JP6696129B2 - 発光装置 - Google Patents

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本発明は複数の半導体発光素子を用いた発光装置に関する。
白色光を発する発光装置として、窒化ガリウム等を用いた半導体発光素子と、蛍光体とを組み合わせた発光装置がある。このような発光装置の例として、一つの発光装置内に複数の半導体発光素子を備えた例も存在する。
特許文献1には、複数の半導体発光素子と、複数の蛍光体層とを備え、前記複数の発光素子および蛍光体層の全体を一つのレンズで覆った発光装置の形態が記載されている。
特開2012−142326号公報
発光装置から特定方向に取り出される光の強度を向上させるには、レンズ等の光学素子が必要である。そして、複数の半導体発光素子等を一つのレンズで覆った発光装置の場合、発光装置全体の大きさはレンズの大きさに影響される。
本発明の目的は、複数の半導体発光素子を有する発光装置において、特定方向に取り出される光の強度が向上し、且つ発光装置全体の大きさがより小さい発光装置を提供することである。
本発明の実施形態に係る発光装置は、第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源とを含む。
本発明の実施形態に係る発光装置により、発光装置全体の大きさを小さくし、且つ特定方向に取り出される光の強度を向上させることができる。
図1は本発明の実施形態の概略の一例である。 図2は本発明の実施形態の概略の別の一例である。 図3は本発明の実施形態の概略のさらに別の一例である。
図1は、本発明の一実施形態に係る発光装置1の概略を示したものである。図1の(c)に、実装面に垂直な方向における発光装置1の一断面を示している。図1の(a)における線分A−Bの断面を図1の(c)に示している。また、図1の(c)における線分A’−B’間の断面を図1の(a)に示している。また、図1の(c)における線分A’’−B’’間の断面を図1の(b)に示している。図1において、第一のレンズ15および第二のレンズ16はフレネルレンズである。第一のレンズがフレネルレンズであると、レンズが薄くできるので、第一の光源に係る領域の光取り出し方向の長さを短くすることが可能になる。第ニのレンズがフレネルレンズであると、レンズが薄くできるので、第ニの光源に係る領域の光取り出し方向の長さを短くすることが可能になる。また、レンズが薄くなり、光取り出し方向の設計に係る自由度が高くなるので、図1のように第一のレンズ15および第ニのレンズ16を、それぞれ第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14から離間して配置する余裕も出てくる。第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14と、第一のレンズ15および第二のレンズ16とを適宜離間することで、第一の光源および第二の光源の光の広がりをそれぞれ調節することが可能になる。
図1に示すように、発光装置1は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部17を有し、さらに周辺部17およびを囲う外周部20を有している。周辺部17は可視光に対して透光性を有する材料で構成され、外周部20は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。また、外周部20は第一のレンズ15および第二のレンズ16と接しており、第一の蛍光体層および第二の蛍光体層15と、第一のレンズ15および第二のレンズ16とを離間させている。
図2は、本発明の他の実施形態に係る発光装置2の概略を示したものである。図2の(c)に、実装面に垂直な方向における発光装置2の一断面を示している。図2の(a)における線分A−B間の断面を図2の(c)に示している。また、図2の(c)における線分A’−B’間の断面を図2の(a)に示している。また、図2の(c)における線分A’’−B’’間の断面を図2の(b)に示している。図2において、第一のレンズ25および第二のレンズ26は凸レンズである。光取り出し方向の設計に余裕があれば、このようにフレネルレンズ以外のレンズを第一のレンズ、第二のレンズ、あるいはそれら両方に採用してもよい。
図2に示すように、発光装置2は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部27を有し、さらに周辺部27およびを囲う外周部30を有している。周辺部27は可視光に対して透明な材料で構成され、外周部30は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。
図3は、本発明の他の実施形態に係る発光装置3の概略を示したものである。図3の(c)に、実装面に垂直な方向における発光装置3の一断面を示している。図3の(a)における線分A−B間の断面を図3の(c)に示している。また、図3の(c)における線分A‘−B’間の断面を図3の(a)に示している。あた、図3の(c)における線分A’’−B’’間の断面を図3の(b)に示している。図3において、第一のレンズ35および第二のレンズ36はフレネルレンズであり、それぞれ第一の蛍光体層33および第二の蛍光体層34と接している。
図3に示すように、発光装置3は第一の光源および第二の光源の周辺に周辺部37を有している。周辺部37は可視光に対して反射率の高い材料で構成される。
以下、発光装置を構成する各部材について説明する。
<第一の光源>
第一の光源は、第一の半導体発光素子、第一の蛍光体層および第一のレンズを含む。第一の光源から取り出される第一の光源光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置を局所的な照明として用いる場合、第一の光源光を、相関色温度5000K以上5700K以下の白色光とすることが可能である。
[第一の半導体発光素子]
第一の半導体発光素子は、窒化ガリウム系の窒化物半導体を用いた紫外〜青色に発光する半導体発光素子、ガリウムヒ素を用いた赤外に発光する半導体レーザ等を、目的に応じて選択できる。図1における第一の半導体発光素子11は、光取り出し側を上側とした場合、透光性基板121の下に半導体層122、電極123を形成し、バンプ124を通じて外部と電気的に接続される。図1における第一の半導体発光素子の形態は電極が半導体層の下側に位置するフェイスダウン構造の形態であるが、電極が半導体層の上側に位置するフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板121は第一の光源を形成する際に除去してもよい。図2、図3における第一の半導体発光素子の形態も、フェイスダウン構造であるが、こちらもフェイスアップ構造の形態であってもよい。また、透光性基板221、321は第一の光源を形成する際に除去してもよい。
[第一の蛍光体層]
第一の蛍光体層は、第一の半導体発光素子から発せられる第一の発光の少なくとも一部を吸収し、第一の蛍光を発することが可能な蛍光体を含む。第一の蛍光体層に含まれる蛍光体は、第一の発光と、第一の光源から取り出される光とに応じて適宜選択すればよい。
第一の蛍光体層に含まれる蛍光体は一種類でもよいし、複数種存在してもよい。例えば第一の半導体発光素子が、活性層に窒化インジウムガリウムを用いた青色発光の窒化物半導体発光素子の場合、セリウム付活のイットリウムアルミニウムガーネット蛍光体と、ユーロピウム付活の窒化珪素ストロンチウム蛍光体とを用いることができる。具体的には、2種の蛍光体を混合してエポキシ樹脂に分散し、エポキシ樹脂を硬化後、目的の形状に整形する。そして、それを第一の半導体発光素子と組み合わせることで、相関色温度が5000K〜5700K程度の光が取り出される第一の光源を得ることができる。なお、第一の蛍光体層として、所望の蛍光体の焼結板を用いてもよい。
第一の蛍光体層は、第一の発光の一部を吸収するのでもよいし、全部を吸収するのでもよい。第一の蛍光体層が第一の発光の一部を吸収する場合、第一の光源光は、第一の発光と第一の蛍光とを合成した光となる。第一の蛍光体層が第一の発光の全部を吸収する場合、第一の光源光は、第一の蛍光となる。
第一の蛍光体層の形状は、上側から見た平面形状が略円形であることが好ましい。このように形状を調整すると、第一の光源光の照射方向、照射立体角等が調整しやすく、被写体の照度分布を調整しやすい。
[第一のレンズ]
第一のレンズは、第一の光源光にある程度の指向性を持たせる機能を有する。第一のレンズは、上側から見たとき、第一の蛍光体層の全体を覆っていることが好ましい。また、第一のレンズの上側から見た平面形状は、第一の蛍光体層の上側から見た平面形状と相似していることが好ましい。このように形状を調整すると、第一の光源光の光束分布をより均一にしやすい。
第一のレンズと第一の蛍光体層は、図1のように離間して配置されていると、配向特性が良くなり好ましい。
第一のレンズの材質としては、第一の光源光における波長範囲において、透過率が高いものを選択することができる。図1における第一の蛍光体層13および第一のレンズ15は、特に好ましい形態の一例である。図1において第一の蛍光体層13を上側から見た形状は略円形であり、第一のレンズ15を上側から見た形状は、略円形のフレネルレンズ領域を含んだ四角形である。さらに、第一の蛍光体層13の中心と、第一のレンズ15の中心は、上側からみて第一の中心18で一致している。このように第一の蛍光体層13の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。
図2において第一の蛍光体層23を上側から見た形状が略円形であり、第一のレンズ25の上側から見た形状も略円形である。さらに、第一の蛍光体層23の中心と、第一のレンズ25の中心は、上側からみて第一の中心28で一致している。このように第一の蛍光体層23の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。
図3において第一の蛍光体層33を上側から見た形状が略円形であり、第一のレンズ35を上側から見た形状も略円形である。さらに、第一の蛍光体層33の中心と、第一のレンズ35の中心は、上側からみて第一の中心38で一致している。このように第一の蛍光体層33の中心と第一のレンズの中心を一致させると、配光の制御が容易となる。
<第ニの光源>
第ニの光源は、第ニの半導体発光素子、第ニの蛍光体層および第ニのレンズを含む。第ニの光源から取り出される光は、発光装置に求められる機能によって適宜選択可能である。例えば発光装置全体から取り出される光を、低色温度の黒体放射光に調節する場合、CIE色度座標(x,y)において、0.550≦x≦0.560且つ0.415≦y≦0.425で表される範囲のアンバー色光とすることが可能である。
[第ニの半導体発光素子]
第二の半導体発光素子は、第一の半導体発光素子同様、目的に応じてその組成、構造等を選択可能である。
[第一の半導体発光素子と第ニの半導体発光素子の関係]
第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子は、離間していてもよい。第一の半導体発光素子と第二の半導体発光素子との距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。
[第ニの蛍光体層]
第二の蛍光体層は、第一の蛍光体層同様、目的に応じて選択する蛍光体の組成、蛍光体層の構造等を適宜選択、組み合わせ可能である。
[第ニのレンズ]
第二のレンズは、第一のレンズ同様、目的に応じてその構造、材質等を適宜選択、組み合わせ可能である。
第ニのレンズと第ニの蛍光体層は、図1のように離間して配置されていると、配向特性が良くなり好ましい。
[第一のレンズと第ニのレンズの関係]
第一のレンズと第二のレンズは離間していてもよい。第一のレンズと第二のレンズとの距離は、短ければ短いほどよく、ゼロである、すなわち互いに接触していることが特に好ましい。第一のレンズと第二のレンズが互いに接触している場合の形態として、第一のレンズと第二のレンズが一体化した形態となってもよい。
[第一の光源と第二の光源の関係]
第一の光源と第二の光源は、同一の回路上の受動素子としてもよいが、互いに電気的に独立していてもよい。つまり、第1の光源と第2の光源を独立して制御可能となるように構成することで、それぞれから取り出される光の強度を任意に制御することができる。
<他の部材>
第一の光源および第二の光源以外に目的に応じて他の部材を組み合わせる。以下、いくつかの部材について説明する
[周辺部]
第一の光源および第二の光源を含む部材の周辺に周辺部を設け、第一の光源および第二の光源を含む部材を一体化させる。周辺部は、必要に応じて可視光に対して反射率の高い部材で構成されることもできるし、可視光に対して透光性を有する部材で構成することもできる。図3における周辺部37は、可視光に対して反射率の高い材料で構成された例である。図1、2における周辺部17、27は、可視光に対して透光性を有する材料で構成された例である。
可視光に対して反射率の高い材料の例として、白色顔料を含有させた樹脂がある。このような例における白色顔料としては、酸化チタン、酸化亜鉛等がある。また、このような例における樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ナイロン樹脂等がある。
可視光に対して透光性を有する材料の例として、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等がある。
[外周部]
第一のレンズと第一の蛍光体層とを離間して配置する場合、または第二のレンズと第二の蛍光体層とを離間する場合、周辺部の周辺にさらに外周部を設けることが好ましい。図1は、第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14と、第一のレンズ15および第二のレンズ16とを、外周部17を用いて離間させた例である。
周辺部が可視光に対して透光性を有する材料で構成される場合、周辺部の周辺に、可視光に対して反射率の高い材料で構成された外周部を設けることが好ましい。図1、図2は、可視光に対して透明な材料で構成された周辺部17、27それぞれの周辺に、可視光に対して反射率の高い材料で構成された外周部20、30を設けた例である。周辺部および外周部の少なくとも一方が、可視光に対して反射率の高い材料で構成されると、第一の光源および第二の光源の光取り出し効率が向上する。
可視光に対して反射率の高い材料の例として、ナイロン樹脂、ガラスエポキシ、アルミナセラミックス、ジルコニアセラミックス等がある。あるいは適当な材料の表面に、銀等の可視光に対して反射率の高い材料をメッキして用いてもよい。
実施例を以下に説明する。
[実施例1]
<第一の半導体発光素子>
透光性基板111としてサファイア基板を用い、InGaNからなる発光層を含む窒化物半導体からなる半導体層112を、MOCVD法(有機金属気相化学成長法)によって形成する。
半導体層112にAu/Ti合金からなる電極113を形成し、配線基板と、電極113とを、バンプ114を通じて接続する。こうして第一の半導体発光素子11を得る。
<第一の蛍光体層>
セリウム付活のイットリウムアルミニウムガーネット(YAG:Ce)蛍光体をエポキシ樹脂に分散する。分散後、硬化剤を追加し、蛍光体含有エポキシ樹脂を円柱状の型に流し、数時間静置する。静置後、型から円柱状の硬化した蛍光体含有エポキシ樹脂を透光性基板111の上に設置し、第一の蛍光体層13とする。YAG:Ce蛍光体の量は、第一の光源光が色相関温度5500Kの光となるよう調整する。
<第ニの半導体発光素子>
第一の半導体発光素子と同様の半導体発光素子を第二の半導体発光素子12として用いる。
<第ニの蛍光体層>
使用する蛍光体がユーロピウム付活の窒化珪素アルミニウムカルシウム(CASN:Eu)蛍光体である以外第一の蛍光体層13と同様に行い、第二の蛍光体層14を形成する。CASN:Eu蛍光体の量は、第ニの光源光がCIE色度座標において(0.555,0.420)近辺の光となるよう調整する。
<外周部>
第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14の上面より200μm程高い位置に上面を有し、ナイロン樹脂で構成される外周部20を第一の半導体発光素子11、第一の蛍光体層13、第二の半導体発光素子12および第二の蛍光体層14の周辺に設置する。外周部20の底面を含む面が発光装置としての底面となる。
<周辺部>
外周部20の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部17を形成する。周辺部17の上面は、第一の蛍光体層13および第二の蛍光体層14の上面とほぼ同じ高さに調整する。
<第一のレンズ・第二のレンズ>
シリコーン樹脂からなり、略円形のフレネルレンズ領域を有し、上側から見た平面形状が正方形であるフレネルレンズが隣接して一体化された、第一のレンズ15および第二のレンズ16の一体化物(以下、一体化レンズと称す)を外周部20の上に設置する。設置後、フレネルレンズの上側から加熱、加圧して外周部20と一体化レンズを接合させる。このとき、第一のレンズ15の中心と第一の蛍光体層13の中心は、上側から見て一致している。また、第二のレンズ16の中心と第二の蛍光体層14の中心は、上側から見て一致している。
[実施例2]
実施例1と同様にして、第一の半導体発光素子21、第一の蛍光体層23、第二の半導体発光素子22、第二の蛍光体層24および外周部30を得る。
<第一のレンズ・第二のレンズ>
シリコーン樹脂からなり、上側から見た略円形である凸レンズが隣接して一体化された、第一のレンズ25および第二のレンズ26の一体化物を第一の蛍光体層23及び第二の蛍光体層24の上に設置する。
<外周部>
実施例1と同様にして外周部30を設置する。
<周辺部>
外周部30の内部にシリコーン樹脂を流し込み、周辺部27を形成する。周辺部27の上面は、外周部30の上面とほぼ同じ高さに調整する。このとき、第一のレンズ25の中心と第一の蛍光体層23の中心は、上側からみて第一の中心28で一致している。また、第ニのレンズ26の中心と第ニの蛍光体層24の中心は、上側からみて第ニの中心29で一致している。
[実施例3]
実施例1と同様にして第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体発光素子32および第二の蛍光体層34を得る。
<周辺部>
シリコーン樹脂に、酸化チタンからなる白色顔料と硬化剤とを混合し、周辺部形成用の型に流し込む。型に、配線基板上に形成された第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体層32および第二の蛍光体層34を投入し、シリコーン樹脂が硬化するまで静置する。静置後、型から第一の半導体発光素子31、第一の蛍光体層33、第二の半導体層32および第二の蛍光体層34を引き抜くと、型の形状に応じた周辺部37が形成される。周辺部37の上面は、第一の蛍光体層33および第二の蛍光体層34の上面とほぼ同じ高さとなるよう調節する。
<第一のレンズ・第二のレンズ>
実施例1と同様にして、第一のレンズ35および第二のレンズ36の一体化物と、周辺部37とを接合させる。このとき、第一のレンズ35の中心と第一の蛍光体層33の中心は、上側からみて第一の中心38で一致している。また、第二のレンズ36の中心と第二の蛍光体層34の中心は、上側からみて第二の中心39で一致している。
本発明の実施形態に係る発光装置は、デジタルカメラや携帯機器等の小型機器におけるフラッシュ光源等に好適に利用可能である。
1、2、3 発光装置
11、21、31 第一の半導体発光素子
111、211、311 透光性基板
112、212、312 半導体層
113、213、313 電極
114、214、314 バンプ
12、22、32 第二の半導体発光素子
121、221、321 透光性基板
122、222、322 半導体層
123、223、323 電極
124、224、324 バンプ
13、23、33 第一の蛍光体層
14、24、34 第二の蛍光体層
15、25、35 第一のレンズ
16、26、36 第二のレンズ
17、27、37 周辺部
18、28、38 第一の中心
19、29、39 第二の中心
20、30 外周部

Claims (9)

  1. 第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、
    第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源と、
    前記第一の光源および前記第二の光源の周辺に設けられた、可視光に対して透光性を有する材料で構成される周辺部と、
    前記周辺部を囲う、可視光に対して反射率の高い材料で構成される外周部と、
    を含み、
    前記周辺部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面とほぼ同じ高さであり、
    前記外周部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面より高く、
    前記第一のレンズおよび前記第二のレンズは、前記外周部の上面に支持され、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層と離隔している発光装置。
  2. 前記第一の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第一の半導体発光素子の上面の面積は前記第一の蛍光体層の上面の面積より大きい請求項1に記載の発光装置。
  3. 第一の半導体発光素子と、前記第一の半導体発光素子の上に設けられた第一の蛍光体層と、前記第一の蛍光体層の上に設けられた第一のレンズとを含む第一の光源と、
    第二の半導体発光素子と、前記第二の半導体発光素子の上に設けられた第二の蛍光体層と、前記第二の蛍光体層の上に設けられた第二のレンズとを含む第二の光源と、
    前記第一の光源および前記第二の光源の周辺に設けられた、可視光に対して透光性を有する材料で構成される周辺部と、
    前記周辺部を囲う、可視光に対して反射率の高い材料で構成される外周部と、
    を含み、
    前記第一の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第一の半導体発光素子の上面の面積は前記第一の蛍光体層の上面の面積より大きく、
    前記周辺部の上面は、前記第一の蛍光体層および前記第二の蛍光体層の上面とほぼ同じ高さである発光装置。
  4. 前記第二の蛍光体層の上側から見た平面形状が略円形であり、平面視において、第二の半導体発光素子の上面の面積は前記第二の蛍光体層の上面の面積より大きい請求項1乃至3のいずれか一項に記載の発光装置。
  5. 前記第一のレンズがフレネルレンズである請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  6. 前記第二のレンズがフレネルレンズである請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  7. 前記第一の光源から取り出される第一の光源光が、相関色温度5000K以上5700K以下の白色光である、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  8. 前記第二の光源から取り出される光源光が、CIE色度座標(x,y)において、0.550≦x≦0.560且つ0.415≦y≦0.425で表される範囲のアンバー色光である、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
  9. 前記第一の光源および前記第二の光源が、互いに電気的に独立している、請求項1乃至のいずれか一項に記載の発光装置。
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