FI113111B - Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator - Google Patents
Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator Download PDFInfo
- Publication number
- FI113111B FI113111B FI20002585A FI20002585A FI113111B FI 113111 B FI113111 B FI 113111B FI 20002585 A FI20002585 A FI 20002585A FI 20002585 A FI20002585 A FI 20002585A FI 113111 B FI113111 B FI 113111B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- piezoelectric
- filter
- resonator
- resonators
- piezoelectric resonator
- Prior art date
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 11
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 9
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 9
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims 28
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 61
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 33
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 26
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 26
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 26
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Chemical compound CC1=C(O)C(=O)CC1 CFAKWWQIUFSQFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000010358 mechanical oscillation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000001837 2-hydroxy-3-methylcyclopent-2-en-1-one Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000000429 Factor XII Human genes 0.000 description 1
- 108010080865 Factor XII Proteins 0.000 description 1
- 229910003781 PbTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001122767 Theaceae Species 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000009172 bursting Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000013047 polymeric layer Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/0023—Balance-unbalance or balance-balance networks
- H03H9/0095—Balance-unbalance or balance-balance networks using bulk acoustic wave devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/54—Filters comprising resonators of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/58—Multiple crystal filters
- H03H9/60—Electric coupling means therefor
- H03H9/605—Electric coupling means therefor consisting of a ladder configuration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Claims (43)
1. Filterkonstruktion (1090, 1100, 1200) som har en särskild impedansniva och som har en första piezoelektrisk resonator (1021a), vars resonansfrekvens är en för-5 sta resonansfrekvens och vilken är kopplad till nämnda filterkonstruktions inlopps-ledare (1030a, 1030b), kännetecknad av att den dessutom innefattar en kedja av pi-ezoelektriska resonatorer för att oka filterkonstruktionens effektbehandlingskapaci-tet, varvid kedjan har ätminstone tva piezoelektriska resonatorer, vilka är kopplade seriellt med den första piezoelektriska resonatom och bildar tillsammans med den 10 första piezoelektriska resonatom en seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgrupp (1020, 1110, 1220), och av att - varje piezoelektriska resonator som hör till nämnda kedja av piezoelektriska resonatorer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso-nansfrekvensen, 15. nämnda piezoelektriska resonatorgrupp (1020, 1110, 1220) är kopplad till filter konstruktionens övriga delar endast via en första piezoelektrisk resonator (1021a) belägen i ena änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp och en andra piezoelektrisk resonator (1021b) belägen i andra änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp, och 20 - impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp är anpas- sad till impedansnivän för filterkonstmktionen. • t
: 2. Filterkonstruktion (1100, 1200) enligt patentkrav 1, kännetecknad av att • ,·' - den dessutom innefattar en andra seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgmpp : 25 (1010, 1210), varvid gruppen har ätminstone tvä piezoelektriska resonatorer, : - varje piezoelektriska resonator som hör till nämnda andra piezoelektriska resona- ; torgrupp har en resonansfrekvens, som är den samma som den andra resonansfre- , . kvensen, - nämnda andra piezoelektriska resonatorgmpp är kopplad till filterkonstruktionens ... 30 övriga delar endast via en tredje piezoelektrisk resonator (101 la) belägen i ena än- ’,,., den av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp och en fjärde piezo- ’ ’ elektrisk resonator (1011b) belägen i andra änden av nämnda seriellt kopplade pie- :.. zoelektriska resonatorgmpp, och :: - impedansen av nämnda andra seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp är ./, 35 anpassad till impedansnivän för filterkonstmktionen. • · t · I
3. Filterkonstruktion enligt patentkrav 2, kännetecknad av att den första reso-nansfrekvensen är väsentligt den samma som den andra resonansfrekvensen. 113111
4. Filterkonstruktion enligt patentkrav 2, kännetecknad av att den första reso-nansfrekvensen är olik den andra resonansfrekvensen.
5. Filterkonstruktion (1090, 1200) enligt patentkrav 2, kännetecknad av att nämnda tredje piezoelektriska resonator (1011a) är kopplad till nämnda filterkon-struktions andra inloppsledare (1030a).
6. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den är en stegfil- 10 terkonstruktion (1100).
7. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att den är en nätfilter-konstruktion (1200).
8. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att nämnda första pie zoelektriska resonator och nämnda andra piezoelektriska resonator är akustiska vo-lymvägsresonatorer.
9. Filterkonstruktion enligt patentkrav 8, kännetecknad av att nämnda piezo-20 elektriska resonatorer, vilka bildar nämnda piezoelektriska resonatorgrupp, är akustiska volymvägsresonatorer. * I
; : 10. Filterkonstruktion enligt patentkrav 9, kännetecknad av att nämnda akustiska •, .: volymvägsresonatorer är bildade pä ett omönstrat skikt av piezoelektriskt material. j. 25
:.: 11. Filterkonstruktion enligt patentkrav 9, kännetecknad av att nämnda akustiska ; : volymvägsresonatorer är bildade pä ett mönstrat skikt av piezoelektriskt material.
12. Filterkonstruktion enligt patentkrav 11, kännetecknad av att nämnda akustiska ; 30 volymvägsresonatorer är bildade i olika segment av piezoelektriskt material. *
13. Filterkonstruktion enligt patentkrav 1, kännetecknad av att nämnda första pie- . zoelektriska resonator och nämnda andra piezoelektriska resonator är akustiska yt- vägsresonatorer. ; ·. 35 .
14. Filterkonstruktion (1090, 1100, 1200), som har en särskild impedansnivä och • I : som har en första akustisk ytvägsresonator (1011a), vars resonansfrekvens är en för sta resonansfrekvens och som är kopplad tili nämnda filterkonstruktions inloppsle- 113111 dare, kännetecknad av att den dessutom innefattar en andra akustisk ytvägsresona-tor (1011b) för att höja filterkonstruktionens effektbehandlingskapacitet, den första elektroden av nämnda första akustiska ytvägsresonator är kopplad tili den första elektroden av nämnda andra akustiska ytvägsresonator och bildar tillsammans med 5 den första akustiska ytvägsresonatom en seriellt kopplad piezoelektrisk resonator-grupp (1010), och av att - varje piezoelektriska resonator som hör tili nämnda grupp av piezoelektriska reso-natorer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso-nansfrekvensen, 10. nämnda piezoelektriska resonatorgrupp är kopplad tili filterkonstruktionens andra delar endast via den första akustiska ytvagsresonatoms andra elektrod och den andra akustiska ytvagsresonatoms andra elektrod, och - impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp är anpas-sad tili impedansnivän för filterkonstruktionen. 15
15. Filterkonstruktion (1100, 1200) enligt patentkrav 14, kännetecknad av att - det dessutom innefattar en andra seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgrupp (1010, 1210), varvid gruppen har ätminstone tvä piezoelektriska resonatorer, - varje piezoelektriska resonator som hör tili den nämnda andra piezoelektriska re-20 sonatorgrupp har en resonansfrekvens, som motsvarar den andra resonansfrekven- sen, - nämnda andra piezoelektriska resonatorgrupp är kopplad tili filterkonstruktionens i i övriga delar endast via en tredje piezoelektrisk resonator (1011a) belägen i ena än- •\ ·' den av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp och via en fjärde : : 25 piezoelektrisk resonator (1011b) belägen i andra änden av nämnda seriellt kopplade : ’ * piezoelektriska resonatorgmpp, och f ; - impedansen av nämnda andra seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp är . * ”. anpassad tili impedansnivän för filterkonstruktionen. .. 30
16. Filterkonstruktion enligt patentkrav 15, kännetecknad av att den första reso- ; nansfrekvensen är väsentligt den samma som den andra resonansfrekvensen. j ’·.
17. Filterkonstruktion enligt patentkrav 15, kännetecknad av att den första reso- : ” ‘: nansfrekvensen är olik den andra resonansfrekvensen. ;·!. 35
’* 18. Filterkonstruktion (1090, 1200) enligt patentkrav 15, kännetecknad av att • nämnda tredje piezoelektriska resonator (1011a) är kopplad tili nämnda filterkon- struktions andra inloppsledare (1030a). 113111
19. Filterkonstruktion enligt patentkrav 14, kännetecknad av att den är en stegfil-terkonstruktion (1100).
20. Filterkonstruktion enligt patentkrav 14, kännetecknad av att den är en nätfil- terkonstruktion (1200).
21. Filterkonstruktion (1090, 1100, 1200), som har en särskild impedansniva och som har en första akustisk volymvägsresonator (1011a), vars resonansfrekvens är en 10 första resonansfrekvens och som är kopplad till nämnda filterkonstruktions inlopps-ledare, kännetecknad av att den dessutom innefattar en andra akustisk volymvägsresonator (1011b) för att höja filterkonstruktionens effektbehandlingskapacitet, den första elektroden av nämnda första akustiska volymvägsresonator är kopplad till den första elektroden av nämnda andra akustiska volymvägsresonator och bildar till-15 sammans med den första akustiska volymvägsresonatom en seriellt kopplad piezoe-lektrisk resonatorgrupp (1010), och av att - varje piezoelektriska resonator som hör till nämnda kedja av piezoelektriska reso-natorer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso-nansfrekvensen, 20. nämnda piezoelektriska resonatorgrupp är kopplad till filterkonstruktionens övriga delar endast via den första akustiska volymvägsresonatoms andra elektrod och den . t andra akustiska volymvägsresonatoms andra elektrod, och • * ‘ I ’ - den första akustiska volymvägsresonatom och den andra akustiska volymvägsreso- ’· ; natom bildas inte genom att använda ett omönstrat piezoelektriskt skikt, och 25. impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp är anpas- ’. : sad till impedansnivän för filterkonstruktionen.
,, / 22. Filterkonstruktion (1100, 1200) enligt patentkrav 21, kännetecknad av att - den dessutom innefattar en andra seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgrupp : : 30 (1010,1210), varvid nämnda grupp har ätminstone tvä piezoelektriska resonatorer, . ’": - varje piezoelektriska resonator som hör till den nämnda andra piezoelektriska re- ,.· sonatorgmpp har en resonansfrekvens, som motsvarar den andra resonansfrekven- » · : ‘ “ sen, : ..: - nämnda andra piezoelektriska resonatorgmpp är kopplad till filterkonstruktionens I’·*; 35 övriga delar endast via en tredje piezoelektrisk resonator (101 la) belägen i ena än- .. : den av nämnda andra seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp och en fjärde piezoelektrisk resonator (1011b) belägen i andra änden av nämnda andra seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp, och 113111 - impedansen av nämnda andra seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp är anpassad tili impedansnivän för filterkonstruktionen.
23. Filterkonstruktion enligt patentkrav 22, kännetecknad av att den första reso-5 nansfrekvensen är väsentligt den samma som den andra resonansffekvensen.
24. Filterkonstruktion enligt patentkrav 22, kännetecknad av att den första reso-nansfrekvensen är olik den andra resonansfrekvensen.
25. Filterkonstruktion (1090, 1200) enligt patentkrav 22, kännetecknad av att nämnda tredje piezoelektriska resonator (1011a) är kopplad tili nämnda filterkon-struktions andra inloppsledare (1030a).
26. Filterkonstruktion enligt patentkrav 21, kännetecknad av att den är en stegfil- 15 terkonstruktion (1100).
27. Filterkonstruktion enligt patentkrav 21, kännetecknad av att den är en nätfil-terkonstruktion (1200).
28. Filterkonstruktion enligt patentkrav 21, kännetecknad av att nämnda första och andra akustiska volymvägsresonatorer är bildade pä ett mönstrat skikt av piezoelektriskt material och kopplas ihop genom att använda ‘' genomföringsöppningar. « 5 l
29. Filterkonstruktion enligt patentkrav 21, kännetecknad av att nämnda första : : ; 25 och andra akustiska volymvägsresonatorer är bildade i olika segment av piezoelekt- riski material.
: 30. Filterkonstruktion (1400), innefattande en första filtergren (1401) för filtrering av en första signal, varvid i nämnda första filtergren finns en första inloppsledare • v. 30 och en första utloppsledare, och en andra filtergren (1402) för filtrering av en andra . * ”. signal, varvid i nämnda andra filtergren finns en andra inloppsledare och en andra utloppsledare och nämnda första utloppsledare är kopplad tili nämnda andra in-> ‘' loppsledare, kännetecknad av att i nämnda första filtergren finns en kedja av piezo- elektriska resonatorer, i nämnda kedja finns ätminstone tvä seriellt kopplade piezo-:'. . 35 elektriska resonatorer, vilka bildar en seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgrupp, , ·. : och av att 113111 - varje piezoelektrisk resonator som hör tili nämnda kedja av piezoelektriska resona-torer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso-nansfrekvensen, - nämnda piezoelektriska resonatorgrupp är kopplad tili den första filtergrenens öv-5 riga delar endast via en första piezoelektrisk resonator belägen i ena änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp och kopplad tili den första inloppsledaren och en andra piezoelektrisk resonator belägen i andra änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp, och - impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp är anpas-10 sad tili impedansnivän för den första filtergrenen.
31. Filterkonstruktion enligt patentkrav 30, kännetecknad av att den första filtergrenens passband är olikt den andra filtergrenens passband.
32. Filterkonstruktion enligt patentkrav 30, kännetecknad av att nämnda första och andra piezoelektriska resonator är akustiska volymvägsresonatorer.
33. Filterkonstruktion enligt patentkrav 30, kännetecknad av att nämnda första och andra piezoelektriska resonator är akustiska ytvägsresonatorer. 20
34. Arrangemang (1500) för att sända och motta radiofrekvenssignaler, innefattan- . de '; ' - första förstärkningsorgan (1503) för att förstärka den första signalen, / ’;' - andra förstärkningsorgan (1505) för att förstärka den andra signalen, och : : 25 - en filterkonstruktion (1400), innefattande en första filtergren (1401) för att filtrera :' r den första signalen och en andra filtergren (1402) för att filtrera den andra signalen, :varvid i nämnda första filtergen firms en första inloppsledare och en första utlopps-'·, ,: ledare, och i nämnda andra filtergrenen firms en andra inloppsledare och en andra utloppsledare, nämnda första utloppsledare är kopplad tili nämnda andra inloppsle-:' -'; 30 dare, nämnda första inloppsledare är ansluten tili de första förstärkningsorganens ut- , lopp och nämnda andra utloppsledare är ansluten tili de andra förstärkningsorganens inlopp, kännetecknat av att i nämnda första filtergren finns en kedja av piezoelekt-: 1' riska resonatorer, innefattande ätminstone tvä seriellt kopplade piezoelektriska reso- : natorer, vilka bildar en grupp av seriellt kopplade piezoelektriska resonatorer, och 35 av att . *, : - varje piezoelektrisk resonator som hör tili nämnda kedja av piezoelektriska resona torer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso-nansfrekvensen, 113111 - nämnda piezoelektriska resonatorgrupp är kopplad tili den första filtergrenens öv-riga delar endast via den första piezoelektriska resonatom belägen i ena änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrupp och kopplad tili den första inloppsledaren och den andra piezoelektriska resonatom belägen i andra änden av 5 nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp, och - impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp är anpas-sad tili impedansnivän för den första filtergrenen.
35. Arrangemang enligt patentkrav 34, kännetecknat av att den första filtergre-10 nens passband är olikt den andra filtergrenens passband.
36. Arrangemang enligt patentkrav 34, kännetecknat av att nämnda första och andra piezoelektriska resonator är akustiska volymvägsresonatorer.
37. Arrangemang enligt patentkrav 34, kännetecknat av att nämnda första och andra piezoelektriska resonator är akustiska ytvägsresonatorer.
38. Arrangemang (1600) för att sända radiofrekvenssignaler, varvid arrangemanget innefattar 20. förstärkningsorgan (1503) för att förstärka en radiofrekvenssignal, och - en filterkonstmktion (1090, 1100, 1200, 1601) för att filtrera en förstärkt radiofre- . kvenssignal, 1; : kännetecknat av att i nämnda filterkonstmktion finns en kedja av piezoelektriska |· ‘ resonatorer, innefattande ätminstone tvä seriellt kopplade piezoelektriska resonato- ' *: : 25 rer, vilka bildar en seriellt kopplad piezoelektrisk resonatorgmpp, och av att ;, i - varje piezoelektriska resonator som hör tili nämnda kedja av piezoelektriska reso- : natorer har en resonansfrekvens, som är väsentligt den samma som den första reso- *. : nansfrekvensen, - nämnda piezoelektriska resonatorgmpp är kopplad tili filterkonstmktionens övriga • ; 30 delar endast via den första piezoelektriska resonatom belägen i ena änden av nämn- , . da seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp och kopplad tili nämnda filter- konstruktions inloppsledare och den andra piezoelektriska resonatom belägen i and-5 " ra änden av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp, och :: - impedansen av nämnda seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgmpp är anpas- :'. *. 35 sad tili impedansnivän för filterkonstruktionen. I » * » t i »
39. Arrangemang enligt patentkrav 38, kännetecknat av att den första filtergrenens passband är olikt den andra filtergrenens passband. 113111
40. Arrangemang enligt patentkrav 38, kännetecknat av att nämnda första och andra piezoelektriska resonatorer är akustiska volymvagsresonatorer.
41. Arrangemang enligt patentkrav 38, kännetecknat av att nämnda första och andra piezoelektriska resonatorer är akustiska ytvägsresonatorer.
42. Förfarande för planering av ett filter, varvid förfarande innefattar följande ske-de: 10. en filterkonstruktion definieras, som innefattar piezoelektriska resonatorer och uppnär frekvensfunktionens börvärde, kännetecknat av att det vidare innefattar följande skeden: - i filterkonstruktionen ersätts den ursprungliga piezoelektriska resonatom, som har en första resonansffekvens, med en grupp piezoelektriska resonatorer, vilka var och 15 en har en resonansfrekvens som är väsentligt den samma som den första resonans-frekvensen, och impedansen av den seriellt kopplade piezoelektriska resonatorgrup-pen är den samma som impedansen av den ursprungliga piezoelektriska resonatom, och 20. antalet piezoelektriska resonatorer i nämnda piezoelektriska resonatorgrupp väljs.
, 43. Förfarande enligt patentkrav 42, kännetecknat av att det dessutom innefattar skeden, i vilka: • ’ - börvärdet för effektbehandlingskapaciteten definieras, 25. effektbehandlingskapaciteten för filterkonstruktionen som innehäller den piezo- ’ i elektriska resonatorgruppen definieras, och :, - frekvensrespons för filterkonstruktionen som innehäller den piezoelektriska reso- : natorgruppen definieras, och av att i skedet för att väljä antalet piezoelektriska resonatorer i nämnda piezo-: 30 elektriska resonatorgrupp görs valet sä att balans uppnäs mellan filterkonstmktio- nens effektbehandlingskapacitet och filterkonstruktionens frekvensrespons. > » • »
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (sv) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator |
| EP11160549A EP2355347A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP11160548A EP2355346A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP11160545A EP2355345A1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| EP01660207A EP1209807B1 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-19 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| US09/989,020 US6741145B2 (en) | 2000-11-24 | 2001-11-20 | Filter structure and arrangement comprising piezoelectric resonators |
| JP2001359859A JP3996379B2 (ja) | 2000-11-24 | 2001-11-26 | 圧電共振子を含むフィルタ構造および構成 |
| JP2007128094A JP4654220B2 (ja) | 2000-11-24 | 2007-05-14 | 圧電共振子を含むフィルタ構造 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (sv) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator |
| FI20002585 | 2000-11-24 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20002585A0 FI20002585A0 (sv) | 2000-11-24 |
| FI20002585A FI20002585A (sv) | 2002-05-25 |
| FI113111B true FI113111B (sv) | 2004-02-27 |
Family
ID=8559575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20002585A FI113111B (sv) | 2000-11-24 | 2000-11-24 | Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6741145B2 (sv) |
| EP (4) | EP2355346A1 (sv) |
| JP (2) | JP3996379B2 (sv) |
| FI (1) | FI113111B (sv) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI118400B (sv) * | 2001-08-21 | 2007-10-31 | Nokia Corp | Filterstruktur med piezoelektriska resonatorer |
| DE10160617A1 (de) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Epcos Ag | Akustischer Spiegel mit verbesserter Reflexion |
| JP3952464B2 (ja) * | 2002-02-27 | 2007-08-01 | Ｔｄｋ株式会社 | デュプレクサ |
| JP2003298392A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Fujitsu Media Device Kk | フィルタチップ及びフィルタ装置 |
| JP3879643B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2007-02-14 | 株式会社村田製作所 | 圧電共振子、圧電フィルタ、通信装置 |
| JP2004173245A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-06-17 | Murata Mfg Co Ltd | ラダー型フィルタ、分波器、および通信機 |
| JP3963824B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2007-08-22 | 富士通メディアデバイス株式会社 | フィルタ素子、それを有するフィルタ装置、分波器及び高周波回路 |
| JP3827232B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2006-09-27 | Ｔｄｋ株式会社 | フィルタ装置およびそれを用いた分波器 |
| US20050093652A1 (en) * | 2003-10-31 | 2005-05-05 | Qing Ma | Size scaling of film bulk acoustic resonator (FBAR) filters using impedance transformer (IT) or balun |
| US7082655B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-08-01 | Ge Inspection Technologies, Lp | Process for plating a piezoelectric composite |
| JP2005311568A (ja) * | 2004-04-20 | 2005-11-04 | Sony Corp | フィルタ装置及び送受信機 |
| JP4303178B2 (ja) * | 2004-08-31 | 2009-07-29 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性表面波装置 |
| DE102004058064A1 (de) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Siemens Ag | Biochemisches Halbleiterchiplabor mit angekoppeltem Adressier- und Steuerchip und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US7274275B2 (en) * | 2005-06-10 | 2007-09-25 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bandpass filter network and method for bandpass filtering signals using multiple acoustic resonators |
| DE102005027715B4 (de) * | 2005-06-15 | 2020-01-02 | Snaptrack, Inc. | Elektroakustischer Resonator, Filter, Duplexer und Verfahren zur Bestimmung von Parametern eines Resonators |
| DE602006009929D1 (de) | 2005-06-20 | 2009-12-03 | Murata Manufacturing Co | Piezoelektrischer dünnschichtfilter |
| US20070057772A1 (en) * | 2005-09-09 | 2007-03-15 | Honeywell International Inc. | Hybrid SAW/BAW sensor |
| US7868715B2 (en) * | 2005-10-27 | 2011-01-11 | Kyocera Corporation | Duplexer and communication apparatus using the same |
| US7535323B2 (en) * | 2006-07-10 | 2009-05-19 | Skyworks Solutions, Inc. | Bulk acoustic wave filter with reduced nonlinear signal distortion |
| KR100777451B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2007-11-21 | 삼성전자주식회사 | 박막 벌크 음향 공진기 필터 및 듀플렉서 |
| WO2008126473A1 (ja) * | 2007-04-11 | 2008-10-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 圧電薄膜フィルタ |
| US7548140B2 (en) * | 2007-04-16 | 2009-06-16 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Bulk acoustic wave (BAW) filter having reduced second harmonic generation and method of reducing second harmonic generation in a BAW filter |
| DE102008003820B4 (de) * | 2008-01-10 | 2013-01-17 | Epcos Ag | Frontendschaltung |
| US8198958B1 (en) * | 2009-03-30 | 2012-06-12 | Triquint Semiconductor, Inc. | Power amplifier matching RF system and method using bulk acoustics wave device |
| KR101663010B1 (ko) * | 2010-11-09 | 2016-10-06 | 삼성전자주식회사 | Ｒｆ용 매칭 세그먼트 회로 및 이를 이용한 ｒｆ통합 소자 |
| US9300038B2 (en) | 2010-12-10 | 2016-03-29 | Peregrine Semiconductor Corporation | Method, system, and apparatus for resonator circuits and modulating resonators |
| EP3944497A3 (en) * | 2010-12-10 | 2022-03-30 | pSemi Corporation | A tunable acoustic wave resonator module and method of tuning an acoustic wave filter |
| KR101959204B1 (ko) * | 2013-01-09 | 2019-07-04 | 삼성전자주식회사 | 무선 주파수 필터 및 무선 주파수 필터의 제조방법 |
| DE102014112676A1 (de) | 2014-09-03 | 2016-03-03 | Epcos Ag | Filter mit verbesserter Linearität |
| JP2016195305A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-17 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波フィルタ、分波器、およびモジュール |
| WO2019028288A1 (en) * | 2017-08-03 | 2019-02-07 | Akoustis, Inc. | ELLIPTICAL STRUCTURE FOR VOLUME ACOUSTIC WAVE RESONATOR |
| JP7084739B2 (ja) * | 2018-02-21 | 2022-06-15 | 太陽誘電株式会社 | マルチプレクサ |
| CN112385144A (zh) * | 2018-07-03 | 2021-02-19 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置 |
| DE102018131054B4 (de) * | 2018-12-05 | 2020-10-08 | RF360 Europe GmbH | Mikroakustisches HF-Filter |
| US11424732B2 (en) | 2018-12-28 | 2022-08-23 | Skyworks Global Pte. Ltd. | Acoustic wave devices with common ceramic substrate |
| WO2020133316A1 (zh) * | 2018-12-29 | 2020-07-02 | 天津大学 | 一种拆分结构谐振器 |
| WO2021127521A1 (en) * | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Qorvo Us, Inc. | Resonator structure for mass sensing |
| WO2022010843A1 (en) * | 2020-07-08 | 2022-01-13 | Kampanics, L.L.C. | Dual thickness-shear mode resonator structures for frequency control and sensing |
| US20220052664A1 (en) * | 2020-08-17 | 2022-02-17 | RF360 Europe GmbH | Lateral feature control for reducing coupling variation |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2045991A (en) * | 1931-09-19 | 1936-06-30 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
| US2222417A (en) * | 1938-09-24 | 1940-11-19 | Bell Telephone Labor Inc | Wave filter |
| JPH0697727B2 (ja) * | 1985-03-27 | 1994-11-30 | 株式会社日立製作所 | 弾性表面波フィルタ |
| JPS63132515A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-04 | Hitachi Ltd | 弾性表面波複合フイルタ |
| US5231327A (en) | 1990-12-14 | 1993-07-27 | Tfr Technologies, Inc. | Optimized piezoelectric resonator-based networks |
| JP2800905B2 (ja) * | 1991-10-28 | 1998-09-21 | 富士通株式会社 | 弾性表面波フィルタ |
| US5373268A (en) | 1993-02-01 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Thin film resonator having stacked acoustic reflecting impedance matching layers and method |
| JPH0774584A (ja) * | 1993-09-01 | 1995-03-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| US5692279A (en) * | 1995-08-17 | 1997-12-02 | Motorola | Method of making a monolithic thin film resonator lattice filter |
| JP3296158B2 (ja) * | 1995-09-01 | 2002-06-24 | 株式会社村田製作所 | 圧電薄膜振動子 |
| JPH09205343A (ja) * | 1996-01-24 | 1997-08-05 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP3720930B2 (ja) * | 1996-11-18 | 2005-11-30 | 株式会社東芝 | 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法 |
| JP3241293B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | 弾性表面波素子およびこれを用いた分波器 |
| US5910756A (en) | 1997-05-21 | 1999-06-08 | Nokia Mobile Phones Limited | Filters and duplexers utilizing thin film stacked crystal filter structures and thin film bulk acoustic wave resonators |
| US5949306A (en) * | 1997-12-02 | 1999-09-07 | Cts Corporation | Saw ladder filter with split resonators and method of providing same |
| JPH11251871A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-17 | Oki Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波分波器の受信用フィルタ |
| EP1030448B1 (en) * | 1998-05-19 | 2013-11-06 | Panasonic Corporation | Saw filter, antenna sharing device using the same, and mobile communication terminal using the same |
| FI113211B (sv) * | 1998-12-30 | 2004-03-15 | Nokia Corp | Balanserad filterkonstruktion och teleapparat |
| US6262637B1 (en) * | 1999-06-02 | 2001-07-17 | Agilent Technologies, Inc. | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) |
| DE19931297A1 (de) | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
| JP2001156588A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP4352572B2 (ja) * | 2000-04-03 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | アンテナ共用器 |
| GB0014630D0 (en) | 2000-06-16 | 2000-08-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Bulk accoustic wave filter |
| US6542055B1 (en) | 2000-10-31 | 2003-04-01 | Agilent Technologies, Inc. | Integrated filter balun |
-
2000
- 2000-11-24 FI FI20002585A patent/FI113111B/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-11-19 EP EP11160548A patent/EP2355346A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 EP EP11160549A patent/EP2355347A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 EP EP11160545A patent/EP2355345A1/en not_active Withdrawn
- 2001-11-19 EP EP01660207A patent/EP1209807B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-20 US US09/989,020 patent/US6741145B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-11-26 JP JP2001359859A patent/JP3996379B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-14 JP JP2007128094A patent/JP4654220B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002198777A (ja) | 2002-07-12 |
| EP1209807A3 (en) | 2008-10-08 |
| EP2355347A1 (en) | 2011-08-10 |
| EP2355346A1 (en) | 2011-08-10 |
| JP3996379B2 (ja) | 2007-10-24 |
| FI20002585A0 (sv) | 2000-11-24 |
| JP2007267405A (ja) | 2007-10-11 |
| EP2355345A1 (en) | 2011-08-10 |
| FI20002585A (sv) | 2002-05-25 |
| US20020093394A1 (en) | 2002-07-18 |
| US6741145B2 (en) | 2004-05-25 |
| EP1209807A2 (en) | 2002-05-29 |
| EP1209807B1 (en) | 2012-01-11 |
| JP4654220B2 (ja) | 2011-03-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI113111B (sv) | Filterstruktur och arrangemang med piezoelektriska resonator | |
| EP1673860B1 (en) | Ladder-type thin-film bulk acoustic wave filter | |
| EP1058383B1 (en) | Duplexer incorporating thin-film bulk acoustic resonators (FBARs) | |
| Bradley et al. | A film bulk acoustic resonator (FBAR) duplexer for USPCS handset applications | |
| FI108583B (sv) | Resonatorstrukturer | |
| CN1503451B (zh) | 滤波器元件以及包含它的滤波器器件、双工器和高频电路 | |
| US6927649B2 (en) | Component working with acoustic waves and having a matching network | |
| CN100511998C (zh) | 基于耦合baw谐振器的双工器 | |
| FI118400B (sv) | Filterstruktur med piezoelektriska resonatorer | |
| US7535322B2 (en) | Monolithic RF filter | |
| CN1739237B (zh) | 具有等谐振频率的谐振滤波器结构 | |
| Kim et al. | AlN microresonator-based filters with multiple bandwidths at low intermediate frequencies | |
| KR100649497B1 (ko) | 불평형-평형 입출력 구조의 ｆｂａｒ필터 | |
| CN116545406A (zh) | 用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器 | |
| JP2005529535A (ja) | 調整可能なフィルタおよび周波数調整方法 | |
| Kaitila et al. | ZnO based thin film bulk acoustic wave filters for EGSM band | |
| WO2004066495A1 (en) | Circuit arrangement providing impedance transformation | |
| US20220321099A1 (en) | Tiled transversely-excited film bulk acoustic resonator high power filters | |
| Zuo et al. | Novel electrode configurations in dual-layer stacked and switchable ALN contour-mode resonators for low impedance filter termination and reduced insertion loss | |
| Ha et al. | Novel 1-chip FBAR filter for wireless handsets | |
| Yun-Kwon et al. | Fabrication of monolithic 1-Chip FBAR duplexer for W-CDMA handsets | |
| KR20200025471A (ko) | 적층 pcb 제조 공법을 이용한 fbar 듀플렉서 설계 방법 및 그 방법으로 제작된 fbar 듀플렉서 | |
| Muller et al. | A high performance WCDMA hybrid differential BAW filter | |
| Campanella et al. | RFMEMS resonators and filters built in thick oxide insulator (TOI) A1N platform |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC | Transfer of assignment of patent |
Owner name: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LT Free format text: AVAGO TECHNOLOGIES WIRELESS IP (SINGAPORE) PTE. LTD. |
|
| MM | Patent lapsed |