JP6696129B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
第一の光源は、第一の半導体発光素子、第一の蛍光体層および第一のレンズを含む。第一の光源から取り出される第一の光源光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置を局所的な照明として用いる場合、第一の光源光を、相関色温度5000K以上5700K以下の白色光とすることが可能である。
第一の半導体発光素子は、窒化ガリウム系の窒化物半導体を用いた紫外〜青色に発光する半導体発光素子、ガリウムヒ素を用いた赤外に発光する半導体レーザ等を、目的に応じて選択できる。図1における第一の半導体発光素子11は、光取り出し側を上側とした場合、透光性基板121の下に半導体層122、電極123を形成し、バンプ124を通じて外部と電気的に接続される。図1における第一の半導体発光素子の形態は電極が半導体層の下側に位置するフェイスダウン構造の形態であるが、電極が半導体層の上側に位置するフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板121は第一の光源を形成する際に除去してもよい。図2、図3における第一の半導体発光素子の形態も、フェイスダウン構造であるが、こちらもフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板221、321は第一の光源を形成する際に除去してもよい。
第一の蛍光体層は、第一の半導体発光素子から発せられる第一の発光の少なくとも一部を吸収し、第一の蛍光を発することが可能な蛍光体を含む。第一の蛍光体層に含まれる蛍光体は、第一の発光と、第一の光源から取り出される光とに応じて適宜選択すればよい。
第一のレンズは、第一の光源光にある程度の指向性を持たせる機能を有する。第一のレンズは、上側から見たとき、第一の蛍光体層の全体を覆っていることが好ましい。また、第一のレンズの上側から見た平面形状は、第一の蛍光体層の上側から見た平面形状と相似していることが好ましい。このように形状を調整すると、第一の光源光の光束分布をより均一にしやすい。
第ニの光源は、第ニの半導体発光素子、第ニの蛍光体層および第ニのレンズを含む。第ニの光源から取り出される光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置全体から取り出される光を、低色温度の黒体放射光に調節する場合、CIE色度座標(x,y)において、0.550≦x≦0.560且つ0.415≦y≦0.425で表される範囲のアンバー色光とすることが可能である。
第二の半導体発光素子は、第一の半導体発光素子同様、目的に応じてその組成、構造等を選択可能である。
第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子は、離間していてもよい。第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子との距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。
第二の蛍光体層は、第一の蛍光体層同様、目的に応じて選択する蛍光体の組成、蛍光体層の構造等を適宜選択、組み合わせ可能である。
第二のレンズは、第一のレンズ同様、目的に応じてその構造、材質等を適宜選択、組み合わせ可能である。
第一のレンズと第二のレンズは離間していてもよい。第一のレンズと第二のレンズとの距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。第一のレンズと第二のレンズが互いに接触している場合の形態として、第一のレンズと第二のレンズが一体化した形態となってもよい。
第一の光源と第二の光源は、同一の回路上の受動素子としてもよいが、互いに電気的に独立していてもよい。つまり、第1の光源と第2の光源を独立して制御可能となるように構成することで、それぞれから取り出される光の強度を任意に制御することができる。
第一の光源および第二の光源以外に目的に応じて他の部材を組み合わせる。以下、いくつかの部材について説明する
第一の光源および第二の光源を含む部材の周辺に周辺部を設け、第一の光源および第二の光源を含む部材を一体化させる。周辺部は、必要に応じて可視光に対して反射率の高い部材で構成されることもできるし、可視光に対して透光性を有する部材で構成することもできる。図3における周辺部37は、可視光に対して反射率の高い材料で構成された例である。図1、2における周辺部17、27は、可視光に対して透光性を有する材料で構成された例である。
第一のレンズと第一の蛍光体層とを離間して配置する場合、または第二のレンズと第二の蛍光体層とを離間する場合、周辺部の周辺にさらに外周部を設けることが好ましい。図1は、第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14と、第一のレンズ15および第二のレンズ16とを、外周部17を用いて離間させた例である。
<第一の半導体発光素子>
透光性基板111としてサファイア基板を用い、InGaNからなる発光層を含む窒化物半導体からなる半導体層112を、MOCVD法(有機金属気相化学成長法)によって形成する。
セリウム付活のイットリウムアルミニウムガーネット(YAG:Ce)蛍光体をエポキシ樹脂に分散する。分散後、硬化剤を追加し、蛍光体含有エポキシ樹脂を円柱状の型に流し、数時間静置する。静置後、型から円柱状の硬化した蛍光体含有エポキシ樹脂を透光性基板111の上に設置し、第一の蛍光体層13とする。YAG:Ce蛍光体の量は、第一の光源光が色相関温度5500Kの光となるよう調整する。
第一の半導体発光素子と同様の半導体発光素子を第二の半導体発光素子12として用いる。
使用する蛍光体がユーロピウム付活の窒化珪素アルミニウムカルシウム(CASN:Eu)蛍光体である以外第一の蛍光体層13と同様に行い、第二の蛍光体層14を形成する。CASN:Eu蛍光体の量は、第ニの光源光がCIE色度座標において(0.555,0.420)近辺の光となるよう調整する。
第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14の上面より200μm程高い位置に上面を有し、ナイロン樹脂で構成される外周部20を第一の半導体発光素子11、第一の蛍光体層13、第二の半導体発光素子12および第二の蛍光体層14の周辺に設置する。外周部20の底面を含む面が発光装置としての底面となる。
外周部20の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部17を形成する。周辺部17の上面は、第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14の上面とほぼ同じ高さに調整する。
シリコーン樹脂からなり、略円形のフレネルレンズ領域を有し、上側から見た平面形状が正方形であるフレネルレンズが隣接して一体化された、第一のレンズ15および第二のレンズ16の一体化物(以下、一体化レンズと称す)を外周部20の上に設置する。設置後、フレネルレンズの上側から加熱、加圧して外周部20と一体化レンズを接合させる。このとき、第一のレンズ15の中心と第一の蛍光体層13の中心は、上側から見て一致している。また、第二のレンズ16の中心と第二の蛍光体層14の中心は、上側から見て一致している。
実施例1と同様にして、第一の半導体発光素子21、第一の蛍光体層23、第二の半導体発光素子22、第二の蛍光体層24および外周部30を得る。
シリコーン樹脂からなり、上側から見た略円形である凸レンズが隣接して一体化された、第一のレンズ25および第二のレンズ26の一体化物を第一の蛍光体層23及び第二の蛍光体層24の上に設置する。
実施例1と同様にして外周部30を設置する。
外周部30の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部27を形成する。周辺部27の上面は、外周部30の上面とほぼ同じ高さに調整する。このとき、第一のレンズ25の中心と第一の蛍光体層23の中心は、上側からみて第一の中心28で一致している。また、第ニのレンズ26の中心と第ニの蛍光体層24の中心は、上側からみて第ニの中心29で一致している。
実施例1と同様にして第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体発光素子32および第二の蛍光体層34を得る。
シリコーン樹脂に、酸化チタンからなる白色顔料と硬化剤とを混合し、周辺部形成用の型に流し込む。型に、配線基板上に形成された第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体層32および第二の蛍光体層34を投入し、シリコーン樹脂が硬化するまで静置する。静置後、型から第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体層32および第二の蛍光体層34を引き抜くと、型の形状に応じた周辺部37が形成される。周辺部37の上面は、第一の蛍光体層33および第二の蛍光体層34の上面とほぼ同じ高さとなるよう調節する。
実施例1と同様にして、第一のレンズ35および第二のレンズ36の一体化物と、周辺部37とを接合させる。このとき、第一のレンズ35の中心と第一の蛍光体層33の中心は、上側からみて第一の中心38で一致している。また、第二のレンズ36の中心と第二の蛍光体層34の中心は、上側からみて第二の中心39で一致している。
11、21、31 第一の半導体発光素子
111、211、311 透光性基板
112、212、312 半導体層
113、213、313 電極
114、214、314 バンプ
12、22、32 第二の半導体発光素子
121、221、321 透光性基板
122、222、322 半導体層
123、223、323 電極
124、224、324 バンプ
13、23、33 第一の蛍光体層
14、24、34 第二の蛍光体層
15、25、35 第一のレンズ
16、26、36 第二のレンズ
17、27、37 周辺部
18、28、38 第一の中心
19、29、39 第二の中心
20、30 外周部
Claims (9)
- 第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、
第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源と、
前記第一の光源および前記第二の光源の周辺に設けられた、可視光に対して透光性を有する材料で構成される周辺部と、
前記周辺部を囲う、可視光に対して反射率の高い材料で構成される外周部と、
を含み、
前記周辺部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面とほぼ同じ高さであり、
前記外周部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面より高く、
前記第一のレンズおよび前記第二のレンズは、前記外周部の上面に支持され、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層と離隔している発光装置。 - 前記第一の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第一の半導体発光素子の上面の面積は前記第一の蛍光体層の上面の面積より大きい請求項1に記載の発光装置。
- 第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、
第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源と、
前記第一の光源および前記第二の光源の周辺に設けられた、可視光に対して透光性を有する材料で構成される周辺部と、
前記周辺部を囲う、可視光に対して反射率の高い材料で構成される外周部と、
を含み、
前記第一の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第一の半導体発光素子の上面の面積は前記第一の蛍光体層の上面の面積より大きく、
前記周辺部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面とほぼ同じ高さである発光装置。 - 前記第二の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第二の半導体発光素子の上面の面積は前記第二の蛍光体層の上面の面積より大きい請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第一のレンズがフレネルレンズである請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第二のレンズがフレネルレンズである請求項1乃至5のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第一の光源から取り出される第一の光源光が、相関色温度5000K以上5700K以下の白色光である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第二の光源から取り出される光源光が、CIE色度座標(x,y)において、0.550≦x≦0.560且つ0.415≦y≦0.425で表される範囲のアンバー色光である、請求項1乃至7のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記第一の光源および前記第二の光源が、互いに電気的に独立している、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の発光装置。
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