FR2679665A1 - Modulateur spatial de lumiere. - Google Patents
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Abstract
L'invention concerne un modulateur spatial de lumière au silicium. Il comporte une contre-plaque (11) en silicium portant une couche isolante (12) et une grille de séparation en matière isolante'déposée sur la contre-plaque afin de définir un réseau de cellules. Une électrode (17) est déposée dans chaque cellule sur la contre-plaque. Une mince membrane (18) en silicium dopé est montée sur la grille d'écartement et au-dessus du réseau de cellules et d'électrodes. Des miroirs (20) sont appliqués sur la membrane pour former un réseau de pixels réfléchissants sur le réseau de cellules. Domaine d'application: corrélateurs, réseaux optiques neuraux, etc.
Description
Des modulateurs spatiaux de lumière sont utilisés en tant qu'élément actif
dans de nombreuses applications à des processeurs optiques, par exemple dans des corrélateurs
et des réseaux optiques neuraux.
La présente invention concerne des modulateurs spatiaux de lumière (MSL) et plus particulièrement des modulateurs spatiaux de lumière utilisant une technologie de miroir déformable L' invention concerne plus particulièrement un modulateur spatial perfectionné de lumière ayant un haut rendement de diffraction, une faible diffraction parasite, une excellente stabilité thermique et une aptitude à traiter
des hautes puissances.
Sous une forme, des modulateurs spatiaux de lumière du type à miroir déformable ont été réalisés en tant que réseau d'éléments de miroir ou pixels formés sur une membrane ou une structure en pétales supportée par une grille à distance d'un réseau correspondant d'électrodes déposé sur un substrat et pouvant être déplacés individuellement par l'application d'un champ électrique local tel qu'appliqué à
chaque électrode pour dévier l'élément de miroir correspon-
dant Lors d'une déviation en suivant une configuration
appropriée conforme à l'état de signaux électriques appli-
qués, la déviation collective des éléments ou pixels provoque une variation de phase du front d'onde d'un faisceau lumineux réfléchi depuis le réseau afin qu'une information portée dans l'état du signal électrique soit codée sur un faisceau
lumineux réfléchi par le réseau.
Les modulateurs spatiaux de lumière de l'art antérieur de ce type général sont connus d'après les brevets des Etats-Unis d'Amérique N O 4 441 791 et N O 4 571 603, et d'après le document "Characteristics of the deformable Mirror
Device for Optical Information Processing", Opt Eng Nov -
Dec 1983, vol 22 N O 6, pages 675-681 Dans ces références, il est proposé un modulateur spatial de lumière utilisant un diaphragme à polymère supporté par une grille au-dessus d'un
réseau d'électrodes monté sur une contre-plaque Les réfé-
rences décrivent la théorie de fonctionnement d'un tel dispositif Une analyse attentive de ce type de dispositif montre que le rendement de diffraction est inférieur à celui souhaitable et très inférieur à un pourcentage notable de celui disponible; la sensibilité à la température due à l'utilisation de matières dissemblables est notable; et les paramètres de déflexion sont inférieurs à l'optimum Ces limitations sont dues principalement à l'utilisation de matières dissemblables, c'est-à-dire une matière de diaphragme à polymère sur une contre- plaque en silicium Le polymère présente un coefficient de dilatation thermique très différent de celui du silicium de sorte que la tension qui est développée dans le diaphragme change notablement sur une
plage de températures En outre, la cavité entre la contre-
plaque et le diaphragme est sensible à la pression de sorte
que le transducteur lui-même devient sensible à la pression.
La nature en tambour de la déflexion du diaphragme limite le rendement de diffraction Les dispositifs de ce type montrés dans cette technique ne sont donc pas aisément adaptables à une utilisation sur une large gamme de températures ou à des
fins de modulation impliquant une opération à haute fré-
quence De plus, l'utilisation de puissances notables du faisceau de rayonnement incident est également limitée du fait des limites thermiques du diaphragme qui, pour la plupart des matières plastiques, sont inférieures à environ 'C. Un certain nombre d'autres brevets de l'art antérieur décrivent des modulateurs spatiaux de lumière ayant des constructions différentes avec, cependant, des défauts similaires Des exemples de telles autres constructions sont donnés dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N O 4 956 619,
le brevet européen EP O 332 953 A 2 et les brevets des Etats-
Unis d'Amérique No 4 662 746, N O 4 615 595 et No 4 710 732.
Lorsque la structure utilise un diaphragme réalisé sous la forme d'une structure en pétales ou en volets dans laquelle des bords de chaque pétale sont articulés sur un support sur un côté et autrement totalement libre comme dans le brevet N O 4 615 595 précité, un problème naît d'une diffraction parasite même en l'absence d'une déflexion volontaire des pétales du fait de la tendance de chacun des pétales à s'incurver sous l'effet de contraintes induites par une gravure dans le processus de fabrication De plus, des modulateurs de lumière utilisant des constructions en pétales communiquent par leur nature une inclinaison au faisceau, ce
qui est indésirable.
On a donc besoin d'un modulateur spatial compact perfectionné de lumière qui surmonte les limitations et inconvénients de l'art antérieur et qui est particulièrement adapté à la modulation de phase de faisceaux laser à haute puissance. D'une façon générale, la présente invention a pour objet de procurer un modulateur spatial perfectionné de
lumière qui surmonte les limitations et inconvénients ci-
dessus Un autre objet de l'invention est de procurer un modulateur spatial de lumière du type ci-dessus, qui est thermiquement stable pour fonctionner sur une large gamme de températures Un autre objet de l'invention est de procurer un modulateur spatial de lumière du type cidessus qui peut fonctionner avec des niveaux de puissance incidente très élevés pouvant atteindre 1000 watts Un autre objet de l'invention est de procurer un modulateur spatial de lumière du type ci-dessus qui présente un rendement de diffraction
notablement accru.
Conformément à l'invention, il est prévu un modulateur spatial de lumière comprenant une contre-plaque en silicium ayant une mince couche isolante sur laquelle est déposée une seconde couche de matière isolante formant une35 grille de séparation pour définir un réseau de cellules La matière sur la grille possède un coefficient de dilatation similaire à celui du silicium Une électrode est déposée sur la mince couche isolante sur la contre-plaque dans chaque cellule Une mince membrane en silicium dopé est montée sur la grille de séparation et au- dessus du réseau de cellules et des électrodes Une surface hautement réfléchissante est déposée sur la membrane, sur la face tournée à l'écart de la
contre-plaque, afin de créer un réseau de pixels réfléchis-
sants sur le réseau de cellules, lequel, lorsque l'électrode respective est chargée sélectivement, amène les parties individuelles de la membrane et du pixel s'étendant au-dessus
de chaque cellule à être déviées par une attraction électro-
statique entre la membrane et l'électrode conformément à une configuration correspondant à l'état des signaux électriques appliqués aux électrodes Un trou d'évent est formé dans
chaque cellule à partir du côté à électrodes de la contre-
plaque jusqu'à son côté opposé pour évacuer le gaz de la cellule lorsque le diaphragme est dévié, et des gorges s'étendent sur la face de la contre-plaque et au-dessus de la cellule pour couper le trou d'évent afin d'aider à évacuer le gaz de la cellule et à travers le trou Le trou d'évent est avantageusement dimensionné et réalisé pour un amortissement critique du mouvement de la masse du diaphragme déviée à ladite cellule afin de maîtriser le mouvement provoqué par la déflexion électrostatique Des articulations à flexion de section transversale réduite sont formées dans le diaphragme le long de la ligne fermée s'étendant le long du périmètre intérieur de la grille de séparation, afin que le diaphragme se déplace davantage en mode à piston à l'intérieur de
l'articulation à flexion.
Ces particularités et autres de l'invention
ressortiront de la description suivante d'une structure
perfectionnée de modulateur spatial de lumière constituée essentiellement d'une seule pièce du type silicium, sous la
forme d'un monocristal.
L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: la figure 1 est une vue en plan d'une cellule unique d'un modulateur spatial de lumière réalisé confor- mément à l'invention, le diaphragme étant enlevé pour montrer la structure intérieure d'une cellule; la figure 2 est une vue en coupe suivant la ligne 2-2 de la figure 1, l'embase de montage étant enlevée; la figure 3 est une vue en coupe suivant la ligne 3-3 de la figure 1, une embase de montage étant en place; la figure 4 A montre un modèle d'une cellule sans articulation à flexion de diaphragme du réseau des figures 1 à 3, illustrant son fonctionnement en réponse à une tension de déviation; la figure 4 B est un graphique illustrant le fonctionnement du modèle de la figure 4 et montrant le déplacement en fonction de la tension de déviation; la figure 5 est une vue en plan d'une cellule d'une variante de réalisation d'un modulateur spatial de lumière réalisé conformément à l'invention; la figure 6 est une vue en coupe suivant la ligne 6-6 de la figure 5; et la figure 7 est une vue en coupe suivant la ligne
7-7 de la figure 5.
Le modulateur spatial 10 de lumière de la présente invention comprend une contre-plaque 11 en silicium sur laquelle est formé un revêtement isolant 12 en dioxyde de silicium La contre-plaque il est liée à et supportée par une embase 13 destinée à supporter l'ensemble du dispositif Une grille 14 de séparation en matière isolante telle que du Si O 2 est formée sur la contre-plaque il pour définir un réseau de cellules dont l'une, 15, est montrée en détail Chaque
cellule définit un pixel qui peut être carré, comme repré-
senté Dans la zone de chaque cellule, une électrode 17 de déviation est déposée sur le revêtement 12 d'oxyde Un diaphragme 18 en silicium dopé est lié à la grille 14 par des moyens convenables tels qu'une interface 19 de liaison réalisée en verre Des miroirs élémentaires 20 tournés vers l'extérieur sont déposés sur le diaphragme 18, à savoir un
élément 20 sur chaque cellule pour définir un pixel réflé-
chissant pour celle-ci, ou bien la surface entière du miroir
tournée vers l'extérieur est revêtue de la matière réfléchis-
sante. La contre-plaque il est réalisée à partir d'une tranche de silicium du type p à travers laquelle des trous d'évent 21 sont réalisés par gravure en une position centrale à l'intérieur de chaque cellule 15 à partir à la fois de la face supérieure et de la face inférieure de la contre-plaque 11, formant ainsi un trou traversant Plusieurs gorges 22 à 28 sont formées sur la face supérieure de la contre-plaque dans chaque cellule de façon à se croiser mutuellement et à croiser le trou d'évent respectif 21 Chaque trou d'évent 21 et les gorges associées 22 à 28 sont réalisés à une dimension permettant à un gaz de s'échapper de l'intérieur de la cellule et à travers le trou d'évent lorsque l'élément de diaphragme est dévié, et ils assurent aussi un amortissement du mouvement, lequel peut être établi à un amortissement spécifique critique, pour arrêter le mouvement de l'élément
de diaphragme après que la tension appliquée a été modifiée.
Le diaphragme 18 est réalisé en silicium dopé de façon à être suffisamment conducteur pour pouvoir être placé un potentiel de masse de référence pour le fonctionnement du dispositif, un niveau de dopage de 1018 par cm 3 étant suffisant à cet effet Le mouvement du diaphragme est commandé par le champ électrostatique développé entre lui et l'électrode de cellule lors de l'application de la tension de
déviation, comme décrit ci-après.
Le diaphragme 18 est gravé le long du bord intérieur de la grille autour de chaque cellule 15 de façon à former une articulation à flexion 30 à paroi mince sous la forme d'une courbe fermée délimitée sur le côté extérieur par
une arête 32 reposant sur la grille 14 et liée à celle-ci.
L'articulation à flexion 30 définit une zone centrale 37 de piston du diaphragme de plus forte épaisseur dans tout l'intérieur de l'articulation à flexion, qui s'étend en opposition à l'électrode 17 de la cellule En fonctionnement, l'application d'une charge sélective à une électrode 17 à l'aide d'un signal électrique attire le piston de diaphragme et provoque une déviation du piston vers l'électrode et la contre-plaque, le volume d'air déplacé étant évacué à travers le trou d'évent 21 Ceci évite la sensibilité à la pression et stabilise aussi de façon mécanique les mouvements du
diaphragme à la suite d'une variation d'un signal appliqué.
La face du diaphragme tournée à l'écart de la contre-plaque est pourvue d'une couche réfléchissante qui peut être en chrome ou en d'autres matières réfléchissantes convenables choisies en fonction de la longueur d'onde de fonctionnement. Un conducteur 33 s'étend depuis l'électrode 17 à travers le trou d'évent respectif 21 pour être connecté à un circuit électrique échantillonneur-bloqueur 36 qui peut être commodément connecté par l'intermédiaire d'un contact 37 à
perle de soudure entre l'embase 13 et la contre-plaque 11.
Le circuit échantillonneur-bloqueur 36 est un
circuit classique, tel qu'utilisé dans le circuit échantil-
lonneur monolithique BIFET disponible auprès de la firme National Semiconductor sous la désignation LF-198 et qui peut être appliqué par un circuit d'attaque XY à entrée logique analogue (non représenté) ayant un signal de sortie de O à
18 volts environ.
La partie supérieure de l'embase 13 est une couche 38 La couche 38 est un circuit intégré au silicium contenant un circuit approprié 36 pour chaque cellule et d'autres circuits (non représentés) tels que nécessaires pour
la fonction adressable XY.
L'embase 13 en silicium est liée à la couche 38 de silicium par une couche de liaison 40 La couche de liaison 40 peut être une couche de verre ou une autre couche convenable pour joindre entre elles deux surfaces de silicium. La contre-plaque il en silicium est gravée de façon que des plots 41 de contact soient formés Des liaisons 42 en verre ou en d'autres agents de liaison lient les plots de contact à la couche 38 de silicium Le but des plots de contact est de maintenir avec précision l'écartement entre la contre-plaque 11 et la couche 38 Il est possible qu'un contact électrique puisse également être réalisé avec cette liaison mécanique, auquel cas celui-ci remplace la perle de
soudure 37.
Les matières utilisées dans la construction ont été choisies avec soin pour la stabilité thermique du
dispositif assemblé Le dispositif est soumis à un micro-
usinage et à un assemblage utilisant une technologie,
généralement connue, de façonnage et de liaison du silicium.
Un exemple d'un processus pour réaliser un modulateur spatial
de lumière selon l'invention sera à présent donné.
La plaque de base est formée à partir d'une tranche de silicium de type p (bore, 1016/cm 3) d'un diamètre de 76 à 152 mm et d'une épaisseur de 0, 30 à 0,63 mm La tranche est d'abord traitée de façon que les gorges 22 à 28 soient gravées et que la partie des trous d'évent 21 soit
gravée dans la surface supérieure de la contre-plaque 11.
Puis la partie restante des trous d'évent 21 est gravée dans la surface inférieure de la contre-plaque 11 Ensuite, une couche d'oxyde de silicium de 4 micromètres est formée par croissance de façon à constituer la grille de séparation 14
suivie de la couche 12 d'oxyde de champ d'environ 0,5 micro-
mètre pour l'isolation électrique entre les éléments.
Ensuite, une couche d'électrodes conductrice en platine-polysilicium pour haute température (Pt fritté dans du silicium polycristallin pour former du siliciure de platine) est définie pour établir les conducteurs 33 et chacune des électrodes 17 Une couche de verre 19 de liaison est déposée sélectivement sur la grille 14 pour être utilisée ensuite pour la liaison du diaphragme à la grille Le verre est un verre au borosilicate du type 7059 (Corning) de façon
à être adapté aux propriétés thermiques du silicium.
En variante, un simple métal tel que de l'alumi-
nium peut être utilisé à la place du siliciure de platine avec une couche de verre de liaison à plus basse température,
telle que du verre Corning 7556.
Le diaphragme est fabriqué à partir d'une tranche de silicium monocristallin de type p (bore, 1016/cm 3), d'un diamètre de 76 à 152 mm, dont une face reçoit par croissance épitaxiale une couche de silicium de type _ (arsenic ou phosphore, 1018/cm 3) ayant une épaisseur de 3 micromètres, laquelle forme, avec la tranche d'origine, une jonction PN qui est polarisée électriquement pour former une butée de gravure à l'interface de la jonction, à utiliser lors d'un processus ultérieur de gravure L'objet de l'utilisation d'une technique de croissance épitaxiale est de permettre ensuite l'enlèvement (par gravure) de la plus grande partie de la tranche d'origine et de ne laisser que la couche
obtenue par croissance épitaxiale, supportée au bord périphé-
rique par une bague annulaire de la matière d'origine.
L'élément à diaphragme restant, dont l'épaisseur est ajustée avec soin, est constitué alors uniquement de la couche de type n, obtenue par croissance épitaxiale, d'une épaisseur de
3 micromètres, supportée par une bague annulaire.
Le dessin des articulations à flexion est
appliqué par photolithographie appropriée et les arti-
culations à flexion 30 sont gravées dans la couche épitaxiale à une profondeur de 2 micromètres, laissant une bande d'articulation à flexion de 1 micromètre formant une courbe fermée qui s'étend le long du bord intérieur de chaque cellule. Le diaphragme est ensuite aligné avec précision sur la contre-plaque et la grille Une petite dépression est appliquée par l'intermédiaire des trous d'évent pour exercer
une pression de liaison entre le diaphragme et la contre-
plaque et l'ensemble est chauffé à une température de liaison de 8250 C (pour la liaison du verre 7059), laquelle est suffisante pour souder par fusion le revêtement de verre à la grille et au diaphragme et pour engendrer une structure
totalement liée entre le diaphragme et la grille.
La couche de chrome est pulvérisée sur la surface entière, tournée vers l'extérieur, du diaphragme à travers un
masque perforé Si cela est nécessaire pour des parti-
cularités spécifiques, à savoir un rendement de réflexion en fonction de la longueur d'onde, un métal supplémentaire tel que de l'argent ou de l'or peut être appliqué sur la couche de chrome Si plusieurs réseaux modulateurs sont réalisés sur une seule tranche précédemment gravée, des gorges en V peuvent être utilisées en tant que motifs de rupture pour les séparer. En référence à présent aux figures 4 A et 4 B, un modèle du fonctionnement de la cellule est montré ainsi que les courbes de déviation Par l'utilisation d'un modèle simplifié, la force attractive incrémentielle sur un diaphragme circulaire, supposé sur la figure 4 A, serait alors
d F V 2 d-
2 d 2 (r) ( 1) il
o d est la distance de l'électrode au diaphragme en dévia-
tion, r est la distance radiale à partir de l'axe de symé-
trie, W est la déviation du diaphragme et V est la tension appliquée A titre d'approximation, la forme relative de la déviation du diaphragme est supposée être donnée par l'équa- tion ( 2) L'équation de déviation relative ( 2) est appropriée pour un diaphragme dévié par une différence de pression à travers le diaphragme o on peut lier wm à la différence de pression, comme donné dans l'équation ( 3) Dans ce calcul, on suppose que l'amplitude et la forme de la déviation du diaphragme sont les mêmes lorsque la force totale due à la pression sur le diaphragme est égale à la force électrique
totale d'attraction exercée sur le diaphragme.
On suppose w(r) = wm(a 2r 2)2/a 4 ( 2) o w(r = o)= wm wm= 0,22 qa 4/Eha ( 3) o Q est la différence de pression à travers le diaphragme,
E est le module Young et h est l'épaisseur du diaphragme.
On peut alors intégrer la force incrémentielle et
obtenir la force électrique totale sur le diaphragme,Fe.
J ? e O V 2 2 Trdr Fe = X 2 (do -wm(a 2r 2)2/a 4)2 ( 4) Fe = FOl 2 (')( a (l) +a (o V 2 ra: o Fo = V 2 aid z = r/a ( 6) Avec ceci, on peut calculer wm en fonction de V en remplaçant dans l'équation ( 2) Q par Fe divisé par l'aire totale du diaphragme La courbe de réponse calculée 50 est montrée en trait plein sur la figure 4 B, la courbe mesurée 52
en étant très proche.
Le dispositif achevé est un réseau de cellules
identiques sur une tranche unique, chaque cellule correspon-
dant à celle montrée sur les figures 1 à 3 Le réseau peut être réalisé en diverses dimensions dont des exemples sont des réseaux 16 x 16 et 128 x 128 Pour un dispositif ayant relativement peu de cellules, par exemple 16 x 16 cellules, il est commode de connecter chaque électrode de déviation à un plot de liaison de fil individuel le long de là périphérie du dispositif Pour un dispositif ayant de nombreux éléments, par exemple 128 x 128 cellules, il n'est pas commode d'utiliser des plots individuels La construction appropriée à de grands réseaux, montrée sur les figures 1 à 3, nécessite de faire passer les électrodes dans les trous d'évent vers un circuit montré sur la contre-plaque, pour plus de commodité De cette manière, des techniques d'adressage XY réduisent le nombre de conducteurs et l'utilisation des trous d'évent permet un
accès aisé.
En référence aux figures 5 à 7, il est montré une autre forme de réalisation de l'invention dans laquelle
chaque cellule ou pixel est complété de façon indépendante.
Ceci fonctionne bien pour des réseaux plus petits dans lesquels le nombre de conducteurs d'accès est limité Pour minimiser la répétition, les mêmes pièces sur les figures 5 à 7 ont reçu les mêmes références numériques que celles des figures 1 à 3, augmentées de 100 Comme montré, l'électrode 117 est complétée en sortie par un conducteur 160, et d'autres conducteurs 161 (dont l'un est représenté) peuvent être prolongés à travers la cellule et peuvent passer à travers l'ouverture formée aux intersections de la grille
afin de continuer sans gêne à travers le réseau de cellules.
Comme cela est évident, le nombre de ces conducteurs 161 augmente comme le carré de l'aire du réseau, de sorte que
cette approche est limitée.
Des dimensions et particularités d'un réseau 128 x 128 typique sont les suivantes: aire active globale: l Ocmxl Ocm (obtenue à partir de tranches de silicium de 152 mm) contre-plaque: silicium de type p (bore) de 0,5 mm d'épaisseur grille: Si O 2 de 4 micromètres x 50 micromètres
couche d'oxyde de champ: Sio 2 de 500 nano-
mètres
embase: couche de silicium à circuits adres-
sables XY liés à une pièce épaisse, épaisseur d'environ 1 cm, en silicium ou en verre 7740 épaisseur du diaphragme après traitement: 3 micromètres épaisseur des articulations à flexion: 1 micromètre cellule unitaire: 0,8 mmxo,8 mm réflectivité d'un pixel > 0, 98 déviation d'un pixel: O à 1 micromètre facteur de remplissage d'aire > 0,6 réponse en fréquence d'un pixel: O à 20 k Hz plage de fonctionnement des électrodes: O à 17 volts
sensibilité du diaphragme: 6 = 0,5 micro-
mètre/12 volts
contrainte pour 6 = 0,5 micromètre: 17 M Pa.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au modulateur spatial de lumière
décrit et représenté sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (14)
1 Modulateur spatial de lumière, caractérisé en ce qu'il comporte une contre-plaque ( 11) en silicium contenant une couche isolante ( 12), une grille ( 14) de séparation en matière isolante déposée sur la contreplaque de façon à définir un réseau de cellules ( 15) couvrant une étude de cette contre-plaque et formant sur elle une seconde couche, plusieurs électrodes ( 17) déposées chacune dans l'une desdites cellules sur la contre-plaque, une membrane ( 18) en silicium dopé montée sur la grille de séparation et au-dessus du réseau de cellules et d'électrodes, et des moyens ( 20) formant une surface de miroir sur la membrane sur la face
tournée à l'écart de la contre-plaque.
2 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens ( 33) destinés sélectivement à charger et décharger chaque électrode, de manière que chaque électrode chargée
amène les parties individuelles de la membrane s'étendant au-
dessus de chaque cellule correspondante à être déviées par
une attraction électrostatique entre la membrane et l'élec-
trode conformément à une configuration correspondant à l'état
de signaux électriques appliqués auxdites électrodes.
3 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un moyen formant un trou d'évent ( 21) dans chaque cellule depuis le côté à électrodes de la contre-plaque jusqu'au côté opposé de celle-ci pour évacuer un gaz de ladite cellule lorsque
ladite membrane est déviée.
4 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens à gorges ( 22 à 28) s'étendant sur la face de la contre-plaque et au-dessus de la cellule pour couper ledit trou d'évent afin d'aider à évacuer un gaz de ladite cellule
et à travers ledit trou.
Modulateur spatial de lumière selon la revendication 3, caractérisé en ce que le trou d'évent est dimensionné et réalisé pour assurer un amortissement critique du mouvement de la masse de la membrane au niveau de ladite cellule. 6 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 4, caractérisé en ce que le trou d'évent et les
gorges sont ensemble d'une dimension produisant un amortis-
sement critique du mouvement de la masse de la membrane.
7 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre plusieurs conducteurs électriques ( 33) connectés à chacune
desdites électrodes, respectivement.
8 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre plusieurs conducteurs électriques ( 33) connectés à chacune desdites électrodes, respectivement, à travers le trou
d'évent respectif pour chaque élément.
9 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que la membrane comporte une mince couche dopée de silicium obtenue par croissance
épitaxiale sur une tranche de silicium de laquelle prati-
quement la totalité de la tranche d'origine a été éliminée
par gravure.
10 Modulateur spatial de lumière selon la
revendication 1, caractérisé en outre en ce que les élec-
trodes sont réalisées en siliciure de platine.
11 Modulateur spatial de lumière selon la
revendication 1, caractérisé en outre en ce que les élec-
trodes sont formées d'une couche d'un métal élémentaire ou de
couches de métaux élémentaires.
12 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce que la grille de séparation est formée de dioxyde de silicium (Sio 2) déposé
sur ladite contre-plaque de silicium.
13 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce que la membrane est réalisée à une épaisseur d'environ 3 micromètres et la grille
de séparation est réalisée à une hauteur d'environ 4 micro-
mètres. 14 Modulateur spatial de lumière selon la
revendication 1, caractérisé en outre en ce que la contre-
plaque et la membrane sont réalisées en une matière du type
silicium monocristallin.
15 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une mince couche d'oxyde recouvrant l'électrode afin
d'empêcher la membrane d'adhérer à l'électrode.
16 Modulateur spatial de lumière selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce que la membrane est pourvue de moyens formant des articulations à flexion ( 30) de section transversale réduite, formées dans cette membrane suivant une ligne fermée s'étendant le long du périmètre intérieur de la grille de séparation, afin que la membrane se déplace davantage en mode en piston ( 37) à
l'intérieur des moyens à articulations à flexion.
17 Modulateur spatial de lumière, caractérisé en ce qu'il comporte une contre-plaque ( 11) formée d'une matière monocristalline dopée pour haute température, un diaphragme ( 18) formé d'une matière monocristalline dopée ayant le même coefficient de dilatation thermique que celui de ladite matière de la contre-plaque, une grille ( 14) de séparation formée sur un côté de la contre-plaque, la grille comprenant plusieurs nervures surélevées ( 32) formées de façon à faire saillie d'un côté de la contre-plaque pour définir la périphérie de plusieurs zones élémentaires et pour écarter le diaphragme de la contre-plaque, des moyens ( 32) liant le diaphragme sur la grille, plusieurs électrodes ( 17) disposées sur la contre-plaque et à l'intérieur de chacune des zones élémentaires, respectivement, le diaphragme ayant une épaisseur assez faible pour pouvoir être aisément fléchi par des forces électrostatiques appliquées entre les électrodes et le diaphragme, des moyens dans le diaphragme étant destinés à former des articulations à flexion ( 30) le long de la périphérie intérieure de chaque zone afin que, lorsqu'elle fléchit, la région ( 37) du diaphragme située à l'intérieur des articulations à flexion se déplace préférentiellement en mode en piston, des moyens formant plusieurs trous d'évent ( 21) dans la contre-plaque, avec au moins un trou d'évent pour chaque zone élémentaire, chaque trou d'évent ayant une dimension pour amortir de façon critique le mouvement du diaphragme provoqué par ladite électrode, des moyens de connexion électrique ( 33) étant destinés à connecter chacune des électrodes au côté opposé de ladite contre-plaque, à
travers un trou d'évent respectif.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/735,392 US5170283A (en) | 1991-07-24 | 1991-07-24 | Silicon spatial light modulator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2679665A1 true FR2679665A1 (fr) | 1993-01-29 |
| FR2679665B1 FR2679665B1 (fr) | 1994-04-01 |
Family
ID=24955591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9209101A Expired - Fee Related FR2679665B1 (fr) | 1991-07-24 | 1992-07-23 | Modulateur spatial de lumiere. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5170283A (fr) |
| JP (1) | JPH05257070A (fr) |
| DE (1) | DE4224349A1 (fr) |
| FR (1) | FR2679665B1 (fr) |
| GB (1) | GB2258055B (fr) |
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