FI126508B - Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä - Google Patents

Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä Download PDF

Info

Publication number
FI126508B
FI126508B FI20155352A FI20155352A FI126508B FI 126508 B FI126508 B FI 126508B FI 20155352 A FI20155352 A FI 20155352A FI 20155352 A FI20155352 A FI 20155352A FI 126508 B FI126508 B FI 126508B
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
mask
depth
etching
submerged
grooves
Prior art date
Application number
FI20155352A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI20155352A (fi
Inventor
Altti Torkkeli
Antti Iihola
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to FI20155352A priority Critical patent/FI126508B/fi
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Priority to US15/147,233 priority patent/US9969615B2/en
Priority to TW105113943A priority patent/TWI636949B/zh
Priority to TW105113941A priority patent/TWI637900B/zh
Priority to US15/147,197 priority patent/US9764942B2/en
Priority to JP2018511536A priority patent/JP6558495B2/ja
Priority to EP16725234.5A priority patent/EP3294664A1/en
Priority to PCT/IB2016/052630 priority patent/WO2016185313A1/en
Priority to CN201680027941.1A priority patent/CN107667067B/zh
Priority to EP16725587.6A priority patent/EP3294665B1/en
Priority to PCT/IB2016/052629 priority patent/WO2016185312A1/en
Publication of FI20155352A publication Critical patent/FI20155352A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI126508B publication Critical patent/FI126508B/fi

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
    • B81C1/00595—Control etch selectivity
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/00468—Releasing structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/005—Bulk micromachining
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00555—Achieving a desired geometry, i.e. controlling etch rates, anisotropy or selectivity
    • B81C1/00603—Aligning features and geometries on both sides of a substrate, e.g. when double side etching
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5733—Structural details or topology
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5769—Manufacturing; Mounting; Housings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0235—Accelerometers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0228—Inertial sensors
    • B81B2201/0242—Gyroscopes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03—Microengines and actuators
    • B81B2201/033—Comb drives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0136—Comb structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Claims (16)

1. Menetelmä mikromekaanisen laitekerroksen valmistamiseksi, jolloin menetelmä suoritetaan laitekiekolla (100), joka koostuu yksittäisestä kerroksesta homogeenistä materiaalia, tunnettu siitä, että menetelmä käsittää vaiheet, joissa: a) kuvioidaan ensimmäinen maski (110) laitekiekon ensimmäiselle puolelle, jolloin ensimmäinen maski kuvioi ainakin kamparakenteiden ja suurten laiterakenteiden ääriviivojen vaakaulottuvuudet; b) etsataan ensimmäiset urat (200) ensimmäistä maskia (110) käyttämällä, jolloin ensimmäiset urat rajaavat ainakin mainittujen kamparakenteiden ja suurten laiterakenteiden ääriviivojen vaakaulottuvuudet yksittäisessä syväetsaus-prosessissa, jolloin mainituilla ensimmäisillä urilla on ensimmäinen syvyys (dl'); c) täytetään mainitut ensimmäiset urat pinnoituskerroksella (130); d) kuvioidaan ainakin ensimmäinen upotusmaski (120, 130a) laitekiekon ensimmäiselle puolelle, jolloin ensimmäinen upotusmaski rajaa ainakin laitekiekon ensimmäiset alueet, joilta laitekiekon pinta on upotettava laitekiekon ensimmäisen pinnan alapuolelle; e) etsataan ainakin ensimmäiset upotusurat (200) mainituille ensimmäisille alueille ensimmäistä upotusmaskia (120, 130a) käyttämällä, jolloin mainituilla ensimmäisillä upotusurilla on ensimmäinen upotussyvyys (d2, d2'); f) kuvioidaan ainakin toinen upotusmaski (210a) laitekiekon (100) toiselle puolelle, jolloin toinen upotusmaski (210a) rajaa ainakin laitekiekon toiset alueet, joilta laitekiekon pinta on upotettava laitekiekon toisen pinnan alapuolelle; g) etsataan ainakin toiset upotusurat mainituille toisille alueille toista upotusmaskia (210a) käyttämällä, jolloin mainituilla toisilla upotusurilla on toinen upotussyvyys (d3, d3'); ja h) poistetaan mainittu vaiheessa c) lisätty pinnoituskerros (130) mikromekaanisen laitekerroksen liikkuvien osien (510, 511, 512) irrottamiseksi.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä mikromekaanisten rakenteiden valmistamiseksi, jossa: - ennen vaihetta e) kuvioidaan ensimmäinen välimaski (350) laitekiekon (100) ensimmäisellä puolella olevan ensimmäisen upotusmaskin (120, 130a) päälle, jolloin ensimmäinen välimaski rajaa kolmannet laitekiekon alueet, joilta laitekiekko on upotettava kolmanteen upotussyvyyteen (d4), jolloin kolmas upotussyvyys on suurempi kuin ensimmäinen upotussyvyys (d2, d2'); ja - etsataan kolmannet upotusurat mainituille kolmansille alueille mainittua ensimmäistä välimaskia (120, 130a) käyttämällä ensimmäiseen välisyvyyteen (di), joka on pienempi kuin mainittu kolmas upotussyvyys (d4); ja - etsataan lisäksi mainitut kolmannet upotusurat mainittua ensimmäistä upotusmaskia (120, 130a) käyttämällä vaiheessa e) samalla, kun etsataan mainitut ensimmäiset upotusurat ensimmäiseen upotussyvyyteen (d2, d2'), jotta kolmansien upotusurien syvyys saadaan kasvatettua kolmatta upotussyvyyttä (d4) vastaavaksi syvyydeksi; ja/tai: - ennen vaihetta g) kuvioidaan toinen välimaski (250) laitekiekon toisella puolella olevan toisen upotusmaskin (210a) päälle, jolloin toinen välimaski rajaa neljännet laitekiekon alueet, joilta laitekiekko on upotettava neljänteen upotussyvyyteen (d5, d5'), jolloin neljäs upotussyvyys on suurempi kuin toinen upotussyvyys (d3, d3'); ja - etsataan neljännet upotusurat mainituille neljänsille alueille mainittua toista välimaskia (250) käyttämällä toiseen välisyvyyteen (di, di'), joka on pienempi kuin mainittu neljäs upotussyvyys (d5, d5'); ja - etsataan lisäksi mainitut neljännet upotusurat mainittua toista upotusmaskia (210a) käyttämällä vaiheessa g) samalla, kun etsataan mainitut toiset upotusurat toiseen upotussyvyyteen (d3, d3'), jotta neljänsien upotusurien syvyys saadaan kasvatettua neljättä upotussyvyyttä (d5, d5') vastaavaksi syvyydeksi.
3. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä mikromekaanisten rakenteiden valmistamiseksi, jossa mainitut pinnoituskerroksella (130) täytetyt ensimmäiset urat (200) rajaavat vaakasuunnassa ainakin joitakin mainituista ensimmäisistä upotusurista ja mainituista toisista upotusurista.
4. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä mikromekaanisten rakenteiden valmistamiseksi, jossa mainitut pinnoituskerroksella (130) täytetyt ensimmäiset urat (200) rajaavat vaakasuunnassa ainakin joitakin mainituista kolmansista upotusurista ja mainituista neljänsistä upotusurista.
5. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä mikromekaanisten rakenteiden valmistamiseksi, jolloin menetelmä käsittää lisäksi: vaiheen d) jälkeen sen, että pienennetään laitekiekon (100) paksuutta mikromekaanisen laitekerroksen aiottua lopullista paksuutta (dl) vastaavaksi paksuudeksi.
6. Patenttivaatimuksen 5 mukainen menetelmä mikromekaanisten rakenteiden valmistamiseksi, jolloin menetelmä käsittää lisäksi vaiheen, jossa: - käännetään laitekiekko (100) ylösalaisin ennen laitekiekon paksuuden pienentämistä; ja kiinnitetään laitekiekko käsittelykiekkoon (300) su la I iito ksella.
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, jossa - mainittu ensimmäinen syvyys (dl') on yhtä suuri tai suurempi kuin mikromekaanisen laitekerroksen (100) aiottu lopullinen paksuus (dl); - mainittu ensimmäinen upotussyvyys (d2, d2') on yhtä suuri kuin mikromekaanisen laitekerroksen niiden rakenne-elementtien aiottu upotusmäärä, jotka on upotettava mikromekaanisen laitekerroksen ensimmäisen pinnan alapuolelle; ja - mainittu toinen upotussyvyys (d3, d3') on yhtä suuri kuin mikromekaanisen laitekerroksen niiden rakenne-elementtien aiottu upotusmäärä, jotka on upotettava mikromekaanisen laitekerroksen toisen pinnan alapuolelle.
8. Patenttivaatimuksen 2 mukainen menetelmä, jossa - mainittu kolmas upotussyvyys (d4) ja/tai mainittu neljäs upotussyvyys (d5, d5') on pienempi kuin mikromekaanisen laitekerroksen aiottu lopullinen paksuus (dl) ja pienempi kuin laitekerrosmateriaalin paksuus mainituilla kolmansilla alueilla ja/tai mainituilla neljänsillä alueilla ennen mainittua vaihetta, jossa etsataan vastaavasti mainitut kolmannet alueet ja/tai mainitut neljännet alueet; ja/tai - laitekiekkomateriaali laitekiekon mainituilla kolmansilla alueilla poistetaan kokonaan etsaamalla mainitut kolmannet upotusurat rakenteen läpi vaiheessa e); ja/tai - laitekerrosmateriaali mainituilla neljänsillä alueilla poistetaan kokonaan etsaamalla mainitut neljännet upotusurat rakenteen läpi vaiheessa g).
9. Jonkin patenttivaatimuksista 1-8 mukainen menetelmä, jossa - mainittu kuviointi suoritetaan käyttämällä joko valoresistiä tai piidioksidikerrosta maskimateriaalina ja käyttämällä valolitografiaa maskin kuviointimenetelmänä.
10. Jonkin patenttivaatimuksista 2, 4, 8 tai 9 mukainen menetelmä, jossa mainitut ensimmäinen (350) ja toinen välimaski (250) ovat eri materiaalia kuin vastaavasti mainitut ensimmäinen (120, 130a) ja toinen upotusmaski (210a).
11. Jonkin patenttivaatimuksista 1-10 mukainen menetelmä, jossa mainitut etsausvaiheet suoritetaan käyttämällä anisotrooppista etsausprosessia, kuten reaktiivista ionisyväetsausta, DRIE (Deep Reactive Ion Etching).
12. Jonkin patenttivaatimuksista 1-11 mukainen menetelmä, jossa mainittu ensimmäinen etsaus johtaa ensimmäisiin uriin (200), joiden leveys on 1-8 pm, jolloin ensimmäisten urien leveys (wl) määrittää vaakasuuntaiset etäisyydet kampasormien ja liikkuvien rakenteiden väliin.
13. Patenttivaatimuksen 1 mukainen menetelmä, jossa mainitut kamparakenteet ja suurempien laiterakenteiden ääriviivat rajaavien mainittujen ensimmäisten urien (200) mainittu täyttö pinnoituskerroksella (130) johtaa olennaisesti tasaiseen pintaan laitekiekon ensimmäisellä puolella, jotta ensimmäiselle pinnalle voidaan tämän jälkeen suorittaa kuviointivaiheet.
14. Patenttivaatimuksen 3 mukainen menetelmä, jossa mainittu laitekiekon paksuuden pienentäminen mikromekaanisen laitekerroksen aiottua lopullista paksuutta vastaavaksi paksuudeksi (dl) käsittää ainakin yhden hiomis-ja/tai kiillotusvaiheen; ja/tai - mainittu laitekiekon paksuuden pienentäminen johtaa laitekerroksen olennaisesti tasaiseen toiseen pintaan, jotta toiselle pinnalle voidaan tämän jälkeen suorittaa kuviointi.
15. Jonkin patenttivaatimuksista 1-14 mukainen menetelmä, jossa mainitut ensimmäiset urat (200) rajaavat lisäksi kaikkien mainitusta laitekiekosta (100) muodostettavien toimintaelementtien vaakasuuntaiset ääriviivat, jolloin toimintaelementit sisältävät liikkuvia elementtejä ja/tai ripustusrakenteita.
16. Patenttivaatimuksen 15 mukainen menetelmä, jolloin mainitut toimintaelementit käsittävät mitä tahansa seuraavista: liikkuvia massoja, jousia, kampoja, rajoittimia, palkkeja, vipuja ja ripustusrakenteita.
FI20155352A 2015-05-15 2015-05-15 Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä FI126508B (fi)

Priority Applications (11)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20155352A FI126508B (fi) 2015-05-15 2015-05-15 Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä
TW105113943A TWI636949B (zh) 2015-05-15 2016-05-05 多層微機械結構
TW105113941A TWI637900B (zh) 2015-05-15 2016-05-05 多層微機械結構的製造方法
US15/147,197 US9764942B2 (en) 2015-05-15 2016-05-05 Multi-level micromechanical structure
US15/147,233 US9969615B2 (en) 2015-05-15 2016-05-05 Manufacturing method of a multi-level micromechanical structure on a single layer of homogenous material
JP2018511536A JP6558495B2 (ja) 2015-05-15 2016-05-09 マルチレベルマイクロメカニカル構造
EP16725234.5A EP3294664A1 (en) 2015-05-15 2016-05-09 A multi-level micromechanical structure
PCT/IB2016/052630 WO2016185313A1 (en) 2015-05-15 2016-05-09 A multi-level micromechanical structure
CN201680027941.1A CN107667067B (zh) 2015-05-15 2016-05-09 多级微机械结构
EP16725587.6A EP3294665B1 (en) 2015-05-15 2016-05-09 A manufacturing method of a multi-level micromechanical structure
PCT/IB2016/052629 WO2016185312A1 (en) 2015-05-15 2016-05-09 A manufacturing method of a multi-level micromechanical structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FI20155352A FI126508B (fi) 2015-05-15 2015-05-15 Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä

Publications (2)

Publication Number Publication Date
FI20155352A FI20155352A (fi) 2016-11-16
FI126508B true FI126508B (fi) 2017-01-13

Family

ID=56084190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI20155352A FI126508B (fi) 2015-05-15 2015-05-15 Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9969615B2 (fi)
EP (1) EP3294665B1 (fi)
FI (1) FI126508B (fi)
TW (1) TWI637900B (fi)
WO (1) WO2016185312A1 (fi)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015204874A1 (de) * 2015-03-18 2016-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Einrichtung zur Verschwenkung eines Spiegel-Elements mit zwei Schwenk-Freiheitsgraden
US10234476B2 (en) 2015-05-20 2019-03-19 Google Llc Extracting inertial information from nonlinear periodic signals
WO2017004443A2 (en) * 2015-06-30 2017-01-05 Lumedyne Technologies Incorporated Z-axis physical proximity switch
WO2017075413A1 (en) 2015-10-28 2017-05-04 Georgia Tech Research Corporation Comb-driven substrate decoupled annulus pitch/roll baw gyroscope with slanted quadrature tuning electrode
US10234477B2 (en) 2016-07-27 2019-03-19 Google Llc Composite vibratory in-plane accelerometer
US10807863B2 (en) 2017-05-30 2020-10-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing micromechanical structures in a device wafer
DE102018210482B4 (de) * 2018-06-27 2022-07-07 Robert Bosch Gmbh Mikromechanisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements
EP3656733A1 (en) 2018-11-23 2020-05-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for etching recessed structures
JP2020122740A (ja) * 2019-01-31 2020-08-13 セイコーエプソン株式会社 構造体形成方法およびデバイス
CN112093773A (zh) * 2020-09-16 2020-12-18 上海矽睿科技有限公司 一种微机械设备的制备方法
CN113086940B (zh) * 2021-03-25 2024-01-26 武汉敏声新技术有限公司 纳米光机械陀螺仪及其制备方法

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074890A (en) 1998-01-08 2000-06-13 Rockwell Science Center, Llc Method of fabricating suspended single crystal silicon micro electro mechanical system (MEMS) devices
JP2002509808A (ja) 1998-01-15 2002-04-02 キオニックス・インコーポレイテッド 集積大面積ミクロ構造体およびミクロメカニカルデバイス
WO2001053872A1 (en) 2000-01-18 2001-07-26 Cornell Research Foundation, Inc. Single crystal silicon micromirror and array
US6753638B2 (en) 2000-02-03 2004-06-22 Calient Networks, Inc. Electrostatic actuator for micromechanical systems
US6744173B2 (en) 2000-03-24 2004-06-01 Analog Devices, Inc. Multi-layer, self-aligned vertical combdrive electrostatic actuators and fabrication methods
US6887391B1 (en) 2000-03-24 2005-05-03 Analog Devices, Inc. Fabrication and controlled release of structures using etch-stop trenches
US6628041B2 (en) * 2000-05-16 2003-09-30 Calient Networks, Inc. Micro-electro-mechanical-system (MEMS) mirror device having large angle out of plane motion using shaped combed finger actuators and method for fabricating the same
JP2002025245A (ja) * 2000-06-30 2002-01-25 Nec Corp 不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法
US6739189B2 (en) 2001-04-26 2004-05-25 Samsung Electronics Co., Ltd. Micro structure for vertical displacement detection and fabricating method thereof
KR100373739B1 (ko) 2001-05-07 2003-02-26 조동일 단결정 실리콘 웨이퍼 한 장를 이용한 정전형 수직구동기의 제조 방법
US6838738B1 (en) * 2001-09-21 2005-01-04 Dicon Fiberoptics, Inc. Electrostatic control of micro-optical components
US6770506B2 (en) 2002-12-23 2004-08-03 Motorola, Inc. Release etch method for micromachined sensors
TWI234819B (en) 2003-05-06 2005-06-21 Walsin Lihwa Corp Selective etch method for side wall protection and structure formed using the method
US7422928B2 (en) 2003-09-22 2008-09-09 Matsushita Electric Works, Ltd. Process for fabricating a micro-electro-mechanical system with movable components
KR100574465B1 (ko) 2004-05-21 2006-04-27 삼성전자주식회사 수직 단차 구조물의 제작 방법
US7273762B2 (en) 2004-11-09 2007-09-25 Freescale Semiconductor, Inc. Microelectromechanical (MEM) device including a spring release bridge and method of making the same
KR100695153B1 (ko) 2005-06-15 2007-03-14 삼성전자주식회사 수직 콤전극을 구비한 액츄에이터
CA2595755C (en) 2005-11-22 2012-02-07 Kionix, Inc. A tri-axis accelerometer
KR100723416B1 (ko) 2005-12-19 2007-05-30 삼성전자주식회사 선형 대변위 거동이 가능한 수직 콤전극 구조
KR100817813B1 (ko) 2006-04-28 2008-03-31 재단법인서울대학교산학협력재단 실리콘 기판 상에 상이한 수직 단차를 갖는 미세구조물의제조 방법
US7469588B2 (en) 2006-05-16 2008-12-30 Honeywell International Inc. MEMS vertical comb drive with improved vibration performance
US7911672B2 (en) 2006-12-26 2011-03-22 Zhou Tiansheng Micro-electro-mechanical-system micromirrors for high fill factor arrays and method therefore
US20080290494A1 (en) 2007-05-21 2008-11-27 Markus Lutz Backside release and/or encapsulation of microelectromechanical structures and method of manufacturing same
JP2009216693A (ja) 2008-02-13 2009-09-24 Denso Corp 物理量センサ
JP4737276B2 (ja) 2008-11-10 2011-07-27 株式会社デンソー 半導体力学量センサおよびその製造方法
US8418555B2 (en) * 2009-06-26 2013-04-16 Honeywell International Inc. Bidirectional, out-of-plane, comb drive accelerometer
JP4915440B2 (ja) 2009-08-07 2012-04-11 株式会社デンソー 半導体装置の製造方法
US9028628B2 (en) * 2013-03-14 2015-05-12 International Business Machines Corporation Wafer-to-wafer oxide fusion bonding

Also Published As

Publication number Publication date
TWI637900B (zh) 2018-10-11
US9969615B2 (en) 2018-05-15
EP3294665A1 (en) 2018-03-21
FI20155352A (fi) 2016-11-16
EP3294665B1 (en) 2023-10-18
TW201700393A (zh) 2017-01-01
US20160332872A1 (en) 2016-11-17
WO2016185312A1 (en) 2016-11-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI126508B (fi) Monitasoisen mikromekaanisen rakenteen valmistusmenetelmä
TWI628138B (zh) 一種製造一微機電系統結構的方法
JP2007309936A (ja) 改善された振動性能をもつｍｅｍｓ垂直櫛形駆動装置
US9764942B2 (en) Multi-level micromechanical structure
US6694504B2 (en) Method of fabricating an electrostatic vertical and torsional actuator using one single-crystalline silicon wafer
JPH06123632A (ja) 力学量センサ
JP7196891B2 (ja) 密度を高めたｍｅｍｓ素子
FI126516B (fi) Monitasoinen mikromekaaninen rakenne
EP3855116A2 (en) Sensor device and method of fabrication
JP4362739B2 (ja) 振動型角速度センサ
CN104555894B (zh) 深沟槽中感应材料的成膜方法
US6938487B2 (en) Inertia sensor
CN117342516A (zh) 一种mems垂直电极结构的制造方法
KR100643402B1 (ko) 마이크로 센서의 부양체 및 그 제조방법
KR100658202B1 (ko) 마이크로 구조물의 부양체 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
FG Patent granted

Ref document number: 126508

Country of ref document: FI

Kind code of ref document: B