FR2504730A1 - Procede de fabrication de circuits integres mos a plusieurs types d'interconnexions - Google Patents

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0694846A1 (fr) * 1994-07-29 1996-01-31 STMicroelectronics S.A. Procédé de brouillage numérique et application à un circuit programmable

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4080618A (en) * 1975-09-05 1978-03-21 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Insulated-gate field-effect transistor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4080618A (en) * 1975-09-05 1978-03-21 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Insulated-gate field-effect transistor

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
EXBK/78 *
EXBK/79 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0694846A1 (fr) * 1994-07-29 1996-01-31 STMicroelectronics S.A. Procédé de brouillage numérique et application à un circuit programmable
US5850452A (en) * 1994-07-29 1998-12-15 Stmicroelectronics S.A. Method for numerically scrambling data and its application to a programmable circuit

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