ES2267689T3 - Aleacion aluminio silicio de polvo prealeado y metodo de fabricacion. - Google Patents
Aleacion aluminio silicio de polvo prealeado y metodo de fabricacion. Download PDFInfo
- Publication number
- ES2267689T3 ES2267689T3 ES01310961T ES01310961T ES2267689T3 ES 2267689 T3 ES2267689 T3 ES 2267689T3 ES 01310961 T ES01310961 T ES 01310961T ES 01310961 T ES01310961 T ES 01310961T ES 2267689 T3 ES2267689 T3 ES 2267689T3
- Authority
- ES
- Spain
- Prior art keywords
- alloy
- percent
- weight
- powder
- rest
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 229910002056 binary alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C29/00—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides
- C22C29/18—Alloys based on carbides, oxides, nitrides, borides, or silicides, e.g. cermets, or other metal compounds, e.g. oxynitrides, sulfides based on silicides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2999/00—Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
Abstract
Una aleación binaria de polvo previamente aleado atomizado por gas que consiste, en por ciento en peso, de menos de 10 Al, excluyendo cero, y el resto Si e impurezas inevitables, donde dicha aleación se caracteriza substancialmente por una micro estructura uniforme libre de Si y Al no aleados.
Description
Aleación aluminio silicio de polvo prealeado y
método de fabricación.
La invención se refiere a una aleación
base-silicio de polvo previamente aleado
conteniendo aluminio, en la forma de polvo previamente aleado
apropiado atomizado por gas por consolidación para producir
tablillas de deposición electrónica
Tablillas de deposición electrónica planas y
rotatorias de una aleación base silicio conteniendo aluminio han
sido convencionalmente producidas usando técnicas de rociado de
plasma con el polvo elemental mezclado usado como fuente de
alimentación. Estas tablillas se usan principalmente para
proporcionar recubrimientos conductores, resistentes al rayado y
resistentes al encandilamiento para pantallas planas de vídeo así
como cristales de automó-
viles.
viles.
Estas tablillas convencionales son deficientes
en que las composiciones de ellas no son uniformes como
resul-
tado del uso de polvo elemental, lo cual no produce uniformidad del acabado de la superficie recubierta de
ello.
tado del uso de polvo elemental, lo cual no produce uniformidad del acabado de la superficie recubierta de
ello.
Es por tanto un objeto primario de la presente
invención proporcionar una aleación binaria base silicio de polvo
previamente aleado conteniendo aluminio, la cual puede usarse en la
producción de tablillas de deposición electrónica lo que
proporciona ventajas tanto en la uniformidad de la composición como
en facilidad de fabricación de tablillas sobre las prácticas
convencionales.
EE.UU. 4,402,905 (WESTINGHOUSE ELECTRIC CORP)
publica un proceso para preparar un cuerpo de silicio policristalino
dopado con aluminio que comprende mezcla de la fundición de polvo
de silicio y polvo de aluminio, rápidamente enfriando la mezcla,
moliendo la aleación de silicio-aluminio
solidificada y presionando con calor para formar un compacto. Las
enseñanzas de este documento no se refieren al uso de polvo
previamente aleado atomizado por gas y no proporcionan un producto
con una micro estructura uniforme substancialmente libre de silicio
y aluminio no aleados.
De acuerdo con la invención, una aleación
binaria base-silicio de polvo previamente aleado
atomizado por gas se proporciona teniendo, en por ciento en peso,
menos de 10 aluminio, excluyendo cero, y el resto Si e impurezas
inevitables, donde dicha aleación se caracteriza substancialmente
por una micro estructura uniforme libre de no aleados.
Preferentemente, la aleación tiene 6% máximo de aluminio, excluyendo
cero y más preferentemente, la aleación tiene aproximadamente 6% de
aluminio.
La aleación está en la forma de gas atomizado,
polvo previamente aleado. Este polvo puede ser consolidado para
formar desde eso un artículo consolidado que puede ser una tablilla
de deposición electrónica
Por el uso de la práctica de la invención, el
artículo consolidado se caracteriza por una micro estructura
uniforme substancialmente libre de silicio y aluminio no aleados.
Esto proporciona un alto grado de uniformidad a lo largo de la
estructura del artículo.
La aleación binaria del polvo previamente aleado
de acuerdo con la invención puede producirse desde un recocido de
la aleación que es el gas atomizado para producir partículas del
polvo previamente aleado desde eso. El recocido puede producirse por
fusión por inducción al vacío.
De acuerdo con la invención, las muestras de dos
gases atomizados calientes se probaron con respecto a la evaluación
por rociado. Uno fue hecho usando la práctica convencional con el
polvo elemental mezclado y otro fue hecho usando polvo aluminio
silicio atomizado por gas argón de acuerdo con la invención e
identificado como L1228. Las composiciones de estos polvos se
muestran en la Tabla 1.
| Si | Al | Fe | Zr | Cu | P | Mn | Cr | C | O | N | S | |
| Polvo | Resto | 6.13 | 0.010 | <0.005 | <0.003 | <0.005 | <0.005 | <0.005 | 0.010 | 0.051 | 0.002 | <0.001 |
| Elem. | ||||||||||||
| Mezc. | ||||||||||||
| CRC | Resto | 5.70 | 0.014 | <0.001 | <0.001 | <0.005 | <0.001 | <0.005 | 0.007 | 0.020 | 0.002 | <0.001 |
| L1228 | ||||||||||||
| CRC | Resto | 5.79 | 0.043 | <0.013 | <0.001 | <0.005 | <0.001 | <0.005 | 0.009 | 0.020 | 0.002 | <0.001 |
| L1229 |
Los cupones de rociado de plasma fueron cortados
y pulidos para examen usando un microscopio electrónico de barrido
(SEM) y análisis rayos-X por energía dispersa.
El examen demostró que la capa depositada hecha
con el polvo previamente aleado (L1228) era mucho más uniforme que
el depositado desde polvo elemental mezclado. Específicamente, con
el polvo elemental mezclado el material depositado fue
no-uniforme en la química y estaban presentes áreas
ricas en aluminio. Con la capa depositada hecha con el polvo
previamente aleado, la química fue uniforme a lo largo de ella y no
hubo dilución mensurable desde el polvo original previamente
aleado. Por consiguiente, la estructura del depósito resultante del
polvo previamente aleado fue mucho más uniforme que el producto
convencional hecho con el polvo elemental mezclado. Además, no
contuvo ninguna área de cristales libre de silicio o aluminio puro
que tendrían las propiedades eléctricamente conductoras o de
resistencia al arañazo substancialmente diferentes del resto del
depósito.
Claims (8)
1. Una aleación binaria de
polvo previamente aleado atomizado por gas que consiste, en por
ciento en peso, de menos de 10 Al, excluyendo cero, y el resto Si e
impurezas inevitables, donde dicha aleación se caracteriza
substancialmente por una micro estructura uniforme libre de Si y Al
no aleados.
2. Una aleación binaria
según la reivindicación 1, en donde la aleación consiste
esencialmente, en por ciento en peso, de 6 de Al máximo, excluyendo
cero, y el resto Si.
3. Una aleación binaria
según la reivindicación 1, en donde la aleación consiste
esencialmente, en por ciento en peso, de aproximadamente 6 de Al y
el resto Si.
4. La aleación de las
reivindicaciones 1, 2 ó 3 en la forma de un artículo
consolidado.
5. Un método para producir
una aleación binaria que consiste, en por ciento en peso, de menos
de 10 Al, excluyendo cero, y el resto Si e impurezas inevitables,
comprendiendo dicho método:
- producir un recocido de dicha aleación; y
- atomizando gas sobre dicho recocido para producir partículas de polvo previamente aleado de dicha aleación; en donde dicha aleación de dichas partículas de polvo atomizadas por gas está caracterizada por una micro estructura uniforme substancialmente libre de Si y Al no aleados.
6. El método de la
reivindicación 5, en donde dicho recocido se produce por fusión por
inducción al vacío.
7. El método de las
reivindicaciones 5 ó 6, en donde dicha aleación consiste
esencialmente, en por ciento en peso, de 6 de Al máximo, excluyendo
cero, y el resto Si.
8. El método de las
reivindicaciones 5 ó 6, en donde dicha aleación consiste
esencialmente, en por ciento en peso, de aproximadamente 6 de Al y
el resto Si.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/832,128 US6475263B1 (en) | 2001-04-11 | 2001-04-11 | Silicon aluminum alloy of prealloyed powder and method of manufacture |
| US832128 | 2001-04-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| ES2267689T3 true ES2267689T3 (es) | 2007-03-16 |
Family
ID=25260766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ES01310961T Expired - Lifetime ES2267689T3 (es) | 2001-04-11 | 2001-12-31 | Aleacion aluminio silicio de polvo prealeado y metodo de fabricacion. |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6475263B1 (es) |
| EP (1) | EP1249509B1 (es) |
| JP (1) | JP2002339032A (es) |
| AT (1) | ATE325900T1 (es) |
| CY (1) | CY1105259T1 (es) |
| DE (1) | DE60119488T2 (es) |
| DK (1) | DK1249509T3 (es) |
| ES (1) | ES2267689T3 (es) |
| PT (1) | PT1249509E (es) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1685078A (zh) * | 2002-06-07 | 2005-10-19 | 黑罗伊斯有限公司 | 可延展的金属间溅射靶的制造方法 |
| JP2005303196A (ja) * | 2004-04-15 | 2005-10-27 | Canon Inc | 位置決め装置、露光装置、半導体デバイスの製造方法 |
| US20070289869A1 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-20 | Zhifei Ye | Large Area Sputtering Target |
| JP5215192B2 (ja) * | 2007-01-05 | 2013-06-19 | 株式会社東芝 | スパッタリングターゲット |
| EP2096189A1 (en) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | Applied Materials, Inc. | Sprayed Si- or Si:Al-target with low iron content |
| KR102134781B1 (ko) | 2014-03-31 | 2020-07-16 | 가부시끼가이샤 도시바 | 스퍼터링 타깃의 제조 방법 및 스퍼터링 타깃 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4402905A (en) * | 1982-03-05 | 1983-09-06 | Westinghouse Electric Corp. | Production of a polycrystalline silicon aluminum alloy by a hot pressing technique |
| US5120352A (en) * | 1983-06-23 | 1992-06-09 | General Electric Company | Method and apparatus for making alloy powder |
| DE3573137D1 (en) * | 1984-10-03 | 1989-10-26 | Sumitomo Electric Industries | Material for a semiconductor device and process for its manufacture |
| US5084109A (en) * | 1990-07-02 | 1992-01-28 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Ordered iron aluminide alloys having an improved room-temperature ductility and method thereof |
| US5094288A (en) * | 1990-11-21 | 1992-03-10 | Silicon Casting, Inc. | Method of making an essentially void-free, cast silicon and aluminum product |
| FR2721231B1 (fr) * | 1994-06-21 | 1996-09-06 | Wheelabrator Allevard | Procédé d'atomisation d'un matériau liquide dispersable. |
| GB9514777D0 (en) * | 1995-07-19 | 1995-09-20 | Osprey Metals Ltd | Silicon alloys for electronic packaging |
| DE69940854D1 (de) * | 1998-12-28 | 2009-06-18 | Ultraclad Corp | Verfahren zur herstellung eines silizium/aluminiumsputtertargets |
-
2001
- 2001-04-11 US US09/832,128 patent/US6475263B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-31 AT AT01310961T patent/ATE325900T1/de active
- 2001-12-31 EP EP01310961A patent/EP1249509B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-31 DK DK01310961T patent/DK1249509T3/da active
- 2001-12-31 DE DE60119488T patent/DE60119488T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-12-31 PT PT01310961T patent/PT1249509E/pt unknown
- 2001-12-31 ES ES01310961T patent/ES2267689T3/es not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-02-06 JP JP2002029220A patent/JP2002339032A/ja active Pending
-
2006
- 2006-06-05 CY CY20061100726T patent/CY1105259T1/el unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6475263B1 (en) | 2002-11-05 |
| EP1249509A2 (en) | 2002-10-16 |
| DE60119488D1 (de) | 2006-06-14 |
| EP1249509B1 (en) | 2006-05-10 |
| US20020170389A1 (en) | 2002-11-21 |
| EP1249509A3 (en) | 2005-06-01 |
| JP2002339032A (ja) | 2002-11-27 |
| PT1249509E (pt) | 2006-09-29 |
| CY1105259T1 (el) | 2010-03-03 |
| ATE325900T1 (de) | 2006-06-15 |
| DK1249509T3 (da) | 2006-09-11 |
| DE60119488T2 (de) | 2006-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5586752B2 (ja) | 高密度の耐熱金属及び合金のスパッタリングターゲット | |
| JP6703759B2 (ja) | ＴｉＡｌ金属間化合物粉末の製造方法およびＴｉＡｌ金属間化合物粉末 | |
| JP6461543B2 (ja) | アルミニウムと希土類元素との合金ターゲット及びその製造方法 | |
| CN113165984B (zh) | Cr-Si系烧结体 | |
| Niu et al. | Microstructure and thermal stability of TaSi2 coating fabricated by vacuum plasma spray | |
| JP6344844B2 (ja) | 炭化ホウ素／ホウ化チタンコンポジットセラミックス及びその作製法 | |
| ES2267689T3 (es) | Aleacion aluminio silicio de polvo prealeado y metodo de fabricacion. | |
| KR100449210B1 (ko) | 내취화성이 우수한 게이트 산화막 형성용 실리사이드타겟트 및 동 실리사이드 타겟트 제조방법 | |
| KR20190095414A (ko) | 텅스텐 실리사이드 타깃 및 그 제조 방법 | |
| Rao et al. | Melt-spun Al84V16: a new icosahedral crystal | |
| CN100519480C (zh) | 高热导率氮化铝烧结体 | |
| WO2014014126A1 (ja) | 熱電変換材料およびそれを用いた熱電変換モジュール並びに熱電変換材料の製造方法 | |
| CN114672715A (zh) | 高温高熵合金表面碳化物/金刚石颗粒涂层的制备方法 | |
| Liu et al. | Phase compositions and microstructure of plasma sprayed wollastonite coating | |
| WO2021019992A1 (ja) | スパッタリングターゲット | |
| JP2009504557A (ja) | ＳｉＯｘ：Ｓｉ複合物体およびその製造方法 | |
| WO2022138233A1 (ja) | 積層造形用銅合金粉末とその評価方法、銅合金積層造形体の製造方法および銅合金積層造形体 | |
| WO2021241522A1 (ja) | 金属－Ｓｉ系粉末、その製造方法、並びに金属－Ｓｉ系焼結体、スパッタリングターゲット及び金属－Ｓｉ系薄膜の製造方法 | |
| CN109694969A (zh) | 一种预合金粉末及添加预合金粉末的TiCN基金属陶瓷复合材料及其制备方法 | |
| WO2020202878A1 (ja) | ホウ化ジルコニウム／炭化ホウ素コンポジット及びその製造方法 | |
| KR20190050562A (ko) | 알루미늄-티타늄 복합재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 알루미늄-티타늄 복합재료 | |
| KR20030041610A (ko) | Ｗ－Ｃｕ복합 분말의 제조방법 | |
| KR970001558B1 (ko) | 극초미립의 복합분말물질의 제조방법 | |
| RU2806938C1 (ru) | Способ селективного лазерного спекания среднеэнтропийного сплава системы Fe-Co-Ni-Cr-С | |
| KR20160085756A (ko) | 스퍼터링 타깃 및 제조방법 |