FI87859C - Dynamisk frekvensdelare med blandare och foerstaerkare - Google Patents

Dynamisk frekvensdelare med blandare och foerstaerkare Download PDF

Info

Publication number
FI87859C
FI87859C FI861079A FI861079A FI87859C FI 87859 C FI87859 C FI 87859C FI 861079 A FI861079 A FI 861079A FI 861079 A FI861079 A FI 861079A FI 87859 C FI87859 C FI 87859C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
amplifier
frequency divider
frequency
output
impedance
Prior art date
Application number
FI861079A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI87859B (fi
FI861079A (fi
FI861079A0 (fi
Inventor
Hans-Martin Rein
Original Assignee
Telefunken Electronic Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefunken Electronic Gmbh filed Critical Telefunken Electronic Gmbh
Publication of FI861079A0 publication Critical patent/FI861079A0/fi
Publication of FI861079A publication Critical patent/FI861079A/fi
Publication of FI87859B publication Critical patent/FI87859B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI87859C publication Critical patent/FI87859C/fi

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • H03F3/45089Non-folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B21/00Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies
    • H03B21/01Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies by beating unmodulated signals of different frequencies
    • H03B21/02Generation of oscillations by combining unmodulated signals of different frequencies by beating unmodulated signals of different frequencies by plural beating, i.e. for frequency synthesis ; Beating in combination with multiplication or division of frequency
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45311Indexing scheme relating to differential amplifiers the common gate stage of a cascode dif amp being implemented by multiple transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45318Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a cross coupling circuit, e.g. two extra transistors cross coupled
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45652Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one or more further dif amp stages, either identical to the dif amp or not, in cascade
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45696Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising more than two resistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45702Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising two resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)

Description

1 87859
Sekoittajalla ja vahvistimella varustettu dynaaminen taajuus jakaja
Suurten taajuuksien jakamiseksi käytetään nykyisin staattisien jakajien ohella niin sanottuja dynaamisia taajuusjakajia. Dynaaminen taajuusjakaja on kuvattu esimerkiksi aikakausjulkaisussa "Philips technische Rundschau" 38, n:o 2, 1979, sivut 47-62, erityisesti sivu 59. Tässä dynaamisessa taajuusjakajassa on sekoitusaste, joka toimii signaalien sekoittajana, joiden signaalien taajuudet eroavat toisistaan kertoimen 2 verran. Sekoittimen lähtösignaali vahvistetaan vahvistimella, joka vahvistaa vain lähtösignaalin perustaajuuden. Tämä saavutetaan vahvistimella, jolla on alipäästövaikutus, tai vahvistimella ja sen jälkeen kytketyllä alipäästösuodattimella. Pe-rustaajuinen vahvistettu signaali kytketään takaisin sekoi-tusasteeseen siten, että muodostuu suljettu piiri.
Keksinnöllä on tehtävänään saada aikaan edellä kuvatun perus-luonnoksen mukainen monoliittisesti integroitavissa oleva dynaaminen taajuusjakaja, joka on muodostettu siten, että maksi-mikäyttötaajuus (fmax) on mahdollisimman suuri ja sallittu kaista on mahdollisimman laaja (fmax/fmin suuri) ja että lisäksi koko kaistalla (fmin s f < fmax) stabiili käyttö on mahdollista. Nämä edellytykset täyttyvät erityisen hyvin, kun koko taajuusjakajan (sekoitin + vahvistin) silmukkavahvistuk-: “ sen taajuusriippuvuus vastaa suunnilleen ideaalisen vahvisti- men taajuusriippuvuutta, jonka vahvistimen jälkeen on kytketty suuren rajataajuuden omaava ideaalinen alipäästösuodatin.
Keksinnön perustana oleva tehtävä ratkaistaan dynaamisella taajuusjakajalla, jossa on sekoitusaste sekä tämän jälkeen kytketty vahvistin, jonka lähtö on takaisinkytketty sekoitus-... asteen sisääntuloon, jolloin keksinnölle on tunnusomaista se, että sekoitusaste on transistoroitu sekoitusaste, että vahvis-tin on siirtoimpedanssivahvistin tai käyttäytyy tällaisen tavoin, ja että vahvistin on toteutettu siten, että se mahdollisimman pitkälle tasoittaa sekoitusasteen vahvistuksen putoamista korkeille taajuuksille asti.
2 37859
Siirtoimpedanssivahvistimella on tunnetusti pieni lähtöimpe-danssi ja pieni tuloimpedanssi suuriin taajuuksiin saakka lähtö-jännitteen ja tulovirran suhteesta määritellyn siirtofunktion suurella kaistanleveydellä.
Tulo- ja lähtöimpedanssien pienet arvot huolehtivat suuresta mak-simikäyttötaajuudesta loiskapasitanssien nopeasta uudelleen varautumisesta johtuen. Vahvistuksen suureneminen suurilla taajuuksilla kompensoi vahvistuksen pienenemisen jäljellä olevassa kytkennässä (mm. sekoittimessa), minkä johdosta maksimi-käyttötaajuus edelleen kohoaa. Lisäksi saavutetaan täten vahvistuksen jyrkän pienenemisen myötä koko kytkennän taajuusriippuvuus, joka on hyvin lähellä ideaalisen alipäästösuodattimen taajuus-riippuvuutta .
Haluttu vahvistimen taajuusriippuvuus saavutetaan parhaiten siten, että vahvistimen 1 ähtöimpedanssin induktiivinen komponentti muodostaa yhdessä lähdössä vaikuttavan kapasitiivisen kuormituskomponentin kanssa eräänlaisen resonanssivaikutuksen. Sellainen resonanssivaikutus voi ilmetä vahvistuneena, kun kuormi tusimpedanssi lla tai vahvistimen lähtöimpedanssi1la on suurilla taajuuksilla negatiivinen reaaliosa.
··. Lähtöimpedanssin induktiivinen komponentti voidaan muodostaa yksinkertaisella tavalla mitoittamalla (esim. vastakytkentävas-tuksen yli) siirtoimpedanssiaste sopivasti ja/tai jälkeen kytkettyjen emitteriseuraajien avulla. Viimeksi mainitut voivat tietyissä olosuhteissa myös huolehtia negatiivisesta reaaliosasta suurilla taajuuksilla. Sekoittimen sisääntulon impedanssi huolehtii halutusta kuormituksen kapasitiivisesta komponentis-: ta. Jos sekoittimen eteen kytketään emitteriseuraajia, vahvis- tuu tällöin haluttu kuormituksen kapasitiivinen komponentti ja samanaikaisesti muodostuu halutulla tavalla suurilla taajuuk- ·; silla negatiivinen reaaliosa. Taajuusvasteen parantamiseksi siirtoimpedanssiasteen lähdön ja sekoitusasteen tulon väliin kytketyt emitteriseuraajät erottavat myös vahvistimen lähdön ja sekoittimen tulon ja kohottavat siten edelleen maksimi- 3 87359 käyttötaajuutta. Niitä tarvitaan edelleen monoliittisesti integroiduissa piireissä (tasavirtäkytkentä ) tasosiirroksiin.
Myös differentiaalivahvistimen käyttö on monoliittisesti integroiduissa piireissä olevan tasavirtakytkennän vuoksi tarkoituksenmukaista.
Keksintöä valaistaan seuraavassa suoritusesimerkin avulla.
Kuvio 1 esittää keksinnön mukaisen dynaamisen taajuusjakajan pe-riaatekytkentää. Kuvion 1 mukaan muodostuu taajuusjakaja vuoro-vaihesekoittimesta 1, jossa on ensimmäinen tulo 2 ja toinen tulo 3, sekä vahvistimesta 4. Vahvistin 4 on siirtoimpedanssi-vahvistin. Siirtoimpedanssivahvistin on vahvistin, jossa lähtö-tyhjäkäyntijännitteen ja tulovirran suhteen määrää olennaisesti vahvistimen tulon ja lähdön välissä oleva vastus ja jolla on lisäksi pieni tulo- ja lähtöimpedanssi. Yksinkertaisen emitteri-kytkentäisen transistoriasteen tapauksessa on tämä vastus vah-vistintransistorin kannan ja kollektorin välissä. Siirtoimpe-danssivahvistimen 4 lähtö on takaisinkytketty vuorovaihesekoitti-men 1 toiseen tuloon 3. Takaisinkytkennällä muodostuu suljettu piiri tai suljettu silmukka.
Jos vuorovaihesekoittimen 1 ensimmäiseen tuloon 2 tuodaan signaali, jonka taajuus on 2f, ja sen toiseen tuloon 3 signaali, jonka taajuus on f, niin syntyy sekoittimen 1 lähdössä sekoitus-tuotteita, joilla on taajuudet f (perusharmooniset), 3f jne. (yliaallot). Jos sekoittimen 1 lähtösignaalia, jolla on taajuudet f, 3f jne., vahvistetaan vahvistimella 4, jolla on ali-päästövaikutus ja joka vahvistaa sekoittimen 1 lähtösignaalis-ta vain taajuuden f omaavan signaaliosan, niin vahvistimen 4 lähtöön jää jäljelle vain signaali, jolla on tarkoituksellisesti jaettu taajuus f, joka kytketään takaisin sekoittimen 1 toiseen tuloon 3. Sekoitusta tai jakamista varten tarvittavaa perustaa-; juuden f omaavaa signaalia, joka täytyy syöttää sekoittimeen 1 taajuuden 2f ohella, ei tarvitse kuvion 1 mukaisessa dynaamisessa - taajuusjakajassa tuottaa erillisesti, vaan se syntyy suljetussa piirissä sekoitustuotteena.
4 87859
Kuvio 2 esittää kuvion 1 mukaista kytkentää yksityiskohtaisesti. Taajuusjakajan sekoitin muodostuu transistoreista Tl,
Tl', T2, T2', T3, T31 ja virtalähteestä II. Transistorit Tl ja Tl' muodostavat differentiaalivahvistimen. Transistorit T2 ja T3 on kuten transistorit T21 ja T31 kytketty keskenään emit-teripuoleisesti. Transistorin Tl kollektori on yhdistetty transistorien T2 ja T3 yhteiseen emitterijohtoon ja transistorin Tl' kollektori transistorien T2' ja T3' yhteiseen emitteri-johtoon. Tämän lisäksi muodostuu yhteys toisaalta transistorien T2 ja T3' kollektorien välille ja toisaalta transistorien T2' ja T3 kollektorien välille. Transistorin T2 kanta on yhdistetty transistorin T2' kantaan ja transistorin T3 kanta on yhdistetty transistorin T3’ kantaan.
Siirtoimpedanssivahvistin on kuvion 2 suoritusesimerkissä differentiaalivahvistin. Kuvion 2 mukaisesti muodostuu vahvistin transistoreista T4 ja T4', virtalähteestä 12 ja vastuksista Rl ja R2. Kuvion 2 mukaan on vastus Rl kytketty transistorin T4 kannan ja kollektorin väliin ja vastus R2 transistorin T4' kannan ja kollektorin väliin. Vastuksilla Rl ja R2 on pääasiassa samat arvot. Transistorien T4 ja T4' kollektorit on yhdis-• tetty kulloinkin vastuksen (R3, R4) yli vertailujännitteeseen.
Transistorien T4 ja T4' yhteisen emitterijohdon kautta syötetään virtalähteestä 12 virtaa siirtoimpedanssivahvistimeen.
Tämä virta on suurempi kuin se virta, jonka virtalähde II syöttää sekoittimeen.
Taajuusvasteen optimoimiseksi, erottamiseksi ja tasosiirroksen aikaansaamiseksi on kytkentään sovitettu kaksi emitteriseuraa-jaa (Darlington-astetta), joista toinen käsittää transistorit T5 ja T6 ja toinen transistorit T51 ja T61. Näiden transisto-rien emitteritulojohdoissa on emitterietuvastukset, joita ei kuviossa 2 ole esitetty.
‘ Sekoittimen tulo muodostuu liitäntäpisteistä I ja I'. Tähän ’ tuloon johdetaan signaali, jolla on taajuus 2f. Pisteet Q ja 5 87859 Q' muodostavat taajuusjakajan sisäisen lähdön, josta saadaan taajuuden f omaava signaali.
Kuvion 2 taajuusjakaja toimii seuraavasti. Sekoittimen tuloon (I, I') tuodaan signaali, jolla on jaettava taajuus 2f. Sekoittimen läpi kulkee sisäänsyötetty virta II. Taajuuden 2f omaavan signaalin sekoittamisella signaalin kanssa, jolla on taajuus f, joka signaali tuodaan toisaalta transistoreille T2 ja T2' ja toisaalta transistoreille T3 ja T3', muodostuu sekoittimen lähdössä (kollektorei1la T2, T31 tai kollektoreilla T3, T2') sekoitustuotteita, joilla on taajuudet f (perusharmoo-niset), 3f jne. (yliaallot).
Jos sekoittimen lähtösignaalia (sekoitustuotteita) vahvistetaan alipäästövaikutuksen omaavalla vahvistimella, jolla on kuten kuvion 2 mukaisella vahvistimella ominaisuus, että se vahvistaa lähtösignaalista vain sen osuuden, jolla on taajuus f, vaimentaa sitävastoin muut osuudet (3f jne.), jolloin sekoittimen lähtöön jää vain signaali, jolla on haluttu taajuus f. Tämä signaali kytketään takaisinkytkentäpiirin kautta, joka muodostuu transistoreista T5, T6 ja T5', T6' koostuvista emitteriseuraa-. jista, takaisin sekoittimen transistoreille T3, T3 ' tai T2, T2'. Taajuudenjakotapahtuman alkuvaiheessa saadaan tarpeellinen taajuus f erilleen esim. kohinasta.
Keksinnön mukainen taajuusjakaja ja siten myös kuvion 2 mukainen taajuusjakaja voi jakaa hyvin suuria taajuuksia, koska sen vahvistin on keksinnön mukaisesti niin sanottu siirtoimpedans-sivahvistin, joka muodostuu transistoreista T4 ja T41 ja jossa : transistorien T4 ja T41 kollektorien ja kantojen väliin on kyt- ketty kulloinkin vastus (Rl, R2) . Vahvistin toimii virralla 12, jonka tulee olla suurempi kuin sekoitusvirta II.
Suoritusesimerkki osoittaa, kuinka vähäisillä rakenneosakus-tannuksilla voidaan toteuttaa sellainen siirtoimpedanssivahvis-• · ’ tin, jossa on erotusaste, ja kuinka yksinkertaisesti se voidaan integroida monoliittisesti. Edelleen on korostettava vähäistä tehonkulutusta.
6 87859
Keksinnölle on olennaista, että taajuusjakajan vahvistimella on vastakytkennän (Rl, R2) johdosta pieni tulo- ja lähtöimpedans-si suurella siirtofunktion kaistanleveydellä ja että vastakyt-kentä johtaa lisäksi lähtöimpedanssin induktiiviseen komponenttiin. Liitetyn emitteriseuraajän avulla induktiivinen komponentti vahvistuu ja joissakin tpaauksissa tuottaa jopa negatiivisen reaaliosan. Tämä lähtöimpedanssi huolehtii kuormitusimpedanssin läsnäollessa, jolla kuormitusimpedanssil-la on kapasitiivinen komponentti ja joissakin tapauksissa negatiivinen reaaliosa, (joka keksinnön mukaisessa taajuusjakajassa toteutetaan esimerkiksi emitteriseuraajien tai Darlington-asteiden avulla) siitä, että kuvion 3 mukaisesti vahvistimen vahvistus suurenee suurilla taajuuksilla pienentyen tämän jälkeen jyrkästi.
Vahvistuksen suurenemiseen liittyy keksinnön mukaisessa taajuus-jakajassa kuvion 3 mukaisesti voimakas vahvistuksen pieneneminen, joka toivotulla tavalla huolehtii koko taajuusjakajan erittäin hyvästä alipäästövaikutuksesta ei-toivottujen taajuuksien (harmooniset 3f jne.) suodattamiseksi.
: Halutut vahvistinominaisuudet saavutetaan keksinnön mukaisessa taajuusjakajassa käyttämällä siirtoimpedanssivahvistinta normaa-• Iin vahvistimen paikalla. Siirtoimpedanssivahvistin eroaa - ,...· yksinkertaisimmassa muodossaan - yksinkertaisesta normaalista vahvistimesta siinä, että vahvistintransistorin (T4, T41) kannan ja kollektorin väliin on kytketty ohminen vastus (Rl, R2), joka aikaansaa vastakytkennän. Tämä vastus on mitoitettava siten, että silmukkavahvistus ja kaistanleveys ovat riittävän suuria ja että vahvistuskäyrässä ilmenee kuvion 3 mukaisesti suurilla taajuuksilla nousu ja siihen liittyvä jyrkkä pie-:* neneminen.

Claims (7)

  1. 7 87859
  2. 1. Dynaaminen taajuusjakaja, jossa on sekoitusaste (1) sekä tämän jälkeen kytketty vahvistin (4), jonka lähtö on takaisinkytketty sekoitusasteen sisääntuloon (3), tunnettu siitä, että sekoitusaste (1) on transistoroitu sekoitusaste, että vahvistin (4) on slirtoimpedanssivahvistin (T4, T4', 12, Rl, R2) tai käyttäytyy tällaisen tavoin, ja että vahvistin on toteutettu siten, että se mahdollisimman pitkälle tasoittaa sekoitusasteen vahvistuksen putoamista korkeille taajuuksille asti.
  3. 2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen taajuusjakaja, tunnettu siitä, että vahvistimen (4) lähdössä on emitteriseuraajia (T5, T5', T6, T6') tai Darlington-asteita, jotka optimoivat taajuusvastetta, muuttavat impedanssia ja aikaansaavat tasosiirrosta.
  4. 3. Patenttivaatimuksen 1 tai 2 mukainen taajuusjakaja, tunnettu siitä, että vahvistin (4) on muodostettu siten, että sillä on pieni lähtöimpedanssi ja pieni tuloimpedanssi sekä suuri siirtofunktion kaistanleveys.
  5. 4. Jonkin patenttivaatimuksista 1-3 mukainen taajuusjakaja, tunnettu siitä, että vahvistin (4) on muodostettu siten, että vahvistimen vahvistus suurenee suurilla taajuuksilla ja laskee tämän jälkeen jyrkästi. • 5. Jonkin patenttivaatimuksista 1-4 mukainen taajuusjakaja, ·...· tunnettu siitä, että vahvistimen (4) lähtöimpedanssilla on induktiiviset komponentit.
  6. 6. Jonkin patenttivaatimuksista 1-5 mukainen taajuusjakaja, tunnettu siitä, että vahvistimen (4) lähdössä on kuormitus, ____: jolla on kapasitiivinen komponentti ja/tai negatiivinen reaa- ... liosa.
  7. 7. Jonkin patenttivaatimuksista 1-6 mukainen taajuusjakaja, tunnettu siitä, että vahvistin (4) on differentiaalivahvistin. β 87859
FI861079A 1985-03-15 1986-03-14 Dynamisk frekvensdelare med blandare och foerstaerkare FI87859C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3509327 1985-03-15
DE19853509327 DE3509327A1 (de) 1985-03-15 1985-03-15 Dynamischer frequenzteiler mit mischstufe und verstaerker

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI861079A0 FI861079A0 (fi) 1986-03-14
FI861079A FI861079A (fi) 1986-09-16
FI87859B FI87859B (fi) 1992-11-13
FI87859C true FI87859C (fi) 1993-02-25

Family

ID=6265305

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI861079A FI87859C (fi) 1985-03-15 1986-03-14 Dynamisk frekvensdelare med blandare och foerstaerkare

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4695940A (fi)
EP (1) EP0195299B1 (fi)
JP (1) JPH0682983B2 (fi)
DE (1) DE3509327A1 (fi)
FI (1) FI87859C (fi)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63290408A (ja) * 1987-05-22 1988-11-28 Fujitsu Ltd 高速可変分周器
FR2641426B1 (fr) * 1988-12-30 1991-03-15 Labo Electronique Physique Dispositif semiconducteur integre incluant un diviseur de frequences pour applications hyperfrequences
JPH03506110A (ja) * 1989-05-01 1991-12-26 モトローラ・インコーポレイテッド ガリウムヒ素スイッチング・ミキサ
JPH0767050B2 (ja) * 1989-10-11 1995-07-19 株式会社東芝 周波数変換回路
JPH07503586A (ja) * 1992-02-03 1995-04-13 モトローラ・インコーポレイテッド 直線性を改善した平衡ミキサ回路
US5448772A (en) * 1994-08-29 1995-09-05 Motorola, Inc. Stacked double balanced mixer circuit
US5805988A (en) * 1995-12-22 1998-09-08 Microtune, Inc. System and method for switching an RF signal between mixers
US6594478B1 (en) * 2000-11-03 2003-07-15 Motorola, Inc. Self oscillating mixer
US6922556B2 (en) * 2002-08-30 2005-07-26 Microtune (Texas), L.P. System and method for establishing a bias current using a feedback loop
DE10342569A1 (de) * 2003-09-15 2005-04-14 Infineon Technologies Ag Frequenzteiler
EP1863170B1 (en) * 2006-05-30 2009-04-08 Infineon Technologies AG Dynamic frequency divider by N
US8140039B2 (en) * 2007-09-10 2012-03-20 The Hong Kong University Of Science And Technology Quadrature-input quadrature-output divider and phase locked loop frequency synthesizer or single side band mixer
JP5126171B2 (ja) * 2009-07-08 2013-01-23 株式会社デンソー アナログ分周器
US9197158B2 (en) 2012-04-20 2015-11-24 Freescale Semiconductor, Inc. Dynamic frequency divider circuit

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3305730A (en) * 1963-04-18 1967-02-21 Parzen Benjamin Frequency divider circuit
GB1111571A (en) * 1965-05-05 1968-05-01 North American Aviation Inc Differential current amplifier
JPS584851B2 (ja) * 1975-10-27 1983-01-28 ソニー株式会社 シユウハスウヘンカンキ
DE2720614C3 (de) * 1977-05-07 1984-06-20 Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn Breitbandverstärker für Fotodioden
JPS5441611A (en) * 1977-09-09 1979-04-03 Hitachi Ltd Integrated circuit for frequency conversion
NL7712314A (nl) * 1977-11-09 1979-05-11 Philips Nv Schakeling voor frequentiedeling.
JPS5474618A (en) * 1977-11-28 1979-06-14 Toshiba Corp Frequency conversion circuit
US4325144A (en) * 1980-09-22 1982-04-13 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Hysteretic SIS junction mixer

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0682983B2 (ja) 1994-10-19
FI87859B (fi) 1992-11-13
EP0195299A3 (en) 1987-03-11
DE3509327A1 (de) 1986-09-25
DE3509327C2 (fi) 1987-12-10
FI861079A (fi) 1986-09-16
US4695940A (en) 1987-09-22
EP0195299B1 (de) 1990-12-05
EP0195299A2 (de) 1986-09-24
JPS61214604A (ja) 1986-09-24
FI861079A0 (fi) 1986-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI87859C (fi) Dynamisk frekvensdelare med blandare och foerstaerkare
EP2308168B1 (en) Frequency multiplier
Sakul et al. New resistorless current-mode quadrature oscillators using 2 CCCDTAs and grounded capacitors
JPH08242125A (ja) 増幅器回路
US6304142B1 (en) Variable transconductance amplifier
KR20010106456A (ko) 반도체 회로
US4642482A (en) Level-shifting circuit
Budyakov et al. Design of bipolar differential opamps with unity gain bandwidth up to 23 GHz
US4560955A (en) Monolithic integrated transistor HF crystal oscillator circuit
US5233311A (en) Differential amplifier and oscillator mixer comprising said amplifier
US7002396B2 (en) Frequency converter
US4250462A (en) Common base connected transistor and bias network
US4829265A (en) Operational amplifier
FI74367C (fi) Foerstaerkningsreglerad foerstaerkare med variabel emitterdegeneration.
US3414831A (en) Cascaded connected transistorized operational amplifier
JPH11346125A (ja) Srpp回路
US5691670A (en) Integrated microwave-silicon component
EP0689283A1 (en) Tunable oscillator arrangement
NL8001269A (nl) Omschakelbare, over een brede band van frequenties werkzame versterker.
GB2364190A (en) Low noise rf amplifier with good input impedance matching using two tranconductance stages and feedback
KR910002102A (ko) 고주파수에서 일정이득과 확정된 입력 임피던스를 갖는 광대역증폭기
JP4221131B2 (ja) 可変利得増幅回路
JP2003283269A (ja) 差動増幅回路
KR20010017641A (ko) 저 전압용 발룬 회로
JPS5914817Y2 (ja) 安定化電源回路

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: TELEFUNKEN ELECTRONIC GMBH