FR2914110A1 - Procede de fabrication d'un substrat hybride - Google Patents
Procede de fabrication d'un substrat hybride Download PDFInfo
- Publication number
- FR2914110A1 FR2914110A1 FR0702004A FR0702004A FR2914110A1 FR 2914110 A1 FR2914110 A1 FR 2914110A1 FR 0702004 A FR0702004 A FR 0702004A FR 0702004 A FR0702004 A FR 0702004A FR 2914110 A1 FR2914110 A1 FR 2914110A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- substrate
- silicon
- donor substrate
- bonding
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract description 35
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 27
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 22
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 40
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 4
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 claims description 2
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005587 bubbling Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004320 controlled atmosphere Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000010070 molecular adhesion Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000000284 resting effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
- H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
- H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
- H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/185—Joining of semiconductor bodies for junction formation
- H01L21/187—Joining of semiconductor bodies for junction formation by direct bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
- H01L21/2003—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy characterised by the substrate
- H01L21/2007—Bonding of semiconductor wafers to insulating substrates or to semiconducting substrates using an intermediate insulating layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Recrystallisation Techniques (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride (5), qui comprend au moins deux couches de matériau cristallin (13, 2) collées directement l'une contre l'autre.Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend les étapes consistant à :- implanter au moins une catégorie d'espèces atomiques et/ou ioniques dans un substrat donneur (1), de façon à y former une zone de fragilisation (12) qui délimite une couche active (13) d'un reste (14),- soumettre les faces avant (10, 20) du substrat donneur (1) et d'un substrat receveur (2), à un traitement thermique entre 900 degres C et 1200 degres C, sous hydrogène et/ou argon, pendant une durée d'au moins 30 secondes,- coller l'une contre l'autre, lesdites faces avant (10, 20),- détacher ledit reste (14),la nature, la dose et l'énergie d'implantation desdites espèces étant choisies de façon à ce que les défauts induits par ces espèces dans le substrat donneur (1), permettent le détachement ultérieur du reste (14) du substrat donneur, mais ne se développent pas suffisamment au cours dudit traitement thermique, pour empêcher le collage ultérieur ou déformer la face avant (10) du substrat donneur (1).
Description
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat
hybride comprenant au moins deux couches de matériau cristallin, collées l'une contre l'autre par collage direct. Ce type de substrat est apte à être utilisé dans les domaines de l'optique, de l'électronique ou de l'optoélectronique, ces termes englobant également de manière générale la microélectronique, la nanoélectronique, l'optomicroélectronique, l'opto-nanoélectronique et la technologie des composants. Les deux couches de matériaux précitées peuvent être de nature identique ou différente, le terme "nature" couvrant aussi bien la nature chimique des matériaux, que leurs propriétés physico-chimiques et/ou leur orientation cristalline. Le terme de collage "direct" de deux couches ou de deux substrats désigne un collage moléculaire sans couche intermédiaire, telle qu'une couche d'adhésif. Parmi ces substrats hybrides, on trouve ceux connus de l'homme du métier sous l'appellation "DSB", d'après l'acronyme de l'expression anglaise "Direct Silicon Bonding" qui signifie "collage direct sur silicium". De tels substrats comprennent une couche active de silicium, collée directement sur un substrat receveur en silicium d'orientation cristalline différente, sans formation d'une couche intermédiaire, notamment sans formation d'une couche d'oxyde enterré. On peut ainsi réaliser un substrat comprenant une couche de silicium d'orientation cristalline (1,1,0) reposant directement sur un support de silicium d'orientation cristalline (1,0,0), ou l'inverse. Lorsque le substrat receveur est du carbure de silicium (SiC), on peut fabriquer des substrats hybrides connus de l'homme du métier sous l'appellation "SopSiC", d'après l'acronyme de l'expression anglaise "Silicon on poly SiC" qui signifie "silicium sur carbure de silicium polycristallin". De tels substrats hybrides sont utiles pour la réalisation de circuits microélectroniques de haute performance. L'article de C.Y. Sung, "Direct Silicon Bonded (DSB) Mixed Orientation Substrate for High Performance Bulk CMOS Technology", Extended Abstracts of the 2006 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama, 2006, pp. 160-161, cite un exemple de fabrication d'un tel substrat, qui consiste à transférer une couche d'un substrat donneur en silicium (1,1,0) vers un substrat receveur en silicium (1,0,0), par collage puis amincissement. Cet article rappelle que la fabrication de ce substrat nécessite qu'il ne comporte aucune couche isolante entre les deux couches collées l'une contre l'autre. Cet article précise également que l'absence de couche isolante en SiO2 dans la structure finale conduit à préférer une préparation avant collage de type hydrophobe, plutôt qu'une préparation de type hydrophile. En effet, un collage hydrophile comprend la formation d'une fine couche d'oxyde de silicium pendant la préparation de surface des couches à mettre en contact, et cet oxyde, qui se retrouve enterré dans la structure finale, doit être éliminé ultérieurement, par exemple par un recuit final à très haute température, ce qui compliquerait le procédé de fabrication dans le cas présent. Toutefois, le collage hydrophobe qui fait intervenir des liaisons à terminaison H est beaucoup plus difficile à mettre en oeuvre, car ces liaisons à terminaison H attirent des particules qui agissent de façon négative sur le collage.
On connaît également d'après le document US 6 020 252 un procédé d'obtention d'une couche mince d'un matériau semi-conducteur, à partir d'un substrat donneur. Ce procédé consiste à implanter des ions de gaz rares ou d'hydrogène à l'intérieur d'un substrat donneur, selon une température et une dose d'implantation prédéterminées, de façon à y créer une zone de fragilisation, puis à effectuer un traitement thermique à une température suffisante pour obtenir la séparation dudit substrat en deux parties, de part et d'autre du plan de fragilisation. Conformément à ce qui est décrit dans ce document, la température et la dose d'implantation sont choisies de façon à créer des microcavités à l'intérieur du substrat en quantités suffisantes pour obtenir la zone de fragilisation, mais insuffisantes pour obtenir le détachement par le seul traitement thermique ultérieur. Le détachement nécessite l'application supplémentaire d'une force mécanique. Toutefois, ce document ne concerne pas spécifiquement une préparation de surface permettant un bon collage direct. L'invention a pour but de résoudre les inconvénients précités de l'état de la technique, et notamment de fournir un procédé de fabrication d'un substrat hybride obtenu par transfert de couche, qui ne nécessite pas de collage à l'aide d'une couche intermédiaire et dans lequel le collage entre le substrat donneur et le substrat receveur est réalisé via un collage hydrophobe de bonne qualité.
A cet effet, l'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat hybride, qui comprend au moins deux couches de matériau cristallin collées directement l'une contre l'autre, dont une couche de matériau, dite "active", issue d'un substrat cristallin, dit "donneur".
Conformément à l'invention, ce procédé comprend les étapes successives suivantes consistant à : - effectuer une étape d'implantation d'au moins une catégorie d'espèces atomiques et/ou ioniques à l'intérieur dudit substrat donneur, de façon à y former une zone de fragilisation qui délimite ladite couche active du reste du substrat donneur, - soumettre l'une des faces, dite "avant", du substrat donneur et l'une des faces, dite "avant", d'un substrat cristallin, dit "receveur", à un traitement thermique, dit "de préparation avant collage", à une température comprise entre 800 C et 1200 C, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène et/ou de l'argon, pendant une durée d'au moins 30 secondes, de façon à rendre lesdites faces avant hydrophobes, - coller directement l'une contre l'autre, lesdites faces avant, - effectuer un traitement thermique des deux substrats dans des conditions permettant d'obtenir entre eux un collage fort, - détacher ledit reste, le long de la zone de fragilisation, par une action purement mécanique, la nature, la dose d'implantation et l'énergie d'implantation desdites espèces atomiques et/ou ioniques étant choisies de façon à ce que les défauts induits par ces espèces à l'intérieur du substrat donneur, permettent le détachement ultérieur du reste du substrat donneur, mais ne se développent pas suffisamment au cours du traitement thermique de préparation avant collage, pour empêcher le collage ultérieur ou déformer la face avant du substrat donneur. Selon d'autres caractéristiques avantageuses et non limitatives de l'invention, prises seules ou en combinaison : - ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans une atmosphère gazeuse contenant exclusivement de l'argon ; - ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans une atmosphère gazeuse contenant exclusivement de l'hydrogène ; - ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans un 35 four de recuit thermique rapide de type "RTP" ; - le traitement thermique de renforcement du collage des deux substrats est effectué par un traitement thermique long, à une température supérieure ou égale à 1100 C, pendant au moins 2 heures ; - les espèces implantées pour former la zone de fragilisation sont 5 choisies parmi l'hydrogène, l'hélium, le fluor, le néon, l'argon, le krypton et le xénon ; - la couche active du substrat donneur est constituée d'un matériau choisi parmi le silicium (Si), le silicium (1, 1, 0), le silicium (1, 0, 0), le silicium germanium (SiGe), le germanium (Ge), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de 10 gallium (GaN) ; - le substrat receveur est constitué au moins en partie d'un matériau choisi parmi le silicium (Si), le silicium (1, 1, 0), le silicium (1, 0, 0), et le carbure de silicium (SiC). D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la 15 description qui va maintenant en être faite, en référence aux dessins annexés, qui en représentent, à titre indicatif mais non limitatif, un mode de réalisation possible. Sur ces dessins : - les figures 1 à 6 illustrent les étapes successives du procédé de fabrication conforme à l'invention. 20 L'enchaînement des différentes étapes du procédé va maintenant être décrit brièvement. En se reportant à la figure 1, on peut voir un substrat 1 dit "donneur", qui comprend deux faces opposées 10 et 11, dites respectivement "avant" et "arrière". 25 Comme représenté sur la figure 2, le substrat donneur 1 est ensuite soumis à une implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques, de façon à y former une zone de fragilisation 12, qui délimite une couche 13, dite "active", du reste 14 de ce substrat. De façon avantageuse, cette implantation est effectuée à travers une 30 couche d'isolant 3 sacrificielle, par exemple une couche de dioxyde de silicium (SiO2), déposée sur la face avant 10 du substrat 1. Cette couche d'isolant 3 est ensuite supprimée comme représenté sur la figure 3. Le substrat donneur 1 et un substrat 2, dit "receveur" sont ensuite 35 soumis à un traitement dit "de préparation avant collage", qui sera détaillé ultérieurement (voir figure 4).
Le substrat receveur 2 comprend deux faces opposées 20 et 21, dites respectivement "avant " et "arrière". Ensuite, la face avant 20 du substrat receveur 2 est appliquée par collage direct sur la face avant 10 du substrat donneur 1 (voir figure 5).
L'interface de collage porte la référence numérique 4. Après un traitement de renforcement du collage, on procède, comme représenté sur la figure 6, au détachement du reste 14 du substrat donneur 1, de façon à reporter la couche active 13 sur le substrat receveur 2 et à obtenir un substrat hybride référencé 5.
Les différentes étapes vont maintenant être décrites plus en détails. Les substrats donneur 1 et receveur 2 sont constitués de matériaux semi-conducteurs ou non. D'une manière générale, le matériau constituant le substrat donneur 1 sera choisi parmi les matériaux cristallins à l'intérieur desquels il est possible de créer une distribution dense de cavités, par une implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques, suivie d'une étape de recuit thermique. A titre d'exemple, le matériau constituant le substrat donneur 1 peut être choisi parmi le silicium (Si), le silicium (1, 1, 0), le silicium (1, 0, 0), le silicium germanium (SiGe), le germanium (Ge), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN). Le substrat receveur 2 est constitué de tout matériau cristallin ou non cristallin, par exemple du silicium (Si), du silicium (1, 1, 0), du silicium (1, 0, 0), ou du carbure de silicium (SiC), de préférence du silicium monocristallin ou du carbure de silicium polycristallin, mais également du silicium polycristallin. Il peut être semi-conducteur ou isolant. Deux applications particulières de l'invention consistent à former un substrat du type "DSB", dans lequel le substrat donneur 1 et le substrat receveur 2 sont tous les deux en silicium, de préférence monocristallin et d'orientations cristallines différentes (par exemple (1, 0, 0), (1, 1, 0) ou (1, 1, 1)), ou à former un substrat du type "SopSiC", dans lequel le substrat donneur 1 est du silicium, (de préférence monocristallin) et le substrat receveur 2 du carbure de silicium polycristallin. On notera que les substrats donneur et receveur peuvent également être multicouche. Dans ce cas, toutefois, il est nécessaire que la couche de matériau constituant les faces avant 10 et 20 des substrats 1 et 2 respecte les spécifications précitées.
L'étape d'implantation d'espèces atomiques et/ou ioniques est conduite en sélectionnant les espèces implantées, leur dose et leur énergie d'implantation, de façon à ce que les défauts induits par ces espèces à l'intérieur du substrat donneur 1, permettent ultérieurement le détachement du reste 14 (voir figure 6), mais ne se développent pas suffisamment, au cours du traitement thermique de préparation avant collage représenté sur la figure 4, pour déformer la face avant 10 à coller ou empêcher le collage ultérieur représenté sur la figure 5. A titre d'exemple d'espèces susceptibles d'être implantées, on citera l'hydrogène (H), l'hélium (He), le fluor (F), le néon (Ne), l'argon (Ar), le krypton (Kr) et le xénon (Xe). Ces espèces sont particulièrement appropriées pour une implantation dans un substrat 1 en silicium. Le choix de ces espèces, de leur dose ainsi que de leur énergie d'implantation sera fait de façon à éviter le phénomène de bullage de la surface qui est typiquement obtenu lorsqu'un matériau, implanté de façon standard, est recuit. D'une façon générale, il est également possible d'effectuer une coimplantation, différentes espèces étant bombardées à la surface du substrat de façon successive. De façon avantageuse, on utilise par exemple une première implantation d'hélium, suivie d'une implantation d'ions H+.
De la même manière, la nature des espèces, leur dose et leur énergie d'implantation sont choisies de telle sorte que le bullage des espèces implantées soit limité. Ainsi, que ce soit en implantation simple ou en co-implantation, les doses et énergies d'implantation des espèces précitées seront choisies entre 20 et 25 500 keV et entre 1.1014 at/cm2 et 1.1017 at/cm2. A titre d'exemple, des atomes d'hélium sont implantés dans le substrat avec une énergie de l'ordre de 30 à 200 keV et avec une dose comprise dans la gamme de 5. 1016 à 1.1017 at/cm2. Dans le cas d'atomes d'argon, l'énergie appliquée est de l'ordre de 200 à 500 keV et la dose d'implantation de l'ordre de 30 1.1016 à5.1016at/cm2. Dans le cas d'une co-implantation, on peut utiliser par exemple de l'hydrogène co-implanté avec du fluor ou encore de l'hydrogène co-implanté avec de l'hélium. Dans le cas d'une co-implantation hydrogène /fluor, l'hydrogène est 35 implanté à une énergie comprise entre 20 et 50 keV et une dose comprise entre 1.1015 et 5.1016 H+/cm2, le fluor est quant à lui implanté avec une énergie comprise entre 150 et 200 keV, pour des doses d'implantation de 1.1014 à 1.1016 F+/cm2. Dans le cas d'une co-implantation hydrogène /hélium, l'hélium est implanté à une énergie comprise entre 70 et 90 keV et une dose comprise entre 1.1016 et 6.1016 He+/cm2, l'hydrogène est quant à lui implanté avec une énergie comprise entre 70 à 90 keV, pour des doses d'implantation de 1.1015 à 6.1015 H+/cm2. Pour l'implantation, on pourra se reporter à la littérature sur le procédé Smart Cut TM.
De préférence et comme représenté sur la figure 2, l'implantation a lieu à travers la face avant 10. De préférence encore, il est préférable que toutes les implantations soient réalisées à travers une couche sacrificielle d'oxyde 3. Cette couche d'oxyde 3 peut être soit formée thermiquement, (par exemple du SiO2 pour un substrat en silicium), soit déposée par des techniques de dépôt bien connues de l'homme du métier, telles que les dépôts chimiques en phase vapeur à pression ambiante ou à basse pression, connus sous les acronymes anglais de "CVD" ou "LPCVD", qui signifient "Chemical Vapor Deposition" et "Low Pressure Chemical Vapor Deposition". Ces techniques ne seront pas ici décrites en détails.
L'oxyde 3 peut également être natif. L'oxyde sacrificiel 3 est ensuite éliminé après l'implantation, par exemple en plongeant le substrat 1 dans une solution diluée d'acide fluorhydrique (HF) ou en le plaçant dans une atmosphère de vapeurs d'acide fluorhydrique. L'élimination de l'oxyde sacrificiel est de préférence suivie d'un nettoyage du type "RCA" pour protéger la face avant 10 des particules contaminantes. Le traitement à l'aide d'un bain chimique dénommé "RCA" consiste à traiter la face avant 10, successivement avec : - un premier bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC 1 ", (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 1" , qui signifie "solution de nettoyage standard 1"), et qui comprend un mélange d'hydroxyde d'ammonium (NH4OH), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée, - un second bain d'une solution connue sous l'acronyme "SC2", (d'après la terminologie anglo-saxonne de "Standard Clean 2", qui signifie "solution de nettoyage standard 2"), et qui comprend un mélange d'acide chlorhydrique (HCl), de peroxyde d'hydrogène (H2O2) et d'eau déionisée.
Le traitement de préparation avant collage représenté sur la figure 4 consiste à soumettre au moins l'une des faces à coller 10, 20, à un traitement thermique, à une température comprise entre 800 C et 1200 C, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène et/ou de l'argon, mais pas d'oxygène. L'atmosphère gazeuse peut donc comporter au choix : exclusivement de l'hydrogène, ou exclusivement de l'argon, ou un mélange des deux, voire même l'un ou l'autre ou les deux associés à un autre gaz, à l'exclusion de l'oxygène. La durée du traitement est d'au moins 30 secondes et de préférence n'excède pas quelques minutes. L'hydrogène et/ou l'argon a pour effet d'éliminer l'oxyde natif éventuellement présent sur la ou les face(s) ainsi traitée(s), de passiver ces surfaces par des atomes d'hydrogène et également d'obtenir des rugosités de surface très faibles.
Ce traitement de préparation avant collage a également pour effet de rendre les surfaces traitées hydrophobes. Cet effet a été mis en évidence par la mesure de l'angle de contact d'une goutte d'eau qui conduit à une valeur de 80 . Cette valeur est largement supérieure à la valeur que l'on obtient après un traitement du type "HF last", qui est typiquement de 70 , voir l'article de Y. Bâcklünd, Karin Hermasson, L. Smith, Bond-strength measurements related to silicon surface hydrophilicity , J. Electrochem. Soc., Vol. 1398, No8, 1992. L'avantage de ce traitement est qu'aucune espèce n'est adsorbée sur la surface traitée. Comme l'atome d'hydrogène est très petit, lorsqu'il désorbe pour permettre la création de liaisons covalentes entre les faces avant 10 et 20 en vis-à- vis, il ne reste pas piégé à l'interface, diffuse dans le matériau et ne génère pas de défauts de dégazage. De plus, ce traitement est de type sec, contrairement par exemple au traitement "HF last" précité. Il est donc plus simple de le mettre en oeuvre car il ne nécessite pas de séchage.
Enfin, ce traitement de préparation avant collage a pour effet que les ions implantés, par exemple les ions He+, sont piégés et stabilisés au niveau des microcavités qui se forment et grandissent. Ceci aboutit à la coalescence des microcavités entre elles et à la fragilisation du matériau implanté dans la zone des microcavités. Toutefois, les conditions d'implantation sont choisies de façon à ce que le phénomène de coalescence précité n'aboutisse pas au détachement du reste 14 et de la couche 13. Le traitement de préparation avant collage peut être mis en oeuvre dans une chambre permettant des recuits à haute température, sous une atmosphère contrôlée, par exemple un four connu sous l'acronyme "RTP" (d'après l'expression anglaise "Rapid Thermal Process") monoplaque ou encore une chambre de bâti d'épitaxie. L'utilisation d'un four traditionnel, dans lequel les substrats sont traités par lots, peut également être envisagée.
Après le traitement précité, le collage des faces avant 10 et 20 doit se faire très rapidement, afin de limiter au maximum les risques de contamination par l'atmosphère ambiant. Cette étape de collage est représentée sur la figure 5. De façon avantageuse, il est également possible de stocker les substrats traités dans une chambre dont l'atmosphère est contrôlée pour ne contenir qu'un gaz neutre, typiquement de l'argon ou de l'azote. Un tel traitement permet d'augmenter le temps d'attente avant le collage des substrats donneur 1 et receveur 2. Il a également été remarqué que les surfaces ayant subi le traitement de préparation avant collage étaient beaucoup moins réactives que des surfaces préparées par le procédé précité HF last , ce qui permet de limiter la contamination en particules de ces surfaces. L'industrialisation en est rendue plus simple. L'étape de collage direct de la figure 5 correspond à une mise en contact intime des faces avant 10 et 20 respectives des substrats donneur 1 et 25 receveur 2, c'est-à-dire un collage par adhésion moléculaire. Cette étape de collage est suivie d'un traitement de renforcement du collage, mis en oeuvre sous forme d'un traitement thermique long, c'est-à-dire pendant au moins deux heures, à une température supérieure ou égale à 1 100 C. Comme représenté sur la figure 6, on procède ensuite au détachement 30 du reste 14 du substrat donneur 1. Ce détachement est purement mécanique. Un détachement "purement" mécanique est initié par une action mécanique, par exemple en faisant progresser un outil, tel qu'une lame, le long de la zone de fragilisation 12, depuis un côté du substrat, ou en appliquant à cet endroit 35 un jet d'air ou d'eau. i0 Lors de ce type de détachement purement mécanique, la structure peut également être mise en rotation afin de faciliter le détachement. On donnera ci-après un exemple de réalisation de l'invention.
Exemple 1 : Un substrat de silicium Si (1,1,0) recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (SiO2) a subi une implantation avec des ions hélium (He+) selon une dose légèrement inférieure à 1.1017He+/cm2 et une énergie d'implantation de 50 keV. L'oxyde de silicium SiO2 formé a ensuite été retiré par traitement dans une solution d'acide fluorhydrique (HF), suivi d'un nettoyage du type "RCA" précité. Ce substrat donneur en silicium, ainsi qu'un substrat receveur, également en silicium, mais d'orientation cristalline (1,0,0) ont ensuite été soumis au traitement de préparation avant collage, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène et de l'argon, pendant une durée d'environ 4 minutes, à une température de 1050 C. Les deux substrats 1 et 2 ont été collés par leurs faces avant respectives et ont subi un traitement thermique de renforcement du collage pendant 2 heures à 1 100 C.
Enfin, on a procédé au détachement du reste du substrat donneur, par un détachement purement mécanique, avec l'introduction d'une lame. On a ainsi pu obtenir un substrat du type DSB silicium/silicium. Ce produit présente ainsi une interface de collage de très bonne qualité nécessaire pour la réalisation des futurs composants.
Exemple 2 : Un substrat de silicium Si (1, 0, 0) recouvert d'une couche d'oxyde de silicium (SiO2) a subi une co-implantation hydrogène / fluor. Le fluor est implanté selon une dose d'environ 1.1015 F+/cm2 et une énergie d'implantation de 180 keV, l'hydrogène étant implanté à une dose d'environ 4.1016 H+/cm2 et une énergie d'implantation de 30 keV ; L'oxyde de silicium SiO2 formé a ensuite été retiré par traitement dans une solution d'acide fluorhydrique (HF), suivi d'un nettoyage du type "RCA" précité. Ce substrat donneur en silicium, ainsi qu'un substrat receveur, en 35 carbure de silicium polycristallin (pSiC) ont ensuite été soumis au traitement de 2914110 Il préparation avant collage, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène, pendant une durée d'environ 5 minutes, à une température de 800 C. Les deux substrats 1 et 2 ont été collés par leurs faces avant respectives et ont subi un traitement thermique de renforcement du collage pendant 5 3 heures à 1 000 C. Enfin, on a procédé au détachement du reste du substrat donneur, par un détachement purement mécanique, avec l'introduction d'un jet de fluide. On a ainsi pu obtenir un substrat du type SopSiC (c'est-à-dire "silicium sur carbure de silicium polycristallin) avec une interface de collage de très 10 bonne qualité.
Claims (8)
1. Procédé de fabrication d'un substrat hybride (5), qui comprend au moins deux couches de matériau cristallin (13,
2) collées directement l'une contre l'autre, dont une couche de matériau (13), dite "active", issue d'un substrat cristallin (1), dit "donneur", caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives suivantes consistant à : - effectuer une étape d'implantation d'au moins une catégorie d'espèces atomiques et/ou ioniques à l'intérieur dudit substrat donneur (1), de façon à y former une zone de fragilisation (12) qui délimite ladite couche active (13) du reste (14) du substrat donneur (1), - soumettre l'une des faces (10), dite "avant", du substrat donneur (1) et l'une des faces (20), dite "avant", d'un substrat cristallin (2), dit "receveur", à un traitement thermique, dit "de préparation avant collage", à une température comprise entre 800 C et 1200 C, dans une atmosphère gazeuse comprenant de l'hydrogène et/ou de l'argon, pendant une durée d'au moins 30 secondes, de façon à rendre lesdites faces avant (10, 20) hydrophobes, - coller directement l'une contre l'autre, lesdites faces avant (10, 20), - effectuer un traitement thermique des deux substrats (1, 2) dans des conditions permettant d'obtenir entre eux un collage fort, -détacher ledit reste (14), le long de la zone de fragilisation (12), par 20 une action purement mécanique, la nature, la dose d'implantation et l'énergie d'implantation desdites espèces atomiques et/ou ioniques étant choisies de façon à ce que les défauts induits par ces espèces à l'intérieur du substrat donneur (1), permettent le détachement ultérieur du reste (14) du substrat donneur, mais ne se développent pas suffisamment au cours 25 du traitement thermique de préparation avant collage, pour empêcher le collage ultérieur ou déformer la face avant (10) du substrat donneur (1). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans une atmosphère gazeuse contenant exclusivement de l'argon. 30
3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans une atmosphère gazeuse contenant exclusivement de l'hydrogène.
4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que ledit traitement de préparation avant collage est effectué dans un four de recuit thermique rapide de type "RTP".
5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le traitement thermique de renforcement du collage des deux substrats (1, 2) est effectué par un traitement thermique long, à une température supérieure ou égale à 1100 C, pendant au moins 2 heures.
6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les espèces implantées pour former la zone de fragilisation (12) sont choisies parmi l'hydrogène, l'hélium, le fluor, le néon, l'argon, le krypton ou le xénon.
7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la couche active (13) du substrat donneur (1) est constituée d'un matériau choisi parmi le silicium (Si), le silicium (1, 1, 0), le silicium (1, 0, 0), le silicium germanium (SiGe), le germanium (Ge), le carbure de silicium (SiC) et le nitrure de gallium (GaN).
8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le substrat receveur (2) est constitué au moins en partie d'un matériau choisi parmi le silicium (Si), le silicium (1, 1, 0), le silicium (1, 0, 0) et le carbure de silicium (SiC).20
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0702004A FR2914110B1 (fr) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Procede de fabrication d'un substrat hybride |
US11/832,431 US7575988B2 (en) | 2006-07-11 | 2007-08-01 | Method of fabricating a hybrid substrate |
PCT/IB2008/000567 WO2008114107A2 (fr) | 2007-03-20 | 2008-02-26 | Procédé de fabrication d'un substrat hybride |
JP2009554093A JP2010522426A (ja) | 2007-03-20 | 2008-02-26 | ハイブリッド基板の製造方法 |
CN2008800012478A CN101568992B (zh) | 2007-03-20 | 2008-02-26 | 混合基片的制造方法 |
KR1020097011274A KR101428614B1 (ko) | 2007-03-20 | 2008-02-26 | 하이브리드 기판의 제조 방법 |
EP08719275A EP2137755A2 (fr) | 2007-03-20 | 2008-02-26 | Procédé de fabrication d'un substrat hybride |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR0702004A FR2914110B1 (fr) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Procede de fabrication d'un substrat hybride |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
FR2914110A1 true FR2914110A1 (fr) | 2008-09-26 |
FR2914110B1 FR2914110B1 (fr) | 2009-06-05 |
Family
ID=38529493
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
FR0702004A Active FR2914110B1 (fr) | 2006-07-11 | 2007-03-20 | Procede de fabrication d'un substrat hybride |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2137755A2 (fr) |
JP (1) | JP2010522426A (fr) |
KR (1) | KR101428614B1 (fr) |
CN (1) | CN101568992B (fr) |
FR (1) | FR2914110B1 (fr) |
WO (1) | WO2008114107A2 (fr) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2938117B1 (fr) * | 2008-10-31 | 2011-04-15 | Commissariat Energie Atomique | Procede d'elaboration d'un substrat hybride ayant une couche continue electriquement isolante enterree |
US20130154049A1 (en) * | 2011-06-22 | 2013-06-20 | George IMTHURN | Integrated Circuits on Ceramic Wafers Using Layer Transfer Technology |
US9281233B2 (en) * | 2012-12-28 | 2016-03-08 | Sunedison Semiconductor Limited | Method for low temperature layer transfer in the preparation of multilayer semiconductor devices |
CN108701589A (zh) * | 2016-02-16 | 2018-10-23 | G射线瑞士公司 | 用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421953A (en) * | 1993-02-16 | 1995-06-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Method and apparatus for direct bonding two bodies |
EP1324385A2 (fr) * | 2001-12-21 | 2003-07-02 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies | Procédé de report de couches minces semi-conductrices et procéde d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procédé de report |
US20060208341A1 (en) * | 2001-04-17 | 2006-09-21 | California Institute Of Technology | Bonded substrate and method of making same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2748851B1 (fr) | 1996-05-15 | 1998-08-07 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une couche mince de materiau semiconducteur |
CN1260907A (zh) * | 1997-06-19 | 2000-07-19 | 旭化成工业株式会社 | Soi衬底及其制造方法和半导体器件及其制造方法 |
FR2835097B1 (fr) * | 2002-01-23 | 2005-10-14 | Procede optimise de report d'une couche mince de carbure de silicium sur un substrat d'accueil | |
KR100504163B1 (ko) | 2002-09-12 | 2005-07-27 | 주성엔지니어링(주) | Soi 기판 및 그 제조방법 |
US20040262686A1 (en) * | 2003-06-26 | 2004-12-30 | Mohamad Shaheen | Layer transfer technique |
FR2868599B1 (fr) | 2004-03-30 | 2006-07-07 | Soitec Silicon On Insulator | Traitement chimique optimise de type sc1 pour le nettoyage de plaquettes en materiau semiconducteur |
WO2006037783A1 (fr) * | 2004-10-04 | 2006-04-13 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Procédé de transfert d'une couche mince comprenant une perturbation controlée d'une structure cristalline |
-
2007
- 2007-03-20 FR FR0702004A patent/FR2914110B1/fr active Active
-
2008
- 2008-02-26 WO PCT/IB2008/000567 patent/WO2008114107A2/fr active Application Filing
- 2008-02-26 KR KR1020097011274A patent/KR101428614B1/ko active IP Right Grant
- 2008-02-26 JP JP2009554093A patent/JP2010522426A/ja not_active Withdrawn
- 2008-02-26 CN CN2008800012478A patent/CN101568992B/zh active Active
- 2008-02-26 EP EP08719275A patent/EP2137755A2/fr not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5421953A (en) * | 1993-02-16 | 1995-06-06 | Nippondenso Co., Ltd. | Method and apparatus for direct bonding two bodies |
US20060208341A1 (en) * | 2001-04-17 | 2006-09-21 | California Institute Of Technology | Bonded substrate and method of making same |
EP1324385A2 (fr) * | 2001-12-21 | 2003-07-02 | S.O.I. Tec Silicon on Insulator Technologies | Procédé de report de couches minces semi-conductrices et procéde d'obtention d'une plaquette donneuse pour un tel procédé de report |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
CHUNG TAEKRYONG ET AL.: "InGaAsP lasers on GaAs fabricated by the surface activated wafer direct bonding method at room temperature", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 37, no. 3B, March 1998 (1998-03-01), pages 1405 - 1407, XP002453643 * |
TONG QIN-YI ET AL.: "Low temperature wafer direct bonding", JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, vol. 3, no. 1, 1 March 1994 (1994-03-01), pages 29 - 35, XP002453642 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101568992A (zh) | 2009-10-28 |
EP2137755A2 (fr) | 2009-12-30 |
WO2008114107A3 (fr) | 2008-12-11 |
KR20090122176A (ko) | 2009-11-26 |
WO2008114107A2 (fr) | 2008-09-25 |
JP2010522426A (ja) | 2010-07-01 |
FR2914110B1 (fr) | 2009-06-05 |
KR101428614B1 (ko) | 2014-08-11 |
CN101568992B (zh) | 2011-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2903808A1 (fr) | Procede de collage direct de deux substrats utilises en electronique, optique ou opto-electronique | |
EP1344249B1 (fr) | Procédé de fabrication d'une structure empilée comprenant une couche mince adhérant à un substrat cible | |
EP2004768B1 (fr) | Procede d'assemblage de substrats avec traitements thermiques a basses temperatures | |
EP1902463B1 (fr) | Procede de diminution de la rugosite d'une couche epaisse d'isolant | |
US7575988B2 (en) | Method of fabricating a hybrid substrate | |
FR2855909A1 (fr) | Procede d'obtention concomitante d'au moins une paire de structures comprenant au moins une couche utile reportee sur un substrat | |
EP1811560A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat composite à propriétés électriques améliorées | |
FR2911430A1 (fr) | "procede de fabrication d'un substrat hybride" | |
EP1285461A1 (fr) | Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat | |
FR2923079A1 (fr) | Substrats soi avec couche fine isolante enterree | |
FR2905801A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche a haute temperature | |
FR2912259A1 (fr) | Procede de fabrication d'un substrat du type "silicium sur isolant". | |
JP7351987B2 (ja) | シリコン箔層の移転方法 | |
FR2914110A1 (fr) | Procede de fabrication d'un substrat hybride | |
FR2968121A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche a haute temperature | |
FR2851847A1 (fr) | Relaxation d'une couche mince apres transfert | |
EP3295480A1 (fr) | Procédé de collage direct | |
FR2928031A1 (fr) | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat support. | |
EP3503174B1 (fr) | Procede de transfert d'une couche utile | |
EP4256606A2 (fr) | Substrat donneur pour le transfert d'une couche mince et procede de transfert associe | |
FR2915624A1 (fr) | Procedes de collage et de fabrication d'un substrat du type a couche enterree tres fine. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
CD | Change of name or company name |
Owner name: SOITEC, FR Effective date: 20120423 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 10 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 11 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 12 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 14 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 15 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 16 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 17 |
|
PLFP | Fee payment |
Year of fee payment: 18 |