FR2947382A1 - Capteur d'images a transfert de charges a deux phases. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un dispositif à transfert de charges formé dans un substrat semiconducteur et comportant un réseau matriciel d'électrodes identiques (31) formant des rangées (29) et des colonnes (41), dans lequel : chaque électrode (31) s'étend dans une cavité à parois isolées constituée d'une rainure (33), orientée selon une rangée (29), creusée dans l'épaisseur du substrat, et comportant, à l'une de ses extrémités, une protubérance (35) s'étendant en direction d'au moins une rangée (29) adjacente.
Description
B9662 - 09-GR3-143 1 CAPTEUR D'IMAGES À TRANSFERT DE CHARGES À DEUX PHASES Domaine de l'invention La présente invention concerne les dispositifs à transfert de charges ou dispositifs CCD (de l'anglais "Charge Coupled Devices"). Elle vise plus particulièrement un dispositif matriciel CCD à deux phases. Ci-après, on décrira une application préférée à un capteur d'images CCD, étant entendu que la présente invention peut s'appliquer à tout type de dispositif CCD. Exposé de l'art antérieur Le transfert des charges dans un dispositif CCD est souvent réalisé en quatre phases, c'est-à-dire que le décalage d'un paquet de charges, d'un pixel à un pixel adjacent, est réalisé en quatre temps correspondant à quatre périodes d'une horloge de pilotage du transfert. Les figures 1A à 1C représentent de façon schématique une portion d'un capteur d'images à transfert de charges à quatre phases. La figure 1A est une vue de dessus, la figure 1B est une vue en coupe selon le plan B-B de la figure 1A et la figure 1C est une vue en coupe selon le plan C-C de la figure 20 1A. Sur un substrat 1 de silicium dopé de type P, est disposée une couche 3 dopée de type N. Le substrat 1 et la 15 B9662 - 09-GR3-143
2 couche 3 constituent la zone de photoconversion du capteur. La partie supérieure de la zone de photoconversion est divisée en une pluralité de lignes 5 séparées par des rangées d'isolement 7, constituées par exemple de tranchées remplies d'oxyde. Au dessus de la couche 3, sont disposées des colonnes d'électrodes isolées 9, par exemple en silicium polycristallin, équidistantes et perpendiculaires aux lignes 5. Une mince couche d'oxyde 11 déposée à la surface de la couche 3, isole les électrodes 9 de la couche 3. Les électrodes 9, convenablement polarisées, définissent dans chaque ligne 5 une succession de puits de potentiels dans lesquels des charges électriques peuvent s'accumuler. Dans l'exemple représenté, un pixel est défini dans chaque ligne par quatre électrodes successives G1 à G4. Le puits de potentiel correspondant à un tel pixel est créé par application d'un potentiel haut, par exemple de l'ordre de 5 V aux électrodes G2 et G3, et d'un potentiel bas, inférieur au potentiel haut, par exemple de l'ordre de 0 V, aux électrodes G1 et G4. Au cours d'une période d'acquisition d'image, le capteur est éclairé et des électrons, issus de la création, par absorption d'un photon, d'une paire électron-trou dans la zone de photoconversion, s'accumulent dans les puits de potentiel qui se remplissent proportionnellement à l'éclairement du pixel correspondant. La lumière d'éclairement doit traverser les électrodes 9 et la couche d'isolement 11. L'épaisseur de la région active du capteur, constituée essentiellement par le substrat 1 et la couche 3, est suffisante pour absorber les photons quelles que soient leurs longueurs d'onde dans le spectre utile.
Après la période d'acquisition, il est prévu une période de transfert, au cours de laquelle les charges accumulées dans les puits de potentiel sont transférées, dans le sens des flèches 13, en parallèle pour la pluralité de colonnes et en série pour les pixels d'une même ligne 5, vers des circuits de lecture et/ou de mémorisation. Le décalage des B9662 - 09-GR3-143
3 charges est assuré par des modifications successives des potentiels appliqués aux électrodes. La figure 2 illustre de façon schématique un mode simple de transfert à quatre phases des charges d'un puits à un puits adjacent par commutation, entre des états haut et bas, de potentiels c1, 42, c3, 4.4 appliqués aux électrodes G1, G2, G3, G4 de chaque pixel. A un instant tO correspondant à la fin d'une période d'acquisition d'image, des charges, représentées par les zones hachurées de la figure, sont stockées dans des puits de potentiel formés par application d'un potentiel haut sur les électrodes G2 et G3 et d'un potentiel bas sur les électrodes G1 et G4. A un instant tO + T, T étant la période d'horloge de pilotage du transfert des charges, on commute les potentiels appliqués aux électrodes G2 et G4. Ainsi, le décalage des puits de potentiels entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets de charge vers la droite. Pour faciliter le transfert, l'électrode G4 sera mise au potentiel haut avant que l'électrode G2 ne soit mise au potentiel bas. A un instant tO + 2T, on commute les potentiels appliqués aux électrodes G1 et G3. A un instant tO + 3T, on commute les potentiels appliqués aux électrodes G2 et G4. Enfin, à un instant tO + 4T, on commute les potentiels appliqués aux électrodes G1 et G3. Ainsi, à la quatrième période d'horloge après l'instant tO, les charges accumulées dans un puits de potentiel sous un pixel ont été décalées vers un puits de potentiel sous un pixel adjacent de la même ligne. A la sortie du capteur, les paquets de charge décalés peuvent être convertis en tensions électriques par des circuits adaptés, pour former un signal d'image. Bien entendu, la période de transfert est courte par rapport à la période d'acquisition. A titre d'exemple, la période d'acquisition est de l'ordre de 20 à 50 ms et la B9662 - 09-GR3-143
4 fréquence d'horloge de commutation des électrodes peut être supérieure à 2 MHz, ce qui donne une durée de transfert inférieure à 2 ms pour une ligne de 1000 pixels et un décalage en quatre phases.
Afin de réduire la période de transfert et de simplifier les circuits de commutation des électrodes, on a proposé des capteurs à transfert de charges à deux phases. La figure 3 représente de façon schématique une portion d'un exemple de capteur d'images à transfert de charges à deux phases. La figure 3 est une vue en coupe selon le même plan que la figure 1B, précédemment décrite. La structure du capteur de la figure 3 est proche de celle du capteur à quatre phases décrit en relation avec les figures 1A à 1C. Dans le capteur à deux phases, comme dans le capteur à quatre phases, un pixel est défini, dans chaque ligne, par quatre électrodes successives G1 à G4. La couche 3 est divisée en colonnes alternées de deux niveaux de dopage distincts, sous des électrodes 9. Dans l'exemple représenté, les colonnes de la couche 3 sous des électrodes G1 et G3 ont un dopage d'un premier niveau N1 et les colonnes de la couche 3 sous des électrodes G2 et G4 ont un dopage d'un second niveau N2 supérieur à N1. Les électrodes G1 et G2 d'une part et G3 et G4 d'autre part sont reliées entre elles, par exemple par des niveaux de métallisation non représentés.
La figure 4 illustre de façon schématique l'accumulation, au cours d'une période d'acquisition d'image, d'électrons photogénérés dans des puits de potentiel formés par application de potentiels cD1, 42 aux électrodes G1, G2, G3, G4 de chaque pixel. La figure 4 illustre en outre un mode simple de transfert à deux phases des électrons, d'un puits à un puits adjacent, par commutation entre des états haut et bas des potentiels c1 et 42. A un instant tO correspondant à la fin d'une période d'acquisition d'image, des charges, représentées par les zones hachurées de la figure, sont stockées dans des puits de B9662 - 09-GR3-143
potentiel formés par application d'un potentiel bas, par exemple de l'ordre de 0 V, sur les électrodes G1 et G2 et d'un potentiel haut, par exemple de l'ordre de 5 V, sur les électrodes G3 et G4. Lorsque deux électrodes adjacentes sont mises à un même 5 potentiel, les électrons photogénérés s'accumulent dans la portion de couche N correspondante de plus fort niveau de dopage (le niveau N2 de la figure 3). En outre, lorsque deux électrodes adjacentes sont mises à des potentiels respectivement haut et bas, les électrons s'accumulent dans la région de couche N sous l'électrode de potentiel haut. Ainsi, à l'instant tO, des paquets de charges correspondant à des points de l'image acquise sont stockés dans la couche N, principalement sous les électrodes G4 de chaque pixel. A un instant tO + T, T étant la période d'horloge de pilotage du transfert des charges, on commute les potentiels c1 et 4.2 appliqués aux électrodes G1, G2 et G3, G4 de façon à augmenter le potentiel électrostatique sous les électrodes G1 et G2 et à diminuer le potentiel électrostatique sous les électrodes G3 et G4. Il en résulte un déplacement des puits de potentiels qui entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets de charges vers la droite. Ainsi, à la seconde période d'horloge après l'instant tO, les charges accumulées dans un puits de potentiel sous un pixel ont été décalées vers un puits de potentiel sous un pixel adjacent de la même ligne.
A titre d'exemple, pour une fréquence d'horloge de commutation des électrodes supérieure à 2 MHz, la durée de transfert est inférieure à 1 ms pour une ligne de 1000 pixels et un décalage en deux phases. Un inconvénient des capteurs CCD à deux phases du type décrit en relation avec la figure 3 est que leur réalisation est complexe par rapport à la réalisation des capteurs à quatre phases tels que décrits en relation avec les figures 1A à 1C. En effet, les colonnes adjacentes du capteur à deux phases diffèrent par leur niveau de dopage. Pour la fabrication d'un tel capteur il faut prévoir deux séquences successives de B9662 - 09-GR3-143
6 formation des électrodes. Lors d'une première séquence, on forme une première alternance d'électrodes G1, G3 (figure 3), à la surface d'une couche N uniformément dopée à un premier niveau N1. Une étape d'implantation est alors réalisée pour obtenir, dans les régions de la couche N non masquées par les premières électrodes G1 et G3, un niveau de dopage N2 supérieur à N1. Puis, lors d'une seconde séquence, on forme une seconde alternance d'électrodes G2, G4, intercalées entre les premières électrodes G1 et G3.
La figure 5 représente de façon schématique un autre exemple de capteur d'images à transfert de charges à deux phases. La figure 5 est une vue en coupe selon le même plan que la figure 3. La structure de ce capteur est proche de celle du capteur à deux phases décrit en relation avec la figure 3.
Seules les différences entre les deux capteurs seront exposées ci-après. Dans le capteur de la figure 5, le niveau de dopage de la couche 3 est uniforme. Par contre, l'épaisseur de la couche 11 d'oxyde de grille comprise entre les colonnes d'électrodes et la couche 3 n'est pas uniforme. L'oxyde de grille sous les électrodes G1 et G3 est plus épais que l'oxyde de grille sous les électrodes G2 et G4. Lorsque deux électrodes adjacentes sont mises à un même potentiel, les électrons photogénérés s'accumulent dans la portion de couche N sous l'électrode dont l'oxyde de grille est le plus épais. En outre, lorsque deux électrodes adjacentes sont mises à des potentiels respectivement haut et bas, les électrons s'accumulent dans la portion de la couche 3 sous l'électrode de potentiel haut. Le fonctionnement de ce capteur est donc identique à celui du capteur décrit en relation avec les figures 1A à 1C.
Comme pour le capteur décrit en relation avec la figure 3, la structure de grille doit être formée en deux temps, ce qui rend le procédé de fabrication complexe par rapport à celui des capteurs à quatre phases. Ainsi, un inconvénient des capteurs à quatre phases 35 est que le mode de commutation des potentiels appliqués aux B9662 - 09-GR3-143
7 électrodes est complexe par rapport aux capteurs à deux phases. Un inconvénient des capteurs à deux phases est que leur fabrication est complexe par rapport aux capteurs à quatre phases.
Un inconvénient général des capteurs CCD décrits ci-dessus est que la lumière doit traverser les électrodes de commande de transfert en silicium polycristallin. Une partie des photons est donc absorbée dans les électrodes ce qui réduit la sensibilité du capteur, notamment dans la gamme des bleus. En effet, les photons bleus sont absorbés sur une courte distance tandis que les photons rouges pénètrent plus profondément dans le silicium. Pour pallier cet inconvénient on peut disposer les électrodes de transfert à côté de la région de photoconversion plutôt qu'au dessus. Toutefois cette solution présente l'inconvénient d'augmenter l'encombrement pour une taille de région de photoconversion donnée. Un autre inconvénient général des capteurs CCD décrits ci-dessus réside dans le fait que la capacité de stockage de charges associée à chaque pixel est limitée par la surface des électrodes et par d'éventuelles recombinaisons de porteurs. Résumé Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de pallier tout ou partie des inconvénients des capteurs d'images à transfert de charge à deux phases classiques. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer une structure de capteur CCD à deux phases facile à réaliser. Un objet d'un mode de réalisation de la présente 30 invention est de proposer un tel capteur à sensibilité améliorée et à faible encombrement. Un objet d'un mode de réalisation de la présente invention est de proposer un tel capteur à forte capacité de stockage de charges.
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8 Ainsi, un mode de réalisation de la présente invention prévoit un dispositif à transfert de charges formé dans un substrat semiconducteur et comportant un réseau matriciel d'électrodes identiques formant des rangées et des colonnes, dans lequel : chaque électrode s'étend dans une cavité à parois isolées constituée d'une rainure, orientée selon une rangée, creusée dans l'épaisseur du substrat, et comportant, à l'une de ses extrémités, une protubérance s'étendant en direction d'au moins une rangée adjacente.
Un autre mode de réalisation de la présente invention prévoit un capteur d'images comprenant un dispositif à transfert de charges tel que susmentionné, adapté à recevoir un rayonnement lumineux. Selon un mode de réalisation de la présente invention, les électrodes d'une même colonne sont reliées entre elles et sont adaptées à recevoir des signaux de décalage en deux phases. Selon un mode de réalisation de la présente invention, chaque électrode est formée dans une rainure en T. Selon un mode de réalisation de la présente invention, un élément d'image correspond à l'espace entre deux électrodes successives d'une rangée et deux électrodes successives en regard d'une rangée adjacente. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la partie supérieure du substrat comporte une première couche semiconductrice dopée d'un premier type de conductivité d'un premier niveau de dopage, et une deuxième couche semiconductrice dopée d'un second type de conductivité, recouvrant la première couche. Selon un mode de réalisation de la présente invention, 30 la première couche est reliée à une borne d'application d'un potentiel de référence. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une troisième couche semiconductrice dopée du premier type de conductivité recouvre la deuxième couche.
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9 Selon un mode de réalisation de la présente invention, les électrodes sont en silicium polycristallin dopé isolé du substrat par une couche d'oxyde. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une extrémité de chaque ligne est reliée à un dispositif de lecture adapté à convertir les charges en un signal électrique d'image. Brève description des dessins Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1A, précédemment décrite, est une vue de dessus représentant de façon schématique une portion d'un capteur CCD à quatre phases ; la figure 1B, précédemment décrite, est une vue en coupe selon le plan B-B de la figure 1A ; la figure 1C, précédemment décrite, est une vue en coupe selon le plan C-C de la figure 1A ; la figure 2, précédemment décrite, illustre le transfert des charges dans un capteur CCD à quatre phases ; la figure 3, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique une portion d'un capteur CCD à deux phases ; la figure 4, précédemment décrite, illustre le transfert des charges dans un capteur CCD à deux phases ; la figure 5, précédemment décrite, est une vue en coupe représentant de façon schématique une portion d'un autre type de capteur CCD à deux phases ; la figure 6A est une vue de dessus représentant de façon schématique une portion d'un capteur CCD à deux phases selon un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 6B est une vue en coupe selon le plan B-B de la figure 6A ; B9662 - 09-GR3-143
10 la figure 6C est une vue en coupe selon le plan C-C de la figure 6A ; la figure 7 est une vue en perspective partielle du capteur des figures 6A à 6C ; la figure 8 est une vue de dessus représentant de façon schématique une portion d'un capteur CCD à deux phases selon un autre mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 9 illustre de façon schématique le transfert des charges dans le capteur CCD à deux phases décrit en relation avec les figures 6A à 6C et 7. Description détaillée Comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle.
Dans le capteur décrit ici, les électrodes de transfert des charges sont disposées verticalement, en profondeur dans la zone de photoconversion du substrat. Les figures 6A à 6C représentent de façon schématique une portion d'un capteur d'images à transfert de charges à deux phases. La figure 6A est une vue de dessus, la figure 6B est une vue en coupe selon le plan B-B de la figure 6A, et la figure 6C est une vue en coupe selon le plan C-C de la figure 6A. La figure 7 est une vue en perspective représentant de façon schématique une partie des figures 6A à 6C.
Sur un substrat 21 de silicium dopé de type P, est disposée une couche 23 dopée de type N. La couche 23 et éventuellement la partie supérieure du substrat 21 constituent la zone de photoconversion du capteur. Une mince couche 25 dopée de type P est formée à la surface de la couche 23. La couche 25 a notamment pour rôle d'éviter la présence d'une interface entre la face supérieure de la couche 23 et une couche supérieure (non représentée) d'oxyde de silicium. En effet, la présence d'une interface entre la couche 23 contenant des porteurs de charge et une couche d'oxyde de silicium conduirait à une réduction du nombre de porteurs par piégeage à l'interface ou à une B9662 - 09-GR3-143
11 augmentation du courant d'obscurité. Un autre rôle de la couche 25 est de maintenir une tension de référence dans la couche 23. La zone de photoconversion est divisée en une pluralité de lignes parallèles 27, séparées par des rangées 29 d'électrodes isolées 31 s'étendant verticalement, par exemple à travers les couches 25, 23, et 21. Chaque électrode 31 est constituée d'une rainure en T comportant une jambe 33 et une barre 35, emplie de silicium polycristallin dopé, isolé du substrat par une couche d'oxyde 37. Les jambes 33 sont alignées et orientées parallèlement à la direction de transfert des charges. Les barres orthogonales 35 sont disposées en amont des jambes 33 par rapport au sens 39 de transfert des charges. Les électrodes 31 de deux rangées 29 adjacentes sont en regard deux à deux et forment des colonnes 41 d'électrodes.
Les électrodes 31, convenablement polarisées, définissent dans chaque ligne 27 une succession de puits de potentiel dans lesquels des charges électriques peuvent s'accumuler. Dans l'exemple représenté, un pixel est défini par la région comprise entre deux électrodes successives G11, G12 d'une première rangée 29, et les deux électrodes correspondantes G11, G12 d'une seconde rangée 29 adjacente à la première rangée. En pratique, dans cet exemple, toutes les électrodes d'une même colonne 41 sont reliées entre elles et sont mises à un même potentiel.
Il convient de disposer convenablement les électrodes pour éviter d'éventuelles fuites de charges d'une ligne de pixels vers une ligne adjacente. On choisira par exemple de préférence de positionner les électrodes de façon que la plus faible distance el entre deux électrodes adjacentes d'une même colonne soit supérieure à la plus faible distance e2 entre deux électrodes adjacentes d'une même ligne. Au cours d'une période d'acquisition d'image, la face supérieure du capteur est éclairée et des électrons, issus de la création, par absorption d'un photon, d'une paire électron-trou dans la zone de photoconversion, s'accumulent dans les puits de B9662 - 09-GR3-143
12 potentiel qui se remplissent proportionnellement à l'éclairement du pixel correspondant. Le substrat 21 est relié, en fonctionnement, à un potentiel de référence, par exemple la masse, permettant l'écoulement des trous issus de la photoconversion. La profondeur des électrodes 31 est de préférence choisie de façon à limiter les phénomènes de diaphotie, c'est-à-dire que cette profondeur est de préférence égale à la profondeur de la zone dans laquelle les photons incidents sont en majorité susceptibles de créer des paires électron-trou (par exemple 9 m pour du rouge). La polarisation des électrodes est telle que les électrons photogénérés s'accumulent dans la couche 23 de type N, dans un volume 43 délimité de façon schématique par des traits en pointillés aux figures 6A et 6C. On notera qu'il n'existe pas d'interface directe entre le volume 43 d'accumulation des électrons et la couche d'oxyde 37 d'isolation des électrodes 31, ni avec une couche d'oxyde supérieure, ce qui évite des pertes de charge ou une augmentation du courant d'obscurité.
Pour obtenir une capacité de stockage de charges maximale entre les électrodes, l'épaisseur de la couche 23 est de préférence proche de la profondeur des électrodes 31. Ainsi, la zone de photoconversion est essentiellement constituée par la couche 23 de type N.
Après la période d'acquisition, il est prévu une période de transfert, au cours de laquelle les charges accumulées dans les puits de potentiel sont transférées, dans le sens des flèches 39, en parallèle pour la pluralité de colonnes et en série pour les pixels d'une même ligne 27, vers des circuits de lecture et/ou de mémorisation. Le décalage des charges est assuré par des commutations successives, entre des états haut et bas, en deux phases, des potentiels appliqués aux électrodes. Dans le capteur CCD décrit en relation avec les 35 figures 6A à 6C et 7, chaque électrode est formée dans une B9662 - 09-GR3-143
13 rainure en T. De façon générale, chaque électrode est formée dans une rainure orientée selon une rangée et présentant, du côté d'une première de ses extrémités, une protubérance ou saillie de forme quelconque en direction d'au moins une rangée adjacente. La protubérance est disposée en amont de la seconde extrémité de la rainure par rapport au sens de transfert des charges. La figure 8 est une vue de dessus représentant de façon schématique un autre exemple de réalisation d'un capteur CCD à deux phases. La zone de photoconversion est divisée en une pluralité de lignes parallèles 57, séparées par des rangées 59 d'électrodes isolées 51 s'étendant verticalement dans le substrat. Chaque électrode 61 est constituée d'une rainure en L comportant une grande barre 63 et une petite barre 65, emplie de silicium polycristallin dopé, isolé du substrat par une couche d'oxyde 67. Les grandes barres 63 sont alignées et orientées parallèlement à la direction de transfert des charges. Les petites barres orthogonales 65 sont disposées en amont des grandes barres 63 par rapport au sens 69 de transfert des charges. Les électrodes 61 de deux rangées 59 adjacentes sont en regard deux à deux et forment des colonnes d'électrodes. La figure 9 illustre de façon schématique l'accumulation, au cours d'une période d'acquisition d'image, d'électrons photogénérés dans des puits de potentiel formés par application de potentiels c11, c12 aux électrodes G11, G12 de chaque pixel du capteur CCD décrit en relation avec les figures 6A à 6C et 7. La figure 9 illustre en outre un mode simple de transfert à deux phases des électrons, d'un puits à un puits adjacent, par commutation entre des états haut et bas des potentiels c11 et c12. Ce fonctionnement est similaire à celui décrit en relation avec la figure 4. A un instant tO correspondant à la fin d'une période d'acquisition d'image, des charges, représentées par les zones hachurées de la figure, sont stockées dans des puits de potentiel formés par application d'un potentiel bas, par exemple B9662 - 09-GR3-143
14 de l'ordre de 0 V, sur les électrodes G11 et d'un potentiel haut, par exemple de l'ordre de 5 V, sur les électrodes G12. Lorsque deux électrodes G11 en regard sont mises à un même potentiel, les électrons photogénérés s'accumulent princi- paiement dans la région de la couche N comprise entre les portions d'électrode ne présentant pas de saillie (volume 43 des figures 6A et 6C). En outre, lorsque deux paires d'électrodes en regard adjacentes sont mises à des potentiels respectivement haut et bas, les électrons s'accumulent dans la région de la couche N délimitée par la paire d'électrode de potentiel haut. Ainsi, à l'instant t0, des paquets de charges correspondant à des points de l'image acquise sont stockés dans la couche N, principalement entre les portions d'électrodes G12 de chaque pixel ne présentant pas de saillie.
Tout autre mode de polarisation des électrodes pendant la phase d'acquisition est envisageable. A titre d'exemple, on peut appliquer un même potentiel positif, négatif, ou nul, aux électrodes G11 et G12 pendant la phase d'acquisition de façon à réduire les courants d'obscurité. Dans ce cas, les charges s'accumulent dans deux puits de potentiel distincts, avant d'être rassemblées dans un même puits (volume 43 des figures 6A et 6C) au moment du transfert. A un instant t0 + T, T étant la période d'horloge de pilotage du transfert des charges, on commute les potentiels c11 et c12 appliqués aux électrodes G11 et G12. Le décalage des puits de potentiels entraîne le décalage, en synchronisme, des paquets de charges, vers la droite dans l'exemple représenté. Ainsi, à la seconde période d'horloge après l'instant t0, les charges accumulées dans un puits de potentiel sous un pixel ont été décalées vers un puits de potentiel sous un pixel adjacent de la même ligne. Un avantage du capteur CCD décrit est qu'il est simple à réaliser. A titre d'exemple, on forme par épitaxie une couche semiconductrice dopée de type N sur un substrat dopé de type P.
On dope de type P la partie supérieure de la couche de type N.
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15 On réalise par gravure des tranchées étroites dans le substrat. Ces tranchées sont isolées du substrat par une couche d'oxyde puis emplies de silicium polycristallin dopé constituant les électrodes. Un contact est pris sur chaque électrode.
Un autre avantage du capteur CCD décrit est que la lumière d'éclairement du capteur ne traverse pas les électrodes de commande de transfert des charges. La sensibilité du capteur s'en trouve améliorée et son encombrement n'augmente pas par rapport aux solutions de l'art antérieur.
Selon un autre avantage du capteur CCD décrit, la capacité de stockage de charges associée à un pixel est supérieure à celle des solutions de l'art antérieur pour une même surface de pixel. En effet, dans le mode de réalisation proposé, la concentration en dopants et le volume de la couche N des puits de potentiel sont plus importants que lorsque les électrodes sont disposées à la surface du capteur. En outre, la capacité de stockage peut être ajustée en augmentant ou en réduisant la distance entre deux lignes d'électrodes. Selon un autre avantage du capteur CCD décrit, les tensions mises en oeuvre pour le transfert des charges peuvent être diminuées par rapport aux solutions de l'art antérieur puisque deux électrodes adjacentes d'une même colonne coopèrent pour créer les puits de potentiel. Des modes de réalisation particuliers de la présente invention ont été décrits. Diverses variantes et modifications apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on a présenté ci-dessus un mode de réalisation d'un capteur CCD éclairé par la face avant. L'homme de l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché pour un capteur CCD éclairé par la face arrière. En outre, l'homme de l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché en inversant les types de conductivité des couches semiconductrices et en modifiant en conséquence les tensions appliquées. Par ailleurs, on a mentionné dans la description ci-dessus des électrodes en silicium polycristallin dopé et des régions isolantes en oxyde de silicium. L'homme de B9662 - 09-GR3-143
16 l'art saura mettre en oeuvre le fonctionnement recherché quel que soit le type de matériau conducteur utilisé pour réaliser les électrodes et quel que soit le matériau isolant utilisé pour réaliser les régions isolantes. En outre, on a décrit ci-dessus des matrices d'électrodes formant des rangées et des colonnes d'électrodes identiques. L'homme de l'art saura prévoir, pour les rangées supérieure et inférieure du capteur, toute forme d'électrode adaptée, différente de celle des autres électrodes, par exemple des électrodes en L pour une matrice d'électrodes en T. On a décrit ci-dessus des modes de réalisation de capteurs d'images à transfert de charges à deux phases. Toutefois, la présente invention ne s'applique pas uniquement aux capteurs d'images. L'homme de l'art saura également mettre en oeuvre un registre à décalage à transfert de charges à deux phases selon un mode de réalisation décrit ci-dessus, dans lequel les charges ne sont pas photogénérées mais injectées, par exemple en amont des lignes de transfert. A titre d'exemple, on pourra réaliser un capteur d'images CCD comportant une matrice photosensible à transfert de charges à quatre phases, et, en sortie de cette matrice, un registre à décalage à deux phases selon l'un des modes de réalisation décrit ci-dessus, le registre à deux phases étant utilisé par exemple comme registre à entrées parallèles et à sortie série. Entre deux transferts successifs d'une colonne de la matrice photosensible vers le registre à décalage, le registre à décalage est vidé, en série, vers un dispositif de stockage, par exemple une mémoire. Les fréquences des horloges de la matrice photosensible et du registre à décalage sont choisies de façon que la durée de vidage, en série, du registre à décalage, soit inférieure ou égale à la durée de transfert des charges dans la matrice photosensible, d'une colonne vers une colonne adjacente. La fréquence d'horloge du registre à décalage doit donc être très supérieure à la fréquence d'horloge de la matrice B9662 - 09-GR3-143
17 photosensible. Un avantage de l'utilisation d'un registre à décalage à deux phases est que pour une fréquence de pilotage donnée, sa durée de vidage est réduite d'un facteur deux par rapport à un registre à quatre phases.
Claims (10)
- REVENDICATIONS1. Dispositif à transfert de charges formé dans un substrat semiconducteur (21, 23) et comportant un réseau matriciel d'électrodes identiques (31) formant des rangées (29) et des colonnes (41), dans lequel : chaque électrode (31) s'étend dans une cavité à parois isolées constituée d'une rainure (33), orientée selon une rangée (29), creusée dans l'épaisseur du substrat (21, 23), et comportant, à l'une de ses extrémités, une protubérance (35) s'étendant en direction d'au moins une rangée (29) adjacente.
- 2. Capteur d'images comprenant un dispositif à transfert de charges selon la revendication 1, adapté à recevoir un rayonnement lumineux.
- 3. Capteur selon la revendication 2, dans lequel les électrodes (31) d'une même colonne (41) sont reliées entre elles et sont adaptées à recevoir des signaux de décalage en deux phases e11, X12) .
- 4. Capteur selon la revendication 2 ou 3, dans lequel chaque électrode (31) est formée dans une rainure en T.
- 5. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 à 4, dans lequel un élément d'image correspond à l'espace entre deux électrodes successives d'une rangée et deux électrodes successives en regard d'une rangée adjacente.
- 6. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 à 5, dans lequel la partie supérieure du substrat comporte une première couche semiconductrice (21) dopée d'un premier type de conductivité (P) d'un premier niveau de dopage, et une deuxième couche semiconductrice (23) dopée d'un second type de conductivité (N), recouvrant la première couche (21).
- 7. Capteur selon la revendication 6, dans lequel la 30 première couche (21) est reliée à une borne d'application d'un potentiel de référence.
- 8. Capteur selon la revendication 6 ou 7, dans lequel une troisième couche (25) semiconductrice dopée du premier type de conductivité (P) recouvre la deuxième couche (23). 5B9662 - 09-GR3-143 19
- 9. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 à 8, dans lequel les électrodes (31) sont en silicium polycristallin dopé isolé du substrat par une couche d'oxyde (37).
- 10. Capteur selon l'une quelconque des revendications 2 à 9, dans lequel une extrémité de chaque ligne est reliée à un dispositif de lecture adapté à convertir les charges en un signal électrique d'image.
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