KR101285224B1 - 칩온보드 타입 발광 모듈 - Google Patents

칩온보드 타입 발광 모듈 Download PDF

Info

Publication number
KR101285224B1
KR101285224B1 KR1020120052869A KR20120052869A KR101285224B1 KR 101285224 B1 KR101285224 B1 KR 101285224B1 KR 1020120052869 A KR1020120052869 A KR 1020120052869A KR 20120052869 A KR20120052869 A KR 20120052869A KR 101285224 B1 KR101285224 B1 KR 101285224B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chip
sub
light emitting
module
group
Prior art date
Application number
KR1020120052869A
Other languages
English (en)
Inventor
백준승
김봉진
Original Assignee
우리이앤엘 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 우리이앤엘 주식회사 filed Critical 우리이앤엘 주식회사
Priority to KR1020120052869A priority Critical patent/KR101285224B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101285224B1 publication Critical patent/KR101285224B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 개시는 제1 봉지재로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩을 구비하는 제1 서브 모듈; 및 제1 서브 모듈과는 독립적으로 형성되고, 제2 봉지재로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩을 구비하는 제2 서브 모듈;을 포함하며, 제1 봉지재 및 제2 봉지재는 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 칩온보드(Chip On Board) 타입 발광 모듈에 관한 것이다.

Description

칩온보드 타입 발광 모듈{CHIP ON BOARD TYPE LIGHT EMITTING MODULE}
본 개시는 일반적으로 발광 모듈에 관한 것이고, 더 구체적으로는 MRM(Multi Rank Mixing)이 가능하도록 하는 칩온보드(Chip On Board) 타입 발광 모듈에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지 기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
일반적으로, LED(Light Emitting Diode)는 주로 표면실장소자(Surface Mount Device;SMD)로 패키지화되어, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board;PCB)에 실장되어 사용되고 있다.
LED 패키지는 프레임 및 전극으로 사용되는 리드 전극에 LED 칩을 부착하고, LED 칩과 리드 전극을 와이어 본딩한 다음, 몰딩 수지를 리드 전극과 일체화시켜 캐비티(cavity)를 구비하는 패키지 본체를 성형하여 제조해 왔다.
그러나, 이러한 LED 패키지는 반사부로서 역할을 하는 캐비티로 인해 LED 칩에서 발생된 빛의 지향각을 넓히는 데 한계가 있고, 개개의 패키지를 제조하는데 소요되는 비용이 크므로 제조 원가를 낮추는데 어려움이 있었다.
이에 따라, LED 칩을 직접 인쇄회로기판에 실장하고 금속 와이어를 매개로 와이어 본딩하여 전기적으로 연결하는 칩온보드(Chip On Board;COB) 타입의 발광 장치가 사용되고 있다.
도 1에는 기판에 칩온보드 타입으로 실장된 복수의 LED 칩들(11)이 수지 재질의 봉지재(13)에 의해 덮인 칩온보드 타입의 멀티 칩 발광 장치(10)가 도시되어 있다. 한국 등록특허공보 제10-0771772호(공고일: 2007.10.24)에 이러한 형태의 발광 광치가 제시되어 있다.
도 1을 참조하면, 종래의 칩온보드 타입의 멀티 칩 발광 장치(10)는, 인쇄회로기판(14) 상에 복수의 LED 칩들(11)을 실장한 후, LED 칩들(11)을 봉지재(13)로 도포함으로써 제조된다. 인쇄회로기판(14) 상에는 칩 영역(12)이 마련되고, 이 칩 영역(12)에 LED 칩들(11)이 실장된다. 칩 영역(12) 이외의 영역(참조부호 미표시)에는 전압 인가 패드(15a, 15b) 및 체결홀(16a, 16b) 등이 형성된다. 도 1에 도시되지는 아니하였으나, 일반적으로 인쇄회로기판(14)에는 다양한 패턴의 회로가 형성될 수 있고, 인쇄회로기판(14)의 하부에는 히트 싱크(미도시)가 구비될 수 있고, LED 칩들(11)도 또한 다양한 패턴으로 연결될 수 있다.
한편, 복수의 LED 칩들 또는 복수의 LED 패키지들을 사용하여 멀티 칩 구조의 발광 장치를 제조함에 있어서, MRM(Multi Rank Mixing)이 수행될 수 있다.
MRM은 서로 다른 특성(광학적 특성 또는 전기적 특성)을 보이는 복수 개의 LED 칩들 또는 복수 개의 LED 패키지들을 사용하여 발광 장치를 제조할 경우, 제조되는 발광 장치의 광학적 특성 또는 전기적 특성이 목표로 설정한 범위 내에 들어오도록 LED 칩들 또는 LED 패키지들을 믹싱(mixing)하는 작업을 말한다.
종래의 멀티 칩 구조의 발광 장치의 경우, 여러 가지 특성에 따라 소정의 그룹으로 분류된 LED 칩들을 준비하고, 준비된 LED 칩들로부터 단품 패키지를 제조한 후, 멀티 칩 구조의 발광 장치를 제조하게 된다. 이러한 과정으로 멀티 칩 구조의 발광 장치를 제조하는 경우, 구동 전압, 소비 전력, 휘도 또는 파장 등의 분류 기준에 따라 적절한 단품 패키지 쌍 또는 쌍들을 선택하여 함께 인쇄회로기판에 실장함으로써 MRM을 할 수 있다.
즉, 종래의 멀티 칩 구조의 발광 장치에 있어서는 일 그룹의 LED 칩으로부터 패키지를 제조하고, 또한 다른 그룹의 LED 칩으로부터 패키지를 제조한 다음, 이들을 함께 사용함으로써 MRM이 가능하다.
그러나, 도 1에 도시된 것과 같은 종래의 칩온보드 타입의 멀티 칩 발광 장치에 있어서는, 일 그룹의 LED 칩과 다른 그룹의 LED 칩을 동시에 믹싱하여 인쇄회로기판 위에 실장하는 것이 어렵고, 이러한 실장을 지원하는 장비가 없는 실정이다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 봉지재로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩을 구비하는 제1 서브 모듈; 그리고, 제1 서브 모듈과는 독립적으로(separately) 형성되고, 제2 봉지재로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩을 구비하는 제2 서브 모듈;을 포함하며, 제1 봉지재 및 제2 봉지재는 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 칩온보드(Chip On Board) 타입 발광 모듈이 제공된다.
본 개시에 따른 다른 태양에 의하면, 제1 봉지재로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩을 구비하는 제1 서브 모듈; 그리고, 제2 봉지재로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩을 구비하는 제2 서브 모듈;을 포함하며, 제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 적어도 하나의 경계선을 기준으로 분리(separate)되고, 제1 그룹의 LED 칩의 특성 값이 제2 그룹의 LED 칩의 특성 값보다 높은 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈이 제공된다.
이에 대하여 '발명을 실시하기 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 종래의 발광 장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 본 개시에 따른 서브 모듈의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 도 2의 서브 모듈을 포함하는 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈을 지지 부재에 고정시킨 경우의 수직 단면도,
도 5는 본 개시에 따른 서브 모듈의 다른 예를 나타내는 도면,
도 6는 도 5의 서브 모듈을 포함하는 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 서브 모듈의 또 다른 예를 나타내는 도면, 및
도 8은 도 7의 서브 모듈을 포함하는 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈의 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 2 및 도 3은 본 개시에 따른 칩온보드 발광 모듈의 일 예를 설명하기 위한 도면으로서, 특히, 도 2는 도 3의 서브 모듈을 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈(100)은 제1 서브 모듈(110) 및 제2 서브 모듈(120)을 포함한다. 제1 서브 모듈(110)은 제1 봉지재(113)로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩들(111)을 포함하고, 제2 서브 모듈(120)은 제2 봉지재(123)로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩들(121)을 포함한다.
서브 모듈(110)은 LED 칩들(111), LED 칩들(111)을 도포하는 봉지재(113), 체결홀들(116a, 116b), 칩 영역(112) 및 인쇄회로기판(114)을 포함한다. LED 칩들의 참조부호는 편의상 하나의 LED 칩에 대하여 111로 표시되어 있으나, 참조부호 111은 칩 영역(112) 내의 모든 칩들을 표시하는 것으로 의도된다. 도 3의 참조부호 121도 마찬가지이다.
LED 칩들(111)의 개수 및 배열 형태는 도 2에 도시된 것으로 한정되지 않고 다양할 수 있다. 또한, LED 칩들 간의 전기적 연결은 구체적으로 도시되어 있지는 않으나, 직렬, 병렬 또는 직렬과 병렬의 조합 등의 다양한 패턴으로 연결될 수 있다.
칩 영역(102)은 LED 칩들(111)이 실장되는 영역이다.
봉지재(103)는 예를 들어 에폭시 등의 수지일 수 있으나, 이러한 재료로 한정되는 것은 아니다. 봉지재(103)는 형광체(미도시)를 함유할 수 있다.
인쇄회로기판(104)은 다양한 패턴으로 형성된 회로를 포함할 수 있다.
체결홀들(116a, 116b)은 서브 모듈(110)을 체결구(미도시)를 이용하여 지지 부재(supporting member)에 관통시켜 고정하기 위한 부분이다. 지지 부재는 열 방출을 위해 서브 모듈(110)의 인쇄회로기판(104) 하부에 구비되는 히트 싱크(heat sink)일 수 있다. 이와 같이, 서브 모듈(110)이 지지 부재에 고정된 상태는 이후에 도 4를 참조하여 설명하도록 한다.
도 3으로 돌아가서, 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈(100)은 두 개의 서브 모듈들(110, 120)을 포함하며, 서브 모듈들(110, 120)은 각각의 칩 영역(112, 122)에 LED 칩들(111, 121)이 실장된다. LED 칩들(111, 121)에는 봉지재(113, 123)가 도포된다.
서브 모듈들(110, 120)은 하나의 경계선(L1)을 기준으로 분리된다. 제1 서브 모듈(110)에 실장된 제1 그룹의 LED 칩들(111)과 제2 서브 모듈(120)에 실장된 제2 그룹의 LED 칩들(121)은 그룹별로 서로 다른 특성 값을 갖는다. 즉, 어느 한 쪽의 LED 칩들의 특성 값이 다른 한 쪽의 LED 칩들의 특성 값보다 높도록 할 수 있다. 여기서, 특성 값은 MRM에 있어서 고려되는 특성 파라미터의 값으로서, 특성 파라미터로는 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장 등이 있다.
예를 들어, 제1 서브 모듈(110)에 실장된 제1 그룹의 LED 칩들(111)의 특성 값은 제2 서브 모듈(120)에 실장된 제2 그룹의 LED 칩들(121)의 특성 값보다 더 높을 수 있다. 즉, 제1 그룹의 LED 칩들(111)의 특성 값은 MRM의 목표 특성 값보다 높고, 제2 그룹의 LED 칩들(121)의 특성 값은 MRM의 목표 특성 값보다 낮을 수 있다. 그리하여, 제1 서브 모듈(110)과 제2 서브 모듈(120)을 함께 사용하여 원하는 목표 특성 값이 되도록 MRM할 수 있다.
서브 모듈들(110, 120)은 독립적으로 형성된다. 즉, 제1 서브 모듈(110)과 제2 서브 모듈(120)이 각각 따로따로 형성되어 합쳐져서, 결국 칩온보드 타입 발광 모듈(100)을 형성한다.
봉지재들(113, 123)은 이하와 같이 두 가지 방법으로 형성될 수 있다.
첫 번째는, 제1 봉지재(113) 및 제2 봉지재(123)를 서브 모듈 단위로 LED 칩들(111, 121)에 독립적으로 형성하는 방법이다. 예를 들어, 에폭시 등의 수지를 제1 그룹의 LED 칩들(111)와 제2 그룹의 LED 칩들(121)에 따로따로 디스펜싱하여, 봉지재들(113, 123)이 각각의 형상(예를 들어, 도 2의 반원형 또는 반타원형)으로 형성되도록 한다.
그런 다음, MRM을 위해 제1 서브 모듈(110)과 제2 서브 모듈(120)을 함께 지지부재(미도시)에 고정시키는 경우, 제1 봉지재(113) 및 제2 봉지재(123)는 하나의 형상을 이룬다. 여기서, 하나의 형상의 외연은 위에서 보면 대체로(substantially) 원형 또는 타원형을 이룬다. 경계선(L1)을 기준으로 제1 서브 모듈(110)을 시계 방향 또는 반시계 방향으로 180°회전시키면, 제1 서브 모듈(110)은 제2 서브 모듈(120)의 형상은 대체로 동일하다.
두 번째는, 제1 봉지재(113) 및 제2 봉지재(123)를 일체로 형성하는 방법이다. 즉, 첫 번째 방법과 같이 봉지재를 서브 모듈 단위로 별도로 도포하는 것이 아니라, 여기서는 제1 서브 모듈(110) 및 제2 서브 모듈(120)을 함께 지지 부재에 고정하고, 제1 그룹의 LED 칩들(111) 및 제2 그룹의 LED 칩들(121) 상에 봉지재를 도포함으로써, 하나의 형상을 이루도록 한다. 하나의 형상의 외연은 마찬가지로 대체로 원형 또는 타원형을 이룬다.
제1 서브 모듈(110)에 실장된 제1 그룹의 LED 칩들(111)과 제2 서브 모듈(120)에 실장된 제2 그룹의 LED 칩들(121)은 전술한 바와 같이 서브 모듈별로 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장 중 적어도 하나를 기준으로 하여 구별될 수 있다.
그리하여, 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈(100)은 하나의 서브 모듈(110) 내에 실장되는 일 그룹의 LED 칩들(111)과 다른 서브 모듈(120) 내에 실장되는 다른 그룹의 LED 칩들(121)을 동시에 믹싱하여 MRM을 할 수 있게 된다.
이하에서는 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장에 따라 구별되도록 LED 칩들을 실장하여 제조된 서브 모듈들 이용하여 MRM을 하는 과정을 예시한다.
먼저, LED 칩들의 구동 전압을 기준으로 MRM하는 경우에 관하여 설명한다. 예를 들어, 제1 그룹의 LED 칩들(111)의 구동 전압을 (V1-α1)~(V1+α1)로, 그리고, 제2 그룹의 LED 칩들(121)의 구동 전압을 (V2-α2)~(V2+α2)로 가정하고, 제1 서브 모듈(110)에 실장된 제1 그룹의 LED 칩들과 제2 서브 모듈(120)에 실장된 제2 그룹의 LED 칩들의 개수가 동일하다고 가정하면, 제1 서브 모듈(110)과 제2 서브 모듈(120)을 함께 사용하여, 칩온보드 타입 발광 모듈의 구동 전압이 [{(V1-α1)~(V1+α1)}+{(V2-α2)~(V2+α2)}]/2이 되도록 믹싱할 수 있다.
이렇게 함으로써, 종래 칩 레벨에서 어려웠던 MRM이 가능해지도록 한다.
다음으로, LED 칩들의 소비 전력을 기준으로 MRM하는 경우에도 위의 구동 전압의 경우와 유사하게 설명될 수 있다. 예를 들어, 제1 그룹의 LED 칩들(111)의 소비 전력을 (P1-β1)~(P1+β1)로, 그리고, 제2 그룹의 LED 칩들(121)의 소비 전력을 (P2-β2)~(P2+β2)로 가정하고, 제1 서브 모듈(110)에 실장된 제1 그룹의 LED 칩들과 제2 서브 모듈(120)에 실장된 제2 그룹의 LED 칩들의 개수가 동일하다고 가정하면, 제1 서브 모듈(110)과 제2 서브 모듈(120)을 함께 사용하여, 칩온보드 타입 발광 모듈의 소비 전력이 [{(P1-β1)~(P1+β1)}+{(P2-β2)~(P2+β2)}]/2이 되도록 믹싱할 수 있다.
위에서 예시한 구동 전압 및 소비 전력을 기준으로 하여 MRM하는 과정은 이해를 쉽게 하기 위해 간단히 예를 든 것에 불과하고, 실제 과정은 더욱 복잡 다단할 수 있음에 유의하여야 할 것이다.
또한, 제1 그룹과 제2 그룹의 LED 칩들을 휘도 또는 파장을 기준으로 하여 구별하는 경우도 구동 전압이나 소비 전력을 기준으로 하여 구별되는 경우와 유사하게 진행될 수 있다.
더 나아가, 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장 등의 특성 값에 따른 LED 칩들의 그룹 분류는 각각 독립적으로 될 수도 있고, 먼저 어느 하나의 특성 값에 따라 분류되어 그룹들로 나눠지고, 그룹들 각각에 대해 다른 특성 값에 따라 분류되어 서브 그룹으로 나눠질 수 있다.
예를 들어, LED 칩들을 구동 전압에 따라 목표로 하는 구동 전압보다 낮은 것들을 제1 그룹으로, 그리고 높은 것들을 제2 그룹으로 분류하는 경우, 제1 그룹은 또한 소비 전력, 휘도 또는 파장에 따라 서브 그룹들로 분류될 수 있다.
도 4는 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈을 지지 부재에 고정시킨 경우의 수직 단면도로서, 지지 부재(130) 상에 서브 모듈들(예를 들어, 도 3의 110, 120)이 고정된 경우의 일 예를 나타낸다.
경계선(L1)을 기준으로 서브 모듈들(110, 120) 각각의 인쇄회로기판(114, 124)의 아래에 지지 부재(130)를 배치하여 지지 부재(130) 상에 서브 모듈들(110, 120)을 고정시킬 수 있으며, 도 4에는 직접적으로 도시되어 있지는 않지만 체결홀들(도 3의 116a, 116b, 126a, 126b)을 통해 체결구(미도시)를 관통시켜 지지 부재(130) 상에 서브 모듈들(110, 120)을 고정시킬 수 있다. 도시된 바와 같이, 봉지재(113, 123)는 경계선(L1)을 기준으로 하여 하나의 형상을 이루고 있다.
도 5 및 도 6은 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈의 다른 예를 나타내는 도면이고, 특히 도 5는 도 6의 칩온보드 타입 발광 모듈의 서브 모듈을 나타내는 도면이다.
본 개시에 따른 다른 칩온보드 타입 발광 모듈(200)은 복수의 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)을 포함한다. 복수의 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)은 봉지재(213, 223, 233, 243)로 도포되는 각각의 LED 칩들을 포함한다.
하나의 서브 모듈에 대하여 도 5를 참조하여 설명하면, 서브 모듈(210)은 인쇄회로기판(214), 인쇄회로기판(214)의 칩 영역(212) 내에 실장된 LED 칩들(211), LED 칩들(211)을 도포하는 형광체(213), 인쇄회로기판(214)의 일부에 형성되어 서브 모듈을 지지 부재(미도시)에 지지하기 위한 체결홀(216)을 포함한다. 참조부호 211은 앞서 도 2에서와 같이, 칩 영역(212) 내의 모든 칩들을 나타내는 것으로 의도된다.
도 6으로 돌아가서, 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)은 네 개의 경계선(L11, L12, L13, L14)을 기준으로 분리된다. 서브 모듈들(210, 220, 230, 240) 각각에 실장된 각 그룹의 LED 칩들은 그룹별로 서로 다른 특성 값을 가질 수 있다. 즉, 네 개 그룹의 LED 칩들은 그룹별로 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장 등에 따라 구별될 수 있다.
서브 모듈들(210, 220, 230, 240)은 독립적으로 제조된다. 즉, 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)은 각각 따로따로 제조되고, MRM을 위해 함께 사용되어 칩온보드 타입 발광 모듈(200)을 이룬다.
봉지재들(213, 223, 233, 243)은 전술한 바와 같이, 각각의 서브 모듈에 대해 독립적으로 형성될 수도 있고, 일체로 형성될 수도 있다. 독립적으로 형성되는 경우, 봉지재들 각각의 외연은 위에서 보면 부채꼴일 수 있다.
네 개의 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)을 함께 사용하여 MRM하는 경우, 경계선들(L11, L12, L13, L14)을 기준으로 밀착될 수 있다. 또한, 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)은 경계선들(L11, L12, L13, L14)을 기준으로 서로 회전 대칭이고, 봉지재들(213, 223, 233, 243)은 하나의 형상을 이룰 수 있다. 하나의 형상의 외연은 원형 또는 타원형일 수 있다.
나아가, 도 6에 도시된 바와 같이, 네 개의 서브 모듈들(210, 220, 230, 240)을 모두 사용하는 경우뿐만이 아니라, 네 개의 서브 모듈들 중 일부만이 사용되는 경우도 고려될 수 있다. 즉, 단지 제1 그룹의 LED 칩들이 실장된 하나의 서브 모듈(210), 및 제2 그룹의 LED 칩들이 실장된 다른 하나의 서브 모듈(220)만이 사용될 수도 있다. 이 경우에도, 봉지재들(213, 233)은 하나의 형상을 이룰 수 있고, 이 하나의 형상의 외연은 반원형 또는 반타원형을 이룬다.
그리하여, 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈(200)은 하나의 서브 모듈 내에 실장되는 일 그룹의 LED 칩들과 다른 서브 모듈 내에 실장되는 다른 그룹의 LED 칩들을 동시에 믹싱하여 MRM을 할 수 있게 된다.
도 7 및 도 8은 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈의 또 다른 예를 나타내는 도면들로서, 특히 도 7은 도 8의 칩온보드 타입 발광 모듈에서 하나의 서브 모듈(310)을 나타낸 도면이다. 본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈(300)은 서브 모듈들(310, 320, 330, 340, 350, 360, 370, 380;이하, 310~380으로 표시됨)을 포함한다. 서브 모듈들(310~380)은 봉지재(313, 323, 333, 343, 353, 363, 373, 383;이하, 313~383으로 표시됨)로 도포되는 각각의 LED 칩들을 포함한다.
서브 모듈들(310~380)은 경계선들(L21, L22, L23, L24, L25, L26, L27, L28;이하, L21~L28로 표시됨)을 기준으로 분리된다. 서브 모듈들(310~380)에 각각에 실장된 각 그룹의 LED 칩들은 그룹별로 서로 다른 특성 값을 가질 수 있다. 즉, 여덟 개 그룹의 LED 칩들은 그룹별로 구동 전압, 소비 전력, 휘도 및 파장 등에 따라 구별될 수 있다.
서브 모듈들(310~380)은 독립적으로 제조된다. 즉, 서브 모듈들(310~380)은 각각 따로따로 제조되고, MRM을 위해 함께 사용되어 칩온보드 타입 발광 모듈(300)을 이룬다.
봉지재들(313~383)은 전술한 바와 같이, 각각의 서브 모듈에 대해 독립적으로 형성될 수도 있고, 일체로 형성될 수도 있다. 독립적으로 형성되는 경우, 봉지재들(313~383) 각각의 외연은 위에서 보면 부채꼴일 수 있다.
서브 모듈들(310~380)을 함께 사용하여 MRM하는 경우, 경계선들(L21~L28)을 기준으로 밀착될 수 있다. 또한, 서브 모듈들(310~380)은 경계선들(L21~L28)을 기준으로 서로 회전 대칭이고, 봉지재들(313~383)은 하나의 형상을 이룰 수 있다. 하나의 형상의 외연은 원형 또는 타원형일 수 있다.
나아가, 칩온보드 타입 발광 모듈을 구성함에 있어서, 도 8에 도시된 바와 같이 서브 모듈들(310~380)을 모두 사용하는 경우뿐만이 아니라, 일 그룹의 LED 칩들이 실장된 하나의 서브 모듈(310), 다른 일 그룹의 LED 칩들이 실장된 다른 하나의 서브 모듈(320)만이 사용될 수도 있다. 더 나아가, 다른 개수의 서브 모듈들이 사용되어 칩온보드 타입 발광 모듈이 구성될 수도 있다. 이러한 여러 경우들에 있어서도, 봉지재들은 하나의 형상을 이룰 수 있다. 이 때, 하나의 형상의 외연은 부채꼴, 반원형 또는 반타원형을 이룰 수 있다.
이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 제1 그룹 및 제2 그룹은 LED 칩의 구동 전압, 파장, 휘도 및 소비 전력 중 적어도 하나에 의해 구별되는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(2) 하나의 형상의 외연은 위에서 볼 때 원형, 타원형, 반원형, 반타원형 및 부채꼴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(3) 제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 서로 회전 대칭인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(4) 제1 봉지재 및 제2 봉지재 중 적어도 하나는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(5) 제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 상기 적어도 하나의 경계선을 기준으로 서로 회전 대칭인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(6) 제1 봉지재 및 제2 봉지재는 독립적으로 형성되고, 전체로 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(7) 제1 봉지재 및 제2 봉지재는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
(8) 하나의 형상의 외연은 위에서 볼 때 원형, 타원형, 반원형, 반타원형 및 부채꼴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
본 개시에 따른 칩온보드 타입 발광 모듈은 하나의 서브 모듈 내에 실장되는 일 그룹의 LED 칩들과 다른 서브 모듈 내에 실장되는 다른 그룹의 LED 칩들을 동시에 믹싱하여 MRM을 할 수 있게 된다.
100, 200, 300 : 칩온보드 타입 발광 모듈
110, 120 : 서브 모듈 111, 121 : LED 칩
112, 122 : 칩 영역 113, 123 : 봉지재
114, 124 : 인쇄회로기판 116a, 116b, 126a, 126b : 체결홀

Claims (12)

  1. 제1 봉지재로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩을 구비하는 제1 서브 모듈; 및
    제1 서브 모듈과는 독립적으로 형성되고, 제2 봉지재로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩을 구비하는 제2 서브 모듈;을 포함하며,
    제1 봉지재 및 제2 봉지재는 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 칩온보드(Chip On Board) 타입 발광 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    제1 그룹 및 제2 그룹은 LED 칩의 구동 전압, 파장, 휘도 및 소비 전력 중 적어도 하나에 의해 구별되는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  3. 청구항 2에 있어서,
    하나의 형상의 외연은 위에서 볼 때 원형, 타원형, 반원형, 반타원형 및 부채꼴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  4. 청구항 2에 있어서,
    제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 서로 회전 대칭인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  5. 청구항 2에 있어서,
    제1 봉지재 및 제2 봉지재 중 적어도 하나는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  6. 제1 봉지재로 도포되는 제1 그룹의 LED 칩을 구비하는 제1 서브 모듈; 및
    제2 봉지재로 도포되는 제2 그룹의 LED 칩을 구비하는 제2 서브 모듈;을 포함하며,
    제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 적어도 하나의 경계선을 기준으로 구별되고, 제1 그룹의 LED 칩의 특성 값이 제2 그룹의 LED 칩의 특성 값보다 높은 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 특성 값은 구동 전압, 파장, 휘도 및 소비 전력 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  8. 청구항 7에 있어서,
    제1 서브 모듈 및 제2 서브 모듈은 상기 적어도 하나의 경계선을 기준으로 서로 회전 대칭인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  9. 청구항 7에 있어서,
    제1 봉지재 및 제2 봉지재는 독립적으로 형성되고, 전체로 하나의 형상을 이루는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  10. 청구항 7에 있어서,
    제1 봉지재 및 제2 봉지재는 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  11. 청구항 8에 있어서,
    하나의 형상의 외연은 위에서 볼 때 원형, 타원형, 반원형, 반타원형 및 부채꼴 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
  12. 청구항 6에 있어서,
    제1 봉지재 및 제2 봉지재 중 적어도 하나는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈.
KR1020120052869A 2012-05-18 2012-05-18 칩온보드 타입 발광 모듈 KR101285224B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120052869A KR101285224B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 칩온보드 타입 발광 모듈

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120052869A KR101285224B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 칩온보드 타입 발광 모듈

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101285224B1 true KR101285224B1 (ko) 2013-07-11

Family

ID=48997182

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120052869A KR101285224B1 (ko) 2012-05-18 2012-05-18 칩온보드 타입 발광 모듈

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101285224B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082908A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지를 이용한 조명모듈
CN108230936A (zh) * 2018-03-22 2018-06-29 深圳市九洲光电科技有限公司 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049172A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc 多重ダイｌｅｄ及びレンズ光学システム
KR100891810B1 (ko) 2007-11-06 2009-04-07 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
KR20090044788A (ko) * 2007-11-01 2009-05-07 서울반도체 주식회사 교류용 백색 발광 소자
KR20110125083A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 (주)다비치 경관조명용 엘이디 발열 제어시스템 및 발열 제어방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007049172A (ja) 2005-08-10 2007-02-22 Philips Lumileds Lightng Co Llc 多重ダイｌｅｄ及びレンズ光学システム
KR20090044788A (ko) * 2007-11-01 2009-05-07 서울반도체 주식회사 교류용 백색 발광 소자
KR100891810B1 (ko) 2007-11-06 2009-04-07 삼성전기주식회사 백색 발광 소자
KR20110125083A (ko) * 2010-05-12 2011-11-18 (주)다비치 경관조명용 엘이디 발열 제어시스템 및 발열 제어방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170082908A (ko) * 2016-01-07 2017-07-17 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지를 이용한 조명모듈
KR102437786B1 (ko) * 2016-01-07 2022-08-30 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지를 이용한 조명모듈
CN108230936A (zh) * 2018-03-22 2018-06-29 深圳市九洲光电科技有限公司 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法
CN108230936B (zh) * 2018-03-22 2023-10-27 深圳市九洲光电科技有限公司 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9461225B2 (en) Light emitting device
US8492777B2 (en) Light emitting diode package, lighting device and light emitting diode package substrate
CN102044617B (zh) 发光二极管器件及其制造方法和发光装置
US7902568B2 (en) Light-emitting module with plural light emitters and conductor pattern
KR101825473B1 (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20100232177A1 (en) Light emitting device package and method of fabricating the same
KR101006357B1 (ko) 멀티칩 엘이디 패키지
CN104183584A (zh) 一种led阵列光源结构
KR101775428B1 (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR101285224B1 (ko) 칩온보드 타입 발광 모듈
JP2010123969A (ja) パッケ−ジキャリアの回路構造とマルチチップパッケ−ジ
JP2013128052A (ja) 発光装置及びそれを用いた照明器具
US10971433B2 (en) Surface mounted type leadframe and photoelectric device with multi-chips
KR101308552B1 (ko) 칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법
US9074734B2 (en) Light emitting diode (LED) light source device having uniform illumination
JP2010225757A (ja) 多面付け基板および半導体発光装置の製造方法。
KR101602861B1 (ko) 발광 소자
KR20130040477A (ko) 씨오비 패키지를 이용한 조명 모듈 구현 방법 및 그 조명 모듈
KR20130056564A (ko) 일체형 발광소자 패키지
KR200402110Y1 (ko) 발광 다이오드 구조
KR20090001169A (ko) Ｌｅｄ 패키지 및 그것의 어레이
KR101510938B1 (ko) 평판형 엘이디 조명장치
KR20160087174A (ko) 엘이디 패키지 및 이의 제조 방법
KR100889644B1 (ko) 세라믹 기판과, 그 제조방법 및 이를 구비한 발광 다이오드패키지
KR20120066398A (ko) 멀티 칩 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160706

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171030

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181105

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190702

Year of fee payment: 7