FI80155C - Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar. - Google Patents

Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar. Download PDF

Info

Publication number
FI80155C
FI80155C FI850719A FI850719A FI80155C FI 80155 C FI80155 C FI 80155C FI 850719 A FI850719 A FI 850719A FI 850719 A FI850719 A FI 850719A FI 80155 C FI80155 C FI 80155C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
acid
coating
radiation
compound
weight
Prior art date
Application number
FI850719A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI850719A0 (fi
FI80155B (fi
FI850719L (fi
Inventor
Walter Herwig
Kurt Erbes
Arnold Schneller
Original Assignee
Hoechst Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6228854&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=FI80155(C) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Hoechst Ag filed Critical Hoechst Ag
Publication of FI850719A0 publication Critical patent/FI850719A0/fi
Publication of FI850719L publication Critical patent/FI850719L/fi
Publication of FI80155B publication Critical patent/FI80155B/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI80155C publication Critical patent/FI80155C/fi

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/04—Chromates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/016—Diazonium salts or compounds
    • G03F7/021—Macromolecular diazonium compounds; Macromolecular additives, e.g. binders
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106—Binder containing
    • Y10S430/111—Polymer of unsaturated acid or ester

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Polymerisation Methods In General (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Golf Clubs (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Prostheses (AREA)
  • Steroid Compounds (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
  • Silver Salt Photography Or Processing Solution Therefor (AREA)

Description

1 80155 Säteilyherkkä seos, joka pohjautuu hapolla pilkkoutuviin yhdisteisiin
Keksintö koskee säteilyherkkää seosta, jonka olen-5 naiset aineosat ovat a) veteen liukenematon, emäksisiin vesiliuoksiin liukoinen polymeerinen sideaine, b) aktiinisen säteilyn vaikutuksesta vahvan hapon muodostava yhdiste ja 10 c) yhdiste, joka sisältää vähintään yhden hapolla pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen ja joka sopii painolevyjen ja valoresistien valmistukseen.
Tunnetaan mainitut aineosat sisältäviä positiivisesti toimivia valoherkkiä seoksia, ts. seoksia, joissa ko-15 piointipinnoitteen valotetut kohdat liukenevat.
Nämä seokset sisältävät emäkseen liukenevina sideaineina enimmäkseen fenoli-formaldehydikondensaatiotuottei-ta, erityisesti novolakkoja. Muista mahdollisista emäkseen liukenevista sideaineista mainittakoon maleiinihappoanhyd-20 ridin ja styreenin, vinyy1iasetaatin ja krotonihapon tai metyylimetakrylaatin ja metakryylihapon muodostamat seka-polyrceraatit tai kloorietikkahapolla modifioidut novolakat esim. DE-C:ssä 2 718 254. Nämä sekapolymeraatit eivät ilmeisesti ole suosittuja. Siksi käytännöllisesti katsoen 25 kaikki kauppatuotteet sisältävät novolakkoja. Määrätyissä käytöissä sideaineina käytettyihin novolakkoihin liittyy haittoja.
Novolakkahartsien kemiallisen rakenteen ja niiden synteesissä määräytyvän pienen molekyylipainon vuoksi nämä 30 pinnoitteet ovat suhteellisen hauraita, joten pinnoite vaurioituu usein työstön aikana, esim. valotettaessa kosketuksessa maskin kanssa tai laminoitaessa kuivaresistinä pohjamateriaalin pinnalle. Erityisen voimakkaasti tällainen vaurioituminen ilmenee käytettäessä kuivaresistimateriaa-35 leissa suosittuja paksuja pinnoitteita.
2 80155 EP-A:ssa O 042 562 kuvataan vastaavaa valoherkkää seosta, joka pinnoitteen taipuisuuden lisäämiseksi ja muiden ominaisuuksien parantamiseksi sisältää emäkseen liukenevan sideaineen lisäksi toistakin polymeeriä, esim. poly-5 uretaania, polyvinyylialkyylieetteriä, polyalkyyliakrylaat-tia tai hydrattua hartsijohdannaista. Mutta lisäämällä näitä hartseja, jotka liukenevat eri tavoin kuin novolakat, huononnetaan toisaalta muita ominaisuuksia kuten kuvamal-lineiden kehitettävyyttä ja hapon- tai emäksen kestävyyttä. 10 Tunnetaan muitakin positiivisesti toimivia valoherk kiä seoksia, jotka sisältävät o-kinonidiatsideja ja novo-lakkoja. Nämäkin seokset, joita käytetään suuressa mittakaavassa laakapainolevyjen valmistuksessa, muodostavat suhteellisen hauraita pinnoitteita. Näihinkin valoherkkiin 15 systeemeihin on lisätty muita emäkseen liukenevia yhdisteitä määrättyjen ominaisuuksien parantamiseksi. Niinpä DE-C:ssä 2 322 230 kuvataan erilaisten valoherkkien yhdisteiden, esim. o-naftokinonidiatsidien, ja polyvinyylifenolien muodostamaa yhdistelmää. Näin saatujen painolevyjen painos-20 määrä ja syöpymisenkestävyys on parantunut. Patentin selityksessä mainitaan, että pinnoitteeseen - kuten novolakkaa sisältäviin pinnoitteisiinkin - voidaan lisätä pehmittei-tä. Tähän saakka näilläkään materiaaleilla ei ole ollut mitään käyttöä.
25 Verrattuna seoksiin, jotka sisältävät alussa mainit tuja hapolla pilkkoutuvia yhdisteitä, o-kinonidiatsideja valoherkkinä yhdisteinä sisältävien seosten haittana on selvästi pienempi valon herkkyys. Erityisesti tämä ilmenee käytössä, jossa paksuhko pinnoite on tarpeen, esim. kuiva-30 resistimenetelmässä.
Keksinnän tehtävänä on tarjota alussa kuvatunlaisia säteily- tai valoherkkiä seoksia, jotka voidaan kehittää emäksisillä vesiliuoksilla ja jotka muodostavat valoherkkiä pinnoitteita, joiden taipuisuus tunnettuihin seoksiin ver-35 rattuna on parantunut.
li 3 80155
Keksinnön kohteena on säteilyherkkä seos, jonka aineosat ovat a) veteen liukenematon, emäksisiin vesiliuoksiin liukoinen polymeerinen sideaine, 5 b) aktiinisen säteilyn vaikutuksesta vahvan hapon muodostava yhdiste ja c) yhdiste, joka sisältää vähintään yhden hapolla pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen, ja jonka liukoisuus nestemäiseen kehitteeseen paranee hapon vaikutuksesta.
10 Keksinnönmukainen seos tunnetaan siitä, että side aine on alkenyylifenoliyksikköjä sisältävä polymeraatti.
Suositeltavia ovat polymeraatit, joiden sisältämät yksiköt ovat yleistä kaavaa I
15 R R1 [ - CH - C - ] (0Η)χ R4 jossa R on vetyatomi, syanidi-, alkyyli- tai fenyyliryhmä, R on vety- tai halogeeniatomi, syanidi- tai alkyyliryh-25 mä, R2, R3 ja R4 ovat vety- tai halogeeniatomeja, alkyyli-tai alkoksiryhmiä ja x on luku 1 - 3.
R on mieluiten vetyatomi tai 1-4 hiiliatomia sisältävä alkyyliryhmä, erityisesti metyylirvhmä. R^ on samoin mieluiten vetyatomi. Jos se on alkyyliryhmä, se voi yleen-30 sä sisältää 1-4 ja mieluiten 1-2 hiiliatomia ja erityisesti se on metyyliryhmä.
2 3 4
Substituenteista R , R ja R on mieluiten vähintään yksi vetyatomi ja erityisen suositeltavasti vähintään kaksi niistä ovat vetyatomeja. Kun nämä symbolit tarkoitta-35 vat alkyyli- tai alkoksiryhmiä, niissä on mieluiten 1-6 ja 4 80155 erityisesti 1-3 hiiliatomia. X on mieluiten pienempi kuin 3 ja erityisesti 1.
Kun x on 1/ voi hydroksyyliryhmä olla valinnaisesti o-, m- tai p-asemassa ja disubstituutiossa (x = 2) ja 5 trisubstituutiossa (x = 3) tulevat samoin kysymykseen kaikki mahdolliset yhdistelmät, mieluiten m- ja p-asema.
2 3 4 Tähteiden R , R ja R asemiin ei liity mitään rajoituksia; niiden asemat riippuvat hydroksiryhmien asemasta.
10 Tässä yhteydessä tarkoitetaan alkyyliryhmillä yleen sä haarautuneita ja suoria, tyydyttyneitä ja tyydyttymättö-miä, syklisiä tai avoketjuja sisältäviä ryhmiä, jotka voivat olla substituoituja halogeeniatomeilla tai hydroksiryh-millä tai sisältää eetteri- tai ketoryhmiä. Suositeltavia 15 ovat suorat, 1-3 hiiliatomia sisältävät hiilivetytähteet.
Kaavan I yksikköjä sisältävät polymeerit voivat olla suurpolymeerejä, jotka sisältävät pelkästään kaavan I rakenneyksikköjä, tai sekapolymeraatteja, jotka muodostuvat kaavan I monomeereistä ja yhdestä tai useammasta 20 muusta vinyylimonomeeristä.
Homopolymeerinen tai sekapolymeerien valinta riippuu kulloisessakin tapauksessa aiotusta käytöstä ja ko-piointipinnoitteen muiden komponenttien laadusta. Niinpä esim. sideaineen hydrofiilisyys on halutulla tavalla sää-25 dettävissä hydrofobisten sekamonomeerien määrän avulla ja siten sovitettavissa muiden komponenttien mukaan. Lisäksi voidaan substituenttien aromaattisuuden valinnalla ja ennen kaikkea sekamonomeerien valinnalla vaikuttaa pehmiä-mislämpötilaan.
30 Homo- tai sekapolymeerien molekyylipaino voi vaih della laajoissa rajoissa. Suositeltavia ovat polymeraatit, joissa Mn=1000-200 000, erityisesti sellaiset, joissa M^= 5000-100 000. Hydroksyyliluku on yleensä alueella 100 - n. 450, erityisesti 200 - 350.
35 Polymeerit voidaan valmistaa massapolymeroimalla,
II
5 80155 emulsio- tai liuospolymeroimalla vastaavat monomeerit kationisten initiaattorien kuten booritrifluoridieteraatin läsnäollessa. Lisäksi nämä monomeerit voidaan radikaali-polymeroida kuumentamalla, sädettämällä tai initiaatto-5 reillä kuten atsobisisovoihapponitriilillä. Tällaisia prosesseja on kuvattu J. Polym. Sei. A1, 7, 2175-2184 ja 2405-2410 (1969).
Vastaavat alkenyylifenolit voidaan valmistaa esim. dekarboksyloimalla hydroksikanelihappoja, jotka vuorostaan 10 saadaan substituoiduista tai substituoimattomista hydrok- sibentsaldehydeistä ja malonihaposta. Valinnaisesti substi-tuoidun bisfenoli A:n emäksisessä pilkkomisessa saadaan lisäksi substituoidun o<-C-atomin sisältäviä alkenyylifeno-leja. Lisäksi on mahdollista dehydratoida vastaavia subs-15 tituoituja hydroksialkyylifenoleja. Valmistusmenetelmiä kuvataan lähteissä Journal of Organic Chemistry, voi. 23, s. 544-549 (1958) ja Journal of Polymer Science, Polymer Chemistry Edition, voi. 12, s. 2017-2020 (1974).
Alkenyyli- tai vinyylifenoleihin liittyviä suosi-20 teltavia sekamonomeerejä ovat yhdisteet, jotka ovat yleistä kaavaa R7 R5
I I
CH = C
is R6 5 jossa R on vety- tai halogeeniatomi tai alkyyliryhmä, R6 on alkyyli-, alkoksi-, alkyylioksikarbonyyli-, asyyli-, 30 asyylioksi-, aryyli-, formyyli-, syanidi-, karboksyyli-, 7 hydroksi- tai aminokarbonyyliryhmä ja R on vetyatomi tai karboksyyliryhmä, joka muodostaa R6.-n kanssa, kun tämä on karboksyyliryhmä, happoanhydridin.
5 6
Kun P. tai R on alkyyliryhmiä, niissä on yleensä 35 1-4 hiiliatomia; ryhminä R^ tulevat kysymykseen 1-8 hiili- 6 80155 atomia sisältävät alkoksiryhmät, 2-13 hiiliatomia sisältävät alkyylioksikarbonyyliryhmät, 2-9 hiiliatomia sisältävät asyyliryhmät ja 2-5 hiiliatomia sisältävät asyyli-oksiryhmät. Aminokarbonyyliryhmät voivat olla substituoimat-5 tornia tai substituoituja yhdellä tai kahdella 1-8 hiili- atomia sisältävällä alkyyliryhmällä. Alkyyliryhmät merkitsevät kuten yllä.
Tällaisten yhdisteiden esimerkkejä ovat styreeni-, <x-klooristyreeni, «*-metyylistyreeni, 2-, 3- tai 4-kloori-10 metyylistyreeni, 4-bromistyreeni, metyylivinyylieetteri, etyylivinyylieetteri, propyylivinyylieetteri, butyylivi-nyylieetteri, akryylinitriili, akroleiini, akryylihappo, metakryylihappo, näiden happojen metyyli-, etyyli-, pro-pyyli-, butyyli-, pentyyli-, heksyyli-, hydroksietyyli-15 ja 2-etyyliheksyyliesterit, metakryyliamidi, akryyliamidi, vinyyliasetaatti, vinyyli-isobutyyliketoni ja maleiini-happoanhydridi.
Sekapolymeerien esimerkkejä ovat (p-, m-, o-)-vinyylifenoli/styreenisekapolymeerit, 20 (p-, m-, o-)-vinyylifenoli/alkyylimetakrylaattisekapoly- meerit, (p-, m-, o-)-vinyylifenoli/alkyyliakrylaattisekapolymeerit, (P-/ m-, o—)-isopropenyylifenoli/styreenisekapolymeerit, (p-, m-, o-)-isopropenyylifenoli/alkyylimetakrylaattiseka-25 polymeerit, (p-, m-, o-)-isopropenyylifenoli/maleiinihappoanhydridise-kapolymeerit, isoeugenoli/maleiinihappoanhydridisekapolymeeri.
Alkenyylifenoliyksikköjen pitoisuus sekapolymeereis-30 sä riippuu seoksen muista komponenteista ja polymeerien käytöstä. Keksinnön mukaisessa seoksessa käytetään yleensä polymeerejä, jotka sisältävät 20-100 mooli-%, mieluiten 40-90 mooli-% alkenyylifenoliyksikköjä.
Keksinnönmukaisten seosten valmistamiseksi kuvattu 35 sideaine yhdistetään yhdisteisiin, jotka sisältävät vähin- (i 7 80155 tään yhden hapolla pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen, ja aineisiin, jotka valotettaessa tai suurenergisen säteilyn vaikutuksesta muodostavat happoja.
Hapolla pilkkoutuvista yhdisteistä mainittakoon 5 ensisijaisesti a) yhdisteet, joissa on vähintään yksi ortokarbok-syylihappoesteri- ja/tai karboksyylihappoamidiasetaali-ryhmittymä, jolloin yhdisteillä on polymeerinenkin luonne ja mainitut ryhmittymät voivat olla pääketjuun liittyneinä 10 rakenneosina tai sivuketjusubstituentteina, b) oligomeeri- tai polymeeriyhdisteet, joiden pää-ketjussa on toistuvia asetaali- ja/tai ketaaliryhmittymiä, ja c) yhdisteet, joissa on vähintään yksi enolieetteri- 15 tai N-asyyli-iminokarbonaattiryhmittymä.
Säteilyherkkien seosten komponentteina käytettäviä tyyppiä a) olevia, hapolla pilkkoutuvia yhdisteitä on yksityiskohtaisesti kuvattu EP-A:ssa 0 022 571; seoksia, jotka sisältävät tyyppiä b) olevia yhdisteitä, on kuvattu 20 DE-C:ssä 23 06 248 ja DE-C:ssä 27 18 254; tyyppiä c) olevia yhdisteitä on kuvattu EP-A:ssa 0 006 626 ja 0 006 627.
Sideaineen ja pilkkoutuvan yhdisteen laatu ja määrä voivat vaihdella käyttötarkoituksesta riippuen. Suositeltava on sideaineen osuus 30-90 paino-%, erityisen suositel-25 tavasti 55-85 paino-%. Pilkkoutuvan yhdisteen osuus voi vaihdella alueella 5-70 paino-%, suositeltavasti alueella 5-40 paino-%.
Näiden lisäksi voidaan käyttää lukuisia muitakin oligomeerejä ja polymeerejä kuten novolakkatyyppisiä feno-30 lihartseja tai vinyylipolymeraatteja kuten polyvinyyliase-taaleja, polymetakrylaatteja, polyakrylaatteja, polyvinyy-lieettereitä ja polyvinyylipyrrolidoneja, jotka puolestaan voivat olla modifioituja sekamonomeereillä.
Näiden lisäaineiden edullinen osuus riippuu käyttö-35 teknisistä vaatimuksista ja vaikutuksesta kehitystapahtumaan 8 80155 ja yleensä se on enintään 40 % alkenyylifenolipolymeraa-tista. Erikoisvaatimuksista kuten taipuisuudesta, tarttumisesta, kiillosta jne. riippuen voi valonherkkä pinnoite sisältää pieniä määriä muitakin aineita kuten polyglykole-5 ja, selluloosaeettereitä, esim. etyyliselluloosaa, kosteus-aineita, juoksutusaineita, väriaineita ja hienojakoisia pigmenttejä.
Sopivia säteilyherkkiä komponentteja, jotka sätei-lytettäessä muodostavat tai joista pilkkoutuu olennaises-10 ti vahvoja happoja, ovat monet tunnetut yhdisteet ja seokset kuten diatsonium-, fosfonium-, sulfonium- ja jodonium-suolat, halogeeniyhdisteet, o-kinonidiatsidisulfokloridit ja organometalli-organohalogeenivhdistelmät.
Mainittuja diatsonium-, fosfonium-, sulfonium- ja 15 jodoniumyhdisteitä käytetään yleensä orgaanisiin liuottimiin liukoisten suolojensa muodossa, useimmiten kompleksi-happojen kuten boorifluorivetyhapon, heksafluorifosfori-, heksafluoriantimoni- ja -arseenihapon kanssa muodostuvana saostumatuotteena.
20 Halogeenipitoisina, säteilyherkkinä ja halogeeni- vetyhappoa muodostavina yhdisteinä ovat periaatteessa käyttökelpoisia myös kaikki valokemiallisina radikaalin-muodostuksen käynnistäjinä tunnetut orgaaniset halogeeni-yhdisteet, esim. sellaiset, joissa on enemmän kuin yksi 25 halogeeniatomi liittyneenä hiiliatomiin tai aromaattiseen renkaaseen. Esimerkkejä on kuvattu US-A:ssa 3 515 552, 3 536 489 ja 3 779 778, DE-C:ssä 26 10 842 ja DE-A:ssa 22 42 621, 27 18 259 ja 33 37 024. Näistä yhdisteistä suositeltavia ovat s-triatsiinijohdannaiset, joissa on 30 kaksi halogeenimetyyliryhmää, erityisesti trikloorimetyy- liryhm.ää, ja triatsiiniytimessä yksi aromaattinen tai tyydyttämätön substituentti, ja jotka on kuvattu DE-A:ssa 27 18 259 ja 33 37 024. Lisäksi näiden halogeenipitoisten yhdisteiden vaikutusta voidaan spektraalisti muuttaa ja 35 parantaa tunnetuilla herkisteillä.
li 9 80155
Sopivien käynnistäjien esimerkkejä ovat 4-(di-n-propyyliamino)bentseenidiatsoniuntetrafluoriboraatti, 4-p-tolyylimerkapto-2,5-dietoksibentseenidiatsoniurhek-safluorifosfaatti ja -tetrafluoriboraatti, difenyyliamiini-5 4-diatsoniumsulfaatti, 4-metyyli-6-trikloorimetyyli-2-pyro- ni, 4-(3,4,5-trimetoksistyryyli)-6-trikloorimetyyli-2-pyroni, 4-(4-metoksistyryyli)-6-(3,3,3-triklooripropenyv-li)-2-pyroni, 2-trikloorimetyylibentsimidatsoli, 2-tri-bromimetyylikinoliini, 2,4-dimetyyli-1-tribromiasetyyli-10 bentseeni, 3-nitro-1-tribromiasetyylibentseeni, 4-dibromi- asetyylibentsoehappo, 1,4-bisdibromimetyylibentseeni, trisdibromimetyyli-s-triatsiini, 2-(6-metoksinaft-2-yyli)-, 2-(naft-1-yyli)-, 2-(naft-2-yyli)-, 2-(4-etoksietyylinaft-1-yyli)-, 2-(bentsopyran-3-yyli)-, 2-(4-metoksiantras-1-15 yyli)-, 2-(4-styrvyli-fenyyli)-, 2-(fenantr-9-yyli)-4,6- bistrikloorimetyyli-s-triatsiini sekä esimerkeissä mainitut yhdisteet.
Kemiallisesta luonteestaan ja seoksen koostumuksesta riippuen voi käynnistäjienkin määrä vaihdella suuresti.
20 Edullisia tuloksia saavutetaan käyttämällä n. 0,1 - 10 paino-% kiintoaineiden kokonaismäärästä laskettuna; suositeltava määrä on 0,2 - 5 %. Kopiointipinnoitteissa, joiden paksuus on yli 10 Jim, on suositeltavaa käyttää suhteellisen vähän haponmuodostajaa.
25 Lopuksi voidaan valoherkkään seokseen lisätä liu koisia tai myös hienojakoisia, dispergoituvia väriaineita sekä käyttötarkoituksesta riippuen myös UV-absorptioaineita. Erityisen sopiviksi väriaineiksi ovat osoittautuneet trife-nyylimetaaniväriaineet, erityisesti karbinoliemästensä muo-30 dossa. Komponenttien edullisimmat määräsuhteet saadaan yksittäistapauksissa helposti selville esikokein.
Valoherkkien seosten sopivia pinnoitepohjia ovat kaikki tavanomaiset kopiointitekniikassa käytetyt materiaalit. Esimerkkeinä mainittakoon muovikalvot, kuparilla 35 päällystetyt eristelevvt, mekaanisesti tai sähkökemiani- 10 801 55 sesti karheutettu ja valinnaisesti anodoitu alumiini, puu, keraaminen aines, lasi ja pii, joiden pinta on mahdollisesti muutettu kemiallisesti piinitridiksi tai piidioksidiksi.
Yli 10 jam. paksujen pinnoitteiden suositeltavia poh-5 jamateriaaleja ovat muovikalvot, jotka sitten voivat toimia siirtopinnoitteiden tilapäisinä pohjamateriaaleina. Tähän tarkoitukseen ja värikalvoihin ovat esim. polyeteeniterefta-laatista valmistetut poivesterikalvot suositeltavia. Sopivia ovat myös polyolefiinikalvot kuten polypropeeni. Alle 10 n. 10 Jim paksujen pinnoitteiden pinnoitepohjana käytetään enimmäkseen metallia. Offsetpainolevyissä voidaan käyttää mekaanisesti tai kemiallisesti karheutettua ja valinnaisesti anodoitua alumiinia, joka lisäksi voi olla esikäsitelty kemiallisesti esim. polyvinyylifosfonihapolla, silikaateil-15 la tai fosfaateilla.
Lopuksi voi pinnoittaminen tapahtua suoraan tai siirtämällä pinnoite tilapäiseltä pinnoitepohjalta piiri-levymateriaalille, joka muodostuu toispuolisesti tai molemminpuolisesti kuparoidusta eristelevystä, lasi- tai kera-20 miikkamateriaalille, joka valinnaisesti on esikäsitelty tarttuvaksi, sekä piilevyille. Lisäksi voidaan pinnoittaa puuta, tekstiilejä ja monien työkalujen pinnat, joihin edullisesti voidaan siirtää kuvia projisoimalla ja jotka kestävät emäksisten kehitteiden vaikutusta.
25 Pinnoittamisen jälkeisessä kuivauksessa voidaan käyttää tavanomaisia laitteita ja olosuhteita. Lämpötila n. 100°C ja lyhytaikaisesti 120°C:seen saakka ei vaikuta haitallisesti säteilyherkkyyteen.
Valotus voidaan suorittaa tavanomaisilla valonläh-30 teillä kuten loisteputkilampuilla, ksenonimpulssilampuilla, metallihalogenidien pieniä määriä sisältävillä elohopea-höyrysuurpainelampuilla ja hiilikaarilampuilla.
Tässä selityksessä tarkoitetaan säteilyllä aktiinis-ta, sähkömagneettista säteilyä, jonka aallonpitoisuusalue 35 on alle n. 500 nm. Kaikki tällä aallonpituusalueella emittoivat säteilylähteet ovat periaatteessa sopivia.
Il 11 80155
Erityisen edullista on käyttää lasersäteilylaittei-ta ja erityisesti automaattisia työstölaitteistoja, joissa säteilynlähteenä on argonionilaser.
Voidaan myös säteilyttää elektronisäteillä. Tällöin 5 voidaan liuotusreaktion initiaattoreina myös käyttää yhdisteitä, jotka eivät tavanomaisessa mielessä muodosta valon-herkkää happoa, esim. halogenoituja aromaattisia yhdisteitä tai halogenoituja polymeerisiä hiilivetyjä. Kuvan synnyttämisessä voidaan myös käyttää röntgensäteitä.
10 Kuvan saamiseksi valotettu tai säteilytetty pinnoite voidaan poistaa tunnettuun tapaan käytännöllisesti katsoen samoilla kehitteillä kuin kaupalliset naftokinonidiatsidi-pinnoitteet ja kopiointilakat tai uusien materiaalien ko-piointikyky voidaan edullisesti säätää tunnettujen apuai-15 neiden kuten kehitteiden ja ohjelmiotujen ruiskukehitys- laitteiden mukaan. Kehitevesiliuokset voivat sisältää esim. alkalifosfaatteja, -silikaatteja tai -hydroksideja ja lisäksi kostutusaineita sekä valinnaisesti pienehköjä määriä orgaanisia liuottimia. Määrätyissä tapauksissa voidaan ke-20 hitteenä myös käyttää liuotin-vesiseoksia. Edullisin kehite voidaan valita kulloisellakin pinnoitteella suoritettujen kokeiden nojalla. Tarvittaessa voidaan kehitystä tukea mekaanisesti.
Käytettäessä painolevyinä voidaan kehitettyjä levyjä 25 lämmittää lyhyehkön ajan kohotetussa lämpötilassa kestävyyden parantamiseksi painamisen aikana sekä kestävyyden parantamiseksi pesuaineita, korjausainfeita ja UV-valossa kovettuvia painovärejä vastaan, kuten diatsopinnoitteilla GB-A:ssa 1 154 749.
30 Keksinnön mukaisesti tarjotaan myös menetelmä koho kuvien valmistamiseksi, jolloin kuvan saamiseksi valoherkkää painatusmateriaalia, joka muodostuu pinnoitepohjasta ja painatuspinnoitteesta,joka vuorostaan muodostuu alussa määritellystä säteilyherkästä seoksesta, säteilytetään ak-35 tiinisilla säteillä sellaisena annoksena, että pinnoitteen 12 801 55 liukoisuus emäksiseen kehitevesiliuokseen paranee, ja että pinnoitteen säteilytetyt kohdat voidaan poistaa emäksisellä kehitevesiliuoksella. Menetelmä tunnetaan siitä, että painatuspinnoite sisältää sideaineena vinyylifenoliyksikkö-5 pitoista polymeraattia.
Keksintö mahdollistaa erinomaisen taipuisuuden omaa-via positiivipinnoitteita, joiden etuja ovat työstettäessä kuivakalvona pohjamateriaalille hyvä tarttuvuus myös paksuhkona pinnoitteena eli n. 20 - 100 yum ja tämän lisäksi 10 se, että pinnoitteessa ei esiinny minkäänlaisia naarmuja tai murtumia. Varsinkaan leikattaessa ei esiinny repeilyä.
Seuraavassa on esimerkkejä keksinnönmukaisen menetelmän toteuttamisesta tai keksinnönmukaisen seoksen valmistuksesta ja käytöstä.
15 Jollei muuta ilmoiteta, ovat esimerkeissä esitetyt prosentit ja määrät painon mukaan.
Esimerkki 1
Offsetpainolevyn valmistamiseksi valmistettiin seu-raava pinnoitusliuos: 20 4 paino-osaa p-hydroksistyreenin ja butyylimetakrylaatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 260, RSV-arvo 0,35 dl/g dimetyyliformamidissa) 1,2 paino-osaa trietyleeniglykolista ja butyraldehydistä valmistettua polyasetaalia 25 0,05 paino-osaa 2-(4-etoksinaft-1-yyli)-4,6-bistrikloori- metyyli-s-triatsiinia 0,01 paino-osaa kideviolettiemästä 94,7 paino-osaa metyylietyyliketonia Tällä pinnoitusliuoksella pinnoitettiin harjatusta 30 alumiinista valmistettuja levyjä. Pinnoitteen paksuus oli kuivaamisen jälkeen 1,0 - 1,5 ^Lim.
Levyjä valotettiin viisi sekuntia 5 kW metallihalo-genidilampun alla ja 10 minuutin odotusajan jälkeen levyt kehitettiin seuraavalla liuoksella: li 13 801 55 5/3 paino-osaa natriumetasilikaatti x Sijoita 3/4 paino-osaa trinatriumfosfaatti x ^^Oita 0,3 paino-osaa natriumdivetyfosfaattia (vedetön) 91/0 paino-osaa vettä 5 Kehittäminen poistaa kopiointipinnoitteen valotetut kohdat ja valottamattomat kuvakohdat jäävät jäljelle pin-noitepohjalle. Näin valmistettu painolevy mahdollistaa suuren painosmäärän.
Esimerkki 2 10 Positiivikuivaresistin valmistamiseksi liuotettiin 40 paino-osaa 4-hydroksi-3-metoksistyreenin ja heksyylimeta-krylaatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 246, RSV-arvo 0,36 dl/g dimetyyliformamidissa) 11,7 paino-osaa trietyleeniglykolista ja butyraldehydistä 15 valmistettua polyasetaalia 0,5 paino-osaa 2-(4-etoksinaft-1-yyli)-4,6-bistrikloorime-tyyli-s-triatsiinia ja 0,1 paino-osaa kideviolettiemästä 50 paino-osaan etanolia ja 60 paino-osaan metyylietyyli-20 ketonia.
Tämä liuos levitettiin linkoamalla 26 yum paksulle, kaksisuuntaisesti venytetylle ja kuumakiinnitetylle poly-eteenitereftalaattikalvolle ja jälkikuivattiin sitten 10 minuuttia 100°C:ssa. Pinnoitteen paksuudeksi tuli 25 yum.
25 Kalvon suojaamiseksi pölyltä ja naarmuilta sille siveltiin vielä polyeteenisuojakalvo.
Tämä kuivaresistikalvo on erittäin taipuisa. Pohja-kalvolla olevaa filmiä voidaan helposti taivuttaa pinnoitteen säröilemättä tai repeilemättä.
30 Piirilevyjen valmistamiseksi tämä kuivaresistifilmi laminoitiin suojakalvon poistamisen jälkeen kaupallisessa laminaattorissa puhdistetulle, esilämmitetylle pohjalle, joka muodostui 35 jam paksulla kuparikerroksella toispuoli-sesti tai molemminpuolisesti pinnoitetusta eristemateriaa-35 lista. Pohjakalvon poistamisen ja jälkikuivaamisen jälkeen ,4 801 55 valotettiin originaalin alla 5 kW metallihalogenidilampul-la (etäisyys 110 cm) n. 50 sekuntia ja kymmenen minuutin odotusajan jälkeen kehitettiin yksi minuutti esimerkissä 1 kuvatussa kehitteessä. Muodostuneen resistimallineen gal-5 vaaninen kestävyys oli erinomainen, erityisesti kuparilla ja Pb/Sn-lejeeringillä galvanopäällystämisen jälkeen.
Näin käsiteltyjä levyjä voidaan myöhemmin valottaa ja kehittää uudelleen. Paljastuneen kuparin syövyttämisen jälkeen saatiin kuparilla johdotettu piirilevy.
10 Esimerkki 3
Esimerkki 2 toistettiin siten, että 4-hydroksi-3-metoksistyreenin ja heksametakrylaatin muodostaman seka-polymeerin asemasta käytettiin sekapolymeeriä, joka muodostui 4-hydroksistyreenistä ja 2-etyyliheksyylimetakrylaatis-15 ta, OH-luku 280 ja RSV-arvo 0,478 dl/g dimetyyliformamidissa.
Tässäkin tapauksessa saatiin positiivisesti toimiva kuivaresisti, jonka taipuisuus ja tarttuminen kuparipoh-jalle olivat erinomaisia.
Esimerkki 4 20 Pinnoitusliuos, jossa oli 8,0 paino-osaa 4-isopropenyylifenolin ja metyylimetakry- laatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 310, RSV-arvo 0,189 dl/g dimetyyliformamidissa) 0,8 paino-osaa polymeeristä ortoesteriä, valmistettu kon- 25 densoimalla ortomuurahaishappotrimetyyliesteri ja 4-oksa-6,6-bishydroksimetyylioktan-1-oli 0,03 paino-osaa 2-(4-styryylifenyyli)-4,6-bistrikloori- metyyli-s-triatsiinia ja 0,01 paino-osaa kideviolettiemästä 30 180 paino-osassa metyylietyyliketonia levitettiin metallilankaharjalla karheutetulle alumiinipohjalle ja kuivattiin. Saadun valoherkän pinnoit- 2 teen pinnoitepaino oli n. 1,5 g/m . Painolevy valotettiin esimerkissä 1 mainitulla valonlähteellä originaalin alla 35 viisi sekuntia. Kun oli kehitetty 30 sekuntia liuoksella,
II
is 80155 jossa oli 0,6 % NaOHrta, 0,5 % natriuxranetasilikaatti x SH^Ojta ja 1,0 % n-butanolia 97,9 %:issa vettä, originaalista saatiin puhdas kopio. Kuten yleensä offsetpainole-vyissä voitiin valottamattomat kohdat värjätä rasvavärillä.
5 Esimerkki 5
Valmistettiin valoresistiliuos, jossa oli 12,5 paino-osaa 4-hydroksistyreenin ja styreenin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 260, RSV-arvo 0,176 dl/g dimetyyliformamidissa) 10 2,1 paino-osaa trietyleeniglykolin ja 2-etyylibutyraldehy- din muodostamaa polyasetaalia 0,1 paino-osaa 2-(4-styryylifenyyli)-4,6-bistrikloorimetyyli-s-triatsiinia ja 0,05 paino-osaa kideviolettiemästä 15 85 paino-osassa 2-etoksietyyliasetaattia.
Lopuksi liuos suodatettiin suodattimen läpi, jonka huokoshalkaisija oli 0,2 jug (Millipore) .
Resisti levitettiin linkoamalla SiC^-kalvolla varustetulle puolijohdekiekolle, jolloin pinnoitteen paksuu-20 deksi tuli 1,0 jam.
Tämän jälkeen testikuvamaski ja puolijohdekiekko asetettiin tiiviisti yhteen ja valotettiin 15 sekuntia UV- 2 valolla, jonka intensiteetti oli 4,5 mW/cm aallonpituudella 365 nm.
25 Kymmenen minuutin odotusajan jälkeen kehitettiin 40 sekuntia esimerkin 1 kehitteellä.
Saadun kuvamallin erotuskyky oli 1,0 Jim.
Esimerkki 6
Valmistettiin valoresistiliuos, jossa oli 30 55 paino-osaa 4-hydroksistyreenin ja heksyylimetakrylaatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 290, RSV-arvo 0,55 dl/g dimetyyliformamidissa) 15 paino-osaa esimerkissä 5 mainittua polyasetaalia 0,4 paino-osaa 2-(4-etoksinaft-1-yyli)-4,6-bistrikloori-35 metyyli-s-triatsiinia 0,07 paino-osaa kideviolettiemästä 170 paino-osaa etanolia 16 801 55 Tällä liuoksella valmistettiin kuten esimerkissä 2 positiivikuivaresistikalvo, jonka paksuus oli 25 jum. Tästä voitiin yllä kuvatulla tavalla valmistaa kuparilla johdo-tettuja piirilevyjä. Resistin taipuisuus ja tarttuvuus 5 kupariin olivat erinomaisia.
Kuivaresistissä, jonka rakenne oli sama kuin yllä, mutta sisälsi saman määrän novolakkaa sekapolymeerin asemasta, ilmeni leikattaessa liuskaisuutta ja murtumia ja resistiä laminoitaessa sattui usein, että filmi siirtyi 10 pöhjakalvolta suojakalvolle.
Esimerkki 7
Uusien sideaineiden sopivuus elektronisäteilytyk-selle herkkiin pinnoitteisiin osoitettiin seuraavasti: Mekaanisesti karheutetulle alumiinille n. 1 ^im:n 15 paksuudelta levitetyt pinnoitteet, joissa oli 70 paino-osaa esimerkin 6 mukaista sekapolymeeriä 25 paino-osaa 2-butyyli-2-etyylipropaanidiolin bis-(5-butyyli-5-etyyli-1,3-dioksan-2-yyli)eetteriä ja 5 paino-osaa esimerkissä 1 mainittua triatsiinia 20 valotettiin 11 kV-elektroneilla.
Sädevirralla 5 jaA riitti neljän sekunnin säteilytys tekemään 10 cm2:n ala liukoiseksi esimerkin 1 kehitteen vaikutettua 120 sekuntia. Tämä merkitsee sitä, että yllä 3 mainittujen pinnoitteiden herkkyys oli 74 x 10 hajoamis-25 ta/s·cm2.
Esimerkki 8
Valmistettiin valoresistiliuos, jossa oli 10 paino-osaa isoeugenolin ja maleiinihappoanhydridin muodostamaa sekapolymeeriä (RSV-arvo 0,343 dl/g dime-30 tyyliformamidissa) 1,9 paino-osaa esimerkissä 1 mainittua polyasetaalia 0,1 paino-osaa 2-(4-styryylifenyyli)-4,6-bistikloorimetyy- li-s-triatsiinia ja 40 paino-osaa 1-metoksi-2-propanolia.
35 Sitten liuos suodatettiin suodattimen läpi, jonka il 17 80155 huokoshalkaisija oli 0,2 jim. Levitettäessä linkoamalla SiC^-kalvolla varustetulle puolijohdekiekolle pinnoitteen paksuudeksi tuli 1,2 yum.
Tämän jälkeen testikuvamaski ja puolijohdekiekko 5 asetettiin tiiviisti yhteen ja valotettiin 15 sekuntia 2 UV-valolla, jonka intensiteetti oli 4,5 mW/cm aallonpituudella 365 nm.
Kymmenen minuutin odotusajan jälkeen kehitettiin 30 sekuntia esimerkin 1 kehitteellä (laimennettu vedellä 10 1:1).
Saadun kuvamallin erotuskyky oli 1,5 yum.
Esimerkki 9
Paksujen resistipinnoitteiden valmistamiseksi valmistettiin liuos, jossa oli 15 13,5 paino-osaa 3-hydroksistyreenin ja n-heksyylimetakry- laatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 298, RSV-arvo 0,30 dimetyyliformamidissa) 5,8 paino-osaa kresoli-formaldehydinovolakkaa (sulamisalue 105-120°C DIN 53181 mukaan) 20 5,3 paino-osaa esimerkissä 1 mainittua polyasetaalia 0,15 paino-osaa 2-(3-metoksinaft-2-yyli)-4,6-bistrikloori-metyyli-s-triatsiinia 0,02 paino-osaa kideviolettiemästä ja 68,5 paino-osaa metyylietyyliketonia.
25 Tämä liuos pinnoitettiin kaksisuuntaisesti venyte tylle ja kuumakiinnitetylle, 26 jim paksulle polyeteenite-reftalaattikalvolle, joka oli esikäsitelty trikloorietik-kahapon ja polyvinyylialkoholin seoksella, ja kuivattiin siten, että kalvolle muodostui 18 yum paksu tasainen resis-30 tipinnoite.
Piirilevyjen valmistamiseksi tämä kuivaresisti la-minoitiin esimerkissä 2 kuvatulla tavalla esilämmitetylle pohjalle ja valotettiin 50 sekuntia originaalin alla 5 kW metallihalogenidilampulla. Kymmenen minuutin odotusajan 35 jälkeen kehitettiin 10 minuuttia 1 %:isella NaOH-liuoksella.
is 80155
Saadun kuvamallin tarttuminen ja galvaaninen kestävyys olivat erinomaisia. Niinpä sillä voitiin lyijy/-tinalla galvanopäällystämisen ja toistetun erottamisen ja syövyttämisen jälkeen valmistaa kuparilla johdotettuja 5 piirilevyjä.
Esimerkki 10
Pinnoitusliuoksella, jossa oli 20/0 paino-osaa 4-hydroksistyreenin ja n-heksyylimetakry- laatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 309, 10 RSV-arvo 0,289 dl/g dimetyyliformamidissa) 5,33 paino-osaa esimerkissä 1 mainittua polyasetaalia 0,14 paino-osaa esimerkissä 9 mainittua triatsiinia 0,02 paino-osaa kideviolettiemästä 0,0025 paino-osaa modifioitua silkoniglykolia ja 15 200 paino-osaa metyylietyyliketonia pinnoitettiin harjatusta alumiinista valmistettuja levyjä. Kuivaamisen jälkeen pinnoitteen paksuudeksi tuli 1,0 -1 ,5 pm.
Pinnoite toimi erinomaisesti.
20 Kun oli valotettu esimerkissä 1 kuvatulla valonlähteellä originaalin alla ja kehitetty esimerkissä 1 kuvatul la kehitteellä, saatiin originaalista puhdas kopio. Valotta-mattomat kohdat voitiin värjätä rasvavärillä ja näin valmistetulla painolevyllä saatiin suuri määrä vedoksia.
25 Esimerkki 11
Positiivikuivaresistin valmistamiseksi liuos, jossa oli 10 paino-osaa 4-hydroksistyreenin ja butyyliakrylaatin muodostamaa sekapolymeeriä (OH-luku 263, RSV-arvo 0,402 30 dl/g dimetyyliformamidissa) 2,1 paino-osaa esimerkissä 1 mainittua polyasetaalia 0,1 paino-osaa esimerkissä 4 mainittua triatsiinia ja 0,015 paino-osaa kideviolettiemästä 30 paino-osassa metyylietyyliketonia 35 levitettiin esimerkissä 2 kuvatulla tavalla linkoamalla 19 801 55 polyeteenitereftalaattikalvolle. Muodostunut kuivaresis-tifilmi oli erittäin taipuisa.
Samalla tavoin kuin esimerkissä 2 voitiin filmillä valmistaa kuparilla johdotettuja piirilevyjä.

Claims (11)

20 80 1 55
1. Säteilyherkkä seos, jonka muodostajina ovat a) veteen liukenematon, emäksisiin vesiliuoksiin 5 liukoinen polymeerinen sideaine, b) aktiinisen säteilyn vaikutuksesta vahvan hapon muodostava yhdiste ja c) yhdiste,joka sisältää vähintään yhden hapolla pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen ja jonka liukoisuus nestemäi- 10 seen kehitteeseen paranee hapon vaikutuksesta, tunnettu siitä, että sideaine on alkenyylifenoli-yksiköitä sisältävä polymeraatti.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilyherkkä seos, tunnettu siitä, että polymeraatti sisältää 15 yksikköjä, jotka ovat yleistä kaavaa I R R1 I I [ - CH - C - ] 20 (I) r3^@-r2 (oh) x R4 25 jossa R on vetyatomi, syanidi-, alkyyli- tai fenyyliryhmä, on vety- tai halogeeniatomi, syanidi- tai alkyyliryhmä, 2 3 4 R , R ja R ovat vety- tai halogeeniatomeja, alkyyli- tai alkoksiryhmiä ja x on luku 1-3.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen säteilyherkkä 30 seos, tunnettu siitä, että polymeraatti on seka- polymeraatti, joka muodostuu kaavaa I olevista yksiköistä ja muiden vinyyliyhdisteiden yksiköistä.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen säteilyherkkä seos, tunnettu siitä, että muiden vinyyliyhdisteiden yk- 35 siköt ovat yleistä kaavaa II 2i 80155 r7 r5 C [ -CH - c - ] (II) R6 5 jossa R on vety- tai halogeeniatomi tai alkyyliryhmä, g 10. on alkyyli-, alkoksi-, alkyylioksikarbonyyli-, asyyli-, asyylioksi-, aryyli-, formyyli-, syanidi-, karboksyyli-, hydroksi- tai aminokarbonyyliryhmä ja R^ on vetyatomi tai karboksyyliryhmä, joka muodostaa R6:n kanssa, kun tämä on karboksyyliryhmä, happoanhydridin.
5. Patenttivaatimuksen 2 mukainen säteilyherkkä seos, tunnettu siitä, että polymeraatti muodostuu yleistä kaavaa I olevista yksiköistä, joissa x on 1.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilyherkkä seos, tunnettu siitä, että yhdiste c) on yhdiste, 20 joka sisältää vähintään yhden ortokarboksyylihappoesteri-, karboksyylihappoamidiasetaali-, enolieetteri- tai asyvli-iminokarbonaattiryhmittymän.
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen säteilyherkkä seos, tunnettu siitä, että se sisältää 30-90 paino-% 25 polymeeristä sideainetta a), 0,1-10 paino-% happoa muodostavaa yhdistettä b) ja 5-70 paino-% hapolla pilkkoutuvaa yhdistettä c).
8. Säteilyherkkä painatusmateriaali, joka muodostuu pinnoitepohjasta ja painatuspinnoitteesta, jonka olennai- 30 set aineosat ovat a) veteen liukenematon, emäksisiin vesiliuoksiin liukoinen polymeerinen sideaine, b) aktiinisen säteilyn vaikutuksesta vahvan hapon muodostava yhdiste ja 35 c) yhdiste, joka sisältää vähintään yhden hapolla 22 80155 pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen ja jonka liukoisuus nestemäiseen kehitteeseen paranee hapon vaikutuksesta, tunnettu siitä, että sideaine on polymeraatti, joka sisältää alkenyylifenoliyksikköjä.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen säteilyherkkä painatusmateriaali, tunnettu siitä, että pinnoi-tepohjana on taipuisa, läpinäkyvä muovikalvo ja että pai-natuspinnoitteen toisella pinnalla on suojakalvo, jonka tarttuvuus painatuspinnoitteeseen on pienempi kuin pin-10 noitepohjan tarttuvuus.
10. Menetelmä kohokuvien valmistamiseksi, jolloin säteilyherkkää painatusmateriaalia, joka muodostuu pinnoi-tepohjasta ja painatuspinnoitteesta, jonka olennaiset aineosat ovat 15 a) veteen liukenematon»emäksisiin vesiliuoksiin liukoinen polymeerinen sideaine, b) aktiinisen säteilyn vaikutuksesta vahvan hapon muodostava yhdiste ja c) yhdiste, joka sisältää vähintään yhden hapolla 20 pilkkoutuvan C-O-C-sidoksen ja jonka liukoisuus nestemäi seen kehitteeseen paranee hapon vaikutuksesta, säteilytetään kuvan saamiseksi aktiinisilla säteillä sellaisena annoksena, että liukoisuus emäksiseen kehitevesi-1luokseen paranee ja että pinnoitteen säteilytetyt kohdat 25 voidaan poistaa emäksisellä kehitevesiliuoksella, tun nettu siitä, että painatuspinnoite sisältää sideaineena alkenyylifenoliyksikköpitoista polymeraattia.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että painatusmateriaalin pinnoite- 30 pohjana on taipuisa, läpinäkyvä muovikalvo ja painatuspin-noitteen toisella pinnalla on suojakalvo, jonka tarttuvuus painatuspinnoitteeseen on pienempi kuin pinnoitepohjän tarttuvuus, ja että suojakalvo poistetaan painatuspinnoitteesta, jäljelle jäänyt painatusmateriaali laminoidaan pai-35 neen ja lämmön avulla painatuspinnoitteen paljastuneelta puolelta lopulliselle pinnoitepohjalle, painatuspinnoite valotetaan kuvan saamiseksi ja painatuspinnoite kehitetään läpinäkyvän pinnoitepohjän poistamisen jälkeen. Il 23 801 55
FI850719A 1984-02-25 1985-02-21 Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar. FI80155C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843406927 DE3406927A1 (de) 1984-02-25 1984-02-25 Strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren verbindungen
DE3406927 1984-02-25

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI850719A0 FI850719A0 (fi) 1985-02-21
FI850719L FI850719L (fi) 1985-08-26
FI80155B FI80155B (fi) 1989-12-29
FI80155C true FI80155C (fi) 1990-04-10

Family

ID=6228854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI850719A FI80155C (fi) 1984-02-25 1985-02-21 Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar.

Country Status (14)

Country Link
US (1) US4678737A (fi)
EP (1) EP0153682B1 (fi)
JP (1) JP2653374B2 (fi)
KR (1) KR910006542B1 (fi)
CN (1) CN85101459A (fi)
AT (1) ATE53917T1 (fi)
AU (1) AU577830B2 (fi)
BR (1) BR8500785A (fi)
CA (1) CA1273521A (fi)
DE (2) DE3406927A1 (fi)
ES (1) ES8607575A1 (fi)
FI (1) FI80155C (fi)
HK (1) HK76895A (fi)
ZA (1) ZA851110B (fi)

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3582697D1 (de) * 1984-06-07 1991-06-06 Hoechst Ag Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
DE3421448A1 (de) * 1984-06-08 1985-12-12 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Perfluoralkylgruppen aufweisende polymere, sie enthaltende reproduktionsschichten und deren verwendung fuer den wasserlosen offsetdruck
DE3442756A1 (de) * 1984-11-23 1986-05-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von waermebestaendigen reliefaufzeichnungen
JPH0650392B2 (ja) * 1985-07-12 1994-06-29 富士写真フイルム株式会社 感光性平版印刷版の製造方法
DE3528929A1 (de) * 1985-08-13 1987-02-26 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, dieses enthaltendes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
DE3541534A1 (de) * 1985-11-25 1987-05-27 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
US4822716A (en) * 1985-12-27 1989-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
JPS62227143A (ja) * 1986-03-28 1987-10-06 Toshiba Corp 感光性組成物
US5310619A (en) * 1986-06-13 1994-05-10 Microsi, Inc. Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
DE3750275T3 (de) * 1986-06-13 1998-10-01 Microsi Inc Lackzusammensetzung und -anwendung.
US5362607A (en) * 1986-06-13 1994-11-08 Microsi, Inc. Method for making a patterned resist substrate composite
DE3766315D1 (de) * 1986-08-06 1991-01-03 Ciba Geigy Ag Negativ-photoresist auf basis von polyphenolen und epoxidverbindungen oder vinylethern.
US5300380A (en) * 1986-08-06 1994-04-05 Ciba-Geigy Corporation Process for the production of relief structures using a negative photoresist based on polyphenols and epoxy compounds or vinyl ethers
US4931379A (en) * 1986-10-23 1990-06-05 International Business Machines Corporation High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
JPH07120039B2 (ja) * 1986-11-14 1995-12-20 富士写真フイルム株式会社 感光性組成物
US4788127A (en) * 1986-11-17 1988-11-29 Eastman Kodak Company Photoresist composition comprising an interpolymer of a silicon-containing monomer and an hydroxystyrene
DE3716848A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-01 Hoechst Ag Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
DE3721741A1 (de) * 1987-07-01 1989-01-12 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
DE3729035A1 (de) * 1987-08-31 1989-03-09 Hoechst Ag Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial
DE3821585A1 (de) * 1987-09-13 1989-03-23 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US4927956A (en) * 1987-09-16 1990-05-22 Hoechst Celanese Corporation 3,5-disubstituted-4-acetoxystyrene and process for its production
DE3737734A1 (de) * 1987-11-06 1989-05-18 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US4869994A (en) * 1988-01-25 1989-09-26 Hoechst Celanese Corp. Photoresist compositions based on hydroxystyrene copolymers
DE3812326A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren und photochemisch saeurebildenden verbindungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE3812325A1 (de) * 1988-04-14 1989-10-26 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE3817010A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817011A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3817009A1 (de) * 1988-05-19 1989-11-30 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE3820699A1 (de) * 1988-06-18 1989-12-21 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
DE3821584A1 (de) * 1988-06-25 1989-12-28 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US5114827A (en) * 1988-06-28 1992-05-19 Microelectronics Center Of N.C. Photoresists resistant to oxygen plasmas
US4968582A (en) * 1988-06-28 1990-11-06 Mcnc And University Of Nc At Charlotte Photoresists resistant to oxygen plasmas
US5342727A (en) * 1988-10-21 1994-08-30 Hoechst Celanese Corp. Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition
US6051659A (en) * 1992-08-20 2000-04-18 International Business Machines Corporation Highly sensitive positive photoresist composition
DE3837438A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3837513A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-10 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3841437A1 (de) * 1988-12-09 1990-06-13 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
DE3907953A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
DE3907954A1 (de) * 1989-03-11 1990-09-13 Hoechst Ag Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
US5210000A (en) * 1989-05-22 1993-05-11 Shipley Company Inc. Photoresist and method for forming a relief image utilizing composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
US5128232A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Shiply Company Inc. Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
DE3935875A1 (de) * 1989-10-27 1991-05-02 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
US5252436A (en) * 1989-12-15 1993-10-12 Basf Aktiengesellschaft Process for developing a positive-working photoresist containing poly(p-hydroxystyrene) and sulfonium salt with an aqueous developer containing basic organic compounds
DE4002397A1 (de) * 1990-01-27 1991-08-01 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
EP0440374B1 (en) * 1990-01-30 1997-04-16 Wako Pure Chemical Industries Ltd Chemical amplified resist material
DE4003025A1 (de) * 1990-02-02 1991-08-08 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4004719A1 (de) * 1990-02-15 1991-08-22 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
DE4005212A1 (de) * 1990-02-20 1991-08-22 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5164278A (en) * 1990-03-01 1992-11-17 International Business Machines Corporation Speed enhancers for acid sensitized resists
DE4007924A1 (de) * 1990-03-13 1991-09-19 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5071731A (en) * 1990-04-10 1991-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Aqueous processable photosensitive element with an elastomeric layer
US5077174A (en) * 1990-04-10 1991-12-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working dry film element having a layer of resist composition
US5093221A (en) * 1990-04-10 1992-03-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process of making colored images using aqueous processable photosensitive elements
US5145764A (en) * 1990-04-10 1992-09-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
DE69126586T2 (de) * 1990-08-30 1997-11-27 At & T Corp Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE4032162A1 (de) * 1990-10-10 1992-04-16 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
JPH04158363A (ja) * 1990-10-22 1992-06-01 Mitsubishi Electric Corp パターン形成用レジスト材料
EP0501919A1 (de) * 1991-03-01 1992-09-02 Ciba-Geigy Ag Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen
DE4111283A1 (de) 1991-04-08 1992-10-15 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
DE4214363C2 (de) * 1991-04-30 1998-01-29 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
JP3030672B2 (ja) * 1991-06-18 2000-04-10 和光純薬工業株式会社 新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
DE4136213A1 (de) * 1991-11-02 1993-05-06 Basf Ag, 6700 Ludwigshafen, De Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
DE69218393T2 (de) * 1991-12-16 1997-10-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd Resistmaterial
DE4202845A1 (de) * 1992-01-31 1993-08-05 Basf Ag Strahlungsempfindliches gemisch
US5342734A (en) * 1992-02-25 1994-08-30 Morton International, Inc. Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
US5384229A (en) * 1992-05-07 1995-01-24 Shipley Company Inc. Photoimageable compositions for electrodeposition
US5286612A (en) * 1992-10-23 1994-02-15 Polaroid Corporation Process for generation of free superacid and for imaging, and imaging medium for use therein
EP0605089B1 (en) * 1992-11-03 1999-01-07 International Business Machines Corporation Photoresist composition
JPH06214395A (ja) * 1993-01-18 1994-08-05 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US5314782A (en) * 1993-03-05 1994-05-24 Morton International, Inc. Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
US5346803A (en) * 1993-09-15 1994-09-13 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoresist composition comprising a copolymer having a di-t-butyl fumarate
DE19507618A1 (de) * 1995-03-04 1996-09-05 Hoechst Ag Polymere und diese enthaltendes lichtempfindliches Gemisch
KR100293130B1 (ko) * 1995-04-12 2001-09-17 카나가와 치히로 고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료
JP2956824B2 (ja) * 1995-06-15 1999-10-04 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト膜形成用塗布液
DE19533607A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
DE19533608A1 (de) * 1995-09-11 1997-03-13 Basf Ag Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
US5942367A (en) * 1996-04-24 1999-08-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
US6228552B1 (en) * 1996-09-13 2001-05-08 Kabushiki Kaisha Toshiba Photo-sensitive material, method of forming a resist pattern and manufacturing an electronic parts using photo-sensitive material
US6060222A (en) * 1996-11-19 2000-05-09 Kodak Polcyhrome Graphics Llc 1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
US6319648B1 (en) 1997-07-15 2001-11-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Dissolution inhibition resists for microlithography
DE19803564A1 (de) 1998-01-30 1999-08-05 Agfa Gevaert Ag Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
JP3299215B2 (ja) 1999-03-12 2002-07-08 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6890855B2 (en) * 2001-06-27 2005-05-10 International Business Machines Corporation Process of removing residue material from a precision surface
US7255972B2 (en) 2002-10-23 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Chemically amplified positive photosensitive resin composition
JP4452563B2 (ja) * 2004-06-14 2010-04-21 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4368282B2 (ja) * 2004-09-24 2009-11-18 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
WO2008120655A1 (ja) 2007-03-30 2008-10-09 Institute Of Medicinal Molecular Design, Inc. Ｉ型１１βヒドロキシステロイド脱水素酵素阻害活性を有するオキサゾリジノン誘導体
US9063420B2 (en) * 2013-07-16 2015-06-23 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE42562C (de) * W. J. ludlow in Cleveland, Ohio, V. St. A Neuerungen an Primär- und Secundärbatterien und in der Methode ihres Betriebes
FR66452E (fr) * 1949-12-16 1957-03-08 Kalker Trieurfabrik Fabr Tarare
DE1797282A1 (de) * 1967-11-21 1971-03-04 Inst Fuer Grafische Technik Kopierloesung zur Herstellung von Kopierschichten fuer fotomechanische Verfahren
GB1375461A (fi) * 1972-05-05 1974-11-27
JPS5241050B2 (fi) * 1974-03-27 1977-10-15
JPS51120712A (en) * 1975-04-15 1976-10-22 Toshiba Corp Positive type photo-resistant compound
DE2718254C3 (de) * 1977-04-25 1980-04-10 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Strahlungsempfindliche Kopiermasse
DE2829512A1 (de) * 1978-07-05 1980-01-17 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefbildern
DE3023201A1 (de) * 1980-06-21 1982-01-07 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
DE3038605A1 (de) * 1980-10-13 1982-06-03 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefkopien
DE3039926A1 (de) * 1980-10-23 1982-05-27 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung einer druckform aus dem kopiermaterial
DE3107109A1 (de) * 1981-02-26 1982-09-09 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes kopiermaterial
JPS5865430A (ja) * 1981-05-27 1983-04-19 Konishiroku Photo Ind Co Ltd 感光性印刷版用感光性組成物
DD206518A3 (de) * 1981-08-10 1984-01-25 Akad Wissenschaften Ddr Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen
DE3144499A1 (de) * 1981-11-09 1983-05-19 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3151078A1 (de) * 1981-12-23 1983-07-28 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung von reliefbildern
JPS58114030A (ja) * 1981-12-28 1983-07-07 Fujitsu Ltd ポジ型レジスト材料
US4439516A (en) * 1982-03-15 1984-03-27 Shipley Company Inc. High temperature positive diazo photoresist processing using polyvinyl phenol
JPS58205147A (ja) * 1982-05-25 1983-11-30 Sumitomo Chem Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
ATE53917T1 (de) 1990-06-15
EP0153682A2 (de) 1985-09-04
HK76895A (en) 1995-05-26
FI850719A0 (fi) 1985-02-21
ES8607575A1 (es) 1986-06-01
JPS60205444A (ja) 1985-10-17
FI80155B (fi) 1989-12-29
EP0153682B1 (de) 1990-05-02
DE3577484D1 (de) 1990-06-07
CA1273521A (en) 1990-09-04
AU577830B2 (en) 1988-10-06
FI850719L (fi) 1985-08-26
KR850006232A (ko) 1985-10-02
JP2653374B2 (ja) 1997-09-17
ES540587A0 (es) 1986-06-01
CN85101459A (zh) 1987-01-17
AU3918485A (en) 1985-09-05
DE3406927A1 (de) 1985-08-29
EP0153682A3 (en) 1987-04-22
ZA851110B (en) 1985-09-25
KR910006542B1 (ko) 1991-08-27
BR8500785A (pt) 1985-10-08
US4678737A (en) 1987-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI80155C (fi) Straolningskaenslig blandning pao basen av med syra spaltbara foereningar.
US4699867A (en) Radiation-sensitive positive working composition and material with aqueous-alkaline soluble acryamide or methacryamide copolymer having hydroxyl or carboxyl groups
US4910119A (en) Polymeric compounds and radiation-sensitive mixture containing them
US4840867A (en) Positive-working radiation-sensitive recording material with radiation-sensitive 1,2-quinone diazide underlayer and thicker positive-working radiation-sensitive overlayer
US5234791A (en) Radiation-curable composition and radiation-sensitive recording material prepared therefrom for use with high-energy radiation
JPH11269229A (ja) Ｎ―置換マレイミド単位を含む重合体、およびそれらの放射線感応性混合物における使用
US4916046A (en) Positive radiation-sensitive mixture, using a monomeric silylenol ether and a recording material produced therefrom
US4822719A (en) Radiation-sensitive mixture, radiation-sensitive recording material containing said mixture, and process for preparing relief images
CA1164712A (en) Preparation of relief copies by heating an irradiated copying material containing a compound with an acid cleavable c-o-c group
US4946759A (en) Positive radiation-sensitive mixture and radiation-sensitive recording material produced therefrom
US5037721A (en) Positive radiation-sensitive mixture containing monomeric acid-cleavable compound and radiation-sensitive recording material produced therefrom
US5275908A (en) Radiation-sensitive mixture and recording material comprising as a binder a copolymer having hydroxybenzyl(meth)acrylate groups or derivatives thereof
JPS63287950A (ja) 感放射線記録材料
CA2035406A1 (en) Radiation-sensitive mixture, radiation-sensitive recording material produced therewith and process for producing relief copies
KR0161965B1 (ko) 방사선-감수성 혼합물 및 이로부터 제조된 방사선-감수성복사물질
US5292626A (en) Developer composition for irradiated, radiation-sensitive positive-working, negative-working and reversible reprographic layers
US5227281A (en) Process for producing negative copies
DE3853114T2 (de) Poly(3-mono oder 3,5-disubstituierte acetoxystyrole) und deren Verwendung.
US5700621A (en) Polymers and photosensitive mixture prepared therewith
JP3474196B2 (ja) 放射性感応性組成物及びそれを用いた記録媒体
JPH01163207A (ja) ３，５−ジ置換−４−アセトキシスチレンの重合、加水分解および使用法
JPH02144538A (ja) 感放射線混合物およびそれから調製された感放射線複写材料

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed
MM Patent lapsed

Owner name: HOECHST AKTIENGESELLSCHAFT