FR2447115A1 - Amplificateur a transconductance a effet de champ - Google Patents

Amplificateur a transconductance a effet de champ

Info

Publication number
FR2447115A1
FR2447115A1 FR8001022A FR8001022A FR2447115A1 FR 2447115 A1 FR2447115 A1 FR 2447115A1 FR 8001022 A FR8001022 A FR 8001022A FR 8001022 A FR8001022 A FR 8001022A FR 2447115 A1 FR2447115 A1 FR 2447115A1
Authority
FR
France
Prior art keywords
connection
amplifier
drain
source
devices
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
FR8001022A
Other languages
English (en)
Other versions
FR2447115B1 (fr
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KNAPP RICHARD
Original Assignee
KNAPP RICHARD
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KNAPP RICHARD filed Critical KNAPP RICHARD
Publication of FR2447115A1 publication Critical patent/FR2447115A1/fr
Application granted granted Critical
Publication of FR2447115B1 publication Critical patent/FR2447115B1/fr
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03F—AMPLIFIERS
    • H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/04—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only
    • H03F3/16—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices
    • H03F3/165—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements with semiconductor devices only with field-effect devices with junction-FET's

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

L'invention concerne un amplificateur à dispositifs à effet de champ. Selon l'invention, il comprend des premier et second dispositifs à effet de champ 1 et 2 ayant chacun des connexions de source S, de drain D et de porte G, la connexion de porte du premier dispositif définissant l'entrée de l'amplificateur, sa connexion de drain étant reliée à la connexion de source du second dispositif et la connexion de drain du premier dispositif définissant la sortie de l'amplificateur; un moyen C1 met en court-circuit la connexion de porte du second dispositif vers sa source; un moyen de polarisation R1, R2 permet aux dispositifs de fonctionner dans une région où la vitesse des porteurs est partiellement limitée, pour que la dépendance de la conductance de sortie des dispositifs sur le courant du drain soit réduite pour s'approcher de celle de la transconductance. L'invention s'applique notamment à l'amplification.
FR8001022A 1979-01-18 1980-01-17 Amplificateur a transconductance a effet de champ Expired FR2447115B1 (fr)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/004,572 US4241316A (en) 1979-01-18 1979-01-18 Field effect transconductance amplifiers

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FR2447115A1 true FR2447115A1 (fr) 1980-08-14
FR2447115B1 FR2447115B1 (fr) 1986-11-28

Family

ID=21711439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FR8001022A Expired FR2447115B1 (fr) 1979-01-18 1980-01-17 Amplificateur a transconductance a effet de champ

Country Status (6)

Country Link
US (2) US4241316A (fr)
JP (1) JPS56500057A (fr)
DE (1) DE3028614A1 (fr)
FR (1) FR2447115B1 (fr)
GB (1) GB2059211B (fr)
WO (1) WO1980001527A1 (fr)

Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3036885A1 (de) * 1980-09-30 1982-05-13 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Transistor-schaltung
US4465980A (en) * 1982-09-23 1984-08-14 Rca Corporation Predistortion circuit for a power amplifier
FR2558659B1 (fr) * 1984-01-20 1986-04-25 Thomson Csf Circuit de polarisation d'un transistor a effet de champ
US4677391A (en) * 1984-11-23 1987-06-30 Microwave Technology, Inc. Series biasing scheme for field effect transistors
US4596959A (en) * 1984-11-23 1986-06-24 Microwave Technology, Inc. Series biasing scheme for field effect transistors
US4631493A (en) * 1985-03-18 1986-12-23 Eaton Corporation Circuit for DC biasing
US4875023A (en) * 1988-05-10 1989-10-17 Grumman Aerospace Corporation Variable attenuator having voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship
US4864162A (en) * 1988-05-10 1989-09-05 Grumman Aerospace Corporation Voltage variable FET resistor with chosen resistance-voltage relationship
US4918338A (en) * 1988-10-04 1990-04-17 North American Philips Corporation Drain-biassed transresistance device for continuous time filters
JP2960095B2 (ja) * 1990-02-27 1999-10-06 日本ヒューレット・パッカード株式会社 回路素子測定装置
US5065043A (en) * 1990-03-09 1991-11-12 Texas Instruments Incorporated Biasing circuits for field effect transistors using GaAs FETS
US6057972A (en) * 1995-11-03 2000-05-02 International Business Machines Corporation Current source for a magnetoresistive head with variability and selectable slew rate
US6300835B1 (en) * 1999-12-10 2001-10-09 Motorola, Inc. Power amplifier core
DE10001124C1 (de) * 2000-01-13 2001-06-07 Infineon Technologies Ag Schaltungsanordnung und ein Verfahren zur Reduktion des 1/f-Rauschens von MOSFETs
US6804502B2 (en) 2001-10-10 2004-10-12 Peregrine Semiconductor Corporation Switch circuit and method of switching radio frequency signals
US6642578B1 (en) * 2002-07-22 2003-11-04 Anadigics, Inc. Linearity radio frequency switch with low control voltage
EP1424771A1 (fr) * 2002-11-28 2004-06-02 STMicroelectronics S.r.l. Amplificateur cascode de puissance utilisé notamment dans le cadre des applications à radiofréquence
JP2004205301A (ja) * 2002-12-25 2004-07-22 Nec Corp 評価装置及びそれに用いる回路設計方法
US7248120B2 (en) * 2004-06-23 2007-07-24 Peregrine Semiconductor Corporation Stacked transistor method and apparatus
EP3570374B1 (fr) 2004-06-23 2022-04-20 pSemi Corporation Extrémité avant rf intégrée
US9653601B2 (en) 2005-07-11 2017-05-16 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFETs using an accumulated charge sink-harmonic wrinkle reduction
US7910993B2 (en) 2005-07-11 2011-03-22 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus for use in improving linearity of MOSFET's using an accumulated charge sink
US7890891B2 (en) 2005-07-11 2011-02-15 Peregrine Semiconductor Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
US20080076371A1 (en) 2005-07-11 2008-03-27 Alexander Dribinsky Circuit and method for controlling charge injection in radio frequency switches
USRE48965E1 (en) 2005-07-11 2022-03-08 Psemi Corporation Method and apparatus improving gate oxide reliability by controlling accumulated charge
WO2007016045A1 (fr) * 2005-07-27 2007-02-08 Analog Devices, Inc. Structure de transistor distribuee pour diviseur de puissance de teledistribution actif a linearite elevee
DE102006028093B4 (de) * 2006-06-19 2014-07-03 Austriamicrosystems Ag Verstärkeranordnung und Verfahren zum Verstärken eines Signals
US7960772B2 (en) 2007-04-26 2011-06-14 Peregrine Semiconductor Corporation Tuning capacitance to enhance FET stack voltage withstand
EP3346611B1 (fr) 2008-02-28 2021-09-22 pSemi Corporation Procédé et appareil destinés au réglage numérique d'un condensateur dans un dispositif à circuit intégré
US8007727B2 (en) 2008-05-30 2011-08-30 Intel Corporation Virtual semiconductor nanowire, and methods of using same
EP2329594A4 (fr) * 2008-09-11 2014-02-19 Thomas Rogoff Audio Pty Ltd Circuit d'amplificateur cascode à faible distorsion
US7911280B2 (en) * 2009-07-13 2011-03-22 Sony Ericsson Mobile Communications Ab Amplifier stage
FR2950208B1 (fr) * 2009-09-17 2011-10-14 St Microelectronics Grenoble 2 Etage de sortie d'un amplificateur classe a
US8786368B2 (en) 2011-03-09 2014-07-22 Hittite Microwave Corporation Distributed amplifier with improved stabilization
DE102011083912B4 (de) * 2011-09-30 2017-10-19 Intel Deutschland Gmbh Schaltung und leistungsverstärker
US9088248B2 (en) 2012-05-16 2015-07-21 Intel Mobile Communications GmbH Amplifier and mobile communication device
JP6136165B2 (ja) * 2012-09-28 2017-05-31 住友電気工業株式会社 電子回路
US20150236798A1 (en) 2013-03-14 2015-08-20 Peregrine Semiconductor Corporation Methods for Increasing RF Throughput Via Usage of Tunable Filters
CN104518740A (zh) * 2013-09-29 2015-04-15 Lsi公司 电压跟随器放大器
EP2878927B1 (fr) * 2013-11-29 2016-10-26 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Circuit de détection destiné à mesurer une quantité physique
US10474852B2 (en) 2014-10-31 2019-11-12 Teslonix Inc. Charging long-range radio frequency identification tags
US10256678B2 (en) 2014-10-31 2019-04-09 Teslonix Inc. Wireless energy transfer using alignment of electromagnetic waves
US10530190B2 (en) 2014-10-31 2020-01-07 Teslonix Inc. Wireless energy transfer in a multipath environment
US10439444B2 (en) * 2014-10-31 2019-10-08 Teslonix Inc. Wireless energy transfer using alignment of electromagnetic waves
US9985588B2 (en) * 2015-11-10 2018-05-29 Skyworks Solutions, Inc. Distortion correction in cascode power amplifiers
US11201595B2 (en) 2015-11-24 2021-12-14 Skyworks Solutions, Inc. Cascode power amplifier with switchable output matching network
CN112087205B (zh) * 2016-07-28 2024-03-01 华为技术有限公司 用于mmic hemt放大器的补偿器器件
US10250199B2 (en) * 2016-09-16 2019-04-02 Psemi Corporation Cascode amplifier bias circuits
CA3082882A1 (fr) * 2016-11-23 2018-05-31 Circuit Seed, Llc Amplificateurs de capteur a faible bruit et amplificateurs de trans-impedance utilisant une paire complementaire de dispositifs de transistors a effet de champ a injection de courant
US9960737B1 (en) 2017-03-06 2018-05-01 Psemi Corporation Stacked PA power control
US10461705B2 (en) 2017-03-27 2019-10-29 Skyworks Solutions, Inc. Apparatus and methods for oscillation suppression of cascode power amplifiers
US9948252B1 (en) * 2017-04-06 2018-04-17 Psemi Corporation Device stack with novel gate capacitor topology
US10796112B2 (en) 2018-05-28 2020-10-06 Teslonix Inc. Protocol layer coordination of wireless energy transfer systems
US10862429B2 (en) * 2019-01-09 2020-12-08 Silanna Asia Pte Ltd Apparatus for optimized turn-off of a cascode amplifier
JP2021082960A (ja) * 2019-11-20 2021-05-27 株式会社村田製作所 電力増幅回路
CN115378372B (zh) * 2022-10-24 2023-04-07 成都嘉纳海威科技有限责任公司 一种低功耗线性化放大器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3286189A (en) * 1964-01-20 1966-11-15 Ithaco High gain field-effect transistor-loaded amplifier
FR1559290A (fr) * 1967-03-09 1969-03-07
US3449683A (en) * 1967-04-26 1969-06-10 Us Navy Operational thin film amplifier
US3723892A (en) * 1972-03-22 1973-03-27 Julie Res Labor Inc Circuit using dynamic high impedance load

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS436496Y1 (fr) * 1965-10-27 1968-03-23
US3462701A (en) * 1967-01-26 1969-08-19 Honeywell Inc Biasing circuit for use with field-effect transistors
US3449686A (en) * 1967-05-29 1969-06-10 Us Navy Variable gain amplifier
JPS54152845A (en) * 1978-05-24 1979-12-01 Hitachi Ltd High dielectric strength mosfet circuit
DE2823662A1 (de) * 1978-05-30 1979-12-06 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur arbeitspunktstabilisierung eines verstaerker-feldeffekttransistors

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3286189A (en) * 1964-01-20 1966-11-15 Ithaco High gain field-effect transistor-loaded amplifier
FR1559290A (fr) * 1967-03-09 1969-03-07
US3449683A (en) * 1967-04-26 1969-06-10 Us Navy Operational thin film amplifier
US3723892A (en) * 1972-03-22 1973-03-27 Julie Res Labor Inc Circuit using dynamic high impedance load

Also Published As

Publication number Publication date
DE3028614A1 (en) 1981-02-26
GB2059211A (en) 1981-04-15
GB2059211B (en) 1983-04-20
JPS56500057A (fr) 1981-01-16
US4496909A (en) 1985-01-29
WO1980001527A1 (fr) 1980-07-24
US4241316A (en) 1980-12-23
FR2447115B1 (fr) 1986-11-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2447115A1 (fr) Amplificateur a transconductance a effet de champ
FR2386903A1 (fr) Transistor a effet de champ sur support a grande bande interdite
FR2451663A1 (fr) Amplificateur a gain regle et diode pin a y utiliser
FR2422447A1 (fr) Dispositif d'application de liquide sur des nappes souples
FR2355398A1 (fr) Amplificateur hyperfrequence
ATE192895T1 (de) Hörgerät
FR2397553A1 (fr) Dispositif d'assemblage et procede d'assemblage
FR2384389A1 (fr) Modulation de polarisation du substrat pour ameliorer le rendement de circuits mosfet
FR2441290A1 (fr) Convertisseur statique d'energie electrique a semi-conducteurs
FR2357073A1 (fr) Detecteur de champ magnetique a effet hall
FR2448806A1 (fr) Convertisseur tension-courant pour charge inductive
FR2442460A1 (fr) Dispositif de modulation optique
FR3090121B1 (fr) Capteur de courant à conducteur de courant intégré
FR2442505A1 (fr) Groupeur-degroupeur de faisceau d'ions a intervalles dissymetriques et fonctionnant dans une large gamme de vitesse
FR2415816A1 (fr) Modulateur magnetique rendant differentiellement le bruit du noyau magnetique
SE7506778L (sv) Stromkretsanordning for metning av effektivverdet av en elektrisk signal.
FR2375724A1 (fr) Perfectionnement a un dispositif semi-conducteur
FR2425767A1 (fr) Amplificateur a gain regle en courant continu
JPH04148536A (ja) 転送電荷増幅装置
FR2366742A1 (fr) Methode et appareil pour la reduction du bruit dans les amplificateurs a champs croises
FR2418468A1 (fr) Transducteur de courant, notamment pour la mesure de l'intensite du courant circulant dans une barre de distribution
FR2365913A1 (fr) Amplificateur video comportant un etage de sortie suiveur de tension couple en courant alternatif
FR2372545A1 (fr) Amplificateur a transistor a effet de champ
DE68916678D1 (de) Bestimmung von Arachidonsäure-Derivaten und Ausrüstungen dafür.
FR2376516A1 (fr) Dispositif pour coupler des transistors, operant suivant la technique i2l, a un transistor dont le courant de repos est regle sur une forte intensite

Legal Events

Date Code Title Description
ST Notification of lapse