FR2493633A1

FR2493633A1 - Amplificateur de courant

Info

Publication number: FR2493633A1
Application number: FR8120432A
Authority: FR
Inventors: Leonard Abraham Kaplan
Original assignee: RCA Corp
Current assignee: RCA Corp
Priority date: 1980-10-31
Filing date: 1981-10-30
Publication date: 1982-05-07
Also published as: JPS57106205A; US4380740A; DE3143159A1; GB2086682A; IT1139667B; IT8124806A0

Abstract

L'INVENTION CONCERNE UN AMPLIFICATEUR DE COURANT AYANT UN FACTEUR DE GAIN SENSIBLEMENT INDEPENDANT DU GAIN EN COURANT DIRECT DE L'EMETTEUR COMMUN DES TRANSISTORS LE COMPOSANT. SELON L'INVENTION, ON UTILISE UN AGENCEMENT EN CASCADE D'AMPLIFICATEURS MIROIRS DE COURANT CMA5 ET CMA4 POUR COMPENSER LES VARIATIONS DU BETA; LA SORTIE DU CMA5, DONT LE RAPPORT DE TRANFERT DE COURANT OU GAIN DIMINUE TANDIS QUE LE BETA DIMINUE, EST CONNECTEE A L'ENTREE DU CMA4 DONT LE RAPPORT DE TRANSFERT DE COURANT AUGMENTE TANDIS QUE LE BETA DIMINUE; LE GAIN EN COURANT COMPOSE DES CMA EN CASCADE A PAR CONSEQUENT TENDANCE A RESTER CONSTANT TANDIS QUE LES VALEURS DE BETA VARIENT. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AUX AMPLIFICATEURS DE COURANT UTILISES DANS LES AUTOMOBILES.

Description

La présente invention se rapporte à des amplifi-

cateurs de courant à transistors o le gain de l'amplifica-

teur est sensiblement indépendant du gain des transistors

le composant.

Le gain en courant direct de l'émetteur commun (béta) d'un transistor bipolaire n'est pas constant. Le béta varie selon les facteurs de l'environnement, comme la température et le niveau des rayonnements. Le béta varie également selon les conditions de fonctionnement, comme le niveau du courant de collecteur et le niveau de la tension de collecteur. Par ailleurs, le béta varie avec le matériau semiconducteur et les variations des procédés, ainsi le béta des transistors sur une pastille de semiconducteur peut varier largement par rapport à celui de transistors

fabriqués sur une autre pastille de semiconducteur.

Les amplificateurs miroirs de courant (CMA) qui réduisent la dépendance du gain de l'amplificateur vis-à-vis

du béta, utilisant les rapports de géométrie des transis-

tors, sont bien connus. Cependant, dans ces agencements, les courants définis de base tirés par les transistors bipolaires les composant ont tendance à introduire un terme d'erreur de courant de base dans une fonction de transfert du CMA, tel que le gain total du CMA est toujours fonction du béta. L'effet néfaste d'une telle erreur du courant de base sur le gain du CMA est exagéré quand on utilise des transistors à béta inférieur (par exemple des transistors du type PNP latéraux), ou quand on souhaite des rapports supérieurs de transfert de courant du CMA

(par exemple des gains en courant de dix ou plus).

Les composantes d'erreur de courant de base dans un CMA peuvent être comprises en se référant, par exemple,

à un simple CMA comprenant des premier et second transis-

tors, o la connexion directe entre le collecteur et la base conditionne le premier transistor pour qu'il soit conducteur du courant d'entrée. Le courant de base pour les premier et second transis-tors est fourni par le courant d'entrée de l'amplificateur par une telle connexion collecteurbase, sans courant de base fourni par le courant de collecteur du second transistor. Couramment, le courant de collecteur du second transistor est utilisé comme courant de sortie du CMA dans un mode inverseur de fonctionnement du CMA -: cependant, le courant à la sortie du CMA peut également être pris comme courant d'émetteurs combinés des transistors miroirs de courant en mode direct

de fonctionnement, comme on l'expliquera mieux ci-après.

Tandis que le béta des transistors individuels diminue, une partie croissante du courant d'entrée est détournée comme courant de base pour faire fonctionner les premier et second transistors. Ainsi, le gain d'un tel CMA simple diminue tandis que la valeur du béta diminue. De telles variations du gain ne sont particulièrement pas souhaitables dans des étages d'attaque qui doivent fournir au moins un courant minimum à un appareil comme on peut en employer dans des automobiles, car dans de telles applications, de grandes variations de l!environnement sont souvent rencontrées. Des propositions antérieures pour réduire la dépendance entre le gain en courant d'un OMA et la valeur du béta, en particulier pour de faibles valeurs de béta, peuvent être trouvées par exemple dans RCA Technical Notes NO 949 de J. S. Radovsky et NI 990 de 0. H. Schade, Jr, publiespar RCA Corporation, Princeton, New Jersey, Etats Unis d'Amérique et toutes deux intitulées "Current-mirror amplifiers having current gains less influence by the base currents of component transistors". Ces propositions consistent à incorporer, dans le CMA, un ou plusieurs transistors supplémentaires qui contrôlent les étendues

relatives auxquelles les courants de collecteur des transis-

tors du miroir de courant alimentent les courants de base de ces transistors. Contrairement à cela, selon l'invention, un amplificateur de courant est prévu, qui comprend un agencement en cascade d'au moins des premier et second CMA, dont le premier a sa sortie couplée à l'entrée du second, et dont l'un est conçu pour avoir un gain qui diminue tandis que le béta des transistors le composant diminue tandis que l'autre est conçu pour avoir un gain qui

augmente tandis que le béta de ces transistors diminue.

Le gain composé des deux CMA a par conséquent tendance à rester constant tandis que les valeurs de béta changent. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci

apparattront plus clairement au cours de la description

explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels:

- les figures 1 et 2 sont des schémas d'amplifica-

teurs de courant illustrant des modes de réalisation de l'invention;

- la figure 3 donne un schéma-bloc d'un amplifica-

teur de courant illustrant un autre mode de-réalisation de l'invention; et - la figure 4 est un graphique illustrant la variation de gain normalisé des CMA particuliers représentés sur les figures 1 et 2, en fonction du béta des transistors composants respectifs, le béta étant indiqué sur l'axe des

abscisses et le gain normalisé sur l'axe des ordonnées.

Sur la figure 1, l'amplificateur de courant 9 reçoit un courant de signal d'entrée Il à une borne 10, lequel est fourni par une source appropriée 12. La borne de sortie de l'amplificateur 9 est en 20, o une charge de sortie 22 est connectée pour recevoir le courant de sortie I. L'autre extrémité de la charge de sortie 22 est ramenée à un potentiel de référence à la borne 26, dans ce cas le potentiel de la masse. Un potentiel de

fonctionnement, V0c est appliqué à la borne 24.

L'amplificateur de courant 9 se compose d'une connexion en cascade de quatre amplificateurs miroirs de courant, dont trois (CMA 1, CMA 1' et CMA 3) sont connectés en mode inverse et l'autre (CMA 4) en mode direct. Comme on le sait, dans un CMA inverseur, les courants des signaux d'entrée et de sortie ont des polarités opposées. Dans un CMA non inverseur, les courants des signaux d'entrée et

de sortie ont la même polarité.

Plus particulièrement, l'électrode de sortie du CMA 1 est connectée l'électrode d'entrée du CMA 1' à la borne 14. L'électrode de sortie du CMA 1' est connectée à l'électrode d'entrée du CMA 3 à la borne 16. L'électrode de sortie du CMA 3 est connectée à l'électrode d'entrée

du CMA 4 à la borne 18.

Le CMA 1 se compose de transistors QI et Q2 du type PNP. Les émetteurs des transistors Ql et Q2 sont connectés à Vcc à la borne 24. Le transistor QI est conditionné par une connexion directe de son collecteur à sa base, pour recevoir le courant d'entrée Il. La tension base-émetteur résultante (VBE) du transistor QI

est imprimée à la jonction base-émetteur du transistor Q2.

Les transistors QI et Q2 ont des caractéristiques de transfert qui correspondent. Cette correspondance est obtenue en fabriquant les transistors QI et Q2 par les

mêmes étapes de traitement sur le même substrat semi-

conducteur. Par suite, les caractéristiques de transfert de la tension base-émetteur au courant de collecteur des transistors QI et Q2 ont tendance à se suivre par rapport aux variations de température. Par ailleurs, comme cela est indiqué sur la'figure 1 par les facteurs de rapport entourés d'un cercle, la zone de jonction émetteur-base du transistor Q2 est égale à k fois celle du transistor QI. Par suite, comme les transistors QI et Q2 ont la même tension VBE, le courant de collecteur du transistor Q2

est égal à k fois le courant de collecteur du transis-

tor QI.

En supposant que la valeur de béta des transistors QI et Q2 est suffisamment importante pour que le courant de base des transistors QI et Q2 puisse être négligé, le courant de collecteur du transistor Qi est à peu près égal au courant d'entrée Il. Ainsi, le gain en courant nominal

I2/Il du CMA 1 est égal à k.

Le CMA 1' se compose de transistors Q6 et Q7 du type NPN. Les émetteurs des transistors Q6 et Q7 sont reliés à la borne 26. Le transistor Q6 est conditionné par une connexion directe de son collecteur à sa base, pour recevoir le courant d'entrée I2. La tension VBE résultante du transistor Q6 est également la tension VBE du transistor Q2. Comme la zone de jonction base-émetteur du transistor Q7 est égale à m. fois celle du transistor Q6, le courant de collecteur du transistor Q7 est égal à m fois celui de Q6. En supposant que le courant de base des transistors Q6 et Q7 peut être négligé, le gain en

courant nominal du CMA 1?, I3/I2, est égal à m.

Le CMA 3 se compose de transistors Q3, Q4 et Q5 du type PNP. Les émetteurs des transistors Q3 et Q4 sont connectés à la borne 24. Le transistor Q5 est agencé en configuration d'amplificateur émetteur suiveur pour former un trajet de contre-réaction collecteur-base pour le transistor Q3 afin de conditionner celui-ci pour qu'il reçoive le courant I3 appliqué à la borne 16. Comme la zone de jonction base-émetteur du transistor Q4 est égale à n fois celle de Q3 et que les deux transistors ont sensiblement la même valeur de VBE, le courant de

collecteur du transistor Q4 est égal à n fois celui de Q3.

En supposant que les courants de base des transistors Q3 et Q4 puissent être négligés, le gain en courant nominal

du CMA 3, I4/13, est égal à n.

Le CMA 4 se compose de transistors Q8, Q9 et Q10.

Les émetteurs des transistors Q8 et Q9 sont connectés à la borne de sortie 20. Le transistor Q10 est agencé en amplificateur émetteur suiveur pour former un trajet de contre-réaction collecteur-base pour le transistor Q8 afin de conditionner le transistor Q8 pour qu'il reçoive le courant d'entrée I4 appliqué à la borne 18. Comme la zone de jonction base-émetteur du transistor Q9 est égale

à p fois celle du transistor Q8, et que les deux transis-

tors ont la même valeur de VBE, le courant de collecteur de Q9 est égal à p fois celui de Q8. Cependant, le courant de sortie Io du CMA 4 est égal à la somme des courants d'émetteur des transistors Q8 et Q9. Par conséquent, en supposant que les courants de base des transistors Q8 et Q9 puissent être négligés, le gain en courant nominal du CMA 4, IO/I4 est égal àp+1. Le gain en courant total pour l'amplificateur de courant 9 est égal au produit des gains en courant des amplificateurs miroirs de courant individuels CMA 1, CMA 1', CMA 3 et CMA 4. La valeur nominale pour le gain en courant Io/Il pour l'amplificateur de courant 9 est par conséquent égale à kmn (p+1). Les CMA en cascade sont particulièrement

utiles quand des gains supérieurs de courant sont souhaités.

En utilisant plusieurs CMA en cascade, la nécessité d'un rapport de surface excessivement important dans tout CMA

est ainsi évitée.

Jusqu'à ce point, on a supposé que le béta des transistors composants était suffisamment important pour

que leurs courants de base puissent être négligés. Cepen-

dant, dans des situations pratiques, le béta peut être suffisamment faible pour que les courants de base puissent

provoquer un écart sensible par rapport au gain nominal.

Par exemple, dans le CMA 1, le courant d'entrée Il forme non seulement le courant de collecteur du transistor Qi mais également les courants de base des transistors QI et Q2 du type PNP. Cependant, le courant de sortie I2 du CMA 1 ne fourni aucun des courants requis de base. Par conséquent, tandis que le béta des transistors QI et Q2 diminue, une partie croissante du courant d'entrée est détournée pour alimenter les courants de base de Qi et Q2, le gain de CMA 1 diminue donc. De même, le gain du CMA 1' diminue tandis que le béta des transistors respectifs Q6

et Q7 diminue.

Au contraire, les gains du CMA 3 et du CMA 4 augmentent tandis que le béta des transistors respectifs diminue. Cela est ainsi parce que les courants respectifs de base, plutôt que d'être détournés du courant du signal d'entrée, sont sensiblement ajoutés au courant du signal

de sortie.

Dans le CMA 3, les courants de base des transistors Q3 et Q4 sont ajoutés pour former le courant d'émetteur du transistor Q5. Si le béta du transistor Q5 est supérieur

à 1, la plus grande partie du courant d'émetteur du transis-

tor Q5 s'ajoute au courant de collecteur de Q4 pour former

le courant de sortie I4 du CMA 3. Tant qu'une partie suf fi-

samment faible du courant d'émetteur du transistor Q5, c'est-à-dire le courant de base de Q5, est ajoutée au courant de collecteur de Q3 pour former le courant d'entrée I3 du CMA 3, Ce courant de collecteur ne peut diminuer sensiblement tandis que le béta des transistors Q3 et Q4

diminue. Par conséquent, tandis que le béta des transis-

tors Q3 et Q4 diminue, la plus grande partie du courant accru de base qu'il faut pour faire fonctionner les transistors Q3 et Q4 s'ajoute au courant de sortie I4,

ainsi le gain du CMA 3 augmente.

Dans le CMA 4, les courants de base des transistors

Q8 et Q9 sont fournis par le courant d'émetteur du transis-

tor Q10. Si le béta du transistor Q10 est supérieur à 1, la plus grande partie du courant d'émetteur du transistor Q10 est appliquée de la source d'alimentation à la borne 24, par le collecteur de Q10. Tant qu'une partie suffisamment

faible du courant d'émetteur du transistor Q10, c'est-à-

dire le courant de base de Q10, est ajoutée au courant de collecteur de Q8 pour former le courant d'entrée I4 du

CMA 4, ce courant de collecteur ne peut diminuer sensible-

ment tandis que le béta des transistors Q8 et Q9 diminue.

Par conséquent, tandis que le béta des transistors Q8 et Q9 diminue, la plus grande partie du courant accru de base qu'il faut pour faire fontionner les transistors Q8 et Q9 est tirée de l'alimentation en courant par le collecteur de Q10 et est ajoutée au courant de sortie Io1

ainsi le gain du CMA 4 augmente.

En résumé, le gain du CMA 1 et du CMA 1' diminue tandis que le gain du CMA 3 et du CMA 4 augmente alors que les bétas respectifs des transistors les composant

diminuent. Par conséquent, le gain composé de l'amplifica-

teur de courant 9 a tendance à rester constant tandis que

le béta change.

Plus particulièrement,il faut noter que le CMA 1 et le CMA 3 se composent de transistors du type PNP, QI à Q4. Les facteurs qui affectent la valeur de béta d'un transistor du type PNP affectent de même le béta de tous les transistors du type PNP sur le même substrat. Ainsi, le changement du gain du CMA 3 par rapport au béta a tendance à compenser le changement du gain du CMA 1 par rapport au béta. De même, il faut noter que le CMA 4 et le

CMA 1' se composent de transistors Q6 à QIO du type NPN.

Les facteurs qui affectent le béta d'un transistor du type NPN affectent de façon semblable le béta de tous les transistors du type NPN sur le même substrat. Ainsi, le changement du gain du CMA 4 par rapport au béta a tendance à compenser le changement du gain du CMA 1' par

rapport au béta.

La figure 2 montre un amplificateur de courant 8 comprenant une connexion en cascade de deux amplificateurs

miroirs de courant non-inverseurs CMA 4 et CMA 5.

L'amplificateur CMA 4 est semblable au CMA 4 de la figure 1

et par conséquent il est identifié par les mêmes repères.

La source 12 de signaux d'entrée applique un courant d'entrée Il à la borne 10, à l'entrée du CMA 5. Le courant de sortie I5 du CMA 5 est appliqué à l'entrée du CMA 4 à la borne 28. La sortie du CMA 4 fournit un courant de sortie Io à la charge de sortie 22 à la borne 20. L'autre extrémité de la charge de sortie 22 est connectée à la

masse à la borne 26.

Le CMA 5 se compose de transistors Q12 et Q13 du type NPN. Le collecteur du transistor Q13 est relié à VCC à la borne 24. Les émetteurs des transistors Q12 et Q13 sont connectés à la borne 28. Le transistor Q12 est conditionné par une connexion directe de son collecteur à sa base pour recevoir le courant d'entrée Il. La tension VBE résultantedu transistor Q12 est imprimée à la jonction base-émetteur du transistor Q13. Comme cela est indiqué sur la figure 2, le -transistor Q13 est dimensionné pour être r fois plus grand que le transistor Q12. Comme les transistors Q12 et Q13 ont la même valeur de VBE, le courant de collecteur du transistor Q13 est égal à r fois

celui du transistor Q12.

Le courant de sortie I5 du CMA 5 est la somme des courants d'émetteur de Q12 et Q13. Par conséquent, en supposant que les courants de base des transis-tors Q12 et Q13 peuvent être négligés, le gain en courant nominal du CMA 5, I5/1l est égal à (r+l). Le fonctionnement du CMA 4 a déjà été décrit en se référant à la figure 1 et son gain en courant nominal est de (p+1). La connexion en cascade du CMA 5 et du CMA 4 a par conséquent un gain en courant nominal de (r+1) (p+1). Il faut noter que même si tous les transistors miroirs de courant Q8, Q9, Q12, Q13 ont la même dimension, l'amplificateur de courant 8 a un

gain nominal de 4.

Le gain en courant nominal Io/Il de l'amplificateur de courant 8 est sensiblement réalisé quand les bétas

respectifs des transistors Q8, Q9, Q12 et Q13 sont suffi-

samment importants pour que les courants correspondants de base puissent être négligés. Cependant, tandis que les bétas des transistors Q12 et Q13 diminuent, le gain en courant 15/Il du CMA 5 diminue. Par ailleurs, tandis que le béta des transistors Q8 et Q9 diminue, le gain en courant I. /I du CMA 4 augmente. Par conséquent, tandis que le béta des transistors composants respectifs diminue, le gain accru du CMA 4 a tendance à compenser le gain diminué du CMA 5, ainsi le gain composé îo/I0 de

l'amplificateur de courant 8 a tendance à rester constant.

La figure 3 montre un autre mode de réalisation d'un amplificateur de courant construit selon la présente invention. Le courant d'entrée Il est appliqué à la borne 10. La charge de sortie 22 est connectée à la borne 40 pour recevoir un courant de sortie I0. Tandis que les amplificateurs respectifs de courant des figures 1 et 2 nécessitent au moins un potentiel de 3 VBE aux bornes respectives d'alimentation, l'amplificateur de la figure 3 peut fonctionner avec une simple chute de tension de 1 VBE

entre son électrode desortie40 et la borne à la masse 26.

L'amplificateur de courant de la figure 3 se

compose de trois miroirs de courant en cascade 30, 32 et 34.

L'électrode de sortie du premier CfA 30 est connectée à l'entrée du second CMA 32 à la borne 36. La sortie du second CMA 32 est connectée à l'entrée du troisième CVIA 34

à la borne 38.

Les premier et second CMA, 30 et 32, sont

semblables au CMA 4 indiqué sur les figures 1 et 2.

Tandis que le béta des transistors composants respectifs diminue, les gains en courant respectifs %6/1i et I7/I6 des premier et second CMA, 30, 32 augmentent. Cependant, tandis que le béta des transistors composants respectifs diminue, le gain en courant Io/I7 du troisième CMA 34 diminue. Ainsi, les gains accrus des premier et second CMA , 32 ont tendance à compenser le gain diminué du troisième CMA 34, afin de stabiliser le gain composé I./Ii des trois CMA en cascade tandis que le béta des transistors

composants respectifs diminue.

La relation entre le béta et le gain du CIVA pour les divers CMA 1-5 des figures 1 à 3 est illustrée graphiquement sur la figure 4. L'axe vertical représente un gain en courant normalisé, qui est défini comme le gain réel divisé par le gain nominal. L'axe horizontal représente le béta représenté à une échelle logarithmique. Comme on peut le voir sur le graphique, le gain normalisé pour le CMI 1 et le CMA 5 a tendance à diminuer tandis que le béta diminue. Par exemple, le gain normalisé du- CMA 1 est très proche de 1,00 pour un béta de 400, mais il tombe à 0,75 à un béta de 6,25. Le gain normalisé pour le CMA 3 et le

CYM 4 a tendance à augmenter tandis que le béta diminue.

Par exemple, le gain normalisé du C0KA 3 est très proche de 1,00 à un béta de 400 mais il augmente à environ 0,22

à un béta de 6,25.

Pour toutes les courbes des CMA de la figure 4, le rapport de surface entre les transistors miroirs de courant est supposé être l'unité. Quand le rapport de surface est supérieur à l'unité, on peut s'attendre à un écart encore plus important par rapport au gain normalisé. La relation entre le béta-et le gain pour un amplificateur de courant comprenant une connexion en cascade de CMA 1 et CMA 3 est montrée par la courbe représentant le produit de CMA 1.CMA 3. Bien que le gain normalisé du CMA 1 chute d'environ 25% tandis que le gain normalisé du CMA 3 augmente d'environ 22%, le gain composé normalisé pour CMA 1.CMA 3 chute d ' environ 7% à un

béta de 6,25.

On notera que pour une connexion en cascade droite d'un CMA 1 et d'un CMA 3 (c'est-à-dire sans CMA inverseur intermédiaire), l'un ou l'autre peut être utilisé en mode direct.

La relation entre le béta et le gain de l'amplifi-

cateur pour un amplificateur de courant comprenant une connexion en cascade d'un CMA 4 et d'un CMA 5 est montrée

par la courbe représentant le produit de CMA 4.CMA 5.

Tandis que le gain normalisé du CAM 5 chute d'environ 13%, et que le gain normalisé du CMA 4 augmente d'environ 11%, à un béta de 6,25, le gain normalisé composé de la connexion en cascade du CMA 4 et du CMA 5 chute seulement

d'environ 2% à la même valeur pour le béta.

La relation entre le béta et le gain en courant normalisé pour le CMA 1', tandis qu'elle n'est pas spécialement représentée sur la figure 4, est semblable à celle pour le CMA 1. Il faut noter que la diminution à partir du gain normalisé pour le CMA 1 est supérieure à la diminution à partir du gain normalisé pour le CMA 4, à une valeur donnée du béta. Par conséquent, une connexion en cascade de deux CMA 4 et d'un CMA 1'(comme peut le voir sur la figure 3) est avantageuse. Cependant, un CMA 4 ayant un rapport de surface supérieur à l'unité peut produire une compensation appropriée quand il est mis en cascade avec un CMA 1t. Comme on le sait, le gain en courant d'un CMA peut également être sensiblement déterminé en insérant des résistances de contre-réaction d'émetteur, et en proportionnant la géométrie de telles résistances afin d'établir le rapport de ces résistances. D'autres combinaisons de CMA en cascade se

présenteront à ceux qui sont compétents en la matière.

Par exemple, le CMA 4 peut être monté en cascade avec le CMA 1 pour réduire la dépendance entre le gain de l'amplificateur de courant résultant et les variations

du béta.

Par ailleurs, d'autres configurations de CMA peuvent remplacer celles représentées. Dans le CMA 1, par exemple, la connexion directe collecteurbase pour le transistor QI peut être remplacée par un transistor supplémentaire ayant sa base connectée au collecteur du transistor Q1, son émetteur connecté à la base du transistor QI et son collecteur connecté à la masse par

la borne 26.

Claims

R E V E N D I C A T I 0 N S

1.- Amplificateur de courant ayant des bornes

d'entrée et de sortie et comprenant au moins deux amplifi-

cateurs miroirs de courant à transistors, caractérisés en ce qu'ils sont couplés en cascade entre lesdites bornes (10, 20), la sortie (14, 28) du premier étant couplée à l'entrée (16/28) du second, l'entrée du premier et la sortie du second étant couplées respectivement auxdites bornes d'entrée (10) et de sortie (20) et en ce que l'un desdits amplificateurs miroirs de courant (CMA 1 ou CMA 5) a des premier et second transistors qui le constituent

(Q1, Q2 ou Q12, Q13) qui sont interconnectés en amplifica-

teur miroir de courant ayant un gain qui a tendance à diminuer avec la diminution de la valeur du béta du transistor, tandis que l'autre (CMA 3 ou CM 4) a des troisième et quatrième transistors le constituant (Q3, Q4 ou Q8, Q9) qui sont interconnectés comme un amplificateur miroir de courant ayant un gain qui a tendance à augmenter

avec la diminution de la valeur de béta du transistor.

2.- Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amplificateur miroir de courant (CMA 3 ou CMA 4) précité comprenant les troisième et quatrième transistors précités comprend de plus: un moyen d'alimentation en courant de base (Q5 ou Q10) qui est relié aux collecteurs respectifs desdits troisième et quatrième transistors pour amener des courants aux bases desdits troisième et quatrième transistors, avec une plus grande partie desdits courants de base appliquée au collecteur dudit quatrième transistor (Q4 ou Q9) par rapport à la partie desits courants de base qui est appliquée au collecteur dudit troisième transistor (Q3 ou Q8), le collecteur dudit troisième transistor étant connecté à une électrode d'entrée (16 ou 28) dudit

amplificateur miroir de courant.

3.- Amplificateur selon la revendication 2, caractérisé en ce que le moyen d'alimentation en courant précité comprend: un cinquième transistor (Q5 ou Q10) dont l'émetteur est connecté aux bases des troisième et quatrième transis- tors (Q3, Q4 ou Q8, Q9) précités, dont la base est connectée au collecteur dudit troisième transistor et dont le collecteur est connecté au collecteur dudit

quatrième transistor.

4.- Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'amplificateur miroir de courant

(CMA 1) précité comprenant les premier et second transis-

tors (Q1, Q2) précités comprend de plus: une connexion entre les bases respectives desdits premier et second transistors; une connexion directe sans impédance sensible d'inversion entre le collecteur et la base dudit premier transistor (Q1); un moyen pour connecter les émetteurs respectifs desdits premier et second transistors à un premier potentiel d'alimentation en courant (Vcc); et un moyen connectant les collecteurs respectifs desdits premier et second transistor aux électrodes

respectives d'entrée et de sortie (10, 14) dudit amplifica-

teur miroir de courant (CMA 1).

5.- Amplificateur selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'amplificateur miroir de courant (CMA 3) précité comprenant les troisième et quatrième transistors (Q3, Q4) précités comprend des plus: un moyen pour collnnecter les émetteurs respectifs desdits troisième et quatrième transistors au premier potentiel d'alimentation (Vcc) précité; et un moyen connectant les collecteurs respectifs desdits troisime et quatrième transistors aux électrodes respectives d'entrée et de sortie (16, 18) dudit

amplificateur miroir de courant (CM 3).

6.- Amplificateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'amplificateur miroir de courant (CMA 5) précité comprenant les premier et second transistors (Q12, Q13) précités comprend de plus: une connexion entre les bases respectives desdits premier et second transistors; une connexion directe sans impédance intermédiaire sensible entre le collecteur et la base dudit premier transistor (Q12); un moyen pour connecter le collecteur dudit second transistor (Q13) au premier potentiel d'alimentation en courant (Vcc); un moyen reliant le collecteur dudit premier transistor (Q12) à une électrode d'entrée (10) dudit amplificateur miroir de courant (CMA 5); et un moyen reliant les émetteurs respectifs desdits premier et second transistors (Q10, Q12) à une électrode

de sortie (28) dudit amplificateur miroir de courant.

7.- Amplificateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'amplificateur miroir de courant (CMA 4) précité comprenant les troisième et quatrième transistors (Q8, Q9) précités comprend de plus: un moyen pour connecter le collecteur dudit

quatrième transistor (Q9) au premier potentiel d'alimenta-

tion en courant (Vcc); un moyen connectant le collecteur dudit troisième transistor (Q8) à une électrode d'entrée (28) dudit amplificateur de courant (CMA 4); et un moyen connectant les émetteurs respectifs desdits troisième et quatrième transistors (Q8, Q9) à une électrode de sortie (20) dudit amplificateur miroir de courant.

8.- Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend de plus, pour coupler les amplificateurs miroirs de courant (CMA 1, CMA 3) précités en cascade, un troisième amplificateur miroir de courant (CMA 1 ') qui comprend: des sixième et septième transistors (Q6, Q7); une connexion entre les bases respectives desdits sixième et septième transistors; une connexion directe sensiblement sans impédance intermédiaire entre le collecteur et la base dudit sixième transistor (Q6); un moyen pour connecter les émetteurs respectifs desdits sixième et septième transistors (Q6, Q7) à une seconde source d'alimentation en courant (26); et un moyen pour connecter respectivement les collecteurs desdits sixième et septième transistors à l'électrode de sortie (14) dudit premier amplificateur miroir de courant (CMA 1)E à l'électrode d'entrée (16)

dudit second amplificateur miroir de courant (aMA 3).

9.- Amplificateur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un quatrième amplificateur miroir de courant (CaA 4) ayant une électrode d'entrée (18) reliée à la sortie (18) dudit second amplificateur miroir de courant (OMA 3) et une électrode de sortie connectée à la borne de sortie (20), ledit quatrième amplificateur miroir de courant comprenant de plus: des huitième et neuvième transistors (Q8, Q9); une connexion entre les bases respectives desdits huitième et neuvième transistors; un moyen reliant le collecteur dudit huitième transistor (Q8) à l'électrode d'entrée (18) dudit quatrième amplificateur miroir de courant; et un dixième transistor (Q10) ayant une base connectée au collecteur dudit huitième transistor (Q8), un émetteur connecté aux bases desdits huitième et neuvième transistors (Q8, Q9) et un collecteur relié au collecteur

dudit neuvième transistor (Q9).

10.- Amplificateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que le quatrième amplificateur miroir de courant (CEA 4), comprend de plus un moyen pour relier le collecteur du neuvième transistor (Q9) précité au premier potentiel d'alimentation en courant (VC); et un moyen reliant les émetteurs desdits huitième et neuvième transistors (Q8, Q9) à l'électrode de sortie (20) du quatrième amplificateur miroir de courant précité.