FR2540673A1 - Procede de fabrication d'un element redresseur et element redresseur obtenu par ledit procede - Google Patents
Procede de fabrication d'un element redresseur et element redresseur obtenu par ledit procede Download PDFInfo
- Publication number
- FR2540673A1 FR2540673A1 FR8312001A FR8312001A FR2540673A1 FR 2540673 A1 FR2540673 A1 FR 2540673A1 FR 8312001 A FR8312001 A FR 8312001A FR 8312001 A FR8312001 A FR 8312001A FR 2540673 A1 FR2540673 A1 FR 2540673A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- semiconductor structure
- thermocompensator
- welding
- rectifier element
- diffusion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4924—Bases or plates or solder therefor characterised by the materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04026—Bonding areas specifically adapted for layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Thyristors (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE LA TECHNIQUE DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS. LE PROCEDE FAISANT L'OBJET DE L'INVENTION EST DU TYPE COMPRENANT LA METALLISATION DE DEUX FACES OPPOSEES D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE 1, ET EST CARACTERISE EN CE QUE L'ON EFFECTUE LA METALLISATION EN SOUDANT PAR DIFFUSION DES FEUILLES METALLIQUES 2, 3 A LA STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE 1, CE SOUDAGE ETANT REALISE SIMULTANEMENT SUR LES DEUX FACES DE LA STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE 1. L'INVENTION PEUT ETRE UTILISEE NOTAMMENT POUR LA METALLISATION ET LA FORMATION DES CONTACTS DE SORTIE DES DISPOSITIFS SEMI-CONDUCTEURS DE PUISSANCE QUI ONT DES CONTACTS A PRESSION SOUS FORME DE PASTILLE OU DE BROCHE.
Description
La présente invention appartient au domaine de l'électrotechnique et a notamment pour objet un procédé de fabrication d'éléments redresseurs.
On peut appliquer cette invention à la métallisation et à la formation des contacts de sortie des dispositifs semi-conducteurs de puissance qui ont des contactS à pression sous forme de pastille ou de broche.
Un procédé connu de fabrication d'un élément redresseur (voir certificat d'auteur U.R.S.S.
NO 664244) consiste en ce qu'on métallise deux faces opposées d'une structure semi-conductrice en déposant sur elles chimiquement des couches de métal, par exemple de nickel, et en fixant ensuite à l'une des faces de la structure sel conductrice, au moyen d'un matériau en phase liquide (notamment par soudage), un thermocompensateur (en matériau à coefficient de dilatation thermique proche de celui du silicium, le plus souvent en molybdène, tungstène ou leurs alliages).
Cependant, dans les éléments redresseurs fabriqués selon ce procédé, la couche métallique déposée se caractérise par une haute résistance spécifique de contact une forte porosité et par une tendance à s'exfolier lorsque l'épaisseur de la couche métallique est supérieure à 5 Zm, propriétés qui- font monter la tension d'impulsion directe et la résistance thermique de l'élément redresseur.
La technique de dépôt chimique se limite à un nombre restreint de matériaux qu'on peut employer pour métalliser une structure semi-conductrice.
La couche métallique chimiquement déposée présente une épaisseur inégale.
Ce procédé est d'ailleurs compliqué parce que, après avoir achevé l'opération de dépôt chimique de métal sur la structure semi-conductrice, on est obligé de soumettre l'élément redresseur à un traitement thermique pour améliorer l'adhésion à la structure semi-conductrice de la couche de métal déposé.
En outre, ce procédé ne permet pas la métallisation simultanée, avec deux métaux différents, de deux faces opposées de la structure semi-conductrice.
On connaît un autre procédé de fabrication d'un élément redresseur pour dispositif semi-conducteur de puissance (voir le brevet U.S.#. N0 3987217), dans lequel on effectue la métallisation de deux faces opposées d'une structure semi-conductrice en déposant sur elles des couches de métal par pulvérisation sous vide. Après cela, on fixe un thermocompensateur à l'une des faces métallisées de la structure semi-conductrice avec un matériau en phase liquide (notamment par soudage).
Ce procédé permet de aliminuerla résistance spécifique de contact du fait qu'il devient possible d'employer des métaux de haute pureté et d'effectuer les opérations sous vide ; il permet aussi d'obtenir des couches métalliques déposées par pulvérisation qui sont moins poreuses et tendent moins à s'exfolier lorsque leur épaisseur est supérieure à 5 si, d'accroître le nombre de métaux utilisables pour de tels dépôts, d'exclure l'opération de traitement thermique de la couche déposée.
Toutefois, ce procédé ne permet pas la métallisation simultanée de deux faces opposées d'une structure semiconductrice avec deux métaux différents.
Au-delà de 10 Xm d'épaisseur, la couche métallique devient poreuse et tend à s'exfolier, ce qui a pour effet une élévation de la tension d'impulsion directe et de la résistance thermique de l'élément redresseur.
D'autre part, plus la surface de la structure semiconductrice est large, et moins l'épaisseur de la couche déposée par pulvérisation est constante.
La fixation par phase liquide du thermocompensateur à la structure semi-conductrice ne donne pas l'homogénéité nécessaire du contact, parce qu'il est pratiquement impossible de créer les conditions assurant la mouillabilité totale des surfaces à unir, et ceci accroît davantage la tension d'impulsion directe et la résistance thermique de l'élément redresseur.
De plus, la métallisation de la structure semi-conductrice et la fixation à celle-ci du thermocompensateur sont réalisées comme deux opérations séparées et consécutives de ce fait, la fabrication des éléments redresseurs nécessite une plus grande quantité de travail et donne un pourcentage de rebuts plus notable.
On connaît encore un procédé de fabrication d'un élément redresseur (voir V.V Zoumberov, V.L. Kouzmine,
E.D. Khoutorianski, G.N. Sourjenkov, A.N. Kiarlc, "Se soudage par diffusion de l'élément redresseur pour dispositif semi-conducteur de puissance. - #Elektrotekhnicheskaia promyshlenost", série "Technique de conversion", fascicule 7 (102), p. 3), dans lequel on métallise deux faces opposées d'une structure semi-conductrice en déposant sur elles le métal, soit par voie chimique, soit par pulvérisation sous vide. Ensuite, à l'une des faces métallisées de la structure semi-conductrice on fixe un thermocompensateur par soudage à diffusion.
E.D. Khoutorianski, G.N. Sourjenkov, A.N. Kiarlc, "Se soudage par diffusion de l'élément redresseur pour dispositif semi-conducteur de puissance. - #Elektrotekhnicheskaia promyshlenost", série "Technique de conversion", fascicule 7 (102), p. 3), dans lequel on métallise deux faces opposées d'une structure semi-conductrice en déposant sur elles le métal, soit par voie chimique, soit par pulvérisation sous vide. Ensuite, à l'une des faces métallisées de la structure semi-conductrice on fixe un thermocompensateur par soudage à diffusion.
Etant donné que le soudage par diffusion qui réunit les métaux se fait en phase solide, un tel contact se caractérise par un haut degré d'homogénéité et permet de diminuer la tension d'impulsion directe et la résistance thermique de l'élément redresseur.
Néanmoins, les faces opposées de la structure semi-conductrice étant métallisées par dépôt chimique ou avec pulvérisation sous vide, un élément redresseur fabriqué selon ce procédé présente une tension d'impulsion directe élevée et une grande résistance thermique, ce qui s'explique par la tendance du métal déposé à s'exfolier et à former des pores, et par l'inégalité de son épaisseur.
La couche métallique qu'on applique sur la structure semi-conductrice par dépôt chimique ou par pulvérisation sous vide, du fait de sa porosité, a une résistance à la déformation inférieure à celle de la couche métallique compacte soudée à la face opposée de la structure semiconductrice lors de son soudage par diffusion avec le thermocompensateur, ce qui a pour effet une plus grande flexion résiduelle de l'élément redresseur.
Par ailleurs, dans ce procédé, on effectue la métallisation à celle-ci du thermocompensateur comme deux opérations séparées et consécutives, ce qui nécessite une plus grande quantité de travail et accroît le pourcentage des éléments redresseurs rebutés.
La présente invention a pour objectif de perfectionner le procédé de fabrication deun élément redresseur, et notamment dRefectuer la métallisation de la structure semi-conductrice et sa connexion avec le thermocompensateur de façon à exclure définitivement l'exfoliation de la couche métallique quelle que soit son épaisseur, à pouvoir métalliser deux faces opposées de la structure semi-conductrice simultanément, avec un même métal ou avec deux métaux différents, à assurer une bonne égalité d'épaisseur de la couche métallique, à diminuer la flexion résiduelle, les dépenses de travail pour la fabrication de l'élément redresseur, la consommation d'énergie et le pourcentage des éléments redresseurs rebutés.
Le but visé par l'invention est atteint du fait que dans le procédé de fabrication d'un élément redresseur, comprenant la métallisation de deux faces opposées d'une structure semi-conductrice, selon l'invention on obtient la métallisation de la structure semi-conductrice par soudage à diffusion de feuilles métalliques, et l'on effectue sur les deux faces de la structure semi-conductrice à la fois.
Pour les éléments redresseurs ainsi fabriqués, l'épaisseur, l'inégalité de l'épaisseur et la non-homogenéité chimique de la couche de métallisation sont déterminées uniquement par les memes propriétés du matériau de départ, à savoir de la feuille à souder.
Etant donné que la feuille métallique se présente sous la forme d'une couche dense, qui possède une thermoconductibilité meilleure et une résistance électrique moins grande que le métal déposé sur la surface de la structure semi-conductrice, l'élément redresseur fabriqué selon le procédé proposé aura une résistance thermique et une tension d'impulsion directe plus faibles.
L'égalité de l'épaisseur de la couche métallique favorise la formation d'un meilleur contact à pression sur l'élément redresseur, ce qui contribue davantage à baisser la résistance thermique et la tension d t impulsion directe du dispositif semi-conducteur dans son ensemble.
D'autre part, ce procédé permet de revêtir la structure semi-conductrice d'un métal compact, sans pores ni inclusions oxydiques, et de plus, quelle que soit sont épaisseur, la couche métallique ne s'exfolie pas de la structure semi-conductrice.
On aura intérêt, en soudant par diffusion la feuille métallique à la structure semi-conductrice, de souder en même temps par diffusion le thermocompensateur à l'une des faces au moins de la structure semi-conductrice.
La simultanéité des deux opérations, celle de métal lisation des faces opposées de la structure semi-conductrice et celle de soudage du thermocompensateur, réduit les dépenses de travail, le nombre d'éléments redresseurs rebutés et la consommation d'énergie.
Il sera utile de réaliser la connexion rigide d'une électrode d'argent ou en alliage d'argent sur l'une au moins des faces métallisées de la structure semi-conductrice par soudage à diffusion simultanément avec le soudage à diffusion de la feuille métallique à cette structure semiconductrice, et de refroidir ensuite l'élément redresseur ainsi fabriqué jusqu'à une température entre 250 et 2300C et à une vitesse de 0,1 à 150C.s 1
Il sera aussi utile, pour réaliser la connexion rigide d'une électrode d'argent ou en alliage d'argent à la surface extérieure du thermocompensateur, d'employer le soudage par diffusion simultanément avec la métallisation, par une feuille métallique, de la surface extérieure du thermocompensateur, et de refroidir ensuite l'élément redresseur ainsi fabriqué jusqu'à une température entre 250 et 2300C à une vitesse de 0,1 à 150C.s#1.
Il sera aussi utile, pour réaliser la connexion rigide d'une électrode d'argent ou en alliage d'argent à la surface extérieure du thermocompensateur, d'employer le soudage par diffusion simultanément avec la métallisation, par une feuille métallique, de la surface extérieure du thermocompensateur, et de refroidir ensuite l'élément redresseur ainsi fabriqué jusqu'à une température entre 250 et 2300C à une vitesse de 0,1 à 150C.s#1.
Grâce au soudage par diffusion qu'on emploie pour réaliser une connexion rigide entre l'électrode d'argent ou en alliage d'argent et la surface métallisée du thermocompensateur, des liaisons métalliques se forment entre les atomes superficiels de l'électrode et les atomes superficiels de la structure semi-conductrice métallisée, ces liaisons existent sur toute la surface nominale de contact et assurent une baisse de résistance thermique due à l'action, dans ce contact, du mécanisme de thermoconduction atomique et moléculaire qui estle plus efficace, ce qui le distingue des autres types de contacts uniquement à pression, ot au transfert de chaleur par conduction s'ajoute le transfert par convection et par rayonnement.
Ainsi, la soudure obtenue par diffusion et joignant l'électrode en argent ou en alliage d'argent à la structure semi-conductrice métallisée ou au thermocompensateur, permet, en réduisant la dégradation des caractéristiques de service, d'améliorer la qualité des éléments redresseurs fabriqués, parce que ce procédé produit aisément un contact physique très intime sur toute la surface nominale et minimise la résistance thermique ; en même temps, il élimine une déformation plastique notable et exclut toute possibilité d'expulsion de l~électrode au cours du cyclage de courant et de chaleur.Ce dernier avantage est dû au fait que les forces radiales de traction engendrées par le cyclage s'appliquent non seulement à l'électrode, comme dans le cas des électrodes disposées librement, mais aussi à la surface avec laquelle l'électrode est solidarisée par soudage à diffusion.
Lors du soudage par diffusion, si la feuille est en
aluminium, dans la zone du joint se forme une solution solide aluminium-argent. Pendant le refroidissement après soudage, à la température de 3900C, selon le diagramme d'état, la solution solide sursaturée subit une réaction péritectoide de décomposition accompagnée de la formation d'un-compose intermétallique Ag3Al.La formation de la couche intermédiaire d'un tel intermétallide est absolument indésirable parce qu'elle augmente la résistance thermique, provoque une perte considérable de résistance mécanique et de plasticité du joint rigide et direct entre l'électrode argent ou en alliage d'argent et la couche déposée d'aluminium, ce qui peut à son tour provoquer la destruction du joint, surtout en cas d'effet cyclique des charges thermiques qui apparaissent lors du cyclage de courant.
aluminium, dans la zone du joint se forme une solution solide aluminium-argent. Pendant le refroidissement après soudage, à la température de 3900C, selon le diagramme d'état, la solution solide sursaturée subit une réaction péritectoide de décomposition accompagnée de la formation d'un-compose intermétallique Ag3Al.La formation de la couche intermédiaire d'un tel intermétallide est absolument indésirable parce qu'elle augmente la résistance thermique, provoque une perte considérable de résistance mécanique et de plasticité du joint rigide et direct entre l'électrode argent ou en alliage d'argent et la couche déposée d'aluminium, ce qui peut à son tour provoquer la destruction du joint, surtout en cas d'effet cyclique des charges thermiques qui apparaissent lors du cyclage de courant.
Le refroidissement qui suit le soudage par diffusion et se fait à une vitesse déterminée évite la formation de la couche indésirable d'intermétallides. Cet effet est obtenu à des vitesses de refroidissement comprises entre 0,1 et 150C.s-1 dans la gamme de températures allant de la température de soudage à 250-2300C. Ainsi se fait la trempe, c'est-à-dire la fixation d'un état non équilibré de la solution solide sursaturée d'aluminium en argent.
Aux températures en dessous de 250-230 C, les processus de diffusion se ralentissent à tel point que la formation d'une couche intermédiaire d'intermétallides devient impossible. Si l'on refroidit, dans la gamme de températures indiquée, à une vitesse égale ou supérieure à O,1OC.s-l une couche épaisse d'intermétallides Ag3Al se forme dans la zone du joint de soudure. Si la vitesse de refroidissement est supérieure à 150C,s , on se trouve devant le risque d'une fissuration de la structure semi-conductrice due au choc thermique et au manque de temps pour une relaxation des contraintes.
On aura intérêt à choisir l b épaisseur de la feuille métallique placée entre la structure semi-conductrice et le thermocompensateur et l'epaisseur de la feuille métallique pour la face opposée de la même structure semi-conductrice de telle façon que leur relation se trouve entre 0,25 et 5.
Etant donné que, pour concevoir un élément redresseur, on choisit le matériau et les cotes géométriques de la structure semi-conductrice et du thermocompensateur en partant de l'ensemble des conditions déterminant les caractéristiques électrophysiques du dispositif semiconducteur, le-seul paramètre constructif réglable de l#élément redresseur est cette relation entre les épaisseurs des feuilles métalliques utilisées pour métalliser la structure semi-conductrice et pour associer à celle-ci le thermocompensateur.
Quand on prévoit, dans la composition de l'élément redresseur, un thermocompensateur qui confère à#l'élément une rigidité élevée et, par cela même, réduit les déformations résiduelles de flexion de l'élément redresseur, il est préférable que la relation des épaisseurs de la feuille métallique placée entre la structure semi-conductrice et le thermocompensateur et de la feuille métallique sur la face opposée de cette même structure soit choisie proche de 5. Avec une telle relation, l'élément conserve une bonne planéité et il devient possible d'utiliser une mince feuille métallique pour métalliser la surface de la structure semi-conductrice opposée à la surface qui adhère au thermocompensateur. Il est toujours préférable d'employer à cette fin une feuille mince si les opérations qui succèdent dans la fabrication de l'élément redresseur comprennent le procédé de photolithographie, parce que cette minceur améliore la précision et la qualité de la photolithographie sur la feuille métallique.
Si, par contre, l'élément redresseur est conçu de telle façon qu'il ait une faible rigidité, il est préférable, pour éliminer la déformation résiduelle de flexion de l'élément, que la relation de l'épaisseur de la feuille métallique placée entre la structure semiconductrice et le thermocompensateur à l'épaisseur de la feuille métallique sur la face opposée de cette structure semi-conductrice, soit choisie proche de 0,25. Toutefois, si l'on choisit une relation entre les épaisseurs des feuilles inférieure à 0,25, le signe de la flexion résiduelle de la structure semi-conductrice devient négatif par rapport à la flexion du thermocompensateur et, lorsqu'on exerce une pression d'application au cours du montage de l'élément redresseur dans son boîtier, la structure semi-conductrice se détruit.
L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, détails et avantages de celle-ci apparaîtront mieux à la lumière de la description explicative qui va suivre de différents modes de réalisation donnés uniquement à titre d'exemple non limitatif, avec référence au dessin unique annexé et dans le quels
- la figure 1 est une vue schématique d'un élément redresseur réalisé selon le procédé conforme à l'invention
- la figure 2 est une vue schématique illustrant un exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé de la présente invention
- la figure 3 est une vue schématique illustrant un exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé de la présente invention
- la figure 4 est une vue schématique illustrant un autre exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé conforme à l'invention.
- la figure 1 est une vue schématique d'un élément redresseur réalisé selon le procédé conforme à l'invention
- la figure 2 est une vue schématique illustrant un exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé de la présente invention
- la figure 3 est une vue schématique illustrant un exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé de la présente invention
- la figure 4 est une vue schématique illustrant un autre exemple de fabrication d'un élément redresseur selon le procédé conforme à l'invention.
On met en oeuvre le procédé proposé de la manière suivante.
On forme un empilage comprenant une structure semi-conductrice 1 avec des disques 2, 3 de feuille métallique placés sur ses faces opposées, on le chauffe, on le serre et on le maintient pendant un certain temps sous vide, en formant ainsi des joints de soudure suivant les plans désignés sur la figure 1par les lignes horizontales "a" et b,
Pour fabriquer l'élément redresseur représenté sur la figure 2, on forme un empilage comprenant la structure semi-conductrice 1 avec les disques 2, 3 de feuille métallique placés sur ses faces opposées, et le thermocompensateur 4. On choisit le rapport de l'épaisseur du disque 3 à l'épaisseur du disque 2 entre 0,25 et 5.
Pour fabriquer l'élément redresseur représenté sur la figure 2, on forme un empilage comprenant la structure semi-conductrice 1 avec les disques 2, 3 de feuille métallique placés sur ses faces opposées, et le thermocompensateur 4. On choisit le rapport de l'épaisseur du disque 3 à l'épaisseur du disque 2 entre 0,25 et 5.
On chauffe l'empilage ainsi composé, on le serre et on l'expose au vide pendant un temps déterminé, en formant ainsi des joints de soudure suivant les plans montrés sur la figure 2 par les lignes horizontales a, "b" et "c".
Pour fabriquer l'élément redresseur représenté sur la figure 3, on compose un empilage comprenant la structure semi-conductrice 1 avec les disques 2, 3 de feuille métallique placés sur ses faces opposées, et les thermocompensateurs 4 et 5. On choisit le rapport des épaisseurs des disques 3 et 2 entre 0,25 et 5. On chauffe l'empilage ainsi composé, on le serre et on le maintient sous vide pendant un temps déterminé, en formant ainsi des joints de soudure suivant les plans indiqués sur la figure 3 par les lignes horizontales "a1,, "b", "c" et "d".
Pour fabriquer l'élément redresseur représenté sur la figure 4, on forme un empilage comprenant la structure semi-conductrice 1 avec les disques 2, 3 de feuille métallique placés sur ses faces opposées, le thermocompensateur 4, le disque 6 de feuille métallique et les électrodes 7, 8 en argent ou en alliage d'argent. On chauffe 1empilage ainsi composé, on le serre et on l'expose pendant un temps déterminé au vide, en formant ainsi des joints de soudure suivant les plans désignés sur la figure 4 par les lignes horizontales "a", "b", "c", "e", "f" et "g".
Ensuite on refroidit l'élément redresseur jusqu'à une température de 250 à 2300C à une vitesse de 0,1 à 150C.s-1.
Ci-dessous sont décrits des exemples concrets mais non limitatifs de réalisation du procédé de l'invention.
EXEMPLE 1--.
On a fabriqué un-élément redresseur de thyristor dynamique pour un courant nominal de 630 A et une tension récurrente de 2 à 3 kv. Le diamètre de la structure semiconductrice de silicium, du thermocompensateur en tungstène et des disques en feuille d'aluminium était de 50 mm.
Epaisseur de la structure de silicium o 0,6 mm, celle du thermocompensateur en tungstène : 3 mmO Epaisseur de la feuille d'aluminium placée entre le thermocompensateur et la structure : 0,12 mm ; épaisseur de la feuille servant à métalliser la face opposée de la structure de silicium 0,01-3 mm ; rapport entre ces épaisseurs : 9.
On a soudé par diffusion l'empilage ainsi composé à 5500C, à une pression spécifique de serrage de 15 MPa, enceinte vidée jusqu'à 66,5 mPa, temps d'exposition : 300s.
Après l'assemblage des parties par soudage à diffusion, la flexion résiduelle de l'élément était-de 0,008 mm.
EXEMPLE 2.
On a fabriqué l'élément redresseur d'une diode destinée à être montée dans le convertisseur d'une soudeuse.
Courant nominal de la diode : 2000 A, tension récurrente 400 V. Diamètre de la structure de silicium, du thermocompensateur en molybdène et des disques en feuille d'aluminium : 40 mm. Epaisseur de la structure de silicium : 0,25 mm, celle du thermocompensateur en molybdène : 0,5 mm. Epaisseur de la feuille d'aluminium placée entre le thermocompensateur et la structure.: 0,05 mm ; épaisseur de la feuille servant à métalliser la face opposée de la structure : 0,28 Inm; rapport entre ces épaisseurs : 0,18.
On a soudé par diffusion l'empilage ainsi composé à 5500C à la pression spécifique de serrage de 15 MPa, enceinte vidée jusqu a 66,5 mPa, temps d'exposition : 300s.
Après l'assemblage des parties par soudage à diffusion, la flexion résiduelle de l#èlément était de 0,01 mm.
EXEMPLE 3.
On a fabriqué les éléments redresseurs d'une diode à polarité inverse pour un courant nominal de 80 à 100 A et une tension récurrente de 0,7 à 1,5 kV. Le diamètre de la structure de silicium et du thermocompensateur en tungstène était de 18 mm. Le meme diamètre avait été choisi pour les disques en -feuille d'aluminium placés entre le thermocompensateur et la structure, et pour les disques servant à métalliser la surface opposée de la structure ; entre leurs épaisseurs respectives, 0,05 et 0,012 mm, le rapport était de 4,2. Epaisseur de la structure de silicium : 0,3 mm, celle du thermocompensateur en tungstène : 1,5 mm.
On a soudé par diffusion l'empilage ainsi composé à 5500C, à la pression spécifique de serrage de 15 MPa, enceinte vidée jusqu'à 66,5 mPa, temps d'exposition :300s.
Après l'assemblage des parties par soudage à diffusion, la flexion résiduelle de l'élément était de 0,01 mm.
EXEMPLE 4.
On a fabriqué l'élément redresseur d'une diode haute fréquence à polarité inverse pour un courant nominal de 1000 A et avec un diamètre de toutes les parties à souder de 32 mm. On a formé un empilage comprenant un disque d'argent épais de 0,15 mm, un disque d'aluminium épais de 0,1 mm, l'épaisseur de la structure de silicium sur disques d'aluminium et d'argent était respect#ivement de 0,1 et de 0,15 mm. Le régime de soudage par diffusion avait les mêmes paramètres que dans l'exemple 1, après quoi on a refroidi à partir de la température de soudage 55O0C, jusqu'à 2500C à la vitesse de 0,150C.s-1.
A la fin de cette procédure, on a soumis la zone du joint à soudure à un examen métallographique et à une microspectroscopie -par rayons X. Cette étude a témoigné sans ambiguïté de l'absence, dans la zone de soudage, d'une couche d'intermétallides Ag3Al. Essayées après cela, les diodes ont manifesté de bonnes caractéris- tiques électriques et thermiques et une bonne tenue en service.
EXEMPLE 5.
On a fabriqué les éléments redresseurs d'un thyristor d'usage industriel général, pour un courant nominal de 320 A, avec un diamètre de toutes les parties à souder de 32 mm. On a effectué la fixation rigide et directe des électrodes sous forme de disques en argent épais de 0,05 mm simultanément avec la réalisation, dans l'élément redresseur, de tous les joints de soudure. On a forme unempilage-comprenant un disque d'argent, un disque d'aluminium de 0,02 mm d'épaisseur, une structure de silicium, un disque d'aluminium de 0,1 mm, un thermocompensateur en tungstène, un disque d'aluminium de 0,05 mm et un disque d'argent. Le régime de soudage par diffusion avait les mêmes paramètres que dans l'exemple 1, après quoi on a refroidi dans l'intervalle de temps raturesde 550 à 2300C à la vitesse de 14 C.s 1.
Etudiés par métallographie, cinq éléments redresseurs ont montré l'absence de la couche intermédiaire d'intermétallides dans la zone de soudure et 1' absence de fissures dans la structure semi-conductrice.
Les essais des éléments redresseurs dans des dis--:.
positifs finis ont confirmé leurs bonnes propriétés et les avantages du procédé proposé quant aux paramètres électriques et thermiques.
EXEMPLE 6.
On a fabriqué les éléments redresseurs d'une diode à haute fréquence, d'un diamètre-de 18 mu. On a effectue la fixation rigide et directe des électrodes d'argent simultanément avec la formation des autres contacts dans l'élément redresseur par soudage à diffusion. On a formé un empilage comprenant un disque d'aluminium de 0,02 mm d'épaisseur, une structure de silicium, un disque d'aluminium de 0,1 mm, un disque de tungstène de 1,5 mm, un disque d'aluminium de 0,05 mm, un disque d'argent de 0,05 mm. On a soudé l'empilage par diffusion, à la température de 5500C, à la pression spécifique de serrage de 15 MPa, pendant 300 s, le vide étant de 66,6 mPa.Après soudage, on a refroidi jusqu'à la tem pérature de 2300C à la vitesse de 4,5 C.s 1. Les études métallographiques. ont montré l'absence d'intermatallides dans le joint de soudure entre l'argent et l'aluminium ; les essais des éléments redresseurs soudés dans un dispositif semi-conducteur ont témoigné de leurs bonnes caractéristiques électriques et thermiques, et de leur bonne tenue en exploitation.
En comparaison des procédés connus, le procédé de fabrication de l'élément redresseur selon la présente invention se distingue par les avantages suivants
- il permet de fabriquer des éléments redresseurs qui ont des valeurs réduites de résistance thermique et de tension d'impulsion directe ;
- il améliore, d'une façon générale, la tenue de l'élément redresseur aux diverses charges possibles en service ;
- il réduit la consommation de métaux de haute pureté ;
- il permet d'économiser de l'argent en amincissant l'électrode en argent ou en alliage dargent ; ;
- il permet de fixer, rigidement et directement, les électrodes d'argent ou en alliage d'argent simultanément avec la formation de tous les contacts nécessaires dans l'élément redresseur
- il réduit les dépenses de travail et d'énergie pour la fabrication des éléments redresseurs
- il diminue le pourcentage d'éléments redresseurs rebutés
- il permet de réduire le nombre et le cott des équipements utilisés, ainsi que les surfaces qu'ils occupent dans l'atelier.
- il permet de fabriquer des éléments redresseurs qui ont des valeurs réduites de résistance thermique et de tension d'impulsion directe ;
- il améliore, d'une façon générale, la tenue de l'élément redresseur aux diverses charges possibles en service ;
- il réduit la consommation de métaux de haute pureté ;
- il permet d'économiser de l'argent en amincissant l'électrode en argent ou en alliage dargent ; ;
- il permet de fixer, rigidement et directement, les électrodes d'argent ou en alliage d'argent simultanément avec la formation de tous les contacts nécessaires dans l'élément redresseur
- il réduit les dépenses de travail et d'énergie pour la fabrication des éléments redresseurs
- il diminue le pourcentage d'éléments redresseurs rebutés
- il permet de réduire le nombre et le cott des équipements utilisés, ainsi que les surfaces qu'ils occupent dans l'atelier.
Claims (6)
1. Procédé de fabrication d0un élément redresseur, comprenant la métallisation de deux face opposées d'une structure semi-conductrice (1), caractérisé en ce que l'on effectue la métallisation en soudant par diffusion des feuilles métalliques < 2,3) à la structure semiconductrice (1), ce soudage étant réalisé simultanément sur les deux faces de la structure semi-conductrice (1).
2. Procédé selon la revendication 1, comprenant le soudage par diffusion d'un thermocompensateur (4) sur l'une des faces au moins de la structure semiconductrice (1), caractérisé en ce que lion effectue le soudage par diffusion des feuilles métalliques (2, 3) à la structure semi-conductrice (i) simultanément avec le soudage par diffusion du thermocompensateur (4).
3. Procédé selon lgune des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de la feuille métal lique (3)placee entre la structure semi-conductrice (1) et le thermo- compensateur (4)et l'épaisseur de la fusille métallique (2) située sur la sur la face opposée de la structure semi-conductrice (1), sont choisies de sorte que leur rapport soit compris dans la plage de 0,15 à 10.
4. Procédé selon l'une des revendications 1, 2 et 3, comprenant l'assemblage rigide d'une électrode (8) en argent ou en alliage d'argent à au moins l'une des surfaces métallisées de la structure semi-conductrice (1), caractérisé en ce que l'on réalise ledit assemblage rigide par soudage à diffusion simultanément avec le soudage à diffusion de la feuille métallique (2) à la structure semi-conductrice (1)let que l'élément redresseur ainsi fabriqué est ensuite refroidi jusqu'à une température de 250 à 230 C à une vitesse comprise entre 0,1 et 15 C.s-.
5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, comprenant l'assemblage rigide d'une électrode (7) en argent ou en alliage d'argent à la surface extérieure du thermocompensateur (4), caractérisé en ce que l'on réalise ledit assemblage rigide de l'électrode (7) en le soudant par diffusion simultanément avec la métallisation, par une feuille métallique (6), de la surface extérieure du thermocompensateur (4), et que l'élément redresseur ainsi fabriqué est ensuite refroidi jusqu'S une température de 250 à 2300C à une vitesse comprise entre 0,1 et 150C.
6. Element redresseur notamment pour dispositif semi-conducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il est obtenu par le procédé suivant l'une des revendications 1 à 5.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU833540851A SU1114253A1 (ru) | 1983-02-03 | 1983-02-03 | Способ изготовлени выпр мительных элементов |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2540673A1 true FR2540673A1 (fr) | 1984-08-10 |
| FR2540673B1 FR2540673B1 (fr) | 1988-07-29 |
Family
ID=21045701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8312001A Expired FR2540673B1 (fr) | 1983-02-03 | 1983-07-20 | Procede de fabrication d'un element redresseur et element redresseur obtenu par ledit procede |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144176A (fr) |
| DE (1) | DE3325355A1 (fr) |
| FR (1) | FR2540673B1 (fr) |
| IT (1) | IT1195541B (fr) |
| SE (1) | SE8303838L (fr) |
| SU (1) | SU1114253A1 (fr) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3446780A1 (de) * | 1984-12-21 | 1986-07-03 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Verfahren und verbindungswerkstoff zum metallischen verbinden von bauteilen |
| DE58908749D1 (de) * | 1988-03-03 | 1995-01-26 | Siemens Ag | Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten und Anordnung zur Durchführung desselben. |
| EP0330896A3 (fr) * | 1988-03-03 | 1991-01-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Procédé pour fixer des composants semi-conducteurs sur des substrats et dispositifs pour sa réalisation |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US326598A (en) * | 1885-09-22 | Hot-air furnace | ||
| US3228104A (en) * | 1961-04-19 | 1966-01-11 | Siemens Ag | Method of attaching an electric connection to a semiconductor device |
| US3431472A (en) * | 1963-12-31 | 1969-03-04 | Ibm | Palladium ohmic contact to silicon semiconductor |
| FR2046593A5 (fr) * | 1970-04-30 | 1971-03-05 | Silec Semi Conducteurs | |
| FR2142073A1 (fr) * | 1971-06-17 | 1973-01-26 | Philips Nv | |
| FR2412168A1 (fr) * | 1977-12-15 | 1979-07-13 | Silicium Semiconducteur Ssc | Diodes ecreteuses de surtension |
| GB2067117A (en) * | 1980-01-02 | 1981-07-22 | Secr Defence | Bonding semi-conductor bodies to aluminium thick-film circuits |
| US4315591A (en) * | 1979-03-08 | 1982-02-16 | General Electric Company | Method for thermo-compression diffusion bonding a structured copper strain buffer to each side of a substrateless semiconductor device wafer |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3717797A (en) * | 1971-03-19 | 1973-02-20 | Westinghouse Electric Corp | One piece aluminum electrical contact member for semiconductor devices |
| JPS5950116B2 (ja) * | 1976-12-24 | 1984-12-06 | 日本インタ−ナショナル整流器株式会社 | 拡散．合金型半導体装置 |
| JPS55128836A (en) * | 1979-03-29 | 1980-10-06 | Toshiba Corp | Method of mounting semiconductor pellet |
| JPS5691990A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-25 | Hitachi Ltd | Diffusion joining device |
| DD220536A1 (de) * | 1984-01-10 | 1985-04-03 | Ilmenau Tech Hochschule | Verfahren zum verbinden von silizium und germanium |
-
1983
- 1983-02-03 SU SU833540851A patent/SU1114253A1/ru active
- 1983-07-05 SE SE8303838A patent/SE8303838L/xx unknown
- 1983-07-14 DE DE19833325355 patent/DE3325355A1/de not_active Ceased
- 1983-07-20 FR FR8312001A patent/FR2540673B1/fr not_active Expired
- 1983-08-25 JP JP58154242A patent/JPS59144176A/ja active Pending
- 1983-09-12 IT IT4160483A patent/IT1195541B/it active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US326598A (en) * | 1885-09-22 | Hot-air furnace | ||
| US3228104A (en) * | 1961-04-19 | 1966-01-11 | Siemens Ag | Method of attaching an electric connection to a semiconductor device |
| US3431472A (en) * | 1963-12-31 | 1969-03-04 | Ibm | Palladium ohmic contact to silicon semiconductor |
| FR2046593A5 (fr) * | 1970-04-30 | 1971-03-05 | Silec Semi Conducteurs | |
| FR2142073A1 (fr) * | 1971-06-17 | 1973-01-26 | Philips Nv | |
| FR2412168A1 (fr) * | 1977-12-15 | 1979-07-13 | Silicium Semiconducteur Ssc | Diodes ecreteuses de surtension |
| US4315591A (en) * | 1979-03-08 | 1982-02-16 | General Electric Company | Method for thermo-compression diffusion bonding a structured copper strain buffer to each side of a substrateless semiconductor device wafer |
| GB2067117A (en) * | 1980-01-02 | 1981-07-22 | Secr Defence | Bonding semi-conductor bodies to aluminium thick-film circuits |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| WELDING PRODUCTION, vol. 25, no. 7, juillet 1978, pages 5-7, V.F. ROMANOVSKII et al.: "On the possiblities of increasing the rate of formation of physical contact over a large area in the solid-phase bonding of silicon to aluminium" * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3325355A1 (de) | 1984-08-09 |
| FR2540673B1 (fr) | 1988-07-29 |
| IT1195541B (it) | 1988-10-19 |
| SU1114253A1 (ru) | 1987-03-23 |
| IT8341604A0 (it) | 1983-09-12 |
| SE8303838D0 (sv) | 1983-07-05 |
| JPS59144176A (ja) | 1984-08-18 |
| SE8303838L (sv) | 1984-08-04 |
| IT8341604A1 (it) | 1985-03-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2654387A1 (fr) | Materiau multicouche comprenant du graphite souple renforce mecaniquement, electriquement et thermiquement par un metal et procede de fabrication. | |
| EP1343605B1 (fr) | Procede de brasure sous gaz inerte d'un produit plaque comportant une piece support en acier et un revetement metallique anti-corrosion | |
| US10406636B2 (en) | Thermal interface material and method | |
| CA1326115C (fr) | Procede de brasage au four sous atmosphere rarefiee ou controlee de deux pieces | |
| FR2540673A1 (fr) | Procede de fabrication d'un element redresseur et element redresseur obtenu par ledit procede | |
| EP1440045A1 (fr) | Procede de metallisation et/ou de brasage par un alliage de silicium de pieces en ceramique oxyde non mouillable par ledit alliage | |
| EP0016693A1 (fr) | Dispositif collecteur d'énergie solaire, et procédé de fabrication d'un tel dispositif | |
| FR2524618A1 (fr) | Revetement pour la conversion photothermique | |
| CH630742A5 (fr) | Procede de fabrication d'un contact electrique, contact obtenu par ce procede et dispositif comprenant ce contact electrique. | |
| EP2036101B1 (fr) | Procede de fabrication par brasage diffusion des connexions electriques d'un ensemble de stockage d'energie electrique | |
| JP4871589B2 (ja) | 光学素子の接合方法 | |
| FR2460176A1 (fr) | Procede pour assembler des pieces metalliques, par exemple en aluminium et assemblage ainsi obtenu | |
| US5031822A (en) | Methods of joining components | |
| JPS59110485A (ja) | モリブデン基複合板の製造方法 | |
| FR2816046A1 (fr) | Procede de fabrication d'un echangeur de chaleur a plaques brasees, et echangeur ainsi produit | |
| FR2693139A1 (fr) | Procédé de liaison d'alliages cuivreux à dispersoïdes sur des matériaux métalliques, céramiques ou composites par brasage dans un four sous atmosphère raréfiée. | |
| EP1042101A1 (fr) | Procede de realisation de pate a braser et joint de soudure obtenu | |
| WO2008071764A1 (fr) | Procede de soudage de composants electroniques | |
| WO1991009991A1 (fr) | Procede de revetement de surface multicouche et procede de collage des pieces ainsi traitees | |
| FR2689315A1 (fr) | Procédé de fabrication d'un substrat pour l'électronique de puissance et substrat obtenu par ce procédé. | |
| FR3134021A1 (fr) | Procédé de soudage par ultrasons | |
| EP4408601A1 (fr) | Procédé de fabrication additive d'un objet en cuivre | |
| RU134357U1 (ru) | Твердотельное устройство | |
| JPH0338946B2 (fr) | ||
| BE551705A (fr) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |