FR2566805A1 - Procede et dispositif pour le revetement de creusets de quartz avec des couches protectrices - Google Patents

Abstract

UN CREUSET DE SILICIUM 10 DESTINE A CONTENIR DU SILICIUM FONDU POUR L'ETIRAGE DE BARRES DE SILICIUM DESTINEES A L'OBTENTION DE PASTILLES DE SILICIUM DANS L'INDUSTRIE DES SEMI-CONDUCTEURS EST MUNI D'UN REVETEMENT PROTECTEUR, PAR EXEMPLE EN NITRURE DE SILICIUM, GRACE A UN GENERATEUR DE VAPEUR 13 DANS LEQUEL DES GRANULES D'UN MATERIAU DE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE ET ELECTRIQUE SONT DISPOSEES ENTRE DES ELECTRODES 20, 21. UNE AMENEE DE COURANT ELECTRIQUE PRODUIT UNE VAPORISATION LOCALISEE DES GRANULES A LEUR POINT DE CONTACT SANS LES FONDRE COMPLETEMENT. ON PEUT ENVOYER DANS LA MASSE DE L'AZOTE COMME GAZ PORTEUR; CELUI-CI REAGIT AVEC LA VAPEUR DE SILICIUM FORMEE.

Description

PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LE REVETEMENT

DE CREUSETS DE QUARTZ AVEC DES COUCHES PROTECTRICES.

La présente invention concerne un procédé et un dis-

positif pour le revêtement de creusets de quartz avec des couches protectrices. Elle concerne également des améliora- tions apportées à la fabrication des barres de silicium qui peuvent être découpées en pastilles pour l'industrie des semi-conducteurs et toute autre application dans laquelle

l'obtention de vapeur de silicium élémentaire peut se révé-

ler importante.

Il est de pratique courante, lors de la production de

pastilles de silicium pour la fabrication des semi-conduc-

teurs, d'étirer une barre de silicium élémentaire mono-

cristallin depuis une masse de silicium élémentaire con-

tenue dans un creuset de quartz ouvert à sa partie supé-

rieure, un germe monocristallin étant descendu dans la

masse fondue puis remonté, tandis que le silicium, à l'in-

térieur du creuset, est maintenu à l'état fondu par chauf-

fage par induction grâce à un serpentin entourant le creuset.

Puisque l'effet de chauffage est appliqué de l'exté-

rieur à l'intérieur et que la nature du procédé est telle que, pour obtenir la température requise du silicium fondu dans le creuset, les parois du creuset de quartz peuvent être portées à des températures élevées proches du point

de ramollissement de la matière qui le compose, un des pro-

blèmes auquel on se heurte est celui du ramollissement des

parois du creuset. Un autre problème est celui de l'atta-

que mutuelle du silicium fondu sur le creuset de quartz et

de la matière constitutive du creuset de quartz sur la mas-

se fondue, ce qui peut conduire à une détérioration du

creuset et à une contamination de la masse fondue.

Le problème est d'autant plus complexe que, quand la

masse en fusion doit être maintenue aux températures éle-

vées précédemment mentionnées pendant de longues périodes, par exemple des dizaines d'heures, il est nécessaire de prévoir un support pour le creuset, au moyen d'un matériau réfractaire tel qu'une jaquette en carbone ou en graphite

prévue pour entourer le creuset.

On a depuis longtemps pris conscience de ces problèmes et des

efforts ont été faits pour les résoudre. C'est ainsi que dans la de-

mande de brevet US 618 192 déposée le 7 Juin 1984 pour "Procédé et dispositif pour le tirage de barres de silicium monocristallin", la

demanderesse décrit un procédé selon lequel l'attaque mutuelle à 1' in-

terface entre le silicium fondu et le creuset de quartz est totale-

ment évitée quand on isole la masse de silicium fondu du creuset de quartz à l'aide d'une masse de granules en silicium élémentaire à partir desquelles est formée la masse fondue. Ce système utilise le

fait selon lequel le silicium élémentaire peut agir à l'état granu-

laire comme isolateur thermique et comme barrière de contamination.

Un autre moyen s'est révélé être efficace; il s'a-

git d'appliquer à l'intérieur du creuset de quartz un re-

vêtement en matière qui résiste mieux à l'attaque que le dioxyde de silicium du creuset. Les matériaux convenant

dans ce but comprennent le carbure de silicium, le nitru-

re de silicium, le carbure de bore et le nitrure de bore.

La demande de brevet US 614 434 déposée par la deman-

deresse le 25 Mai 1984 pour "Procédé pour le revêtement de

creusets en quartz et en céramique avec une matière trans-

formée électriquement en phase-vapeur" décrit un procédé dans lequel on génère du carbure de silicium, par exemple pour le revêtement de creusets en quartz par amorçage d'un arc sous un courant basse tension haute intensité entre une électrode de silicium et une électrode de carbone, en mettant tout d'abord les deux électrodes au contact l'une de l'autre puis en les écartant, dans un vide d'au moins

1,33 x 10 3Pa (10-5 torr).

Cette demande de brevet décrit un mode de réalisation particulier des premiers travaux de la demanderesse dans le

domaine de revêtements utilisant des basses tensions et dé-

crits par exemple dans la demande de brevet US connexe de la demanderesse n 494.302 du 13 Mai1983, elle-même demande de "Continuation in part" de la demande US n 358 186 du 15 Mars 1982 (Brevet US n 4 438 183), constituant elle-même une demande de "Continuation in part" de la demande US

n 237.670 du 24 Février 1981 (brevet US n 4.351.855), la-

quelle incorpore l'objet des Documents de Divulgation US n 078.337, 078. 334 et 078 329, tous du 26 Février 1979,

et du Document de Divulgation n 082.283 du 5 Juillet 1979.

Tous ces systèmes se sont révélés efficaces pour gé- nérer les composés de revêtement et les appliquer sur une série de substrats, y compris les creusets de quartz, mais, dans de nombreux cas, la formation d'une phase vapeur de composés de revêtement ou d'éléments de revêtement laisse beaucoup à désirer, spécialement quand au moins l'une des matières prévue pour former un revêtement, ou qui doit

être vaporisée, présente une conductivité électrique li-

mitée. Le principal objet de l'invention est donc de fournir

un procédé de formation de vapeurs d'une matière consis-

tant en au moins un élément de conductivité relativement

faible, sous forme solide, et plus spécialement en sili-

cium ou composé de silicium, dans lequel les inconvénients

des systèmes précédents sont évités.

Un autre objet de l'invention est de fournir un pro-

cédé amélioré de formation de composés en phase vapeur,

destinés à des revêtements.

L'invention a de plus pour objet un procédé amélioré de revêtement des creusets de silicium, spécialement pour les applications décrites, selon lequel on peut former des

revêtements protecteurs très uniformes à l'intérieur des-

dits creusets de façon à permettre leur utilisation, avec de meilleurs résultats, dans la fabrication des pastilles

de silicium et similaires.

L'invention a aussi pour objet un procédé abaissant

le coût du revêtement des creusets en quartz avec des cou-

ches protectrices, tout en conduisant à des revêtements plus homogènes, et ceci avec une efficacité supérieure à

celle à laquelle on pouvait arriver jusqu'alors.

L'invention concerne également un dispositif efficace

destiné à la mise en oeuvre du procédé selon l'invention.

L'invention repose sur la découverte de ce que cer-

taines matières, dont le silicium élémentaire fait partie, quand elles se trouvent à l'état granulaire et présentent une mauvaise conductivité thermique et même une mauvaise

conductivité électrique de telle sorte qu'elles sont dif-

ficiles à fondre, peuvent néanmoins être transformées à l'état de vapeur si l'on applique un potentiel électrique

entre des électrodes séparées par un lit de ces granules.

Quoique la demanderesse ne puisse totalement expliquer les

raisons pour lesquelles le procédé selon l'invention mar-

che, il semble que l'application d'un potentiel électrique entre des électrodes pontées par une masse de granules de

silicium élémentaire permette le passage d'une certaine quan-

tité de courant au travers de cette masse en dépit de la faible conductivité du silicium élémentaire. Le flux de courant électrique entre les particules de la masse semble

pourtant être concentré aux quelques points de contact en-

tre les particules; à ces points, en raison de la faible

surface et dela résistance de contact élevée, la perte oh-

mique est considérable et la chaleur I2R générée est suffi-

sante, en cet endroit précis, pour vaporiser immédiatement

une partie de la surface des granules, à ces points de con-

tact, sans fondre à coeur lesdites granules.

Ce phénomène semble aussi être une conséquence de la faible conductivité thermique des granules qui empêche la

dissipation de la chaleur de contact générée par conduction.

La demanderesse a découvert, de façon surprenante, que ce phénomène peut se produire pour des tensions de 50 à 60 volts, appliquées à la masse des granules, ou à une partie de celle-ci,-et dans tous les cas pour des tensions

suffisamment faibles pour prévenir une rupture ou une for-

mation d'arc entre les électrodes. Les intensités peuvent être de 50 à 70 ampères. Ces paramètres varient selon la nature des granules. De façon générale on peut dire que les tensions doivent être suffisantes pour que le passage du courant ait lieu sans décharge d'arc et que l'intensité doit être suffisante pour permettre la vaporisation sans

que les granules fondent en une flaque métallique.

L'invention peut être appliquée à des granules de dif-

férentes matières vaporisables présentant une conductivité

thermique relativement faible; elle est pourtant spéciale-

ment intéressante pour la génération de vapeurs de sili-

cium et de bore, à partir de granules de ces éléments. Un autre avantage de la présente invention est de

permettre de former in situ, en utilisant les mêmes prin-

cipes, des vapeurs de composés de pureté élevée tels que le carbure de silicium, le nitrure de silicium, le carbure de bore et le nitrure de bore. Un des éléments de chacun des composés peut provenir des granules tandis qu'un autre élément peut provenir d'un gaz introduit dans la masse. Le gaz, par exemple l'azote, peut aussi servir de support pour

les contenus, qui sont alors formés sur une surface qui de-

vra être revêtue des composés.

Alternativement, le deuxième élément du composé peut être amené par des granules qui peuvent être mélangées à

celles de silicium et de bore dans la masse.

Selon un aspect important de l'invention, ces princi-

pes sont utilisés pour appliquer des revêtements de sili-

cium ou de bore élémentaire sur un substrat ou, ce qui est

plus important encore, pour revêtir par exemple les creu-

sets en quartz précédemment mentionnés, de revêtements ré-

fractaires protecteurs tels que le carbure de silicium, le

nitrure de silicium ou le carbure de bore.

Les vapeurs de bore et de silicium peuvent être di-

rectement utilisées dans la préparation de revêtements employés pour différents usages; par exemple les dépôts

de silicium élémentaire peuvent être utilisés dans la pré-

paration de couches de silicium polycristallin d'un type

qui a pris récemment de l'intérêt dans le domaine des semi-

conducteurs.

La demanderesse a découvert que, dans le cas du re-

vêtement des creusets de quartz; il était avantageux de soumettre le creuset, avant revêtement; à un traitement de

surface par une opération de sablage.

On peut utiliser, pour ce sablage, du sable, de la poudre émeri, ou tout autre abrasif particulaire, ou même

des particules de métal. On a constaté, de façon surprenan-

te, qu'il n'était pas décisif que ces particules soient plus dures que le quartz qui est soumis à cette opération de sablage, et que les paramètres de sablage ne sont pas critiques pour autant que toute la surface à revêtir soit essentiellement traitée de cette façon. Il semble que le traitement produise au moins certains effets de surface, de sorte que le revêtement se forme plus régulièrement et

a une meilleure adhésion. Le terme "sablage" est ici uti-

lisé pour désigner tout traitement de surface dans lequel des particules sont dirigées contre la surface à revêtir, entraînées par de l'air à haute pression ou tout autre gaz porteur.

Les électrodes peuvent être composées des mêmes maté-

riaux que les granules, pour avoir le maximum de pureté du revêtement. C'est ainsi que les électrodes peuvent être en silicium ou en bore pour l'obtention de vapeurs contenant du silicium ou du bore. Les électrodes peuvent tout d'abord

être chauffées pour contribuer à la conductivité, puis re-

froidies pour empêcher leur fusion ou leur vaporisation.

La demanderesse a aussi découvert qu'il était avan-

gageux de préchauffer le creuset de quartz traité superfi-

ciellement avant traitement à au moins plusieurs centaines de degrés C audessus de la température ambiante, quoique là également la température précise à laquelle le creuset

est préchauffé ne soit pas significative. Cette températu-

re doit toutefois être d'au moins 100 C en-dessous du point

de ramollissement du cristal de quartz.

Selon une caractéristique de l'invention, les granu-

les, par exemple de silicium ou de bore, sont placées dans un récipient qui peut présenter une ou plusieurs ouvertures, de préférence avec une multiplicité de perforations, par

lesquelles la vapeur puisse sortir, ce récipient étant é-

quipé d'une alimentation en gaz porteur et/ou en gaz sus-

ceptible de réagir avec le composant élémentaire des gra-

nules. Le gaz porteur entraîne la vapeur par les perfora-

tions prévues dans le récipient sur la surface à laquelle est juxtaposé le récipient et des moyens sont prévus pour

balayer la surface perforée du récipient le long des surfa-

ces du creuset à revêtir, mais de préférence avec un espa-

ce constant. Le récipient contenant les granules est naturellement

également équipé d'une paire d'électrodes, espacées et sé-

parées par la masse granulaire et une source de courant électrique est reliée aux électrodes pour la production du courant provoquant la vaporisation -du matériau granulaire

de la façon décrite. Les électrodes peuvent être refroi-

dies par passage d'un agent refroidissant à l'intérieur

de chacune d'entre elles.

La présente invention, ainsi que ses caractéristiques

et avantages, sera mieux comprise à l'aide de la descrip-

tion qui suit, en référence au dessin schématique annexé, dans lequel: Fig. 1 est une vue en coupe verticale d'un dispositif

selon l'invention montrant de façon schématique le revête-

ment d'un creuset de quartz utilisant les principes de l'invention; Fig. 2 est un schéma illustrant ces principes Fig. 3 à 8 sont des vues en coupes longitudinales de

différentes réalisations de récipients et d'électrodes pou-

vant être utilisés selon l'invention;

Fig. 9 est une autre vue en coupe montrant le revête-

ment d'un creuset en quartz selon l'invention.

On voit à la Fig. 1 un dispositif pour le revêtement d'un creuset en quartz 10 du type utilisé dans la fusion

du silicium pour l'étirage de barres de silicium monocris-

tallin dans la production de pastilles de silicium pour l'industrie des semi-conducteurs; il peut comprendre des

moyens pour supporter le creuset qui, dans le mode de réa-

lisation illustré, sont constitués d'un plateau rotatif 11

qu'un moteur 12 peut faire tourner.

Un récipient 13 est disposé à l'intérieur du creuset;

ce récipient présente des perforations 14 à travers les-

quelles la vapeur peut sortir. Les récipients pour la géné-

ration de vapeur selon l'invention peuvent présenter diver-

ses configurations et l'on peut faire référence aux Fig. 3 à 9. Le récipient 13 est tenu par un support 15 déplaçable électriquement par un chariot 16 commandé par le moteur 17. Ce support peut être équipé d'une série de conduites, par exemple pour l'eau de refroidissement quand les éléments

agissent comme électrodes comme montré et décrit à la Fig. 2.

Il peut aussi comprendre un passage central permettant d'a-

mener l'azote ou tout autre gaz réactif et/ou porteur.

Dans le mode de réalisation représenté, l'azote vient d'un réservoir 18 par une valve 19 jusqu'à l'électrode 20 refroidie à l'eau, qui est séparée de la contre-électrode 21 qui peut être aussi refroidie à l'eau par une masse de granules de silicium (non représentée à la Figure). Les deux électrodes peuvent être en cuivre. Les électrodes sont

reliées à une source 22 de courant basse tension haute in-

tensité, qui est de préférence du courant alternatif, mais peut être aussi du courant continu. La source de courant

20. est à puissance variable.

Le chariot 16 est à son tour déplaçable radialement,

comme représenté, par la vis-mère 23 et le moteur 24. L'en-

semble est logé dans l'enceinte sous vide 25 dont la pompe à vide est représentée en 26. Un calculateur, tel que le calculateur numérique 27, peut être prévu pour contrôler

le procédé.

En fonctionnement, le silicium vaporisé généré entre les électrodes réagit presqu'instantanément avec une partie de l'azote fourni pour produire du nitrure de silicium

Si3N4, qui est entraîné par l'azote agissant comme gaz por-

teur sur la surface du creuset de quartz 10, qui est à côté.

Grâce à la rotation de la table 11 par l'intermédiaire du moteur 12, à la conduite du chariot 16 par le moteur 24 et

l'élévation du récipient 13 par le moteur 17 sous le con-

trôie du calculateur 27, toutes les surfaces internes du creuset sont juxtaposées au générateur de vapeur 13, etc., et sont revêtues uniformément par la vapeur. Le dispositif

est bien évidemment prévu pour être utilisé avec des creu-

sets de toutes dimensions en utilisant un programme adapté.

Le taux de vide qui peut être appliqué, par exemple jusqu'à 1,33 x 10-3 Pa (10-5 torr) dépend du degré de contamination tolérable du revêtement, mais l'on peut obtenir des revête- ments corrects même à pression atmosphérique une fois que

le creuset a été rincé à l'azote.

Quand on ne veut pas obtenir de nitrure, on peut uti-

liser comme gaz porteur de l'argon ou un autre gaz inerte et, dans de nombreux cas, on peut se dispenser d'un gaz

porteur puisque la vapeur, immédiatement après sa forma-

tion, tend à s'expanser et à sortir du récipient. De plus,

quand on utilise des granules de carbure de bore et de car-

bure de silicium à la place de silicium élémentaire, on gé-

nère des revêtements de ces matériaux, et on peut aussi appliquer des revêtements de carbure de bore et de carbure de silicium en mélangeant quelques granules de carbone à

la masse de granules de silicium et/ou de bore.

La Fig. 2 illustre de façon schématique les grandes lignes de l'invention. On voit ici la masse 30 de granules

de silicium 31 disposée entre l'électrode 32 et l'électro-

de 33, cette dernière étant un tube dont le passage cen-

tral 34 peut être alimenté à l'azote ou tout autre gaz ré-

actif ou porteur. Cette électrode peut être munie de pas-

sages de refroidissement tel que représenté en 35 et une

source de fluide de refroidissement 36 peut assurer la cir-

culation de ce fluide dans cette électrode ainsi que dans le passage 37 de l'électrode 32. Quand on met en marche la source 22 de courant basse tension haute intensité et que les électrodes 32 et 33 sont mises sous tension, et bien que les granules ne présentent qu'une conductivité limitée, il passe une quantité significative de courant dans chaque

point de contact 38 entre les particules. Puisque la sur-

face de contact de chacun de ces points est faible, l'in-

tensité de courant est considérable et, puisque la résis-

tance de contact est élevée, le produit du carré de l'in-

tensité et de la résistance (I R), représentant la chaleur générée, est considérable et suffit, en supposant que le flux de courant est suffisant, pour vaporiser les zones de contact des granules. Ces vapeurs peuvent réagir, au moment de leur formation, avec le milieu d'environnement gazeux, pour former du nitrure de silicium de la façon dé- crite. Les électrodes 32 et 33 peuvent être en silicium

et chauffées initialement pour promouvoir la conductivité.

Elles sont refroidies une fois que commence la production

de vapeur.

Les Fig. 3 à 8 représentent différents modes de réa-

lisation de revêtement. Par exemple, le récipient 40 est

équipé d'une électrode annulaire 41 adjacente à son extré-

mité ouverte 42 et d'une électrode composée d'une plaque 43 et d'une tige 44 fixée au fond du récipient. La masse 45 de granules placée entre les électrodes est soumise à

vaporisation de la façon décrite et le récipient peut com-

porter une paroi latérale perforée 46. Les vapeurs montent

et sortent des perforations pour le dépôt.

Dans le mode de réalisation représenté à la Fig. 4,

le récipient 50 comporte une électrode annulaire 52, tel-

le que celle décrite pour la Fig. 3; on utilise toutefois, à la place de l'électrode inférieure, un tube de cuivre 57

dont l'extrémité 58 à l'intérieur du récipient est perfo-

rée pour distribuer l'azote introduite dans le tube pour agir comme gaz porteur. Dans ce mode de réalisation, la paroi 56 du récipient n'est pas perforée et les vapeurs

de nitrure de silicium sortent par le haut.

Dans le mode de réalisation représenté à la Fig. 5, le récipient 60 est ouvert à son embouchure 62 et comporte

une paroi perforée 66 entourant la masse 65 des granules.

Les deux électrodes 61, 62 plongent ici dans la masse et

il est prévu une chicane sous forme de plaque 69 pour sup-

porter la masse de granules et dévier vers l'extérieur le

courant d'azote venant du tube 67 et le répartir uniformé-

ment dans la masse.

La Fig. 6 représente un mode de réalisation qui uti-

lise les principes' des demandes antérieures. Le récipient renferme la masse 75 de granules de silicium, ainsi

qu'une électrode 74; il comporte une paroi perforée 76.

Dans ce mode de réalisation, l'électrode 71 peut être abaissée dans la masse de granules pour établir le contact électrique. Dans le mode de réalisation représenté à la Fig. 7,

qui peut être utilisé pour le revêtement de substrats si-

tués au-dessous du récipient 80, la paroi du fond 86 de ce récipient est perforée et un couvercle 80' est prévu sur l'embouchure 82. Le tube électrode 87 s'ouvre dans

la partie supérieure de la masse 85 de granules et coo-

père avec l'électrode -annulaire 81 à l'intérieur de la

* masse pour assurer le passage du courant dans cette der-

nière. Les vapeurs sortent par la paroi perforée 86 et se déposent sur le substrat. L'ensemble de la paroi du récipient 90 (Fig.8) est perforé, comme montré en 96 et

l'électrode annulaire 91 est juxtaposée de façon plus pro-

che à l'électrode et au tube 97, ce dernier étant abaissé

dans la masse 95 de granules quand la vaporisation se pro-

duit, pour maintenir le contact électrique. Dans ce cas, les vapeurs sortent de tous les côtés du récipient pour

revêtir un substrat qui entoure ce dernier.-

On voit à la Fig. 9 les principes de l'invention

appliqués au mode de réalisation de la Fig. 4 pour le re-

vêtement du creuset de quartz 10 avec le revêtement 10'

de nitrure de silicium. Là, le cristal de quartz est in-

versé dans un support adapté (non représenté) et le qéné-

rateur de vapeur de la Fig. 4 est utilisé; il peut être-

élevé et abaissé comme représenté par la flèche 100 et déplacé transversalement comme représenté par les flèches

101, pour diriger la vapeur produite de façon uniforme es-

sentiellement sur toutela surface du creuset renversé.

Exemple.

Le creuset de quartz destiné à l'obtention de barres de silicium monocristallin à partir de silicium fondu a un

diamètre intérieur d'environ 25,4 cm, une profondeur d'en-

viron 15,24 cm-et une épaisseur de paroi de 3 mm, il est juxtaposé à un générateur de vapeur comme illustré à la

Fig. 1; ses faces intérieures ont été préalablement sa-

blées avec des grains d'émeri d'une dimension particulai-

re d'environ0,5 mm avec une pression de sablage entre 75 et 100 psi (5, 1711 et 6,8948-bars). Le creuset est pré-

chauffé à une température d'environ 800 C avant revêtement.

Les granules de silicium pur ont une dimension parti-

culaire moyenne d'environ 4 mm et la masse est reçue entre deux électrodes de silicium refroidies à l'eau dont l'une fournit de l'azote. La tension appliquée se situe entre et 60 volts et l'intensité entre 50 et 70 ampères, pour générer les vapeurs de carbure de silicium; le générateur -de vapeur est maintenu à une distance d'environ 2 cm de la

surface à revêtir-; il balaie uniformément toute la surfa-

ce pour déposer un revêtement d'environ 5 microns. Les creusets revêtus obtenus résistent aux influences néfastes rencontrées dans l'étirage des barres de silicium de sorte

que le creuset peut être utilisé beaucoup plus longtemps-

que les creusets de quartz non revêtus.

Claims (20)

- REVENDICATIONS -

1. - Procédé de production d'une vapeur dont au moins un composant provient d'un matériau granulaire, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: - placement d'une masse de granules dudit matériau entre une paire d'électrodes; et - passage entre lesdites électrodes d'un courant électrique d'une intensité suffisante pour provoquer la vaporisation locale dudit matériau aux points de contact

entre les granules sans pour autant agglomérer ces der-

nières en masse fondue.

2. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en Outre une étape d'entraînement des

vapeurs produites dans ladite masse par un gaz porteur.

3. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé

en ce qu'il comporte en outre une étape de dépôt des va-

peurs ainsi produites sur un substrat pour y appliquer

un revêtement.

4. - Procédé selon la revendication 2, caractérisé

en ce qu'il comporte en outre une étape de mise des va-

peurs entraînées par ledit gaz porteur au contact d'un

substrat pour y déposer un revêtement.

5. - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de réaction d'un élément vaporisé desdites granules et d'un élément du gaz fourni à ladite masse pour former une vapeur d'un

composé desdits éléments.

6. - Procédé selon la-revendication 5, caractérisé en ce que ledit composé des dits éléments est appliqué

sur un substrat par revêtement.

7. - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'élément vaporisé depuis lesdites granules est le silicium ou le bore, l'élément dudit gaz est l'azote

et ledit substrat est la surface d'un creuset de quartz.

8. - Procédé de revêtement d'un creuset de quartz avec un revêtement protecteur, caractérisé en ce qu'il comrporte les étapes suivantes: sablage d'une surface intérieure dudit creuset de quartz; - juxtaposition de ladite surface intérieure dudit creuset et d'un récipient contenant une masse de granules d'un matériau prévu pour former au moins un élément d'un

revêtement sur ladite surface et ayant une faible conduc-

tivité thermique et électrique, ledit récipient comportant au moins une ouverture d'émission de vapeur; - passage, dans au moins une partie de ladite masse, d'un courant électrique d'une intensité suffisante pour provoquer la vaporisation des granules dudit matériau aux points de contact entre elles, sans fusion globale desdites

granules, pour produire de la vapeur sortant de ladite ou-

verture et se déposant sur ladite surface, et

- déplacement relatif dudit récipient et dudit creu-

set pour déposer de façon uniforme ladite vapeur sur l'in-

tégralité de ladite surface.

9. - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que lesdites granules sont du carbure de silicium ou

du carbure de bore et le revêtement formé sur ladite sur-

face est du carbure de silicium ou du carbure de bore.

10. - Procédé selon la revendication 8, caractérisé

en ce que lesdites granules sont du silicium ou du bore.

11. - Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape consistant à faire

passer de l'azote dans ledit récipient pour entraîner la-

dite vapeur sur ladite surface, l'azote réagissant pour former et déposer un revêtement de nitrure de silicium ou

de nitrure de bore.

12. - Procédé selon la revendication 11, caractérisé

en ce que la tension du courant électrique traversant la-

dite partie de ladite masse est de 50 à 60 volts et l'in-

tensité dudit courant de 50 à 70 ampères.

13. - Procédé selon la revendication 12, caractérisé

en ce qu'il comporte en outre, avant le revêtement du creu-

set de quartz, une étape de chauffage dudit creuset à une

température élevée, mais inférieure au point de ramollisse-

ment dudit creuset.

14. - Appareillage pour la mise en oeuvre du procé-

dé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il com-

porte: un récipient (13) muni d'au moins une ouverture et renfermant une masse de granules de faible conductivité

thermique et électrique d'un matériau comportant un élé-.

ment prévu pour former un revêtement à partir d'une phase vapeur, iC une paire d'électrodes (20, 21) au contact de ladite masse et disposée dans au moins une partie de celle-ci, *des moyens (22) pour fournir dans ladite partie un courant électrique d'intensité suffisante pour provoquer une vaporisation localisée des granules à leurs points de contact sans fusion substantielle desdites granules, la

vapeur passant par ladite ouverture pour revêtir un subs-

trat (10) qui est juxtaposé et des moyens (15) pour suppor-

ter ledit récipient (13) en juxtaposition avec ledit subs-

trat (10).

15. - Appareillage selon la revendication 14, carac-

tisé en ce qu'il comporte des moyens (15) pour faire pas-

ser un gaz au travers de ladite masse.

16. - Appareillage selon la revendication 15, carac-

térisé en ce que les moyens (15) pour faire passer un gaz au travers de ladite masse sont constitués par l'une des électrodes (20) et ledit gazest prévu pour réagir avec ledit élément dans ladite masse. '

17. - Appareillage selon la revendication 14, carac-

térisé en ce qu'il comporte des moyens permettant un dépla-

cement relatif dudit récipient et dudit substrat pour que

ladite vapeur balaye uniformément toute la surface dudit-

substrat.

18. - Appareillage selon la revendication.17, carac-

térisé en ce que l'électrode amenant le gaz à ladite masse

est un tube s'ouvrant à la partie supérieure de ladite mas-

se et ledit récipient (13) comporte des perforations (14) le long d'au moins l'une de ses parois pour laisser passer

la vapeur.

19. - Appareillage selon la revendication 17, carac-

térisé en ce qu'au moins l'une des électrodes est annulai-

re, l'autre étant allongée et coaxiale à ladite électrode annulaire.

20. - Appareillage selon la revendication 19, carac-

térisé en ce qu'il comporte des moyens pour refroidir au

moins l'une desdites électrodes.