FR2650693A1 - Support d'enregistrement magneto-optique - Google Patents

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    • G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
    • G11B11/10589—Details
    • G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature

Abstract

L'invention concerne un support d'enregistrement permettant une superposition d'écriture. Le support a un substrat et une couche magnétique double. Lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la seconde couche est inversée et une information de bit est enregistrée dans la première couche sous l'action de l'aimantation de la seconde couche. Lorsqu'un faisceau laser de faible niveau irradie le support, l'information du bit est enregistrée dans la première couche sous l'action de la seconde couche. Le rapport signal-sur-bruit est élevé sans réduction de la sensibilité d'enregistrement. Application aux disques de mémorisation de données.

Description

La présente invention concerne un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture sous l'action d'un faisceau modulé d'énergie optique.
Récemment, on a consacré beaucoup d'efforts pour la mise au point d'un procédé d'enregistrement-reproduction optique, d'un appareil d'enregistrement optique et d'un support utilisé pendant leur mise en oeuvre, remplissant diverses conditions telles qu'une densité élevée, une grande capacité, une grande vitesse d'accès et une vitesse élevée d ' enregistrement-reproduction.
Parmi les divers procédés d'enregistrement-reproduction optique, le procédé magnéto-optique est le plus intéressant étant donné ses avantages uniques puisque des informations peuvent être effacées après utilisation et de nouvelles informations peuvent être écrites par-dessus.
Un support d'enregistrement utilisé dans un procédé d'enregistrement-reproduction magnéto-optique a une ou plusieurs couches magnétiques perpendiculaires comme couche d'enregistrement. La couche magnétique contient par exemple
GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo ou analogue, å l'état amorphe. Des pistes concentriques ou spiralées sont formées sur la couche d'enregistrement, et les données sont enregistrées sur les pistes. Il faut noter que, dans le présent mémoire, les directions d'aimantation 'vers le haut" et "vers le bas" par rapport å la surface d'un film sont définies comme étant l'une la "direction A" et l'autre la "direction non A".Les données à enregistrer sont mises préalablement à l'état binaire et sont enregistrées par un bit (B1) ayant une aimantation de "direction A" et un bit "B0) ayant une aimantation de "direction non A". Ces bits
B1 et Bo correspondent aux niveaux "1" et "0" d'un signal numérique respectivement. Cependant, en général, la direction d'aimantation des pistes d'enregistrement peut être alignée dans la "direction non A" par application d'un intense champ de polarisation avant enregistrement. Ce traitement est appelé "initialisation". Ensuite, le bit (B1) ayant une aimantation de "direction A" est formé sur les pistes. Les données sont enregistrées en fonction de la présence ou de l'absence et/ou de la longueur du bit (B1).
Principe de la formation d'un bit
Lors de la formation d'un bit, une propriété caractéristique d'un laser, c'est-à-dire son excellente cohérence dans l'espace et le temps, est utilisée pour la focalisation d'un faisceau sur un point aussi petit que la limite de diffraction déterminée par la longueur d'onde de la lumière du laser. La lumière focalisée est émise à la surface de la piste afin qu'elle écrive des données par production de bits de diamètre inférieur à 1 pm sur la couche d'enregistrement. Dans l'enregistrement optique, une densité d'enregistrement pouvant atteindre 108 bit/cm2 peut être obtenue théoriquement, car un faisceau laser peut être concentré sur un point ayant une dimension aussi faible que sa longueur d'onde.
Comme indiqué sur la figure 1, pendant l'enregistrement magnéto-optique, un faisceau laser L est focalisé sur une couche d'enregistrement 1 afin qu'il la chauffe, alors qu'un champ de polarisation (Hb) est appliqué depuis l'extérieur à la partie chauffée en sens opposé au sens d'initialisation. Le champ coercitif Ho de la partie localement chauffée diminue au-dessous du champ de polarisation (Hb). En conséquence, la direction d'aimantation de cette partie s'aligne sur la direction du champ de polarisation (Hb). De cette manière, des bits aimantés de manière réver-sible sont formés.
Les matériaux ferromagnétiques et ferrimagnêtiques diffèrent par la variation de leur aimantation et de Hc avec la température. Les matériaux ferromagnétiques ont un champ coercitif Ho qui diminue au voisinage de la température de Curie et permettent un enregistrement de données par mise en oeuvre de ce phénomène. Ainsi, l'enregistrement de données dans des matériaux ferromagnétiques est appelé enregistrement Tc (enregistrement à la température de
Curie).
D'autre part, les matériaux ferrimagùétiques ont une température de compensation, inférieure à la température de
Curie, à laquelle l'aimantation (M) devient nulle. Le champ coercitif Ho augmente brutalement au voisinage de cette température et diminue brutalement en s'écartant de cette température. Le champ réduit Ho est compensé par un champ de polarisation relativement faible (Hb). Ainsi, l'enregistrement est permis Ce procédé est appelé enregistrement TComp (enregistrement à la température de compensation).
Cependant, dans ce cas, il n'est pas nécessaire de respecter les températures ou points de Curie, ou la température de compensation. En d'autres termes, lorsqu'un champ de polarisation (Hb) capable de compenser un champ coercitif réduit Ho est appliqué aux matériaux magnétiques dont le champ coercitif Ho est réduit a une température prédéterminée supérieure à la température ambiante, . l'enregistrement est possible.
Principe de lecture
La figure 2 illustre le principe de la lecture des données par un effet magnéto-optique. La lumière est une onde électromagnétique ayant un vecteur champ électromagnétique émanant normalement dans toutes les directions dans un plan perpendiculaire au trajet de la lumière. Lorsque la lumière est transformée en faisceau polarisé linéairement (Lp) et est projetée sur une couche d'enregistrement (1), elle est réfléchie par la couche d'enregistrement (1) et traverse aussi celle-ci. A ce moment, le plan de polarisation tourne en fonction de la direction d'aimantation (M).
Ce phénomène est appelé effet Kerr magnétique ou effet
Faraday magnétique.
Par exemple, lorsque le plan de polarisation de la lumière réfléchie tourne d'un angle Ek pour une aimantation de "direction A", il tourne d'un angle 8k Ek pour l'aimantation de "direction non A". En conséquence, lorsque l'axe d'un analyseur optique (polariseur) est réglé perpendiculairement au plan incliné d'un angle - Okt la lumière réfléchie par un bit (Bo) aimanté dans la direction non
A", ne peut pas traverser l'analyseur. Au contraire, le produit (spin28,)2 de la lumière réfléchie par un bit (B1) aimanté dans la "direction A" traverse l'analyseur et tombe sur un détecteur (dispositif de conversion photoélectrique).En conséquence, le bit (B1) aimanté dans la "direction A" parait plus brillant que le bit (Bo) aimanté dans la "direction non A" et le détecteur donne un signal électrique plus intense pour le bit (B1). Le signal élec trique provenant du détecteur est modulé d'après les données enregistrées, et il lit ainsi les données.
Lorsqu'un support d'enregistrement qui a été enregistré doit être réutilisé, il faut (i) que le support puisse être initialisé par un dispositif d'initialisation, (ii) qu'une tête d'effacement analogue à une tête d'enregistrement soit placée dans un appareil d'enregistrement, ou (iii) que les informations enregistrées soient effacées par un appareil d'enregistrement ou un dispositif d'effacement au cours d'un traitement préalable.
En conséquence, on considère qu'une opération de superposition d'écriture permettant l'enregistrement de nouvelles informations indépendamment de la présence ou de l'absence d'informations déjà enregistrées ne peut pas être réalisée dans un système d'enregistrement magnéto-optique.
Si la direction du champ de polarisation Hb pouvait être réglée librement entre la "direction A" et la "direction non A", l'opération de superposition d'écriture pourrait être réalisée. Cependant, il est impossible de moduler la direction du champ de polarisation Hb à vitesse élevée.
Par exemple, si le champ de polarisation 'Hb est appliqué par un aimant permanent, la direction de l'aimant doit être inversée mécaniquement. Cependant, il est impossible dtin- verser la direction de l'aimant à grande vitesse. Lorsque le champ de polarisation Hb est appliqué par un électroaimant, il est aussi impossible de moduler la direction d'un courant très intense à grande vitesse.
Cependant, les technologies font des progrès rapides, et un procédé d'enregistrement magnéto-optique capable d'assurer une opération de superposition d'écriture par modulation de l'intensité de lumière projetée en fonction d'informations binaires enregistrées, sans commutation du champ de polarisation Hb ou sans modulation de la direction du champ de polarisation Hb, un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une telle superposition d'écriture, et un appareil d'enregistrement capable d'assurer une telle superposition d'écriture ont été mis au point et protégés dans des demandes de brevet (demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 870 350 et demande de brevet d'Allemagne Fédérale n0 86.19 618 déposée le 4 juin 1986).
Ces demandes de brevet sont appelées "demande antérieure" dans la suite du présent mémoire.
On décrit maintenant l'invention de cette demande antérieure.
L'une des propriétés caractéristiquès de l'invention de cette demande antérieure est l'utilisation d'un support d'enregistrement magnéto-optique comprenant un film magnétique perpendiculaire multicouche ayant une structure à deux couches au moins, constituée par une couche d'enregistrement (première couche) et par une couche de référence (seconde couche). Les informations sont enregistrées par un bit ayant une aimantation de "direction A" et un bit ayant une aimantation de "direction non A" dans la première couche (et aussi dans la seconde couche dans certains cas).
Le procédé de superposition d'écriture de l'inven- tion de cette demande antérieure comprend les étapes suivantes
(a) le déplacement d'un support d'enregistrement,
(b) l'application d'un champ initial (Hini) afin que l'aimantation de la première couche reste inchangée et que la direction d'aimantation de la seconde couche soit alignée dans la "direction A" avant enregistrement,
(c) l'irradiation du support par un faisceau laser,
(d) la modulation de l'intensité du faisceau par impulsions en fonction des informations binaires enregistrées, a
(e) l'application d'un champ de polarisation lorsque le faisceau assure l'irradiation, et
(f) la formation de l'un des bits ayant soit une aimantation de "direction A", soit une aimantation de "direction non A" lorsque l'intensité du faisceau pulsé est à un niveau élevé, et la formation du bit restant lorsque l'intensité du faisceau a un faible niveau.
Dans l'invention de cette demande antérieure, lorsque l'enregistrement est réalisé, un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture est utilisé, ce support comprenant
(a) un dispositif destiné å déplacer le support d'enregistrement magnéto-optique,
(b) un dispositif destiné à appliquer un champ initial Hini,
(c) une source lumineuse projetant un faisceau laser,
(d) un dispositif de modulation par impulsions de l'intensité du faisceau en fonction des informations binaires à enregistrer, entre
(1) un niveau élevé donnant au milieu une température convenant à la formation de l'un des bits ayant une aimantation de "direction A" ou de "direction non A", et
(2) un faible niveau donnant au milieu une température convenant à la formation du bit restant, et
(e) un dispositif d'application d'un champ de polarisation qui peut aussi être utilisé comme dispositif d'application d'un champ initial.
Selon l'invention de la demande antérieure, un faisceau laser est modulé par impulsions en fonction des informations à enregistrer. Cependant, la modulation par impulsions elle-même est aussi réalisée dans un enregistrement magnéto-optique classique, et un dispositif de modulation par impulsions de l'intensité du faisceau en fonction des informations binaires à enregistrer est déjà connu. Par exemple, un tel dispositif est décrit en détail dans l'ar ticle de "The Bell System Technical Journal", volume 62 (1983), pages 1923-1936.En conséquence, si les niveaux élevé et faible d'intensité du faisceau qui sont nécessaires peuvent être obtenus, un tel dispositif est facilement disponible par modification partielle du dispositif classique de modulation Une telle modification est facile pour les hommes du métier, lorsque l'intensité du faisceau de niveau élevé ou de niveau faible est obtenue.
La propriété caractéristique de l'opération de superposition d'écriture selon l'invention de la demande antérieure est la mise en oeuvre de niveaux élevé et faible pour l'intensité du faisceau. Plus précisément, lorsque l'intensité du faisceau est à un niveau élevé, une aimantation de "direction A" de la couche de référence (seconde couche) est inversée en une aimantation de "direction non
A" par un champ magnétique d'enregistrement (Hb), et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" (ou l'aimantation de "direction A") est formé dans la couche d'enregistrement (première couche) par aimantation de "direction non A" de la seconde couche.Lorsque l'intensité du faisceau est faible, un bit ayant l'aimantation de "direction A" (ou une aimantation de "direction non A") est formé dans la couche d'enregistrement par l'aimantation de "direction A" de la couche de référence.
Dans les expressions ayant une alternative dont l'un des membres est entre parenthèses, les membres à l'exté- rieur des parenthèses se correspondent, de même que les membres placés à l'intérieur des parenthèses se correspondent.
De manière connue, lorsqu'aucun enregistrement n'est réalisé, un faisceau laser est souvent mis en fonctionnement à un "très faible niveau" afin qu'il soit placé par exemple à un emplacement prédéterminé d'enregistrement sur un support d'enregistrement. Lorsque le faisceau laser est aussi utilisé pour la lecture, il est souvent mis à une intensité correspondant à un "très faible niveau". Selon l'invention, l'intensité du faisceau laser est souvent réglée à un "très faible niveau". Cependant, le faible niveau utilisé lors de la formation d'un bit est supérieur à ce "très faible niveau". En conséquence, une forme d'onde de sortie du faisceau laser selon l'invention de la demande antérieure est représentée sur- la figure 3A.
Bien que cela ne soit pas indiqué dans le mémoire de la demande antérieure, selon la présente invention, un faisceau d'enregistrement peut utiliser non pas un mais deux faisceaux de proximité, de manière que le premier faisceau soit un faisceau laser de faible niveau (faisceau d'effacement) qui n'est modulé r'as en principe, et que le second faisceau soit un faisceau laser de niveau élevé (faisceau d'écriture) qui est modulé en fonction des informations. Dans ce cas, le second faisceau est modulé par impulsions entre un niveau élevé et un niveau de base (égal ou inférieur au faible niveau, le signal de sortie pouvant être nul). Une forme d'onde de sortie dans ce cas est représentée sur la figure 3B.
L'invention de la demande antérieure est divisée en un premier et un second aspect. Dans les deux aspects, le support d'enregistrement a une structure multicouche dans laquelle il est divisé en deux couches, comme représenté sur la figure 4A.
La première couche constitue la couche d'enregistrement qui possède un champ coercitif élevé à température ambiante et a une faible température d'inversion. La seconde couche constitue la couche de référence qui a un faible champ coercitif à température ambiante et une température d'inversion supérieure à celle de la première couche. Les deux couches sont des couches magnétiques perpendiculaires.
Il faut noter que chacune des première et seconde couches peut comporter un film multicouche. Dans certains cas, une troisième couche peut être présente entre la première et la seconde couche. En outre, aucune limite nette n'est nécessaire entre la première et la seconde couche, si bien qu'une couche peut se transformer progressivement en une autre couche.
Dans le premier aspect de cette invention, le champ coercitif d'une première couche est représenté par HCl, celui d'une seconde couche par HC2, la température de Curie de la première couche par TCl, celle de la seconde couche par Toc2, la température ambiante par TR, la température du support d'enregistrement lors de la projection d'un faisceau laser de faible niveau par TL, et, lors de la projection d'un faisceau laser de niveau élevé, par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HDi, et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2
Dans ce cas, le support d'enregistrement remplit les conditions de la formule suivante (1), ainsi que celles des formules (2) à (5 > à température ambiante.
TR < TCl=TL < TC2TH (1)
HCl > HC2+ I HDl+HD2 (2)
HCl > HDl (3)
HC2 > HD2 (4) HC2+HD2 < Hini I < HCî +HDl (5)
Dans les formules qui précèdent, le symbole "=" indique "égal" ou "sensiblement égal". En outre, dans le cas d'un milieu de type A (antiparallèle), le signe est négatif dans la formule 2 et positif dans la figure 5, et le signe est inverse dans le cas d'un milieu de type P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite). Il faut noter que le milieu de'type P contient un matériau ferromagnétique et un milieu de couplage magnétostatique.
La relation entre le champ coercitif et la température est telle que représenté par le graphique de la figure 5. Sur celle-ci, la courbe en trait fin représente les caractéristiques de la première couche et la courbe en trait gras celles de la seconde couche.
En conséquende, lorsqu'un champ initial (Hini.) est appliqué au support d'enregistrement à température ambiante, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée sans inversion de celle de la première couche, conformément à l'équation (5). Lorsque le champ initial (Hini) est appliqué à la couche d'enregistrement avant l'enregistrement, la seconde couche peut être aimantée dans la "direction A" (sur les dessins, la "direction A" est indiquée par une flèche blanche ascendante, et la "direction non A" est indiquée par une flèche blanche descendante, Lorsque le champ initial (Hini) diminue jusqu'à une valeur nulle, la direction d'aimantation de la seconde couche peut rester inchangée sans subir une nouvelle inversion, comme indiqué par l'équation (4).
La figure 4B représente schématiquement un état dans lequel seule la seconde couche est aimantée dans la "direction A" juste après l'enregistrement.
On se réfère à la figure 4B ; la direction d'aimantation dans la première couche représente les données déjà enregistrées. Comme la direction d'aimantation dans la première couche ne modifie pas le mécanisme fondamental de fonctionnement, elle est indiquée par X dans la description qui suit. Le tableau de la figure 4B est modifié comme représenté par la condition 1 sur la figure 6, par raison de simplicité.
Dans la condition 1, le faisceau laser de niveau élevé est projeté sur le support d'enregistrement afin qu'il augmente la température de celui-ci à une valeur TH
Comme TH dépasse la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche 1 disparaît. En outre, comme T H est proche de la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche 2 disparait aussi totalement ou presque totalement. Le champ de polarisation (Hb.) dans la "direction A" ou dans la "direction non A" est appliqué au support en fonction de sa nature. Le champ de polarisation (Hb) peut être un champ parasite provenant du support luimême. Par raison de simplicité, on suppose que le champ de polarisation (Hb) dans la "direction non A" est appliqué au support.Comme le support est mobile, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air. Lorsque la température du support diminue en présence du champ Hb, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée et devient la "direction non A-", en fonction du champ Hb (condition 2H de la figure 6).
Lorsque le support subit un refroidissement supplémentaire et lorsque la température du support diminue audessous de TCl, l'aimantation de la première couche apparaît à nouveau. Dans ce cas, la direction d'aimantation de la première couche est influencée par celle de la seconde couche étant donné la force de couplage magnétique (couplage magnétostatique ou d'échange). En conséquence, une aimantation de "direction non A" (milieu de type P) ou de "direction A" (milieu de type A) se forme d'après la nature du milieu comme représenté par la condition 3H sur la figure 6.
Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé est appelé "cycle à température élevée" dans le présent mémoire.
Ensuite, dans la condition 1 de la figure 7, le faisceau laser de faible niveau est projeté sur le support afin qu'il élève la température du milieu à TL Comme la température TL est proche de la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche disparaît totalement ou presque totalement. Cependant, comme TL est inférieure à la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche ne disparaît pas (condition 2L de la figure 6). Dans la condition 2L bien que le champ de polarisation (Hb) soit superflu, il ne peut pas être commuté à grande vitesse. En conséquence, le champ de polarisation (Hb) reste obligatoirement appliqué.
Cependant, comme le champ coercitif HC2 reste élevé, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée sous l'action du champ Hb. Comme le support se déplace, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air. Lorsque le refroidissement progresse, l'aimantation de la première couche apparaît. La direction d'aimantation est influencée par celle de la seconde couche étant donné la présence de la force de couplage magnétique. En conséquence, l'aimantation de "direction A" (milieu de type P) ou de "direction non A" (milieu de type A) apparaît suivant la nature du milieu. Cette aimantation n'est pas modifiée même à température ambiante (condition 3L sur la figure 7).
Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau est appelé "cycle à faible température dans le présent mémoire.
La figure 8 résume la description qui précède. Comme indiqué sur la figure 8, des bits ayant des aimantations de "direction A" et de direction non A", qui sont opposées, sont formés dans les cycles à température élevée et à faible température indépendamment de la direction d'aimantation dans la première couche. Plus précisément, une opération de superposition d'écriture est rendue possible par modulation par impulsions du faisceau laser entre le niveau élevé (cycle à température élevée) et le faible niveau (cycle à faible température), en fonction des données à enregistrer.
Il faut noter que le support d'enregistrement a normalement la forme d'un disque et est entraîné en rotation pendant l'enregistrement. Pour cette raison, une partie enregistrée (bit) est à nouveau sous l'influence du champ initial (Hini) qui est appliqué par le dispositif d'application de champ initial, pendant un seul tour. En conséquence, la direction d'aimantation de la seconde couche est alignée sur la "direction A" d'origine. Cependant, à la température ambiante, l'aimantation de la seconde couche ne peut plus influencer celle de la première couche, et les données enregistrées peuvent être conservées.
Lorsque de la lumière polarisée linéairement est projetée sur la première couche, comme la lumière qui est réfléchie par celle-ci contient des données, les -données peuvent être reproduites comme dans le support classique d'enregistrement magnéto-optique.
Il faut noter que, selon la composition de la première et de la seconde couche, un champ de reproduction HR est appliqué avant la reproduction afin que les informations contenues dans la première couche soient transférées à la seconde couche qui est alignée-dans la "direction -A" originale, ou des informations de la première couche sont transférées naturellement à la seconde couche dès que l'influence du champ Hini disparaît, sans application du champ de reproduction HR. Dans ce cas, les informations peuvent être reproduites à partir de la seconde couche.
Un film magnétique vertical constituant la première couche et la seconde couche est choisi dans le groupe qui comprend (1) les matériaux ferromagnétiques ou ferrimagnétiques cristallins ou amorphes ayant la température de
Curie et n'ayant pas de température de compensation, et (2) des matériaux ferrimagnétiques cristallins ou amorphes ayant à la fois la température de compensation et la température de Curie.
On a décrit le premier aspect qui met en oeuvre la température de Curie. Au contraire, le second aspect de la présente invention met en oeuvre le champ coercitif HC de valeur réduite à une température prédéterminée supérieure à la température ambiante. Le second aspect met en oeuvre une température T51 à laquelle la première couche est couplée magnétiquement à la seconde couche, à la place de la température Tç1 dans le premier aspect. En outre, à la place de la température TC2, une température TSL à laquelle la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb est utilisée. De cette manière, le second aspect peut donner le même effet que le premier aspect.
Dans le second aspect, le champ coercitif de la première couche est représenté par HCl, celui de la seconde couche par HC2, la température à laquelle la première couche est couplée magnétiquement à la seconde couche par TSl, la température à laquelle la direction d'aimantation de la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb par TS2, la température ambiante par TR, la température du support lorsqu'un faisceau laser de faible niveau lui est appliqué par TL, la température du support lorsqu'un faisceau laser de niveau élevé lui est appliqué par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HD1 et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2
Dans ce cas, le support d'enregistrement remplit la condition de l'équation (6) ainsi que celles des équations (7) à (10) à température ambiante TR < T51TL < T52=TH (6)
HCl > HC2+ I HDî+HD2 I (7)
HCl > HDl (8)
HC2 > HD2 (9)
HC2lHD2 < lHinit < Hcl-HDl (10)
Dans les formules qui précèdent, le milieu de type A (antiparallèle) correspond aux signes négatif dans la formule 7 et positif dans la formule 10, les signes étant inversés dans le cas du milieu P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite).
Dans le premier et le second aspect, le milieu d'enregistrement est constituépar la première et la seconde couche, chacune comprenant de préférence un matériau ferrimagnétique amorphe choisi parmi les compositions d'alliages d'un métal de transition (par exemple Fe, Co) et d'un métal lourd des terres rares (par exemple Gd, Tb, Dy- et analogue).
Lorsque la première et la seconde couche sont toutes deux choisies dans des compositions d'alliages métal de transition-métal lourd des terres rares, la direction et le niveau d'aimantation apparaissant à l'extérieur de l'alliage sont déterminés par la relation entre la direction et le niveau de spin des atomes du métal de transition (appelé
MT dans la suite) et ceux des atomes du métal lourd des terres rares (appelées TR dans la suite), à l'intérieur de l'alliage. Par exemple, comme représenté sur la figure 9A, la direction et le niveau de spin MT sont représentés par le vecteur en trait interrompu MT-1, ceux du spin TR sont représentés par le vecteur en trait plein TR-1, et la direction et le niveau d'aimantation de l'alliage dans son ensemble sont représentés par un vecteur double MA-1.Dans ce cas, le vecteur MA-1 est représenté par la somme des vecteurs MT-1 et TR-1. Cependant, dans l'alliage, les vecteurs MT et TR ont des sens opposés étant donné l'effet mutuel du spin MT et du spin TR. En conséquence, lorsque ces vecteurs sont égaux, la somme des vecteurs MT-2 et TR-1 ou la somme des vecteurs MT-1 et TR-2 est nulle (c'est-àdire que le niveau d'aimantation apparaissant a l'extérieur de l'alliage est nul). La composition d'alliage constituant la somme des vecteurs zéro et appelée "composition de compensation". Lorsque l'alliage a une autre composition, il a une intensité égale à la différence entre les intensités des deux spins et a un vecteur (MA-1 ou MA-2) ayant la même direction que le vecteur le plus élevé. L!aimantation de ce vecteur apparaît en dehors de l'alliage. Le cas échéant, le vecteur le plus intense des deux est barré.Par exemple, comme représenté sur la figure 9B, une paire de vecteurs correspond à un vecteur MA-1 (modèle '1), et une paire de vecteurs correspond à un vecteur MA-2 (modèle 2).
Lorsque l'une des intensités des vecteurs des spins
TR et MT dépasse l'autre, la composition d'alliage est dite "riche en xx", d'après le nom du spin le plus important (par exemple riche en TR).
La première et la seconde couche peuvent être considérées comme des compositions riches en MT ou riches en TR.
En conséquence, si la composition de la première couche est portée en ordonnées et celle de la seconde couche en abscisses, les types des supports d'enregistrement selon l'invention peuvent être classés en quatre quadrants, comme représenté sur la figure 10. Le milieu de type P décrit précédemment appartient aux quadrants I et III, et le milieu de type A appartient aux quadrants il et IV. Comme l'indique la figure 10, l'intersection (origine) des abscisses et des ordonnées représente la composition de compensation des deux couches.
Etant donné le changement du champ coercitif lors du changement de température, une composition d'alliage particulière a des caractéristiques telles que le champ coercitif augmente temporairement vers une valeur infinie puis diminue brutalement avant que la température n'atteigne la température de Curie (à laquelle le champ coercitif est nul). La température qui correspond å un champ coercitif infini est appelée températurè de compensation (TComp
Aucune température de compensation n'existe entre la température ambiante et la température de Curie dans la composition d'alliage riche en MT.Une température de compensation inférieure à la température ambiante est dépourvue de tout intérêt pour l'enregistrement magnéto-optique et en conséquence, on suppose, dans le présent mémoire, que la température de compensation est comprise entre la température ambiante et la température de Curie.
Si l'on classe la première et la seconde couche en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, le support d'enregistrement peut être classé en quatre types. Le support d'enregistrement du quadrant I contient les quatre types de milieux. Les graphiques des figures 11A à 11D respectivement représentent la relation entre le champ coercitif et la température des quatre types de milieux. Il faut noter que les courbes fines représentent les caractéristiques de la première couche et les courbes grasses celles de la seconde couche.
Lorsque la première couche (enregistrement) et la seconde couche (référence) sont classées en fonction de leurs caractéristique de richesse en TR ou MT et en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, elles appartiennent à neuf classes.
Tableau 1
Quadrant I
Classe Type
première couche : Seconde couche
riche en TR riche en TR
1 T T 1
comp. comp.
2 pas T T 2
comp. comp.
3 Tcomp. pas Tcomp. 3
4 pas comp. pas Tcomp 4
Quadrant il classe ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Type
Première couche : Seconde couche
riche en TR riche en MT
5 Tcomp. pas Tcomp. 3
6 pas Tcomp pas Tcomp. 4
Quadrant III
Classe ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Type
Premiere couche : Seconde couche
riche en MT riche en MT
7 pas comp. pas Tcomp. 4
Quadrant IV
Classe Type
Première couche : Seconde couche
riche en MT riche en TR
8 pas Tcomp. Tcomp. 2 9 pas T pas T
comp. comp. 4
Cependant, le support décrit en détail dans le mémoire de -la demande antérieure est difficile à mettre sous forme d'un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture.et ayant un rapport élevé signal-sur-bruit, sans réduction de la sensibilité d'enregistrement.
L'invention a pour objet la réalisation d'un support d'enregistrement magnéto-optique permettant des superpositions d'écriture, avec un rapport élevé signal-sur-bruit sans réduction de la sensibilité d'enregistrement.
Un support d'enregistrement magnéto-optique selon l'invention a une structure multicouche qui comporte une première couche ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, comme couche d'enregistrement, et une seconde couche ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, comme couche de référence.Lorsque l'une des directions "vers le haut" et "vers le bas"; par rapport à la surface d'une couche, est appelée "direction A", l'autre est appelée "direction non A", seule l'aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction A" par un champ initial Hini jusqu'a un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Lorsqutun faisceau laser de niveau élevé est projeté, l'aimantation de "direction A" de la seconde couche est inversée en aimantation de "direction non A" par un champ de polarisation Hb, et un bit ayant une aimantation de "direction non A" (ou une aimantation de "direction
A") est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation de "direction non A" de-la seconde couche.
Lorsqu'un faisceau laser de faible niveau est projeté, un bit ayant l'aimantation de "direction A" (ou d'aimantation de "direction non A") est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation de "direction A" de la seconde couche. Le support d'enregistrement selon la présente invention remplit la condition suivante T R < T L < T Cl < THT et il remplit les quatre conditions suivantes à température ambiante HCl > HC2+ I HD1+HD2 i
HC1 > HDl
HC2 > HD2 HC2+HD2 < IHini I < HCî+HDî dans lesquelles
TR = température ambiante,
Tcî = température de Curie de la première couche
TC2 = température de Curie de la seconde couche
TL = température du support d'enregistrement lors-de la
projection du faisceau laser de faible niveau
TH = température du support d'enregistrement lors de la
projection du faisceau laser de niveau élevé
HCl = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche -
HD1 = champ de couplage appliqué à la première couche
HD2 = champ de couplage appliqué à la seconde couche
Hini = champ initial.
De manière générale, lorsque la température de Curie de de la couche d'enregistrement (première couche) est élevée, un angle de rotation de Kerr #k devient élevé et le rapport signal-sur-bruit augmente.
Cependant, dans le support décrit en détail dans le mémoire de la demande antérieure, comme TCl = TL, si T augmente, TL doit aussi augmenter.
Dans ce cas, T H doit être encore accru afin qu'une marge de sécurité empêche la création d'un cycle à haute température (TH) dans un cycle à basse température (TL).
Pour cette raison, on a constaté que, lorsque le faisceau de niveau élevé était projeté, la température du support ne pouvait pas être facilement portée à TH, et en conséquence, la sensibilité d'enregistrement était faible.
D'autres étu~-s ont montré les faits suivants.
Ainsi, comme des informations ont été enregistrées par des bits ayant une aimantation de "direction A" et des bits ayant une aimantation de "direction non A", lorsqu'une opération de superposition d'écriture a été réalisée, un nouveau bit a dû être formé (1) lorsqu'un bit déjà enregis tré était différent d'un bit à enregistrer å nouveau (a former), (2) lorsque le bit déjà enregistré était le même que le bit à enregistrer (å former), le bit d'enregistrement déjà formé pouvait rester inchangé, si bien qu'aucun problème n'était posé.
Dans le premier cas (1), la direction d'aimantation de la première couche est inversée par l'opération de superposition d'écriture. Un état d'aimantation d'un bit avant enregistrement est représenté sur la figure 12, par rapport a l'état dans lequel la direction d'aimantation de la seconde couche est alignée dans la direction "A" par le champ Hini.
On a constaté que, pour un bit d'un type ou d'un autre, une paroi d'interface se formait entre la première et la seconde couche dans un état précédant immédiatement l'enregistrement. Cet état a accumulé une énergie de paroi d'interface a (aussi appelée énergie de couplage
w d'échange), et correspond a un état quasi-stable. Comme décrit précédemment, indépendamment d'un champ externe, les conditions de maintien de cet état sont les deux conditions suivantes HC1 > ( aw/2Msltl ) (1)
HC2 > (a/2M52t2) (2)
Ces conditions sont des conditions nécessaires pour les raisons suivantes.Si l'on suppose que le support d'enregistrement doit être un support normal analogue à un disque, un bit enregistré dans la première couche subit inévitablement le champ Hini du dispositif d'application de ce champ placé dans l'appareil d'enregistrement, pendant un tour, et se trouve à l'état quasi-stable précité. Dans ce cas, c'est un gaspillage d'effacer les informations de la première couche qui ont été enregistrées difficilement, par l'aimantation de la seconde couche, ou de perturber l'aimantation de la seconde couche initialisée par le champ
Hini avec difficulté par les informations (aimantation) enregistrées dans la première couche.
Cependant, cet état est l'état quasi-stable, et la première couche est influencée par l'aimantation de la seconde couche par l'intermédiaire de aw
Au cours d'études supplémentaires, on a constaté que, lorsque la température du support était élevée d'une température ambiante T R (par exemple de 10 à 45 0C) à une température élevée (par exemple 75 C), comme le champ coercitif HCl de la première couche diminuait, la direction d'aimantation de la première couche s'inversait à un état stable sous l'action de l'aimantation de la seconde couche.
Plus précisément, on a constaté que la température de la première couche était portée à TCl et que son aimantation pouvait être inversée,-bien qu'elle ne disparaissait pas.
En conséquence, selon la présente -invention, cette température d'inversion est représentée par TL, et ainsi que la basse température est exécutée avec la condition TL < TCl La température TL est de préférence réglée à 75 C ou plus afin qu'il reste une marge de 35 C par rapport à la température ambiante normale TR (par exemple de 10 à 45 C), favorisant un fonctionnement sur.
A cet effet, TCl peut être réglé à une valeur élevée indépendamment de TL, et l'angle de rotation de Kerr 6k peut être accru si bien que le rapport signal-sur-bruit augmente. Cependant, comme T L peut être réalisé à une faible valeur par rapport à TCl, la sensibilité d'enregistrement peut être accrue.
Selon la présente invention on a constaté que, pour des supports particuliers d'enregistrement des classes 1, 2 et 8 dans lesquels la seconde couche avait une température de compensation, lorsque la première couche ayant une température de Curie TCl supérieure à une température de compensation TcOmp 2 de la seconde couche était choisie, le rapport signal-sur-bruit avait une valeur élevée satisfaisante.
L'invention a aussi pour objet la réalisation d'un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, dans lequel la température de
Curie TCl d'une première couche est supérieure à une tempé rature de compensation TComp 2 de la seconde couche.
Selon l'invention, on a aussi constaté qu'un support d'enregistrement pouvant remplir la condition suivante T R < TL < TH < TCî < TC2 avait un rapport signal-sur-bruit de valeur élevée, sa sensibilité d'enregistrement n'étant pas faible.
En conséquence, un support d'enregistrement magnétooptique permettant une superposition d'écriture selon l'in- vention a une structure multicouche qui comporte une première couche ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, comme couche d'enregistrement, et une seconde couche qui a une anisotropie magnétique perpendiculaire, comme couche de référence.Lorsqu'une direction vers le haut" et "vers le bas" par rapport à une surface de la couche est appelée "direction A" -et l'autre "direction non
A", seule une aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction A" par le champ initial Hini jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. (1) Lorsqu'un faisceau laser de niveau élevée est projeté et lorsque la température du support est accrue jusqu'à une température élevée TH, les aimantations de la première et de la seconde couche sont perdues ou affaiblies.En conséquence, les aimantations des deux couches obéissent à la direction d'un champ de polarisation Hb En conséquence, lorsqu'une irradiation par un faisceau laser est arrêtée et lorsque la température du support est abaissée à température ambiante, l'aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction non A", et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" (ou l'aimantation de "direction
A") est formé dans la première couche, suivant la nature du support. (2) Lorsqu'un faisceau laser de faible niveau est projeté et lorsque la température du support est augmentée jusqu'à une faible température TL qui est inférieure à la température élevée TH, l'aimantation de la première couche suit celle de la seconde couche, bien que la première et la seconde couche soient encore aimantées. En conséquence, lorsque l'irradiation par un faisceau laser est interrompue et lorsque la température du support diminue vers la température ambiante, l'aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction A" et un bit ayant une' aimantation de "direction A" (ou une aimantation de "direction non
A") est formé dans la première couche suivant la nature du support. Ce support remplit la condition TR < TL < TH#TC1#TC2
Dans le support d'enregistrement selon l'invention, un cycle à basse température est réalisé comme indiqué sur la figure 12. Au contraire, un cycle à température élevée est réalisé de la manière suivante.Plus précisément, lorsque la température du support est égale à TH, (1 > l'aimantation de la première couche disparait, et une faible aimantation reste dans la seconde couche, ou (2) une faible aimantation reste à la fois dans la première et dans la seconde couche.
Dans le cas (1), la relation HC2 < Hb est établie et, pour cette raison, l'aimantation de la seconde couche suit la direction de Hb. Lorsque le bit se trouve en dehors de la région de la tache du faisceau laser et lorsque la température du support est légèrement réduite à partir de TH, l'aimantation ayant la même direction que celle de la seconde couche apparaît dans la première couche du fait de l'inflùence de l'aimantation de la seconde couche et de Hb.
Dans le cas (2), puisque T H est une température relativement élevée, les champs coercitifs de la première et de la seconde couche sont faibles, et l'une des relations suivantes (1) à (3) est satisfaite (I) C1 HC2l < (aw/2Msltl)+(aw/2Ms2t2)
et Hb > (MS1t1HC1+MS2t2HC2)/MS1t1+MS2t2)
(2) Hb < Hcl+(aw/2Msltl)
et Hb > HC2-(aw/2Ms2t2}
(3) Hb > Hcl-(aw/2Msltl)
et b > H2+(aw/2M52t2)
Pour cette raison, les aimantations des deux couches sont inversées pratiquement en même temps, et correspondent à la direction de Hb. -
Dans les deux cas (1) et (2), lorsque la température du support revient à température ambiante à partir de cet état, un bit.ayant une aimantation de "direction non A" (ou l'aimantation de "direction non A") est. formé dans la première couche, suivant la nature du support. L'aimantation de "direction non A" est présente dans la seconde couche et correspond à ce bit, et aucune paroi d'interface n'est présente entre la première et la seconde couche.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels
la figure 1 est une représentation illustrant un principe d'enregistrement dans un procédé d'enregistrement magnéto-optique
la figure 2 est une représentation destinée à l'explication d'un principe de lecture lors d'un procédé d'enregistrement magnéto-optique
les figures 3A et 3B sont des diagrammes des temps représentant les intensités de faisceau laser ;;
la figure 4A est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'enregistrement
la figure 4B est un schéma représentant la direction d'aimantation d'une couche d'enregistrement et d'une couche de référence
la figure 5 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température
la figure 6 représente les changements de direction d'aimantation à un niveau élevé
la figure 7 représente les changements de direction d'aimantation à un faible niveau
la figure 8 représente la variation des changements de la direction d'aimantation des figures 5 et 6 pour des supports de type respectif P et A
les figures 9A et 9B sont des schémas illustrant l'application de divers champs magnétiques
la figure 10 est une carte permettant le classement des types de support d'enregistrement selon l'invention en quatre quadrants ;
les figures liA à llD sont des graphiques représente tant la relation entre le champ coercitif porté en ordonnées et la température -portée en abscisses pour des supports des types I à IV
la figure 12 représente l'inversion d'aimantation lors de l'enregistrement
la figure 13 est un graphique représentant la relation entre'le champ coercitif et la température dans le cas d'un support d'enregistrement n0 1-1 ;
les figures 14 et 15 sont des schémas représentant les variations de la direction d'aimantation dans des cycles à températures élevée et faible d'un support n0 1-1
la figure 16 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas du support n0 1-2 ;;
les figures 17 et 18 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles à températures élevée et faible du support n0 1-2
la figure 19 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 1-3 ;
les figures 20 et 21 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles à températures élevée et faible du support n0 1-3 ;
la figure 22 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le casd'un support n0 2-1 ;;
les figures 23 et 24 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 2-1
la figure 25 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 2-2
les figures 26 et 27 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles à températures élevée et faible du support n0 2-2
la figure 28 est un graphique représentant la relation existant entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 3 ;;
les figures 29 et 30 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n03 ;
la figure 31 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 4-1
les figures 32 et 33 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 4-1
la figure 34 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n 4-2 ;;
les figures 35 et 36 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de tempe ratures élevée et faible du support n0 4-2
la figure 37 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 5-1
les figures 38 et 39 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 5-1
la figure 40 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 5-2
les figures 41 et 42 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 5-2
la figure 43 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 6
les figures 44 et 45 sont des schémas représentant les variations de la direction d'aimantation dans des cycles à températures élevée et faible du support n0 6
la figure 46 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 7-1
les figures 47 et 48 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support nq 7-1 ;
la figure 49 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 7-2 ;;
les figures 50 et 51 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 7-2
la figure 52 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un sup portée0 8-1
les figures 53 et 54 sont des schémas représentant les variations de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 8-1
la figure 55 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support 8-2
les figures 56 et 57 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n 08-2 ;;
la figure 58 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température a'un support n0 8-3 ;
les figures 59 et 60 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation des cycles de températures élevée et faible du support n0 8-3
la figure 61 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support n0 9
les figures 62 et 63 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation des cycles de températures élevée et faible du support n0 9 ;
la figure 64 est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'enregistrement selon un mode de réalisation de l'invention ; et
la figure 65 est un schéma représentant la disposition globale d'un appareil d'enregistrement magnétooptique
On considère d'abord en détail le principe dé superposition d'écriture, en référence à un support particulier appartenant à la classe 1 (type P, quadrant I, type 1) du tableau 1.
Le support n 1-1 satisfait à l'équation 11-1
TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 (11-1)
La condition relative à Tcomp.2 ne pose pas de limites particulières. Cependant, la description qui suit est réalisée dans l'hypothèse où TL < TC1 < Tcomp.2. L3 graphique de la figure 13 représente cette relation. Il faut noter que les courbes en trait mince sont relatives la première couche et les courbes en trait gras à -la seconde couche. Ces identifications sont les mêmes sur les graphiques suivants.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (12). Le support n 1-1 satisfait à l'équation (12) à la température TR
HCl > HC2+(aw/2Msltl)+(:w/2Ms2 (12) dans laquelle
HCl = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
M51 = aimantation à saturation de la première couche
Ms2 = aimantation à saturation de la seconde couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche #W = = énergie de paroi d'interface (force de couplage
d'échange).
A ce moment, une condition relative au champ Hini est représentée par l'équation (15). Si le champ Hini dis parait, l'aimantation inversée de la seconde couche est influencée par I'aimantation de la première couche due à une force de couplage d'échange. La condition qui peut conserver la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (13) et (14).Le support n0 1-1 satisfait aux équations (13) et (14)
HCî > (aw/2M51t1) (13)
HCl > taw/2Ms2t2) (14)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) (15)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement, qui peut satisfaire aux équations (12) à (14) à la température TR, est alignée dans le modèle 1 de "direction
A" sur la figure 9B par le champ Hini qui satisfait à l'équation (15). A ce moment, la couche d'enregistrement l est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 14 et 15).
La condition la ou lb est conservée jusqu'a un moment qui précède immédiatement l'enregistrement Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est applique en direction ascendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 14.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu augmente et dépasse légèrement la température de
Curie TCl de la première couche lors de l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la première couche 1 disparaît (condition 2H).
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, la température du milieu augmente aussi. Lorsque la température du milieu dépasse légèrement la température TComp-2 de la seconde couche, la relation entre les intensites des vecteurs est inversée (du modèle 1 au modèle 2 de la figure 9B), bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée afin qu'elle corresponde à la "direction non A" (condition 3H).
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb. Lorsque la température augmente encore et atteint la température
TH, la temperature de la seconde couche se rapproche de la température de Curie Tç2 et l'aimantation de la seconde couche est inversée par le champ Hb (condition 4H)-
Dans la condition 4Ht lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence a diminuer.Lorsque la température du milieu tombe au-dessous de la température TComp 2' la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (du modèle 3 au modèle 4 de la figure 9B), bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de la "direction A" à la "direction non A" (condition 5H)
Dans la condition 5Ht comme la température du milieu est supérieure à la température TCl, l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu. En outre, comme le champ coercitif HC2 à cette température est élevé, la direction d'aimantation de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ Hb.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, - l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, l'énergie de la paroi d'interface de la seconde couche provoque l'alignement de chacun des spins TR et MT de la première et de la seconde couche. Comme la température de la première couche dépasse la température TComp 1 le spin MT est supérieur au spin TR si bien que l'aimantation du modèle 3 de la figure 9B apparaît dans la première couche.L'état est la condition 6H
Lorsque la température du milieu a diminué de celle de la condition 6H et est inférieure à TComp l' les relations entre les intensités des spins TR et MT de la première couche sont inversées (du modèle 3 au modèle 4 de la figure 9B). En conséquence, l'aimantation de la "direction non A" apparaît (condition 7H)-
La température du milieu diminue alors de-la température de la condition 7H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante-est suffisamment élevé, la condition 7H est conservée sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 15.
Dans les conditions la ou lb juste avant l'enregistrement, la température du milieu augmente à la valeur
TComp 1 lors de l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau. La relation entre les intensités des vecteurs est inversée bien que les directions des spins TR et
MT de la première couche restent les mêmes. En conséquence, l'aimantation de la première couche est inversée (condition la vers condition 2La,condition lb vers condition 2lob).
Dans cette condition, le milieu de type A est temporairement formé.
Lorsque la température augmente encore depuis cet état et atteint TL, la relation suivante est établie HCl+Hb < (w/2MSltl) et la condition 2La passe à la condition 3L. D'autre part, comme la condition 2Lb est conservée, la condition 3L identique à la condition 2Lb est conservée.
Dans la condition 2Lt lorsqu ! une -partie irradiée s'écarte de-la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température est inférieure à TComp 1' la relation entre les intensités des vecteurs des spins TR et MT de la première couche est inversée (du modèle 2 au modèle 1 de la figure 9B). En conséquence, l'aimantation de la première couche est dans la "direction A" (condition 4L). Dans cette condition, le milieu revient au type P.
La condition 4L est conservée même lorsque la tempé rature du milieu est abaissée à la température ambiante. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
On décrit maintenant en détail le principe de ltope- ration de superposition d'ecriture, en référence à un support particulier d'enregistrement appartenant à la classe 1 (type P, quadrant I type I) indiquée dans le tableau 1.
Le support d'enregistrement n0 1-2 satisfait aux équations (11-1) et (11-2)
Tcomp.2 < TC1 (11-2)
Dans la description qui suit, TL < T 2. Le gra
comp phique de la figure 16 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (12). Le support n 1-2 satisfait à l'équation (12) à la température TR.
A ce moment, une condition imposée au champ Hini est représentée par l'équation (15). Si le champ Hini disparaît, les aimantations inversées de la première et de la seconde couche s'influencent mutuellement à cause de l'énergie de la paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (13) et (14). Le support n0 1-2 satisfait aux équations (13) et (14).
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (12) à (14) à la température T R est alignée dans la "direction A" (modèle 1 de la figure 9B) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (15). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb . des figures 17 et 18).
La condition la ou lb est conservée jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement.
Il faut noter que le champ de polarisation Hb est difficile à focaliser sur la même plage que la région d'irradiation (région de la tache) du faisceau laser, comme un champ magnétique général Lorsqu'un support est en forme de disque, l'information une fois enregistrée (bit) est sous l'action du champ Hini pendant un tour du support, et est dans les conditions la et lb. Le bit passe à une piste voisine de la région d'irradiation (région de la tache) du faisceau laser pendant le tour suivant du support. Dans ce cas, le bit qui est dans les conditions la et lb est influencé par le champ de polarisation Hb. Si la direction de polarisation de la première couche du bit dans la condition la ayant la direction d'aimantation opposée à celle du champ Hb est inversée par Hb, les informations enregistrées un tour avant le tour actuel sont perdues.Une condition destinée à empêcher ce phénomène est donnée par la relation
Hcî > Hb > (aw/2M51t1) (15-2)
Le support analogue à un disque doit satisfaire - à cette équation à température ambiante. En d'autres termes, l'équation (15-2) exprime une condition pour la détermination de Hb.
Le bit des conditions la et lb atteint alors la région de la tache du faisceau laser.
La figure 18 représente un cycle à basse tempera- ture. Cependant, de cycle est le même que celui qui est représenté sur la figure 15, et on ne le décrit donc pas.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 17.
Lorsque la température du milieu est portée à TL par l'intermédiaire de Tc 1 lors de l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition la ou lb passe à la condition 2H.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, la température du milieu augmente en conséquence.
Lorsque la température du milieu dépasse légèrement TComp de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (du modèle 1 au modèle 2) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée afin qu'elle corresponde à la "direction non A" (condition 3H.
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb.
Lorsque la température augmente encore et atteint TCl, l'aimantation de la premiere couche disparaît (condition 4H)- Lorsque la température augmente encore et atteint la valeur TH, la température de la seconde couche se rapproche de la température de Curie TC2, et l'aimantation de la seconde couche est inversée par le champ Hb (condition 5H).
Dans la condition 5H lorsqu'une partie irradiéesest séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, l'6nergie de paroi d'interface provenant de la seconde couche aligne chacun des spins TR et MT de la première et de la seconde couche. Comme la température de la première couche est supérieure à comp T le spin MT est supérieur au spin TR
comp. 1' et en conséquence l'aimantation du modèle 3 de la figure 9B apparaît dans la première couche. Cet état constitue la condition 6H
Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de Tcomp.2, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (du modele 3 au modèle 4) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes.En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de la "direction A" à la "direction non A" (condition 7H).
Lorsque la tempéraure du milieu diminue de celle qui correspond à la condition 7H et prend une valeur qui est inférieure à Tcomp.1, les relations entre les intensites des spins TR et MT de la première couche sont inversées (du modèle 3 au modèle 4). En conséquence, l'aimanta tion de la "direction non A" apparaît (condition
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 8H à la température ambiante. Comme-le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé (voir équation (15-3)), la condition 8H est maintenue sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
Hb < HCl+(ow/2Msltl) (15-3)
Ensuite, on décrit en détail le principe de l'opera- tion d'écriture avec superposition, en référence à un support particulier de la classe 1 (type P, quadrant I, type 1) indiqué dans le tableau 1.
Le support d'enregistrement n0 1-3 satisfait aux équations (11-2) et (11-3)
TR < Tcomp.1 < TL < TH#TC1#TC2 (11-3)
Par raison de simplicité; la description qui suit est faite dans les hypothèses où TH < TCl < TC2 et
TM < Tcomp.2. Le graphique de la figure 19 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à température ambiante (TR) est représentée par l'équation (12). Le support n 1-3 satisfait à l'équation (12) à la température TR
A ce moment, l'équation (15) représente une condition pour le champ Hini. Si le champ Hini 'disparaît, les aimantations inversées de la première et de la seconde couche s'influencent mutuellement étant donné l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de -la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (13) et (14) qui sont satisfaites par le support n0 1-3.
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (12) à.(14) à la température T R est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (15). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la et lb des figures 20 et 21).
Le cycle à basse température est représenté par la figure 21. Cependant, ce cycle est le,même que celui du support numéro 1-2, et sa description détaillée est donc omise.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 20.
Lorsque la température du milieu est portée à l'intermédiaire de Tcomp 1' lors de l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition la ou lb passe à la condition 2H
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, la température du support augmente en conséquence.
Lorsque la température du support dépasse légèrement la température Tcomp.2 de la seconde couche, le suppot passe du type A ou type B et la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (du modèle 1 au modèle 2) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée afin qu'elle se trouve dans la "direction non A" (condition -3H).
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb. . Lorsque la température augmente encore et atteint TH, la température de la première et de la seconde couche correspond pratiquement à la -empérature de Curie, et l'aimantation de la seconde couche disparaît aussi (condition 4H)
En conséquence, le milieu satisfait à l'une des trois relations suivantes (1) à (3)
#HC1-HC2# < (#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2 (1)
et Hb > (MS1t1HC1+MS2t2HC2)/(MS1t1+MS2t2)
Hb < HCî+(aw/2M51t1) (2)
et Hb > HC2 (a/2M52t2)
Hb > HC1-(#w/2MS1t1) (3)
et Hb > HC2+ (a/2M52t2)
Pour cette raison, les aimantations des deux couches sont inversées presque en même temps et obéissent à la direction de Hb. Cet état est la condition 4H
Dans la condition 4H' lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température diminue au-dessous de Tcomp.2, 2' le milieu passe du type P au type A et la relation entre les intensités des vecteurs est inversée, du modèle 3 au modèle 4. En conséquence, la direction d'aimantation de la seconde couche s'inverse de la "direction A" à la "direction non A" (condition 5H)*
Lorsque la température du milieu diminue encore au dessous de TComp l' le milieu revient du type A au type P et la relation entre les intensités des vecteurs est inver sée du modèle 3 au modèle 4. En conséquence, la direction d'aimantation de la première couche est inversée de la "direction A" à la "direction non A" (condition 6H).
La température du milieu diminue alors de la température de la condition 6H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé7 la condition 6H est conservée sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention lors de l'utilisation d'un support particulier n0 2-1 appartenant à la classe 2 (type P, quadrant I, type 2) indiqué dans le tableau 1, et le principe du procédé selon l'invention par utilisation du support particulier n0 2-1,
Le support d'enregistrement n0 2-1 satisfait à l'équation (16)
TR < TL < TCl < THSTC2 (16)
La description qui suit est réalisée dans l'hypothèse où comp.2 satisfait à la relation comp.2
TL < TC1 < Tcomp.2. Le graphique de la figure 22 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (17). Le support n 2-1 satsfait à l'équation (17) à la température TR: HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (17)
A ce moment, une condition que doit remplir le champ
Hini est représentée par l'équation (20). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la seconde couche est áffectee par l'aimantation de la première couche étant donné l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (18) et (19) qui sont satisfaites par le support n0 2-1.
HC1 > (#w/2MS1t1) (18)
HC1 > (#w/2MS2t2) (19) HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) (20)
L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement qui permet la satisfaction des équations (17) à (19) à la température T R est alignée dans la "direction
A" (modèle 1 de la figure 9B) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (20). A ce moment, la première couche est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 23 et 24).
La condition la et lb est conservée jusqu un moment précédant immédiatement l'enregistrement.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 23.
Dans la condition 1, lorsque la température du milieu s'élève légèrement au-delà de la température de
Curie TCl de la première couche, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 2H).
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, la température du milieu augmente en conséquence.
Lorsque la température du milieu dépasse légèrement Tcomp.2 de la seconde couche, la relation entre les intensités -des vecteurs est inversée (du modèle 1 au modèle 2 de la figure 9B), bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée dans la "direction non A" (condition 3H >
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb.Lorsque la température augmente encore et atteint la valeur TH, la température de la seconde couche atteint le voisinage de la température de Curie TC2, le champ coercitif HC2 diminue, et l'aimantation de la seconde couche est inversée par le champ Hb (condition 4H)
Dans la condition 4Ht lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de Tcomp.2, 2' la relation entre les intensités des vecteurs s'inverse du modèle 3 au modèle 4, bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de la "direction A" à la "direction non A" (condition 5H >
Dans la condition 5Ht comme la température du milieu est supérieure à la température TCl, l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu. En outre, comme le champ coercitif HC2 à cette température est élevé, la direction d'-aimantation de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ Hb.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange due à la seconde couche assure l'alignement de chacun des spins TR et MT de la première et de la seconde couche. Ainsi, l'aimantation de la "direction non
A" apparaît dans la première couche. Cet état est la condition 6H.
La température du milieu diminue alors de la valeur de la condition 6H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevée, la condition 6H est conservée sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 24.
Dans la condition 1 juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Ainsi, la relation suivante est établie Hcî+Hb < (aw/2M5îtî) et la condition la passe à la condition 2L. D'autre part, comme la condition lb est conservée, la même condition 2L est établie.
La condition 2L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue jusqu'à la température ambiante.
En conséquence, un bit est formé dans la "direction A" dans la première couche.
On décrit maintenant en détail le principe du pro cédé selon l'invention mettant en oeuvre un support particulier d'enregistrement n0 2-2 appartenant à la classe 2 (type P, quadrant I, type 2) représenté dans le tableau 1, et le principe du procédé selon l'invention mis en oeuvre à l'aide du support particulier n0 2-2.
Le support d'enregistrement n0 2-2 satisfait aux équations (16) et (11-2)
TR < TL < TCl < THSTC2 (16) avec la relation TL < T 2. Le graphique de la figure 25
comp.2 représente cette relation.
Une condition qui inverse l'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (17). Le support n0 2-2 satisfait à l'équation (17) à la température TR
A ce moment, l'équation (20) représente une condition pour le champ Hini. Si le champ Hini~ disparaît, les aimantations inverses de la première et de la seconde couche sont influencées mutuellement à cause de l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permét le maintien de la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les formules (18) et (19).
Le support n0 2-2 satisfait aux équations (18) et (19)
L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (17) à (19) à la température T R est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (20). A ce moment, la première couche est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 26 et 27).
Le cycle à basse température représenté sur la figure 27 est le même que celui du support n0 2-1, et sa description détaillée est donc omise.
On décrit maintenant le cycle à température élevée à la référence à la figure 26.
Lorsque la température du milieu est accrue jusqu'à
TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition la ou lb passe à la condition 2H.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, la température du milieu augmente aussi. Lorsque la température du milieu dépasse légèrement TComp 2 de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée du modèle 1 au modèle 2; bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée à la "direction non A" (condition 3H)
Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb.
Lorsque la température augmente et atteint TCl, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 4H). Lorsque la température augmente encore et atteint TH, la température la seconde couche correspond pratiquement à la température-de Curie TC2 et l'aimantation de la seconde couche est inversée par le champ Hb (condition 5H)-
Dans la condition 5Hr lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, L'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange de la seconde couche assure l'alignement de chacun des spins TR et MT de la première et de la seconde couche. Ainsi, l'aimantation du modèle 4, sur la figure 9B, apparaît dans la première couche. Cet état constitue la condition 6H
Lorsque la température du milieu diminue encore audessous de Tcomp,2' 2 la relation entre les intensités des vecteurs est inversée du modèle 3 au modèle 4 bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes.En conséquence, la direction d'aimantation de la seconde couche dans son ensemble est inversée de la "direction A" à la "direction non A" (condition 7H)-
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 7H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, la condition 7H est maintenue sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ
Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention lors de l'utilisation d'un support particulier n0 3 appartenant à la classe 3 (type P, quadrant I, type 3) du tableau 1.
Le support d'enregistrement ne 3 satisfait à l'équation (21)
TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 (21)
Le graphique de la figure 28 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (22). Le milieu n0 3 satisfait à l'équation (22) à la température TR
Hcî > Hc2+(aw/2M51t1)+(aw/2M52t2) (22)
A ce moment, l'équation (25) représente-une condition pour Hini Si Hini disparaît, l'aimantation inverse de la- couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement~1 à cause de la force de couplage d'échange. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (23) et (24)-.Le support n0 3 satisfait aux équations,(23) et (24) HCl > (aw/2Msltl) (23)
Hç1 > (a/2M t2) (24)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) (25)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (22) à (24) à la température TR est alignée dans la "direction A" (modèle 1) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (25). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 29 et 30).
La condition la ou lb est conservée jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 29.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu augmente et dépasse légèrement la température de
Curie TCi de la première couche après irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H)
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit, comme la température TH du milieu atteint une valeur proche de la température TC2, l'aimantation de la seconde couche est inversé par-le champ (condition 3H).
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser; la température du milieu commence à diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, énergie de paroi d'interface de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR et MT des couches 1 et 2. Comme la température du milieu est supérieure à la température Tcomp.1, le spin MT est supérieur au spin TR (modèle 3). En conséquence, l'aimantation dans la "direction A" apparaît dans la couche 1 (condition 4H).
Lorsque la température du milieu diminue encore depuis celle de la condition 4H et est inférieure à la température Tcomp.1, la relation entre les intensités des spins MT et RE de la couche 1 est inversée. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la couche 1 est inversée vers la "direction non A (condition 5H)-
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 5H à la température ambiante. Comme le champ coercitif Hcl à la température ambiante est suffisamment élevée, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
Le cycle à basse température de la figure 30 est identique à celui du support ne 1-1.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention mettant en oeuvre un support particulier n0 4-1 appartenant à la classe 4 (type P, quadrant
I, type 4) représenté dans le tableau 1.
Le support n0 4-1 satisfait à l'équation (26-1)
TR < TL < TCl < THTC2 (26-1)
Le graphique de la figure 31 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (27). Le support n0 4-1 satisfait à ltequation (27) à la température TR HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (27)
A ce moment, l'équation (30) représente une condition pour Hini. Si Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement du fait de l'énergie de la paroi d'interface.La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (28) et (29) qui sont satisfaites par le support n0 4-1
HCl > (aw/2Msltl) (28)
HCl > (a/2M52t2) (29)
HC2+(#w/2MS2t2) < #HINI# < HC1-(#w/2MS1t1) (30)
L'aimantation de la couche 2 du.support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (27) à (29) à la température T R est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (30) A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 32 et 33).
La condition la ou lb est conservée jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 32.
Lorsque la température du milieu est augmentée légè- rement vers la température de Curie TCl lors de liirradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H)*
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la température du milieu est égale à la température TH, comme cette température T H de la couche 2 atteint le voisinage de la température de Curie TC2, le champ. coercitif HC2 diminue et l'aimantation de la couche 2 s'inverse.
Cet état est la condition 3H.
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, l'énergie de paroi d'interface de la couche 2 aligne chacun des spins TR et MT des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation dans la direction non A" apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H.
La température du milieu diminue alors de la température de la condition 4H vers la température ambiante.
Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé l'aimantation de la couche 1 est maintenu de manière stable. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
Le cycle à basse température de la figure 33 est le même que celui du support n0 2-1.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention mettant en oeuvre un support particulier n0 4-2 appartenant à la classe 4 (type P, quadrant I, type 4) représenté par le tableau 1.
Le support n0 4-2 satisfait à l'équation (26-2)
TR < TL < T < T < TC2 (26-2)
Par raison de simplicité, la description qui suit est faite dans l'hypothèse T H < TCl < TC2 Le graphique de la figure 34 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (27). Le support n0 4-2 satisfait à l'équation (27) à la température TR.
A ce moment, l'équation (30) représente une condition que doit remplir Hini. Si Hini disparaît, les aimantations inverses des couches de référence 1 et 2 s'influencent mutuellement du fait de l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (28) et (29). Le support n0 4-2 satisfait aux équations (28) et (29).
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (27) à (29) à la température T R est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (30). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb) des figures 35 et 36.
La condition la ou lb est conservée jusqu un moment précédant immédiatement l'enregistrement.
Il faut noter que, lorsque le support d'enregistre-ment a la forme d'un disque, une condition destinée à empêcher l'inversion d'un bit enregistré par Hb (en particulier un bit de la première couche dans la condition lb) en sens opposé au sens de Hb), lorsqu'il se rapproche du dispositif d'application du champ Hb, est donnée par l'équation suivante (30-2)
Hb < HCl+(w/2Msltl) (30-2)
Le support en forme de disque doit satisfaire à cette équation à la température ambiante.Une condition destinée à empêcher l'inversion de la seconde-couche ini tialisée par Hb lorsqu'elle se rapproche du dispositif d'application du champ Hb est donnée par l'équation suivante (30-3) Nb < HC2-(aw/2M52t2) (30-3)
En d'autres termes, l'une des conditions de détermination données par Hb est représentée par les équations (30-2) et (30-3).
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 35.
Lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, les conditions la ou lb passent à la condition 2H.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, comme cette dernière est proche des températures de Curie de la première et de la seconde couche, les champs coercitifs des deux couches 1 et 2 diminuent. En conséquence, les aimantations des-deux couches sont inver sées simultanément comme dans la condition 3H du support n0 1-3 (condition 3H)-
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. La température diminue alors jusqu'à la température ambiante. Cependant, la condition 3H est conservée. De cette manière, la formation du bit dans la 12 direction non A" est terminée.Le cycle à basse température représenté par la figure 36 -est le même que celui du support 4-1.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par mise en oeuvre d'un support particulier n0 5-1 appartenant à la classe 5 (type A, quadrant II, type 3) représenté par le tableau 1.
Le support n0 5-1 satisfait à l'équation (31-1)
TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 (31-1)
Le graphique de la figure 37 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (32). Le support n0 5 satisfait à l'équation (32) à la température T :
HC1 > HC2+l(0w/2MSltl)-(2M,2t) (32)
A ce moment, l'équation (35) représente une condition pour Hini. Si Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 du fait de l'énergie de paroi d'interface. La condition qui peut maintenir la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (33) et (34). Le support n0 5-1 satisfait aux équations (33) et (34).
HCî > (aw/2M51t1) (33)
HC1 > (#w/2MS2t2) (34)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) (35)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (32) à (34) à la température TR est alignée dans ia "direction A" (modèle 3) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (35). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistre (condition la ou lb des figures 38 et 39).
La condition la ou lb est conservée- jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué en direction descendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 38,
Lorsque la température du milieu s'élève et dépasse légèrement la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H)
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu se rapproche de la température de Curie TC2, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 diminue, l'aimantation de la couche 2 est inversée par le champ Hb (condition 3H)
Dans la condition 3Ht lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température a diminué légèrement au-dessous de la température
TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, l'énergie de paroi d'interface de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR et MT des couches 1 et 2.
Dans ce cas, comme la température du milieu est encore supérieure à la température TComp 1' le spin MT est supérieur au spin TR. En conséquence, l'aimantation de la "direction non A" apparaît dans la couche 2 (condition 4H).
Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de Tcomp.1 depuis la température de la condition 4H, la relation entre les intensités des spins MT et R de la couche 1 est inversée (du modèle 2 au modèle 3). Pour-cette raison, l'aimantation de la couche 1 est inversée vers la "direction A" (condition 5H)-
Ensuite, la température du milieu diminue de celle de la condition 5H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction A" est terminée.
On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 39.
Dans la condition la ou lb juste avant l'enregistrement, la température du milieu augmente et dépasse TComp 1 lors de l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau. La relation entre les intensités des vecteurs est inversée bien que les directions des spins TR et MT de la première couche restent les mêmes. En conséquence, l'aimantation de la première couche est inversée (condition la, condition-2La, condition lb vers condition 2Lb). Dans cette condition, le support de type P est formé temporairement.
Lorsque la température augmente encore depuis cet état et atteint TL, la relation suivante est établie HCl+Hb < +Hb < (aw/2M5îtî) et la condition 2La passe à la condition 3L D'autre part, comme la condition 2Lb est conservée, la même condition 3L que la condition 2Lb est établie.
Dans la condition 2L, lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence a diminuer. Lorsque la température du milieu est inférieure à la température TComp l' la relation entre les intensités des vecteurs des spins TR et MT de la première couche est inversée (du modèle 3 au modèle 4 de la figure 9b). En conséquence, l'aimantation de la première couche est dans la "direction non A" (condition 4L). Dans cette condition, le milieu redevient du type A.
La condition 4L est maintenue même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction non
A" est terminée.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention lors de l'utilisation d'un support particulier n0 5-2 appartenant à la classe 5 -(type A, quadrant Il, type 3) indiquée dans le tableau 1.
Le support n 5-2 satisfait à l'équation (-31-2)
TR < Tcomp.1 < TL < TH#TC1#TC2 (31-2)
Par raison de simplicité, la description suivante correspond à la condition TH < TCl < TC2. Le graphique de la figure 40 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'aimantation 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante (TR)- est représentée par l'équation (32). Le support n0 5-2 satisfait ; l'équation (32) à la température TR.
A ce moment, l'équation (35) représente une condition pour le champ Hini. Si le champ Hini disparaît, les aimantations inverses des couches de référence 1 et 2 sont influencées mutuellement à cause de l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (33) et (34) qui sont satisfaites par Le support n - 5-2.
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregis-.
trement qui peut satisfaire aux équations (32) à (34) à la température T R est alignée sur la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (35). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 41 et 42).
La condition 1 est maintenue jusqu a un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction descendante.
Il faut noter que, lorsque le support est analogue à un disque, une condition destinée à empêcher l'inversion d'un bit enregistré (en particulier un bit de la première couche dans la condition lb, en direction opposée à celle du champ Hb), sous l'action du champ Hb lorsqu'il se rap proche du dispositif d'application de ce champ Nb, est donnée par l'équation suivante (35-2)
Hb < HCl-(w/2Msltl) (35-2)
Le support en forme de disque doit satisfaire à cette équation à température ambiante.Une condition destinée à empêcher l'inversion de la seconde couche initialisée par le champ Hb, lorsqu'elle se rapproche du dispositif d'application du champ Hb, est donnée par l'équation suivante (35-3) Hb < HC2 (a/2M52t2) (35-3)
En d'autres termes, l'une des conditions de détermination de Hb est donnée par les équations (35-2) et (35-3).
Le cycle à basse température représenté sur la figure 42 est le même que celui du support n0 5-1, mis à part les signes des équations qui sont différents.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 41.
Lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition 2H apparaît.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à TH, comme TH de la couche 2 atteint presque les températures de
Curie TCl et TC2, les champs coercitifs des deux couches 1 et 2 diminuent. En conséquence, les aimantations des deux couches s'inversent simultanément comme dans la condition 3H du support ne 1-3 (condition 3H)-
Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de TComp 1' le milieu revient du type P au type A et la relation entre les intensités des spins MT et TR de la couche 1 est inversée. Pour cette raison, l'aimantation de~ la couche 1 est inversée vers la "direction A" (condition 4 ).
H
La température du milieu diminue alors depuis celle de la condition 4H vers la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction A" est terminée.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention lors de la mise en oeuvre d'un support particulier n0 6 appartenant à la classe 6 (type A, quadrant Il, type 4) indiqué dans le tableau 1.
Le support d'enregistrement ne 6 satisfait à l'équation (36) TR < TL < TC1 < TH#TC2 (36) le graphique de la figure 43 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à température ambiante (TR) est représentée par l'équation (37). Le support n0 6 satisfait à l'équation (37) à la température T R: HC1 > HC2+#(#w/2MS1t1) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) (37)
A ce moment, l'équation (40) représente une condition pour Hini. Lorsque Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 étant donné l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (38) et (39).Le support n0 6 satisfait aux équations (38) et (39).
HCl > (ow/2Msltl) (38)
HCl > ( a,w/2M52t2) (39) HC2+(#W/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) (40)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (37) å (39) à la température (TR) est alignée dans la "direction A" par Hini qui satisfait à l'équation (40). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 44 et 45).
La condition la ou lb est conservée jusqu'à un point précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué en direction descendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 44.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu augmente et dépasse la température de Curie TCl lors de l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H) .
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à TH, comme T H de la couche 2 atteint le voisinage de la température de Curie TC2, le champ coercitif HC2 diminue et l'aimantation de la couche 2 est inversée par le champ Hb.
Cet état correspond à la condition 3H
Dans la condition 3Ht lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque cette température a diminué légèrement au-dessous de la température Tcl, l'aimantation apparat dans la couche 1. A ce moment, l'énergie de paroi d'interface de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR etMT des couches 1 et 2.
Pour cette raison, l'aimantation du modèle 1 de la figure 9B, indépendamment du champ de polarisation Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 4H vers la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. Ainsi, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
On décrit maintenant un cycle à basse température en référence à la figure 45.
Dans la condition 1 précédant immédiatement l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL lors de l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Un état permettant la relation suivante est établi HC1-Hb < (#w/2MS1t1) et la condition la passe à la condition 2L. D'autre part, comme la condition lb est conservée, la condition 2L identique à la condition lb est établie
A la condition 2L' lorsque le bit tombe en dehors de la région de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. La condition 2L se maintient même lorsque la température du milieu a diminué jusqu'à température ambiante. En conséquence, un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche.
On décrit en détail le principe du procédé de l'invention mettant en oeuvre un support particulier n0 7-1 appartenant à la classe 7 (type P, quadrant III; type 4) représenté par le tableau 1.
Le support n0 7-1 satisfait à l'équation (41-1)
TR < TL < TC1 < TH#TC2 (41-2)
Le graphique de la figure 46 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (42). Le support n0 7-1 satisfait à l'équation (42) à la température T R:
HCi > NC2+(aw/2M51t7)+(aw/2M52t2) (42)
A ce moment, une condition pour Hini est représentée par l'équation (45). Si Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche de référence 2 est sous l'influence de l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 du fait de la force de couplage d'échange.La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les equations (43) et (44) qui sont satisfaites par le support n0 7-1.
Cl > (:W/2MSltl) (43)
C1 (w/2MS2t2) (44)
HC2+(#W/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) (45)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (42) à (44) à la température (TR) est alignée dans la "direction A" par Hini qui satisfait à l'équation (45). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la ou condition lb des figures 47 et 48).
La condition la ou lb est maintenue jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction descendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 47.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu augmente et dépasse la température de Curie TCl lors de l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H) .
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la température du milieu devient égale à la température TN, comme TH de la couche 2 atteint le voisinage de la température de Curie TC2, le champ coercitif HC2 diminue et l'aimantation de la couche 2 est inversée par le champ Hb. Cet état constitue la condition 3H.
Dans la condition 3Ht lorsqutune partie irradiée se sépare de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, l'énergie de la paroi dtinterface de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR et MT des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation du modèle 2 apparaît dans la couche 1. Cet état constitue la condition 4H.
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 4H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevée, l'aimantation de la couche 1 est conservée de ma nière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
Le cycle à basse température est représenté sur la figure 48. Ce cycle est pratiquement le même que celui du support n0 6, mis à part la direction d'un bit dans la condition 2L, et la description détaillée est omise.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention, mettant en oeuvre un support particulier d'enregistrement ne 7-2 appartenant à la classe 7 (type P, quadrant III, type 4) représenté par le tableau 1.
Le support n0 7-2 satisfait à l'équation (41-2)
TR < TL < T < T < TC2 (41-2)
Par raison de simplicité, la description qui suit est faite dans l'hypothèse Où TN < TCl < TC2. . Le graphique de la figure 49 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous fraction du champ initial (Hini) à la température ambiante (TR) est représentée par ltéquation (42). Le support no 7-2 satisfait à l'équation (42) à la température TR
A ce moment, l'équation (45) représente une condition pour Hini. Si Hini disparaît, les aimantations inverses des couches 1 et 2 sont influencées mutuellement par l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (43) et (44). Le support n0 7-2 satisfait aux équations (43) et (44).
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregis-trement qui peut satisfaire aux équations (42) à (44) à la température T R est alignée dans la "direction A" par Hini qui satisfait à l'équation (45). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 50 et 51).
La condition la ou lb est conservée jusqu a un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction descendante. Il faut noter que, dans ce support n0 7-2, les conditions données par les équations (30-2) et (30-3) sont établies.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 50.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition 2H apparaît.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la température du milieu est égale à TH, comme TH pour la couche 2 atteint presque des températures de Curie
TCl et TC2, le milieu correspond à l'une des conditions (1)-(3) indiquées .pour le support n0 1-3 Cet état est la condition 3H
Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. La température diminue de celle de la condition 3H vers la température ambiante. Comme- le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée.
Le cycle à basse température est représenté par la figure 51. Ce cycle est pratiquement le même que celui du support n0 7-1, mis à part les signes des formules, et sa description détaillée est donc omise.
On décrit maintenant en détail le principe de la mise en oeuvre du procédé de l'invention à l'aide d'un support particulier d'enregistrement n0 8-1 appartenant à la classe 8, type A, quadrant IV, type 2) représenté par le tableau 1.
Le support d'enregistrement n0 8-1 satisfait à l'équation (46-1)
TR < TL < TCl < THSTC2 (46-1) dans la description qui suit, on suppose
TL < TC1 < Tcompl.2. Le graphique de la figure 52 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante (TR) est représentée par l'équation (47). Le support ne 8-1 satisfait à ltéquation (47) à la température TR : HC1 > HC2+#(w/2MS1t7)-(#w/2MS2t2)# (47)
A ce moment, l'équation (50) représente une condition pour Hini. Si Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 étant donné l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (48) et (49) qui sont satisfaites par le support n0 8-1.
HCl > (:w/2Msltl) (48)
HCl > ( a/2M52t2) (49)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(Ew/2MS1t1) (50)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (47) à (49) à la température TR est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (50). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 53 et 54).
La condition la ou lb est conservée jusqu a un point précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué en direction ascendante.
On décrit maintenant le cycle à haute température en référence à la figure 53.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu augmente et dépasse la température de Curie TCI par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H).
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu - est légèrement supérieure à la température TComp;2r les relations entre les intensités des spins TR et MT sont inversées bien que leurs directions restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée dans la "direction non A". Cet état est la condition 3N
Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation Hb. On suppose que l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et que la température du milieu atteint TH.Comme la température TH atteint presque la température TC2, le champ coercitif RC2 diminue et l'aimantation de la couche 2 est inversée par le champ Hb (condition 4H)
Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température Tcomp.2, la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée sans inversion de leur direction. En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée vers la "direction non A".Dans cet état, comme le champ coercitif HC2 est déjà suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation Hb. Dans ce cas, comme la température du milieu est supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5N
Lorsque la température diminue encore légèrement audessous de TCl, l'aimantation apparaît aussi dans la couche 1. A ce moment, l'aimantation de la couche 1 influence la couche 1 sous l'action de l'énergie de la paroi d'interface si bien que les spins TR et MT des couches 1 et 2 sont alignés.Pour cette raison, l'aimantation dans la "direction A" apparalt dans la couche 1 (condition 6H)
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 6H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. Ainsi, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
Le cycle à basse température est représenté sur la figure 54. Ce cycle est pratiquement identique à celui du support n0 7-2, mis à part la direction d'un bit dans la condition 2L et la description détaillée est omise.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 8-2, appartenant à la classe 8 (type A, quadrant IV, type 2) représenté dans le tableau 1.
Le support ne 8-2 satisfait aux équations 46-2 et 11-2
TR < TL < TCl < THSTC2 (46-2) dans la description qui suit, T < T z. Le graphique de la figure 55 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation 47. Le support n0 8-2 satisfait à l'équation (47) à la température TR.
A ce moment, l'équation (50) représente une condition de Hini. Lorsque Hini disparaît, les aimantations inverses des couches 1 et 2 sont influencées mutuellement par l'énergie de la paroi d'interface. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (48) et (49) qui sont satisfaites par le support n0 8-2.
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations. (47) à (49) à la température TR est alignée dans la "direction A" par Hini qui satisfait à l'équation (50). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition la ou lb des figures 56 et 57).
La condition la ou lb est conservée jusqu a un point qui précède immédiatement I'enregistrement. Il faut noter, dans ce support n0 8-2, que la condition donnée par l'équation (30-2) est établie.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 56.
Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition 2H apparaît.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la température du milieu est légèrement supérieure à la température Tcomp.2, la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée bien que leurs directions restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée à la "direction non A".
Cet état est la condition 3H
A cette température cependant, comme le champ coercitif HC2 est élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation Hb. La température du milieu est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, et l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 4H) La température du milieu est portée à TN puisque celle-ci est pratiquement égale à la température TC2, et l'aimantation de la couche s'inverse sous l'action du champ Hb (condition 5H)-
Dans la condition 5Ht lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence å diminuer.
Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît aussi dans la couche 1. A ce moment, l'aimantation de la couche 2 agit sur la couche 1 à cause de l'énergie de paroi d'interface et aligne chacun des spins TR et MT des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation dans la "direction
A" apparaît dans la couche 1 (condition 6H)
Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de T 2 la relation entre les
comp. 2' intensités des spins TR et MT est inversée sans inversion de leurs directions. En conséquence, la direction d'aiman tation de la couche 2 est inversée vers la "direction non
A".Cet état est la condition 7N
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 7H vers la température ambiante. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
La figure 57 représente le cycle à basse température. Comme ce cycle est le même que celui du support n0 8-1, sa description détaillée est omise.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention lors de l'utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 8-3, appartenant å la classe 8 (type a, -quadrant IV, type 2) représenté dans le tableau 1.
Le support n0 8-3 satisfait à l'équation (46-3)
TR < TL < THSTClSTC2 (46-3) Dans la description qui suit, H T < TCî < TC2 et
TL < T comp 2 < TCl. Le graphique de la figure 58 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (47) qui est satisfaite par le support n0 8-3 à la température TR
A ce moment, l'équation (50) représente une condition pour le champ Hini. Lorsque le champ Hini- disparaît, les aimantations inversées des couches l et 2 sont influencées mutuellement par l'énergie de paroi d'interface La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (48) et (49). Le support n0 8-3 satisfait aux équations (48) et (49).
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui permet la satisfaction des équations (47) à (49) à la température TR, est alignée dans la "diréction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (50) A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à I'état enregistré (condition la ou lb des figures 59 et 60).
La condition 1 est conservée jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué en direction ascendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 59.
Dans la condition la ou lb, lorsque la température du milieu est portée TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, la condition 2@ apparaît.
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la temperature du milieu est légèrement supérieure à Tcomp.2, le milieu passe du type A au type B et la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée bien que leurs directions restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2- est inversée vers la "direction non A"-. Cet état est la condition 3H.
Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation Hb. On suppose que l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et la température du milieu atteint TH. Comme TH est presque égale à TC2, les champs coercitifs des deux couches 1 et 2 diminuent et le milieu satisfait l'une des équations (1)-(3) indiquées pour le support ne 1-3 Cet état est la condition 4H.
Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer et le milieu repasse du type P au type A La Larelation entre les intensités des spins TR et
MT est inversée sans inversion des directions. En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée vers la "direction non A". Dans cet état, comme le champ coercitif HC2 est déjà suffisamment élevé, l'aimanta tion de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation Hb. Cet état est la condition 5N
Ensuite, la température du milieu diminue de celle de la condition 5H vers la temperature ambiante.Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable Ainsi, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
La figure 60 représente le cycles basse température. Comme ce cycle est le même que celui du support n0 8 l, sa description détaillée est omise.
On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention mettant en oeuvre un support particulier d'enregistrement ne 9 appartenant à la classe 9 (type A, quadrant IV, type 4) indiqué dans le tableau 1.
Le support ne 9 satisfait à l'équation (51)
TR < TL < Tcl < THSTC2 (51)
Le graphique de la figure 61 représente cette relation.
Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (52) qui est satisfaite par le support ne 9 à la température TR
HC1 > HC2+#(#w/2MS1t7)-(#w/2MS2t2)# (52)
A ce moment, l'équation (55) représente une condition satisfaite par le champ Hini. Lorsque Hini disparaît, l'aimantation inverse de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement étant donné l'énergie de paroi d'interface. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (53) et (54) qui sont satisfaites par le support 9.
HCl > (a/2M51t1) (53)
HC1 > (#w/2MS2t2) (54)
HC2+(#W/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) (55)
L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (52) à (54) à la température TR, est alignée dans la "direction A" par le champ Hini qui satisfait à l'équation (55). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue å l'état enregistré (condition la ou lb des figures 62 et 63).
La condition la ou lb est conservée jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué en direction descendante.
On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 62.
Dans la condition l, lorsque la température du milieu s'élève et dépasse la température de Curie TCl par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2N >
Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à TH, cette température T H atteint presque la température TC2 si bien que l'aimantation de la couche 2 est inversée par le champ Hb. Cet état est la condition 3H.
Dans la condition 3Ht lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température Tcîr l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, l'énergie de paroi d'interface due à la couche 2 provoque l'alignement de chacun des spins TR et-MT des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation apparaît dans la couche 1, indépendamment du champ de polarisation Hb. Cet état est la condition 4H.
La température du milieu diminue alors de celle de la condition 4H vers la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction A" est terminée.
La figure 63 represente le cycle à basse température. Comme il est identique à celui du support n0 6, sa description détaillée est omise.
La présente invention est maintenant décrite en détail en référence à ses exemples. La structure d'un support formée dans chaque exemple est constituée par un substrat S, une première couche l (d'enregistrement) et une seconde couche 2 (de référence) comme indiqué sur la figure 64.
Exemple 1 - Classe 1, support n0 1-1
Un appareil de pulvérisation à magnétron HF à trois éléments a été utilisé, et deux cibles, c'est-à-dire un alliage TbFeCo et un alliage GdTbFeCo ont été placés à l'intérieur. Un substrat de verre de 1,2 mm d'épaisseur et 200 mm de diamètre a été dispose dans une chambre de l'ap- pareil.
Après que l'intérieur de la chambre a été évacué à un vide de 7.10 7 torr ou moins, Ar gazeux a été introduit, à un vide de 5.10 3 torr. La pulvérisation a été réalisée avec une vitesse de dépôt d'environ 0,2 nm/s.
D'abord, une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de Tb24Fe71Co5 (les nombres des suffixes sont donnés en atomes pour cent, ceci s'appliquant aussi à la description qui suit) de 70 nm d'épaisseur a été formée sur le substrat, avec utilisation de l'alliage
TbFeCo comme cible.
Ensuite, la -cible a été remplacée par l'alliage
GdTbFeCo avec maintien de l'état de vide, et une pulvérisa- tion a été réalisée de la même manière. En conséquence, une seconde couche (de référence) d'un film magnétique perpen diculaire de Gd12Tb15Fe55Co18 de 100 nm d'epaisseur a été formée sur la première couche.
De cette manière, un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches n0 1-1, appartenant à la classe 1 (type P, quadrant I, type 1) a été fabriqué. Le tableau 2 résume les conditions de fabrication et les caractéristiques de ce support.
Dans le tableau 2, les valeurs de Ms, Hc et a sont
w données à 35 C.
Tableau 2
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb24Fe71Co5
Composition (seconde couche) Gd13Tbl6Fes4COl7 1@ @@
Epaisseur de film (nm) 70 100
MS (103 J/T.m3) 60 170 Hc (103 A.tr/m) 640 176
Oe 8 000 2 200 T c ( C) 175 350 T (eC) 110 190
comp.
#w (10-3 J/m) 1,8
Ce support satisfait à l'équation (12)
HC1 = 640.103 A.tr/m (8 000 Oe) 3
> HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)= 390.103 A.tr/m (4872 Oe)
Dans l'équation (15), comme HC2+(#w/2MS2t2) = 218.103 A.tr/m (2 729 Oe)
HC1-(#w/2MS1t2) = 469.103 A.tr/m (5 857 Oe) si le champ initial Hini est réglé à une valeur de 416.103 A.tr/m (5 200 Oe) dans la "direction A", l'équation (15) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante, et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (13) HC1 = 640.103 A.tr/m (8 000 Oe)
> (#w/2MS1t1) = 171.103 A.tr/m (2 113 Oe) et à l'équation (14)
HC2 = 176.103 A.tr/m (2 200 Oe)
> (aw/2M82t2) = 42.10 A.tr/m (529 Oe)
En conséquence, lorsque le champ Hini est supprimé, ,les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Lorsque le champ de polarisation Hb est réglé à 24.10 A.tr/m (300 Oe) dans la même "direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (15-2) à température ambiante
HCl = 640.10 A.tr/m (8 000 Oe)
@C1 > Hb+(#w/2MS1t2) = 195.103 A.tr/m (2 443 Oe)
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même si elle est encore sous l'influence du champ Hb après un tour.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche pendant le cycle à température élevée, ce bit est immédiatement après sous l'action de Hb. Cependant, le support satisfait à l'équation (15-3) à température ambiante
Hb = 24.103 A.tr/m (300 Oe)
< HC1+(#w/2MS1t1) = 811.103 A.tr/m (10 143 Oe)
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée par Hb.
Ce support a les valeurs suivantes à 130 C
M51 = 15.103 J/T.m3 (15 emu/cc)
HC1 = 168.103 A.tr/m (2 100 Oe) #w = 0,54.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HC1+Hb = 192.103 A.tr/m (2 400)
< (aw/2Msltl) = 206.103 A.tr/m (2 571) et, à 130 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche même en présence de Hb.
Lorsque TL = 130 C et T N = 270 C, ce support peut satisfaire à l'équation (11-1) TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 2 - Classe 1, support ne 1-2
Un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches ne 1-2 appartenant à la classe 1 (type P, quadrant
I, type 1) correspondant au tableau 3 qui suit a été fabri qué au cours des mêmes opérations que dans l'exemple 1.
Le tableau 3 résume les conditions de fabrication et les caractéristiques. Il faut noter que les valeurs de Ms,
Hc et a sont déterminées à 25 C.
w
Tableau 3
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb24Fe71Co5
Composition (seconde couche) Gd12Tb15Fe55Co18
Epaisseur de film (nm) 70 100
Ms (103 J/T.m3) 60 150
Hc (103 A.tr/m) 640 216
(Oe) 8 000 2 700 T c C) 175 350
T (0C) 110 140
comp. (@) 110 #w (10-3 J/m) 1,8
Ce support satisfait à l'équation (12) HCl = 640.103 A.tr/m (8 000 Oe)
> CH2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)= 435.103 A.tr/m (5443 Oe)
Dans l'équation (15), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 264.103 A.tr/m (3 300 Oe)
HC1-(#w/2MS1t2) = 469.103 A.tr/m (5 857 Oe) si le champ initial Hini a une valeur de 416.103 A.tr/m dans la "direction A", l'équation (15) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (13)
HCl = 640.10 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 171.103 A.tr/m et à l'équation (14) :
HC2 = 216.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 48.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservies.
Si le champ de polarisation Hb est réglé à 24.103 A.tr/m dans la même "direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (15-2) à température ambiante :
HC1 = 640.103 A. tr/m
> Hb+(aw/2Mslt2) = 195.103 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même lorsqu'elle est à nouveau influencée par Hb après un tour.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est forme dans la première couche dans le cycle à haute température, ce bit est influencé par Hb immédiatement après à température ambiante. Cependant, le support satisfait à l'équation (15-3)
Hb = 24.103 A.tr/m
< HC1+(#w/2MS1t1) = 811.103 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée par Hb.
Ce support donne les valeurs suivantes à 130 C
Ms1 = 15.103 J/T.m3
HC1 = 168.103 A.tr/m
= 0,54.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HCl+Hb = 192.103 A.tr/m
< (:W/2Msltl) = 206.103 A.tr/m et à 130 C, l'aimantation de - la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche même lorsque Hb est présent.
Lorsque TL = 130 C et TH = 250 C, ce support peut satisfaire à l'équation (11-1) TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être obtenue.
Ce support satisfait à ltequation (11-2) :
Tcomp.2 = 140 C < TCî = 175 C Exemple 3 - Classe 2, support de dépat sous
On a utilisé un appareil de dépôt sous vide à chauffage par faisceau électronique à deux éléments, et des sources d'évaporation, indiquées dans le tableau 4, ont été disposées à deux emplacements.
Un substrat de verre de 1,2 mm d'épaisseur et 200 mm de diamètre a été placé dans une chambre de l'appareil.
L'intérieur de la chambre de appareil a été mis un vide de 1.10-6 6 torr ou meilleur. En conséquence, un dépôt a été réalisé avec une vitesse de dépôt d'environ 0,3 nm/s, avec maintien du vide entre 1.10 6 et 2.10 6 torr. Ainsi, une première couche (d'enregistrement) d'un film de Gd11Tb16Fe70Co3 (les nombres des suffixes sont en atomes pour cent) de 80 nm d'épaisseur a été formée sur le substrat.
Ensuite, la source d'évaporation a été remplacée avec maintien du vide. Le dépôt a été réalisé de manière analogue, et une seconde couche (de référence) d'un film de
Dy25Fe53Co22 de 100 nm d'épaisseur a été formée sur -la première couche. La première et la seconde couche étaient des films magnétiques perpendiculaires.
De cette manière, un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches n0 2-1, appartenant à la classe 2 (type P, quadrant I, type 2) a été fabriqué.
Le tableau 4 qui suit résume les conditions de fabrication et les caractéristiques de ce support.
Tableau 4
Première couche Seconde couche
Source d'évaporation Alliage GdTb Dy (2 éléments) Alliage FeCo Alliage FeCo
Epaisseur de film (nm) 800 100
Ms (103 J/T.m3) 54 158
Hc (103 A.tr/m) 496 110 T c ( C) 190 250 comp. ( C) néant 200 comp.@
w (10-3 J/m)
Température ambiante 2,0
Ce support satisfait à l'équation (17)
HCl = 496.103 A.tr/m
> HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2ts) = 346.10 A.tr/m
Dans l'équation (20), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 160.103 A.tr/m
HC1-(#w/2MS1t2) = 311.103 A.tr/m lorsque le champ initial Hini est réglé à 240.10 A.tr/m, l'équation (20) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (18)
HCl = 496.103 A.tr/m
> (aw/2Msltl) = 185.103 A.tr/m et l'équation (19)
HC2 = 110.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 50.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, -les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Ainsi, le champ initial Hini de 240.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A", et le champ de polarisation Hb de 24.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A".
Ce support donne les valeurs suivantes à 138 C
MS1 = 41.103 J/T.m3
HCl = 82.103 A.tr/m
a w = 0,487.10 3 J/m2
Plus précisément, le support satisfait à l'équation suivante
HCl-Hb = 58.103 A.tr/m
< (#w/2MS1t1) = 59.103 A.tr/m et, à 138 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche.
Lorsque TL = 138 C et TH = 250 C, ce support peut satisfaire à l'équation (16) TR < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 4 - Classe 2, support n 2-i
Un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches ne 2-1 appartenant à la classe 1 (type P, quadrant
I, type 2) représenté dans le tableau 5 qui suit, a été fabriqué par les mêmes-opérations que dans l'exemple 1.
Dans le tableau 5, les valeurs de Ms, Hc et #w sont déterminées à 25 C.
Tableau 5
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb25,5F269,5Co5
Composition (seconde couche) Gd13Tb16F354Co17
Epaisseur de film (nm) 70 100
Ms (103 J/T.m3) 75 170
Hc (103 A.tr/m) 496 176
Tc ( C) 175 350
Tcomp. ( C) néant 190 #w (10-3 J/m 1,5
Le support satisfait à l'équation (17)
HCl = 496.10 A.tr/m
> C2+(#w/2MS1t1)+(#2/2MS2t2) = 326.10 A-.tr/m
Dans l'équation (20), comme
Hc2+(aw/2M52t2) = 211.103 A.tr/m
HC1-(#w/2MS1t2) - 382.103 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à 336.10 A.tr/m dans la "direction A", ltequation (20) peut être satisfaite.Ainsi, l'aimantation de la première couche n'eSt pas inversée parle champ Hini à température ambiante; et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (18)
HC1 = 496.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 114.103 a.tr/m et à l'équation (19)
HC2 = 176.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 35.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est Supprimé, les aimantations de la première et de la seconde couche sont con servies.
Si le champ de polarisation Hb est réglé à 24.103 A.tr/m dans la même "direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (20-2) à température ambiante
HC1 = 496.103 A.tr/m
> Hb+(aw/2Mslt2) = 138.103 A.tr/m
En consequence, l'aimantation de "direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même sous l'action de Hb après un tour
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche dans le cycle à température élevée, ce bit est immédiatement après sous l'action de Hb. Cependant, ce support satisfait à l'équation (20-3) à température ambiante
Hb = 24.103 A.tr/m
< HC1+(#w/2MS1t1) = 610.103 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée par Hb.
Le support donne les valeurs suivantes à 125 C :
MS1 = 24.103 J/T.m3
HC1 = 136.103 A.tr/m
#w = 0,48.10-3 J/m
w
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HC1-Hb = 112.103 A.tr/m
< (#w/2MS1t1) = 114.10 A.tr/m et, à 125 C, l'aimantation de la première couche est inversée par Hb et par l'aimantation de la seconde couche.
Si TL = 125 C et TN = 270 C, ce support peut satisfaire à l'équation (16) TR < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 5 - Classe 2, support n0 2-2
Un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches n 2-2 appartenant à la classe 2 (type P, quadrant
I, type 2) représenté dans le tableau 6 qui suit, a été fabriqué avec les mêmes opérations que dans l'exemple 1.
Dans le tableau 6, les valeurs de Ms, Hc - et o sont obtenues à 25 C.
Tableau 6
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb25,5Fe69,5Co5
Composition (seconde couche)
Epaisseur de film (nm) 70 Gd12Tb15Fe55Co18
100
Ms (103 J/T.m3) 75 150
Hc (103 A.tr/m) 496 216
Tc ( C) 175 350
T ( C) néant 140
comp.
#w (10-3 J/m)
Température ambiante 1,5
Ce support satisfait à l'équation (17)
HC1 = 496.103 A.tr/m
> HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) = 371.10 A.tr/m
Dans l'équation < -20), comme
HC2+(aW/2MS2t2) = 256.103 A.tr/m
HC1-(#w/2MS1t2) = 382l.103 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à 336.103 A.tr/m dans la "direction A", l'équation (20) peut être satisfaite Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (18)
HC1 = 496.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 114.103 A.tr/m et à l'équation (19) :
HC2 = 216.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 40.10 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprime, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées
Si le champ de polarisation Hb est réglé à 24.103 A.tr/m dans la même direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (20-2) à température ambiante
HI = 496.103
A.tr/m
> Hb+(#w/2MS1t2) = 138.103 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de direction non An de. la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même lorsqu'elle est à nouveau sous l'action de Hb après un tour.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est forme dans la première couche dans le cycle à température élevée, ce bit est sous l'action de Hb immédiatement après, à température ambiante. Cependant, ce support satisfait à l'équation (20-3) à température ambiante :
Hb = 24.103 A.tr/m
> HC1+(#w/2MS1t1) = 610.103 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée Hb.
Ce support a les valeurs suivantes à 125 C :
MS1 = 24.103 J/T.m3
HCl = 136.103 A.tr/m
#w = 0,48.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HCl-Hb = 112.103 A.tr/m
< (aw/2Msltl) = 114.103 A.tr/m et, à 125 C, l'aimantation de la première couche est inversée par Hb et par l'aimantation de la seconde couche
Lorsque TL = 125 OC et TH = 250 C, ce support peut satisfaire à l'équation (16) TR < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Le support satisfait à l'équation (11-2)
Tcomp.2 = 140 C < TC1 = 175 C
Exemple 6 - Classe 3, support ne 3
Par les mêmes opérations que dans l'exemple 1, une première couche d'un film de GdliTbllFe78 de 75 nm d'épaisseur a été formé sur un substrat, et une 'seconde couche d'un filme de Gd8Tb18Fe68Co6 de 150 nm d'épaisseur a été formée sur la première couche. Un support ne 3 appartenant la classe 2 (type P, quadrant I, type 3) a ainsi été fabriqué.
Le tableau 7 résume les conditions de fabrication et caractéristiques de ce support.
Tableau 7
Première couche Seconde couche
Source d'évaporation Alliage GdTb Alliage GdTb (2 éléments) Fe Alliage FeCo
Epaisseur de film (nm) 75 150
Ms (103 J/T.m3) 21 166
Hc (103 A.tr/m) 880 220
Tc ( C) 180 210
T ( C) 50 néant comp.@ #w (10-3 J/m)
Température ambiante 2,0
Ce support satisfait à l'équation (22)
HCl = 880.103 A.tr/m
> HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) = 760.103 A.tr/m
Dans l'équation (25), comme
Hc2+(aw/2Ms2t2) = 252.103 A.tr/m
HC1-(#w/2MS1t2) = 372.103 A.tr/m
Si le champ initial Hini est fixe à 280.10 A.tr/m, l'équation (25) peut être satisfaite, ainsi l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (23)
HCl = 880.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 508.103 A.tr/m et à l'équation (24)
HC2 = 220.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 32.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprime, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Ainsi, le champ initial Hini = 280.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A" et le champ de polarisation Hb de 24.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction non A".
Ce support possède les valeurs suivantes à 129 ec
MS1 = 36.103 J/T.m3
HC1 = 99.103 A.tr/m
o 2
#w @ @@@@@@@ @@@
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HC1-Hb = 75.103 A.tr/m
< (#w/2MS1t1) = 77.103 A.tr/m et, à 129 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche.
Si TL = 129 C et TH = 210 C, ce support peut satisfaire à l'équation (21)
TR < T < T < T < T < T
comp L Cl N- C2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 7 - Classe 5, support ne 5-1
A l'aide des mêmes opérations que dans l'exemple 1, une première couche d'un film de Gd11Tb11Fe78 de 53 nm d'épaisseur a été formé sur un substrat, et une seconde couche de film de Gd12Tb8Fe78Co2 de 70 nm d'épaisseur a été forme sur la première couche. Ainsi, un support ne 5-1 appartenant à la classe 5 (type A, quadrant Il, type 3) a été fabriqué.
Le tableau 8 résume les conditions de fabrication et les caractéristiques de ce support.
Tableau 8
Première couche Seconde couche
Source d'évaporation Alliage GdTb Alliage GdTb (2 éléments) Fe Alliage FeCo
Epaisseur de film (nm) 53 70
3 3
Ms (103 J/T.m3) 21 65 Hc (103 A.tr/m) 880 296
Tc ( C) 180 200
T ( C) 50 néant
comp.
#w (10-3 J/m)
Température ambiante 2,0
Ce support satisfait à l'équation (32) :
HC1 = 880.103 A.tr/m 3
> HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 838.10 A.tr/m
Dans l'équation (35), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 472.103 A.tr/m
HC1+(#w/2MS1t2) = 1,598.106 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à 560.10.. A.tr/m, l'équation (35) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (33)
HCl = 880.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 778.103 A.tr/m et à l'équation (34) :
HC2 = 296.103 A.tr/m
> (aw/2M52t2) = 176.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, les aimanta tions de la première et de la seconde couche sont conservées.
Ainsi. le champ initial Hini de 560l.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A" et le champ de polarisation Hb de 16.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction non A".
Ce support a les valeurs suivantes à 99 C :
MS1 = 32.10 J/T.m3
HCl = 216.103 A.tr/m
= 0,996.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HCl+Hb = 232.103 A.tr/m
< (a /2MSltl) = 235.103 A.tr/m et, à 99 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche.
Si TL = 99 C et TN = 200 C, ce support peut satisfaire à l'équation (31-1) TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 8 - Classe 6, support ne 6
A l'aide des mêmes opérations que dans l'exemple 1, une première couche d'un film de Gd11Tb16Fe70Co3 de 50 nm d'épaisseur a été formée sur un substrat, et une seconde couche d'un film de Gd12Tb8Fe78Co2 de 100 nm d'épaisseur a été formée sur la première couche. Un support n0 6 appartenant à la classe 6 (type A, quadrant Il, type 4) a ainsi été fabriqué.
Le tableau 9 qui suit résume les conditions de fabrication et les caractéristiques de ce support.
Tableau 9
Première couche Seconde couche
Source d'évaporation Alliage GdTb Alliage GdTb (2 éléments) Alliage FeCo Alliage FeCo
Epaisseur de film (nm) 50 100
Ms (103 J/T.m3) 54 65
Hc (103 A.tr/m) 496 296
Tc ( C) 190 200 T (0C) néant néant #w (10-3 J/m Temperature ambiante 1,5
Ce support satisfait à l'équation (37)
HCl = 496.103 A.tr/m
> HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 469.103 A.tr/m
Dans l'équation (40), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 419.103 A.tr/m HC1+(#w/2MS1tw) = 792.103 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à 560.103 A.tr/m, l'équation (40) peut être satisfaite.Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par te champ Hini à température ambiante, et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée,
En outre ce support satisfait à l'équation (38) -:
HC1 = 496.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 296.103 A.tr/m et à l'équation (39) :
HC2 = 296.103 A.tr/m
> (aw/2M52t2) = 123.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Ainsi, le champ initial Hini de 560.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A", et le champ de polarisation de Hb de 16.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction non
A".
Ce support possède les valeurs suivantes à 114 C
M = 46.103 J/T.m3
HC1 = 162.10 A.tr/m
#w = 0,848.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HC1-Hb = 146.103 A.tr/m
< (#w/2MS1t1) = 147.103 A.tr/m et, à 114 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche.
Si TL = 114 C et TN = 200 C, ce support peut satisfaire à l'équation (36) TR < TL < TC1 < THSTC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 9 - Classe 8, support ne 8-1
Un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches ne 8-1, appartenant à la classe 8 (type A, quadrant
IV, type 2) représenté dans le tableau 10 qui suit a été fabriqué au cours des mêmes opérations que dans l'exemple 1.
Dans le tableau 10, les valeurs de Ms, Hc et #w sont déterminées à 25 C.
Tableau 10
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb21Fe74Co5
Composition (seconde couche) Tb28Fe47,5Co24,5 épaisseur de film (nm) 70 50
Ms (103 J/T.m3) 50 175
Hc (103 A.tr/m) 800 320 T c ( C) 180 360 T
comp. néant 200 #w (10-3 J/m
Température ambiante 4,2
Ce support satisfait à l'équation (47) HC1 = 800.103 A.tr/m
> HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 608.103 A.tr/m
Dans 1'équation (50), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 512.103 A.tr/m
HC1+(#w/2MS1t2) = 1,28.106 A.tr/m si le champ initial Hini est égal à 640.103 A.tr/m dans la "direction A, l'équation (50) peut être satisfaite. ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfat à l'équation 48)
HC1 = 800.103 A.tr/m
> (aw/2Msltl) = 480.10 A.tr/m et à l'équation (49)@
HC2 = 320.103 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 192.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, les aiman tations de la première et de la seconde couche sont conservees.
Si le champ de polarisation Hb est fixé à 28.103 A.tr/m dans la même "direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (50-2) à température ambiante
Nb = 28.103 A.tr/m
< Ncî+ (#w/2MS1t1) = 1,28.106 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de t'direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même lorsque celui-ci est à nouveau sous l'influence de Hb après un tour.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche dans le cycle à basse température, ce bit est influencé par Hb juste après à température ambiante. Cependant, comme le support satisfait à l'équation précitée (50-2) à température ambiante, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée par Hb.
Ce support a les valeurs suivantes à 120 C
MS1 = 65.103 J/T.m3
HCl = 112.103 A.'tr/m a = 1,63.10-3 J/m2
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HCl*Hb = 140.103 A.tr/m < (#w/2MS1t1) = 143.103 A.tr/m et, à 120 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche même lorsque Hb est présent.
Si TL = 120 C et T N = 270 C, ce support peut satisfaire à l'équation (46-1) TR < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Exemple 10 - Classe 8, support ne 8-2
Un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches n 8-2 appartenant à la classe 8 (type A, quadrant
IV, type 2) représenté dans le tableau 11 qui suit a été fabriqué par les mêmes opérations que dans l'exemple 1.
Dans le tableau 11, les valeurs de Ms, Hc et #w sont celles qui sont obtenues à 25 C.
Tableau 11
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb21Fe74Co5
Composition (seconde couche) Tb27Fe48Co25
Epaisseur de film (nm) 70 50
Ms (10 J/T.m3) 50 16-0 3
Hc (10 A.tr/m) 800 360
Tc ( C) 180 360
T ( C) néant 140
comp aw (10-3 J/m2)
Température ambiante 4,2
Le support satisfait à l'équation (47)
HCl = 800.10 A.tr/m
< HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 630.10? A.tr/m
Dans l'équation (50), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 570.103 A.tr/m
HC1+(#w/2MS1t2) = 1,28.106 A.tr/m si le champ initial Hini est fixé à 640.10 A.tr/m dans la "direction A',, l'équation (50) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante, et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (48)
HC1 = 800.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 480.10 A.tr/m et à l'équation (49)
HC2 = 360.10 A.tr/m
> (#w/2MS2t2) = 210.10 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprime, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservies.
Si le champ de polarisation Hb est égal à 28.103 A.tr/m dans la même "direction A" que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (50-2) à température ambiante
Hb = 28.103 A.tr/m
< HC1+(#w/2MS1t1) = 1,28.106 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même lorsque ce bit est à nouveau sous l'influence de Hb après un tour.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est forme dans la première couche dans le cycle à basse température, ce bit est influencé par Hb immédiatement après å température ambiante. Cependant, comme ce support satisfait à l'équation (50-2) à la température ambiante, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée par Hb.
Ce support a les valeurs suivantes à 120 ec
MS1 = 65.103 J/T.m3
HC1 = 112.103 A.tr/m
#w = 1,63.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation
HC1+Hb = 140.103 A.tr/m
< (oW/2Msltl) = 143.103 A.tr/m et, à 120 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche même si Hb est présent.
Si TL = 120 ec et TH = 215 C, ce support peut satisfaire à l'équation (46-2) TR < TL < TC1 < TH#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Ce support satisfait à l'équation (11-2)
comp.2 140 C < TC1 = 180 C Exempte li - Classe 8, support ne 8-3
Un appareil de pulverisation à magnétron HF à trois éléments a été utilisé, et deux cibles, c' est-à-dire un premier et un second alliage TbFeCo de compositions différentes, ont été placés à l'intérieur. Un substrat de verre de 1,2 mm d'épaisseur et de 200 mm de diamètre a été placé dans une chambre de l'appareil
Après que l'intérieur de la chambre de l'appareil a été évacué à un vide de 7.10 torr ou meilleur, de l'argon gazeux a été introduit jusqu'à un vide de 5.10 ' torr.La pulvérisation a alors été réalisée avec une vitesse de dépôt d'environ 0,2 nm/s.
D'abord, une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de Tb21Fe70Co9 (les nombres des suffixs sont en atomes pour cent, ceci s'appliquant aussi à la description qui suit) de 60 nm d'épaisseur a été formée sur le substrat à l'aide du premier alliage TbFeCo comme cible.
Ensuite, la cible a été remplacée par le second alliage TbFeCo avec maintien du vide, et la pulvérisation a été réalisée de la même manière. En conséquence, une seconde couche (de référence) d'un film magnétique perpendiculaire de Tb26Fe52Co22 de 50 nm d'épaisseur'a été formée sur la première couche.
De cette manière, un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches n0 8-3 appartenant à la classe 8 (type A, quadrant-IV, type 2) a été fabriqué.
Le tableau 12 résume les conditions de fabrication et les caractéristiques de ce support. Dans le tableau 12, les valeurs Ms, Hc et #w sont obtenues à 25 C.
Tableau 12
Première couche Seconde couche
Composition (première couche) Tb21Fe70Co9
Composition (seconde couche) Tb26Fe52Co22
Epaisseur de film (nm) 60 50
Ms (103 J/T.m3) 65 150
Hc (103 A.tr/m) 800 360
T ( C) 215 270
c
T ( C) néant 150
comp.
#w (10 3 J/m2) 5,0
Ce support satisfait à l'équation (47) :
HC1 = 800.103 A.tr/m < HC2+# (#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 606.103 A.tr/m
Dans l'équation (50), comme
Hc2+(ow/2Ms2t2) = 627.103 A.tr/m
HC1+(#2/2MS1t2) = 1,31.106 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à une valeur de 560.103 A.tr/m dans la "direction A", l'équation (50) peut être satisfaite. Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante, et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (48)
HCl = 800.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 513.103 A.tr/m et à l'équation (49)
HC2 = 360.103
@@/2MS2t2) = 267.103 A.tr/m
En conséquence, si le champ Hini est supprimé, les aiman tations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Si le champ de polarisation Hb est réglé à 28.10 A.tr/m dans la même "direction A!' que le champ Hini, le support satisfait à l'équation (50-2) à température ambiante
Hb = 28.103 A.tr/m
< HC1+(#w/2MS1t1) = 1,31.106 A.tr/m
En conséquence, l'aimantation de "direction non A" de la première couche du bit enregistré n'est plus inversée même lorsque ce bit est à nouveau sous l'influence de Hb à température ambiante.
En outre, lorsqu'un bit ayant l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche dans le cycle à basse température, ce bit est influencé par Hb -juste après à température ambiante. Cependant, comme le support satisfait à l'équation précitée (50-2) à tempéra -ture ambiante, l'aimantation de "direction non A" n'est plus inversée Hb.
Ce support possède les valeur suivantes à 115 C
MS1 = 82.103 J/T.m3
HC1 = 180.10 A.tr/m
#w = 2,61.10-3 J/m
Plus précisément, le support satisfait à l'équation 3
HCl + Hb = 208.10 A.tr/m
< (aw/2Msltl) = 212.103 A.tr/m et, à 115 C, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche même si Hb est présent.
Ce support possède les valeurs suivantes å 209 C
MS1 = 35.103 J/T.m3 MS2 = 24,5.103 J/T.m3
HC1 = 8.l03 A.tr/m HC2 = 60.103 A.tr/m a w = 0,1.10-3 J/m2 a = 0,1.10@ @ J/m2
En Conséquence, les équations suivantes (2) sont satisfaites
Nb = 28.103 A.tr/m
> HC1+(#w/2MS1t1) = 27.103 A.tr/m et Hb = 28.10 A.tr/m
< HC2-(#w/2MS2t2) = 27.103 A.tr/m et, à 209 C, les aimantations de la première et de la seconde couche sont inversées par Hb.
Si TL = 115 ec et TH = 209 OC, ce support peut satisfaire a l'équation (46-3) TR < TL < TH#TC1#TC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
Le support satisfait aussi à l'équation (11-2)
Tcomp.2 = 150 C < TC1 = 215 C
Exemple 12 - Classe 9, support ne 9
Un appareil de pulvérisation à magnétron HF à trois éléments a été utilisé, et trois cibles, c'est-à-dire un alliage GdTb, un alliage FeCo et un alliage TbFeCo indiqué dans le tableau 13 qui suit ont été placées à l'intérieur.
L'alliage TbFeCo a été utilisé le premier comme cible, et les alliages GdTb et FeCo (2 éléments) ont ensuite été utilisés.
Un substrat de verre de 1,2 mm d'épaisseur et 200 mm de diamètre a été place dans une chambre de l'appareil.
Après que l'intérieur de la chambre a été évacué à 7.10 7 torr ou à un vide meilleur, de l'argon gazeux a été introduit jusqu'à un vide de 5.10 3 torr. La pulvérisation a été réalisée à une vitesse de dépôt d'environ 0,2 nm/s.
Une première couche d'un film de Tb20Fe71Co9 de 60 nm d'épaisseur a été formée sur le substrat. Ensuite, la cible a été changée avec conservation de l'état de vide. La pul vérisation a été réalisée de manière analogue, et une seconde couche d'un film de Gd8Tb18Fe68Co6 de 150 nm d'épaisseur a été formée sur la première couche. La première et la seconde couche étaient des couches magnétiques perpendiculaires.
De cette manière, un support ne 9 appartenant à la classe 9 (type A, quadrant IV, type 4) a été fabriqué.
Le tableau 13 qui suit résume les conditions de fabrication et caractéristiques de ce support.
Tableau 13
Première couche Seconde couche
Source d'évaporation Alliage TbFeCo Alliage GdTb (2 éléments) Alliage FeCo
Epaisseur de film (nm) 60 150
Ms (103 J/T.m3) 65 166
Hc (103 A.tr/m) 720 220 T c ( C) 200 210
Tcomp. ( C) néat néant #w (10-3 J/m)
Température ambiante 5,0
Ce support satisfait à l'équation (52)
HC1 = 720.103 A.tr/m
> HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2# = 653.103 A.tr/m
Dans ltequation (55), comme
HC2+(#w/2MS2t2) = 300.103 A.tr/m
HC1-(#w/2MS1t2) = 1,23.106 A.tr/m si le champ initial Hini est réglé à 320.10 A.tr/m, l'équation (55) peut être satisfaite.Ainsi, l'aimantation de la première couche n'est pas inversée par le champ Hini à température ambiante, et seule l'aimantation de la seconde couche est inversée.
En outre, ce support satisfait à l'équation (53)
HC1 = 720.103 A.tr/m
> (#w/2MS1t1) = 513.103 A.tr/m et à l'équation (54)
HC2 = 300.103 A.tr/m
> (ow/2Ms2t2) = 80-10 A.tr/m
En conséquence, Si le champ Hini est supprimé, les aimantations de la première et de la seconde couche sont conservées.
Ainsi, le champ initial Hini de 320.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction A" et le champ de polarisation Hb de 24.103 A.tr/m est appliqué dans la "direction non A".
Le support présente les valeurs suivantes à 140 C
MS1 = 92.103 J/T.m3
HC1 = 190.103 A.tr/m #2 = 2,305.10-3 J/m
Plus précisément, le support a satisfait à l'équation
HC1=Hb = 166.103 A.tr/m
< (a /2MSltl) = 167.103 A.tr/m et, à 114 eç, l'aimantation de la première couche est inversée par l'aimantation de la seconde couche.
Si TL = 114 ec et TH = 210 C, le support peut satisfaire à l'équation (51) TR < TL < TC1 < THSTC2 et une opération de superposition d'écriture peut être réalisée.
On considère maintenant un appareil d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture.
Cet appareil est utilisé exclusivement pour l'enregistrement, et la figure 65 représente sa disposition générale.
L'appareil comporte essentiellement
un moteur électrique 21 destiné à faire tourner un support 20 d'enregistrement,
un dispositif 22 destiné à appliquer un champ initial Hini,
une source 23 d'un faisceau laser,
un modulateur 24 destiné à moduler par impulsions l'intensité du faisceau en fonction des informations binaires à enregistrer, entre (1) un niveau élevé donnant une température moyenne TH convenant à la formation de l'un des bits ayant une aimantation vers le haut et une aimantation vers le bas respectivement et (2) un niveau faible donnant une température moyenne TL convenant à la formation de l'autre bit, et
un dispositif (25) destiné à appliquer un champ de polarisation Hb.
Les dispositifs 22 et 25 respectivement utilisent.
les divers aimants permanents suivants, en fonction du milieu.
Tableau 14
Exemple Hini Hb
ne
103A.tr/m Direction 103A.tr/m Direction
1 416 A 24 A
2 416 A 24 A
3 320 A 16 A
4 336 A 24 A
5 336 A 24 A
6 320 A 16 A
7 320 A 16 A
8 320 A 16 A
9 640 A 28 A
10 640 A 28 A
11 720 A 28 A
12 320 A 16 A
Les aimants permanents 22 et 25 sont analogues à des barreaux ayant chacun une longueur correspondant au rayon du support d'enregistrement 20 en forme de disque. Les aimants 22 et 25 sont fixés dans l'appareil d'enregistrement et ne sont pas déplacés avec un capteur comprenant la source lumineuse 23.
On considère maintenant l'enregistrement magnétooptique avec superposition d'écriture.
L'enregistrement magnéto-optique a été réalisé à l'aide de l'appareil représenté sur la figure 65. D'abord, un support d'enregistrement 20 (ne 8-1) de l'exemple 9 (classe 8) a été déplacé à une vitesse linéaire constante de 5,7 m/s. Un faisceau laser a été projeté sur le support 20. Ce faisceau a subi une modulation par impulsions par le modulateur 24 d'après les.informations à enregistrer, et il a été réglé de manière qu'il donne une puissance de sortie de 9,0 mW (sur le disque) à un niveau élevé et de 3,5 mW (sur le disque) à un faible niveau.
Dans ce cas, les informations enregistrées étaient un signal à une fréquence de 0,5 MHz. En conséquence, le faisceau a été projeté sur le support 20 en étant modulé à la fréquence de 0,5 MHz. Ainsi, un signal à 0,5 MHz a pu être enregistré. Lorsque les informations enregistrees ont été reproduites par un appareil séparé de reproduction magnéto-optique (intensité du faisceau de 1 mW sur le disque), un rapport signal-sur-bruit de 57 dB a été obtenu, et l'enregistrement des informations a été confirmé.
Un signal à une fréquence de 1 MHZ a été enregistré sur la région ayant déjà subi ltenregjstrement sur le support 20, sous forme de nouvelles informations. Lorsque ces informations ont été reproduites de manière analogue, ces nouvelles informations ont été reproduites avec un rapport signal-sur-bruit de 56 dB. Dans ce cas, aucun signal à 0,5 MHz (informations antérieures) n'a apparu.
On a ainsi démontré que ltopération de superposition d'écriture pouvait être réalisée.
Dans ces conditions, la température du milieu a atteint TH = 220 C au niveau élevé et TL = 104 OC au faible niveau.
On considère maintenant la mesure du rapport signalsur-bruit.
Un support d'enregistrement 20 (classe 8) de l'exemple 10 a été déplacé à une vitesse linéaire constante de 9,5 m/s à l'aide de l'appareil d'enregistrement représenté sur la figure 65, et un faisceau a été projeté sur le support 20. Le faisceau a subi une modulation par impulsions à une fréquence de 1 MHz afin qu'il donne une puissance de sortie de 9,0 mW (sur le disque) à un niveau élevé et de 3,8 mW (sur le disque) à un faible niveau. Lorsque le support enregistré ainsi obtenu a été reproduit à l'aide d'un appareil séparé de reproduction magnéto-optique, utilisant un faisceau laser à un niveau de 1,5 mW (sur le disque), le rapport signal-sur-bruit obtenu était de 59 dB, et l'enregistrement des informations a été confirmé.
Un signal à une fréquence de 1,2 MHZ a été enregistré sur la région déjà enregistrée. du support 20, sous forme de nouvelles informations. Lorsque ces informations ont été reproduites de manière analogue, les nouvelles informations ont été reproduites avec un rapport signalsur-bruit de 58 dB. Dans ce cas, aucun signal à 1 MHz (informations antérieures) n'a apparu.
En conséquence, le-fait que l'opération de superposition d'écriture pouvait être réalisée a été démontré.
Dans ces conditions, la température du support a atteint T N = 215 ec au niveau élevé et TL = 120 ec au faible niveau.
Les rapports signal-sur-bruit des supports des exemples 1, 2, 4, 5, 9.et 10 ont été mesurés de la meme manière après une opération de superposition d'écriture (la puissance du faisceau laser était modifiée).
Le tableau 15 résume les résultats obtenus.
Tableau 15
Support d'enregistrement Rapport
magnéto-optique signal/bruit
Exemple 1 (classe 1) 56
Tcomp.2 Toi
Exemple 2 (classe 1) 58
Tcomp.2 Tcl
Exemple 4 (classe 2) 56
Tcomp.2 Toi
Exemple 5 (classe 2) 58
Tcomp.2 Toi
Exemple 9 (classe 8) 56
Tcomp.2 Toi
Exemple 10 (classe 8) 58
Tcomp.2 Tcl

Claims (24)

REVENDICATIONS
1. Support d'enregistrement permettant une superposition d'écriture, caractérisé en ce qu'il comprend
un substrat, et
une couche magnétique empilée sur le substrat et comprenant une première et une seconde couche ayant chacune une anisotropie magnétique perpendiculaire,
l'une des directions ascendante et descendante par rapport au support étant appelée "direction A" et l'autre étant appelée "direction non A,
une aimantation de la seconde couche seulement étant alignée dans la "direction A" par un champ initial Hini juste avant l'enregistrement,
lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de "direction A" de la seconde couche est inversée en aimantation dans la "direction non
A" par un champ de polarisation Hb, et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" ou l'aimantation de "direction A" est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation de "direction non A" de la seconde couche, et
lors de l'irradiation par un faisceau laser de faible niveau, un bit ayant l'aimantation de "direction A" ou l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation de "direction A" de la seconde couche, et
le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TCl < THSTC2 et satisfait en outre, à température ambiante, aux équations suivantes
HCl > Hc2+ HD1+HD2
NCl > HDl
HC2 > HD2
HC2+HD2 < lHini{ < Hcl-HD dans lesquelles
Tir = température ambiante
Tci = température de Curie de la première couche
TC2 = température de Curie de la seconde couche
TL = température du support d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
faible niveau
TH température du support d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
niveau élevé
HC1 = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
HD1 = champ de couplage appliqué à première couche
HD2 = champ de couplage appliqué à seconde couche
2.Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des première et seconde couches est constituée d'une composition d'alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares.
3. Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est constituée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
Hcl > (aw/2Msltl )
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t10 dans lesquelles
Tcomp.1 = température de compensation de la première
couche
MS1 = moment magnétique à-satura;tion de la première
couche
M52 2 moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche #w = = énergie de paroi d'interface
4.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensc~ion entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < TH-TC2 et satisfait aussi, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#W/2MS1t1)
HC2 > ( (rW/2MS2t2 ) HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la. seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche #w = = énergie de paroi d'interface
5.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal- de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de
Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations -suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
Tcomp.1 = température de compensation de la première
couche
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
= énergie de paroi d'interface
6. Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait; à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/SMS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HCl-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a w = énergie de paroi d'interface
7.Support selon la revendication 2, dans lequel la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)|
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles ::
Tcomp.1 = température de compensation de la première
couche
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
Ms2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a = énergie de paroi d'interface
nergie
8.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas- de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)
HCl > (aw/2M5îtî)
Nc2 > (aw/2M52t2)
Hc2+(aw/2M52t2) < Hini < Hcî+(aw/2M51t1) dans lesquelles
MS1 P moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a = énergie de paroi d'interface
w
9.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TCl < THSTC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HCl-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche = = énergie de paroi d'interface
10.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première-couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche = = énergie de paroi d'interface
11.Support selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche étant formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TCl < THSTC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+l(a (aw/2M5itî)(aw/2M52t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#W/2MS1t1) dans lesquelles
M51 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a = énergie de paroi d'interface
w
12.Support d'enregistrement magnéto-optique, permettant une superposition d'écriture; caractérisé en ce qu'il comprend
un substrat, et
une couche magnétique empilée sur le substrat et comprenant une première et une seconde couche (1, 2) ayant chacune une anisotropie magnétique perpendiculaire,
l'une des directions ascendante et descendante, par rapport au support, étant appelée direction A" et l'autre étant appelée "direction non A",
l'aimantation de la seconde couche seulement est alignée dans la "direction At ou la direction non A" par un champ initial Hini jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement,
lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé, une aimantation dans une direction prédéterminée est formée dans la seconde couche par un champ de polarisation Hb, et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" ou l'aimantation de "direction A" est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation de "direction non A" de la seconde couche, et
lors de l'irradiation par un faisceau laser de faible niveau, un bit ayant l'aimantation de "direction A" ou l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche sous l'action de l'aimantation alignée dans la direction prédéterminée de la seconde couche,
dans lequel le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HCl > Hc2+ { HD1+H
HC1 > H
NC2 > ND2
HC2+HD2 < lHinit < Hcl-HDl
la seconde couche a une température de compensation, et
la température de Curie TC1 de la première couche est supérieure a la température de compensation Tcomp.2 2 de la seconde couche, et, dans les équations précédentes
T R = température ambiante
C1 = température de Curie de la première couche
TC2 = température de Curie de la seconde couche
TL = température du support d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
faible niveau
TH = température du suppot d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
niveau élevé
HC1 = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
HD1 = champ de couplage appliqué à première couche
HD2 = champ de couplage appliqué à seconde couche
13.Support selon la revendication 12, caractérisé en ce que chacune des première et seconde couches est formée d'une composition d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares.
14. Support selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première couche est formée -d'un alliage- d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TC1 < TH#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HCl > (ow/2Msltl )
Hç2 > (aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
T 1 = température de compensation de la première
comp.1
couche
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
tl = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a w = énergie de paroi d'interface
15.Support selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TC1 < THSTC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#W/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HCl-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche = = énergie de paroi d'interface
16.Support selon la revendication 13, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R < T L < Tcî < T < Tç2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+#(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)
Nç1 > (aw/2M51ti;;)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MSt2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles
Ms1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a w = énergie de paroi d'interface
17.Support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, caractérisé en ce qu'il comprend -:
-un substrat, et
une couche magnétique empilée sur le substrat et comprenant une première et une seconde couche (1, 2) ayant chacune une anisotropie magnétique perpendiculaire,
l'une des directions ascendante et descendante par rapport au support étant appelée "direction A" et l'autre étant appelée "direction non A",
l'aimantation de la seconde couche seulement est alignée dans la "direction A" par un champ initial Hini jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement alors que l'aimantation de la première couche reste inchangée,
lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé et lorsque la température du support est portée à une température élevée TH, les aimantations de la première et de la seconde couche disparaissent ou s'affaiblissent et, en conséquence, prennent la direction d'un champ de polarisation Hb, et, lorsque l'irradiation par un faisceau laser est interrompue et lorsque la température diminue à la température ambiante, la seconde couche est aimantée dans la "direction non At et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" ou l'aimantation de "direction
A" est formé dans la première couche, et
lors de l'irradiation par un faisceau laser de faible niveau et lorsque la température augmente à une faible température T L inférieure a la température élevée TH, l'aimantation de la première couche suit l'aimantation de la seconde couche bien que la première et le seconde couche restent aimantées, et, lorsque l'irradiation par le faisceau laser est interrompue et lorsque la température diminue à la température ambiante, la seconde couche est aimantée dans la "direction A", et un bit ayant l'aimantation de "direction A" ou l'aimantation de "direction non A" est formé dans la première couche, et
le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < T < T < TC2 dans laquelle
T R = température ambiante
TC1 = température de Curie de la première couche
TC2 = température de Curie de la seconde couche
Tt = température du support d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
faible niveau
TH = température du support d'enregistrement lors
de l'irradiation par le faisceau laser de
niveau élevé
18. Support selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il satisfait aux équations suivantes, à température ambiante
HC1 > HC2+#HD1+HD2
HCl > NDl
Nc2 > ND2
HC2+HD2 < #Hini# < HC1+HD1 dans lesquelles
HC1 = champ coercitif de la première couche
HC2 = champ coercitif de la seconde couche
HD1 = champ de couplage appliqué à première couche
HD2 = champ de couplage appliqué à seconde couche
19. Support selon la revendication 17, caractérisé en ce que chacune des première et seconde couches est formée d'une composition d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares.
20. Support selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche- est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TH#TC1#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#w/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
T 1 = température de compensation de la première
comp. 1
couche
M51 = moment magnétique à saturation de la première
couche
M52 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche #w = = énergie de paroi d'interface
21.Support selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TH#TC1#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
Ncî > Nç2 + (aw/2M5îtî)+(aw/2M52t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
Nc2 > (aw/2M52t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation-de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
tl = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
= énergie de paroi d'interface
22.Support selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un-alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < Tcomp.1 < TL < TH#TC1#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+((0w/2MSltl)-(a /2MS2t2)1
HC1 > (#w/2MS1t1)
Nc2 > (a/2M52t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < #Hini# < HC1+(#w/2MS1%1t1) dans lesquelles TComp 1 = température de compensation de la première
couche
MS1 I. moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
tl = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
#w = énerge de paroi d'interface
23.Support selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TH#TC1#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2)
HC1 > (#w/2MS1t1)
HC2 > (#W/2MS2t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1-(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche
MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde
couche
t1 = épaisseur du film de la première couche
t2 = épaisseur du film de la seconde couche
a w = énergie de paroi d'interface
24.Support selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche est formée d'un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR < TL < TH#TC1#TC2 et satisfait, à température ambiante, aux équations suivantes
HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)|
HCl > (#w/2MS1t1)
Hç2 > (aw/2M52t2)
HC2+(#w/2MS2t2) < |Hini| < HC1+(#w/2MS1t1) dans lesquelles
MS1 = moment magnétique à saturation de la première
couche MS2 = moment magnétique å saturation de la seconde
couche t1 = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche #w = = énergie de paroi d'interface
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