KR101308552B1 - 칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본 개시에 따라 제조된 발광 모듈의 일 예를 나타내는 도면, 및
도 3 및 도 4는 본 개시에 따라 제조된 발광 모듈의 다른 예들을 나타내는 도면이다.
102 : 칩 영역 103 : 봉지재
104 : 베이스(인쇄회로기판) 105a, 105b : 전압 패드
106a, 106b : 체결홀
Claims (9)
- 구동 전압, 소비 전력, 파장 및 방출되는 광의 색상 중 적어도 하나에 의해 구별되도록 LED 칩들을 제1 그룹 및 제2 그룹으로 분류하는 단계;
순차로 제1 그룹의 LED 칩들을 베이스의 제1 영역에 실장하는 단계;
순차로 제2 그룹의 LED 칩들을 베이스의 제1 영역과는 다른 베이스의 제2 영역에 실장하는 단계; 그리고,
제1 그룹 및 제2 그룹의 LED 칩들을 봉지재로 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법. - 삭제
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- 삭제
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- 청구항 1에 있어서,
봉지재는 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법. - 청구항 1에 있어서,
베이스는 3 이상의 영역으로 분할되며,
LED 칩들은 3 이상의 그룹으로 분류되고,
3 이상의 영역 각각에 대해 3 이상의 그룹 중 하나의 그룹에 포함되는 LED 칩들이 순차로 실장되는 것을 특징으로 하는 칩온보드 타입 발광 모듈 제조 방법.
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- 삭제
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Cited By (1)
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|---|---|---|---|---|
| CN108230936A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-06-29 | 深圳市九洲光电科技有限公司 | 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080000927A (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드를 이용한 인공태양광 시스템 |
| JP2008218485A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
| KR20110021639A (ko) * | 2009-08-26 | 2011-03-04 | 파라곤 세미컨덕터 라이팅 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 연색성과 휘도를 향상시키는 혼합광식 엘이디 패키지 구조 |
| KR20110125083A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | (주)다비치 | 경관조명용 엘이디 발열 제어시스템 및 발열 제어방법 |
-
2012
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080000927A (ko) * | 2006-06-28 | 2008-01-03 | 서울반도체 주식회사 | 발광 다이오드를 이용한 인공태양광 시스템 |
| JP2008218485A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 発光装置 |
| KR20110021639A (ko) * | 2009-08-26 | 2011-03-04 | 파라곤 세미컨덕터 라이팅 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 연색성과 휘도를 향상시키는 혼합광식 엘이디 패키지 구조 |
| KR20110125083A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | (주)다비치 | 경관조명용 엘이디 발열 제어시스템 및 발열 제어방법 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108230936A (zh) * | 2018-03-22 | 2018-06-29 | 深圳市九洲光电科技有限公司 | 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法 |
| CN108230936B (zh) * | 2018-03-22 | 2023-10-27 | 深圳市九洲光电科技有限公司 | 一种具备数据传输功能的封装结构及其加工方法 |
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