ES2380600T3 - Montaje en contacto con presión con un módulo de semiconductor de potencia - Google Patents

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Marco Lederer
Christian Göbl
Thomas Dr. Stockmeier
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Abstract

Una instalación en contacto con presión con una tarjeta de circuito impreso (100), un módulo de semiconductor de potencia (200) y un dispositivo de refrigeración (300), en la que la tarjeta de circuito impreso (100) tiene un cuerpo de material aislante (110) y vías de conducción (112) instaladas en el mismo o en su interior, en la que el módulo de semiconductor de potencia (200) tiene un alojamiento de plástico aislante (210) en forma de un bastidor, con una primera superficie de cubierta (212) que tiene orificios (214), un sustrato (230) que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento (210) con por lo menos una vía de conducción (232) y por lo menos un componente del semiconductor de potencia (240) dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con el circuito en cuestión y también resortes de contacto (250), los cuales pasan a través de los orificios (214) del alojamiento (210), para el propósito de conectar la vía de conducción (232) del sustrato (230) con puntos de contacto en las vías de conducción (112) de la tarjeta de circuito impreso (100), y el dispositivo de refrigeración (300) es activo o pasivo en el que tanto el alojamiento (210) del módulo de semiconductor de potencia (200) tiene extensiones (220b) en la dirección de la tarjeta de circuito impreso (100), las cuales se prolongan a través de orificios (120) en la tarjeta de circuito impreso (100) y tiene otras extensiones (220) en la dirección del dispositivo de refrigeración (300), las cuales se prolongan a través de orificios (312, 322) en el dispositivo de refrigeración (300), como el dispositivo de refrigeración (300) tiene extensiones (330b, 330c) las cuales se prolongan a través de orificios (120) en la tarjeta de circuito impreso (100), o el alojamiento (210) del módulo de semiconductor de potencia (200) tiene extensiones (220) en la dirección de la tarjeta de circuito impreso (100), las cuales se prolongan a través de orificios (120) en la tarjeta de circuito impreso (100) y el dispositivo de refrigeración (300) tiene extensiones (330) las cuales se prolongan a través de orificios (216 en el alojamiento (200), en la que las extensiones respectivas de ese modo forman conexiones reversibles o irreversibles y en la que las extensiones respectivas, las cuales penetran en la tarjeta de circuito impreso, se prolongan por encima de la última y aplican presión a la última.

Description

Montaje en contacto con presion con un modulo de semiconductor de potencia La invencion describe una instalacion en contacto con presion para modulos de semiconductor de pote ncia extremadamente compactos. Las configuraciones modernas de los modulos de semiconductor de potencia de este tipo con un valor nominal de alta potencia con relacion a su tamafo constructivo, los cuales forman la base de esta invencion, pertenecen a la tecnica conocida a partir el documento DE 196 30 173 C2 o DE 199 24 993 C2. El documento DE 196 30 173 C2 revela un modulo de semiconductor de potencia para ser montado directamente en un dispositivo de refrigeracion, que consiste en un alojamiento y un sustrato electricamente aislante, el ultimo por su parte consiste en un cuerpo de material aislante con una serie de vias de conduccion metalicas colocadas sobre el mismo, aisladas una de otra, y componentes del semiconductor de potencia colocados en las mismas y conectados con estas vias de conduccion segun el circuito en cuestion. La conexion electrica exterior a las vias de conduccion de una tarjeta de circuito impreso instalada fuera del alojamiento se consigue por medio de resortes de contacto. El modulo de semiconductor de potencia adicionalmente tiene por lo menos un orificio centralmente dispuesto para el proposito de pasar a traves del mismo un tornillo de conexion con un cuerpo refrigerante. Junto con un elemento de presion dimensionalmente estable instalado en el lado de la tarjeta de circuito im preso encarado alejado del modulo de semiconductor de potencia y descansando plano sobre la primera, sirve para proveer el contacto con presion para el modulo. Este contacto con presion cumple dos tareas al mismo tiempo: por una parte, la provision de contacto electrico fiable entre los elementos de conexion y la tarjeta de circuito impreso y, por otra parte, la provision del contacto termico entre el modulo y el cuerpo de refrigeracion, en el que ambas formas de contacto son reversibles. Lo que es una desventaja en los modulos de semiconductor de potencia segun la tecnica anterior conocida es el hecho de que el elemento de presion de la tecnica conocida no permite una instalacion de componentes adicionales, tales como, por ejemplo, resistencias, condensadores o circuitos integrados en la parte de la tarjeta de circuito impreso que cubre. Tambien es una desventaja en este caso el por lo menos un orificio para el proposito de pasar a traves del mismo un tornillo de conexion. Esto limita el espacio para los componentes activos en el interior del modulo de semiconductor de potencia. Adicionalmente, modulos de semiconductor de potencia en una manera ejemplar son de la tecnica conocida a partir del documento DE 199 24 993 C2 en el cual las conexiones entre el modulo de semiconductor de potencia y una tarjeta de circuito impreso estan incorporadas como pasadores para soldar. Estos pasadores para soldar sirven tanto de elementos de control como de conexion de la carga de las conexiones electricas entre los componentes del semiconductor de potencia en el interior del modulo de potencia y los cables de suministro instalados en la tarjeta de circuito impreso. El modulo de semiconductor de potencia de esta manera se puede conectar con una tarjeta de circuito impreso tanto directamente, como, tal como se describe en el documento DE 199 24 993, por medio de una tarjeta adaptadora. El contacto termico entre el modulo de semiconductor de potencia y el cuerpo de refrigeracion se fabrica independientemente de los contactos electricos por medio de conexiones de tornillos. Lo que es una desventaja en la configuracion de los modulos de semiconductor de potencia de este tipo es que son necesarias dos tecnologias diferentes de conexion (conexiones de tornillos y juntas soldadas, las cuales deben ser ejecutadas en una serie de operaciones individuales) a fin de integrar el modulo en el interior de una instalacion de superordenador. En este caso una desventaja particular consiste en el hecho de que las juntas soldadas no proveen una garantia de fiabilidad a lo largo de la vida de servicio. A partir del documento DE 100 64 194 A1 son adicionalmente de la tecnica conocida un modulo de semiconductor de potencia y un cuerpo de refrigeracion para acomodar el modulo de semiconductor de potencia, en el qu e el alojamiento del modulo de semiconductor de potencia tiene una cara inferior y una cara superior. En la cara superior esta instalado por lo menos un resorte, el cual se prolonga desde la cara superior y de ese modo presiona el modulo de semiconductor de potencia sobre el cuerpo de refrigeracion cuando se instalan en el montaje. La tarea que subyace en la presente invencion es presentar una instalacion con una tarjeta de circuito impreso, un modulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeracion, que sea simple y rentable de fabricar y tambien tenga unas dimensiones extremadamente compactas. Este objeto se consi gue mediante una instalacion segun la re ivindicacion 1, config uraciones particulares encontrandose en las reivindicaciones subordinadas. El concepto basico de la invencion se origina a partir de un modulo de semiconductor de potencia para el montaje directo en un cuerpo de refrigeracion, en el que el modulo de semiconductor de potencia tiene un alojamiento de plastico aislante en forma de un bastidor. Este alojamiento de plastico tiene adicionalmente una primera superficie de cubierta que preferiblemente esta integralmente conectada con el alojamiento. La segunda superficie de cubierta esta formada por un sustrato, el cual consiste en una capa aislante y por lo menos una capa metalica instalada encima, la cual esta encarada hacia el interior del modulo de semiconductor de potencia. Esta capa metalica puede estar estructurada por si misma y por lo tanto forma la por lo
menos un a vi a d e co nduccion del mod ulo d e sem iconductor de potencia. Por lo menos un co mponente del semiconductor de potencia esta instalado en esta via o e stas vias de conduccion y esta conectado a una via de conduccion adicional o a un componente adicional del semiconductor de potencia segun el circuito en cuestion.
La primera superficie de cubierta del alojamiento tiene una serie de orificios. A traves de estos orificios se extienden elementos de cone xion pa ra prov eer co nexiones electricas entre las vias de c onduccion d el modu lo de semiconductor de potencia y los puntos d e contacto en l as vias de conduccion de la tarjeta de circ uito impreso instalada por encima de la primera superficie de cubierta. Esta tarjeta de circuito impreso, compuesta por un sustrato aislante preferiblemente con dos vias de conduccion instaladas sobre la misma o en su interior, representa las conexiones el ectricas de l modu lo d e semico nductor de pote ncia y preferib lemente transporta componentes adicionales para el control del modulo de semiconductor de potencia.
En la segunda superficie de cubierta, el sustrato, esta instalado un dispositivo de refrigeracion preferiblemente activo en el lado encarado alejado del interior del modulo de semiconductor de potencia. Dispositivos de refrigeracion activos, por ejemplo un cuerpo de refrigeracion con un ventilador instalado en el mismo, tienen la ventaja esencial de una forma de construccion mas compacta comparada con los dispositivos de refrigeracion pasivos, por ejemplo un refrigerador de aire.
Los elementos de conexion para ambas, las conexiones de carga y tambien las conexiones de control del modulo de semiconductor de potencia, son cables terminales que estan configurados por lo menos parcialmente de una manera elastica. Estos cables terminales proporcionan la conexion electrica de las vias de conexion y la tarjeta de circuito impreso instalada fuera del alojamiento y las vias de conduccion exterioresque estan instaladas en el mismo. Un contacto electrico fiable entre los cables terminales ylas vias de con duccion exteriores de la tarjeta de circuito impreso se consigue por medio de una instalacion para proveer un contacto con presion que se describen mas adelante en este documento.
En una co nfiguracion de l a inve ncion de l a instal acion citada e l alo jamiento d el mo dulo de semic onductor de potencia tiene extensiones en la direccion de la tarj eta de circuito impreso o en la direccion del dispositivo de refrigeracion para los propositos de la union de los componentes individuales de la instalacion unos con otros.
En una primera configuracion estas extensiones pasan a traves de orificios en la tarjeta de circuito impreso, en una segunda configuracion a traves de orificios en el dispositivo de refrigeracion. En la primera configuracion la conexion del modulo de semiconductor de potencia con la tarjeta de circuito impreso aplica presion a la ultima a fin de formar el co ntacto c on pres ion. En princ ipio s on posi bles d os clases d e u nion: una u nion revers ible, en l a c ual los componentes individuales pueden ser separados otra vez mas sin mucho esfuerzo y una union irreversible, en la cual la separacion unicamente es posible con un nivel incrementado de esfuerzo.
Una configuracion posible de la conexion reversible es la conexion de enganche de resorte. En este caso las extensiones d el alojamiento tien en le nguas d e enganche y la tarj eta d e c ircuito impreso o e l dispositivo d e refrigeracion tienen superficies de apoyo asociadas.
Una configuracion posible de la conexion irreversible es el disefo de las extensiones como pasadores. Estos pasadores penetran a trav es de los or ificios asoc iados de la tarjet a de circuito i mpreso o e l disp ositivo d e refrigeracion y en sus extremos, por ejemplo, son deformados por ultrasonidos o efectos termicos de tal modo que formen un remache, el cual esta sostenido en la superficie de apoyo asociada.
Las conexiones del modulo de semiconductor de potencia con la tarjeta de circuito i mpreso yel dispositivo de refrigeracion preferiblemente estan formadas de la misma manera.
En una configuracion de la invencion adicional de la instalacion citada, la cual tambien se puede combinar con la primera citada, el dispositivo de refrigeracion tiene extensiones. Estas extensiones pasan a traves de orificios del modulo de semiconductor de potencia o de la tarjeta de circuito impreso y forman con estos una conexion reversible
o irreversible de los tipos citados antes en este documento.
Una configuracion ventajosa adicional de una instalacion citada antes en este documento con una tarjeta de circuito impreso, un modulo de semiconductor de potencia y un dispositivo de refrigeracion activo tiene por lo menos un elemento de conexion para proveer una conexion electrica entre el dispositivo de refrigeracion activo y vias de conduccion de la tarjeta de circuito impreso. En este caso este elemento de conexion es un componente del alojamiento del modulo de semiconductor de potencia. El elemento de conexion tiene un contacto de enchufe para proveer una conexion electrica con el dispositivo de refrigeracion activo, preferiblemente el ventilador que esta instalado alli. Este contacto de enchufe se conecta con elementos de contacto de disefo elastico, en donde estos elementos de contacto se conectan con superficies de contacto asociadas de las vias de conduccion de la tarjeta de circuito impreso.
Por lo tanto lo que es ventajoso en la configuracion de la invencion de la instalacion citada antes en este documento es el hecho de que por una parte tiene la ventaja del contacto con presion para la conexion electrica entre el sustrato
del modulo de semiconductor de potencia y la tarjeta de circuito impreso, el cual en comparacion con las juntas soldadas posee una durabilidad mayor bajo carga. Por otra parte esta instalacion tiene una estructura compacta, la cual esta por lo menos en igualdad con aquella de una estructura con juntas soldadas.
La invencion se pondra de manifiesto con mas detalle con la ayuda de los ejemplos de la forma de realizacion junto con las figuras 1 a 4.
La figura 1 muestra una seccion a traves de una instalacion de la invencion.
La figura 2 muestra una vista del despiece tridimensional de la instalacion de la invencion.
La figura 3 muestra una segunda vista del despiece tridimensional de la instalacion de la invencion.
La figura 4 muestra una seccion a traves de una instalacion de la invencion adicional.
La figura 1 muestra una seccion a traves de una instalacion de la invencion. Lo que se representa es una instalacion que consiste en una tarjeta de circuito impreso (100), un modulo de semiconductor de potencia (200) y tambien un dispositivo de refrigeracion (300).
La tarjeta de circuito impreso (100) tiene un cuerpo de material aislante (110) y vias de conduccion (112) dispuestas en o en el interior del cuerpo de material aislante. Estas vias de con duccion transportan una multiplicidad de sefales, tales como, por ejemplo, sefales de la carga, de control, y auxiliares del modulo de semiconductor de potencia (200).
Este modulo de semiconductor de potencia (200) tiene un alojamiento (210) en forma de un bastidor con una cubierta integral (212). La segunda superficie de cubierta del alojamiento (210) esta formada por el sustrato (230). El sustrato consiste por su parte en un cuerpo de material aislante (234), preferiblemente una ceramica industrial tal como un oxido de aluminio o un nitrito de aluminio, tambien con capas metalicas (232) en ambos lados de este cuerpo de material aislante. En este caso las capas metalicas se aplican en el cuerpo de material aislante (234) por medio del procedimiento DCB (union de cobre directa) conocido en la tecnica las capas metalicas (232) encaradas hacia el interior del alojamiento preferiblemente estan estructuradas por si mismas y de ese modo forman vias de conduccion que estan aisladas una de otra. Estas vias de conduccion transportan componentes del semiconductor de potencia (240), tales como IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) o MOS-FET (transistores de efecto de campo de material semiconductor de oxido metalico), los cuales estan instalados en las primeras por medio de juntas soldadas. Conexiones adicionales de los componentes del semiconductor de potencia (240) con vias d e conduccion adicionales o componentes adicionales del semiconductor de potencia se realizan por medio de uniones de cable segun el circuito en cuestion.
Los elementos de conexion para proveer conexiones electricas entre las vias de conduccion (232) del sustrato (230) y los cables de suministro exterior, formados a partir de las vias de conduccion (112) de la tarjeta de circuito impreso (100), adoptan la forma de resortes de cont acto (250). Por medio de la introduccion de presion, como se describe mas adelanteen este documento, se aplica presion a estos resortes de contacto (250)y de ese modo forman conexiones electricas fiables.
La instalacion representada adicionalmente tiene un dispositivo de refrigeracion (300a). Este esta disefado como un dispositivo de refrigeracion activo (300a) que consiste en u n cu erpo de refri geracion (3 10) y un ventil ador de ventilacion sin regulacion (320) directamente conectadocon el mismo. Esta config uracion ventajosa, porque es pequefa y compacta, tambien se puede remplazar por un dispositivo de refrigeracion pasivo, dependiendo de la aplicacion. En un dispositivo de refrigeracion pasivo sin un ventilador de ventilacion una variante refrigerada por agua es ventajosa comparada con una variante refrigerada por aire.
La conexion de la tarjeta de circuito impreso (100) y el modulo de semiconductor de potencia (200), la cual sirve para proveer no solo su instalacion una con relacion al otro, sino tambien ademas la aplicacion de presion sobre los resortes de contacto (250) y de ese modo una instalacion en contacto con presion se forma por medio de una serie de e xtensiones (220) de l modu lo d e semi conductor de potencia (2 00). Estas exten siones (220) pueden estar configuradas como conexiones reversibles o irreversibles. Una conexion irreversible esta formada por extensiones (220b) disefadas como pasadores, los cuales estan instalados en los orificios asociados (120) de la tarjeta de circuito impreso y cuyos extremos son deformados de tal modo que esta conexion representa una junta remachada con una superficie de apoyo (122) en la tarjeta de circuito impreso (100). Esta deformacion se puede realizar, por ejemplo, por medio de un a accion termic a sobre los p asadores. Una deformacio n medi ante la a plicacion d e ultrasonidos ha demostrado ser ventajosa.
De l a misma maner a l a c onexion entre el mo dulo d e semic onductor de potencia (20 0) y e l dispositivo de refrigeracion (300) tambien puede estar formada como una conexion irreversible. Tambien se representa en la figura 1 una co nexion revers ible en la co nfiguracion de un a c onexion de enga nche de resorte. En este caso l as extensiones d el al ojamiento (210) esta n disefadas en sus extrem os como le nguas de e nganche (22 2). Las
extensiones (220) pasan a traves de orificios (312, 322) del cuerpo de refrigeracion (310) y el ventilador (320), el cual forma e l dispositivo de refrigeracion activo (300a). Las len guas de enganche (222) estan soste nidas en la s superficies de apoyo (324) del dispositivo de refrigeracion (300a), en este caso el ventilador (320).
�i que decir tiene que la conexion entre la tarjeta de circuito impreso (100) y el modulo de semiconductor de potencia (200) puede estar disefada de la misma manera que la conexion entre el modulo de semiconductor de potencia (200) y el dispositivo de refrigeracion (300).
Tambien se representa un elemento de conexion (2�0) para proveer una conexion electrica entre el dispositivo de refrigeracion a ctivo (3 00a) y las vias d e conduccion ( 112a) de l a tar jeta de c ircuito impr eso (10 0). Para est e proposito el elemento de conexion (2�0) tiene un contacto de enchufe (2�2) para proveer una conexion electrica con el dis positivo de refrig eracion activo (30 0a). Adicio nalmente, este co ntacto de e nchufe (2� 2) de l eleme nto de conexion esta conectado con elementos de contacto (2�4) de un disefo elastico, en el que estos elementos de contacto (2�4) estan conectados con superficies de contacto asociadas de las vias de con duccion (112a) de la tarjeta de c ircuito impreso ( 100). E n est e caso tambi en se c onsigue un c ontacto el ectrico fi able mediante la aplicacion de presion, como se ha citado antes en este documento. Por medio de este elemento de conexion, es posible un contacto electrico simple entre la tarjeta de circuito impreso (100) y el dispositivo de refrigeracion (300), sin la necesidad de proveer elementos de contacto adicionales en la tarjeta de circuito impreso (100), tales como, por ejemplo, una banda de contacto de pasador.
La figura 2 muestra una primera vista del despiece tridimensional de la instalacion de la invencion. Lo que s e representa en este caso es el sustrato aislante (110) de la tarjeta de circuito impreso (100), en la que esta tiene una serie de orificios (120). Tambien esta representado el modulo de semiconductor de potencia (200). Su alojamiento
(210) de forma similar tiene orificios (214) y tambien extensiones (220), en su superficie de cubierta (212) encarada hacia la tarjeta de circuito i mpreso (100). Estas extensiones (220) del alojamiento (210) pasan a traves de los orificios (120) de la tarjeta de circuito impreso (100) a fin de crear una conexion irreversible.
El modulo de semiconductor de potencia (200) tiene adicionalmente un sustrato (230) que consiste en un cuerpo de material aislante (234) y una capa metalica (232) instalada sobre el mismo. Esta capa metalica esta estructurada por si misma ypor este medio forma vias de conduccion que estan aisladas unas de las otras. En es tas vias de conduccion (232) estan inst alados los componentes del semic onductor d e p otencia (n o re presentados). Las condiciones necesarias p ara el circ uito en cu estion s e fabric an p or medio de uniones d e ca ble (tam poco representadas). �esortes de contacto (250) sirven para proveer las conexiones electricas para los componentes del semiconductor de potencia en la via de conduccion (232)� estos pasan a traves de los orificios (214) del alojamiento (210). Por medio de la conexion irreversible citada antes en este documento se conecta la instalacion que consiste en la tarjeta de circuito impreso (100) y el modulo de semiconductor de potencia (200) y se aplica presion a los resortes de contacto (250). Por este medio se asegura la provision de contactos electricos fiables.
Tambien esta representado el dispositivo de refrigeracion (300a), que consiste en un cuerpo de refrigeracion (310) y un ventilador de ventilacion (320). Estos dos componentes estan instalados de forma similar uno con relacion al otro por medio de extensiones, en este caso por medio de extensiones del cuerpo de refrigeracion, las cuales pasan a traves de orificios (334) del ventilador de ventilacion (320) y por medio de dispositivos de bloqueo (332). El sustrato
(230) del modulo de semiconductor de potencia (200) esta instalado directamente en el cuerpo de refrigeracion (300a), a fin de asegurar una eliminacion de calor extremadamente eficaz.
El dispositivo de refrigeracion (300a), en este caso el cuerpo de refrigeracion (310), adicionalmente tiene dos extensiones (330), las cuales en cada caso pasan a traves de orificios (216) de una parte del alojamiento (21�) del modulo de semiconductor de potencia. En estas extensiones estan instalados dispositivos de bloqueo, los cuales son comparables a aquellos (332) que fijan los elementos del dispositivo de refrigeracion (300) unos con otros y de esta manera fijan el dispositivo de refrigeracion al modulo de semiconductor de potencia.
Tambien esta representado un elemento de conexion (2�0), el cual esta instalado en el alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200). Este elemento de conexion consiste en dos elementos de contacto (2�4), los cuales tambien estan disefados como resortes, y de ese modo a traves del contacto de enchufe (2�2) sirve para proveer el contacto electrico entre el ventilador de ventilacion y las vias de conduccion asociadas de la tarjeta de circuito impreso (100). Tambien se aplica presion en este caso a estos elementos de contacto (2�4) a traves del contacto con presion, del mismo modo, tal como ha sido presentado antes en este documento, yde ese modo forman una conexion electrica fiable.
La figura 3 muestra una segunda vista del despiece tridimensional de la instalacion de la invencion. Lo que esta representado es la tarjeta de circuito impreso (100) con una serie de vias de conduccion (112) en su cara inferior. Tambien se pueden distinguir los orificios (120) de la tarjeta de circuito impreso (100) para el proposito de acomodar las extensiones (220) del alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200).
La conexion electrica del sustrato (230) del modulo de semiconductor de potencia (200) se realiza por medio de resortes de contacto (250). El alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200) tiene en una cara un
elemento de conexion (2�0), el cual esta configurado integralmente con el alojamiento (210). �esortes de contacto (2�4) identicos a aquellos utilizados paraproveer las conexiones electricas entre el sustrato (230) y la tarjeta de circuito impreso (100) sirven como elementos de contacto (2�4) del elemento de conexion (2�0). Estos elementos de contacto (2�4) conectan vias de conduccion (112a) de la tarjeta de circuito impreso (100) con un contacto de enchufe (2�2) del ventilador (320). Este ventilador, junto con el cuerpo de refrigeracion (310), forma el dispositivo de refrigeracion activo (300a) de la instalacion de la invencion.
La figura 4 muestra una seccion a traves de una instalacion adicional de la invencion. Lo que esta representado es, al i gual que l a fig ura 1, u na i nstalacion que cons iste en una tarj eta de circu ito i mpreso ( 100), un mod ulo d e semiconductor de potencia (200) y un dispositivo de refrigeracion (300). En este caso la tarjeta de circuito impreso
(100) esta configurada de una manera analoga a aquella de la figura 1.
El modulo de semiconductor de potencia (200) de forma similar tiene un alojamiento (210) en forma de un bastidor con una cubierta integral (212). La segunda superficie de cubierta del alojamiento (210) esta formada de igual manera por el sustrato, de una manera analoga a la figura 1. La instalacion adicionalmente tiene un dispositivo de refrigeracion pasivo (300b).
La conexion de la instalacion de la tarjeta de circuito impreso (100), el modulo de semiconductor de potencia (200) y el dispositivo de refrigeracion (300b), que tambien sirve para introducir presion en los resortes de contacto (250) y de ese modo a una instalacion en contacto con presion, esta formada por medio de una serie de extensiones (330) del componente d e refriger acion (300 b), la cual co nsiste en alumi nio. Estas exten siones (330) pueden estar configuradas como conexiones reversibles o irreversibles. Una conexion irreversible esta formada por extensiones (330c) disefadas como pasadores, los cuales estan instalados en los orificios asociados (120) de la tarjeta de circuito impreso (100) y cuyos extremos son deformados de tal modo que esta conexion representa una junta remachada con una superficie de soporte (122) sobre la tarjeta de circuito impreso (100). Esta deformacion puede ser realizada, por ejemplo, por medio de una accion mecanica en los pasadores.
La co nfiguracion d e l a e xtension (3 30b) como u na c onexion rev ersible esta disefada com o u na cone xion d e enganche de resorte de la tecnica conocida que ya ha sido descrita antes en este documento.

Claims (7)

  1. REIVINDICACIONES
    1.
    Una i nstalacion en co ntacto con presi on con un a tarj eta de circ uito impres o (1 00), un mo dulo de semiconductor de potencia (200) y un dispositivo de refrigeracion (300), en la que la tarjeta de circuito impreso (100) tiene un cuerpo de material aislante (110) y vias de conduccion (112) instaladas en el mismo o en su interior, en la que el modulo de semiconductor de potencia (200) tiene un alojamiento de plastico aislante (210) en forma de un bastidor, con una prim era superficie de cubierta (212) que tiene orificios (214), un sustrato (230) que forma la segunda superficie de cubierta del alojamiento (210) con por lo menos una via de conduccion (232) y por lo menos un componente del semiconductor de potencia (240) dispuesto en la misma y conectado de acuerdo con el circuito en cuestion y tambien resortes de contacto (250), los cuales pasan a traves de los orificios (214) delalojamiento (210), para el proposito de conectar la via de conduccion (232) del sustrato (230) con puntos de contacto en las vias de conduccion (112) de la tarjeta de circuito impreso (100), y el dispositivo de refrigeracion (300) es activo o pasivo en el que tanto el alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200) tiene extensiones (220b) en la direccion de la tarjeta de circ uito impreso (100), las cuales se prolongan a traves de ori ficios (120) en la tarjeta d e circuito impreso (100) y tiene otras extensiones (220) en la direccion del dispositivo de refrigeracion (300), las cuales se pro longan a traves de o rificios ( 312, 3 22) e n el dispositivo d e ref rigeracion (3 00), como el d ispositivo de refrigeracion (300) tiene extensiones (330b, 330c) las cuales se prolongan a traves de orificios (120) en la tarjeta de circuito impreso (100), o el alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200) tiene extensiones (220) en la direccion de la tarjeta de circuito impreso (100), las cuales se prolongan a traves de orificios (120) en la tarjeta de circuito impreso (100) yel dispositivo de refrigeracion (300) tiene extensiones (330) las cuales se prolongan a traves d e or ificios (2 16 en el a lojamiento (200), en la que las e xtensiones res pectivas d e ese modo f orman conexiones reversibles o irreversibles y en la que las extensiones respectivas, las cuales penetran en la tarjeta de circuito impreso, se prolongan por encima de la ultima y aplican presion a la ultima.
  2. 2.
    La instalacion segun la reivindicacion 1 en la que la conexion reversible esta formada por extensiones (220, 330) disefadas como lenguas de enganche (222), las cua les se prolongan a traves de l os orificios (120, 216, 312, 322) y cuyas lenguas de enganche estan instaladas en superficies de apoyo asociadas (122, 324) de la tarjeta de circuito impreso (100) del alojamiento (210) o del cuerpo de refrigeracion (300) y representan una conexion de enganche de resorte.
  3. 3.
    La instalacion segun la reivindicacion 1 en la que la conexion reversible esta formada por extensiones (220, 330) disefadas como pasadores (222), los cuales se prolongan a traves de los orificios (120, 216, 312, 322) y los cuales estan instalados por medio de dispositivos de bloqueo en superficies de apoyo asociadas (122, 324) de la tarjeta de circuito impreso (100), del alojamiento (210) o del cuerpo de refrigeracion (300).
  4. 4.
    La instalacion segun la reivindicacion 1 en la que la conexion irreversible esta formada por extensiones (220, 330) disefadas como pasadores (222), los cuales estan instalados en los orificios asociados (120, 216, 312, 322) y cuyos extremos estan deformados de tal modo que estos representan una junta remachada.
  5. 5.
    La instalacion segun la reivindicacion 1 en la que un dispositivo de refrigeracion pasivo (300) esta disefado como un refrigerador de aire o un refrigerador de agua.
  6. 6.
    La instalacion segun la reivindicacion 1 en la que un dispositivo de refrigeracion activo (300a) tieneun ventilador sin regular o regulado por temperatura (320).
  7. 7.
    Una instalacion en contacto con presion segun la reivindicacion 1 con una tarjeta de circuito impreso (100), un mo dulo de semico nductor de potencia (200) y u n d ispositivo de r efrigeracion a ctivo (30 0a), en el q ue el alojamiento (210) del modulo de semiconductor de potencia (200) tiene por lo menos un elemento de conexion (2�0) para proveer una conexion electrica entre el dispositivo de refrigeracion activo (300a) y vias de conduccion (12) de la tarjeta de circuito impreso (100), en la que el elemento de conexion (2�0) tiene un contacto de enchufe (2�2) para proveer una conexion electrica con el dispositivo de refrigeracion activo (300a), este contacto de enchufe (2�2) esta conectado co n elem entos de contact o (2�4) d e dis efo elastico y estos elem entos de co ntacto (2�4) est an conectados con superficies de contacto asociadas de las vias de conduccion (112a) de la tarjeta de circuito impreso (100).
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005055713B4 (de) * 2005-11-23 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Anschlusselementen
DE102006021412B3 (de) * 2006-05-09 2007-11-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102006027481C5 (de) * 2006-06-14 2012-11-08 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit gegeneinander elektrisch isolierten Anschlusselementen
DE102006032441A1 (de) * 2006-07-13 2008-01-17 Siemens Ag Vorrichtung aufweisend eine Leiterplatte und ein Modul sowie Verfahren zum Aufbau einer derartigen Vorrichtung
DE102006032436A1 (de) * 2006-07-13 2008-01-17 Siemens Ag Vorrichtung zur Anordnung an einer Leiterplatte
EP1938352A1 (de) * 2006-09-15 2008-07-02 Siemens Aktiengesellschaft, A German Corporation Motorstart- oder motorsteuergerät, halbleiterleistungsteil und verfahren zur herstellung eines motorstart- oder motorsteuergerätes
DE102006052620B4 (de) 2006-11-08 2009-07-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung mit einem Leistungsmodul, das mit einer Leiterplatte kombiniert ist.
DE102006058692A1 (de) * 2006-12-13 2008-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Kontaktfedern
US7944033B2 (en) 2007-10-18 2011-05-17 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module
DE102007054709B4 (de) * 2007-11-16 2014-11-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat und mit einer Druckeinrichtung
DE102007062163B4 (de) 2007-12-21 2009-08-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102008034068B4 (de) * 2008-07-22 2019-07-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul
DE102009005915B4 (de) * 2009-01-23 2013-07-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul in Druckkontaktausführung
DE102010007086B4 (de) 2010-02-06 2013-04-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit Leistungshalbleiterbaugruppen und einer Flüssigkeitskühleinrichtung
DE102011004544B4 (de) 2011-02-22 2013-06-13 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Schaltungsanordnung
DE102011005890A1 (de) * 2011-03-22 2012-09-27 Robert Bosch Gmbh Elektronikgerät mit Schaltungsträger in einem Einschubgehäuse
DE102012201889A1 (de) * 2012-02-09 2012-10-04 Conti Temic Microelectronic Gmbh Elektrisches Leistungsmodul und Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen eines elektrischen Leistungsmoduls
JP5950684B2 (ja) * 2012-05-14 2016-07-13 三菱電機株式会社 半導体装置
DE102013200526B4 (de) * 2013-01-16 2019-11-21 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
CN104916613A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 西安永电电气有限责任公司 一种压接式电极及其igbt模块和安装方法
GB2545425B (en) * 2015-12-14 2019-03-27 Ge Aviat Systems Ltd Distributed wiring board connections
DE102016119631B4 (de) * 2016-02-01 2021-11-18 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Druckeinleitkörper und Anordnung hiermit
CN108010891B (zh) * 2016-11-02 2020-03-17 株洲中车时代电气股份有限公司 功率半导体模块
DE202016006849U1 (de) 2016-11-07 2018-02-08 Liebherr-Elektronik Gmbh Leistungselektronikmodul
DE102018214539B3 (de) * 2018-08-28 2019-12-19 Continental Automotive Gmbh Kühlvorrichtung für Bauteile in einem Fahrzeug
CN112601411B (zh) * 2020-12-04 2022-08-16 Oppo广东移动通信有限公司 电路板结构和电子设备
DE102021134001A1 (de) 2021-12-21 2023-06-22 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Substrat, Leistungshalbleiterbauelementen und mit einem Druckkörper

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19533298A1 (de) * 1995-09-08 1997-03-13 Siemens Ag Elektronisches Modul mit Leistungsbauelementen
DE19630173C2 (de) * 1996-07-26 2001-02-08 Semikron Elektronik Gmbh Leistungsmodul mit Halbleiterbauelementen
DE19847029A1 (de) * 1998-10-13 2000-04-27 Semikron Elektronik Gmbh Umrichter mit niederinduktivem Kondensator im Zwischenkreis
DE19903875C2 (de) * 1999-02-01 2001-11-29 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung
DE19924993C2 (de) * 1999-05-31 2002-10-10 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligentes Leistungsmodul in Sandwich-Bauweise
EP1128432B1 (de) * 2000-02-24 2016-04-06 Infineon Technologies AG Befestigung von Halbleitermodulen an einem Kühlkörper
DE10064194B4 (de) * 2000-12-22 2006-12-07 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleiter-Modul und Kühlkörper zur Aufnahme des Leistungshalbleiter-Moduls
DE10231219C1 (de) * 2002-07-11 2003-05-22 Semikron Elektronik Gmbh Druckkontaktiertes Halbleiterrelais

Also Published As

Publication number Publication date
EP1592063A2 (de) 2005-11-02
CN1700453B (zh) 2011-09-21
EP1592063A3 (de) 2009-11-11
CN1700453A (zh) 2005-11-23
DE102004021122B4 (de) 2007-10-11
ATE545954T1 (de) 2012-03-15
EP1592063B1 (de) 2012-02-15
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