ES2719594T3 - Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo - Google Patents

Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo Download PDF

Info

Publication number
ES2719594T3
ES2719594T3 ES06795610T ES06795610T ES2719594T3 ES 2719594 T3 ES2719594 T3 ES 2719594T3 ES 06795610 T ES06795610 T ES 06795610T ES 06795610 T ES06795610 T ES 06795610T ES 2719594 T3 ES2719594 T3 ES 2719594T3
Authority
ES
Spain
Prior art keywords
lens
light emitting
individual
distance
subassembly
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
ES06795610T
Other languages
English (en)
Inventor
Walter Daschner
Xina Quan
Nanze Wang
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds Holding BV
Original Assignee
Lumileds Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumileds Holding BV filed Critical Lumileds Holding BV
Application granted granted Critical
Publication of ES2719594T3 publication Critical patent/ES2719594T3/es
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B15/00Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B15/02Illuminating scene
    • G03B15/03Combinations of cameras with lighting apparatus; Flash units
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/56Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof provided with illuminating means
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0503Built-in units
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0567Solid-state light source, e.g. LED, laser
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B2215/00Special procedures for taking photographs; Apparatus therefor
    • G03B2215/05Combinations of cameras with electronic flash units
    • G03B2215/0564Combinations of cameras with electronic flash units characterised by the type of light source
    • G03B2215/0571With second light source
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Un aparato (130) que comprende: un submontaje (134) aproximadamente plano; una pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz montadas en el submontaje, en donde la distancia entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, de centro a centro, se define por XLED de tal manera que las matrices de diodos emisores de luz individuales están separados entre sí por un espacio; y un solo sistema (136) de lente integral que comprende una pluralidad de elementos (138a, 138b) de lente , con un elemento de lente individual para cada uno de la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz, en donde el sistema de lente integral único se coloca sobre la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y se une al submontaje mediante un encapsulante (126) de tal manera que cada elemento de lente se alinea con una matriz de diodo emisor de luz respectivo, en donde la distancia entre los elementos de lente individuales, de centro a centro, está definida por Xlente', caracterizado porque el sistema de lente integral único está configurado para enfocar la luz emitida por las matrices de diodos emisores de luz en un objetivo (140) a una distancia (D) predefinida, la distancia XLED entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, la distancia Xlente entre los elementos de lente individuales y la alineación del sistema de lente integral individuales con las matrices de diodos emisores de luz subyacentes está configurada para producir una distribución de luz deseada en el objetivo, y la distancia Xlente es mayor que la distancia XLED.

Description

DESCRIPCIÓN
Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo
Campo de la invención
La presente invención se refiere en general a diodos emisores de luz y, más particularmente, a aumentar la luz en el objetivo de los diodos emisores de luz.
Antecedentes
Los dispositivos de diodo (LED) emisores de luz tienen aplicaciones cada vez mayores. Los dispositivos que son capaces de generar luz blanca (que consisten en componentes R, G y B) son particularmente interesantes debido a su potencial para reemplazar las fuentes de luz convencionales, tal como las bombillas.
Sin embargo, algunas aplicaciones tienen consideraciones de espacio e iluminación que son difíciles de superar incluso con un tamaño relativamente pequeño de un LED's. Por ejemplo, los flashes para cámaras pequeñas, tal como la cámara de un teléfono celular, requieren una gran cantidad de luz en el objetivo y, sin embargo, hay poco espacio disponible para el flash.
Los documentos WO 02/056361 A1, US 2002/0001869 A1 y EP 1564819 A1 divulgan una pluralidad de LEDs montados en un submontaje común y un único sistema de lente integral con una pluralidad de elementos de lente colocados sobre la pluralidad de LEDs de tal manera que cada LEDs individual está alineado con una lente individual.
Resumen
El dispositivo de la invención se define por la reivindicación 1 y el método de la invención se define por la reivindicación 10. Las realizaciones de la invención se definen por las reivindicaciones dependientes.
De acuerdo con la presente invención, un dispositivo emisor de luz incluye un número de matrices de diodos emisores de luz montados en un submontaje compartido y cubiertos con un único sistema de lente integral que incluye un número correspondiente de elementos de lente. Los elementos de lente, respectivamente, las matrices de diodos emisores de luz en el submontaje se colocan a una distancia entre sí, de centro a centro, que es suficiente para que cada uno de los elementos de lente enfoque la luz emitida desde las matrices de diodos emisores de luz en un objetivo deseado y para separar por un espacio las matrices del diodo emisor de luz individual. La distancia entre las matrices de diodos emisores de luz, la distancia entre los elementos de lente individuales y la alineación del sistema de lente con las matrices de diodos emisores de luz subyacentes está configurada para producir una distribución de luz deseada en el objetivo. La distancia entre los elementos de lente es mayor. que la distancia entre las matrices de diodos emisores de luz. En una realización, los elementos de lente son elementos de lentes de tipo aproximadamente plano, tal como lente de tipo TIR, Fresnel o de cristal fotónico. El dispositivo de la presente invención se puede usar, ventajosamente, en aplicaciones tales como un flash para un teléfono celular.
Breve descripción de los dibujos
La figura 1 muestra una vista lateral de un dispositivo, no de acuerdo con la presente invención, que incluye una pluralidad de matrices LED montadas en un submontaje compartido y cubiertas por un sistema de lente con una pluralidad correspondiente de elementos de lente.
La figura 2 muestra una vista desde arriba del dispositivo de la figura 1 con el sistema de lente que tiene una pluralidad de elementos de lente.
La figura 3 es una vista lateral de un dispositivo, no de acuerdo con la presente invención, con una pluralidad de matrices LED montadas en un submontaje compartido y cubiertas por un sistema de lente reflectante.
La figura 4 ilustra una vista en perspectiva de la fabricación de un dispositivo, no de acuerdo con la presente invención.
La figura 5A es una vista lateral de un dispositivo simplificado de acuerdo con una realización de la presente invención, con una pluralidad de matrices LED montadas en un submontaje compartido y cubiertas por un sistema de lente.
La Fig. 5B muestra el dispositivo simplificado de la Fig. 5A que produce una distribución de luz deseada en un objetivo deseado a una distancia predefinida.
La figura 6 ilustra otro dispositivo, no de acuerdo con la presente invención, en el cual dos matrices LED están colocadas una cerca de la otra y cubiertas por una sola lente.
La figura 7 ilustra un teléfono celular con el dispositivo de la figura 1 incorporado en el mismo.
Descripción detallada
La Fig. 1 muestra una vista lateral de un dispositivo 100, no de acuerdo con la presente invención, que incluye una pluralidad de matrices 102a y 102b (LED) de diodos emisores de luz montadas en un submontaje 104 compartido que es aproximadamente plano y cubierto por un sistema 110 de lente. La figura 2 muestra una vista desde arriba del dispositivo 100 con el sistema 110 de lente sobre los LEDs 102a y 102b y el submontaje 104. El sistema 110 de lente incluye un elemento 110a y 110b de lente separado que está asociado con cada una de las matrices 102a y 102b LED (a veces denominados colectivamente como LEDs 102). La distancia entre los elementos 110a y 110b de lente se basa en la distribución de luz deseada en el objetivo entre otros factores ópticos, tal como la distancia entre el LED y la lente, el ángulo del cono de la luz para cada LED individual, la separación de las matrices LED y el tamaño de las matrices LED.
Los LEDs 102 y el submontaje 104 pueden ser del tipo discutidos en la Patente U.S. N.° 6,885,035, de Bhat. Como se puede ver en la Fig. 1, las almohadillas p y n 102p y 102n de contacto están en el mismo lado de los LEDs 102, en lo que a menudo se denomina un chip invertido o de diseño invertido. La luz generada por los LEDs 102 se acopla fuera del LED en el lado opuesto a las almohadillas de contacto. Los LEDs 102 pueden ser, por ejemplo, el tipo de nitruro III, que tiene una composición que incluye, pero no se limita a, GaN, AlGaN, AlN, GalnN, AlGalnN, InN, GalnAsN y GalnPN. Los materiales de sustrato típicos son zafiro, carburo de silicio SiC o nitruros III, debido a la facilidad de nucleación y al crecimiento de cristales de nitruro III de alta calidad en estos sustratos. Los LEDs 102 pueden incluir un revestimiento de fósforo para producir una luz blanca deseada.
Las almohadillas 102n y 102p de contacto se pueden conectar posteriormente eléctricamente a trazas 105 metálicas sobre o en el submontaje 104, por ejemplo, mediante bornes 108 de conexión. Así, debido a que los LEDs 102 tienen un diseño invertido, los contactos eléctricos formados por, por ejemplo, los bornes 108 de conexión se encuentran entre el submontaje 104 y la superficie inferior de los LEDs 102. Se puede utilizar un proceso de auto alineación, tal como un arreglo (BGA) de rejilla de bola, u otros procesos, tal como la fijación de matriz termo-sónica, se pueden usar para colocar exactamente con precisión los LEDs 102 en el submontaje 104. La colocación precisa de las matrices LED, por ejemplo, utilizando un proceso de auto-alineación u otro proceso preciso de montaje y ubicación, es ventajoso ya que permite que múltiples fuentes de LED se alineen con precisión con un solo sistema 110 de elementos ópticos con un número correspondiente de elementos 110a y 110b de lente. El uso de BGA, por ejemplo, permite la alineación con un error máximo de colocación de 10pm. La interconexión entre los bornes 108 de conexión y las trazas 105 metálicas en el submontaje 104 hacen la conexión eléctrica entre el LED y el submontaje al tiempo que proporciona una ruta térmica para la remoción de calor del LED durante la operación. Aunque los ejemplos ilustrados se refieren a bornes de oro, las interconexiones pueden estar hechas de metales elementales, aleaciones de metales, aleaciones de metales semiconductores, soldaduras, pastas o compuestos térmicamente y eléctricamente conductores (por ejemplo, epoxis), juntas eutécticas (por ejemplo, Pd-In-Pd) entre metales diferentes entre la matriz LED y el submontaje, o bornes de soldadura.
El submontaje 104 se puede formar a partir de Si o cerámica, tal como cerámica cocida a alta temperatura, u otros materiales apropiados, tales como alúmina de película delgada u otro material de embalaje térmico. Una capa dieléctrica opcional, por ejemplo SiO2 (no se muestra) puede incluirse en el submontaje para aislamiento eléctrico entre la matriz LED y el sustrato del submontaje. Si se desea, se pueden montar dispositivos adicionales en el submontaje 104 o dentro de los circuitos 105 en el submontaje 104. Por ejemplo, los dispositivos de nitruro III son susceptibles a daños por Descarga Electro-Estática (ESD) y pueden estar protegidos por un elemento de derivación de energía conectado eléctricamente a los LEDs. En consecuencia, se puede montar un circuito 112 de protección contra ESD en el submontaje 104. Como se ilustra en la Fig. 1, el circuito 112 de protección contra ESD se puede montar en el espacio entre los LEDs 102a y 102b. Sin embargo, si se desea, el circuito 112 de protección contra ESD se puede montar en otro lugar en el submontaje 104 o fuera del submontaje 104.
El circuito 112 de protección ESD puede ser similar a lo que se describe en Antle et. al. Patente de U.S. N.° 5,941,501. En un ejemplo, el circuito 112 de protección ESD incluye diodos Zener conectados en paralelo con los LEDs 102. Alternativamente, los diodos Zener en antiparalelo se pueden fabricar en paralelo con los LEDs 102 para permitir que el LED sea accionado por fuentes de energía de corriente alterna. Se pueden incluir otros dispositivos electrónicos en o dentro del submontaje, por ejemplo, fotodetectores para monitorear la salida de luz o resistencias para monitorear la corriente y/o el voltaje.
Como se ilustra en la Fig. 1, la distancia entre las matrices 102a y 102b del LED se define por la distancia X, de centro a centro. La distancia X es lo suficientemente grande como para que se pueda formar un elemento 110a y 110b de lente individual y colocarlo sobre la matriz 102a y 102b LED, respectivamente. En general, la distancia X debe ser aproximadamente el 130% del tamaño de los LEDs o mayor. Con los LEDs 102 colocados con precisión en el submontaje 104, el sistema 110 de lente puede alinearse con los LEDs 102 y la distancia entre los elementos 110a y 110b de lente puede seleccionarse para producir una cantidad deseada de luz en un objetivo a una distancia predefinida.
Los elementos 110a y 110b de lente individuales se producen de manera que se unen para formar un solo sistema 110 de lente integrales. En un ejemplo, los elementos 110a y 110b de lente individuales son sustancialmente planos, tales como una lente de Fresnel refractiva ilustrada en Fig. 1. Por supuesto, otros tipos de lente plana, que incluye, pero no se limita, a una lente tipo Fresnel de Reflexión Interna Total (TIR), una lente de tipo difractiva o fotónica
de cristal (estructura de longitud de sub-onda), un prisma, una lente reflectante o cualquier otra se puede usar un dispositivo óptico que redirige la dirección de la luz emitida por los LEDs 102. Una lente de tipo de cristal fotónico se puede formar al raspar o texturizar una superficie de la matriz LED. En algunos ejemplos, la región texturizada tiene la forma de un arreglo periódico de agujeros. Las estructuras de cristal fotónico se describen con más detalle en la publicación de U.S. No. 2003/0141507 titulado "Eficacia de LED usando estructura de cristal fotónico". El arreglo periódico de agujeros tiene una constante reticular, que puede oscilar entre 0.1A y 4A, donde A es la longitud de onda de la luz que emite la región activa dentro de la estructura del semiconductor. En otros ejemplos, se forman características mayores de 2 micrones en la región texturizada. La región texturizada actúa como una capa de dispersión de luz enterrada dentro de la matriz LED, que puede aumentar la cantidad o afectar de otro modo a la luz extraída del dispositivo.
La figura 3 ilustra otro tipo de sistema de lente plana utilizado con una pluralidad de matrices LED. Como se muestra en la Fig. 3, un sistema 118 de lente reflectantes planas está posicionado sobre una pluralidad de matrices 116 de LED en un submontaje 118. El sistema 119 de lente incluye un número de lentes 120 reflectantes, cada lente reflectante está asociada y alineada con una matriz 116 LED subyacente. El sistema de lente puede fabricarse, por ejemplo, mediante moldeo por inyección, fundición, moldeo por transferencia o cualquier otra forma apropiada. Cuando se usa un sistema 119 de lente reflectantes, el sistema 119 de lente puede metalizarse después de la formación.
De acuerdo con la presente invención, el aparato se fabrica acoplando individualmente el submontaje 104 con los LEDs 102 con el sistema 110 de lente, en donde el sistema 110 de lente se une al submontaje 104, utilizando un material encapsulante, tal como un UV o encapsulante curado al calor.
La figura 4 ilustra una vista en perspectiva de la fabricación de un dispositivo 100, no de acuerdo con la presente invención. Como se puede ver en la Fig. 4, una pluralidad de submontajes 104 se pueden producir simultáneamente, por ejemplo, en forma 124 De oblea de cerámica. El tamaño total de la oblea 124 puede ser, por ejemplo, 4x4 pulgadas, mientras que cada submontaje individual 104 puede ser, por ejemplo, aproximadamente 1x2mm a 8x12mm. También se puede producir una pluralidad de sistema 110 de lente en un arreglo 128, por ejemplo, usando moldeo por inyección, fundición, moldeo por transferencia o cualquier otra manera apropiada. El arreglo 128 de los sistemas 110 de lente puede tener un tamaño que sea aproximadamente del mismo tamaño que la oblea 124 de submontaje. Una vez que los LEDs 102 se montan en los submontajes 110, como se describió anteriormente, la oblea 124 de submontaje y el arreglo 128 de los sistemas 110 de lente pueden estar unidos entre sí. De acuerdo con la presente invención, se utiliza un encapsulante, ilustrado como la capa 126, por ejemplo, inyectando un gel de silicona o depositando una capa encapsulante entre el arreglo 128 de lente y la oblea 124 de submontaje. Las matrices 102 LED pueden cubrirse con o el encapsulante 126 puede incluir un material de conversión de longitud de onda, tal como fósforo, para producir la luz coloreada deseada de los dispositivos terminados.
El arreglo 128 y la oblea 124 se pueden alinear con precisión en las direcciones x, y y z usando procesos de alineación convencionales. Una vez alineado, el proceso de unión se puede completar utilizando, por ejemplo, un UV o curado por calor. Con el arreglo 128 formado a partir de, por ejemplo, una silicona dura, y el encapsulante 126 formado a partir de una silicona blanda, el proceso será compatible con un proceso de reflujo de soldadura sin plomo. En un ejemplo, la alineación en la dirección z se puede lograr usando las características 129 de separación, que están integradas en el arreglo 128. El uso de una o más características 129 de separación proporciona una alineación mecánica de la oblea 124 de submontaje subyacente, pero puede exigir el sacrificio de un submontaje. Una vez unidos, la oblea 124 y el arreglo 128 se pueden dividir en dispositivos 100 separados utilizando técnicas de corte convencionales.
La Fig. 5A es una vista lateral de un dispositivo 130 simplificado, de acuerdo con una realización de la presente invención, con una pluralidad de matrices 132a y 132b de l Ed montadas en un submontaje 134 compartido y cubiertas por un único sistema 136 de lente integral teniendo elementos 138a y 138b de lente individual. La figura 5B muestra el dispositivo 130 y el objetivo 140 deseado, que es una distancia D predefinida desde el dispositivo 130 en donde el dispositivo 130 producirá una distribución de luz deseada en el objetivo 140. Como se ilustra en la figura 5A, los elementos 138a y 138b de lente están posicionados a una distancia Xlente-, de centro a centro y las matrices 132a y 132b de LED están separadas por un espacio y colocadas a una distancia X led . La correlación entre las distancias Xlente y X led y la alineación A del sistema 136 de lente a los LEDs 132a y 132b subyacentes se controlan estrechamente para producir una cantidad deseada de luz en el objetivo 140 a la distancia D. A modo de ejemplo, la distancia Xled entre las matrices 132a y 132b de LED puede ser, por ejemplo, 130% a 500% o más del tamaño de las matrices LED, mientras que la distancia Xlente entre los elementos 138a y 138b de lente es mayor que la distancia Xled y puede estar hasta aproximadamente el 200% de la distancia Xled. Otros factores ópticos, tales como la distancia H entre los elementos 138a, 138b de lente y las matrices LEDn 132a, 132b, el ángulo 133a, 133b de cono de la luz capturada por los elementos 138a y 138b de lente, y el tamaño W132a, W132b de las matrices 132a, 132b de diodos l Ed también afectan la cantidad de luz en el objetivo 140 a la distancia D y, por lo tanto, también deben seleccionarse de manera apropiada. Por lo tanto, mediante una selección juiciosa de los parámetros anteriores, la forma del ángulo del cono resultante de la luz emitida desde el dispositivo, así como la dirección del cono con respecto al eje óptico del dispositivo, puede predefinirse para producir una cantidad de luz en el objetivo 140 a una distancia D deseada.
La colocación precisa de las matrices 132a y 132b de LED en el submontaje 134 facilita el control de la correlación entre las distancias Xlente y Xled, así como la alineación A. Además, la separación de las matrices 132a y 132b de LED Xled permite el uso de un elemento 138a y 138b de lente individual para cada matriz 132a y 132b de LED, respectivamente. Con el uso de un elemento de lente individual para cada matriz de LED, la eficiencia del sistema aumenta en relación con los sistemas que usan una sola lente para múltiples matrices LED.
A modo de comparación, la figura 6 ilustra un dispositivo 150, no de acuerdo con la presente invención, en el cual dos matrices 152a y 152b de LED (a veces denominados colectivamente como LEDs 152) se colocan uno cerca del otro, es decir, los centros se colocan a una distancia Y, que es menos del 30% del ancho de los LEDs 152. En tal sistema, no hay suficiente espacio para usar un sistema de lente con elementos de lente individuales para cada matriz de LED y, por lo tanto, se usa un solo elemento 160 de lente. El uso de un único elemento 160 de lente con múltiples LEDs 152 da como resultado un sistema con eficiencia reducida. Además, con el uso de un único elemento 160 de lente, el dispositivo 150 está mucho más restringido en la cantidad de luz que se puede colocar en un objetivo a una distancia predefinida.
Por lo tanto, el uso de una separación relativamente grande entre los LEDs 102 de acuerdo con una realización de la presente invención, permite un diseño óptico eficiente, que puede optimizarse para proporcionar suficiente iluminación en una variedad de aplicaciones deseadas, por ejemplo, flash del teléfono celular, luces de marcha o luces de mapas en un automóvil, o sistema de iluminación de una videocámara. La figura 7, a modo de ejemplo, ilustra un teléfono 200 celular con un dispositivo 100 incorporado en él. El dispositivo 100 con los LEDs 102 separados y los elementos 110a y 110b de lente individuales, aumenta la eficiencia del sistema en un 15% a 45% en un sistema con un solo sistema de elemento de lente y dos LEDs. Sin embargo, el dispositivo puede incorporarse a otras aplicaciones, donde es deseable dirigir la mayor parte del flujo de un LED a un ángulo de cono predefinido, tales como luces de mapa, luces de lectura y proyectores.
Además, mientras que los LEDs están separados unos de otros por un espacio, el diseño general produce una gran cantidad de iluminación desde un dispositivo relativamente pequeño, lo que es particularmente ventajoso en aplicaciones donde existe una situación real limitada, por ejemplo, el flash en un teléfono celular. Además, la separación de los LEDs es ventajosa en la disipación de calor, lo que permite que los LEDs se accionen por una corriente ligeramente mayor.
Debe entenderse que, si bien la presente invención se describe con el uso de dos LEDs, se pueden usar LEDs adicionales si se desea, por ejemplo, matrices LED 4x4 o 6x6, donde los LEDs están lo suficientemente separados para permitir un elemento de lente individual para una pluralidad de LEDs.
Aunque la presente invención se ilustra en relación con realizaciones específicas con fines de instrucción, la presente invención no está limitada a las mismas. Se pueden realizar diversas adaptaciones y modificaciones sin apartarse del alcance de la invención como se define en las reivindicaciones adjuntas.

Claims (15)

REIVINDICACIONES
1. Un aparato (130) que comprende:
un submontaje (134) aproximadamente plano; una pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz montadas en el submontaje,
en donde la distancia entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, de centro a centro, se define por X led de tal manera que las matrices de diodos emisores de luz individuales están separados entre sí por un espacio; y un solo sistema (136) de lente integral que comprende una pluralidad de elementos (138a, 138b) de lente , con un elemento de lente individual para cada uno de la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz, en donde el sistema de lente integral único se coloca sobre la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y se une al submontaje mediante un encapsulante (126) de tal manera que cada elemento de lente se alinea con una matriz de diodo emisor de luz respectivo, en donde la distancia entre los elementos de lente individuales, de centro a centro, está definida por X lente’,
caracterizado porque
el sistema de lente integral único está configurado para enfocar la luz emitida por las matrices de diodos emisores de luz en un objetivo (140) a una distancia (D) predefinida,
la distancia Xled entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, la distancia X lente entre los elementos de lente individuales y la alineación del sistema de lente integral individuales con las matrices de diodos emisores de luz subyacentes está configurada para producir una distribución de luz deseada en el objetivo, y
la distancia X lente es mayor que la distancia Xled.
2. El aparato (130) de la reivindicación 1, en donde la distancia Xled es mayor que el 130% del tamaño (W132a, W132b) de las matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz.
3. El aparato (130) de la reivindicación 1, en donde los elementos (138a, 138b) de lente individuales son sustancialmente planos.
4. El aparato (130) de la reivindicación 3, en donde cada uno de los elementos (138a, 138b) de lente individuales son al menos uno de una lente de Fresnel, una lente del tipo de Reflexión Interna Total, una lente difractiva, una lente de tipo de cristal fotónico, un prisma y una lente reflectante.
5. El aparato (130) de la reivindicación 1, que comprende además un circuito (112) de descarga electrostática montado en el submontaje (134).
6. El aparato (130) de la reivindicación 5, en donde el circuito (112) de descarga electrostática está montado entre al menos dos de la pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz.
7. El aparato (130) de la reivindicación 1, en donde el submontaje (134) comprende al menos una traza (105) metálica formada en la superficie de o dentro del submontaje, en la que una de la pluralidad matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz está conectada eléctricamente a la traza metálica.
8. El aparato (130) de la reivindicación 1, en donde al menos una de las matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz es de un tipo invertido que tiene una pluralidad de contactos (108) eléctricos en una superficie inferior de la matriz de diodos emisores de luz en donde la pluralidad de contactos eléctricos se encuentra entre el submontaje (134) y la superficie inferior de la matriz del diodo emisor de luz.
9. El aparato (130) de la reivindicación 1, que comprende además un teléfono (200) celular, en donde el submontaje (134), la pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz y el sistema (136) de lente integral única están montados en el teléfono celular.
10. Un método para fabricar un aparato (130) que comprende:
proporcionar un submontaje (134) aproximadamente plano;
montar una pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz en el submontaje, de modo que la distancia entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, de centro a centro, se define por Xled y las matrices de diodos emisores de luz individuales se separan entre sí por un espacio;
proporcionar un único sistema (110) de lente integral que comprende una pluralidad de elementos (138a, 138b) de lente con un elemento de lente individual para cada uno de la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz, en donde la distancia entre los elementos de lente individuales, de centro a centro, es definido por X lente;
acoplar ópticamente el submontaje con la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz montados al sistema de lente integral único, de manera que el sistema de lente integral único se coloca sobre la pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y cada elemento de lente se alinea con una matriz de diodo emisor de luz correspondiente; y unir el sistema de lente integral individuales al submontaje mediante un encapsulante (126),
caracterizado porque
el sistema de lente integral único está configurado para enfocar la luz emitida por las matrices de diodos emisores de luz en un objetivo (140) a una distancia (D) predefinida,
la distancia Xled entre las matrices de diodos emisores de luz individuales, la distancia X lente entre los elementos de lente individuales y la alineación del sistema de lente integral individuales con las matrices de diodos emisores de luz subyacentes está configurada para producir una distribución de luz deseada en el objetivo, y
la distancia X lente es mayor que la distancia Xled.
11. El método de la reivindicación 10, en donde la distancia Xled es mayor que el 130% del tamaño (W132a, W132b) de las matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz.
12. El método de la reivindicación 10, en donde cada elemento (138a, 138b) de lente individual es sustancialmente plano.
13. El método de la reivindicación 10, en donde cada uno de los elementos (138a, 138b) de lente individuales son al menos uno de una lente de Fresnel, una lente de tipo de Reflexión Interna Total, una lente difractiva, una lente de tipo de cristal fotónico, un prisma y una lente reflectante.
14. El método de la reivindicación 10, en donde el submontaje (134) comprende al menos una punta (105) metálica formada en la superficie de o dentro del submontaje, en la que una de la pluralidad de matrices (132a, 132b) de diodos emisores de luz está eléctricamente conectado a la punta metálica.
15. El método de la reivindicación 14, en donde al menos una de las matrices (132a, 132b) de diodo emisor de luz es de un tipo invertido que tiene una pluralidad de contactos (108) eléctricos en una superficie inferior de la matriz de diodo emisor de luz en donde la pluralidad de los contactos eléctricos se encuentra entre el submontaje (134) y la superficie inferior de la matriz del diodo emisor de luz.
ES06795610T 2005-08-10 2006-08-08 Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo Active ES2719594T3 (es)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/201,465 US8163580B2 (en) 2005-08-10 2005-08-10 Multiple die LED and lens optical system
PCT/IB2006/052729 WO2007017833A1 (en) 2005-08-10 2006-08-08 Light emitting diode comprising multiple dies and optical system with number of lens elements

Publications (1)

Publication Number Publication Date
ES2719594T3 true ES2719594T3 (es) 2019-07-11

Family

ID=37450936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
ES06795610T Active ES2719594T3 (es) 2005-08-10 2006-08-08 Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8163580B2 (es)
EP (1) EP1915568B1 (es)
JP (1) JP5275557B2 (es)
CN (1) CN101253362A (es)
ES (1) ES2719594T3 (es)
TW (1) TWI443855B (es)
WO (1) WO2007017833A1 (es)

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
US20090128781A1 (en) * 2006-06-13 2009-05-21 Kenneth Li LED multiplexer and recycler and micro-projector incorporating the Same
DE102006039705A1 (de) * 2006-08-18 2008-02-28 Schott Ag Linsenvorsatz für einen Scheinwerfer
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US7702235B2 (en) 2007-01-25 2010-04-20 Research In Motion Limited Handheld electronic device and camera providing flash compensation of images, and associated method
CN101657678B (zh) * 2007-04-05 2014-02-26 皇家飞利浦电子股份有限公司 光束成形器
US20090050921A1 (en) * 2007-08-23 2009-02-26 Philips Lumileds Lighting Company Llc Light Emitting Diode Array
US7808581B2 (en) 2008-01-18 2010-10-05 Teledyne Lighting And Display Products, Inc. Low profile backlight apparatus
TWI364120B (en) 2008-09-10 2012-05-11 E Pin Optical Industry Co Ltd Convex-fresnel led lens for angular distribution patterns and led assembly thereof
TW201011349A (en) 2008-09-10 2010-03-16 E Pin Optical Industry Co Ltd Plano-Fresnel LED lens for angular distribution patterns and LED assembly thereof
EP2329322B1 (en) 2008-09-22 2016-09-07 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus and lithographic method
US8147089B2 (en) * 2008-10-09 2012-04-03 Surefire, Llc Switchable light sources
US8182109B2 (en) * 2008-10-09 2012-05-22 Surefire, Llc Lighting device with switchable light sources
US8944626B2 (en) 2008-10-09 2015-02-03 Surefire, Llc Lighting device with switchable light sources
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
WO2010048754A1 (zh) * 2008-10-30 2010-05-06 Zhan Xiaoming Led摄影灯
KR100972983B1 (ko) * 2009-01-09 2010-07-29 삼성엘이디 주식회사 카메라 플래쉬 렌즈 및 이를 포함하는 휴대용 기기
US8576406B1 (en) 2009-02-25 2013-11-05 Physical Optics Corporation Luminaire illumination system and method
TWM368029U (en) * 2009-03-30 2009-11-01 E Pin Internat Tech Co Ltd Fresnel LED lens and LED assembly thereof
US9385285B2 (en) * 2009-09-17 2016-07-05 Koninklijke Philips N.V. LED module with high index lens
US10005682B1 (en) 2009-10-02 2018-06-26 Tersano Inc. Holding tank-less water ozonating system
TWI448830B (zh) 2010-02-09 2014-08-11 Asml Netherlands Bv 微影裝置及元件製造方法
NL2006256A (en) 2010-02-23 2011-08-24 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP5584784B2 (ja) 2010-02-25 2014-09-03 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2006385A (en) 2010-04-12 2011-10-13 Asml Netherlands Bv Substrate handling apparatus and lithographic apparatus.
TWM401210U (en) * 2010-09-29 2011-04-01 Forward Electronics Co Ltd Light-emitting diode packaging structure
GB2484712A (en) * 2010-10-21 2012-04-25 Optovate Ltd Illumination Apparatus
JP2014026993A (ja) * 2010-11-08 2014-02-06 Panasonic Corp セラミック基板と発光ダイオードモジュール
NL2007789A (en) 2010-12-08 2012-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
DE102011003989A1 (de) * 2011-02-11 2012-08-16 Osram Ag Leuchtvorrichtung
NL2008329A (en) 2011-03-29 2012-10-02 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method for measuring radiation beam spot position, device manufacturing method, and radiation detector system for a lithographic apparatus.
KR101538414B1 (ko) 2011-04-08 2015-07-22 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 프로그래밍 가능한 패터닝 디바이스 및 리소그래피 방법
NL2008500A (en) 2011-04-21 2012-10-23 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, method for maintaining a lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8507328B2 (en) * 2011-05-27 2013-08-13 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Systems and methods providing semiconductor light emitters
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
KR101633744B1 (ko) 2011-08-18 2016-06-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
CN102544336A (zh) * 2011-08-20 2012-07-04 中国科学院福建物质结构研究所 一种可见光全光谱高反射率led封装结构
NL2009342A (en) 2011-10-31 2013-05-07 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN103946750B (zh) 2011-11-29 2019-03-29 Asml荷兰有限公司 光刻设备、器件制造方法和计算机程序
JP5886979B2 (ja) 2011-11-29 2016-03-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置用の所望のデバイスパターンのベクタ形式表現を変換する装置および方法、プログラマブルパターニングデバイスにデータを供給する装置および方法、リソグラフィ装置、デバイス製造方法
US9341960B2 (en) 2011-12-05 2016-05-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9488921B2 (en) 2011-12-06 2016-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus, an apparatus for providing setpoint data, a device manufacturing method, a method of calculating setpoint data and a computer program
NL2009902A (en) 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN104040434B (zh) 2012-01-12 2016-10-19 Asml荷兰有限公司 光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法
WO2013107595A1 (en) 2012-01-17 2013-07-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102012200973A1 (de) * 2012-01-24 2013-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchte und verfahren zur herstellung einer leuchte
NL2010176A (en) 2012-02-23 2013-08-26 Asml Netherlands Bv Device, lithographic apparatus, method for guiding radiation and device manufacturing method.
KR101285224B1 (ko) 2012-05-18 2013-07-11 우리이앤엘 주식회사 칩온보드 타입 발광 모듈
NL2012052A (en) 2013-01-29 2014-08-04 Asml Netherlands Bv A radiation modulator for a lithography apparatus, a lithography apparatus, a method of modulating radiation for use in lithography, and a device manufacturing method.
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
TWI537609B (zh) 2014-11-21 2016-06-11 玉晶光電股份有限公司 薄型化鏡片
CN105676322A (zh) * 2014-11-21 2016-06-15 玉晶光电股份有限公司 薄型化镜片
TWI537608B (zh) * 2014-11-21 2016-06-11 玉晶光電股份有限公司 薄型化鏡片
WO2016156339A1 (en) 2015-04-02 2016-10-06 Philips Lighting Holding B.V. Optical beam shaping device and spot light using the same
US10041646B2 (en) 2015-05-01 2018-08-07 Cooper Technologies Company Optic and apparatus for making an optic
JP6696129B2 (ja) * 2015-08-28 2020-05-20 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10151431B2 (en) * 2015-10-20 2018-12-11 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Lighting apparatus with lens having safety light-dispersing structures
DE102016101810A1 (de) * 2016-02-02 2017-08-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung
CN105650599A (zh) * 2016-03-30 2016-06-08 宁波正特光学电器有限公司 用于手机闪光灯模组的透镜
US10663745B2 (en) 2016-06-09 2020-05-26 3M Innovative Properties Company Optical system
US10400994B2 (en) 2016-12-19 2019-09-03 Whelen Engineering Company, Inc. LED illumination module with fixed optic and variable emission pattern
US10420177B2 (en) 2016-12-19 2019-09-17 Whelen Engineering Company, Inc. LED illumination module with fixed optic and variable emission pattern
US10582169B2 (en) 2016-12-23 2020-03-03 Lumileds Llc Compensating for vignetting
US10578949B2 (en) * 2017-02-03 2020-03-03 Apple Inc. Asymmetric zones in a Fresnel lens
JP7082270B2 (ja) 2017-08-28 2022-06-08 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2019061065A1 (zh) * 2017-09-27 2019-04-04 深圳传音制造有限公司 闪光灯结构以及具备该结构的终端
JP7132502B2 (ja) * 2018-03-09 2022-09-07 日亜化学工業株式会社 光源装置
US10770632B2 (en) 2018-03-09 2020-09-08 Nichia Corporation Light source device
CN108954044A (zh) * 2018-07-04 2018-12-07 赛尔富电子有限公司 一种照明系统
JP6912732B2 (ja) 2018-08-31 2021-08-04 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US20220163674A1 (en) * 2019-03-19 2022-05-26 Sony Semiconductor Solutions Corporation Sensor chip, electronic apparatus, and distance measurement apparatus
JP6951644B2 (ja) * 2019-04-23 2021-10-20 日亜化学工業株式会社 発光モジュール及びその製造方法
US11649945B2 (en) 2020-01-23 2023-05-16 Nichia Corporation Light source device
US20210231302A1 (en) * 2020-01-23 2021-07-29 Nichia Corporation Light source device
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
CN111580327A (zh) * 2020-05-08 2020-08-25 Oppo(重庆)智能科技有限公司 闪光灯模组、电子设备及其控制方法

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2518236B2 (ja) * 1986-12-19 1996-07-24 オムロン株式会社 光源装置
WO1989005524A1 (en) 1987-11-30 1989-06-15 Iwasaki Electric Co., Ltd Planar led illuminant
GB8923708D0 (en) 1989-10-20 1989-12-06 Minnesota Mining & Mfg Production of grey scale images using pixellated exposure devices
US6583444B2 (en) * 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
US5995071A (en) * 1997-11-21 1999-11-30 Hewlett-Packard Company Reflective display utilizing fresnel micro-reflectors
US5914501A (en) * 1998-08-27 1999-06-22 Hewlett-Packard Company Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection
US6885035B2 (en) * 1999-12-22 2005-04-26 Lumileds Lighting U.S., Llc Multi-chip semiconductor LED assembly
EP1158761A1 (en) * 2000-05-26 2001-11-28 GRETAG IMAGING Trading AG Photographic image acquisition device using led chips
US6570324B1 (en) * 2000-07-19 2003-05-27 Eastman Kodak Company Image display device with array of lens-lets
AUPR245601A0 (en) 2001-01-10 2001-02-01 Silverbrook Research Pty Ltd An apparatus (WSM09)
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
WO2003023857A2 (de) 2001-09-13 2003-03-20 Lucea Ag Led-leuchtpaneel und trägerplatte
CA2754097C (en) 2002-01-28 2013-12-10 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
US7279718B2 (en) * 2002-01-28 2007-10-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED including photonic crystal structure
KR101015289B1 (ko) 2002-11-05 2011-02-15 파나소닉 주식회사 발광다이오드
EP1590831A2 (en) 2003-02-05 2005-11-02 Acol Technologies S.A. Light emitting devices
US7528421B2 (en) * 2003-05-05 2009-05-05 Lamina Lighting, Inc. Surface mountable light emitting diode assemblies packaged for high temperature operation
JP4360127B2 (ja) * 2003-06-02 2009-11-11 株式会社小糸製作所 車両用灯具
US6942360B2 (en) 2003-10-01 2005-09-13 Enertron, Inc. Methods and apparatus for an LED light engine
US6963085B2 (en) * 2003-11-18 2005-11-08 Au Optronics Corporation Solid-state display with improved color-mixing
JP4437675B2 (ja) * 2003-12-26 2010-03-24 日本精機株式会社 照明装置
TWI257184B (en) 2004-03-24 2006-06-21 Toshiba Lighting & Technology Lighting apparatus
US20060044806A1 (en) * 2004-08-25 2006-03-02 Abramov Vladimir S Light emitting diode system packages
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
TWI291573B (en) * 2004-12-24 2007-12-21 Prodisc Technology Inc Liquid crystal display and backlight module
JP2007042901A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Rohm Co Ltd 発光モジュールおよび発光ユニット

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007049172A (ja) 2007-02-22
EP1915568B1 (en) 2019-02-27
TW200711186A (en) 2007-03-16
EP1915568A1 (en) 2008-04-30
CN101253362A (zh) 2008-08-27
US8163580B2 (en) 2012-04-24
WO2007017833A1 (en) 2007-02-15
US20070034890A1 (en) 2007-02-15
US8729571B2 (en) 2014-05-20
TWI443855B (zh) 2014-07-01
US20130069084A1 (en) 2013-03-21
JP5275557B2 (ja) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2719594T3 (es) Aparato que comprende una pluralidad de matrices de diodos emisores de luz y un sistema integral de lente con una pluralidad de elementos de lente y un método de fabricación del mismo
TWI751223B (zh) 多色微型發光二極體陣列光源
TWI451604B (zh) 多晶片發光二極體裝置
CN106461169B (zh) 安装在弯曲引线框架上的led
US9169988B2 (en) Light emitting module and head lamp including the same
US7717587B2 (en) Light source device
US8525211B2 (en) Light emitting device package and a lighting unit with base having via hole
US9905544B2 (en) Bonding LED die to lead frame strips
JP2007180520A (ja) 異なる補助光学素子を有する複合発光ダイオード
US10295149B2 (en) Optical lens, lighting module, and light unit comprising same
US20180073718A1 (en) Mounting pedestal, light-emitting device, moving-body lighting device, and moving body
KR20140106652A (ko) 발광 다이오드 어레인지먼트
JPH11266036A (ja) 平面光源装置およびその製造方法
CN107980182B (zh) 发光装置及其制造方法
JP2010251796A (ja) 発光モジュール
JP6646982B2 (ja) 発光装置
JP4890576B2 (ja) 発光モジュール
JP6643831B2 (ja) 発光装置
JP2017050104A (ja) 発光装置
TWI660494B (zh) 照明裝置
KR102018660B1 (ko) 모듈 어레이
JP2022179619A (ja) Vcselモジュール
UA79057C2 (en) Matrix of luminodiodes
JP2011023421A (ja) 発光モジュールおよび灯具ユニット