KR100574465B1 - 수직 단차 구조물의 제작 방법 - Google Patents

수직 단차 구조물의 제작 방법 Download PDF

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Abstract

웨이퍼에 완전한 수직단차를 형성하는 수직 단차 구조물 제작 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 수직 단차 구조물 제작 방법은 본 발명에 따른 수직 단차 구조물 제작 방법은 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제1 트렌치(trench)를 형성한 후, 제1 트렌치에 소정의 물질을 주입하는 제1 트렌치 형성 단계, 소정의 웨이퍼에 제1 박막을 증착하여 제2 및 제3 트렌치의 식각 위치를 결정하는 제1 패터닝(patterning)을 수행하고, 제1 박막 및 소정의 웨이퍼에 제2 박막을 증착하여 제3 트렌치의 식각 위치를 잠시 보호하는 제2 패터닝을 수행한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 형성하는 제1 식각 단계, 제2 트렌치의 측면에 보호막을 형성한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 수직 확장하는 제2 식각 단계, 제2 박막을 제거한 후 제2 박막이 제거된 위치에 식각을 수행하여 제3 트렌치를 형성하는 제3 식각 단계 및 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 식각 단계에서 수직 확장된 제2 트렌치 및 제3 트렌치를 수평 확장하는 제4 식각 단계를 포함한다. 본 발명에 따르면, 구조물 사이의 수평간극이 보다 좁혀진다.
수직 단차, 트렌치, 패터닝

Description

수직 단차 구조물의 제작 방법{Method for fabrication of vertical offset structure}
도 1은 종래의 수직 단차 구조물의 일 예를 도시한 도면,
도 2는 종래의 수직 단차 구조물의 다른 예를 도시한 도면,
도 3은 본 발명에 따른 수직 단차 구조물의 제작 방법의 흐름도,
도 4a 내지 도 4f는 수직 단차 구조물의 제작 단계별에 따른 수직 단차 구조물의 단면도,
도 4g는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 수직 단차 구조물의 평면도,
도 4h는 본발명에 사용되는 웨이퍼의 결정방향의 일 예를 도시한 도면,
도 5는 본 발명에 따른 수직 단차 구조물의 제작 방법에 사용되는 패터닝 과정의 일 예를 도시한 도면,
도 6a 내지 도 6d는 도 5의 패터닝의 과정에 따른 구조물의 단면도, 그리고
도 7은 종래의 수직 단차 구조물과 본원 발명에 따른 수직 단차 구조물을 비교하여 도시한 도면이다.
본 발명은 수직 단차 구조물 제작 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 웨이퍼 한 장을 사용하여 소정의 트렌치를 확장하여 수직 단차 구조물을 제작하는 방법에 관한 것이다.
수직 단차 구조물은 MEMS(Micro Electro Mechanical System)을 이용하여 제작된다. MEMS기법은 실리콘 공정을 이용하여 시스템을 마이크로미터 단위의 정교한 형상으로 웨이퍼(기판) 상에 집적, 형성하는 것으로, 이는 반도체 소자 제조 기술을 기초로 한다. MEMS기법으로 제조되는 대표적인 시스템은 이동 물체의 가속도를 감지하는 가속도계, 회전 물체의 회전 속도를 감지하는 각속도계 및 광로 제어가 가능한 광스위치 등이 있다.
수직 단차 구조물의 성능 지표는 구조물 상부면 및 하부면이 완전한 수직 단차를 이루지는 여부와 수직 구동 및 검지 성능의 향상을 위해 수직 단차 구조물간의 수평간격이 얼마나 좁은지 여부에 따라 결정된다.
도 1은 종래의 수직 단차 구조물의 일 예를 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 도면은 미국특허공개공보 US2002/0158293A1에 도시된 수직 단차 구조물의 단면이다. 수직 단차 구조물은 두께가 다른 구조물이 수직으로 단차를 가지는 형상이어야 수직 구동 및 검지의 응용에 있어서 좋은 성능을 갖는다. 그런데 도 1에 도시된 수직 단차 구조물은 구조물 상부면에서는 수직 단차가 발생하지 않고, 하부면에서만 수직 단차가 발생한다. 따라서 도 1에 도시된 수직 단차 구조물은 구조물은 수직 구동 및 검지의 응용에 있어서 성능이 떨어지는 문제점이 있다.
도 2는 종래의 수직 단차 구조물의 다른 예를 도시한 도면이다. 도 2에 도 시된 도면은 미국특허등록공보 US6694504B2에 도시된 수직 단차 구조물의 단면이다. 도 2에 도시된 수직 단차 구조물은 구조물 상부면(upper electrode) 및 하부면(lower electrode)에서 완전한 수직 단차가 발생한다. 그러나 제작공정의 원리상 구조물 상부면과 하부면 사이의 수평간극(gh)이 약 4.5㎛로 제한된다. 수평간극이 제한되므로 수직 단차 구조물의 성능 향상에 한계가 있는 문제점이 있다.
따라서 본 발명의 목적은, 구조물 상부면 및 하부면에서 완전한 수직 단차가 발생하고, 구조물 상부면과 하부면 사이의 수평간극이 보다 좁게 할 수 있는 수직 단차 구조물의 제작 방법을 제공함에 있다.
본 발명에 따른 수직 단차 구조물 제작 방법은 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제1 트렌치(trench)를 형성한 후, 제1 트렌치에 소정의 물질을 주입하는 제1 트렌치 형성 단계, 소정의 웨이퍼에 제1 박막을 증착하여 제2 및 제3 트렌치의 식각 위치를 결정하는 제1 패터닝(patterning)을 수행하고, 제1 박막 및 소정의 웨이퍼에 제2 박막을 증착하여 제3 트렌치의 식각 위치를 잠시 보호하는 제2 패터닝을 수행한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 형성하는 제1 식각 단계, 제2 트렌치의 측면에 보호막을 형성한 후, 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제2 트렌치를 수직 확장하는 제2 식각 단계, 제2 박막을 제거한 후 제2 박막이 제거된 위치에 식각을 수행하여 제3 트렌치를 형성하는 제3 식각 단계 및 소정의 웨 이퍼에 식각을 수행하여 제2 식각 단계에서 수직 확장된 제2 트렌치 및 제3 트렌치를 수평 확장하는 제4 식각 단계를 포함한다.
제1 트렌치에 주입한 소정의 물질, 제1 박막 및 보호막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
제1 트렌치 형성 단계 및 제1 내지 제4 식각 단계에 의하여 상부 구조물, 하부 구조물, 기저 구조물이 형성되며, 상부 구조물과 하부 구조물 사이의 수직간격은 제1 식각 단계에서 형성되는 제2 트렌치 및 상기 제3 트렌치에 의해 결정되며, 상부 구조물과 하부 구조물 사이의 수평간격은 제1 트렌치에 의해 결정되는 것이 바람직하다.
소정의 웨이퍼는 단결정 실리콘 웨이퍼, 특히 결정방향이 (111)인 단결정 실리콘 웨이퍼인 것이 바람직하다.
소정의 물질은 SiO2인 것을 특징으로 하는 것이 바람직하며, 제1 박막은 SixNy 박막인 것이 바람직하며, 제2 박막은 SiO2 박막인 것이 바람직하다.
제1 내지 제3 식각은 건식 식각인 것이 바람직하며, 제4 식각은 습식 식각인 것이 바람직하다. 이 때 습식 식각은 알칼리 용액에서 이루어지는 것이 바람직하다.
삭제
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명이 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3은 본 발명에 따른 수직 단차 구조물의 제작 방법의 흐름도이다. 도 4a 내지 도 4f는 수직 단차 구조물의 제작 단계별에 따른 수직 단차 구조물의 단면도이다. 도 4f를 참조하면, 본 발명에 따른 수직 단차 구조물의 제작 방법에 의하여 제작된 상부 구조물(611 내지 614), 하부 구조물(620) 및 기저 구조물(630)이 도시되어 있다. 상부 구조물(611 내지 614) 및 하부 구조물(620)은 콤(comb) 구조를 이룬다. 도 4g는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 수직 단차 구조물의 평면도이다. 도 4g를 참조하면, A 에서 A'로 연결된 부분에 대한 단면을 도 4a 내지 도 4f에서 도시하였다. 그리고 도 4f에 도시된 단위 피치(unit pitch)에 대한 부분을 도 4g에 표시하였다. 도 4g에서 사선으로 표시한 부분은 전압 인가시 고정되는 부분을 나타낸다. 도 4g를 참조하면, 본 발명에 따른 수직 단차 구조물 중 단위 피치를 중심으로 한 일부분만이 도시되어 있다.
도 3을 참조하면, 소정의 웨이퍼(기판)에 소정 개수의 제1 트렌치(trench)를 식각하고, 식각된 제1 트렌치 각각의 내부에 소정의 물질을 주입한다(S110). 제1 트렌치(311, 312) 사이의 이격 거리는 하부 구조물(620)의 너비(수평 길이)가 된다. 도 4a를 참조하면, 소정의 웨이퍼(300)는 단결정 Si웨이퍼를 이용하는 것이 바람직하나, 단결정 Si웨이퍼에 한정되는 것은 아니다. 도 4h는 본발명에 사용되는 웨이퍼의 결정방향의 일 예를 도시한 도면이다. 웨이퍼의 결정방향은 (111)인 것이 바람직하다. 도 4h를 참조하면, 결정방향이 (111)이라 함은 원점에서 x,y,z축상으로 각각 1인 지점(P)을 연결한 방향을 의미한다.
도 4a를 참조하면, 제1 트렌치 두 개(311, 312)가 예시적으로 도시되어 있다. 제1 트렌치(311, 312)가 웨이퍼(300)에 수직으로 식각된 길이(L1)는 서로 같으며, 웨이퍼(300)로 식각된 제1 트렌치(311, 312)의 가장 아래 부분을 수평으로 이은 선(H2l)은 하부 구조물의 하부에 해당된다. 제1 트렌치(311, 312) 내부에 소정의 물질을 주입하는데, 소정의 물질은 SiO2가 바람직하다. 제1 트렌치(311)의 너비(g)는 상부 구조물(612) 및 하부 구조물(620) 사이의 수평간극이 된다. 제1 트렌치(311)의 너비(g)를 조절함으로써 수평간극을 좁게 할 수 있다.
소정의 웨이퍼 위에 제1 박막을 증착하여 제1 패터닝(patterning)하고, 소정의 웨이퍼 및 제1 박막 위에 제2 박막을 증착하여 제2 패터닝한 후 식각을 수행하여 제2 트렌치를 형성한다(S120). 제1 및 제2 패터닝에 의해 제2 트렌치(321,322) 및 제3 트렌치의 위치(331)가 결정된다. 그리고 제2 박막(316)의 패터닝에 의해 제2 트렌치만 형성할 수 있게 된다. 왜냐하면 제2 박막(316)에 의해 제3 트렌치의 위치(331)에서는 웨이퍼(300)가 식각되지 않기 때문이다. 제2 트렌치(321,322)가 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L2)는 상부 구조물(611 내지 614)의 두께가 된다. 제2 트렌치(321,322)가 웨이퍼(300)에 식각된 길이(L2)는 서로 같으며, 웨이퍼(300)로 식각된 제2 트렌치의 가장 아래 부분을 수평으로 이은 선(H1l)은 상부 구조물(612)의 하부에 해당된다. 상부 구조물(611 내지 614)의 상부는 웨이퍼(300)의 상단면이 된다. 웨이퍼(300)에 제2 트렌치(321,322)를 형성하는 식각은 건식식각을 이용하는 것이 바람직하다. 건식식각을 이용하면 웨이퍼(300)에 수직 방향으로 트렌치가 형성된다.
도 5는 본 발명에 따른 수직 단차 구조물의 제작 방법에 사용되는 패터닝 과정의 일 예를 도시한 도면이다. 도 6a 내지 도 6d는 도 5의 패터닝의 과정에 따른 구조물의 단면도이다. 도 5a 내지 5d는 박막의 패터닝 과정이 일 예를 도시한 도면이다. 박막의 패터닝 과정을 도 5 및 도 6a 내지 6d를 참조하여 설명하면 다음과 같다.
웨이퍼(500)에 박막(식각 마스크 박막)(510)을 증착한다(S210). 박막(510)에 포토 레지스터(520)을 증착한 후 자외선을 주사하여 포토 레지스터(520)를 패터닝한다(S220). 도 6b를 참조하면, 자외선은 포토 마스크(530)을 투과하여 포토 레지스터(520)에 주사되는데, 크롬(531)이 부착된 부분은 투과하지 못한다. 따라서 크롬(531)이 부착되지 않은 포토 마스크(530) 부분만을 투과하여 포토 레지스터(520)에 주사된다. 패터닝된 포토 레지스터 부분(521)을 제거하고 식각을 수행한다(S230). 도 6c를 참조하면, 패터닝된 포토 레지스터 부분(521)에 대응하는 박막 부분(511)이 식각된다. 포토 레지스터를 제거하여 박막을 패터닝한다(S240). 도 6d를 참조하면, 패터닝된 박막(512)이 도시되어 있다. 이러한 과정을 거쳐 박막이 패터닝된다.
제2 트렌치(321,322)의 벽면에 보호막(325, 326)을 형성한 후 식각을 수행하여 제2 트렌치(321,322)를 수직으로 확장한다(S130). 도 4c를 참조하면, 보호막(325, 326)을 형성하는 것은 제2 트렌치(321,322)가 수직으로 확장되는데 도움을 주기 위함이다. 수직으로 확장된 제2 트렌치(321',322')가 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L'2)는 서로 같으며, 웨이퍼(300)로 식각된 제2 트렌치(321',322')의 가장 아래 부분을 수평으로 이은 선(H3h)은 기저 구조물(630)의 상부가 된다. 하부 구조물(620)의 하부와 기저 구조물(630)의 상부의 이격 거리(Hb)는 제2 트렌치(321',322')가 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L'2)에 따라 달라진다. 제2 트렌치(321,322)를 수직으로 확장하기 위해 수행되는 식각은 건식식각을 이용하는 것이 바람직하다.
제2 박막(316)을 제거한 후 식각을 수행하여 제3 트렌치(331)를 형성한다(S140). 도 4d를 참조하면, 제3 트렌치(331)는 제2 박막(도 4b의 316참조)이 제거된 위치에 형성된다. 제3 트렌치(331)를 형성하기 위해 수행되는 식각은 건식식각이 바람직하다. 제3 트렌치(331)의 가장 아래 부분을 수평으로 연장한 선(H2h)은 하부 구조물(620)의 상부에 해당한다. 상부 구조물(612)의 하부와 하부 구조물(620)의 상부의 차(Ha)는 제3 트렌치(331)가 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L3)에 따라 달라진다.
제2 식각 단계에서 확장된 제2 트렌치(321',322') 및 제3 트렌치(331)를 수평확장하는 식각을 수행한다(S150). 여기서의 식각은 트렌치를 수평으로 확장하는 습식식각이 바람직하다. 습식식각은 알칼리 용액에서 이뤄지는 것이 바람직하다. 이러한 습식식각의 결과 얻게 되는 구조물의 단면이 도 4e에 도시되어 있다.
습식식각의 결과 얻게 되는 구조물에 증착된 박막(315, 316) 및 보호막(325, 326)을 제거하면 도 4f에 도시된 구조를 갖는 수직 단차 구조물을 얻게 된다(S160). 도 4f에 도시된 수직 단차 구조물은 웨이퍼(300) 상에 제조되는 수직 단차 구조물의 일부만을 도시한 것이다. 도 4f에 도시된 수직 단차 구조물이 반복되는데, 반복되는 단위 피치(unit pitch)(370)을 표시하였다. 도 4a 및 4f를 참조하면, 상부 구조물(612)과 하부 구조물(620) 사이의 수평간극(g)는 제1 트렌치(311)의 너비와 같음을 알 수 있다.
제1 트렌치가 소정의 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L1), 제1 식각 단계에서 형성된 제2 트렌치가 소정의 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L2), 제2 식각 단계에서 수직 확장된 제2 트렌치가 소정의 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L'2), 제3 트렌치가 소정의 웨이퍼(300)에 식각된 수직 길이(L3)의 크기는 L'2 > L1 > L3 > L2 이다. 이 때 상부 구조물(611 내지 614)의 하부는 소정의 웨이퍼(300) 상부에서 L2을 차감한 위치에 형성되며, 상부 구조물(611 내지 614)의 두께는 L2에 해당한다. 하부 구조물(620)의 상부는 소정의 웨이퍼(300) 상부에서 L3을 차감한 위치에 형성되며, 하부 구조물(620)의 두께는 L1 에서 L3을 차감한 길이에 해당한다. 기저 구조물(630)의 상부는 소정의 웨이퍼(300)의 상부에서 L'2를 차감한 위치에 형성되며, 기저 구조물(630)의 두께는 소정의 웨이퍼(300)의 두께에서 L'2를 차감한 길이에 해당한다. 상부 구조물(611 내지 614)과 하부 구조물(620) 사이의 수평간격은 제1 트렌치(311, 312)의 너비에 해당한다.
본 발명에 따른 제조 방법에 의하여 제조된 수직 단차 구조물은 미국특허공 개공보 US2002/0158293A1에 도시된 수직 단차 구조물에 비하여 완전한 수직 단차를 가지면서, 상부 구조물과 하부 구조물 사이의 수평 간극은 US6694504B2에 비하여 1/4.5로 좁힐 수 있다. 수직 단차 구조물을 구동시키는 일 예를 들면, 상부 구조물과 하부 구조물에 각기 다른 전압을 가하여 구동시킬 수 있다. 이 때 수평 간극이 좁을수록 낮은 전압하에서도 구동이 가능하며, 같은 전압을 가할 경우에 보다 큰 힘이 발생하게 된다. 따라서 본 발명에 따른 수직 단차 구조물은 US6694504B2에 비하여 위에서 언급한 2가지 점에서 보다 개선된 효과를 갖게 된다.
표 1은 US2002/0158293A1에 도시된 수직 단차 구조물(SAIT), US6694504B2에 도시된 수직 단차 구조물(SNU), 본 발명에 따른 수직 단차 구조물(Proposed)를 항목별로 비교한 것이다.
Figure 112004021630998-pat00001
비교한 항목은 박막 수(# of mask), 전극간 최소 가능 간격, 단위 전극 피치(pitch), 전극 단면 구조, 정전용량 변화이다. 도 7은 종래의 수직 단차 구조 물과 본원 발명에 따른 수직 단차 구조물을 비교하여 도시한 도면이다. 도 7을 참조하면, US2002/0158293A1에 도시된 수직 단차 구조물(610), US6694504B2에 도시된 수직 단차 구조물(620), 본 발명에 따른 수직 단차 구조물(630)이 나타나 있다. 그리고 전극간 최소 가능 간격(g) 및 단위 전극 pitch(unit pitch)도 도 7에 나타내었다. 전극간 최소 가능 간격(g)은 상부 구조물(상부 전극) 및 하부 구조물(하부 전극) 사이의 수평간격을 의미한다.
본 발명에 따른 수직 단차 구조물은 수직 구동 및 검지를 위한 수직 콤으로 사용될 수 있다. 보다 구체적으로는 본 발명에 따른 수직 단차 구조물은 가속도계, 각속도계, 마이크로미러 제작 등에 이용될 수 있으며, 마이크로미러는 디스플레이, 스캐너, 광통신 등을 위하여 매우 폭 넓게 연구되고 있다.
이상에서 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 웨이퍼에 식각된 제2 트렌치와 제3 트렌치의 수직 길이를 서로 다르게 함으로써 상부 구조물 및 하부 구조물 사이에 완전한 수직 단차가 발생하는 수직 단차 구조물을 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 의하면, 제1 트렌치의 너비를 조절함으로써 상부 구조물과 하부 구조물 사이의 수평간극이 보다 좁혀진 수직 단차 구조물을 제공할 수 있다.
본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다. 본 발명의 실시예에서는 제1 내지 제3 트렌치로 설명하였지만 트렌치의 수 또는 위치를 달리할 수 있으며, 제1 트렌치 각각의 너비 및 깊이를 다르게 할 수 도 있으며, 제2 트렌치 각각의 너비 및 깊이를 다르게 할 수 있으며, 제3 트렌치의 너비 및 깊이를 다르게 할 수도 있다.

Claims (14)

  1. 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 제1 트렌치(trench)를 형성한 후, 상기 제1 트렌치에 소정의 물질을 주입하는 제1 트렌치 형성 단계;
    상기 소정의 웨이퍼에 제1 박막을 증착하여 제2 및 제3 트렌치의 식각 위치를 결정하는 제1 패터닝(patterning)을 수행하고, 상기 제1 박막 및 상기 소정의 웨이퍼에 제2 박막을 증착하여 제3 트렌치의 식각 위치를 잠시 보호하는 제2 패터닝을 수행한 후, 상기 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 상기 제2 트렌치를 형성하는 제1 식각 단계;
    상기 제2 트렌치의 측면에 보호막을 형성한 후, 상기 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 상기 제2 트렌치를 수직 확장하는 제2 식각 단계;
    상기 제2 박막을 제거한 후 상기 제2 박막이 제거된 위치에 식각을 수행하여 상기 제3 트렌치를 형성하는 제3 식각 단계;
    상기 소정의 웨이퍼에 식각을 수행하여 상기 제2 식각 단계에서 수직 확장된 제2 트렌치 및 상기 제3 트렌치를 수평 확장하는 제4 식각 단계; 및
    상기 제1 트렌치에 주입한 상기 소정의 물질, 상기 제1 박막 및 상기 보호막을 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 트렌치 형성 단계 및 상기 제1 내지 제4 식각 단계에 의하여 상부 구조물, 하부 구조물, 기저 구조물이 형성되며,
    상기 상부 구조물과 상기 하부 구조물 사이의 수직간격은 상기 제1 식각 단계에서 형성되는 상기 제2 트렌치 및 상기 제3 트렌치에 의해 결정되며,
    상기 상부 구조물과 상기 하부 구조물 사이의 수평간격은 상기 제1 트렌치에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 소정의 웨이퍼는 단결정 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 소정의 웨이퍼는 결정방향이 (111)인 단결정 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 소정의 물질은 SiO2인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 박막은 SixNy 박막인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제2 박막은 SiO2 박막인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 식각은 건식 식각인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제4 식각은 습식 식각인 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방 법.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 습식 식각은 알칼리 용액에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직 단차 구조물 제작 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
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