FR2912841A1 - Procede de polissage d'heterostructures - Google Patents

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Abstract

Procédé de polissage d'une hétérostructure (12) comprenant au moins une couche superficielle hétéroépitaxiale (121) relaxée sur un substrat (120) d'un matériau différent de celui de ladite couche hétéroépitaxiale. Le procédé comprend une première étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale (12) réalisée avec un tissu de polissage (14) ayant un premier taux de compressibilité et avec une solution de polissage ayant une première concentration de particules de silice. La première étape de polissage mécano-chimique est suivie d'une deuxième étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale (121), ladite deuxième étape étant réalisée avec un tissu de polissage ayant un second taux de compressibilité, supérieur audit premier taux de compressibilité, et avec une solution de polissage ayant une seconde concentration de particules de silice, inférieure à ladite première concentration.

Description

Domaine technique et art antérieur Ça présente invention concerne le
domaine des structures hétérogènes associant une couche tampon permettant la réalisation d'un matériau donné contraint sur un autre matériau différent. Un exemple d'une telle hétérostructure est la structure Si(l_)Ge() (x pouvant varier de 20% à 100% suivant le degré de contrainte désiré) comprenant une couche tampon de Si(l_x)Ge() relaxée réalisée par épitaxie sur un substrat de silicium. Lors de la réalisation par épitaxie de la couche de Si(l_x)Ge(), le désaccord de réseau cristallin entre le substrat de silicium et les couches de SiGe subséquentes entraîne l'apparition d'un réseau de contrainte appelé "cross-hatch" à la surface de la couche tampon de SiGe. Ce cross- hatch augmente la rugosité de surface de la couche tampon de SiGe relaxée. La surface de la couche tampon de SiGe relaxée est alors polie afin d'éliminer le cross-hatch et de réduire la rugosité de surface. A cet effet, la surface de la couche tampon de SiGe relaxée est planarisée par polissage mécano-chimique (CMP), technique de polissage bien connue qui met en oeuvre un tissu associé à une solution de polissage contenant à la fois un agent (ex. NH4OH) apte à attaquer chimiquement la surface de la couche et des particules abrasives (ex. particules de silice) aptes à attaquer mécaniquement ladite surface. Des solutions pour l'élimination de cross-hatch et la réduction de la 25 rugosité de surface sur des structures hétérogènes de SiGe par polissage mécano-chimique ont été proposées. Les documents "Planarization of SiGe virtual substrate by CMP and its application to strained Si modulation-doped structures", de Sawano et al, Journal of Crystal Growth, V251, p. 693-696 (2003) et "Surface 30 smoothing of SiGe strain-relaxed buffer layers by chemical mecanical polishing" de K. Sawano et al, Material science and engineering B89 p. 406-409 (2002), décrivent une solution dans laquelle la structure de SiGe est polie entre deux étapes d'épitaxie de manière à diminuer la rugosité de surface à des valeurs inférieures à 1 nm RMS (de l'ordre de 0,4 nm pour des surfaces de balayage ("scan area") de 10*10 pm2). Cependant, les vitesses de polissage obtenues avec cette solution sont relativement lentes, une vitesse d'enlèvement maximale de seulement 1,3 nm/sec peut être atteinte en jouant sur les paramètres de pression de polissage.
Les documents US 6 988 936 et 3P 11 197583 décrivent des procédés de finition ou de recyclage par polissage mécano-chimique d'une couche de silicium d'une structure SOI (silicium sur isolant) obtenue par la technologie Smart CutTM. Toutefois, ces procédés ne sont pas adaptés aux structures hétérogènes de SiGe. En effet, la vitesse de polissage obtenue avec ces procédés sur le silicium diminue d'un facteur 5 lorsqu'il s'agit de SiGe (VsIAIs,Ge=5). Les documents WO 2005/120775 et WO 2006/032298 divulguent des procédés de polissage mécano-chimique de couches de SiGe qui permette, en une seule étape de polissage, non seulement d'atteindre une vitesse d'enlèvement élevée grâce à un tissu de polissage/planarisation "dur" ou "intermédiaire" mais aussi d'obtenir une rugosité de surface inférieure à 0,2 nm RMS pour des surfaces de balayage de 10*10 pm2 réalisé au microscope à force atomique (AFM). Bien que les procédés de polissage décrits dans ces deux documents permettent d'obtenir une structure hétérogène de SiGe présentant une microrugosité de surface observée au microscope à force atomique relativement faible, ils ne garantissent pas pour autant un niveau de macrorugosité de surface suffisant pour répondre aux nouvelles exigences de qualité requises par la miniaturisation sans cesse croissante des composants à réaliser, par exemple, sur des structures de type sSOI réalisées à partir d'une hétérostructure (substrat donneur) formée d'un substrat support en silicium sur lequel on réalise une couche de SiGe relaxée par l'intermédiaire d'une couche tampon en SiGe, une couche de silicium contraint étant formée sur la couche de SiGe relaxée.
En effet, la déposante a observé que le niveau de la macrorugosité de surface déterminé par la mesure du "haie" de surface (signal basse fréquence spatiale issu de la lumière diffusée par les défauts de surface lorsque la plaque ou hétérostructure est illuminée par exemple dans un appareil de mesure de type SPI) est un paramètre tout aussi important que le niveau de microrugosité de surface pour qualifier l'état de surface d'une structure. Les exigences en matière de rugosité de surface sur les hétérostructures de SiGe après polissage mécano-chimique étant de plus en plus strictes, la caractérisation de la surface de ces structures doit tenir compte aussi de la mesure de macrorugosité. Des caractérisations d'hétérostructures de SiGe réalisées à basse fréquence spatiale, c'est-à-dire par mesure du haze de surface qui est représentatif de la rugosité de surface à grande échelle (pleine plaque), ont permis de démontrer qu'il existe une corrélation directe entre la macrorugosité de surface (niveau de haze mesurée au SPI) et la qualité finale du produit. La technique utilisée pour la mesure du niveau de haze sur des plaques ("wafers") est notamment décrite dans le document "Monotoring and Qualification Using Comprehensive Surface Haze Information" de Hoisteyns F. et al, Semiconductor Manufacturing, 2003 IEEE International Symposium, p. 378-381. La déposante a ainsi mis en évidence que le niveau de haze mesuré sur la surface de la couche de SiGe relaxée après polissage mécano-chimique conditionne la qualité de surface de la couche de silicium contraint formée sur cette couche et, par conséquent, le rendement du produit sSOI résultant (capacité d'intégration de composants). En d'autres termes, plus le niveau de haze post polissage mécano-chimique est faible, plus le rendement du produit final est élevé. Ainsi, en diminuant la macrorugosité post polissage mécano-chimique (c'est-à-dire la rugosité de surface mesurée à basse fréquence spatiale), il est possible d'atteindre les exigences de qualité de surface requises pour suivre la miniaturisation des composants et circuits. II existe, par conséquent, un besoin d'améliorer le niveau de rugosité de surface obtenu avec les procédés décrits dans les documents WO 2005/120775 et WO 2006/032298.
Résumé de l'invention
L'invention a pour but de remédier aux inconvénients précités et de proposer une solution de polissage ou de planarization permettant de réduire encore le niveau de rugosité présent à la surface de couches hétéroépitaxiales et en particulier le niveau de macrorugosité (haze). Ce but est atteint avec un procédé de polissage d'une hétérostructure comprenant au moins une couche superficielle hétéroépitaxiale relaxée sur un substrat d'un matériau différent de celui de ladite couche hétéroépitaxiale, procédé dans lequel, une première étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale réalisée avec un tissu de polissage ayant un premier taux de compressibilité et avec une solution de polissage ayant une première concentration de particules de silice, est suivie d'une deuxième étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale, ladite deuxième étape étant réalisée avec un tissu de polissage ayant un second taux de compressibilité, supérieur au premier taux de compressibilité, et avec une solution de polissage ayant une seconde concentration de particules de silice, inférieure à la première concentration. Lors de la première étape de polissage, on utilise de préférence un tissu de polissage "dur", par exemple ayant un taux de compressibilité compris entre 2 et 4 %, et notamment de 2 %. Bien qu'un tissu d'une 20 telle dureté (2 %) résulte dans une microrugosité (AFM 40*40 pm2) supérieure à celle obtenue avec un tissu ayant un taux de compressibilité "intermédiaire", par exemple de 6 % comme préconisé dans le document W02005/120775, l'ensemble des deux étapes du procédé selon l'invention permet d'éliminer de façon plus efficace à la fois le réseau de contraintes 25 appelé "cross-hatch", la microrugosité et la macrorugosité dite "haze". Plus précisément, les défauts constituant le cross-hatch sont alignés avec le réseau cristallin et sont de ce fait particulièrement stables et difficiles à planariser, tandis que des composantes aléatoirement disposées de la microrugosité sont plus faciles à éliminer. Lorsque la 30 première étape de polissage est effectuée avec un tissu très dur, il s'avère que le cross-hatch disparaît réellement, bien que la microrugosité reste globalement importante, notamment vis-à-vis de ses composantes aléatoirement disposées qui correspondent par exemple à des zones écroules dues au polissage. En effet, on observe des formes d'ondulations de surface aléatoirement disposées, tandis que le cross-hatch présente clairement une corrélation avec les axes cristallins. La microrugosité aléatoire est ensuite éliminée lors de la seconde étape de polissage, qui comporte, de préférence, l'utilisation d'un tissu de polissage intermédiaire, ayant par exemple un taux de compressibilité compris entre 5% et 9%, et notamment de 6%. En outre, grâce à l'élimination du cross-hatch lors de la première étape de polissage, la seconde étape de polissage permet de réduire la microrugosité globale à un niveau plus faible que dans le cas d'un procédé visant à minimiser la microrugosité directement en une seule étape, ce qui ne permet pas d'éliminer le cross-hatch complètement. Selon un aspect de l'invention, lors de la première étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris dans une première plage de valeurs alors que, lors de la deuxième étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris dans une seconde plage de valeurs au moins en partie inférieures aux valeurs de la première plage de valeurs. Lors de la première étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage peuvent avoir un diamètre compris entre 70 nm et 100 nm alors que, lors de la deuxième étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage peuvent avoir un diamètre compris entre 60 nm et 80 nm. Selon un autre aspect de l'invention, lors de la première étape de polissage, le tissu de polissage a un premier taux de compressibilité compris entre 2 % et 4 Io tandis que, lors de la deuxième étape de polissage, le tissu de polissage a un deuxième taux de compressibilité compris entre 5 % et 9 %. Selon encore un autre aspect de l'invention, lors de la première étape de polissage, la solution de polissage a une première concentration de particules de silice comprise entre 28 % et 30 % tandis que, lors de la deuxième étape de polissage, la solution de polissage a une deuxième concentration de particules de silice comprise entre 8 % et 11 %. Les paramètres précités (compressibilités, concentrations et diamètres des particules de silice) s'appliquent particulièrement lors que la couche hétéroépitaxiale est une couche de silicium-germanium. Cependant, le procédé de polissage de l'invention peut être appliqué à d'autres matériaux, par exemple à l'arséniure de gallium GaAs ou au nitrure de gallium Ga Ainsi, le cross-hatch est éliminé dans la première étape de polissage selon l'invention avec un tissu relativement dur, par rapport aux tissus qui conviennent au polissage d'un matériau prédéterminé, malgré un résultat de microrugosité médiocre comparé à celui obtenu avec un tissu intermédiaire. La microrugosité et la macrorugosité sont ensuite éliminées avec un tissu intermédiaire lors de la seconde étape de polissage selon l'invention. Ainsi, quelque soit le matériau, le procédé selon l'invention permet de réduire simultanément les trois formes de rugosité précitées, à savoir le réseau de contraintes "cross-hatch", la microrugosité aléatoire et la macrorugosité "haze". Selon un aspect de l'invention, la couche hétéroépitaxiale est une couche de silicium-germanium. La couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium présente, après la deuxième étape de polissage mécano-chimique, une microrugosité de surface inférieure à ()a nm RMS pour une mesure de rugosité réalisée au microscope à force atomique sur des surfaces de balayage de 2*2 pm2 et 10*10 pm2. En outre, la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium présente, après la deuxième étape de polissage mécano-chimique, une 25 macrorugosité de surface correspondant à un niveau de haze de surface inférieur à 0,5 ppm. Il est à noter qu'un polissage selon la seconde étape du procédé de l'invention n'est habituellement pas utilisé pour traiter du silicium-germanium mais seulement du silicium, car elle présente une vitesse 30 d'enlèvement de polissage très basse, de l'ordre de 0,2 nm/sec. Le procédé de polissage de l'invention décrit précédemment peut être avantageusement utilisé lors de la fabrication d'une structure sSOI, selon la technologie bien connue Smart CutTM, cette fabrication comprenant la formation d'une couche de silicium contraint sur une couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium appartenant à un substrat donneur, l'implantation d'au moins une espèce atomique dans le substrat donneur destinée à former un plan de fragilisation, le collage de la face de la couche silicium contraint avec une face d'un substrat receveur, le détachement de la couche en contact avec le substrat receveur par clivage au niveau du plan de fragilisation formé dans le substrat donneur. Dans ce cas, avant la formation de la couche de silicium contraint, la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium est polie conformément au procédé de polissage décrit ci-dessus, ce qui permet d'obtenir des plaques sSOI de très bonne qualité et de réduire, par conséquent, le nombre de plaques déclassées. Selon un aspect de l'invention, le substrat receveur comporte une couche d'oxyde thermique au niveau de sa face destinée à être collée avec la couche de silicium contraint. La couche d'oxyde est habituellement réalisée sur le substrat donneur, avant collage, par l'intermédiaire d'une étape d'oxydation de type TEOS dont la mise en oeuvre est complexe. En effet, une simple oxydation thermique présente l'inconvénient de trop réduire l'épaisseur de la couche de silicium contraint qui est déjà limitée par l'épaisseur critique de relaxation. Inversement, la couche d'oxyde peut être réalisée sur le substrat receveur, avant collage, par l'intermédiaire d'une étape d'oxydation thermique du substrat receveur de silicium massif. Cependant, ceci nécessite un très bon état de surface du silicium contraint et de la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium. Grâce au procédé selon l'invention, on atteint une qualité de surface de la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium, notamment en ce qui concerne les phénomènes de cross-hatch et de haze, qui permet de réaliser le collage du silicium contraint sur un substrat receveur comportant la couche d'oxyde thermique directement. La présente invention concerne également une hétérostructure comprenant au moins une couche superficielle de silicium-germanium relaxée sur un substrat de silicium, la couche hétéroépitaxiale présentant une microrugosité de surface inférieure à 0,1 nm RMS pour une mesure de rugosité réalisée au microscope à force atomique sur des surfaces de balayage de 2*2 pm2 et 10*10 pm2.
La couche hétéroépitaxiale présente en outre une macrorugosité de surface correspondant à un niveau de haze de surface inférieur à 0,5 ppm. L'invention concerne encore un substrat donneur destiné à être utilisé comme germe cristallin de croissance pour la formation par épitaxie d'au moins une couche de silicium contraint comprenant une hétérostructure telle que décrite précédemment.
Brève description des figures 10 - la figure 1 est une représentation schématique d'un outil de polissage qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le procédé de polissage conformément à un mode de réalisation de l'invention, - la figure 2 est une vue schématique en coupe d'une 15 hétérostructure comprenant une couche de silicium-germanium formée par hétéroépitaxie sur un substrat de silicium; - la figure 3 est un diagramme de type "box-plot" montrant des niveaux de haze obtenu après un polissage réalisé en une seule étape et un polissage réalisé en deux étapes conformément à l'invention, 20 - la figure 4 est un histogramme montrant des niveaux de microrugosité obtenu après un polissage réalisé en une seule étape et un polissage réalisé en deux étapes conformément à l'invention, - la figure 5 est un histogramme montrant des niveaux de microrugosité obtenu après un polissage réalisé en deux étapes 25 conformément à l'invention, - la figure 6 est un diagramme de type "box-plot" montrant le taux de défectivité finale obtenu sur des plaques sSOI suivant que la couche de SiGe du substrat donneur a subit un polissage réalisé en une seule étape ou un polissage réalisé en deux étapes conformément à 30 l'invention, - la figure 7 est un histogramme montrant le niveau de qualité et le statut de plaques sSC}I obtenus après un polissage réalisé une seule étape et un polissage réalisé en deux étapes conformément à l'invention. 9 Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention
Le procédé de polissage de la présente invention comprend deux étapes de polissage mécano-chimique, encore appelé polissage CMP, qui sont réalisées consécutivement mais dans des conditions opératoires différentes. En particulier, la première étape de polissage est réalisée avec un tissu de polissage relativement "dur", c'est-à-dire ayant un faible taux de compressibilité, et avec une solution de polissage ayant une "forte" concentration de particules de silice dont le diamètre est compris dans une plage de valeurs "fortes". On entend par un faible taux de compressibilité, un taux faible par rapport aux tissus qui conviennent au polissage d'un matériau prédéterminé. En tout état de cause, le premier taux de compressibilité est faible par rapport au second taux de compressibilité, qui est qualifié d'Intermédiaire". Pour une couche hétéroépitaxiale en silicium-germanium, par exemple, un tissu d'une compressibilité comprise entre 2% et 4% est considéré comme dur, tandis qu'une compressibilité d'environ 6% est définie comme intermédiaire.
On entend par une forte concentration de particules de silice, une concentration forte par rapport aux solutions de polissage qui conviennent au polissage d'un matériau prédéterminé. En tout état de cause, la première concentration est forte par rapport à la seconde concentration, qui est ainsi qualifiée de "faible". Pour une couche hétéroépitaxiale en silicium-germanium, par exemple, une concentration inférieure à 12% est considéré comme faible, tandis qu'une concentration supérieure à 20% est définie comme forte. On entend par une plage de valeurs fortes, des valeurs fortes (par exemple majoritairement ou en moyenne) par rapport aux solutions de polissage qui conviennent au polissage d'un matériau prédéterminé. En tout état de cause, les valeurs de la première plage sont essentiellement fortes par rapport aux valeurs de la seconde plage, qui sont ainsi qualifiées de "faibles", bien qu'un recouvrement partiel des plages n'est pas exclu. En effet, les particules d'une solution particulière ne sont jamais toutes du même diamètre et il est inévitable que les distributions des diamètres de différentes solutions se chevauchent. Ainsi, pour une couche hétéroépitaxiale en silicium-germanium, par exemple, une plage de valeurs entre 60 et 80 nm est considérée comme une plage de valeurs faibles, tandis qu'une plage de valeurs entre 70 et 100 nm est considérée comme une plage de valeurs fortes. La figure 1 illustre un outil de polissage 10 qui peut être utilisé pour mettre en oeuvre le procédé de polissage conformément à un mode de réalisation de l'invention. L'outil 10 comprend, d'une part, une tête de polissage 11 dans laquelle une hétérostructure 12 présentant une rugosité de surface à polir est insérée et, d'autre part, un plateau 13 recouvert d'un tissu de polissage 14. La tête de polissage 11 et le plateau 13 sont respectivement entraîné en rotation afin de polir la surface 121a de l'hétérostructure 12 en contact avec le tissu de polissage 14. Une pression de polissage Fe ainsi qu'un mouvement de translation représenté par une flèche 16 sont en outre appliqués à la tête 11 lors du polissage. Lors du polissage, une solution de polissage abrasive constituée d'au moins une solution colloïdale, telle qu'une solution de NH4OH contenant des particules de silice, est en outre injectée dans la tête de polissage 11 par un conduit 15 et dispensée par cette dernière sur le tissu de polissage 14. Le polissage de la surface 121a de l'hétérostructure 12 est, par conséquent, réalisé avec le tissu de polissage 14 imprégné de la solution de polissage. L'hétérostructure 12 est constituée au moins d'une couche hétéroépitaxiale 121 formée sur un substrat 120 en un matériau différent, la couche hétéroépitaxiale étant relaxée et présentant à sa surface un réseau de contrainte ou cross-hatch nécessitant un polissage. Comme illustré sur la figure 2, la structure hétérogène 12 peut être constituée d'une couche tampon relaxée de Si(l_x)Ge(x) 121 comprenant une couche graduelle de Si(l_x)Ge(x) 122 (x variant par exemple de 0 à 0,2 dans l'épaisseur de la couche) et une couche de Si(lx)Ge(x) uniforme 123 (par exemple x=0,2) formée par hétéroépitaxie sur un substrat de silicium 120. Le désaccord de réseau cristallin entre le substrat de silicium et les couches de SiGe formées sur ce dernier entraîne, lors du relâchement des Il contraintes, la formation d'une rugosité de relaxation de cross-hatch 124 à la surface de la couche de SiGe 123 correspondant à la surface 121a de l'hétérostructure 12. Après retrait du cross-hatch selon le procédé de polissage de l'invention décrit plus loin, l'hétérostructure 12 peut être utilisée pour former une couche de silicium contraint sSi qui peut être ensuite transféré sur un substrat receveur, tel qu'un substrat en silicium, en utilisant par exemple la technologie bien connue SmartCutTM. Après transfert de la couche de sSi, l'hétérostructure peut être réutilisée pour la formation d'une nouvelle couche de sSi après le polissage de la surface fracturée de la couche SiGe de l'hétérostructure toujours selon le procédé de l'invention. Dans la première étape de polissage, la surface de l'hétérostructure 12 subit un polissage mécano-chimique réalisé avec un tissu de polissage dit "dur", c'est-à-dire un tissu présentant un taux de compressibilité compris entre 2% et 4 %, de préférence 2%. La première étape de polissage mécano-chimique est également réalisée avec une solution de polissage dite "agressive", c'est-à-dire une solution colloïdale, par exemple une solution de NH4OH, contenant au moins 20% de particules de silice d'un diamètre compris entre 70 et 100 nm, et de préférence entre 28% et 30% de particules de silice. La vitesse d'enlèvement de la première étape de polissage est de préférence de 3 nm/sec et la durée de la première étape est d'environ 2 minutes. Cette première étape de polissage mécano-chimique permet d'éliminer le cross-hatch et de réduire la microrugosité de surface à environ 0,2 nm RMS, valeur de rugosité mesurée au microscope à force atomique (AFM) pour de surfaces de balayage ("scan area") de 10*10 pm2. Cependant, après cette première étape de polissage, l'hétérostructure 12 présente à sa surface 121a un niveau de macrorugosité de l'ordre de 20 ppm correspondant au niveau de "haze" de surface mesuré (signal basse fréquence spatiale issu de la lumière diffusée par les défauts de surface lorsque la plaque ou hétérostructure est illuminée par exemple dans un appareil de mesure de type SPI).
Conformément à l'invention, une deuxième étape de polissage mécano-chimique est réalisée afin de réduire le niveau de macrorugosité présent à la surface de l'hétérostructure. Cette deuxième étape de polissage de la surface 121a de l'hétérostructure 12 est effectuée avec un tissu de polissage dit "intermédiaire", c'est-à-dire un tissu présentant un taux de compressibilité compris entre 5 % et 9 %, de préférence 60k. Dans cette deuxième étape, le tissu de polissage correspond de préférence au tissu employé pour le polissage de finition du silicium dans la fabrication de structures SOI (Silicium Sur Isolant). Un exemple connu d'un tel tissu de polissage est le tissu SPM 3100 fourni par la société Rohm Haas. La deuxième étape de polissage mécano-chimique est réalisée avec une solution de polissage plus "douce" que celle utilisée dans la première étape, à savoir une solution colloïdale, par exemple une solution de NH4OH, contenant un taux de particules de silice inférieur à 12% environ, les particules de silice ayant un diamètre compris entre 60 et 80 nm. Préférentiellement, le taux de particules de silice est entre 8% et 11%. La vitesse d'enlèvement de la seconde étape de polissage est de préférence de 0,2 nm/sec et la durée de la deuxième étape est d'environ 3 minutes. Cette deuxième étape de polissage mécano-chimique permet de réduire la microrugosité de surface à une valeur inférieure à 0,1 nm RMS, valeur de rugosité mesurée au microscope à force atomique (AFM) pour des balayages de 2*2 pm2. Cette deuxième étape permet surtout d'obtenir à la surface 121a de l'hétérostructure 12 un niveau de macrorugosité de surface de l'ordre de 0,5 ppm correspondant au niveau de haze de surface mesuré avec un appareil de mesure de type SPI. Le niveau de haze obtenu après les deux étapes de polissage décrites précédemment est amélioré d'un facteur 40 par rapport à celui obtenu avec seulement la première étape de polissage. La figure 3 représente le niveau de haze obtenu après polissage d'une couche de SiGe formée sur un substrat de silicium comme dans l'hétérostructure 12 décrite précédemment, le polissage mécano-chimique étant réalisé respectivement, soit en une seule étape correspondant à la première étape de polissage décrite précédemment, soit en deux étapes correspondant aux première et deuxième étapes décrites précédemment. Les valeurs indiquées sur la figure 3 ont été mesurées avec un appareil de type SPi de la société KLA-Tencor en réglant le seuil de détection à 0,13 microns, c'est-à-dire la taille minimale de particules détectables. Cette figure montre clairement le gain obtenu sur le niveau de haze lorsque le polissage mécano-chimique est réalisé en deux étapes conformément à l'invention. Ainsi, le niveau de haze, après polissage CMP, passe de 19 ppm en médian à 0,31 ppm en médian grâce à la deuxième étape de polissage. La figure 4 montre les valeurs RMS de microrugosité de surface obtenues sur des couches hétéroépitaxiales de SiGe après des polissages CMP réalisés en une seule étape et en deux étapes conformément à l'invention. Les valeurs de microrugosité de surface présentées ont été mesurées au microscope à force atomique (AFM) pour des surfaces de balayage de 2*2 pm2 et de 40*40 pm2. Les valeurs indiquées sur la figure 4 montrent que la microrugosité de surface obtenue avec un polissage CMP réalisée en deux étapes conformément à l'invention est diminuée d'un facteur 2 pour des 20 balayages de 2*2 pm2 et d'un facteur 1,5 pour des balayages de 40*40 pm2. Ainsi, la microrugosité après un polissage CMP en deux étapes est inférieure à 0,1 nm RMS pour des balayages de 2*2 pm2, ce qui assure un très bon état de surface pour effectuer, par exemple, une reprised'épitaxie de silicium contraint ou un collage par adhésion moléculaire. 25 La figure 5 indique, en outre des valeurs de microrugosité de surface déjà présentés sur la figure 4 pour des balayages de 2*2 pm2 et de 40*40 pm2, la valeur de microrugosité de surface mesurée au microscope à force atomique (AFM) sur la même couche de SiGe pour des balayages de 10*10 pm2. Cette figure montre que la microrugosité de 30 surface obtenue pour des balayages de 2*2 pm2 est semblable avec un balayage plus grand de 10*10 pm2. La ou les couches de SiGe dont les résultats sont présentés dans les figures 3 à 5 ont été polies avec un appareil de polissage Mirra de la société Applied Materials avec les vitesses de rotation Vt de la tête de polissage et Vp du plateau de polissage suivantes: première étape de polissage: Vt comprise entre 75 et 95 tours/mn, préférentiellement 87 tours/mn, avec une pression appliquée à la tête de polissage comprise entre 5 et 9 psi, de préférence 7 psi; Vp comprise entre 85 et 100 tours/mn, préférentiellement 93 tours/mn; deuxième étape de polissage: Vt comprise entre 30 et 45 tours/mn, préférentiellement 36 tours/mn avec une pression appliquée à la tête de polissage comprise entre 3 et 6 psi, de préférence 5 psi; Vp comprise entre 25 et 40 tours/mn, préférentiellement 30 tours/mn; La figure 6 représente la défectivité observée sur des plaques de sSOI (Silicium contraint sur isolant) réalisée à partir d'hétérostructures dont la couche de SiGe, ayant servi de couche de croissance pour la couche de silicium contraint, a subi un polissage mécano-chimique réalisé, soit en une seule étape correspondant à la première étape de polissage décrite précédemment, soit en deux étapes correspondant aux première et deuxième étapes de polissage décrites précédemment.
Les valeurs indiquées sur la figure 6 ont été mesurées avec un appareil de type SPI de la société KLA-Tencor en réglant le seuil de détection à 0,4-0,5 microns, c'est-à-dire la taille minimale de particules détectables. La figure 6 permet de comparer la défectivité totale (représentée par le nombre de défauts indiqué en ordonnée) mesurée en oblique (correspondant à ALL [DCO] (Ali Defect Composite Oblic) sur la figure 6) et la défectivité totale mesurée en normal (correspondant à ALL [DCN] (All Defect Composite Normal) sur la figure 6) suivant que le polissage CMP a été effectué en une seule étape ou deux étapes. On constate que le polissage réalisé en deux étapes dans les conditions décrites précédemment, permet d'améliorer la défectivité sur le produit final sSOI d'un facteur 20 par rapport au polissage effectué en une seule étape (comparaison des "Median AIl [DCO]").
La figure 7 représente le statut attribué à des plaques de sSOI suivant que la couche de SiGe des hétérostructures à partir desquelles elles ont été réalisées a subi un polissage CMP soit en une seule étape correspondant à la première étape de polissage décrite précédemment, soit en deux étapes correspondant aux première et deuxième étapes de polissage décrites précédemment. Sur la figure 7, le statut "Prime" correspond au grade le meilleur pour les plaques, suivant les spécifications des clients, le statut "Monitor" correspond à un statut de moins bonne qualité (les plaques sont potentiellement livrables avec des spécifications finales plus larges que pour le statut "Prime"), et le statut "Déclassé" correspond à un rejet de la plaque, qui est trop défectueuse. Sur la figure 7, on peut voir clairement l'impact de la deuxième étape de polissage sur le rendement final des plaques. En effet, avec un polissage en une seule étape, le rendement final est de 100% de plaques déclassées. Alors qu'avec un polissage en deux étapes, il est de : 18 % de "Prime", -52% de "Monitor", et 30% de "Déclassés", soit 3 fois moins que pour un polissage en une seule étape.
La procédé de polissage décrit précédemment pour le polissage d'une couche hétéroépitaxiale de SiGe peut être également mis en oeuvre pour le polissage de couches hétéroépitaxiales d'arséniure de galium GaAs et de nitrure de Galium GaN. Les paramètres (taux de compressibilité tissu dans la 1ère et 2ème étapes, conentration particules de silices/diamètre particules dans la 1ère et 2ème étapes, etc.) indiqués en relation avec le polissage d'une couche de SiGe sont aussi applicables pour le polissage d'une couche hétéroépitaxiale de GaAs ou de GaN. Par conséquent, le procédé de polissage de la présente invention en mettant en oeuvre deux étapes de polissage dans les conditions définies précédemment permet de réduire considérablement, le cross hatch, la macrorugosité (mesure de haze) et la microrugosité de surface (mesurée au microscope à force atomique (AFM)). Cette amélioration sur l'état de surface des plaques permet notamment d'assurer un bon collage par adhésion moléculaire, et/ou une reprise d'épitaxie de silicium contraint.
Elle permet de plus d'obtenir une meilleure qualité des plaques en fin de procédé pour la réalisation de plaques sSoi puisque le nombre de plaques déclassées en final est réduit d'un facteur 3, ce qui augmente considérablement le nombre de plaques de très bonne qualité.5

Claims (17)

REVENDICATIONS
1. Procédé de polissage d'une hétérostructure (12) comprenant au moins une couche superficielle hétéroépitaxiale (121) relaxée sur un substrat (120) d'un matériau différent de celui de ladite couche hétéroépitaxiale, ledit procédé comprenant une première étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale (12) réalisée avec un tissu de polissage ayant un premier taux de compressibilité et avec une solution de polissage ayant une première concentration de particules de silice, caractérisé en ce que la première étape de polissage mécano-chimique est suivie d'une deuxième étape de polissage mécano-chimique de la surface de la couche hétéroépitaxiale (121), ladite deuxième étape étant réalisée avec un tissu de polissage ayant un second taux de compressibilité, supérieur audit premier taux de compressibilité, et avec une solution de polissage ayant une seconde concentration de particules de silice, inférieure à ladite première concentration.
2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, lors de la première étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris dans une première plage de valeurs et en ce que, lors de la deuxième étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris dans une seconde plage de valeurs au moins en partie inférieures aux valeurs de la première plage de valeurs.
3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que, lors 30 de la première étape de polissage, le tissu de polissage a un premier taux de compressibilité compris entre 2 % et 4 %.
4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, lors de la deuxième étape de polissage, le tissu depolissage a un deuxième taux de compressibilité compris entre 5 % et 9 %.
5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que, lors de la première étape de polissage, la solution de polissage a une première concentration de particules de silice comprise entre 28 % et 30 %.
6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que, lors de la deuxième étape de polissage, la solution de polissage a une deuxième concentration de particules de silice comprise entre 8 % et 11 %.
7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 6, caractérisé en ce que, lors de la première étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris entre 70 nm et 100 nm.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que, lors de la deuxième étape de polissage, les particules de silice de la solution de polissage ont un diamètre compris entre 60 nm et 80 nm.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, 25 caractérisé en ce que la couche hétéroépitaxiale (121) est une couche de silicium-germanium.
10. Procédé selon la revendication 9, caractérisée en ce que la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium présente, après la 30 deuxième étape de polissage mécano-chimique, une microrugosité de surface inférieure à 0,1 nm RMS pour une mesure de rugosité réalisée au microscope à force atomique sur des surfaces de balayage de 2*2 pm2 et 10*10 pm2.
11. Procédé selon la revendication 9 ou 10, caractérisée en ce que la couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium présente, après la deuxième étape de polissage mécano-chimique, une macrorugosité de surface correspondant à un niveau de haze de surface inférieur à 0,5 ppm.
12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce les première et deuxième étapes de polissage mécano-chimique sont réalisées dans un outil de polissage (10) comprenant une tête de polissage (11) dans laquelle l'hétérostructure (12) est disposée et un plateau recouvert (13) d'un tissu de polissage (14) en contact avec la surface de la couche hétéroépitaxiale à polir, la solution de polissage étant dispensée à partir de la tête de polissage.
13. Procédé de fabrication d'une structure sSOI comprenant la formation d'une couche de silicium contraint sur une couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium appartenant à un substrat donneur, l'implantation d'au moins une espèce atomique dans le substrat donneur destinée à former un plan de fragilisation, le collage de la face du substrat donneur avec une face d'un substrat receveur, le détachement de la couche en contact avec le substrat receveur par clivage au niveau du plan de fragilisation formé dans le substrat donneur, caractérisé en ce que, avant la formation de la couche de silicium contraint, ladite couche hétéroépitaxiale de silicium-germanium est polie conformément au procédé de polissage selon l'une quelconque des revendications 1 à 12.
14. Procédé de fabrication d'une structure sSOI selon la revendication 13, caractérisé en que le substrat receveur comporte une couche d'oxyde thermique sur sa face de collage.
15. Hétérostructure (12) comprenant au moins une couche superficielle hétéroépitaxiale de silicium-germanium (121) relaxée sur un substrat de silicium (120),30caractérisée en ce que la couche superficielle hétéroépitaxiale de silicium-germanium (121) est polie conformément au procédé de polissage selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, et en ce que la couche hétéroépitaxiale (121) présente une microrugosité de surface inférieure à 0,1 nm RMS pour une mesure de rugosité réalisée au microscope à force atomique sur des surfaces de balayage de 2*2 pm2 et 10*10 pm2.
16. Hétérostructure (12) selon la revendication 15, caractérisée en 10 ce que la couche hétéroépitaxiale (121) présente une macrorugosité de surface correspondant à un niveau de haze de surface inférieur à 0,5 ppm.
17. Substrat donneur destiné à être utilisé comme germe cristallin de croissance pour la formation par épitaxie d'au moins une couche de 15 silicium contraint, caractérisé en ce qu'il comprend une hétérostructure (12) selon la revendication 15 ou 16.
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US12/524,246 US20110117740A1 (en) 2007-02-15 2008-01-23 Method for polishing heterostructures
EP08702303A EP2118923A1 (fr) 2007-02-15 2008-01-23 Procédé de polissage d'hétérostructures
KR1020097014793A KR20090119834A (ko) 2007-02-15 2008-01-23 헤테로 구조물들의 연마 방법
CN2008800051631A CN101611477B (zh) 2007-02-15 2008-01-23 用于抛光异质结构的方法
JP2009549857A JP2010519740A (ja) 2007-02-15 2008-01-23 ヘテロ構造を研磨する方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110045654A1 (en) * 2008-06-10 2011-02-24 S.O.I.T.E.C. Silicon On Insulator Technologies Germanium layer polishing

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013077369A1 (fr) 2011-11-25 2013-05-30 株式会社 フジミインコーポレーテッド Composition de polissage
WO2013077368A1 (fr) 2011-11-25 2013-05-30 株式会社 フジミインコーポレーテッド Composition de polissage
JP6084965B2 (ja) 2012-03-16 2017-02-22 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP6113619B2 (ja) 2013-09-30 2017-04-12 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
CN104810270A (zh) * 2014-01-28 2015-07-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 研磨方法
US11798988B2 (en) 2020-01-08 2023-10-24 Microsoft Technology Licensing, Llc Graded planar buffer for nanowires
US11929253B2 (en) * 2020-05-29 2024-03-12 Microsoft Technology Licensing, Llc SAG nanowire growth with a planarization process
US11488822B2 (en) 2020-05-29 2022-11-01 Microsoft Technology Licensing, Llc SAG nanowire growth with ion implantation

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2860340A1 (fr) * 2003-09-30 2005-04-01 Soitec Silicon On Insulator Collage indirect avec disparition de la couche de collage
WO2006032298A1 (fr) * 2004-09-22 2006-03-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Planarisation d'heterostructures epitaxiales comprenant un traitement thermique

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US566416A (en) * 1896-08-25 Telephonic apparatus
US3429080A (en) * 1966-05-02 1969-02-25 Tizon Chem Corp Composition for polishing crystalline silicon and germanium and process
US3922393A (en) * 1974-07-02 1975-11-25 Du Pont Process for polishing silicon and germanium semiconductor materials
US4022625A (en) * 1974-12-24 1977-05-10 Nl Industries, Inc. Polishing composition and method of polishing
US4453074A (en) * 1981-10-19 1984-06-05 American Express Company Protection system for intelligent cards
US4924513A (en) * 1987-09-25 1990-05-08 Digital Equipment Corporation Apparatus and method for secure transmission of data over an unsecure transmission channel
US4932057A (en) * 1988-10-17 1990-06-05 Grumman Aerospace Corporation Parallel transmission to mask data radiation
US5010572A (en) * 1990-04-27 1991-04-23 Hughes Aircraft Company Distributed information system having automatic invocation of key management negotiations protocol and method
US5051745A (en) * 1990-08-21 1991-09-24 Pkware, Inc. String searcher, and compressor using same
US5514245A (en) * 1992-01-27 1996-05-07 Micron Technology, Inc. Method for chemical planarization (CMP) of a semiconductor wafer to provide a planar surface free of microscratches
US5375244A (en) * 1992-05-29 1994-12-20 At&T Corp. System and method for granting access to a resource
US5267314A (en) * 1992-11-17 1993-11-30 Leon Stambler Secure transaction system and method utilized therein
JP2550864B2 (ja) * 1993-05-31 1996-11-06 日本電気株式会社 ジョブ実行における分散型制御方法及びその装置
GB9323489D0 (en) * 1993-11-08 1994-01-05 Ncr Int Inc Self-service business system
UA41387C2 (uk) * 1994-01-13 2001-09-17 Сертко, Інк Спосіб установлення вірогідного перевірюваного зв'язку, спосіб захищеного зв'язку, спосіб оновлення мікропрограмного забезпечення, спосіб здійснення шифрованого зв'язку та спосіб надання перевіреному на справжність пристрою права на проведення електронної транзакції
US5748735A (en) * 1994-07-18 1998-05-05 Bell Atlantic Network Services, Inc. Securing E-mail communications and encrypted file storage using yaksha split private key asymmetric cryptography
US5790677A (en) * 1995-06-29 1998-08-04 Microsoft Corporation System and method for secure electronic commerce transactions
US5717758A (en) * 1995-11-02 1998-02-10 Micall; Silvio Witness-based certificate revocation system
US5666416A (en) * 1995-10-24 1997-09-09 Micali; Silvio Certificate revocation system
US6345314B1 (en) * 1995-10-27 2002-02-05 International Business Machines Corporation Technique to minimize data transfer between two computers
US6301659B1 (en) * 1995-11-02 2001-10-09 Silvio Micali Tree-based certificate revocation system
US6026163A (en) * 1995-12-13 2000-02-15 Micali; Silvio Distributed split-key cryptosystem and applications
US5615269A (en) * 1996-02-22 1997-03-25 Micali; Silvio Ideal electronic negotiations
GB9606736D0 (en) * 1996-02-19 1996-06-05 Shire International Licensing Therapeutic method
US5761306A (en) * 1996-02-22 1998-06-02 Visa International Service Association Key replacement in a public key cryptosystem
US5666414A (en) * 1996-03-21 1997-09-09 Micali; Silvio Guaranteed partial key-escrow
US5823948A (en) * 1996-07-08 1998-10-20 Rlis, Inc. Medical records, documentation, tracking and order entry system
US5983350A (en) * 1996-09-18 1999-11-09 Secure Computing Corporation Secure firewall supporting different levels of authentication based on address or encryption status
US5903652A (en) * 1996-11-25 1999-05-11 Microsoft Corporation System and apparatus for monitoring secure information in a computer network
US5903882A (en) * 1996-12-13 1999-05-11 Certco, Llc Reliance server for electronic transaction system
US5895550A (en) * 1996-12-16 1999-04-20 Micron Technology, Inc. Ultrasonic processing of chemical mechanical polishing slurries
US5940507A (en) * 1997-02-11 1999-08-17 Connected Corporation Secure file archive through encryption key management
US6240183B1 (en) * 1997-06-19 2001-05-29 Brian E. Marchant Security apparatus for data transmission with dynamic random encryption
US6151395A (en) * 1997-12-04 2000-11-21 Cisco Technology, Inc. System and method for regenerating secret keys in diffie-hellman communication sessions
US6521041B2 (en) * 1998-04-10 2003-02-18 Massachusetts Institute Of Technology Etch stop layer system
US20020019202A1 (en) * 1998-06-10 2002-02-14 Thomas Terence M. Control of removal rates in CMP
US6289509B1 (en) * 1998-09-01 2001-09-11 Pkware, Inc. Software patch generator
US6345101B1 (en) * 1998-10-07 2002-02-05 Jayant Shukla Cryptographic method and apparatus for data communication and storage
GB9825606D0 (en) * 1998-11-24 1999-01-13 Duraweld Ltd Compact disc storage
JP4450126B2 (ja) * 2000-01-21 2010-04-14 日新電機株式会社 シリコン系結晶薄膜の形成方法
US6603156B2 (en) * 2001-03-31 2003-08-05 International Business Machines Corporation Strained silicon on insulator structures
FR2842755B1 (fr) * 2002-07-23 2005-02-18 Soitec Silicon On Insulator Rincage au moyen d'une solution de tensioactif apres planarisation mecano-chimique d'une tranche
WO2005120775A1 (fr) * 2004-06-08 2005-12-22 S.O.I. Tec Silicon On Insulator Technologies Planarisation d'une couche heteroepitaxiale

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2860340A1 (fr) * 2003-09-30 2005-04-01 Soitec Silicon On Insulator Collage indirect avec disparition de la couche de collage
WO2006032298A1 (fr) * 2004-09-22 2006-03-30 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Planarisation d'heterostructures epitaxiales comprenant un traitement thermique

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
MING-SHAN SHIEH ET AL: "The CMP process and cleaning solution for planarization of strain-relaxed SiGe virtual substrates in MOSFET applications", JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY ELECTROCHEM. SOC USA, vol. 153, no. 2, February 2006 (2006-02-01), pages G144 - G148, XP002455714, ISSN: 0013-4651 *
SAWANO K ET AL: "Mobility enhancement in strained Ge heterostructures by planarization of SiGe buffer layers grown on Si substrates", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PART 2 (LETTERS) JAPAN SOC. APPL. PHYS JAPAN, vol. 44, no. 42-45, 2005, pages L1320 - L1322, XP002455713, ISSN: 0021-4922 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110045654A1 (en) * 2008-06-10 2011-02-24 S.O.I.T.E.C. Silicon On Insulator Technologies Germanium layer polishing
US8304345B2 (en) * 2008-06-10 2012-11-06 Soitec Germanium layer polishing

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