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Biochemisches
Halbleiterchiplabor mit angekoppeltem Adressier- und Steuerchip
und Verfahren zur Herstellung desselben
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Die
Erfindung betrifft ein biochemisches Halbleiterchiplabor mit angekoppeltem
Adressier- und Steuerchip vorzugsweise für pharmazeutische Analysen
und Verfahren zur Herstellung derselben Durchführung der Analysen.
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Aus
der Druckschrift
DE 199 44 452 ist
ein Positionsdetektor mit akustischen Oberflächenwellen bekannt, wobei die
Position einer Probe auf einer Oberfläche mit Hilfe des Oberflächenwellendetektors und
eines in der Frequenz variablen Oberflächenwellenübertragers ermittelt wird.
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Darüber hinaus
sind aus der Druckschrift
DE 10
2004 025 269 Biozellen auf einem Biosubstrat bekannt, wobei
das Chipsubstrat eine Glasplatte aufweist, die eine Vielzahl von
Analysepositionen besitzt, an denen biochemische Proben abgelegt
werden, welche mit einer Analyseflüssigkeit untersucht werden,
wobei optische Fluoreszenzerscheinungen ein Andocken von Kettenmolekülen in der
Analyselösung
die Moleküle
auf den Analysepositionen anzeigen. Ein derartiges "Labor in Miniaturformat" weist Analyseinseln
auf, die mit unterschiedlichen genetischen Substanzen beschichtet
werden, und anschließend
werden die Reaktionen dieser bis zu 400 unterschiedlichen Genproben
in dem Labor in Miniaturformat und ihre Reaktionen auf einen Wirkstoff bzw.
einen Analysestoff überprüft.
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Mit
derartigen Laboren in Miniaturformat können Untersuchungen von Entzündungen,
von verschiedenen Krebsarten, von neurologischen Erkrankungen, von
multipler Sklerose im Rahmen von pharmazeutischen oder diagnostischen
Untersuchungen eingesetzt werden. Außerdem können derartige Labore in Miniaturformat
in der Lebensmittelforschung, der Vaterschaftsanalyse, der Phorensik, der
Prädispositions-Diagnostik
oder auch für
höhere Resistenzuntersuchungen
eingesetzt werden. Dazu werden heutzutage optische Erfassungsmechanismen,
wie die Fluoreszenz, eingesetzt. Für weitere Anwendungen im Bereich
der Molekularuntersuchungen von DNA-Hybriden oder Proteinen mit
Antikörperreaktionen
sind optische Erfassungsmechanismen sowohl in ihrer Auflösung als
auch in Bezug auf ihre Analyseparameter oft nicht ausreichend. Darüber hinaus
ist ein Nachteil dieser Labore in Miniaturformat, dass sie mit herkömmlichen
Halbleiterfertigungstechniken nicht kompatibel sind.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, ein biochemisches Halbleiterchiplabor mit
angekoppeltem Adressier- und Steuerchip vorzugsweise für pharmazeutische
Analysen und Verfahren zur Herstellung derselben anzugeben, bei
dem Halbleiterfertigungstechniken zum Einsatz kommen und eine Vielzahl
unterschiedlicher biochemischer Proben positioniert, erfasst und
entsprechende elektronisch erfasste Signale charakterisiert und
ausgewertet werden können. Insbesondere
sollen diese Halbleiterchiplabors mit angekoppeltem Adressier- und
Steuerchip für DNA-Analysen
(Desoxyribonukleinsäure-Analysen) oder
RNA-Analysen (Ribonukleinsäure-Analysen) einsetzbar
sein.
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Diese
Aufgabe wird mit dem Gegenstand der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.
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Erfindungsgemäß wird ein
biochemisches Halbleiterchiplabor mit angekoppeltem Adressier- und
Steuerchip für
biochemische, insbesondere pharmazeutische Analysen geschaffen.
Dabei weist ein Halbleitersensorchip eine Vielzahl von Analysepositionen
für biochemische
Proben auf, die in einer Matrix angeordnet sind. Dieser Halbleiterchipsensor ist
auf dem Adressier- und Steuerchip angeordnet, wobei die Analysepositionen über niederohmige Durchkontakte
durch das Halbleiterchipsubstrat des Halbleitersensorchips mit einer
Leiterbahnstruktur auf der Oberseite des Adressier- und Steuerchips elektrisch
in Verbindung stehen.
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Dieses
Halbleiterchiplabor hat den Vorteil, dass sowohl der Halbleitersensorchip
als auch der Adressier- und Steuerchip mit halbleitertechnischen Fertigungsschritten
herstellbar sind. Jedoch wurde der Halbleitersensorchip dahingehend
modifiziert, dass er über
seine Rückseite
an den Adressier- und Steuerchip angeschlossen ist. Dazu erfolgt
die Kontaktierung auf der Rückseite
dieses Halbleitersensorchips und wird über einen niederohmigen Durchkontakt
mit der Oberseite, welche die Analysepositionen trägt, elektrisch
verbunden.
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Diese
Durchkontakte können
vorteilhafter Weise bereits auf der Halbleiterwaferebene hergestellt
werden, indem entweder Durchgänge
in den Halbleiterwafer geätzt
werden, die anschließend
mit Metall wie Kupfer aufgefüllt
werden, oder durch eine hohe Dotierung des Halbleitersubstrats in
den für
den Durchkontakt vorgesehenen Gebieten des Siliziumwafers vorgenommen
wird. Dabei kann eine komplementäre
Dotierung in der Nachbarschaft des Durchkontaktes zur Isolation
der Durchkontakte von dem Siliziumsubstrat zusätzlich erfolgen. Auch ein Dünnschleifen
des Wafers von der Rückseite
her kann sich anschließen,
um einerseits die Durchkontakte freizulegen und andererseits den
Halbleiterwafer zu dünnen.
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Dabei
basiert das biochemische Sensorprinzip auf einem FBAR-Resonator (film bulk
acoustic wave resonator), der Massenunterschiede, Dichteänderungen
und Viskositätsveränderungen
auf einer biochemisch präparierten
Oberfläche
erfassen kann. Das Prinzip dieser biochemischen Sensoranalyse wird
in den nachfolgenden Figuren näher
erläutert. Im
Prinzip werden zu analysierende Moleküle auf der Oberfläche des
Halbleitersensors des Halbleiterchiplabors in den Analysepositionen
fixiert und einer Flüssigkeit
ausgesetzt, die Analysemoleküle
aufweist. Abhängig
von der chemischen Struktur der Analysemoleküle werden diese chemisch an
die Probenmoleküle
angedockt oder nicht. Daraus ergibt sich eine Änderung der Masse, der Dichte
und/oder der Viskosität
auf der Sensoroberfläche
und kann als Änderung
der Oszillationsfrequenz des FBAR-Resonators erfasst werden.
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Ein
weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Halbleiterchiplabors besteht
darin, dass es mit Resonanzschwingungsfrequenzen der Größenordnung von
Gigahertz arbeitet, im Gegensatz zu den auf Glasplatten basierenden
oben erwähnten
Laboren in Miniaturformat, die im Megahertzbereich arbeiten. Mit
der erhöhten
Resonanzfrequenz ist eine deutlich erhöhte Auflösung verbunden. Darüber hinaus
ist es leicht möglich,
eine Sensormatrix aus FBAR-Resonatoren herzustellen, da diese Resonatoren
mit Standard Siliziumtechniken gefertigt werden können. Mit
einem derartigen Halbleiterchiplabor wird auch ein höherer Durchsatz
für pharmazeutische
Experimente erreicht, und vor allem wird durch die Kombination mit
einem Adressier- und Steuerchip ein vollständig automatisiertes Halbleiterchiplabor
verwirklicht. Vorzugsweise wandelt der Halbleitersensorchip Masse-
und Dichteänderungen
biochemischer Proben in Resonanzfrequenzänderungen um, so dass diese
als elektrische Signale von dem zugeordneten Adressier- und Steuerchip
erfasst werden können.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung weisen die FBAR-Resonatorstrukturen piezoelektrische
Elemente mit FBAR-Resonanzfrequenzen im Gigahertzbereich auf. Da
wie oben erwähnt
die Auflösung
der Sensoren mit der Schwingungsfrequenz quadratisch ansteigt, ist
eine Erhöhung
der Frequenz, insbesondere für
hochauflösende
Systeme, von großem
Vorteil. Die piezoelektrischen Elemente weisen eine Schicht aus
Aluminiumnitrid, die sandwichartig zwischen zwei Metallelektroden
angeordnet ist, auf. Die obere Elektrode ist dabei mit einer biochemischen
Kopplungsschicht aus Siliziumnitrid bedeckt. Dabei wird die Resonanzfrequenz
des Resonators durch die Dicke der piezoelektrischen Schicht aus
Siliziumnitrid bestimmt und zusätzlich
von der Masse der Elektrode.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung sind unter den piezoelektrischen Elementen mehrere
akustische Reflektorschichten für
BAW-Wellen (bulk acoustic waves) angeordnet. Diese akustischen Reflektorschichten
weisen im Wechsel Schichten von hoher Impedanz und Schichten von
niedriger Impedanz auf, wobei die Schichten aus niedriger Impedanz
als akustische Spiegel aus Wolfram vorzugsweise aufgebaut sind.
Die Schichten aus niedriger Impedanz bestehen vorzugsweise aus Siliziumdioxid,
wenn die Analysepositionen auf einem Silizium-Halbleitersubstrat
angeordnet sind. Diese akustischen Reflektorschichten sollen das Substrat
von den Vibrationen der piezoelektrischen Elemente entkoppeln.
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In
einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung ist zwischen den piezoelektrischen Elementen und dem
Halbleitersubstrat ein Hohlraum zur Entkopplung von BRW-Wellen ange ordnet.
Durch einen Hohlraum kann ebenfalls die Vibration der FBAR-Resonatoren
von dem Substrat entkoppelt werden.
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Weiterhin
ist es vorgesehen, dass der Adressier- und Steuerchip zur Aufnahme
und zur Auswertung von Resonanzfrequenzänderungen im Gigahertzbereich
Schaltungen aufweist, die auf komplementären MOS-Transistoren basieren.
Derartige CMOS-Halbleiterchips
können
als Basischips für
das Halbleiterchiplabor dienen, wobei durch das Aufsetzen des Halbleitersensorchips
auf die Oberseite des CMOS-Halbleiterchips eine deutliche Verringerung des
Abstandes zwischen aktiven Bauelementen und Sensoren bzw. Aktoren
des Halbleitersensorchips mit der damit verbundenen verbesserten
Auflösung vorteilhaft
ist. Außerdem
besteht die Möglichkeit, eine
große
Matrix mit einer Vielzahl von Analysepositionen des Halbleitersensorchips
durch Oberflächenmontage
mit dem Adressier- und Steuerchip niederohmig zu verbinden.
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Entscheidend
für die
enge Kopplung von CMOS-Halbleiterchip mit dem Sensorchip sind die niederohmigen
Durchkontakte jeder der Analysepositionen von der Oberseite des
Halbleitersensorchips durch das Substrat des Halbleitersensorchips
hindurch bis zur Oberseite des Adressier- und Steuerchips mit seiner
Leiterbahnstruktur. Dazu weisen die niedrigen Durchkontakte nach
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung hochdotierte Durchgangsbereiche durch die Dicke des
Halbleitersubstrats von der Oberseite zu der Rückseite des Halbleitersensorchips
auf.
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Diese
Durchgangsbereiche können
bereits auf dem Halbleiterwafer durch entsprechend hohe Dotierungen
an den besonderen Durchgangsstellen für die Durchkontakte eindiffundiert
oder ionenimplantiert werden. Diese hochdotierten Durchgangsberei che
können
von komplementär
dotierten Bereichen des Halbleitersubstrats umgeben sein. Wenn der
Leitungstyp des hochdotierten Durchkontaktes der gleiche Leitungstyp
wie der Leitungstyp des niedrigdotierten Halbleitersubstrats ist,
so kann ein Bereich mit komplementärer Dotierung vorgesehen werden,
der den Bereich des Durchkontaktes umgibt, um sicherzustellen, dass
es keine Rückkopplungen über das
schwach dotierte Halbleitersubstrat gibt.
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Bei
einer weiteren Ausführungsform
der Erfindung weisen die niederohmigen Durchkontakte ein metallisch
leitendes Material auf, das in Durchgängen von der Oberseite zu der
Unterseite des Halbleitersubstrats in den Analysepositionen angeordnet
ist. Dazu können
entsprechende Durchgänge
in den Halbleiterwafer eingebracht werden, deren Wände zunächst mit
einer Isolationsschicht, vorzugsweise aus SiO2,
beschichtet werden. Anschließend
werden die Durchgänge
mit Kupfer oder anderen Metallen galvanisch aufgefüllt.
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Ein
Verfahren zur Herstellung eines biochemischen Halbleiterchiplabors
aus einem Halbleitersensorchip und einem Adressier- und Steuerchip weist
die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden niederohmige Durchkontakte
von der Oberseite eines Halbleitersubstrats zu der Unterseite des
Halbleitersubstrats in entsprechend vorgesehenen Analysepositionen
eines Halbleitersensorchips oder eines Halbleiterwafers vorgesehen.
Anschließend
wird eine Vielzahl von Analysepositionen für biochemische Proben in einer
Matrix auf dem Halbleitersubstrat unter Ausbilden eines Halbleitersensorchips
aufgebracht.
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Unabhängig von
der Herstellung des Halbleitersensorchips wird ein Adressier- und
Steuerchip mit Leiterbahnstruktur und mit Kontaktanschlussflächen für den Anschluss
der Durchkontakte eines Halbleitersensorchips auf der Oberfläche des
Adressier- und Steuerchips
hergestellt. Sobald die beiden Halbleiterchipkomponenten des Halbleiterchiplabors in
entsprechenden halbleitertechnischen Fertigungsanlagen hergestellt
sind, wird der Halbleitersensorchip mit seinen oberflächenmontierbaren
niederohmigen Durchkontakten auf die Kontaktanschlussflächen der
Leiterbahnstruktur des Adressier- und Steuerchips aufgebracht. Anschließend wird
das hergestellte Halbleiterchiplabor in eine Kunststoffgehäusemasse
unter Freilassen der Analysepositionen des Halbleitersensorchips
eingebettet.
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Dieses
Verfahren hat den Vorteil, dass ein Halbleiterchiplabor entsteht,
bei dem sich die integrierten Schaltungen zur Adressierung und Steuerung
in unmittelbarer Nähe
der Sensoren und Aktoren befinden. Ferner ermöglicht das Verfahren eine einfache
und in der Ausbeute optimierte Realisierung derartiger Halbleiterchiplabors.
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Ein
Verfahren zur biochemischen Analyse unter Verwendung des Halbleiterchiplabors
gemäß den vorhergehenden
Ausführungen,
weist die nachfolgenden Verfahrensschritte auf. Zunächst werden biochemische
Proben auf die Analysepositionen des Halbleiterchiplabors aufgebracht.
Anschließend
wird eine erste Resonanzfrequenz in den Analysepositionen ermittelt,
und diese erste Resonanzfrequenz wird unter den Adressen des Adressier-
und Steuerchips gespeichert.
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Anschließend wird
eine Analyselösung
auf die biochemischen Proben, die auf den Analysepositionen fixiert
sind, aufgebracht. Bei der chemischen Reaktion in Form von Andocken
von Molekülen
aus der Analyselösung
an die biochemischen Proben verändern
sich die Dichte und die Masse und eventuell auch die Viskositäten in den
einzelnen Analysepositionen, nachdem die Analyselösung unter
Zurücklassung
dieser Reaktionsprodukte entfernt ist. Danach wird eine zweite Resonanzfrequenz
in den Analysepositionen ermittelt und diese zweite Resonanzfrequenz
wird wieder unter den Adressen des Adressier- und Steuerchips gespeichert.
Schließlich
werden die Differenzen der ermittelten ersten und zweiten Resonanzfrequenz
in der Adressier- und Steuerchipeinheit gebildet und die Differenz
der Resonanzfrequenzen wird ausgewertet, um die Änderungen in der Masse- und/oder
der Dichte und/oder der Viskosität
der biochemischen Proben zu bestimmen.
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Mit
diesem Verfahren können
in vorteilhafter Weise die bisher üblichen optischen DNA-Untersuchungen
durch automatisierte elektronische Halbleiterchiplabore ausgeführt werden,
so dass eine optimierte und objektive Aussage über das Andocken unterschiedlicher
Analysemoleküle
an die entsprechenden DNA-Proben
ohne die aufwändigen
optischen Untersuchungen erfolgen kann. Dieses gewährleistet auch,
dass die Analysegeschwindigkeit um ein Vielfaches gegenüber den
herkömmlichen
DNA-Analysen erhöht werden
kann, womit ebenfalls ein größerer Durchsatz
in den Labors möglich
wird. In einer weiteren bevorzugten Durchführung des Verfahrens werden
auf den Analysepositionen Vergleichs- und/oder Eichproben hinterlegt,
um eine Standardisierung zu ermöglichen.
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Die
Erfindung wird nun anhand der beigefügten Figuren näher erläutert.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip gemäß einer ersten
Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition;
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2 zeigt
eine zweite Ausführungsform
der Erfindung durch ein Halbleitersensorchip gemäß einer zweiten Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition;
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3 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip gemäß einer dritten
Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition;
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4 zeigt
eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitersensorchip im Bereich
einer Analyseposition;
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5 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips gemäß 1 im Bereich
des piezoelektrischen Elements;
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6 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips einer
vierten Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition;
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7 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips einer
fünften
Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition;
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8 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip vor
einem Verbinden mit einem Adressier- und Steuerchip zu einem Halbleiterchiplabor;
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9 zeigt
eine perspektivische Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung;
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10 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch eine Analyseposition mit aufgebrachter Analyselösung;
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11 zeigt
eine Prinzipskizze mit Andocken eines DNA-Indikators an eine DNA-Probe;
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12 zeigt
eine Prinzipskizze eines Bereitstellens einer zu analysierenden
DNA-Probe;
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13 zeigt
eine Prinzipskizze eines Andockens eines DNA-Indikators auf einer Analyseposition
an eine DNA-Probe;
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14 zeigt
eine Prinzipskizze von DNA-Indikatoren angedockt an DNA-Proben auf
einer Analyseposition;
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15 zeigt
eine Prinzipskizze eines Bereitstellens von zu analysierenden DNA-Proben;
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16 zeigt
eine Prinzipskizze eines Abweisens von DNA-Indikatoren auf einer Analyseposition;
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17 zeigt
eine Prinzipskizze einer nicht-markierten DNA-Probe auf einer Analyseposition;
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18 zeigt
eine Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors nach Aufnahme einer
biochemischen Probe mit Schaltungen des Adressier- und Steuerchips;
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19 zeigt
eine Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors nach Andocken von
Analysemolekülen
an biochemische Moleküle
der Probe;
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20 zeigt
eine Prinzipskizze eines Aufbringens einer Analyselösung auf
eine Analyseposition;
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21 zeigt
eine Prinzipskizze des Aufbringens einer Analyselösung auf
mehrere Analysepositionen;
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22 zeigt
eine Prinzipskizze eines Umschaltens von einer Analyseposition zu
der nächsten Analyseposition.
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1 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip 3 gemäß einer ersten
Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition 4. In der
Analyseposition 4 weist der Halbleitersensorchip 3 auf
seinem Halbleitersubstrat 6 ein piezoelektrisches Element 28 in
Form einer aus Aluminiumnitrid bestehenden Schicht auf, die von
einer oberen Elektrode 29 und einer unteren Elektrode 30 sandwichartig
eingeschlossen ist. Auf der oberen Elektrode 29 befindet
sich eine biochemische Probe 5. Die Elektroden 29 und 30 sind über niederohmige
Durchkontakte 7 mit der Rückseite 22 des Halbleitersubstrats 6 verbunden.
In dieser ersten Ausführungsform
des Halbleitersensorchips 3 weist der Halbleitersensorchip 3 zwei
Reflektorschichten 11 und 12 aus Wolfram auf,
die voneinander durch Siliziumdioxidschichten isoliert sind und
als akustische Reflektoren dienen, um die Oberseite 21 des Halbleitersubstrats 6 von
den Vibrationen des Halbleitersensorchips 3 im Gigahertzbereich
zu entkoppeln.
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2 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleiterchip 13 gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition 4. Komponenten
mit gleichen Funktionen wie in 1 werden
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Die zweite
Version weist Durchkontakte 7 zur Rückseite 22 des Halbleitersubstrats 6 auf,
um die Möglichkeit zu
eröffnen,
den Halbleitersensorchip 13 durch Oberflächenmontage
auf einen hier nicht gezeigten Adressier- und Steuerchip anzubringen
und über
die Durchkontakte 7 elektrisch mit einer Leiterbahnstruktur
dieses Adressier- und Steuerchips zu verbinden. Die mechanische
Entkopplung zwischen dem piezoelektrischen Element 28 und
dem darunter angeordneten Halbleitersubstrat 6 wird in
dieser zweiten Ausführungsform
der Erfindung nicht durch Reflektorschichten erreicht, sondern durch
einen Hohlraum 14, der zwischen dem Halbleitersubstrat 6 und
dem piezoelektrischen Element 28 angeordnet ist.
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3 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip 23 gemäß einer
dritten Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analyseposition 4. Komponenten
mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Auch
in der dritten Ausführungsform
ist kennzeichnend, dass Durchkontakte 7 die oberen und
unteren Elektroden 29 und 30 des piezoelektrischen
Elements 28 über
Durchkontakte 7 mit der Rückseite 22 des Halbleitersubstrats 6 verbinden,
so dass von der Rückseite 22 aus
die Elektroden 29 und 30 des piezoelektrischen
Elements 28 gesteuert werden können und Signale auf der Rückseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 an die Schaltungen des nicht gezeigten
Adressier- und Steuerchips geleitet werden können. Die Entkopplung des Halbleiter substrats 6 von
dem piezoelektrischen Element 28 wird durch eine Aussparung 48 im
Halbleitersubstrat 6 erreicht.
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4 zeigt
eine schematische Draufsicht auf ein Halbleitersensorchip 3 im
Bereich einer Analyseposition 4. Die Analyseposition 4 weist
eine größere Fläche auf
als die biochemische Probe 5, da Kompartierungselemente 35 in
Form eines Kunststoffrahmens die biochemische Probe 5 begrenzen. Das
Halbleitersubstrat 6 mit seinen Durchkontakten 7 kann
auch mehrlagig ausgebildet sein und Verdrahtungslagen aufweisen.
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Das
piezoelektrische Element besteht weitestgehend aus der oben erwähnten Aluminiumnitridschicht.
Die obere Elektrode des piezoelektrischen Elementes und die untere
Elektrode des piezoelektrischen Elements weisen Metalle, vorzugsweise
Kupfer, auf, wobei die obere Metallelektrode mit einer Siliziumnitridschicht
versehen ist, um sie vor Korrosion durch die zu untersuchende biochemische
Probe 5 zu schützen
und ein fixieren von Makromolekülen
auf der oberen Metallelektrode zu ermöglichen. Die Reflektorschichten 11 und 12 der
ersten Ausführungsform
der Erfindung gemäß 1 sind
in einem Abstand von annähernd λ/4 angeordnet
und bilden einen Wechsel aus Schichten mit niedriger Impedanz und
mit hoher Impedanz aus. Die Durchkontaktierung ist in den drei Ausführungsformen
der 1 bis 3 zweigeteilt und weist in einem
oberen Bereich Durchkontaktierungen durch aktive Schichten und in einem
unteren Bereich Durchkontaktierungen durch das Halbleitersubstrat 6 auf.
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5 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips 3 gemäß 1 im Bereich
des piezoelektrischen Elements 28. Dieses piezoelektrische
Element 28 aus Aluminiumnitrid ist als Schicht sandwichartig
zwischen zwei Metall elektroden 29 und 30 angeordnet
und weist in dieser Ausführungsform
der Erfindung einen Durchmesser d von etwa 150 μm auf. Die obere Elektrode 29 ist
in dieser Ausführungsform
der Erfindung mit einer die biochemische Probe 5 koppelnden
Schicht aus Siliziumnitrid beschichtet. Die Resonanzfrequenz des
Resonators wird durch die Dicke der piezoelektrischen Schicht und
der Masse der Elektrode 29 sowie die Masse der biochemischen
Probe 5 beeinflusst.
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Um
zu vermeiden, dass Energie in das Substrat fließt, sind akustische Spiegel,
die mit einem optischen Bragg-Reflektor vergleichbar sind, aus mehreren
Schichten mit alternierender niedriger und hoher akustischer Impedanz
unter der unteren Elektrode 30 des piezoelektrischen Elements 28 angeordnet.
Mit dieser Anordnung wird ein Gütefaktor
Q von mehr als 500 gegenüber
Luft für
diese Struktur erreicht. Die Änderung
der Oszillatorfrequenz ist in einer ersten Näherung proportional zu der Änderung der
gesamten Masse des Sensors. Da diese Oszillatorfrequenz umgekehrt
proportional zu der Gesamtmasse steigt, ergibt sich eine höhere Empfindlichkeit für eine höhere Resonanzfrequenz.
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Doch
auch Dichteänderungen
und/oder Viskositätsänderungen
beeinflussen die Auflösung
des Halbleiterchipsensors 3 aufgrund der gleichen Verschiebungsrichtung
für die
sich ergebenden Resonatorfrequenzen. Andere Einflüsse wie
die Temperatur und die Fehlanpassung vermindern die Auflösung und
müssen
deshalb minimiert werden. Derartige Einflüsse können im Prinzip unter Verwendung
von weiteren Referenzanalysepositionen vermindert werden, die keine
biochemischen Proben 5 aufweisen. Somit kann die Fehlanpassung
abgezogen werden, während
die Temperatur für
die Referenzposition und damit der Einfluss der Temperatur kompensiert
wird. Es verbleibt dann als Hauptbe schränkung für die Auflösung das thermische Rauschen
des Sensors, das hauptsächlich
von dem Gütefaktor
Q, wie oben erwähnt,
abhängt.
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Der
Sensor hat den Vorteil, dass er relativ unempfindlich gegen Lösungsmittel
zur Oberflächenpräparation
vor einem Aufgeben der biochemischen Proben 5 ist. Die
dadurch verursachte Frequenzverschiebung geht gegen Null. Die Übertragung
der Messwerte über
einen niederohmigen Durchkontakt 7 wird dadurch gewährleistet,
dass einmal der Durchkontakt 7 in seinem oberen Bereich
durch aktive Schichten hindurchgeführt wird, und im Bereich des Halbleitersubstrats 6 wird
der niederohmige Durchkontakt 7 aus einem metallisch leitenden
Material 19 von einer Isolationsschicht 27 umgeben,
um Kurzschlüsse
und Kopplungen mit benachbarten Analysepositionen 4 über das
Halbleitersubstrat 6 zu vermeiden.
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6 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips 43 einer
fünften Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analysenposition 4. Komponenten
mit gleichen Funktionen wie in den vorhergehenden Figuren werden
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Die
Elektroden 29 und 30 des piezoelektrischen Elementes 28 werden
durch das Halbleitersubstrat 6 über niederohmige Durchkontakte 7 geführt, die
in Durchgänge 20 eingebracht
wurden. Die Wandungen dieser Durchgänge 20 sind mit einer
Isolationsschicht 27 versehen, welche den elektrisch leitenden
Bereich aus einem elektrisch leitenden Metall wie Kupfer umgeben
und somit eine elektrische Verbindung zu dem Halbleitersubstrat 6 unterbinden.
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Mit
diesem Querschnitt wird weiterhin die Struktur des Halbleitersensorchips 33 im
Bereich einer Analyseposition 4 auf der Unterseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 im Detail dargestellt. Der Durchkontakt 7 geht über in eine
Leiterbahnstruktur, die mit mehreren Kontaktflächen 37 auf der Unterseite
des Halbleiterchipsensors 33 in Verbindung steht. Die Kontaktflächen 37 können eine
metallische Legierung oder eine leitende Klebstoffschicht aufweisen. Somit
kann der Halbleitersensorchip 33 mit seinen auf der Rückseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 angeordneten Kontaktflächen 37 auf
einem hier nicht gezeigten Adressier- und Steuerchip oberflächenmontiert
werden. Der zusätzliche
Prozessaufwand für
die Herstellung der niederohmigen Durchkontakte 7 in einem
Halbleiterwafer umfasst die nachfolgenden Verfahrensschritte:
- 1. Definition und Ätzen des Durchgangs 20,
der auch die Form eines Grabens aufweisen kann;
- 2. Oxidation der Seitenwände
des Durchgangs 20 unter Bildung einer SiO2-Schicht
als Isolationsschicht 27;
- 3. Auffüllen
des Durchgangs 20 mit metallisch leitendem Material 19 und
Entfernen des Metalls außerhalb
des Durchgangs 20;
- 4. Herstellen von Verbindungen zwischen Durchkontakt 7 und
Elektroden 29 und 30 des BAW-Sensors und/oder
BAW-Aktors;
- 5. Dünnschleifen
des Halbleiterwafers.
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7 zeigt
einen schematischen Querschnitt des Halbleitersensorchips 43 einer
fünften Ausführungsform
der Erfindung im Bereich einer Analysenposition 4. Komponenten
mit gleichen Funktionen wie in 6 werden
mit gleichen Bezugszeichen gekennzeichnet und nicht extra erörtert. Der
Unterschied zwischen der vierten Ausführungsform gemäß 6 und
der fünften
Ausführungsform gemäß 7 besteht
darin, dass kein metallischer Durchkontakt 7 in dem Halbleitersubstrat 6 vor gesehen
ist, sondern ein hochdotierter Durchgangsbereich 15 mit
einer Dotierung, die komplementär
zu der Dotierung des Halbleitersubstrats 6 sein kann. Weist
der Durchgangsbereich 15 den gleichen Leitungstyp wie das
Halbleitersubstrat 6 auf, dann wird zusätzlich ein komplementär dotierter
Bereich 18 vorgesehen, der den hochdotierten Durchgangsbereich 15 umgibt.
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Eine
derartige Dotierung des Halbleitersubstrats 6 kann durch
Diffusion von Akzeptoren oder von Donatoren durch einen Halbleiterwafer
hindurch erzeugt werden. Der hochdotierte Durchgangsbereich 15 weist
danach eine Störstellenkonzentration von
1020 cm–3 bis
1022 cm–3 auf.
Der zusätzliche
Prozessaufwand für
die Herstellung eines derartigen niederohmigen Durchgangsbereichs 15 in
einem Halbleiterwafer umfasst die nachfolgenden Verfahrensschritte:
- 1. Definition und Dotierung des Durchgangsbereichs 15;
- 2. Optimale komplementäre
Dotierung um den Durchgangsbereich 15 herum;
- 3. Herstellen von Verbindungen zwischen Durchgangsbereichen 15 und
Elektroden 29 und 30 des BAW-Sensors und/oder
BAW-Aktors;
- 4. Dünnschleifen
des Halbleiterwafers.
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8 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch ein Halbleitersensorchip 3 vor
einem Verbinden mit einem Adressier- und Steuerchip 2 zu einem
Halbleiterchiplabor 1. Der Adressier- und Steuerchip 2 weist
CMOS-Schaltungen auf. Sobald der Halbleitersensorchip 3 mit
seinen Kontaktflächen 37 auf
der Rückseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 des Sensorchips 3 auf die
Kontaktanschlussflächen 24 des
Adressier- und Steuerchips 2 aufgesetzt und mit diesen über die
elektrisch leitende Klebstoffschicht 38 verbunden ist,
stehen die beiden Halbleiterchips elektrisch miteinander in Verbindung.
Dazu werden die Schaltungselemente des Adressier- und Steuerchips 2 über die
Leiterbahnstruktur 8 mit den Kontaktflächen 37 des Halbleitersensorchips 3 elektrisch verbunden.
Zur Präparation
der Rückseite 17 des Halbleitersensorchips 3 und
der Oberseite 9 des Adressier- und Steuerchips 2 sowie
für die
Oberflächenmontage
werden nachfolgende Prozessschritte zusätzlich durchgeführt:
- 1. Aufbringen einer Isolationsschicht aus SiO2 und/oder Si3N4 und Ätzen
der Kontaktbereiche auf der Rückseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 bzw. Halbleiterwafers;
- 2. Aufbringen von Kontaktflächen 37 auf
der Rückseite 22 des
Halbleitersubstrats 6 bzw. Halbleiterwafers und Kontaktdefinition;
- 3. Präparation
der Kontaktflächen 37 des
Halbleitersensorchips 3 und der Kontaktanschlussflächen 24 des
Adressier- und Steuerchips 2 mit leitfähigem Klebstoff oder mit Metallschichten
zur späteren
Bildung einer Legierung nach Formation der Verbindungen und anschließendes Entfernen unnötiger Bereiche
außerhalb
der Kontaktflächen 37 bzw.
der Kontaktanschlussflächen 24;
- 4. Plazieren des Halbleitersensorchips 3 mit FBAR-Struktur 10 auf
dem Adressier- und Steuerchip 2 mit CMOS-Schaltungen;
- 5. Erhitzen der platzierten Halbleiterchips 2 und 3 in
einem Ofen zur Formung einer leitfähigen mechanisch stabilen Verbindung
zwischen den Kontaktflächen 37 und
den Kontaktanschlussflächen 24.
-
Die
Oberseite 9 des Adressier- und Steuerchips 2 hat
eine größere flächige Erstreckung
als die Oberseite 16 des Halb leitersensorchips, so dass der
Adressier- und Steuerchip 2 gleichzeitig den Schaltungsträger für das Halbleitersensorchip
bildet. In dieser Darstellung der 8 ist zwar
nur eine einzelne Analyseposition 4 symbolisch gezeigt,
in Wirklichkeit jedoch weist die Oberseite 16 des Halbleitersensorchips 3 eine
Vielzahl derartiger Analysepositionen 4 auf, die mit dem
Adressier- und Steuerchip 2 in Verbindung stehen. Das Adressier-
und Steuerchip 2 dient dabei der Erfassung der Differenzen
in der Resonanzfrequenz der piezoelektrischen Elemente in den Analysepositionen 4.
Dabei wird erfasst, ob biochemische Proben mit Indikatormolekülen von
entsprechenden Analysenlösungen
reagiert haben und somit ihre Viskosität, ihre Masse und/oder ihre
Dichte verändert
oder nicht verändert
haben.
-
9 zeigt
eine perspektivische Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors 1 einer
ersten Ausführungsform
der Erfindung. Auf dem Halbleitersensorchip 3 wird durch
Punkte angedeutet, dass auf der Oberseite 16 des Halbleitersensorchips 3 eine
beliebig hohe Anzahl an Analysepositionen 4 angeordnet werden
können.
Mit einer Pipette 39 werden zunächst biochemische Proben 5 auf
die Analysepositionen 4 aufgebracht. Nach Verdampfen des
Lösungsmittels
haften die Moleküle
der biochemischen Proben 5, wie beispielsweise DNA-Sequenzen
auf den Analysepositionen. Mit einer weiteren Pipette 39 wird anschließend entweder
auf einzelne oder auf alle biochemischen Proben 5 eine
Analyselösung 26 aufgebracht,
die Indikatormoleküle
aufweist, welche an die Moleküle
der biochemischen Proben 5 andocken können.
-
Ob
die biochemischen Proben 5 mit den Indikatormolekülen der
Analyselösung 26 reagiert
haben, kann durch die Änderung
der Resonanzfrequenz der piezoelektrischen Elemente 28 in
den A nalysepositionen 4 festgestellt werden. Dazu werden die
Signale über
hier nicht gezeigte niederohmige Durchkontakte durch das Halbleitersubstrat 6 des Halbleitersensorchips 3 an
entsprechende CMOS-Schaltungen des Adressier- und Steuerchips 2 geleitet.
Da die Anschlüsse
für die
einzelnen Analysepositionen 4 über die Rückseite 17 des Halbleitersensorchips 3 erfolgen,
kann auf die Analysepositionen 4 der Oberseite 16 des
Halbleitersensorchips 3 frei zugegriffen werden. Der in 9 gezeigte
Aufbau eines Halbleiterchiplabor 1 kann zum Schutz der CMOS-Schaltungen
in eine Kunststoffgehäusemasse 25 unter
Freilassung der Analysepositionen 4 eingegossen werden.
Um die Analysepositionen 4 gegenüber Nachbarn abzugrenzen, weist
das Halbleiterchiplabor 1 Kompartierungselemente 35 in
Form eines gitterförmigen
Rahmens aus einer Kunststoffgehäusemasse 25 auf.
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10 zeigt
einen schematischen Querschnitt durch eine Analyseposition 4 mit
aufgebrachter Analyselösung 26.
Diese Analyselösung 26 füllt die
Analyseposition 4 voll auf und bedeckt die obere Elektrode 29 des
piezoelektrischen Elements 28 aus einer Aluminiumnickelschicht.
Diese obere Elektrode 29 weist eine Beschichtung 40 aus
Siliziumnitrid auf, die ein Verankern der biochemischen Proben 5 auf der
Elektrode 29 bewirken. Die biochemische Probe 5 besteht
in dieser Ausführungsform
der Erfindung aus DNA-Sequenzen, die als Moleküle an die Beschichtung 40 angelagert
sind.
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In
der Analyselösung 26 sind
Indikatormoleküle 42,
die an die DNA-Sequenz 41 andocken können, wenn sie zu dieser Sequenz 41 passen,
wie es im rechten Beispiel der 10 gezeigt
wird. Die Indikatormoleküle 42 docken
nicht an, wenn die Indikatormoleküle 42 eine Sequenz
aufweisen, die nicht zu der DNA-Sequenz 41 passt.
Anschließend
wird die Analyselösung 26 ent fernt,
und es bleiben auf dem piezoelektrischen Element 28 bzw.
auf der Beschichtung 40 die Moleküle der biochemischen Probe 5 und die
angedockten Moleküle
zurück,
was zu einer Änderung
der Resonanzfrequenz führt.
Werden hingegen keine Moleküle
angedockt, so bleibt praktisch die Resonatorfrequenz, wie sie vorher
gemessen wurde, unverändert.
Haben entsprechend viele Indikatormoleküle 42 an die Probenmoleküle 41 angedockt,
so ändert
sich die Masse auf der oberen Elektrode 29 und damit verschiebt
sich die Resonatorfrequenz, was durch die angekoppelten CMOS-Schaltungen des
Adressier- und Steuerchips 2 erfasst werden kann. Die Kompartierungselemente 35 umgeben jede
der Analysepositionen 4 und sorgen dafür, dass die Analyselösung 26 gezielt
auf eine der Analysepositionen 4 abgegeben werden kann.
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Die 11 bis 17 zeigen
Einzelbeispiele für
das Andocken und Nicht-Andocken von Indikatormolekülen an Probemoleküle.
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11 zeigt
eine Prinzipskizze mit Andocken eines Indikatormoleküls 42 an
eine DNA-Sequenz 41. Das Indikatormolekül 42 kann zusätzliche Indikatorsequenzen 43 aufweisen,
die den Masseanteil erhöhen,
so dass mit derartigen Indikatormolekülen 42 aufgrund der
erhöhten
Masse eine höhere
Selektivität
erreicht werden kann. Andererseits können die zusätzlichen
Indikatorsequenzen 43 besondere optische Eigenschaften
aufweisen, die genutzt werden, um die Messergebnisse weiter zu stützen.
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12 zeigt
eine Prinzipskizze eines Bereitstellens einer zu analysierenden
DNA-Probe
5. Hier sind lediglich zwei Moleküle einer
DNA-Sequenz
41 gezeigt, die auf der oberen Elektrode
29 des
piezoelektrischen Elements
28 verankert sind. Jedoch können eine
Vielzahl derartiger Moleküle
gleicher DNA- Sequenzen
41 als
biochemische Probe
5 auf der oberen Elektro
de 29 des piezoelektrischen Elementes
28 angeordnet
sein. Die Zusammensetzung der Analyselösung
26 wird nun in
den folgenden Beispielen variiert.
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13 zeigt
eine Prinzipskizze eines Andockens eines DNA-Indikators auf einer Analyseposition 4 an
eine DNA-Sequenz 41. In dem linken Fall werden die in der
Analyselösung 26 angeordneten
Indikatormoleküle 42 an
die DNA-Sequenz 41 angedockt, während in dem rechts gezeigten
Fall die in der Analyselösung 26 enthaltenen
zweiten Indikatormoleküle 42 nicht
zu der DNA-Sequenz 41 passen und folglich in der Lösung 26 verbleiben
und beim anschließenden
Spülgang
mit der Lösung 26 weggespült werden,
so dass nur eine der beiden Indikatormolekülarten 42 akzeptiert
wird.
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14 zeigt
eine Prinzipskizze eines Andockens eines DNA-Indikators auf einer Analyseposition 4 an
DNA-Proben. In diesem Fall werden gleich mehrere gleichartige DNA-Sequenzen 41 mit
entsprechenden Indikatormolekülen 42 versehen,
so dass sich die Masse, die Viskosität und/oder die Dichte der biochemischen
Probe 5 auf der oberen Elektrode 29 des piezoelektrischen
Elements 28 derart erhöht,
dass sich eine messbare Resonanzfrequenzdifferenz Δf ergibt.
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15 zeigt
eine Prinzipskizze eines Bereitstellens von zu analysierenden DNA-Proben 5 auf
einer Analysenposition 4. Dieses Bereitstellen wird durch
Beaufschlagen der Analysenposition 4 mit einer biochemischen
Probe 5 durchgeführt,
wobei diese Probe 5 in Form von DNA-Sequenzen 41 auf
der beschichteten Oberseite der oberen Elektrode 29 haften
bleibt.
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Solange
als Analyselösung 26 lediglich
Spüllösungen aufgebracht
werden, oder Lösungen,
die exakt diese DNA-Sequenzen 41 aufweisen, setzen sich
diese DNA-Sequenzen 41 auf den Elektroden 29 fort
und das Lösungsmittel
der Analyselösung 26 kann
eingedampft oder abgespült
werden, um eine zähviskose
oder feste biochemische Probe 5 auf der Oberseite 16 der
Analysenposition 4 zu hinterlassen. Anschließend wird
eine weitere Analyselösung 26 mit entsprechenden
Indikatormolekülen
auf die Oberseite 16 des Halbleitersensorchips aufgebracht
und je nach Art der darin angeordneten Indikatormoleküle deren
Andockmöglichkeiten
analysiert.
-
Im
Fall der 16 ergibt es sich, dass keines der
Indikatormoleküle 42 zu
der DNA-Sequenz 41 passt. Die Indikatormoleküle 42 werden
somit mit dem Lösungsmittel
der Analyselösung 16 weggespült.
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Als
Ergebnis zeigt 17 eine Prinzipskizze einer
nicht-markierten
DNA-Probe 5 auf einer Analyseposition 4. In diesem
Fall haben die Indikatormoleküle
in der Analyselösung 26 die
DNA-Sequenzen 41 nicht markiert, so dass sich nach Entfernen
der Analyselösung 26 die
gleiche Resonatorfrequenz ergibt wie mit der ursprünglichen
biochemischen Probe 5.
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18 zeigt
eine Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors 1 nach Aufnahme
einer biochemischen Probe 5 mit Schaltungen des Adressier-
und Steuerungschips 2. Dabei entspricht das biochemische
Halbleiterchiplabor 1 den oben erörterten Beispielen. In den
Analysenpositionen 4 sind auf der Oberseite 16 des
Halbleitersensorchips 3 biochemische Moleküle 32 angeordnet,
wobei die Schaltungen des unter dem Sensorchip 3 angeordneten Adressier-
und Steuerchip 2 schematisch durch eine strichpunktierte
Linie markiert werden, und die CMOS-Schaltungen in Blöcke 46 und 47 aufgegliedert
sind.
-
Der
Block 47 stellt einen Frequenzgenerator dar, der parallel
zum Ausgang eine Induktivität 45 aufweist,
und der über
Leiterbahnen 44 einerseits mit dem Halbleitersensorchip 3 und
andererseits mit einer Detektorschaltung 47 für Amplitude
und Phase der Ausgangssignale verbunden ist, die in Pfeilrichtung
A von dem Adressier- und Steuerchip 2 weitergegeben werden.
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19 zeigt
eine Prinzipskizze eines Halbleiterchiplabors 1 nach Andocken
von Analysemolekülen 31 an
die biochemischen Moleküle 32.
Nach dem Andocken der Analysemoleküle 31 an die biochemischen
Moleküle 32 verändert sich
die Masse, und/oder die Viskosität
und/oder die Dichte des biochemischen Probenmaterials auf der Oberseite 16 des
Halbleitersensorchips 3 in den einzelnen Analysepositionen 4,
was wiederum eine Resonatorfrequenzänderung zur Folge hat, die
von der Detektorschaltung 47 in Pfeilrichtung A ausgegeben
wird.
-
20 zeigt
eine Prinzipskizze des Aufbringens einer Analyselösung 26 auf
eine Analyseposition 4 eines Halbleitersensorchips 3.
Die Ausbreitung der Analyselösung 26 wird
durch Kompartierungselemente 35 begrenzt, so dass einzelne
Analysenpositionen 4 mit der Analyselösung 26 versorgt werden können.
-
21 zeigt
eine Prinzipskizze des Aufbringens einer Analyselösung 26 auf
mehrere Analysepositionen 4. Bei dieser Ausführungsform
der Erfindung sind die einzelnen Analysepositionen 4 des
biochemischen Halbleiterchiplabors 1 nicht durch Kompartierungselemente
begrenzt, so dass sich die Analyselösung 26 über sämtliche
Analysepositionen 4 des Halbleitersen sorchips 3 ausbreiten
kann. Jede der Analysepositionen 4 steht über Durchkontakte 7 mit
dem Adressier- und Steuerchip 2 in Verbindung, das CMOS-Schaltungen
aufweist, um Resonatorfrequenzdifferenzen zu erfassen. Dabei kann
der Adressier- und
Steuerchip 2 Schieberegister aufweisen, die in Zeit- und
Längenabständen von Δ1 die Erfassung
der Messwerte von einer Analyseposition 4 zur nächsten Analyseposition
durchschalten, wie es 22 zeigt.
-
- 1
- biochemisches
Halbleiterchiplabor
- 2
- Adressier-
und Steuerchip
- 3
- Halbleitersensorchip
(1. Ausführungsform)
- 4
- Analyseposition
- 5
- biochemische
Probe
- 6
- Halbleitersubstrat
- 7
- niederohmiger
Durchkontakt
- 8
- Leiterbahnstruktur
- 9
- Oberseite
des Adress- und Steuerchips
- 10
- BAW-Filterstruktur
bzw. FBAR-Resonator
- 11
- Reflektorschicht
- 12
- Reflektorschicht
- 13
- Halbleitersensorchip
(2. Ausführungsform)
- 14
- Hohlraum
- 15
- hochdotierter
Durchgangsbereich
- 16
- Oberseite
des Halbleitersensorchips
- 17
- Rückseite
des Halbleitersensorchips
- 18
- komplementär dotierter
Bereich
- 19
- Metallisch
leitendes Material
- 20
- Durchgang
- 21
- Oberseite
des Halbleitersubstrats
- 22
- Rückseite
des Halbleitersubstrats
- 23
- Halbleitersensorchip
(3. Ausführungsform)
- 24
- Kontaktanschlussflächen des
Adressier- und Steuerchips
- 25
- Kunststoffgehäusemasse
- 26
- Analyselösung
- 27
- Isolationsschicht
- 28
- piezoelektrisches
Element
- 29
- obere
Elektrode des piezoelektrischen Elementes
- 30
- untere
Elektrode des piezoelektrischen Elementes
- 31
- Analyse-
bzw. Indikatormoleküle
- 32
- biochemische
Moleküle
- 33
- Halbleitersensorchip
(4. Ausführungsform)
- 35
- Kompartierungselement
- 37
- Kontaktfläche
- 38
- elektrisch
leitende Klebstoffschicht
- 39
- Pipette
- 40
- Beschichtung
der Elektrode 29
- 41
- DNA-Sequenz
- 42
- Indikatormolekül
- 43
- Halbleitersensorchip
(5. Ausführungsform)
- 44
- elektrische
Leiterbahn
- 45
- Induktivität
- 46
- Block
mit Frequenzgenerator
- 47
- Block
mit Detektor für
Amplitude und Phase
- 48
- Aussparung
im Halbleitersubstrat
- d
- Durchmesser
der piezoelektrischen Elemente
- Δf
- Resonanzfrequenzdifferenz