JP2011023421A - 発光モジュールおよび灯具ユニット - Google Patents
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Abstract
【課題】輝度が高く見切り性が良好な発光モジュールを提供する。
【解決手段】発光モジュール38において、実装基板52は、半導体発光素子50を支持する。枠56は、半導体発光素子50の側面に内面が対向するように実装基板52に固定される。実装基板52および枠56は、シリコンによって形成される。枠56は、直接接合として常温接合を用いて実装基板52に接合される。回路基板54は、実装基板52の外面のうち、半導体発光素子50との接合面の裏面に接合される。貫通電極64は、実装基板52は、半導体発光素子50との接合面から回路基板54との接合面まで貫通する。
【選択図】図9
【解決手段】発光モジュール38において、実装基板52は、半導体発光素子50を支持する。枠56は、半導体発光素子50の側面に内面が対向するように実装基板52に固定される。実装基板52および枠56は、シリコンによって形成される。枠56は、直接接合として常温接合を用いて実装基板52に接合される。回路基板54は、実装基板52の外面のうち、半導体発光素子50との接合面の裏面に接合される。貫通電極64は、実装基板52は、半導体発光素子50との接合面から回路基板54との接合面まで貫通する。
【選択図】図9
Description
本発明は、発光モジュールおよび灯具ユニットに関する。
LED(Light Emitting Diode)の用途は近年益々広がりを見せている。このような広範な用途に対応すべく、LEDの光の取り出し効率を向上させる技術の開発が盛んに進められている。ここで、投光開口を有する凹部にLEDチップを収容する技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
近年、例えば車両の前照灯にもLEDなどの発光素子を利用することが求められるようになっている。このような用途では、発光素子を利用した発光モジュールに高輝度やいわゆる見切り性の高さが求められる。
しかしながら、例えば上述の特許文献に記載される技術では、LEDチップの発光面よりも投光開口の開口面積の方が非常に大きくなっているため、輝度や見切り性を向上させることは容易ではない。
そこで、本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、輝度が高く見切り性が良好な発光モジュールを提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある態様の発光モジュールは、半導体発光素子と、半導体発光素子が実装される実装基板と、半導体発光素子の側面に対向するように実装基板に固定される枠部材と、を備える。枠部材は、直接接合を用いて実装基板に接合される。
枠部材と実装基板との固定に接着剤を用いる方法も考えられる。しかしながら、接着剤は枠部材からはみ出すよう塗布される場合があることから、枠部材の内面と半導体発光素子の側面との間隔を狭めることは困難である。この態様によれば、このような接着剤のはみ出しなどを考慮することなく枠部材の内面と半導体発光素子の側面との間隔を狭めることができる。このため、枠部材の開口面積を抑制することができ、発光モジュールの輝度を高めることができる。また、枠部材の内面と半導体発光素子の発光面との間隔を狭めることができるため、良好な見切り性を実現することができる。
枠部材は、直接接合として常温接合を用いて実装基板に接合されてもよい。発明者による鋭意なる研究開発の結果、常温接合を用いて枠部材と実装基板とを接合することにより、両者を良好に接合可能であることが確認された。したがってこの態様によれば、輝度が高く見切り性が良好な発光モジュールを簡易に製造することができる。
実装基板および枠部材は、シリコンによって形成されてもよい。両者がシリコンによって形成されている場合に常温接合を用いることにより、両者をさらに良好に接合可能であることが発明者によって確認されている。したがってこの態様によれば、両者をより適切に接合することが可能となる。
実装基板の外面のうち半導体発光素子との接合面の裏面に接合される回路基板をさらに備えてもよい。実装基板は、半導体発光素子との接合面から回路基板との接合面まで貫通する貫通電極を有してもよい。
このような貫通電極を設けることにより、例えば貫通電極を通じて半導体発光素子に電力を供給することが可能となる。このため、例えば回路基板上の電極と半導体発光素子とを電気的に接続すべく導電性ワイヤをボンディングする工程などを削除することができ、発光モジュールの製造工程を簡略化することができる。
本発明の別の態様は、灯具ユニットである。この灯具ユニットは、半導体発光素子と、半導体発光素子が実装される実装基板と、半導体発光素子の側面に対向するように実装基板に接合される枠部材と、を有する発光モジュールと、発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、を備える。枠部材は、直接接合を用いて実装基板に接合される。
この態様によれば、半導体発光素子を用いて輝度および見切り性の良好な灯具ユニットを提供することができる。
本発明によれば、輝度が高く見切り性が良好な発光モジュールを提供することができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態(以下、実施形態という)について詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る車両用前照灯10の構成を示す断面図である。車両用前照灯10は、灯具ボディ12、前面カバー14、および灯具ユニット16を有する。以下、図1において左側を灯具前方、右側を灯具後方として説明する。また、灯具前方にみて右側を灯具右側、左側を灯具左側という。図1は、灯具ユニット16の光軸を含む鉛直平面によって切断された車両用前照灯10を灯具左側から見た断面を示している。なお、車両用前照灯10が車両に装着される場合、車両には互いに左右対称に形成された車両用前照灯10が車両左前方および右前方のそれぞれに設けられる。図1は、左右いずれかの車両用前照灯10の構成を示している。
灯具ボディ12は開口を有する箱状に形成される。前面カバー14は透光性を有する樹脂またはガラスによって椀状に形成される。前面カバー14は、縁部が灯具ボディ12の開口部に取り付けられる。こうして、灯具ボディ12と前面カバー14とによって覆われる領域に灯室が形成される。
灯室内には、灯具ユニット16が配置される。灯具ユニット16は、エイミングスクリュー18によって灯具ボディ12に固定される。下方のエイミングスクリュー18はレベリングアクチュエータ20が作動することにより回転するよう構成されている。このため、レベリングアクチュエータ20を作動させることで、灯具ユニット16の光軸を上下方向に移動することが可能となっている。
灯具ユニット16は、投影レンズ30、支持部材32、リフレクタ34、ブラケット36、発光モジュール38、および放熱フィン42を有する。投影レンズ30は、灯具前方側表面が凸面で後方側表面が平面の平凸非球面レンズからなり、その後方焦点面上に形成される光源像を反転像として灯具前方に投影する。支持部材32は、投影レンズ30を支持する。リフレクタ34は、発光モジュール38からの光を反射して、投影レンズ30の後方焦点面に光源像を形成する。このようにリフレクタ34および投影レンズ30は、発光モジュール38が発した光を灯具前方に向けて集光する光学部材として機能する。放熱フィン42は、ブラケット36の後方側の面に取り付けられ、主に発光モジュール38が発した熱を放熱する。
支持部材32には、シェード32aが形成されている。車両用前照灯10はロービーム用光源として用いられ、シェード32aは、発光モジュール38から発せられリフレクタ34にて反射した光の一部を遮ることで、車両前方においてロービーム用配光パターンにおけるカットオフラインを形成する。ロービーム用配光パターンは公知であることから説明を省略する。
図2は、本実施形態に係る発光モジュール38の構成を示す図である。発光モジュール38は、半導体発光素子50、実装基板52、回路基板54、枠56、光波長変換部材58、および透明カバー60を有する。回路基板54の上面に実装基板52が取り付けられ、実装基板52の上面に半導体発光素子50が取り付けられる。枠56は、半導体発光素子50を囲うように実装基板52に取り付けられる。透明カバー60は中空の半球状に形成され、実装基板52、半導体発光素子50、および枠56を覆うように回路基板54に取り付けられる。
第1の実施形態では、半導体発光素子50として、青色の波長の光を主として発する青色LEDが採用されている。半導体発光素子50は、例えば1mm角のチップとして形成され、発する青色光の中心波長は460nmとなるよう設けられている。なお、半導体発光素子50の構成や発する光の波長が上述したものに限られないことは勿論であり、半導体発光素子50は青以外の波長の光を主として発するものが採用されてもよい。
半導体発光素子50は、いわゆるフリップチップタイプのものが採用されている。なお、半導体発光素子50に他のタイプのものが採用されてもよいことは勿論であり、例えば半導体発光素子50にいわゆる縦型チップタイプのものやいわゆるフェイスアップタイプのものが採用されてもよい。
光波長変換部材58は、いわゆる発光セラミック、または蛍光セラミックと呼ばれるものであり、紫外光によって励起される蛍光体であるYAG(Yttrium Alminum Garnet)粉末を用いて作成されたセラミック素地を焼結することにより得ることができる。このような光波長変換セラミックの製造方法は公知であることから詳細な説明は省略する。
また、光波長変換部材58には、透明なものが採用されている。本実施形態において「透明」とは、変換波長域の光の全光線透過率が40%以上のことを意味するものとする。発明者の鋭意なる研究開発の結果、変換波長域の光の全光線透過率が40%以上の透明な状態であれば、光波長変換部材58において光の波長を適切に変換できると共に、各々を通過する光の光度の減少も適切に抑制できることが判明した。したがって、光波長変換部材58をこのように透明な状態にすることによって、半導体発光素子50が発する光をより効率的に変換することができる。
また、光波長変換部材58は有機系バインダーレスの無機物で構成され、有機系バインダーなどの有機物を含有する場合に比べて耐久性の向上が図られている。このため、例えば発光モジュール38に1W(ワット)以上の電力を投入することが可能となっており、発光モジュール38が発する光の輝度、光度、および光束を高めることが可能となっている。
光波長変換部材58は、半導体発光素子50が主として発する青色の波長を変換して黄色を出射する。このため、発光モジュール38からは、半導体発光素子50が発する青色光と、光波長変換部材58によって波長変換され出射された黄色光との合成光である白色光が出射される。
なお、光波長変換部材58は上述のものに限られず、例えば粉体の蛍光体をシリコーン樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂内に含有させて硬化させたものでもよい。また、半導体発光素子50は青色光を発するものに限られず、例えば紫外光を発する紫外線LEDが半導体発光素子50に採用されてもよい。この場合、光波長変換部材58は、紫外光を赤色光に波長変換する第1波長変換部材、紫外光を緑色光に波長変換する第2光波長変換部材、および紫外光を青色光に波長変換する第3光波長変換部材が積層されて設けられてもよい。また、光波長変換部材58は、紫外光を赤色光に波長変換する第1蛍光体、紫外光を緑色光に波長変換する第2蛍光体、および紫外光を青色光に波長変換する第3蛍光体を上記透明樹脂内に含有させて硬化させたものでもよい。
(比較例の発光モジュール)
ここで、本実施形態に係る発光モジュール38と比較するための比較例について説明する。図3は、比較例に係る発光モジュール100の上面図である。理解を容易なものとすべく図3において回路基板154を矩形に描いているが、実際の回路基板154はこれよりも大きく、また形状も矩形に限られない。図4は、図3のP−P断面図である。理解を容易なものとすべく、図4において回路基板154を水平に置いたときの発光モジュール100の断面図を示している。図5は、図3のQ−Q断面図である。以下、図3〜図6に関連して比較例に係る発光モジュール100について説明する。
ここで、本実施形態に係る発光モジュール38と比較するための比較例について説明する。図3は、比較例に係る発光モジュール100の上面図である。理解を容易なものとすべく図3において回路基板154を矩形に描いているが、実際の回路基板154はこれよりも大きく、また形状も矩形に限られない。図4は、図3のP−P断面図である。理解を容易なものとすべく、図4において回路基板154を水平に置いたときの発光モジュール100の断面図を示している。図5は、図3のQ−Q断面図である。以下、図3〜図6に関連して比較例に係る発光モジュール100について説明する。
発光モジュール100は、半導体発光素子150、実装基板152、回路基板154、および枠156を有する。枠156の上に光波長変換部材58が取り付けられる点は本実施形態に係る発光モジュール38と同様である。このため、以下において光波長変換部材58の図示は省略している。
半導体発光素子150は、上述の半導体発光素子50と同様である。この比較例では、一対の半導体発光素子150が用いられる。なお、半導体発光素子150の数が2つに限られないことは勿論であり、半導体発光素子150が1個、または3個以上設けられてもよい。
一対の半導体発光素子150は、実装基板152の一方の面に実装される。一対の半導体発光素子150は、互いの一側面が対向するよう配置される。また、一対の半導体発光素子150は、水平且つ灯具ユニット16の光軸に垂直な方向に並設される。実装基板152は、外形が矩形の板状に形成される。実装基板152の一方の面には、一端から他端にわたって帯状に電極162が形成されている。この電極162の中央に、一対の半導体発光素子150がAuバンプを介して取り付けられる。
なお、一対の半導体発光素子150の各々が縦型チップによって構成されている場合、一対の半導体発光素子150の各々の上面に設けられた電極と実装基板152に設けられた電極162とが導電性ワイヤによって接続される。また、一対の半導体発光素子150の各々の下面に設けられた電極と実装基板152に設けられた電極162とが直接的に接合される。
電極162は、一対の半導体発光素子150を電気的に直列または並列に接続するよう設けられている。このため一対の半導体発光素子150は、電極162の両端に電圧が印加されることによって発光するよう設けられる。
枠156は、この一対の半導体発光素子150を囲うことができる大きさを有する矩形の貫通穴を有する。枠156は、半導体発光素子150の側面にこの貫通穴の内面が対向するように実装基板152に固定される。この比較例では、枠156は接着剤164によって実装基板152に取り付けられる。
実装基板152は、半導体発光素子150との接合面の裏面が回路基板154に接合される。回路基板154には、電極166および電極168が設けられている。電極162の一方の端部と電極166とは、導電性ワイヤ170によって互いに接続され、他方の端部と電極168とは、導電性ワイヤ172によって互いに接続される。こうして、電極166と電極168との間に電圧が印加されることにより、一対の半導体発光素子150の双方が発光する。
図6は、図4の領域Rの拡大図である。半導体発光素子150は、実装基板152に取り付けられる面と反対側の面が発光面150aとなる。枠156の内面156aは、半導体発光素子150のうち発光面150aに接する側面150bに対向する。
この比較例のように枠156と実装基板152とを接着剤164で互いに固着する場合、接着剤164の枠156からのはみ出しを考慮する必要がある。このため、図6に示すように枠156の内面156aと半導体発光素子150の側面150bとの間の間隔L1を狭めることは容易ではない。間隔L1を狭めることができなければ枠156の開口面積を小さくすることも難しいため、発光モジュール100の輝度を高めることは困難となる。また、間隔L1を狭めることができない場合、いわゆる見切り性も向上させることも困難となる。
さらに、半導体発光素子の用途の拡大に伴い、発光モジュールを構成する半導体発光素子に高出力化および短波長化が益々求められるようになっている。しかしながら、半導体発光素子150を高出力化または短波長化するにしたがって、接着剤164の劣化を抑制することが困難となる。このため、接着剤164を用いて枠156と実装基板152とを固着させる場合、高い信頼性を実現することは容易ではない。
このため、本実施形態に係る発光モジュール38では、枠56は、直接接合を用いて実装基板52に接合される。以下、発光モジュール38について説明する。
(本実施形態の発光モジュール)
図7は、本実施形態に係る発光モジュール38の上面図である。理解を容易なものとすべく図7においても回路基板54を矩形に描いているが、実際の回路基板154はこれよりも大きく、また形状も矩形に限られない点は上述と同様である。図8は、図7のS−S断面図である。理解を容易なものとすべく、図8においても回路基板54を水平に置いたときの発光モジュール38の断面図を示している。図9は、図7のT−T断面図である。これら図7〜図9においても、光波長変換部材58の図示を省略している。以下、図7〜図9に関連して本実施形態に係る発光モジュール38について説明する。
図7は、本実施形態に係る発光モジュール38の上面図である。理解を容易なものとすべく図7においても回路基板54を矩形に描いているが、実際の回路基板154はこれよりも大きく、また形状も矩形に限られない点は上述と同様である。図8は、図7のS−S断面図である。理解を容易なものとすべく、図8においても回路基板54を水平に置いたときの発光モジュール38の断面図を示している。図9は、図7のT−T断面図である。これら図7〜図9においても、光波長変換部材58の図示を省略している。以下、図7〜図9に関連して本実施形態に係る発光モジュール38について説明する。
本実施形態においても、一対の半導体発光素子50が用いられる。なお、半導体発光素子50の数が2つに限られないことは勿論であり、半導体発光素子50が1個、または3個以上設けられてもよい。
一対の半導体発光素子50は、実装基板52の一方の面に実装される。一対の半導体発光素子50は、互いの一側面が対向するよう配置される。また、一対の半導体発光素子50は、水平且つ灯具ユニット16の光軸に垂直な方向に並設される。
実装基板52は、外形が矩形の板状に形成される。実装基板52の一方の面には電極62が形成されている。一対の半導体発光素子50は、この電極62にAuバンプを介して取り付けられる。電極62は、一対の半導体発光素子50を電気的に直列または並列に接続する。しかしながら電極62は、比較例に係る電極162のように回路基板54の全長にわたって形成されておらず、実装基板52の一面の中央に形成されている。具体的には、電極62は、一対の半導体発光素子50によって一体的に形成される矩形の形状と略同一の大きさおよび形状に形成される。このため電極62は、一対の半導体発光素子50が取り付けられたときに、半導体発光素子50同士の間のスペースを除き半導体発光素子50の側面からはみ出さないように形成される。
また、実装基板52は、貫通電極64を有する。回路基板54は、実装基板52の外面のうち半導体発光素子50との接合面の裏面に接合される。貫通電極64は、実装基板52を、半導体発光素子50との接合面から回路基板54との接合面まで貫通する。貫通電極64は、半導体発光素子50との接合面から回路基板54との接合面まで直線的に貫通するワイヤ状の複数の電極によって構成されている。すべての貫通電極64は、一端が電極62に接続される。
一方、回路基板54には、実装基板52と接合しない部分から実装基板52との接合する部分にそれぞれがオーバーラップするよう電極66および電極68が設けられている。貫通電極64を構成する複数の電極の他端のうち、一部は電極66に接続され、他の一部は電極68に接続される。こうして一対の半導体発光素子50は、電極66と電極68との間に電圧が印加されることによって発光するよう設けられる。このように貫通電極64を通じて電極62と、電極66および電極68の各々とを互いに接続することにより、比較例のような導電性ワイヤをボンディングする工程を削除することができる。このため、発光モジュール38の製造工程を簡略化することができる。
実装基板52を構成する複数の電極のうち電極66および電極68の双方に接続されない電極は、他端が回路基板54に接続される。これにより、半導体発光素子50が発する熱を回路基板54に伝え、半導体発光素子50の温度上昇を抑制することができる。このため、貫通電極64は、半導体発光素子50が発する熱を伝達する熱伝達部材としても機能とする。
なお、一対の半導体発光素子50の各々が縦型チップによって構成されている場合、電極62は、これら半導体発光素子50が取り付けられたときも半導体発光素子50からはみ出すよう形成される。このはみ出した部分が、半導体発光素子50の各々の上面に形成される電極に導電性ワイヤで接続される。また、一対の半導体発光素子50の各々の下面に設けられた電極と実装基板52に設けられた電極62とが直接的に接合される。なお、このときも、一対の半導体発光素子50によって形成される矩形の少なくとも一辺では、電極62は半導体発光素子50からはみ出さないように形成される。
枠56は、この一対の半導体発光素子50を囲うことができる大きさを有する矩形の貫通穴を有する。枠56は、半導体発光素子50の側面にこの貫通穴の内面が対向するように実装基板52に固定される。このとき、電極62は枠56の貫通穴の内部に収容されるため、枠56の下方における電極による段差を回避することができる。枠56は、直接接合を用いて実装基板52に接合される。
図10は、図8の領域Uの拡大図である。半導体発光素子50は、実装基板52に取り付けられる面と反対側の面が発光面50aとなる。枠56の内面56aは、半導体発光素子50のうち発光面50aに接する側面50bに対向する。
このように枠56を実装基板52に直接接合することにより、枠56からの接着剤のはみ出しを考慮する必要がなくなることから、比較例のように接着剤を用いて固着させる場合に比べて枠56の内面56aと半導体発光素子50の側面50bとの間隔L2を狭めることが可能となる。このため、枠56の開口部の面積を比較例に比べ小さくすることができ、発光モジュール38の輝度を高めることが可能となる。また、間隔L2を間隔L1よりも狭めることができ、その部分の見切り性を比較例に比べ高めることができる。さらに、半導体発光素子50の高出力化や短波長化の影響を受けやすい接着剤を用いることなく枠56を実装基板52に固着させるため、接着剤を用いる場合に比べて信頼性を容易に向上させることが可能となる。
本実施形態に係る発光モジュール38では、実装基板52および枠56はシリコンによって形成される。枠56は、直接接合として常温接合を用いて実装基板52に接合される。このとき、枠56および実装基板52の両者、または一方をプラズマで活性化させることによりアモルファス化して両者を直接接合する。発明者による鋭意なる研究開発の結果、このように常温接合することにより、両者を適切に固着できることが確認されている。このように常温接合を用いて両者を接合させることにより、例えば温度の上昇を伴う他の接合方法と比べて部材の収縮を抑制することができ、より適切に両者を固着させることが可能となる。
なお、枠56および実装基板52の材質はこれに限られず、例えば枠56と実装基板52とがシリコン以外の同じ材料によって形成されてもよい。また、枠56および実装基板52の各々を形成する材料の組み合わせが、例えばガラスとシリコンであってもよく、また、サファイアとシリコンであってもよい。
また、常温接合に代えて陽極接合を用いて枠56を実装基板52に接合させてもよい。このとき、枠56および実装基板52の各々を形成する材料の組み合わせは、ガラスとシリコンであってもよい。
発光モジュール38を製造する場合、まず枠56を実装基板52に直接接合を用いて接合させる。次に、一対の半導体発光素子50を枠56の貫通穴の内部に挿入し、Auバンプを介して実装基板52の一面上に取り付ける。このように半導体発光素子50を取り付ける前に枠56を実装基板52に取り付けることにより、枠56を実装基板52に容易に直接接合することが可能となる。
次に実装基板52のうち半導体発光素子50の実装面の裏面を、回路基板54のうち電極66および電極68が設けられた面に取り付ける。こうしてワイヤボンディング工程を経ることなく発光モジュール38を製造することができる。なお、発光モジュール38の製造方法がこれに限られないことは勿論であり、例えば実装基板52に半導体発光素子50を取り付けた後に枠56を実装基板52に取り付けてもよい。
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本実施形態の各要素を適宜組み合わせたものも、本発明の実施形態として有効である。また、当業者の知識に基づいて各種の設計変更等の変形を本実施形態に対して加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施形態も本発明の範囲に含まれうる。
16 灯具ユニット、 38 発光モジュール、 50 半導体発光素子、 50b 側面、 54 回路基板、 56 枠、 62 電極、 64 貫通電極。
Claims (5)
- 半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が実装される実装基板と、
前記半導体発光素子の側面に対向するように前記実装基板に固定される枠部材と、
を備え、
前記枠部材は、直接接合を用いて前記実装基板に接合されることを特徴とする発光モジュール。 - 前記枠部材は、直接接合として常温接合を用いて前記実装基板に接合されることを特徴とする請求項1に記載の発光モジュール。
- 前記実装基板および前記枠部材は、シリコンによって形成されることを特徴とする請求項2に記載の発光モジュール。
- 前記実装基板の外面のうち前記半導体発光素子との接合面の裏面に接合される回路基板をさらに備え、
前記実装基板は、前記半導体発光素子との接合面から前記回路基板との接合面まで貫通する貫通電極を有することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の発光モジュール。 - 半導体発光素子と、前記半導体発光素子が実装される実装基板と、前記半導体発光素子の側面に対向するように前記実装基板に接合される枠部材と、を有する発光モジュールと、
前記発光モジュールから出射された光を集光する光学部材と、
を備え、
前記枠部材は、直接接合を用いて前記実装基板に接合されることを特徴とする灯具ユニット。
Priority Applications (1)
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---|---|---|---|
JP2009165008A JP2011023421A (ja) | 2009-07-13 | 2009-07-13 | 発光モジュールおよび灯具ユニット |
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-
2009
- 2009-07-13 JP JP2009165008A patent/JP2011023421A/ja active Pending
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JP7007560B2 (ja) | 2017-09-28 | 2022-01-24 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
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