DE3582697D1
(de)
*
|
1984-06-07 |
1991-06-06 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitende strahlungsempfindliche beschichtungsloesung.
|
DE3421448A1
(de)
*
|
1984-06-08 |
1985-12-12 |
Hoechst Ag, 6230 Frankfurt |
Perfluoralkylgruppen aufweisende polymere, sie enthaltende reproduktionsschichten und deren verwendung fuer den wasserlosen offsetdruck
|
DE3442756A1
(de)
*
|
1984-11-23 |
1986-05-28 |
Hoechst Ag, 6230 Frankfurt |
Strahlungsempfindliches gemisch, daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von waermebestaendigen reliefaufzeichnungen
|
JPH0650392B2
(ja)
*
|
1985-07-12 |
1994-06-29 |
富士写真フイルム株式会社 |
感光性平版印刷版の製造方法
|
DE3528929A1
(de)
*
|
1985-08-13 |
1987-02-26 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, dieses enthaltendes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefbildern
|
DE3537441A1
(de)
*
|
1985-10-22 |
1987-04-23 |
Hoechst Ag |
Loesemittel zum entfernen von photoresists
|
DE3541534A1
(de)
*
|
1985-11-25 |
1987-05-27 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch
|
US4822716A
(en)
*
|
1985-12-27 |
1989-04-18 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Polysilanes, Polysiloxanes and silicone resist materials containing these compounds
|
JPS62227143A
(ja)
*
|
1986-03-28 |
1987-10-06 |
Toshiba Corp |
感光性組成物
|
US5310619A
(en)
*
|
1986-06-13 |
1994-05-10 |
Microsi, Inc. |
Resist compositions comprising a phenolic resin, an acid forming onium salt and a tert-butyl ester or tert-butyl carbonate which is acid-cleavable
|
DE3750275T3
(de)
*
|
1986-06-13 |
1998-10-01 |
Microsi Inc |
Lackzusammensetzung und -anwendung.
|
US5362607A
(en)
*
|
1986-06-13 |
1994-11-08 |
Microsi, Inc. |
Method for making a patterned resist substrate composite
|
DE3766315D1
(de)
*
|
1986-08-06 |
1991-01-03 |
Ciba Geigy Ag |
Negativ-photoresist auf basis von polyphenolen und epoxidverbindungen oder vinylethern.
|
US5300380A
(en)
*
|
1986-08-06 |
1994-04-05 |
Ciba-Geigy Corporation |
Process for the production of relief structures using a negative photoresist based on polyphenols and epoxy compounds or vinyl ethers
|
US4931379A
(en)
*
|
1986-10-23 |
1990-06-05 |
International Business Machines Corporation |
High sensitivity resists having autodecomposition temperatures greater than about 160° C.
|
JPH07120039B2
(ja)
*
|
1986-11-14 |
1995-12-20 |
富士写真フイルム株式会社 |
感光性組成物
|
US4788127A
(en)
*
|
1986-11-17 |
1988-11-29 |
Eastman Kodak Company |
Photoresist composition comprising an interpolymer of a silicon-containing monomer and an hydroxystyrene
|
DE3716848A1
(de)
*
|
1987-05-20 |
1988-12-01 |
Hoechst Ag |
Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
|
DE3721741A1
(de)
*
|
1987-07-01 |
1989-01-12 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien
|
DE3729035A1
(de)
*
|
1987-08-31 |
1989-03-09 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes photolithographisches aufzeichnungsmaterial
|
DE3821585A1
(de)
*
|
1987-09-13 |
1989-03-23 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
|
US4927956A
(en)
*
|
1987-09-16 |
1990-05-22 |
Hoechst Celanese Corporation |
3,5-disubstituted-4-acetoxystyrene and process for its production
|
DE3737734A1
(de)
*
|
1987-11-06 |
1989-05-18 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US4869994A
(en)
*
|
1988-01-25 |
1989-09-26 |
Hoechst Celanese Corp. |
Photoresist compositions based on hydroxystyrene copolymers
|
DE3812326A1
(de)
*
|
1988-04-14 |
1989-10-26 |
Basf Ag |
Positiv arbeitendes, strahlungsempfindliches gemisch auf basis von saeurespaltbaren und photochemisch saeurebildenden verbindungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
|
DE3812325A1
(de)
*
|
1988-04-14 |
1989-10-26 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch fuer lichtempfindliche beschichtungsmaterialien und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
|
DE3817010A1
(de)
*
|
1988-05-19 |
1989-11-30 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
DE3817011A1
(de)
*
|
1988-05-19 |
1989-11-30 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
DE3817009A1
(de)
*
|
1988-05-19 |
1989-11-30 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
DE3820699A1
(de)
*
|
1988-06-18 |
1989-12-21 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
DE3821584A1
(de)
*
|
1988-06-25 |
1989-12-28 |
Hoechst Ag |
Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
|
US5114827A
(en)
*
|
1988-06-28 |
1992-05-19 |
Microelectronics Center Of N.C. |
Photoresists resistant to oxygen plasmas
|
US4968582A
(en)
*
|
1988-06-28 |
1990-11-06 |
Mcnc And University Of Nc At Charlotte |
Photoresists resistant to oxygen plasmas
|
US5342727A
(en)
*
|
1988-10-21 |
1994-08-30 |
Hoechst Celanese Corp. |
Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition
|
US6051659A
(en)
*
|
1992-08-20 |
2000-04-18 |
International Business Machines Corporation |
Highly sensitive positive photoresist composition
|
DE3837438A1
(de)
*
|
1988-11-04 |
1990-05-10 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3837513A1
(de)
*
|
1988-11-04 |
1990-05-10 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3841437A1
(de)
*
|
1988-12-09 |
1990-06-13 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
DE3907953A1
(de)
*
|
1989-03-11 |
1990-09-13 |
Hoechst Ag |
Strahlungshaertbares gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
|
DE3907954A1
(de)
*
|
1989-03-11 |
1990-09-13 |
Hoechst Ag |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial fuer hochenergetische strahlung
|
US5210000A
(en)
*
|
1989-05-22 |
1993-05-11 |
Shipley Company Inc. |
Photoresist and method for forming a relief image utilizing composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
|
US5128232A
(en)
*
|
1989-05-22 |
1992-07-07 |
Shiply Company Inc. |
Photoresist composition with copolymer binder having a major proportion of phenolic units and a minor proportion of non-aromatic cyclic alcoholic units
|
DE3935875A1
(de)
*
|
1989-10-27 |
1991-05-02 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
US5252436A
(en)
*
|
1989-12-15 |
1993-10-12 |
Basf Aktiengesellschaft |
Process for developing a positive-working photoresist containing poly(p-hydroxystyrene) and sulfonium salt with an aqueous developer containing basic organic compounds
|
DE4002397A1
(de)
*
|
1990-01-27 |
1991-08-01 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial
|
EP0440374B1
(en)
*
|
1990-01-30 |
1997-04-16 |
Wako Pure Chemical Industries Ltd |
Chemical amplified resist material
|
DE4003025A1
(de)
*
|
1990-02-02 |
1991-08-08 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
|
DE4004719A1
(de)
*
|
1990-02-15 |
1991-08-22 |
Hoechst Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
|
DE4005212A1
(de)
*
|
1990-02-20 |
1991-08-22 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US5164278A
(en)
*
|
1990-03-01 |
1992-11-17 |
International Business Machines Corporation |
Speed enhancers for acid sensitized resists
|
DE4007924A1
(de)
*
|
1990-03-13 |
1991-09-19 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US5071731A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1991-12-10 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Aqueous processable photosensitive element with an elastomeric layer
|
US5077174A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1991-12-31 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive working dry film element having a layer of resist composition
|
US5093221A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1992-03-03 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Process of making colored images using aqueous processable photosensitive elements
|
US5145764A
(en)
*
|
1990-04-10 |
1992-09-08 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Positive working resist compositions process of exposing, stripping developing
|
JPH0480758A
(ja)
*
|
1990-07-23 |
1992-03-13 |
Fuji Photo Film Co Ltd |
感光性組成物
|
DE69126586T2
(de)
*
|
1990-08-30 |
1997-11-27 |
At & T Corp |
Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
|
DE4032162A1
(de)
*
|
1990-10-10 |
1992-04-16 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
|
JPH04158363A
(ja)
*
|
1990-10-22 |
1992-06-01 |
Mitsubishi Electric Corp |
パターン形成用レジスト材料
|
EP0501919A1
(de)
*
|
1991-03-01 |
1992-09-02 |
Ciba-Geigy Ag |
Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen
|
DE4111283A1
(de)
|
1991-04-08 |
1992-10-15 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch, enthaltend saeurelabile gruppierungen und verfahren zur herstellung von reliefmustern und reliefbildern
|
DE4214363C2
(de)
*
|
1991-04-30 |
1998-01-29 |
Toshiba Kawasaki Kk |
Strahlungsempfindliches Gemisch zur Ausbildung von Mustern
|
JP3030672B2
(ja)
*
|
1991-06-18 |
2000-04-10 |
和光純薬工業株式会社 |
新規なレジスト材料及びパタ−ン形成方法
|
DE4136213A1
(de)
*
|
1991-11-02 |
1993-05-06 |
Basf Ag, 6700 Ludwigshafen, De |
Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und verfahren zur herstellung von reliefmustern
|
DE69218393T2
(de)
*
|
1991-12-16 |
1997-10-16 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
Resistmaterial
|
DE4202845A1
(de)
*
|
1992-01-31 |
1993-08-05 |
Basf Ag |
Strahlungsempfindliches gemisch
|
US5342734A
(en)
*
|
1992-02-25 |
1994-08-30 |
Morton International, Inc. |
Deep UV sensitive photoresist resistant to latent image decay
|
US5384229A
(en)
*
|
1992-05-07 |
1995-01-24 |
Shipley Company Inc. |
Photoimageable compositions for electrodeposition
|
US5286612A
(en)
*
|
1992-10-23 |
1994-02-15 |
Polaroid Corporation |
Process for generation of free superacid and for imaging, and imaging medium for use therein
|
EP0605089B1
(en)
*
|
1992-11-03 |
1999-01-07 |
International Business Machines Corporation |
Photoresist composition
|
JPH06214395A
(ja)
*
|
1993-01-18 |
1994-08-05 |
Sumitomo Chem Co Ltd |
ポジ型フォトレジスト組成物
|
US5314782A
(en)
*
|
1993-03-05 |
1994-05-24 |
Morton International, Inc. |
Deep UV sensitive resistant to latent image decay comprising a diazonaphthoquinone sulfonate of a nitrobenzyl derivative
|
US5346803A
(en)
*
|
1993-09-15 |
1994-09-13 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Photoresist composition comprising a copolymer having a di-t-butyl fumarate
|
DE19507618A1
(de)
*
|
1995-03-04 |
1996-09-05 |
Hoechst Ag |
Polymere und diese enthaltendes lichtempfindliches Gemisch
|
KR100293130B1
(ko)
*
|
1995-04-12 |
2001-09-17 |
카나가와 치히로 |
고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료
|
JP2956824B2
(ja)
*
|
1995-06-15 |
1999-10-04 |
東京応化工業株式会社 |
ポジ型レジスト膜形成用塗布液
|
DE19533607A1
(de)
*
|
1995-09-11 |
1997-03-13 |
Basf Ag |
Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
|
DE19533608A1
(de)
*
|
1995-09-11 |
1997-03-13 |
Basf Ag |
Positivarbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch und Verfahren zur Herstellung von Reliefstrukturen
|
US5942367A
(en)
*
|
1996-04-24 |
1999-08-24 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. |
Chemically amplified positive resist composition, pattern forming method, and method for preparing polymer having a crosslinking group
|
US6228552B1
(en)
*
|
1996-09-13 |
2001-05-08 |
Kabushiki Kaisha Toshiba |
Photo-sensitive material, method of forming a resist pattern and manufacturing an electronic parts using photo-sensitive material
|
US6060222A
(en)
*
|
1996-11-19 |
2000-05-09 |
Kodak Polcyhrome Graphics Llc |
1Postitve-working imaging composition and element and method of forming positive image with a laser
|
US6319648B1
(en)
|
1997-07-15 |
2001-11-20 |
E. I. Du Pont De Nemours And Company |
Dissolution inhibition resists for microlithography
|
DE19803564A1
(de)
|
1998-01-30 |
1999-08-05 |
Agfa Gevaert Ag |
Polymere mit Einheiten aus N-substituiertem Maleimid und deren Verwendung in strahlungsempfindlichen Gemischen
|
JP3299215B2
(ja)
|
1999-03-12 |
2002-07-08 |
松下電器産業株式会社 |
パターン形成方法
|
US6890855B2
(en)
*
|
2001-06-27 |
2005-05-10 |
International Business Machines Corporation |
Process of removing residue material from a precision surface
|
US7255972B2
(en)
|
2002-10-23 |
2007-08-14 |
Az Electronic Materials Usa Corp. |
Chemically amplified positive photosensitive resin composition
|
JP4452563B2
(ja)
*
|
2004-06-14 |
2010-04-21 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
JP4368282B2
(ja)
*
|
2004-09-24 |
2009-11-18 |
富士フイルム株式会社 |
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
|
WO2008120655A1
(ja)
|
2007-03-30 |
2008-10-09 |
Institute Of Medicinal Molecular Design, Inc. |
I型11βヒドロキシステロイド脱水素酵素阻害活性を有するオキサゾリジノン誘導体
|
US9063420B2
(en)
*
|
2013-07-16 |
2015-06-23 |
Rohm And Haas Electronic Materials Llc |
Photoresist composition, coated substrate, and method of forming electronic device
|