ES2246392T3 - Montaje de aparato optico en un disipador de calor. - Google Patents
Montaje de aparato optico en un disipador de calor.Info
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Abstract
Un aparato ópticamente activo que comprende: un cuerpo (12) que tiene una zona activa (14) y una primera zona ópticamente pasiva (22) que se extiende desde un extremo de la zona activa, disponiendo la primera zona ópticamente pasiva (22) de un extremo interior (18) adyacente a la zona activa y de un extremo exterior que define una primera faceta (26) del aparato; y un disipador (28) que se encuentra térmicamente asociado al cuerpo (12) y que co-existe con, por lo menos, parte de la zona activa (14) y con solamente una parte de la primera zona ópticamente pasiva de tal manera que la primera faceta del aparato está suspendida en el disipador.
Description
Montaje de aparato óptico en un disipador de
calor.
La presente invención se refiere a aparatos
ópticos y especialmente, aunque no exclusivamente, a la instalación
o montaje de dispositivos semiconductores óptimamente activos o de
aparatos opto electrónicos tales como laceres, moduladores,
amplificadores, estructuras de conmutación o similares.
En los aparatos semiconductores que contienen una
zona activa, la corriente que pasa a través de la misma ocasiona un
calentamiento a causa de una recombinación no radiactiva y, para
disipar el calor, los aparatos suelen ir acoplados o unidos a un
disipador de calor, dispositivo que dispone de unas ventanas
pasivas que se dan a conocer en la patente
US-A-5 680 412. Normalmente, los
aparatos funcionan con el lado de unión en la parte inferior para
mejorar la refrigeración mediante la colocación de la zona activa
junto al termo disipador. Para facilitar el acoplamiento al
aparato, los extremos (facetas) del aparato están suspendidos en el
disipador; pero esta disposición presenta el inconveniente de que
se desarrolla calor en las facetas como consecuencia de la falta de
vías conductoras dando lugar a un aumento de la absorción en las
facetas que se traduce en una reducción del rendimiento y Daños
Irreparables en los Espejos Ópticos(COMD) y, a la inversa,
si el disipador se fabrica más largo que el aparato, el borde del
mismo puede interrumpir parte de la luz emitida y, si como suele
suceder, se emplea soldador para unir el aparato al disipador, se
forman "bolas" en el extremo de salida del aparato con lo que
se obstruye la luz emitida.
En un modelo anterior, para evitar estos
inconvenientes, se emplea un dispositivo que se coloca en la zona
activa en ángulo agudo con los costados del disipador. El
dispositivo se sitúa en el disipador cuya longitud es efectivamente
igual a la longitud activa del aparato y esta disposición reduce la
disipación de calor en las facetas. Pero, desgraciadamente, esta
disposición exige elevadas tolerancias de fabricación limitando el
acoplamiento a otros componentes ópticos tales como fibras ópticas
y no puede utilizarse en aparatos con dos o más zonas activas
dispuestas en paralelo.
Una de las finalidades de uno de los modelos de
la presente invención es la de proporcionar un dispositivo
semiconductor óptimamente activo que evite o mitigue uno o varios
de los inconvenientes mencionados.
Según un primer aspecto de la presente invención,
se proporciona un aparato óptimamente activo que comprende:
un cuerpo con una zona activa y una primera zona
óptimamente pasiva que se extiende desde uno de los extremos de la
zona activa, disponiendo la primera zona óptimamente pasiva de un
extremo interior adyacente a la zona activa y de un extremo
exterior que define una primera faceta del dispositivo, así como
Un termo disipador asociado térmicamente al
cuerpo del dispositivo, disipador que coexiste con, por lo menos,
una parte de la zona activa y con solamente una parte de la primera
zona óptimamente pasiva de tal manera que la primera faceta del
aparato queda suspendida en el disipador.
La zona activa puede contener una zona óptica y
eléctricamente activa (discrecional. En su forma preferente, el
aparato óptimamente activo es un semiconductor, preferentemente
fabricado de materiales semiconductores III-V tales
como el arseniuro de galio (GaAs) para funcionar esencialmente en
una escala de longitud de onda de 600 a 1300 nm o el fosfuro índico
(InP) que funciona esencialmente en una escala de longitud de onda
de 1200 a 1700 nm. Así, por ejemplo, el material puede ser AlGaAs
o InGaAsP.
El cuerpo del aparato puede elegirse de un láser
como por ejemplo, de un diodo de láser o un modulador óptico, un
amplificador óptico, un conmutador óptico o un aparato similar.
Preferentemente, una de las zonas ópticamente
pasivas se encuentra en la salida del cuerpo del aparato ópticamente
activo.
Un aparato ópticamente activo con un dispositivo
láser semiconductor según la presente invención, puede contar con
una zona ópticamente pasiva que se prolonga más allá de un
extremo/borde o costado del disipador, mientras que un amplificador
óptico según la presente invención puede contar con dos zonas
ópticamente pasivas cada una de las cuales se prolonga más allá del
extremo de salida/borde/costados opuestos del disipador.
Preferentemente, el aparato semiconductor suele
ser de construcción monolítica y, también preferentemente, puede
configurarse o conformarse de otra manera sobre un sustrato. Más
preferentemente, el dispositivo semiconductor contiene una capa de
núcleo activo emparedada entre una capa limitadora portadora de
carga / de revestimiento óptico inferior y una segunda capa (o
superior) portadora de carga de revestimiento óptico. Debe tenerse
en cuenta que los términos "superior" e "inferior" se
utilizan aquí como punto de referencia y no presuponen una
disposición preferida de las capas. Ciertamente, cuando se utilice
el dispositivo puede adoptar una posición inver-
tida.
tida.
El aparato semiconductor puede contar con una
arista (o reborde) por lo menos en la segunda capa de revestimiento,
que actúa cuando se utiliza, como guía-ondas óptico
para delimitar lateralmente un modo óptico en el aparato
semiconductor.
Preferentemente, el núcleo activo puede contener
un material lasérico que puede contener o incluir un manantial
cuántico (QW) configurado como zona ópticamente activa delimitada
por el reborde.
Por lo menos una zona ópticamente pasiva puede
prolongarse lateralmente como la zona ópticamente activa.
Preferentemente, la zona o zonas ópticamente
activas puede contener un primer material estructuralmente
desordenado en el seno de la capa de núcleo.
En una modificación, la zona ópticamente activa
puede estar lateralmente acoplada a zonas laterales que contienen un
material estructuralmente desordenado en el núcleo.
Ventajosamente, los materiales laséricos
estructuralmente primero y segundo son esencialmente los mismos y
preferentemente, los materiales estructuralmente desordenados pueden
estar formados por el procedimiento del Intermezclado de Manantiales
Cuánticos (QWI) mediante el cual pueden difuminarse los límites de
los manantiales cuánticos dentro de la capa de núcleo activo.
Más preferentemente, el QWI suele estar
esencialmente libre de impurezas. Las zonas QWI pueden estar
"desplazadas"; es decir, normalmente, de 20 a 30 meV, por lo
menos, y, normalmente, existe una diferencia dueños 100 meV o más
entre los intersticios de banda de la zona ópticamente activa
bombeada con corriente, y la zona o zonas ópticamente pasivas QWI.
Estas últimas pueden tener una energía
intersticio-banda superior y, por consiguiente, una
absorción inferior que la zona ópticamente activa.
En consecuencia, cuando la zona ópticamente
activa es excitada eléctricamente, la zona o zonas pasivas limitan
la disipación de calor en los extremos del cuerpo del aparato y la
disipación reducida de calor permite que los extremos se sitúen
sobre los extremos del disipador, es decir, queden suspendidos
sobre el disipador. Esto hace que un haz óptico de entrada o de
salida del aparato quede libre de obstrucciones y permita un libre
acceso al haz de entrada / salida de los extremos de la estructura
para acoplarse a otros aparatos ópticos o desde los mismos, como
por ej. cables de fibra óptica.
Generalmente, las zonas pasivas suelen tener una
longitud de 10 a 100 um.
Preferentemente, el aparato contiene capas
respectivas de material de contacto eléctrico por lo menos en una
parte de una superficie superior de la segunda capa y un segunda
capa de revestimiento y una superficie (inferior) de la primera
capa de revestimiento o, más probablemente, una superficie inferior
del sustrato. Uno de los materiales de contacto puede estar
previsto en la superficie superior del reborde.
Preferentemente, el disipador está fabricado de
material de elevada conductividad térmica como, por ej.,
parcialmente de cobre, diamante, silicio, nitruro de aluminio u
otros parecidos.
También preferentemente, el disipador se sitúa
contra uno de los materiales de contacto con un contacto de
soldadura o su equivalente térmico.
Preferentemente, la segunda capa de revestimiento
se orienta más cercana al disipador que la primera capa de
revestimiento. Esta configuración se denomina "junction
side-down"(unión lateral inferior) y situando la
zona activa lo más cerca posible del disipador se consigue una
configuración de refrigeración perfeccionada.
Según un segundo aspecto de la presente
invención, se facilita un procedimiento para la conformación de un
aparato ópticamente activo que comprende las fases de:
a) fabricación del cuerpo del aparato que
disponga de una zona activa y de una zona ópticamente pasiva,
siempre que en uno o más extremos de la zona activa, se disponga de
una zona ópticamente pasiva común extremo interior adyacente a la
zona activa y con un extremo exterior que defina una primera faceta
del aparato, y
b) disposición de un disipador y del cuerpo del
aparato en asociación térmica de tal manera que el extremo interior
de, por lo menos, una zona ópticamente pasiva quede dentro del
área del disipador y el extremo exterior de, por lo menos una zona
ópticamente pasiva, se sitúe en la zona del disipador,
coextendiéndose éste con, por lo menos, una parte de la zona activa
y con solamente una parte de la primera zona ópticamente pasiva, de
tal manera que la primera faceta del aparato quede suspendido del
disipador.
Preferentemente, la fase a) comprende:
(i) la configuración por orden:
una primera capa óptica delimitadora / portadora
de carga; una capa ópticamente activa en la que discrecionalmente se
forma una estructura de manantial cuántico (QW), y una segunda capa
óptica delimitadora de revestimiento/portadora de carga;
(ii) la conformación de cada zona ópticamente
pasiva en la capa activa; y
(iii) la conformación de una arista en, por lo
menos, una parte de la segunda capa de revestimiento para delimitar
la zona activa y, por lo menos, una zona ópticamente pasiva.
La fase (i) puede desarrollarse por los
procedimientos conocidos tales como la Epitaxia de Haz Molecular
(MBE) o la Deposición de Vapor Químico
Órgano-metálico (MOCVD).
Preferentemente, en la fase (ii) la zona o zonas
pasivas pueden formarse por el procedimiento de Intermezclado de
Manantial Cuántico (QWI) que, generalmente, comprende la generación
de lagunas reticulares en las zonas pasivas o, alternativamente, la
implantación o difusión de iones en las zonas pasivas y, además, el
recocido para crear zonas estructuralmente desordenadas de la capa
ópticamente activa (que puede contener un material lasérico), con
un intersticio de banda mayor que la estructura del Manantial
Cuántico. En consecuencia, las zonas pasivas pueden constituirse
mediante el Intermezclado de Manantial cuántico (QWI).
Preferentemente, la fase (iii) puede
desarrollarse por los procedimientos conocidos de mordentado, por
ej. mordentado seco o húmedo.
Preferentemente, el disipador puede fijarse a una
superficie adyacente a la segunda capa de revestimiento. En esta
disposición, el disipador puede fijarse a una superficie superior
de la arista mediante una configuración "junction
side-down".
Preferentemente, la primera capa de revestimiento
puede constituirse sobre un sustrato o, cuando se modifica el
disipador, sobre una superficie del sustrato.
Preferentemente, la fase (ii) puede efectuarse
generando lagunas reticularesexentas de impurezas y, más
convenientemente, utilizando un procedimiento de daños inducidos
para conseguir el Intermezclado de Manantial Cuántico. En una forma
preferente de dicho procedimiento, este puede incluir las fases
de:
depositado mediante el empleo de un desintegrador
de diodo y, dentro de una atmósfera esencialmente de argón, de una
capa dieléctrica tal como sílice (SiO2) sobre, por lo menos, una
parte de una superficie del material de láser semiconductor para
introducir defectos estructurales concretos por lo menos en una
parte del material adyacente a la capa dieléctrica;
depositado discrecional mediante un procedimiento
no desintegrador tal como el Depositado de Vapor Químico Mejorado
con Plasma (PECVD) de otra capa dieléctrica sobre, por lo menos,
otra parte de la superficie del material; y
recocido del material transfiriendo galio del
material a la capa dieléctrica. Dicho procedimiento se describe en
la solicitud co-pendiente titulada "Método de
Fabricación de Aparatos Ópticos y Mejoras Correspondientes",
también del presente solicitante y con la misma fecha de
presentación que la solicitud actual, cuyo contenido se incluye
como referencia en el presente documento.
Preferentemente, el método puede incluir la fase
de aplicación de las capas primera y segunda de contacto eléctrico
sobre un superficie de la primera capa de revestimiento o, todavía
mejor, sobre una superficie exterior del sustrato y sobre una
superficie exterior de la arista. Más convenientemente, la segunda
capa de contacto eléctrico puede establecerse sobre una parte de la
arista dentro del área de la zona ópticamente activa.
En otro modelo de la presente invención, la fase
(ii) puede comprender las fases de elegir primero un área primera y
formar en la misma un primer material estructuralmente desordenado y
constituir un segundo material estructuralmente desordenado. Los
materiales primer y segundo estructuralmente desordenados, pueden
proporcionar respectivamente las zonas pasivas primera y segunda en
los extremos primero y segundo del cuerpo del aparato.
En una modificación, el método puede incluir,
preferentemente en la fase (ii), la formación de zonas de material
estructuralmente desordenado limitando lateralmente con la zona
activa. Esto puede coadyuvar a que la arista delimite los modos
ópticos del aparato.
A continuación, se describen modelos de la
presente invención, únicamente a título de ejemplo y haciendo
referencia a los dibujos acompañantes, en donde:
La fig.1 es un alineación de una vista en sección
transversal de un aparato ópticamente activo según el primer modelo
de la presente invención; la fig.2 es una vista en sección
transversal a través de la línea X-X' del aparato
ópticamente activo de la fig.1, y la fig.3 es una vista en sección
transversal de un aparato ópticamente activo según un segundo
modelo de la presente invención.
En las fig. 1 y 2 se representa un aparato
ópticamente activo, generalmente designado por 10, según un primer
modelo de la presente invención. Este aparato 10 contiene un cuerpo
12 que en este caso está fabricado de material semiconductor y que
define una zona ópticamente activa o de amplificación óptica 14 que
está acoplada a los extremos interiores 16,18 mediante las zonas
ópticamente pasivas 20,22, respectivamente. Los extremos exteriores
24,26 de las zonas pasivas 20,22 definen los extremos o facetas
24,26 del aparato 10.
El disipador 28 está asociado térmicamente al
cuerpo 12 y está dispuesto de manera que los extremos interiores
16,18 de las zonas pasivas 20,22 en los extremos 16,18 de la zona
de amplificación 14, se encuentran dentro del área o prolongación
"A" dl disipador 28, mientras que los extremos exteriores 24,26
se encuentran fuera (al exterior) del área 28 según la orientación
de la fig.1.
Esta disposición proporciona las zonas pasivas
20,22 "suspendidas" del disipador 28 y puede utilizarse en un
aparato ópticamente activo 10 tal como un amplificador que debe
tener acceso en los extremos de entrada y salida del aparato. De
esta manera, las zonas pasivas 20,22 pueden considerarse como
guía-ondas de entrada / salida del aparato 10 que se
extienden más allá de los extremos opuestos 24,26 de una zona
ópticamente activa del aparato 10.
Según puede verse en la fig.2, que muestra al
aparato 10 de la fig.1 en sección transversal a lo largo de la línea
X-X, el aparato 10a es monolítico y está cimentado
sobre un sustrato 30. El cuerpo 12 es una estructura estratiforme
que contiene el sustrato 30 sobre el que se sustenta por
procedimientos conocidos tales como la Epitaxia del Haz Molecular
(MBE) o la Deposición de Vapor Órgano químico Molecular (MOCVD),
una primera capa delimitadora portadora de carga /revestimiento
óptico 36 y una capa de guía activa 32, como por ejemplo, de
material lasérico semiconductor y una segunda capa delimitadora
portacargas/revestimiento 34, así como la capa satisfactoria de
contacto semiconductor 40.
El cuerpo 12 incluye un
guía-ondas 38 formado en la segunda capa de
revestimiento 34 por medio de técnicas de mordentado adecuadas. La
arista 34 delimita un haz óptico dentro de la zona ópticamente
activa 14 y de las zonas ópticamente pasivas 20,22 (no mostradas).
Esta arista 38 se extiende entre los extremos 24,26 del aparato
10,10a.
Sobre la superficie frontal exterior de la arista
38 y debajo del sustrato 30 están situadas las respectivas capas
eléctricas de contacto 41,42 que se utilizan para accionar
eléctricamente el aparato 10.
En una forma preferente de este modelo, la capa
activa 32 contiene una estructura de Manantial Cuántico 54 alojada
en la capa activa 32 y, mediante la delimitación de la arista 38, la
zona de amplificación 14 se sitúa sobre la capa activa 32.
En una modificación de esta disposición, la zona
de amplificación 14 está lateralmente delimitada por las zonas 50,52
de Entremezclado del Manantial Cuántico (QWI) que coadyuvan a
delimitar el haz óptico en el interior de la estructura del
Manantial Cuántico de la zona de amplificación 14.
Volviendo a la fig.1, las zonas pasivas 20,22 de
la capa activa 32 contienen zonas Intremezcladas de Manantial
Cuántico que suministran una elevada energía
intersticio-banda y, por consiguiente, una menos
absorción que la estructura de Manantial Cuántico de la zona de
amplificación 14 dentro de la capa activa 32. Esto, tiene la
ventaja de que cuando la zona activa 14 se bombea con disipación de
calor por corriente, los extremos 16,18 de la zona activa 14 son
abastecidos con contacto térmico en un sector del disipador 28,
proporcionando refrigeración al aparato 10, mientras que las zonas
pasivas 20,22 penden en el disipador 28, disipando menos calor. Los
extremos 24,26 de las zonas pasivas 20,22 están libres de cualquier
obstrucción en el disipador 28, proporcionando libre acceso a los
extremos 24,26 del aparato 10 para acoplamiento de entrada / salida,
como, por ej. a otros aparatos ópticos. Como puede verse en la
fig., el aparato 10 está dispuesto en configuración de "junction
side-down", de forma tal que es posible que la
zona de amplificación 14 se sitúe cerca del disipador 28. Debe
tenerse en cuenta que durante el servicio, el disipador 28 debe
estar en la parte más inferior y el cuerpo 12 (invertido) en la
parte más elevada.
En el aparato 10,la distancia entre el disipador
28 y la zona de amplificación 14 es probablemente del orden de 5
um.
El disipador 28 deberá elegirse de un material
que tenga buenas características térmicas. En este modelo, el
disipador 28 está construido esencialmente de cobre, si bien también
puede resultar apropiado cualquier otro material como diamante,
silicio y nitruro de aluminio. El disipador 28 se suelda o se fija
de cualquier otra manera al contacto 41. Las zonas entramezcladas
de QW son las zonas pasivas 20,22 de la capa activa 32 representada
en las figuras 1 y 2. La arista 38 se configura sobre la zona de
amplificación 14 y sobre las zonas pasivas 20,27.
En relación nuevamente con la fig.2, se describe
ahora un procedimiento para fabricar un aparato ópticamente activo
10 según un modelo de la presente invención fabricado por el
sistema de materiales semiconductores III-V, tal
como el GaAs o en InP.
El procedimiento se inicia facilitando la capa de
sustrato 30, el cual es, en este caso, arseniuro de galio (GaAs)
del tipo "n" considerablemente impurificado. Sobre la capa de
sustrato 30 se sitúa la primera capa de revestimiento 36 que
contiene arseniuro de galio aluminio (AlGaAs) y es de un tipo
"n" impurificado hasta la primera concentración. Esta primera
capa de revestimiento 36 tiene, por ejemplo, un poder refractivo
de 3.0 a 3.5 y suele tener un espesor de 1 a 3 um. Sobre la primera
capa de revestimiento 36 se asienta la capa semiconductora
ópticamente activa 32, la cual contiene también AlGaAs y es
esencialmente intrínseca. Esta capa activa 32 tiene, por ej. un
índice de refracción de 3.0 a 3.5 y suele fabricarse para tener un
grosor de unos cientos de nm. Dentro de la capa activa 3, se sitúa
una estructura de Manantial Cuántico (QW) 54 que normalmente suele
ir alojada en el centro de la capa 32.
Sobre la capa activa 32 se asienta la segunda
capa de revestimiento 34, la cual es del tipo "p" con una
concentración similar de impurezas hasta la primera concentración.
Esta segunda capa 34 está fabricada de AlGaAs con un espesor,
composición e índice refractivo similares a lo de la primera capa de
revestimiento 36. De este manera, la estructura de Manantial
Cuántico (QW) 54 queda emparedada entre las capas tipo "n" y
tipo "p" primera y segunda de revestimiento 36 y 34,
respectivamente. La capa activa tiene un contenido en aluminio (Al)
inferior a las capas de revestimiento 34,36 y posee un índice
refractivo superior al de las capas de revestimiento 36,34.
A continuación, se coloca una máscara selectiva
QWI (no mostrada), por lo menos, en una parte del aparato 10 en
donde la arista 38 esté bien definida; pero dejando sin cubrir
otras partes coincidentes con las zonas pasivas 20,22 a constituir.
El procedimiento preferentemente utilizado para crear el
Entremezclado de Manantial Cuántico (QWI) dentro de la estructura
del Manantial Cuántico es un procedimiento inducido por daños que
emplea lagunas reticulares. Sin embargo, se comprende que dentro de
esta invención puede utilizarse cualquier otro procedimiento de
Entremezclado de Manantial Cuántico con el que se consiga una
diferencia en la energía de intersticio-banda entre
la estructura del Manantial Cuántico 54 y las zonas pasivas
entremezcladas de QW 20,22. El procedimiento inducido por daños
requiere depositar, mediante un desintegrador de diodo y dentro de
una atmósfera esencialmente de argón, una capa dieléctrica tal como
sílice (SiO2), por lo menos en una parte de la superficie del
material del aparato lasérico semiconductor de manera que se
apliquen los defectos estructurales, por lo menos, en una parte del
material adyacente a la capa dieléctrica;
depositando opcionalmente, por un procedimiento
no desintegrador tal como el de Deposición de Vapor Químico Mejorado
con Plasma (PECVD) otra capa dieléctrica en, por lo menos, otra
parte de la superficie del material;
recociendo el material mediante la transferencia
de galio del material a la capa dieléctrica.
Una vez que el cuerpo 12 del aparato ha sido
recocido, secciones de la segunda capa de revestimiento 34, sobre la
que se definirá cualquiera de los lados de la arista 38, se
eliminarán por procedimientos conocidos de mordentado después de
haber colocado una máscara de mordentado adecuada sobre un área
definida por la arista 38.
Según puede verse en la fig.2, al constituir el
cuerpo 12, puede formarse una capa final 40 sobre la segunda capa
de revestimiento 34, siendo la capa final 40 una capa de GaAs tipo
"p" muy impurificada. Esta capa final 40 actúa como el
contacto superior del cuerpo del aparato 12.
La metalización por contacto 41,42 se forma por
procedimientos litográficos conocidos sobre el reborde 38 y sobre el
sustrato 30, respectivamente, con el fin de permitir el
accionamiento eléctrico del cuerpo del aparato 12. Finalmente, el
cuerpo 12 se fija al disipador 28.
Así, pues, el cuerpo 12 representado en la
sección transversal de la fig.2 es un aparato semiconductor activo
monolítico. La zona activa 14 del aparato 10 se encuentra dentro de
la capa activa 32 y está delimitada en la estructura del Manantial
Cuántico por la arista 38 anterior.
En la fig.3 se representa un aparato ópticamente
activo, generalmente designado por 10a, según el segundo modelo de
la presente invención. Este aparato 10a presenta similitudes con el
aparato semiconductor 10 del primer modelo y, consecuentemente, las
partes iguales llevan la misma nomenclatura; pero con el sufijo
"a".
El aparato 10a contiene un cuerpo 12 que tiene
una zona activa 14a unida por un extremo 18a una zona ópticamente
pasiva 22a, que tiene un primer extremo 25a. Otro extremo 16a de la
zona de amplificación 14a y el segundo extremo 26a de la zona
pasiva 22a, definen los extremos del aparato 10a.
El disipador 28a está asociado térmicamente al
cuerpo 12 y está dispuesto de forma tal que los extremos 16a,18a de
la zona de amplificación 14a están situados en el área A del
disipador 28a mientras que el segundo extremo 26a de la zona pasiva
22a está situado fuera (al exterior) del área A del disipador
28a.
28a.
Este modelo dispone de una zona pasiva 22a
"suspendida" en el disipador 28a. Esta disposición puede
emplearse en un aparato ópticamente activo tal como una diodo de
láser semiconductor en el que la salida del aparato 10a se encuentra
en el extremo 26a.
La construcción por capas del aparato 10a se ha
descrito ya para el primer modelo haciendo referencia a las figs. 1
y 2. La zona pasiva 26 es una zona Entremezclada de Manantial
Cuántico (QWI) que proporciona una elevada energía de
intersticio-banda y, por consiguiente, una menor
absorción que la estructura QW de la zona de amplificación 14a.
Esta disposición tiene la ventaja de que los
extremos 16a,18a de la zona de amplificación 14a disponen de un buen
contacto térmico con el disipador 28a, proporcionándose un acceso
despejado en el extremo de salida 26a del aparato 10a, por ej. para
el acoplamiento de salida a una fibra o a otro aparato.
El aparato 10a puede fabricarse por un
procedimiento similar o igual al que se ha descrito ya para el
aparato 10.
El personal perito en la materia comprenderá que
pueden introducirse modificaciones en los modelos descritos sin
alejarse del alcance de la invención.
Igualmente comprenderá que una ventaja principal
de la presente invención es la de que, al contar con zonas pasivas
en los extremos del aparato óptico suspendido en un disipador, se
mitigan los problemas asociados al calentamiento de las facetas del
aparato toda vez que las zonas no son activas. Otra ventaja
principal de la presente invención es la de que el acoplamiento al
aparato se facilita por los guía-ondas / zonas
pasivas sobresalientes que garantizan que los haces de salida /
entrada no resultan obstaculizados o afectados por el
disipador.
También se comprenderá que en una modificación
puede utilizarse un guía-ondas de heteroestructura
enterrada en vez de un guía-ondas de reborde. Por
otra parte, también pueden utilizarse otros
guía-ondas tales como los de Gran Cavidad Óptica
(L0C), Guía-ondas Óptico Reflectante Antiresonante
(ARROW), guía-ondas Óptico Amplio (W0W) u otros
similares.
Claims (34)
1. Un aparato ópticamente activo que
comprende:
un cuerpo (12) que tiene una zona activa (14) y
una primera zona ópticamente pasiva (22) que se extiende desde un
extremo de la zona activa, disponiendo la primera zona ópticamente
pasiva (22) de un extremo interior (18) adyacente a la zona activa
y de un extremo exterior que define una primera faceta (26) del
aparato; y
un disipador (28) que se encuentra térmicamente
asociado al cuerpo (12) y que coexiste con, por lo menos, parte de
la zona activa (14) y con solamente una parte de la primera zona
ópticamente pasiva de tal manera que la primera faceta del aparato
está suspendida en el disipador.
2. Un aparato ópticamente activo tal como se
reivindica en la reivindicación 1, en el que la zona activa (14)
contiene una zona óptica y eléctricamente activa.
3. Un aparato ópticamente activo según se reclama
en las reivindicaciones 1 o 2, en el que el aparato ópticamente
activo es un dispositivo semiconductor fabricado por el sistema de
materiales semiconductores III-V.
4. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 3, en el que el sistema de
materiales semiconductores III-V se ha seleccionado
a partir de un sistema III-V basado en arseniuro de
galio que funciona esencialmente en una escala de longitud de onda
de 600 a 1300 um y en un sistema basado en fosfuro de indio (InP)
que funciona esencialmente en una escala de longitud de onda de
1200 a 1700 nm.
5. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en cualquiera de las reivindicaciones precedentes, en el
que el cuerpo del aparato se ha seleccionado a partir de un aparato
láser, de un modulador óptico, de un amplificador óptico o de un
conmutador óptico.
6. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una de las reivindicaciones precedentes que incluye
una segunda zona ópticamente pasiva (20) que se extiende desde un
extremo opuesto de la zona activa (14) y que dispone de un extremo
interior (16) adyacente a la zona activa y de un extremo exterior
(24) que define una segunda faceta del aparato, coexistiendo el
disipador (28) con solamente una parte de la segunda zona
ópticamente pasiva (20) de tal manera que la segunda faceta segunda
faceta está suspendida en el disipador.
7. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 6, en el que la segunda zona
ópticamente pasiva (20) define una faceta de entrada del
aparato.
8. Un aparato ópticamente activo según la
reivindicación 7, en el que el mismo es un amplificador óptico en
el que el aparato semiconductor es una construcción monolítica
sustentada sobre un sustrato.
9. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en las reivindicaciones 3 a 8 en el que el aparato
semiconductor es de una construcción monolítica sustentada sobre un
sustrato.
10. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una de las reivindicaciones 3 a 9, en el que el
aparato semiconductor contiene un núcleo activo emparedado entre
una primera capa de revestimiento óptica y una segunda capa de
revestimiento óptico.
11. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 10, en el que el dispositivo
semiconductor dispone de una arista formada, por lo menos, en la
segunda capa de revestimiento que sirve de
guía-ondas óptica para delimitar lateralmente un
sistema óptico del aparato semiconductor.
12. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 11, en el que el núcleo activo
contiene un material lasérico que contiene o incluye una
estructura de manantial cuántico (QW), configurada como zona
ópticamente activa la cual está delimitada por la arista.
13. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una de las reivindicaciones precedentes, en el que,
por lo menos una zona ópticamente pasiva (20,22) se extiende
lateralmente con la misma amplitud que la zona ópticamente activa
(14).
14. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una de las reivindicaciones 10 a 13, en el que la
zona o zonas ópticamente pasivas (20,22) contiene un material
estructuralmente desordenado en el seno del núcleo.
15. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 14, en el que la zona ópticamente
activa (14) está lateralmente delimitada por unas zonas laterales
que contienen un segundo material estructuralmente desordenado en
el seno del núcleo.
16. Un aparato ópticamente activo, según se
reivindica en la reivindicación 15, en el que los materiales
primero y segundo estructuralmente desordenados son esencialmente
los mismos.
17. Un aparato ópticamente activo, según se
reivindica en una de las reivindicaciones 14 a 16, en el que el
primer material estructuralmente desordenado está constituido por
el procedimiento del Entremezclado de Manantial Cuántico (QWI).
18.Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una reivindicación precedente, en el que la zona o
zonas pasivas (20,22) tienen una longitud de 10 a 100 um.
19. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en una de las reivindicaciones 10 a 18, en el que el
mismo contiene también capas respectivas de material de contacto
eléctrico que hacen contacto, por lo menos, con una parte de una
superficie superior de la segunda capa de revestimiento y con una
superficie oponente del sustrato.
20. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 19, en el que uno de los materiales
del sustrato se asienta sobre una superficie de la arista.
21. Un aparato ópticamente activo, según se
reivindica en una reivindicación precedente, en el que el disipador
(28) está fabricado de material de elevada conductividad
térmica.
22. Un aparato ópticamente activo según se
reivindica en la reivindicación 21, en el que el material de
elevada conductividad contiene algo de cobre, diamante silicio o
nitruro de aluminio.
23. Un aparato ópticamente activo, según una de
las reivindicaciones 19 a 22, en el que el disipador (28) se apoya
en uno de los materiales de contacto mediante un contacto
soldador.
24. Un aparato ópticamente activo, según se
reivindica en una de las reivindicaciones 10 a 23, en el que la
segunda capa de revestimiento está orientada más próxima al
disipador (28) que la primera capa de revestimiento.
25. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo que comprende las fases de:
a) fabricación de un cuerpo del aparato (12) que
tiene una zona activa (14) y una zona ópticamente pasiva (20,22)
dotada en uno más extremos de la zona activa (14), por lo menos, de
una zona ópticamente pasiva que cuenta con
un extremo interior (16,18) adyacente a la zona
activa y con un extremo exterior (24,26) que define una primera
faceta del aparato, y
b) ubicación de un disipador (28) y del cuerpo
del aparato (12) en asociación térmica de tal manera que el extremo
interior (16,18) de, por lo menos, una zona ópticamente pasiva se
encuentre dentro de un área del disipador y el extremo exterior
(24,26) de, por lo menos, una zona ópticamente pasiva (20,22) esté
situada fuera del área del disipador, coexistiendo éste, por lo
menos, con una parte de la zona activa y solamente con una parte de
la primera zona ópticamente pasiva, de tal manera que la primera
faceta del aparato quede suspendida del disipador.
26. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo según se reivindica en la reivindicación
25 en el que la fase a) comprende:
- I)
- la conformación por orden de:
- una primera capa de revestimiento óptica/portadora de carga; una capa ópticamente activa en la que se forma opcionalmente una estructura de Manantial Cuántico (QW),y
- una segunda capa óptica delimitadora de revestimiento/portadora de carga;
- II)
- la conformación de cada zona ópticamente pasiva en la capa activa, y
- III)
- la conformación de una arista en, por lo menos, una parte de la segunda capa de revestimiento para delimitar la zona activa y, por lo menos, una de las zonas ópticamente pasivas.
27. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo según se reivindica en la reivindicación
26, en el que la fase (I) se lleva a cabo con una técnica
desarrollada a partir de la Epitaxia de Haz Molecular (MBE) y de la
Deposición de Vapor Químico Órgano metálico (MOCVD).
28. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo según se reivindica en una de las
reivindicaciones 26 o 27, en el que, en la fase (II), las zonas
pasivas está formadas por una técnica de Entremezclado de Manantial
Cuántico (QWI) que comprende la generación de lagunas reticulares en
las zonas pasivas y la prosecución del recocido para crear zonas
estructuralmente desordenadas de la capa activa con un
intersticio-banda mayor que la estructura del
manantial cuántico creada.
29. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo, según se reivindica en una de las
reivindicaciones 26 a 28, en el que la fase (III) se consigue
mediante mordentado.
30. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo según se reivindica en una de las
reivindicaciones 26 a 29, en el que el disipador se fija a una
superficie adyacente a la segunda capa de revestimiento.
31. Un procedimiento de conformación de un
aparato ópticamente activo según se reivindica en una de las
reivindicaciones 26 a 30, en el que la fase (II) del mismo incluye
las fases de:
depositar mediante el empleo de un desintegrador
de diodo y en una atmósfera sustancialmente de argón, una capa, por
ejemplo, de sílice (siO2) en, por lo menos, una parte de la
superficie del material semiconductor del aparato de láser con el
fin de introducir defectos estructurales en una parte del material
adyacente a la capa dieléctrica;
depositar discrecionalmente por el procedimiento
no desintegrador tal como la Deposición de Vapor Químico Mejorado
con Plasma (PECVD) otra capa dieléctrica en, por lo menos, otra
parte de la superficie del material y recocer el material para
transferir iones o átomos del material a la capa dieléctrica.
32. Un procedimiento para configurar un aparato
ópticamente activo según una de las reivindicaciones 26 a 31, en el
que se incluye la fase de aplicación de una primera capa de
contacto eléctrico sobre una superficie del sustrato y de una
segunda capa de contacto eléctrico sobre la superficie opuesta de la
arista.
33. Un procedimiento para configurar un aparato
ópticamente activo según se reivindica en una de las
reivindicaciones 26 a 32, en el que la fase (ii) comprende las
fases de elegir primero una primer área y conformar en la misma un
primer material estructuralmente desordenado y seleccionar después
una segunda área y configurar en la misma un segundo material
estructuralmente desordenado, proporcionando los materiales
estructuralmente desordenados primero y segundo, respectivamente,
las zonas pasivas primera y segunda en los extremos primero y
segundo del cuerpo del aparato.
34. Un procedimiento para configurar un aparato
ópticamente activo según se reivindica en una de las
reivindicaciones 25 a 33, que incluye la formación de zonas de
material estructuralmente desordenadas que limitan lateralmente con
la zona activa.
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|---|---|---|---|---|
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| US7826693B2 (en) | 2006-10-26 | 2010-11-02 | The Trustees Of Princeton University | Monolithically integrated reconfigurable optical add-drop multiplexer |
| US10203461B2 (en) | 2015-09-04 | 2019-02-12 | Raytheon Company | Techniques for forming waveguides for use in laser systems or other systems and associated devices |
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Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54115088A (en) | 1978-02-28 | 1979-09-07 | Nec Corp | Double hetero junction laser element of stripe type |
| JPS6054794B2 (ja) * | 1979-11-01 | 1985-12-02 | 富士通株式会社 | 光半導体装置 |
| US4511408A (en) | 1982-04-22 | 1985-04-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor device fabrication with disordering elements introduced into active region |
| US4594603A (en) | 1982-04-22 | 1986-06-10 | Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor device with disordered active region |
| US4639275A (en) | 1982-04-22 | 1987-01-27 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Forming disordered layer by controlled diffusion in heterojunction III-V semiconductor |
| US4585491A (en) | 1983-09-02 | 1986-04-29 | Xerox Corporation | Wavelength tuning of quantum well lasers by thermal annealing |
| US4684653A (en) | 1985-03-08 | 1987-08-04 | The Trustees Of Princeton University | Pyrido(2,3-d)pyrimidine derivatives |
| US4727556A (en) | 1985-12-30 | 1988-02-23 | Xerox Corporation | Semiconductor lasers fabricated from impurity induced disordering |
| US4871690A (en) | 1986-01-21 | 1989-10-03 | Xerox Corporation | Semiconductor structures utilizing semiconductor support means selectively pretreated with migratory defects |
| GB2198603A (en) | 1986-12-05 | 1988-06-15 | Philips Electronic Associated | Divider circuit |
| US4857971A (en) | 1987-03-23 | 1989-08-15 | Xerox Corporation | (IV)x (III-V)1-x alloys formed in situ in III-V heterostructures |
| DE3737191A1 (de) * | 1987-11-03 | 1989-05-24 | Fraunhofer Ges Forschung | Halbleiterdiodenlaser |
| US5327444A (en) * | 1989-04-20 | 1994-07-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Solid state waveguide lasers |
| DE3925201A1 (de) * | 1989-07-29 | 1991-02-07 | Messerschmitt Boelkow Blohm | Optische bank zur halterung optischer, elektrischer u.a. komponenten |
| JP2869279B2 (ja) * | 1992-09-16 | 1999-03-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ |
| US5384797A (en) | 1992-09-21 | 1995-01-24 | Sdl, Inc. | Monolithic multi-wavelength laser diode array |
| JPH07162086A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザの製造方法 |
| US5521406A (en) * | 1994-08-31 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit with improved thermal impedance |
| JPH08330672A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5680412A (en) * | 1995-07-26 | 1997-10-21 | Demaria Electrooptics Systems, Inc. | Apparatus for improving the optical intensity induced damage limit of optical quality crystals |
| EP0757393A3 (en) * | 1995-08-02 | 1999-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting element and method for fabricating the same |
| US6326646B1 (en) * | 1999-11-24 | 2001-12-04 | Lucent Technologies, Inc. | Mounting technology for intersubband light emitters |
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