ou du verre, ou une colle céramique, ou un matériau présentant une résistivité d’au moins 10 kQ-cm, est fournie. Cependant, contrairement au premier mode de réalisation illustré sur la figure 2 qui concerne un processus de DLT dans lequel la couche de nouveau substrat porteur 207 est surmoulée sur la face arrière 211 de la couche active 202, le deuxième mode de réalisation concerne un processus de DLT dans lequel la couche de nouveau substrat porteur 307 est fournie en tant que couche déjà préformée comportant une face 314 configurée pour être fixée ou soudée à la face arrière 311 de la couche active 302.
Ensuite, à l’étape S304, comme illustré de manière plus détaillée sur la figure 3, selon une variante avantageuse de la présente invention, les régions périphériques 313 de la face 314 peuvent être chanfreinées. Cette étape peut être réalisée à l’aide de procédés connus, tels que gravure, amincissement, polissage et similaire.
Ensuite, à l’étape S305, comme illustré de manière plus détaillée sur la figure 3, la couche de nouveau substrat porteur 307 à chanfreins 313 est fixée à la face arrière 311 de la couche active 302, formant un composé intermédiaire 308, qui est analogue au composé 208 de l’étape S204 du premier mode de réalisation et présente les mêmes avantages. On se réfère à nouveau, par conséquent, au premier mode de réalisation pour plus de détails. Par exemple, les mêmes avantages concernant l’insertion de la lame ou du tranchant pour amorcer la séparation mécanique sont obtenus. L’homme du métier appréciera que, dans des variantes du deuxième mode de réalisation, l’étape S304 de chanfreinage des régions périphériques 313 de la couche de nouveau substrat porteur 407 puisse également être réalisée après l’étape S305 de fixation de la couche de nouveau substrat porteur 407 au composé 306.
En outre, selon la technologie utilisée pour fixer la couche de nouveau substrat porteur 307 à la couche active 302, des étapes intermédiaires facultatives de préparation de surface peuvent être nécessaires mais ne sont pas essentielles pour réaliser l’invention. De plus, comme dans le premier mode de réalisation, il est également préférable d’adapter les produits E.t3 correspondants de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 304 et de la couche de nouveau substrat porteur 307. Ainsi, des étapes supplémentaires facultatives d’amincissement de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 304 pourraient également être avantageuses.
Ainsi, dans le deuxième mode de réalisation, le procédé inventif permet également le détachement de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 304 sans risque de rupture de tranche et sans endommagement de la couche de nouveau substrat porteur 307 ou de la couche active 302. L’étape S305 sur la figure 3 illustre en outre que, une fois que la couche substrat de manipulation en Si provisoire 304 est détachée, un nouveau dispositif à couche active final 310 est obtenu, dans lequel le nouveau substrat porteur améliorateur de performance 307 à chanfreins 313 a remplacé le substrat porteur Si initial du dispositif à couche active initial.
La figure 4 illustre schématiquement un troisième exemple de mode de réalisation de l’invention. Dans ce mode de réalisation, une variante du procédé permettant de séparer mécaniquement les couches selon la présente invention sera utilisée dans encore un autre type de processus de DLT réalisé pour remplacer le substrat porteur d’origine d’un dispositif à couche active existant par un nouveau substrat porteur, de préférence, améliorateur de performance 407.
Comme illustré sur la figure 4, à l’étape S402, est prévu un composé semiconducteur 406, comprenant une couche d’un substrat de manipulation en Si 404 fixée à une face avant 409 d’une couche active 402. Comme dans les modes de réalisation précédents, ladite couche active 402 peut éventuellement comprendre une couche d’un oxyde 403 sur sa face arrière 411. Dans ce mode de réalisation, le composé semiconducteur 406 peut être à tous égards similaire aux composés intermédiaires 206 et 306 des modes de réalisation précédents. Ainsi, dans le troisième mode de réalisation, bien que les deux premières étapes ne soient pas illustrées sur la figure 4, le composé 406 peut avoir également été fourni dans les étapes S400 à S402 qui correspondent par exemple respectivement aux étapes S200 à S202 décrites dans le premier mode de réalisation. Ainsi, on se réfère à nouveau à la description ci-dessus à ce sujet.
Dans le troisième mode de réalisation, la couche du nouveau substrat porteur 407 est fournie en tant que substrat composite ou multicouche : A l’étape S403, telle qu’illustrée sur la figure 4, une couche de support mécanique 415, telle qu’une tranche de Si monocristallin ou polycristallin, est prévue. D’autres matériaux tels que verre ou saphir ou AsGa ou similaire pourraient également être appropriés.
Ensuite, à l’étape S404, telle qu’illustrée de manière plus détaillée sur la figure 4, au moins une couche d’un matériau à résistivité élevée (HR) 416, tel qu’une colle céramique, un polymère, un polysilicium ou un matériau ayant une résistivité d’au moins 10 kücrn, est déposée sur la couche de support mécanique 415, formant ainsi le substrat porteur composite 407. Dans des variantes de modes de réalisation, la couche HR 416 pourrait également se présenter sous forme d’empilage de couches de matériaux HR, déposées les unes au-dessus des autres sur la couche de support mécanique 415. Par exemple, une couche 416 d’une épaisseur entre environ 30 pm et environ 200 pm pourrait être déposée.
Dans le troisième mode de réalisation, à l’étape S405, telle qu’illustrée de manière plus détaillée sur la figure 4, suite à une variante avantageuse de la présente invention, la structure mécanique de la couche de substrat composite 407, en particulier la structure de sa ou de ses couche(s) de matériau HR 416, est reproduite sur la face libre 417 opposée à la couche active 402 du composé 406. Ainsi, essentiellement la même couche ou le même empilage de couches 416 est également déposé(e), dans le même ordre que pour la couche de nouveau substrat porteur 407, sur la surface libre 417 du premier composé 406, formant ainsi un autre composé intermédiaire 418, dans lequel la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 404 et la couche HR déposée 416 forment un nouveau composé de manipulation provisoire 419 pour la manipulation de la couche active 402.
Ensuite, à l’étape S406, la surface libre 414 de la couche la plus haute de l’empilage ou de la couche unique 416 est fixée à la face arrière 411 de la couche active 402, qui peut être la face arrière de la couche d’oxyde facultative 403, formant ainsi un autre composé intermédiaire subséquent 408, qui est comparable aux composés intermédiaires 208 et 308 des modes de réalisation précédents et présentent des avantages analogues, puisque les propriétés mécaniques de la couche de nouveau substrat porteur composite 407 et du composé intermédiaire 418 sont essentiellement symétriques, favorisant ainsi une étape de séparation mécanique subséquente. L’homme du métier comprendra que, dans des variantes du troisième mode de réalisation, l’étape S405 de reproduction de la structure mécanique de la couche de substrat composite 407, en particulier de la structure de sa ou de ses couche(s) de matériau HR 416, sur la face libre 417 opposée à la couche active 402 du composé 406, puisse également être réalisée après l’étape S406 de fixation de la couche de nouveau substrat porteur 407 à la face arrière 411 de la couche active 402. D’autres aspects avantageux des modes de réalisation précédents sont également compatibles avec le troisième mode de réalisation. Par exemple, dans une variante, les régions périphériques de la couche de substrat porteur composite 407 pourraient éventuellement être également chanfreinées comme décrit dans le deuxième mode de réalisation.
Selon la technologie utilisée pour fixer la couche de nouveau substrat porteur composite 407 à la face arrière 411 de la couche active 402, des étapes intermédiaires facultatives de préparation de surface peuvent être nécessaires mais ne sont pas essentielles pour réaliser l’invention. En outre, comme dans le mode de réalisation précédent, il est également préférable d’adapter les produits E.t3 correspondants autant que possible entre la couche de nouveau substrat porteur composite 407 et le composé de manipulation provisoire 419. Ainsi, une étape d’amincissement supplémentaire de la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 404 pourrait éventuellement être réalisée avant l’étape S405 de reproduction de la structure mécanique de la couche de nouveau substrat porteur composite 407 sur la face libre 417 du composé 406.
Dans le troisième mode de réalisation, la séparation mécanique est ensuite amorcée dans le composé intermédiaire 408, par exemple, en insérant une lame ou un tranchant entre la couche de composé de manipulation provisoire 419 et la couche de nouveau substrat porteur composite 407, après l’étape S406. Le procédé inventif permet une séparation complète du composé de manipulation provisoire 419, comprenant la couche de substrat de manipulation en Si provisoire 404 avec la(les) couche(s) HR reproduites 416, sans risque de rupture de tranche et sans endommagement de la nouvelle couche de substrat porteur 407 ou de la couche active 402. L’étape S407 sur la figure 4 illustre en outre que, une fois que le composé de manipulation provisoire 419 est complètement détaché, un nouveau dispositif à couche active final 410 est réalisé, dans lequel le nouveau substrat porteur composite améliorateur de performance 407 a remplacé le substrat porteur initial du dispositif à couche active initial.
La présente invention, en fournissant un procédé permettant de séparer mécaniquement les couches, dans lequel la structure mécanique du substrat porteur de remplacement est reproduite sur le substrat de manipulation provisoire, évite les risques de rupture de tranche ou d’endommagement de la couche active ou du nouveau substrat porteur au cours de l’étape de séparation mécanique des processus de DLT.

Claims (10)

  1. Revendications
    1. Procédé permettant de séparer mécaniquement des couches, pour un processus de transfert de double couche, comprenant les étapes suivantes : la fourniture d’un premier composé semi-conducteur intermédiaire (205) comprenant une couche d’un substrat porteur initial (201) et une couche active (202 ; 302 ; 402) comportant une face principale frontale (209 ; 309 ; 409) et une face principale arrière (211 ; 311 ; 411) opposée à ladite face principale avant (209 ; 309 ; 409), dans lequel la couche de substrat porteur initial (201) est fixée à la face principale arrière (211, 311, 411) de la couche active (202 ; 302 ; 402) ; puis la fixation d’une couche de substrat de manipulation provisoire (204, 304, 404) à la face principale avant (209, 309, 409) de la couche active (202, 302, 402) ; puis l’amorçage de la séparation mécanique dudit substrat porteur initial (201) de sorte à obtenir un composé semi-conducteur intermédiaire (206, 306, 406) comprenant une couche de substrat porteur provisoire (204, 304, 404) au niveau de la face principale avant (209, 309, 409) de la couche active (202, 302, 402) ; puis la fourniture d’une couche d’un substrat porteur final (207 ; 307 ; 407) sur la face principale arrière (211 ; 311 ; 411) de ladite couche active (202 ; 302 ; 402) ; et puis l’amorçage de la séparation mécanique de ladite couche de substrat de manipulation provisoire (204 ; 304 ; 404) de sorte à obtenir un composé semiconducteur final (210 ; 310 ; 410) comprenant la couche de substrat porteur final (207 ; 307 ; 407) au niveau de la face principale arrière (211 ; 311 ; 411) de la couche active (202 ; 302 ; 402) ; caractérisé en ce que la couche de substrat de manipulation provisoire (204 ; 304 ; 404) et la couche de substrat porteur final (207 ; 307 ; 407) sont dotées d’une structure mécanique sensiblement symétrique.
  2. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la couche de substrat porteur final (207 ; 307) et/ou la couche de substrat de manipulation provisoire (204 ; 304) sont choisies de telle sorte que leurs produits E.t3 sont similaires, en particulier dans une plage inférieure ou égale à environ 20 %.
  3. 3. Procédé selon l’une des revendications 1 ou 2, dans lequel le substrat porteur final (207 ; 307) est doté d’une région chanfreinée (213 ; 313).
  4. 4. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le substrat porteur final (207 ; 307) se présente sous forme d’une couche d’un matériau fortement résistant homogène, en particulier un matériau ayant une résistivité d’au moins 10 kQcm.
  5. 5. Procédé selon l’une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel la couche de substrat porteur final (407) se présente sous forme d’un empilage de couches composite comprenant : une couche de support mécanique (415) ; and au moins une couche d’un matériau à forte résistance (416) déposée sur celle-ci ; et dans lequel la couche la plus haute (416) de matériau à résistivité élevée est placée, en particulier fixée, sur la face principale arrière (411) de la couche active (402).
  6. 6. Procédé selon la revendication 5, comprenant en outre, avant l’étape d’amorçage de séparation mécanique, une étape de reproduction de l’au moins une couche d’un matériau à résistivité élevée (416) sur le substrat de manipulation provisoire (404), en particulier sur une face libre (417) de celui-ci opposée à la couche active (402).
  7. 7. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 ou 6, dans lequel la couche de support mécanique (415) est une tranche de Si monocristallin ou polycristallin.
  8. 8. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 à 7, dans lequel l’épaisseur de matériau déposé (416) est dans la plage comprise entre 30 pm et 200 pm.
  9. 9. Procédé selon l’une quelconque des revendications 5 à 8, dans lequel le matériau à résistivité élevée (416) est une colle céramique, un polymère ou un matériau ayant une résistivité d’au moins 10 kQcm.
  10. 10. Procédé selon l’une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre, avant l’étape d’amorçage de la séparation mécanique, une étape d’amincissement de la couche de substrat de manipulation provisoire (204 ; 304 ; 404).
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105931997B (zh) * 2015-02-27 2019-02-05 胡迪群 暂时性复合式载板
FR3093715B1 (fr) * 2019-03-15 2021-03-05 Soitec Silicon On Insulator Dispositif de maintien pour un ensemble à fracturer
FR3103313B1 (fr) 2019-11-14 2021-11-12 Commissariat Energie Atomique Procédé de démontage d’un empilement d’au moins trois substrats

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2997554A1 (fr) * 2012-10-31 2014-05-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de modification d'un etat de contrainte initial d'une couche active vers un etat de contrainte final
FR2997553A1 (fr) * 2012-10-31 2014-05-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation mecanique d'une structure formee de deux substrats monocristallins
US20140353853A1 (en) * 2011-12-29 2014-12-04 Commissariat à I'énergie atomique et aux énergies alternatives Method for manufacturing a multilayer structure on a substrate

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY118019A (en) * 1998-02-18 2004-08-30 Canon Kk Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof
JP2000164905A (ja) * 1998-09-22 2000-06-16 Canon Inc 光電変換装置の製造方法とその製造装置
US6562648B1 (en) * 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
FR2823599B1 (fr) 2001-04-13 2004-12-17 Commissariat Energie Atomique Substrat demomtable a tenue mecanique controlee et procede de realisation
US6814832B2 (en) * 2001-07-24 2004-11-09 Seiko Epson Corporation Method for transferring element, method for producing element, integrated circuit, circuit board, electro-optical device, IC card, and electronic appliance
US6743662B2 (en) * 2002-07-01 2004-06-01 Honeywell International, Inc. Silicon-on-insulator wafer for RF integrated circuit
FR2844634B1 (fr) 2002-09-18 2005-05-27 Soitec Silicon On Insulator Formation d'une couche utile relaxee a partir d'une plaquette sans couche tampon
US20050082526A1 (en) * 2003-10-15 2005-04-21 International Business Machines Corporation Techniques for layer transfer processing
EP2002484A4 (fr) * 2006-04-05 2016-06-08 Silicon Genesis Corp Procede et structure conçus pour fabriquer des cellules photovoltaiques au moyen d'un processus de transfert de couche
EP2035973A4 (fr) 2006-06-30 2009-12-16 Tele Atlas North America Inc Index adaptatif à compression variable
FR2907966B1 (fr) * 2006-10-27 2009-01-30 Soitec Silicon On Insulator Procede de fabrication d'un substrat.
US9111981B2 (en) 2008-01-24 2015-08-18 Brewer Science Inc. Method for reversibly mounting a device wafer to a carrier substrate
FR2929758B1 (fr) 2008-04-07 2011-02-11 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert a l'aide d'un substrat ferroelectrique
FR2935536B1 (fr) * 2008-09-02 2010-09-24 Soitec Silicon On Insulator Procede de detourage progressif
EP2213415A1 (fr) * 2009-01-29 2010-08-04 S.O.I. TEC Silicon Dispositif pour le polissage du bord d'un substrat semi-conducteur
EP2246882B1 (fr) * 2009-04-29 2015-03-04 Soitec Procédé de transfert d'une couche à partir d'un substrat donneur sur un substrat de manipulation
US8252665B2 (en) * 2009-09-14 2012-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protection layer for adhesive material at wafer edge
KR20110062365A (ko) 2009-12-03 2011-06-10 현대자동차주식회사 터보차저 일체형 배기매니폴드 구조
JP5644134B2 (ja) 2010-02-25 2014-12-24 ブラザー工業株式会社 画像記録装置
WO2013006865A2 (fr) * 2011-07-07 2013-01-10 Brewer Science Inc. Procédés de transfert de tranches ou couches de dispositif entre des substrats de support et d'autres surfaces
FR2980919B1 (fr) 2011-10-04 2014-02-21 Commissariat Energie Atomique Procede de double report de couche
FR2995447B1 (fr) * 2012-09-07 2014-09-05 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation d'au moins deux substrats selon une interface choisie
KR102061695B1 (ko) * 2012-10-17 2020-01-02 삼성전자주식회사 웨이퍼 가공 방법
US9281233B2 (en) * 2012-12-28 2016-03-08 Sunedison Semiconductor Limited Method for low temperature layer transfer in the preparation of multilayer semiconductor devices
US10036734B2 (en) * 2013-06-03 2018-07-31 Snaptrack, Inc. Ultrasonic sensor with bonded piezoelectric layer
FR3019374A1 (fr) * 2014-03-28 2015-10-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation et de transfert de couches
WO2016205751A1 (fr) * 2015-06-19 2016-12-22 QMAT, Inc. Processus de transfert de couche d'adhésion et de libération

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20140353853A1 (en) * 2011-12-29 2014-12-04 Commissariat à I'énergie atomique et aux énergies alternatives Method for manufacturing a multilayer structure on a substrate
FR2997554A1 (fr) * 2012-10-31 2014-05-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de modification d'un etat de contrainte initial d'une couche active vers un etat de contrainte final
FR2997553A1 (fr) * 2012-10-31 2014-05-02 Soitec Silicon On Insulator Procede de separation mecanique d'une structure formee de deux substrats monocristallins

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