DE102008004639A1 - Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil - Google Patents

Mikromechanisches Bauteil und Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil (10) mit einer Halterung (12) mit einer an einer Oberfläche der Halterung (12) ausgebildeten Aussparung (14); einer Membran (16), welche die Aussparung (14) zumindest teilweise abdeckt; mindestens einem auf der Membran (16) angeordneten Aktivelement (24) mit Spannungsanschlüssen; wobei das Aktivelement (24) dazu ausgebildet ist, bei Anlegen einer Spannung an das Aktivelement (24) seine räumliche Ausdehnung zu variieren und die Membran (16) zu verformen; und einem auf der Membran (16) angeordneten Mikroelement (22), welches über ein Verformens Aktivelement (24) verstellbar ist. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil (10) und ein Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Bauteils (10).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein mikromechanisches Bauteil und ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil. Des Weiteren betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Betreiben eines entsprechenden mikromechanischen Bauteils.
  • Stand der Technik
  • Mikromechanische Bauteile, wie z. B. Mikrospiegel, werden heutzutage häufig verwendet. Beispielsweise werden Mikrospiegel in Lichtprojektionsapparaten oder in der optischen Kommunikationstechnik eingesetzt. Ein entsprechender Mikrospiegel kann ein Digital Mirror Device (DMD), wie in der US 5,272,262 , US 5,600,383 und US 6,819,470 beschrieben, sein. Zum Verstellen eines Mikrospiegels können elektrostatische Antriebsmechanismen verwendet werden, wie sie in der US 6,914,710 und der US 2005/0013533 beschrieben sind. Auch ein elektromagnetischer Antriebsmechanismus für ein mikromechanisches Bauteil ist aus der WO 03098918 bekannt.
  • Aufgrund der häufigen Verwendung von mikromechanischen Bauteilen, insbesondere in relativ kleinen Vorrichtungen, ist es wünschenswert, über eine Möglichkeit zu verfügen, um die Größe eines mikromechanischen Bauteils und/oder die Herstellungskosten für ein mikromechanisches Bauteil zu reduzieren.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die Erfindung schafft ein mikromechanisches Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1, ein Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 9 und ein Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Bauteils mit den Merkmalen des Anspruchs 10.
  • Ein erfindungsgemäßes mikromechanisches Bauteil weist eine Membran mit mindestens einem Aktivelement auf, welche als Befestigungselement für das Mikroelement und als Verstellelement zum Verstellen des Mikroelements dient. Da sich die Membran mit dem mindestens einen Aktivelement relativ kostengünstig herstellen lässt und eine vergleichsweise geringe Größe aufweist, eignet sich das erfindungsgemäße mikromechanische Bauteil für viele Einrichtungen. Insbesondere die Multifunktionalität der Membran mit dem mindestens einen Aktivelement stellt dabei einen großen Vorteil dar.
  • Vorzugsweise ist ein Ankerpunkt, an welchen das Mikroelement die Membran kontaktiert, definierbar, welcher auf einer natürlichen Deformationsknotenlinie der Membran angeordnet ist. Das Mikroelement ist in diesem Fall um einen bestimmten Winkelbereich um eine durch den Ankerpunkt verlaufende Drehachse drehbar, ohne dass das Mikroelement gleichzeitig gehoben wird.
  • Beispielsweise ist das Mikroelement ein Mikrospiegel, eine Mikropinzette und/oder ein mikromechanisches Klemmelement. Der Mikrospiegel, die Mikropinzette oder das mikromechanische Klemmelement lassen sich in diesem Fall leicht über einen relativ großen Winkelbereich und/oder über eine vergleichsweise große Verstelldifferenz verstellen, wobei aufgrund der hohen Sensitivität der Aktivelemente eine geringe Rastergröße gewährleistet ist.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform umfasst das mindestens eine Aktivelement mindestens zwei Elektroden, welche mit jeweils einem Ende fest an der Membran angeordnet sind, und deren Spannungsanschlüsse zum Anlegen der Spannung zwischen den mindestens zwei Elektroden ausgebildet sind, so dass die von der Membran abgewandten Enden der mindestens zwei Elektroden bei Anlegen der Spannung eine Anziehung oder eine Abstoßung erfahren. Aufgrund der festen Anordnung der mindestens zwei Elektroden an der Membran bewirkt dies eine Ein- oder Auswölbung der Membran. Auf diese Weise lässt sich das Mikroelement über eine Deformierung der Membran leicht verstellen.
  • Als Alternative oder als Ergänzung dazu kann das mindestens eine Aktivelement einen piezoelektrischen Aktor umfassen. Bei Anlegen einer Spannung an den piezoelektrischen Aktor wird dieser verformt. Die Verformung des piezoelektrischen Aktors wirkt sich auch auf die Membran aus, welche auf diese Weise ein- oder ausgewölbt wird. Piezoelektrische Aktoren lassen sich mittels bekannter Verfahren auf kostengünstige Weise auf einer Membran bilden. Damit stellt ein piezoelektrischer Aktor eine kostengünstige Möglichkeit zur Realisierung eines Aktivelements für das mikromechanische Bauteil dar.
  • Des Weiteren können die Aktivelemente auch elektromagnetische oder thermische Wandler umfassen. Dabei weist ein Aktivelement die Eigenschaft auf, dass es bei Anlegen einer Spannung eine mechanische Arbeit in Form einer Volumenänderung und/oder einer Stellungsänderung einzelner Komponenten des Aktivelements leistet.
  • In einer bevorzugten Weiterbildung des mikromechanischen Bauteils ist an der Aussparung eine Luftöffnung für einen Druckausgleich in dem Inneren der Aussparung ausgebildet. Beispielsweise deckt die Membran die Aussparung nur teilweise ab. Dies verhindert einen Unter- oder Überdruck im Inneren der Aussparung bei einer Verformung der Membran und gewährleistet eine hohe Flexibilität der Membran.
  • Beispielsweise umfasst die Halterung ein Halbleitersubstrat mit einer Kaverne. Ein SOI-Substrat ist dabei nicht notwendig. Es ist vorteilhaft, wenn in dem Halbleitersubstrat ein Stichkanal ausgebildet ist, welcher als Luftöffnung für den Druckausgleich zwischen der Kaverne und einer Oberfläche des Halbleitersubstrats verläuft. Ein derartiger Stichkanal lässt sich auf einfache Weise in dem Halbleitersubstrat ausbilden.
  • Vorzugsweise ist an der Membran mindestens ein Sensorelement angeordnet, welches durch das Verformen der Membran verformt wird und welches so ausgelegt ist, dass bei einem Verformen des Sensorelements eine Spannung oder eine Widerstandsänderung induziert wird. Anhand der induzierten Spannung oder der Widerstandsänderung lässt sich eine stattgefundene Verformung der Membran feststellen. Ein derartiges Sensorelement kann beispielsweise ein Piezoelement sein. Die auf diese Weise gewonnenen Daten über das Verhalten der Membran lassen sich für ein vorteilhafteres Ansteuern des mindestens einen Aktivelements verwenden.
  • Die in den oberen Absätzen beschriebenen Vorteile sich auch durch ein entsprechendes Verfahren zum Betreiben eines mikromechanischen Bauteils gewährleistet. Vorzugsweise wird bei der Verformung der Membran die erste Deformationsgrundmode oder die erste Deformationsobermode der Membran genutzt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend anhand der Figuren erläutert. Es zeigen:
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils;
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils;
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Membran einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils;
  • 4 zeigt einen vergrößerten Teilausschnitt der 3;
  • 5 zeigt eine Draufsicht auf eine Membran einer vierten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils; und
  • 6 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der 5.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • 1 zeigt einen Querschnitt durch eine erste Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
  • Das dargestellte mikromechanische Bauteil 10 umfasst ein Halbleitersubstrat 12, vorzugsweise ein Siliziumsubstrat. In das Halbleitersubstrat 12 ist eine Kaverne 14 geätzt. Die Kaverne 14 wird von einer Membran 16 vollständig abgedeckt. Die Membran 16 kann mittels herkömmlicher Verfahren aus Silizium gebildet werden. Vorzugsweise ist die Membran 16 monokristallin und gewellt ausgebildet. Eine monokristalline Membran weist eine höhere Zuverlässigkeit als eine polykristalline Membran auf, da letztere bei einer mehrmaligen Verformung schneller bricht. Auf der Membran 16 ist eine Isolierschicht 18 ausgebildet. Beispielsweise besteht die Isolierschicht 18 aus Siliziumoxid. Besteht die Membran 16 aus Silizium, so kann die Isolierschicht 18 durch eine thermische Oxidierung gebildet werden.
  • In der Mitte der Membran 16 ist auf der Isolierschicht 18 ein Sockel 20 angeordnet. Der Sockel 20 trägt ein Mikroelement, beispielsweise einen Mikrospiegel 22. Der Sockel 20 und der Mikrospiegel 22 können einstückig aus Polysilizium hergestellt sein. Eventuell ist auf dem Mikrospiegel 22 eine (nicht skizzierte) reflektierende Schicht aufgebracht. Anstelle des Mikrospiegels 22 kann auch eine Mikropinzette oder ein mikromechanisches Klemmelement auf dem Sockel 20 angeordnet sein.
  • Auf der Isolierschicht 18 sind Aktivelemente 24 angeordnet. Die Aktivelemente 24 sind mittels der Isolierschicht 18 von der Membran 16 elektrisch isoliert. Die Aktivelemente 24 können, wie in 1 dargestellt, piezoelektrische Aktoren sein. Als Alternative oder als Ergänzung zu den piezoelektrischen Aktoren können auf der Isolierschicht 18 auch elektrostatische, thermische und oder elektromagnetische Aktoren als Aktivelemente 24 angebracht sein. Eine Vielzahl von Wandlern, welche bei Anlegen einer Spannung mechanische Arbeit zum Variieren ihrer räumlichen Ausdehnung leisten, eignen sich zur Verwendung als Aktivelement 24.
  • Jedes der Aktivelemente 24 weist eigene Spannungsanschlüsse auf, so dass eine Spannung gezielt an jedes der Aktivelemente 24 anlegbar ist. Die an den Spannungsanschlüssen angelegte Spannung bewirkt eine Verformung des zugehörigen Aktivelements 24. Durch die feste Verbindung der als piezoelektrische Aktoren ausgebildeten Aktivelemente 24 mit der Isolierschicht 18 wird eine Verformung eines Aktivelements 24 auf die Isolierschicht 18 und die Membran 16 übertragen. Somit kann eine Verformung eines Aktivelements 24 auch eine Deformation der Membran 16 bewirken. Da die Spannungsanschlüsse der Aktivelemente 24 so ausgebildet sind, dass jedes der Aktivelemente 24 einzeln ansteuerbar ist, können die Aktivelemente 24 so verformt werden, dass die Membran 16 in eine gewünschte gewellte Endform deformiert wird.
  • Ist die Membran 16 nicht deformiert, so verläuft der Sockel 20 parallel zu einer vertikalen Achse 26, welche die Oberfläche des Halbleitersubstrats 12 in einen rechten Winkel schneidet. Bei einer Deformation der Membran 16 werden der Sockel 20 und der Mikrospiegel 22 aus ihrer (nicht dargestellten) Ausgangsstellung um einen Winkel α in eine gewünschte Endstellung verstellt.
  • In dem in 1 gezeigten Beispiel wird die Kaverne 14 vollständig von der Membran 16 abgedeckt. Als Alternative dazu kann die Membran 16 die Kaverne 14 nur teilweise abdecken. Die unvollständige Abdeckung der Kaverne 14 verhindert in diesem Fall, dass bei einer Deformation der Membran 16 ein Unter- oder Überdruck in der Kaverne 14 auftritt.
  • Ebenso kann die Kaverne 14 nach einer Seite offen ausgebildet sein. In dem Beispiel der 1 ist ein Stichkanal 28 in das Halbleitersubstrat 12 geätzt, welcher das Innere der Kaverne 14 mit der Oberfläche der Isolierschicht 18 verbindet. Durch den Stichkanal 28 kann Luft in die Kaverne 14 eingesaugt werden oder aus der Kaverne 14 ausströmen. Somit verhindert der Stichkanal 28 das Auftreten eines Unter- oder Überdrucks in der Kaverne 14 bei einer Deformation der Membran 16. Der mittels des Stichkanals 28 ermöglichte Druckausgleich erhöht die Flexibilität der Membran 16.
  • 2 zeigt einen Querschnitt durch eine zweite Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils.
  • Das dargestellte mikromechanische Bauteil 50 umfasst ein Halbleitersubstrat 52, vorzugsweise aus Silizium und p-dotiert, mit einer Kaverne 54. Die Kaverne 54 kann beispielsweise eine Höhe von etwa 1 bis 10 μm aufweisen. Als Alternative zu der gezeigten geschlossenen Ausbildung der Kaverne 54 kann das Halbleitersubstrat 52 auch eine offene Kaverne aufweisen, deren mögliche Ränder durch die gestrichelten Linien 56 wiedergegeben werden.
  • Die Kaverne 54 wird von einer Membran 58 vollständig abgedeckt. Die Membran 58 kann sich über die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats 52 erstrecken. Als Alternative dazu kann die Membran 58 auf Teilbereiche der Oberfläche und Ränder der Kaverne 54 beschränkt sein. Vorzugsweise besteht die Membran 58 aus monokristallinem Silizium und ist gewellt ausgebildet.
  • Auf der Oberfläche der Membran 58 ist eine Isolierschicht 60 gebildet. Die Isolierschicht 60 kann beispielsweise Siliziumoxid umfassen. Besteht die Membran 58 aus Silizium, so kann die Isolierschicht 60 durch eine thermische Oxidierung der Membran 58 gebildet werden.
  • Das mikromechanische Bauteil 50 weist als Mikroelement einen Mikrospiegel 62 auf, welcher mittels eines Sockels 64 oberhalb der Isolierschicht 60 angeordnet ist. Vorzugsweise ist der Sockel 64 dabei so an der Isolierschicht 60 angebracht, dass eine zum Halbleitersubstrat 52 vertikal verlaufende Mittelachse der Kaverne 54 durch den Sockel 64 verläuft. Anstelle des Mikrospiegels 62 kann der Sockel 64 auch eine Mikropinzette oder ein mikromechanisches Klemmelement tragen. Oberhalb der Isolierschicht 60 können auch mehrere Sockel 64 mit gleichen oder verschiedenen Mikroelementen befestigt sein.
  • Bei einer Deformation der Membran 58 kann der Mikrospiegel 62 mit dem Sockel 64 aus seiner in 2 gezeigten Ausgangslage um einen bestimmten Winkelbereich gekippt werden. Zum Deformieren der Membran 58 sind auf der Isolierschicht 60 Aktivelemente 66 gebildet. Die beiden Aktivelemente 66 sind auf verschiedenen Seiten des Sockels 64 angeordnet.
  • Jedes der beiden Aktivelemente 66 umfasst mehrere Elektroden 68. Vorzugsweise sind die Elektroden 68 als Interdigitalelektroden ausgebildet. Jede der Elektroden 68 eines Aktivelements 66 ist mit einem Ende 70 fest mit dem mikromechanischen Bauteil 50 verbunden sind. Zusätzlich sind die Elektroden 68 an ihren Enden 70 elektrisch mit Zuleitungen 72 verbunden. Allerdings ist in 2 nur eine Zuleitung 72 beispielhaft dargestellt. Dabei ist die elektrische Kontaktierung der Elektroden 68 über die Zuleitungen 72 so ausgebildet, dass jede der Elektroden 68, welche zwischen zwei benachbarten Elektroden 68 angeordnet ist, mit einer anderen Zuleitung 72 elektrisch verbunden ist, als die zu ihr benachbarten Elektroden 68. Dies ist realisierbar, indem die auf der Isolierschicht 60 gebildeten Zuleitungen 72 mit einer Passivierungsschicht 74 abgedeckt werden. Die Passivierungsschicht 74 kann beispielsweise aus Siliziumnitrid (SiN) bestehen. Die Elektroden 68 sind auf einer Oberfläche der Passivierungsschicht 74 angeordnet. Um einen elektrischen Kontakt zwischen einer Zuleitung 72 und den ihr zugeordneten Elektroden 68 zu ermöglichen, sind innerhalb der Passivierungsschicht 74 Leitungskontakte 76 ausgebildet, welche jeweils eine Zuleitung 72 mit einer der Zuleitung 72 zugeordneten Elektroden 68 elektrisch verbinden.
  • Die in dem oberen Absatz beschriebenen Aktivelemente 66 können hergestellt werden, indem auf der Isolierschicht 60 Polysilizium zur Bildung der Zuleitungen 72 aufgetragen wird. Anschließend werden die Zuleitungen 72 mit der Passivierungsschicht 74 abgedeckt. In die Passivierungsschicht 74 können nun Aussparungen geätzt werden, durch welche die Positionen der später gebildeten Leitungskontakte 76 festgelegt werden. Anschließend wird das Material für die Elektroden 68 und die Leitungskontakte 76 auf die Passivierungsschicht 74 aufgebracht. Beispielsweise kann dazu eine Polysiliziumschicht auf der Passivierungsschicht 74 gebildet werden. Dabei Pillen sich auch die Aussparungen in der Passivierungsschicht 74 mit Polysilizium zum Bilden der Leitungskontakte 76. Anschließend können in einem Ätzschritt die Elektroden 68 aus der auf die Passivierungsschicht 74 aufgebrachten Schicht geätzt werden.
  • Vorzugsweise sind die Elektroden 68 als dünne Platten ausgebildet, die senkrecht zur Oberfläche des Halbleitersubstrats 52 angeordnet sind. Über die Zuleitungen 72 kann eine Spannung zwischen benachbarten Elektroden 68 angelegt werden. Die von dem mikromechanischen Bauteil 50 abstehenden Enden 78 der Elektroden 68 werden in diesem Fall, abhängig von der zwischen den Elektroden 68 angelegten Spannung, angezogen oder abgestoßen. Die Elektroden 68 gehen dabei aus ihrer in 2 gezeigten Ausgangsstellung in eine Endstellung über, in welcher die Enden 78 entweder aneinander angenähert sind oder voneinander abgespreizt sind. Der Abstand zwischen zwei benachbarten Enden 78 ist somit abhängig von der zwischen den Elektroden 68 angelegten Spannung.
  • Da die Elektroden 68 mit ihren Enden 70 fest mit dem mikromechanischen Bauteil 50 verbunden sind, bewirkt eine Änderung des Abstands zwischen zwei benachbarten Enden 78 eine Ein- oder Auswölbung der Membran 58. Auf diese Weise können der Mikrospiegel 62 und der Sockel 64 aus ihrer Ausgangsstellung in eine gewünschte Endstellung verstellt werden.
  • Zum Anlegen einer Spannung zwischen zwei benachbarten Elektroden 68 weist das mikromechanische Bauteil 50 Schaltungseinrichtungen 80 auf. Derartige Schaltungseinrichtungen 80 können mittels bekannter Herstellungsverfahren hergestellt werden. Auf die Herstellung der Schaltungseinrichtung 80 wird deshalb hier nicht genauer eingegangen.
  • Vorzugsweise ist innerhalb der als Epitaxieschicht ausgebildeten Membran 58 mindestens eine Diffusion 82, beispielsweise vom p-Typ, zwischen der Schaltungseinrichtung 80 und der Kaverne 54 ausgebildet. Ebenso kann die Schaltungseinrichtung 80 von einer dielektrischen Schicht 84 abgedeckt sein.
  • Des Weiteren kann die Kaverne 54 über eine nach außen kommunizierende Verbindung verfügen. Dazu sind Piezowiderstände 86 in die Membran 58. Jeder der Piezowiderstände 86 umfasst als Kontaktbereich 88 eine hochdotierte Diffusion und eine Piezoschicht 90. Bei einer Deformation der Membran 58 wird in den Piezowiderständen 86 eine Widerstandsänderung induziert, anhand der die Deformation der Membran 58 für eine (nicht dargestellte) Auswerteeinrichtung feststellbar ist. Das Ansteuern der Aktivelemente 66 kann in diesem Fall unter Berücksichtigung der von der Auswerteeinrichtung festgestellten Deformation der Membran 58 erfolgen.
  • In dem Beispiel der 2 erstreckt sich die Isolierschicht 60 über die gesamte Ausdehnung der Membran 58. Als Alternative dazu kann die Isolierschicht 60 nur zwischen der Membran 58 und den Zuleitungen 72 ausgebildet sein.
  • Das mikromechanische Bauteil 50 weist eine gute Integrierung der Mikromechanik und der Mikroelektronik auf einem Halbleitersubstrat 52 (Chip) auf. Das Halbleitersubstrat 52 kann ein einfaches Substrat sein. Ein SOI-Substrat ist nicht notwendig. Dies reduziert die Herstellungskosten für das mikromechanische Bauteil 50.
  • Weitere Kostenvorteile liegen in der kleinen und dünnen Abmessung der Membran 58. Dabei ist eine Auswerteschaltung leicht in das mikromechanische Bauteil 50, insbesondere in die Membran 58, integrierbar. Die Multifunktion der Membran 58 als Befestigungselement für das Mikroelement, als Verstellelement und als Sensorkomponente trägt zur Reduzierung der Größe des mikromechanischen Bauteils 50 bei. Zusätzlich wird auf diese Weise der Aufbau und die Verbindungstechnik des mikromechanischen Bauteils 50 vereinfacht.
  • Insbesondere bei einer monokristallinen Membran 58 aus Silizium ist eine gewünschte Federkonstante durch die mechanische Schichtspannung leicht einstellbar. Dies garantiert ein definiertes Verhalten der Membran 58, bei Bedarf mit hoher Flexibilität.
  • 3 zeigt eine Draufsicht auf eine Membran einer dritten Ausführungsform des mikromechanischen Bauteils. 4 zeigt einen vergrößerten Teilausschnitt der 3. Das dargestellte mikromechanische Bauteil eignet sich besonders gut für einen Linearscanspiegel.
  • Die in 3 gezeigte Membran 100 besteht aus monokristallinem Silizium. Anstelle der gezeigten quadratischen Form kann die Membran 100 auch kreisförmig oder oval geformt sein. Entsprechend kann sich auch die Form der (nicht skizzierten) Kaverne an die Form der Membran 100 anpassen. In dem in 3 gezeigten Beispiel weist die Kaverne eine nahezu viereckige Grundfläche auf, welche durch die Linie 102 wiedergegeben ist. Die gestrichelte Linie A-A' markiert den Querschnitt der 1 und 2.
  • In der Mitte der Membran 100, bzw. auf einer Knotenlinie 104 einer Deformationsmode der Membran 100, befindet sich ein Ankerpunkt 106 eines (nicht dargestellten) Sockels, auf welchem ein Mikroelement, beispielsweise ein Mikrospiegel, angeordnet ist. Das Mikroelement kann durch ein Deformieren der Membran 100 für einen bestimmten Winkelbereich um die Knotenlinie 104 verstellt werden. Zum Deformieren der Membran 100 befinden sich innerhalb der Bereiche 108 und 110 der Membran 100 Aktivelemente, welche in 3 jedoch nicht dargestellt sind. Die Bereiche 108 und 110 weisen bei einer Deformation der Membran 100 die größte Membrankrümmung auf. Sie umfassen die Bereiche 108 der Deformationsbäuche und die Bereiche 110 an den Rändern der Membran 100. Die Bereiche 110 an den Rändern der Membran 100, speziell an den zu der Knotenlinie 104 parallelen Rändern, eignen sich zusätzlich besonders gut für das Anbringen von Sensorelementen zum Ermitteln einer aktuellen Deformation der Membran 100, wie beispielsweise Piezowiderständen.
  • 4 zeigt zwei Gruppen von Elektroden 112 und 114, welche parallel zueinander innerhalb des Bereichs 108 eines Deformationsbauchs auf der (nicht gezeigten) Membran befestigt sind. Dabei sind die erste Gruppe der Elektroden 112 und die zweite Gruppe der Elektroden 114 so zueinander angeordnet, dass genau eine Elektrode 114 der zweiten Gruppe zwischen zwei Elektroden 112 der ersten Gruppe angeordnet ist. Zwischen jeder Elektrode 112 der ersten Gruppe und einer zu ihr benachbarten Elektrode 114 der zweiten Gruppe 114 kann eine Spannung angelegt werden, durch welche sich die von der Membran abstehenden Enden der Elektroden 112 und 114 anziehen oder abstoßen. Dies bewirkt eine Ein- oder Auswölbung der Membran 100.
  • Die Membran 100 kann durch die Aktivelemente in Schwingungen versetzt werden, so dass sich eine bestimmte Auslenkungsmode einstellt. Bevorzugt liegen die Auslenkungen parallel zu den Kanten der Membran 100.
  • In 3 weist die Membran 100 auf einer ersten Seite 116 der Knotenlinie 104 eine (heller markierte) Auswölbung auf. Auf der gegenüber liegenden zweiten Seite 118 der Knotenlinie 104 liegt eine (dunkler markierte) Einwölbung. Die Einwölbung und die Auswölbung bewirken eine Neigung des an dem Ankerpunkt 106 befestigten Mikroelements zur zweiten Seite 118.
  • 5 zeigt eine Draufsicht auf eine Membran einer vierten Ausührungsform des mikromechanischen Bauteils. 6 zeigt einen vergrößerten Ausschnitt der 5. Das dargestellte mikromechanische Bauteil ist gut für einen Flächenrasterscanner geeignet.
  • Die dargestellte Membran 150 ist über einer (nicht dargestellten) Kaverne mit einer kreisförmigen Bodenfläche 152 ausgebildet. Oberhalb eines Mittelpunkts der Bodenfläche 152 weist die Membran 150 einen Ankerpunkt 154 zum Befestigen eines Sockels und eines Mikroelements auf. Die um den Ankerpunkt 154 liegende Membran 150 ist in Sektoren 156 unterteilt.
  • 6 zeigt einen Sektor 156 mit einer darauf angeordneten ersten und zweiten Gruppe von Elektroden 158 und 160. Die Elektroden 158 und 160 weisen eine Bogenform auf, welche sich an die Begrenzungen des Sektors 156 anpasst. Jede Elektrode 160 der zweiten Gruppe ist zwischen zwei Elektroden 158 der ersten Gruppe angeordnet. Zwischen jeder der Elektrode 158 der ersten Gruppe und einer benachbarten Elektrode 160 der zweiten Gruppe kann eine Spannung angelegt werden, durch welche sich die von der (nicht skizzierten) Membran abstehenden Enden der Elektroden 158 und 160 anziehen oder abstoßen. Dies bewirkt Ein- oder Auswölbungen an der Membran 150. 5 zeigt Membranhöhenlinien 162 einer beispielhaften Deformation der Membran 150.
  • Zur Deformierung der Membran 150 können in jedem der Sektoren 156 auch andere Aktivelemente angeordnet sein. Beispielsweise können piezoelektrische, thermische und/oder elektromagnetische Wandler verwendet werden, um die Membran 150 zu deformieren.
  • Durch die Unterteilung der Membran 150 in mindestens drei Sektoren 156, welche den Ankerpunkt 154 umgeben, ist eine Auslenkung des an den Ankerpunkt 154 befestigten Mikroelements in alle Raumrichtungen möglich. Das anhand der 5 und 6 erläuterte mikromechanische Bauteil weist deshalb eine hohe Anzahl von Freiheitsgraden zum Verstellen des Mikroelements auf.
  • Für die Applikation sind in erste Linie die ersten angeregten Schwingungs- bzw. Deformationsmoden und weniger die Grundmode der Membran 150 interessant. Der Ankerpunkt des zu aktuierenden Elements liegt dabei bevorzugt auf einer natürlichen Deformationsknotenlinie der Membran, d. h. einer derjenigen Linien, die bei einer Schwingung keine Amplitudenauslenkung erfährt. Auf diese Weise lässt sich einfach eine Verkippung des Membranmittelpunkts, bzw. des Ankerpunkts 154 und des darauf verankerten Mikroelements erreichen, ohne dass eine Hebung des gesamten Mikroelements damit verbunden ist. Es ist sowohl ein statischer als auch ein dynamischer Betrieb zum Verstellen des Mikroelements denkbar.
  • Das anhand der oberen Absätze beschriebene mikromechanische Bauteil lässt sich sowohl für Bildprojektoren, beispielsweise Headup-Displays oder Beamer, als auch für Laserdrucker verwenden.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Claims (10)

  1. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) mit einer Halterung (12, 52) mit einer an einer Oberfläche der Halterung (12, 52) ausgebildeten Aussparung (14, 54); einer Membran (16, 58, 100, 150), welche die Aussparung (14, 54) zumindest teilweise abdeckt; mindestens einem auf der Membran (16, 58, 100, 150) angeordneten Aktivelement (24, 66) mit Spannungsanschlüssen (72); wobei das Aktivelement (24, 66) dazu ausgebildet ist, bei Anlegen einer Spannung an das Aktivelement (24, 66) seine räumliche Ausdehnung zu variieren und die Membran (16, 58, 100, 150) zu verformen; und einem auf der Membran (16, 58, 100, 150) angeordneten Mikroelement (22, 62), welches über ein Verformen der Membran (16, 58, 100, 150) durch Anlegen der Spannung an das Aktivelement (24, 66) verstellbar ist.
  2. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach Anspruch 1, wobei ein Ankerpunkt (106, 154), an welchem das Mikroelement (22, 62) die Membran (16, 58, 100, 150) kontaktiert, definierbar ist, welcher auf einer natürlichen Deformationsknotenlinie (104) der Membran (16, 58, 100, 150) angeordnet ist.
  3. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach Anspruch 1 oder 2, wobei das Mikroelement (22, 62) ein Mikrospiegel (22, 62), eine Mikropinzette und/oder ein mikromechanisches Klemmelement ist.
  4. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das mindestens eine Aktivelement (24, 66) mindestens zwei Elektroden (68, 112, 114, 158, 160) umfasst, welche mit jeweils einem Ende (70) fest an der Membran (16, 58, 100, 150) angeordnet sind, und deren Spannungsanschlüsse (72) zum Anlegen der Spannung zwischen den mindestens zwei Elektroden (68, 112, 114, 158, 160) ausgebildet sind, so dass die von der Membran (16, 58, 100, 150) abgewandten Enden (78) der mindestens zwei Elektroden (68, 112, 114, 158, 160) bei Anlegen der Spannung eine Anziehung oder eine Abstoßung erfahren.
  5. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das mindestens eine Aktivelement (24, 66) einen piezoelektrischen Aktor (24) umfasst.
  6. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an der Aussparung (14, 54) eine Luftöffnung (28) für einen Druckausgleich im Inneren der Aussparung (14, 54) ausgebildet ist.
  7. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halterung (12, 52) ein Halbleitersubstrat (12, 52) mit einer Kaverne (14, 54) umfasst, und wobei in dem Halbleitersubstrat (12, 52) ein Stichkanal (28) ausgebildet ist, welcher als Luftöffnung (28) für den Druckausgleich zwischen der Kaverne (14, 54) und einer Oberfläche des Halbleitersubstrats (12, 52) verläuft.
  8. Mikromechanisches Bauteil (10, 50) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei an der Membran (16, 58, 100, 150) mindestens ein Sensorelement (86) angeordnet ist, welches durch das Verformen der Membran (16, 58, 100, 150) verformt wird und welches so ausgelegt ist, dass bei einem Verformen des Sensorelements (86) eine Spannung oder eine Widerstandsänderung induziert wird.
  9. Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauteil (10, 50) mit den Schritten: Bilden einer Halterung (12, 52) mit einer an einer Oberfläche der Halterung (12, 52) ausgebildeten Aussparung (14, 54); Anbringen einer Membran (16, 58, 100, 150) an der Halterung (12, 52) und zumindest teilweise Abdecken der Aussparung (14, 54) mit der Membran (16, 58, 100, 150); Anordnen mindestens eines Aktivelements (24, 66) mit Spannungsanschlüssen (72) auf der Membran (16, 58, 100, 150), wobei das Aktivelement (24, 66) dazu ausgebildet ist, bei Anlegen einer Spannung an das Aktivelement (24, 66) seine räumliche Ausdehnung zu variieren und die Membran (16, 58, 100, 150) zu verformen; und Anordnen eines Mikroelements (22, 62) auf der Membran (16, 58, 100, 150) so, dass das Mikroelement (22, 62) über ein Verformen der Membran (16, 58, 100, 150) durch Anlegen der Spannung an das Aktivelement (24, 66) verstellbar ist.
  10. Verfahren zum Betreiben eines mikromechanisches Bauteils (10, 50), mit einer Halterung (12, 52) mit einer an einer Oberfläche der Halterung (12, 52) ausgebildeten Aussparung (14, 54), einer Membran (16, 58, 100, 150), welche die Aussparung (14, 54) zumindest teilweise abdeckt, mindestens einem auf der Membran (16, 58, 100, 150) angeordneten Aktivelement (24, 66) mit Spannungsanschlüssen (72), wobei das Aktivelement (24, 66) dazu ausgebildet ist, bei Anlegen einer Spannung an das Aktivelement (24, 66) seine räumliche Ausdehnung zu variieren und einem auf der Membran (16, 58, 100, 150) angeordneten Mikroelement (22, 62), mit den Schritten: Verformen der Membran (16, 58, 100, 150) durch Anlegen der Spannung an das Aktivelement (24, 66) zum Verstellen des Mikroelements (22, 62).
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