ES2220711T3 - Sistema de plasma a presion atmosferica. - Google Patents
Sistema de plasma a presion atmosferica.Info
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Abstract
Un sistema (1) de plasma de tratamiento atmosférico (APP) del tipo de equilibrio no térmico que comprende: electrodos (3) que forman una región de plasma montada en un alojamiento (2) de recinto hermético a gases que tiene un montaje (10) de boca de entrada y un montaje (11) de boca de salida abiertos a la atmósfera, un gas de tratamiento precursor de aire no ambiente que tiene una densidad relativa mayor o menor que el aire ambiente a la misma presión y temperatura y medios (20) para mover piezas de trabajo entre los electrodos (3) desde el montaje (10) de boca de entrada hasta el montaje (11) de boca de salida, caracterizado porque cada boca (10, 11) de montaje comprende un alojamiento cerrado alargado que tiene una abertura (12, 13) de boca de pieza de trabajo que conecta el alojamiento con el exterior del alojamiento (2) de recinto y una abertura (14, 15) de recinto de pieza de trabajo espaciada verticalmente que conecta el alojamiento con el alojamiento (2) de recinto y en el que la abertura (14, 15) de recinto de pieza de trabajo está debajo de la abertura (12, 13) de boca de pieza de trabajo y está colocada en el alojamiento (2) de recinto por encima de la región (5) de plasma para un gas de tratamiento precursor con una densidad relativa mayor que la del aire ambiente y por debajo de la región (5) de plasma y por encima de la abertura (14, 15) de recinto de pieza de trabajo para un gas con una densidad relativa menor que la del aire ambiente.
Description
Sistema de plasma a presión atmosférica.
La presente invención se refiere a un sistema de
plasma de presión atmosférica y en particular a un método y un
procedimiento para usar plasmas a la presión atmosférica y/o
presión ambiental en la fabricación, tratamiento y producción
industrial que usa gases de tratamiento precursores distintos al
aire ambiente.
Cuando la materia es alimentada continuamente con
energía su temperatura aumenta y ésta se transforma típicamente de
un estado sólido en uno líquido y, luego, en uno gaseoso.
Continuando el suministro de energía se origina que el sistema
experimente un cambio de estado más en el que los átomos o las
moléculas neutras del gas son descompuestos por las colisiones
energéticas produciendo electrones cargados negativamente, iones
cargados positiva o negativamente y otras especies. Esta mezcla de
partículas cargadas que presenta un comportamiento colectivo es
denominada "plasma", el cuarto estado de la naturaleza. Debido
a su carga eléctrica, los plasmas son muy influenciados por los
campos electromagnéticos exteriores que los hace fácilmente
controlables. Además, su alto contenido de energía les permite
lograr tratamientos que son imposibles o difíciles a través de los
otros estados de la materia, tales como mediante tratamientos de
líquidos o gases.
El término "plasma" cubre un enorme abanico
de sistemas cuya densidad y temperatura varían mediante muchos
órdenes de magnitud. Algunos plasmas son muy calientes y todas sus
especies microscópicas (iones, electrones, etc.) están en un
equilibrio térmico aproximado, siendo la entrada de energía en el
sistema distribuida extensamente por medio de colisiones de nivel
atómico/molecular. Otros plasmas, no obstante, particularmente
aquellos a baja presión (por ejemplo 100 Pa) en los que las
colisiones son relativamente poco frecuentes, tienen sus especies
constituyentes a temperaturas muy diferentes y son denominados
plasmas de "equilibro no térmico". En estos plasmas no
térmicos los electrones libres están muy calientes con temperaturas
de muchos miles de grados K mientras que las especies iónicas o
neutras permanecen frías. Puesto que los electrones libres tienen
una masa casi despreciable, el contenido de calor total del sistema
es bajo y el plasma funciona a una temperatura próxima a la
temperatura ambiente permitiendo por tanto el tratamiento de
materiales sensibles a la temperatura, tales como plásticos o
polímeros sin imponer una carga térmica dañina en la muestra. No
obstante, los electrones calientes crean, a través de colisiones de
alta energía, una rica fuente de radicales y especies excitadas con
una alta energía potencial química capaces de una profunda
reactividad química y física. Esta combinación del funcionamiento a
baja temperatura con la alta reactividad es la que hace los plasmas
no térmicos tecnológicamente importantes y una herramienta muy
poderosa para fabricar y tratar materiales, capaz de lograr
tratamientos que, si se realizasen sin plasma alguno, requerirían
muy altas temperaturas o sustancias químicas nocivas y
agresivas.
Para aplicaciones industriales de la tecnología
de plasmas, un método conveniente es acoplar potencia
electromagnética en un recinto llenado posteriormente con gas de
tratamiento (cuyo término "gas" incluirá de aquí en adelante
mezclas y vapores) y que contiene las piezas/muestras de trabajo
que han de ser tratadas. El gas llega a ionizarse en forma de
plasma generando los radicales químicos, radiación UV e iones que
reaccionan con la superficie de las muestras. Mediante la correcta
selección de la composición del gas de tratamiento, la frecuencia
de la potencia de activación, el modo de acoplamiento de la
frecuencia, la presión y otros parámetros de control, el tratamiento
del plasma puede ser personalizado para la aplicación específica
requerida por el fabricante.
Debido a la enorme variedad de plasmas químicos y
térmicos, son adecuados para muchas aplicaciones tecnológicas que
se extienden de modo continuo. Los plasmas de equilibrio no térmico
son particularmente eficaces para la activación de superficies,
limpieza de superficies/grabado de materiales y revestimiento de
superficies.
La activación de la superficie de materiales
polímeros es una tecnología de plasmas industriales ampliamente
usada iniciada por la industria automovilística. Por tanto, por
ejemplo, las poliolefinas, tales como el polietileno y el
polipropileno, que están favorecidas por ser reciclables, tienen
una superficie no polar y la consecuente mala disposición para el
revestimiento o el encolado. No obstante, el tratamiento mediante
plasma de oxígeno origina la formación de grupos polares de
superficie que proporcionan alta humectabilidad y las consecuentes
cubrición y adhesión excelentes de pinturas, adhesivos y otros
revestimientos metálicos. Por tanto, por ejemplo, la mecanización de
superficies de plasma es esencial para las industrias de
fabricación de superficies, tableros de instrumentos, parachoques,
etc., y para ensamblar componentes en el juguete, etc. Muchas otras
aplicaciones existen en la impresión, pintura, encolado,
estratificación y revestimiento general de componentes de toda
clase de geometrías en los materiales polímeros, plásticos,
cerámicos/inorgánicos, metálicos y de otras clases. La creciente
aceptabilidad y fuerza legal de la legislación medioambiental a
nivel mundial está creando una presión sustancial en la industria
para que reduzca o elimine la utilización de disolventes y de otras
sustancias químicas húmedas en la fabricación, particularmente para
componentes/limpieza de superficies. En particular, las operaciones
de desengrase basadas en CFC han sido en gran parte sustituidas
por la tecnología de limpieza de plasmas que funciona con oxígeno,
aire y otros gases no tóxicos. Combinando una limpieza previa basada
en agua con plasma pueden limpiarse incluso componentes muy sucios
y las calidades de superficie obtenidas son típicamente superiores
a las obtenidas con los métodos tradicionales. Cualquier
contaminación de superficie orgánica es eliminada rápidamente
mediante plasma a la temperatura ambiente y convertida en CO_{2}
gaseoso y agua que puede ser eliminado con seguridad.
Los plasmas permiten también grabar químicamente
un material voluminoso, es decir, eliminar material no deseado. Por
tanto, por ejemplo, un plasma basado en oxígeno grabará polímeros,
un procedimiento usado en la producción de placas de circuitos,
etc. Diferentes materiales tales como metálicos, cerámicos e
inorgánicos son grabados mediante una cuidadosa selección del gas
precursor y la atención a la química del plasma. Estructuras con
una dimensión crítica nanométrica se producen ahora mediante la
tecnología de grabación de plasmas.
Una tecnología de plasmas que está emergiendo
rápidamente en la industria es la del revestimiento de plasma y/o
la de la deposición de películas delgadas. Típicamente, se logra un
alto nivel de polimerización mediante la aplicación de plasma a
gases y vapores monómeros. Por tanto, puede formarse una película
conectada tridimensionalmente y enlazada apretadamente, densa, que
es térmicamente estable, químicamente muy resistente y
mecánicamente robusta. Tales películas se depositan adecuadamente
sobre incluso las más intrincadas de las superficies y a una
temperatura que garantiza una baja carga térmica sobre el sustrato.
Los plasmas son por lo tanto ideales para el revestimiento de
materiales delicados y sensibles al calor, así como robustos. Los
revestimientos de plasma están exentos de microporos incluso con
capas finas (por ejemplo de 0,1 mm). Las propiedades ópticas, por
ejemplo el color, del revestimiento pueden ser a menudo ser
personalizadas y los revestimientos de plasma se adhieren bien
incluso a materiales no polares, por ejemplo al polietileno, así
como al acero (por ejemplo películas anticorrosivas sobre
reflectores metálicos), cerámicas, semiconductores, textiles,
etc.
En todos estos procedimientos, la tecnología del
plasma produce un efecto superficial personalizado para la
aplicación o el producto deseado sin afectar al volumen de material
en modo alguno. La tecnología del plasma ofrece por tanto al
fabricante una herramienta potente y versátil que permite la
elección de un material por sus propiedades técnicas y comerciales
globales proporcionando libertad al mecanizar independientemente su
superficie para que ésta satisfaga un conjunto totalmente diferente
de necesidades. La tecnología de los plasmas confiere por tanto
calidad, vida útil, comportamiento y funcionalidad al producto
enormemente mejorados y proporciona a la empresa fabricante un
valor añadido significativo para su capacidad de producción.
Estas propiedades proporcionan una fuerte
motivación para que la industria acepte tratamientos basados en
plasmas, y esta tendencia ha existido desde la década de los años
1960 para la comunidad de la microelectrónica que ha desarrollado el
plasma de Descarga Brillante de baja presión en una tecnología
ultra alta y una herramienta de ingeniería de alto coste para el
tratamiento de semiconductores, metales y dieléctricos. El mismo
plasma de tipo de Descarga Brillante de baja presión ha penetrado de
modo creciente en otros sectores industriales puesto que en los
años 1980 ofreció un coste más moderado para procedimientos tales
como la activación de superficies poliméricas para una
adhesión/fuerza de enlace incrementada, alta calidad del
desengrase/limpieza y la deposición de revestimientos de alto
comportamiento. Por tanto, ha existido una aceptación sustancial de
la tecnología de plasmas.
No obstante, la adopción de la tecnología de
plasmas ha sido limitada por una exigencia importante en la mayoría
de los sistemas de plasma industriales, a saber, su necesidad de
funcionar a baja presión. El funcionamiento con un vacío parcial
significa un sistema de reactor obturado, de perímetro cerrado que
permite solamente el tratamiento por lotes, fuera de la línea, de
piezas de trabajo discretas. La producción es baja o moderada y la
necesidad de vacío añade gastos de capital y de funcionamiento.
Los plasmas de presión atmosférica, no obstante,
ofrecen sistemas de boca/perímetro abiertos industriales que
proporcionan el ingreso libre en, y la salida de, la región de
plasma mediante piezas de trabajo/bandas y, por consiguientemente el
tratamiento continuo, en serie, de bandas de área grande o pequeña
o de piezas de trabajo discretas transportadas por un
transportador. La producción es alta, reforzada por el alto flujo
de especies obtenido del funcionamiento a alta presión. Muchos
sectores industriales, tales como textil, empaquetado, papelero,
médico, automovilístico, aeroespacial, etc., se basan casi
enteramente en la producción en serie, continua, de modo que los
plasmas de configuración de boca/perímetro abierta a la presión
atmosférica ofrecen una nueva capacidad de fabricación
industrial.
Los sistemas de tratamiento de corona y llama
(también un plasma) han proporcionado a la industria una forma
limitada de la capacidad de tratamiento de plasmas de presión
atmosférica durante alrededor de 30 años. No obstante, a pesar de su
elevada facilidad de fabricación, estos sistemas han fracasado en
el momento de penetrar en el mercado o han sido destinados por la
industria a algo como a la misma ampliación de la baja presión, del
tipo de plasma que solamente se fabrica por lotes. La razón se debe
a que los sistemas de corona/llama tienen limitaciones
significativas. Funcionan en el aire ambiente ofreciendo un
procedimiento de activación de superficie único y tienen un efecto
despreciable en muchos materiales y un débil efecto sobre la
mayoría. El tratamiento es a menudo no uniforme y el procedimiento
corona es incompatible con bandas gruesas o piezas de trabajo de
tres dimensiones mientras que el procedimiento de la llama es
incompatible con sustratos sensibles al calor. Ha resultado evidente
que la tecnología del plasma de presión atmosférica debe moverse
mucho más profundamente en el espectro de plasma de presión
atmosférica para desarrollar sistemas avanzados que satisfagan las
necesidades de la industria. No obstante, para lograrlo, es esencial
moverse desde los plasmas de aire ambiente a plasmas formados a
partir de otros gases de tratamiento precursores. Tales plasmas
tienen propiedades diferentes a los plasmas de aire ambiente y, por
tanto, el potencial para procedimientos industriales nuevos y/o
mejorados. No obstante, cualquier movimiento hacia los nuevos tipos
de plasmas de presión atmosférica será industrialmente importante
si incluye la capacidad para funcionar en la configuración de
boca/perímetro abierta consistente con la fabricación continua en
serie.
Un amplio abanico de procedimientos industriales
potencialmente útiles, basados en plasmas que no son de aire
ambiente a la presión atmosférica han sido mostrados por los
investigadores, los cuales incluyen activación de la superficie,
grabado/limpieza y revestimiento de la superficie. Tales
procedimientos se basan en la utilización de gases precursores de
aire no ambiente que incluyen helio, argón, nitrógeno, oxígeno,
hidrocarburos halogenados, silanos, monómeros orgánicos e
inorgánicos, halógenos, SiCl_{4}, SiF_{4}, hidrocarburos,
hidrógeno, etc. Tales gases son costosos y/o peligrosos y/o dañinos
medioambientalmente y requieren contención en y confinamiento para
la región en la que el plasma se genera y la pieza de trabajo se
procesa y en la próxima a la misma. Además, la composición del gas
de tratamiento en la región del plasma debe ser estrechamente
controlada para la optimización del procedimiento y su
reproducibilidad, de modo que la introducción de gases
contaminantes desde el aire ambiente que rodea el sistema de plasma
debe ser eliminada o minimizada. Estos requisitos motivan un sistema
que contenga gas de tratamiento precursor como una parte integral
de cualquier nuevo sistema de tratamiento de plasma de presión
atmosférica industrial que use gas de tratamiento de aire no
ambiente que confine gas de tratamiento inyectado en y cerca de la
región de plasma y minimice o impida la incursión en la región de
plasma de aire ambiente o de otros gases no deseados mientras, al
mismo tiempo, permite la configuración de boca/perímetro abierta
esencial para la producción continua en serie.
La Memoria Descriptiva de la Patente de EE.UU. Nº
5529631 (Yoshikawa y otros) describe un sistema de plasma
atmosférico similar al de la presente invención. En una realización
de la misma el lugar de las bocas de salida y entrada en la cámara
o recinto obturado está cerca de la parte inferior del recinto, por
debajo de la región de plasma para el gas helio que es más ligero
que el aire.
La presente invención trata de proporcionar estos
y otros objetos.
Según la invención, se proporciona un sistema de
plasma de presión atmosférica (APP) del tipo de equilibrio no
térmico que comprende electrodos que forman una región de plasma
montados en un alojamiento de recinto hermético a gases que tiene un
montaje de boca de entrada y un montaje de boca de salida abiertos
a la atmósfera, un gas de tratamiento precursor de aire no ambiente
que tiene una densidad relativa mayor o menor que el aire ambiente
a la misma presión y temperatura y medios para mover las piezas de
trabajo entre los electrodos desde el montaje de boca de entrada
hasta el montaje de boca de salida caracterizado porque cada boca
de montaje comprende un alojamiento cerrado alargado que tiene una
abertura de boca de pieza de trabajo que conecta el alojamiento con
el exterior del alojamiento de recinto y una abertura de recinto de
pieza de trabajo espaciada verticalmente que conecta el alojamiento
con el alojamiento de recinto y en el que la abertura de recinto de
la pieza de trabajo está por debajo de la abertura de la boca de
pieza de trabajo y está colocada en el alojamiento de recinto por
encima de la región de plasma para gas de tratamiento precursor con
una densidad relativa mayor que la del aire ambiente y por debajo
de la región de plasma y por encima de la abertura de recinto de
pieza de trabajo para un gas con una densidad relativa menor que la
del aire ambiente.
La ventaja de esta construcción radica en que la
mayoría del gas de tratamiento precursor no escapa fuera de la
región de plasma durante el funcionamiento continuo. Eso evita el
alto coste de grandes cantidades de gas de tratamiento precursor
caro y además, reduciendo la extensión de la pérdida de gas, se
reducen enormemente los riesgos para la salud y la seguridad puesto
que gran parte del gas de tratamiento precursor puede ser tóxico,
asfixiante, irritante e incluso un explosivo peligroso. Una ventaja
adicional radica en que manteniendo la región de plasma
relativamente exenta de contaminantes, se puede efectuar un control
más eficiente del procedimiento con una reproducibilidad
incrementada. Cuanto más largo sea el alojamiento y mayor el
espaciamiento vertical proporcionado entre la abertura de recinto
de pieza de trabajo y la abertura de boca de pieza de trabajo,
menor probabilidad existirá de que entren gases contaminantes en el
alojamiento. Idealmente, un analizador de gases está montado en el
montaje de boca de entrada y preferiblemente está situado adyacente
a la abertura de recinto de pieza de trabajo. Además, un analizador
de gases puede estar montado en el montaje de boca de salida e
idealmente se monta adyacente a la abertura de boca de pieza de
trabajo. En ambos casos, el analizador de gases puede estar
conectado a unos medios de control para la introducción de gas de
tratamiento precursor en la cantidad de gas de tratamiento precursor
detectada por el analizador que está por debajo de un nivel
predeterminado.
Idealmente, el gas de tratamiento precursor se
mantiene a una presión ligeramente positiva por encima de la
presión ambiente fuera del alojamiento del recinto. De esta manera,
mediante un incremento relativamente modesto en la presión dentro
del alojamiento del recinto, es posible mantener el recinto exento
de gases contaminantes.
Idealmente, la presión positiva del gas de
tratamiento precursor es menor del 1% de la ambiental.
En una realización de la invención, se
proporcionan medios de control mediante los cuales la presión
positiva se mantiene mediante la introducción de gas de tratamiento
precursor cuando la presión dentro del alojamiento del recinto cae
por debajo de un nivel mínimo predeterminado. Alternativamente, se
proporcionan medios para introducir continuamente gas de tratamiento
precursor en el alojamiento del recinto. Idealmente, se
proporcionan medios para la recogida y retirada de gases, adyacentes
al exterior de cada montaje de boca, donde una pieza de trabajo
entra o sale del montaje de boca.
En una realización de la invención, los medios
para la recogida y retirada de los gases comprenden un carenado que
rodea los montajes de boca y un ventilador de extracción asociado
con el mismo. En una realización de la invención, el carenado
comprende una boca de recepción de gas abierta adyacente a la
abertura de boca de pieza de trabajo. La ventaja de esta
realización radica en que los gases, tanto si son gases de escape
como gases de tratamiento precursores son retirados del alojamiento
del recinto, particularmente donde el alojamiento del recinto está
presurizado. Estos pueden ser recogidos para ser reciclados o al
menos para un desecho seguro.
En otra realización, se proporciona una
ventilación de gas de escape en el recinto en el lado del recinto
opuesto a los montajes de boca para la recogida de gases de escape
que tengan una densidad relativa a la de los gases precursores de
tratamiento por lo que estos son atrapados en el alojamiento de
recinto. En esta última realización, un sensor de gas de escape
está montado en el alojamiento de recinto adyacente a la
ventilación de gases de escape. En este caso pueden estar conectados
medios de control al sensor de gases de escape y a la ventilación
de gases de escape para hacer funcionar la ventilación de gases de
escape cuando el nivel de los gases de escape en el alojamiento del
recinto exceda un nivel predeterminado.
Idealmente se montan amortiguadores de la
circulación de gas en cada montaje de boca. Tales amortiguadores de
la circulación pueden ser uno o varios cierres de labio;
obturaciones de cepillo; obturaciones de cortina; y rodillos
opuestos. Otros amortiguadores de gases conocidos no necesitan
descripción adicional alguna pero se prefiere cualquiera que
reduzca la perturbación del gas.
En una realización de la invención, los
electrodos de la invención son electrodos sustancialmente planos.
En la última realización de la invención, hay una pluralidad de
electrodos dispuestos espalda contra espalda y en la que los medios
para mover las piezas de trabajo entre los electrodos comprenden un
transportador o una banda que se mueve hacia atrás y hacia delante
secuencialmente entre los electrodos.
En otra realización de la invención, cuando la
pieza de trabajo es un hilo sinfín, los medios proporcionados para
mover la pieza de trabajo comprenden un miembro de bastidor abierto
para ser montado entre dos electrodos, el miembro de bastidor es
portador de una pluralidad de poleas de soporte en lados opuestos
del miembro de bastidor y un mecanismo de extracción de hilo.
Se considera que los electrodos pueden comprender
un par de miembros en forma de U de material dieléctrico alojados
uno dentro de otro para definir la región de plasma entre ellos
transportando un electrodo sobre la superficie exterior del exterior
de los dos miembros y transportado un correspondiente electrodo
sobre la superficie interior del otro miembro.
La invención se comprenderá con mayor claridad a
partir de la descripción siguiente de algunas realizaciones de la
misma, dadas solamente a modo de ejemplo, con referencia a loa
dibujos que se acompañan, en los cuales:
la figura 1 es una vista esquemática de un
sistema de plasma de presión atmosférica según la invención;
las figura 2 a 6 son vistas esquemáticas de otros
sistemas según la invención;
la figura 7 es una vista esquemática en despiece
ordenado de un sistema según la invención;
la figura 8 es una vista detallada de un bastidor
de manipulación de hilo según la invención;
la figura 9 es una vista en perspectiva de una
disposición de electrodos destinada a ser usada con el bastidor de
manipulación de hilo de la figura 8;
la figura 10 es una vista lateral del bastidor de
manipulación de hilo y del montaje de electrodos de las figuras 8 y
9 ensamblados juntos;
la figura 11 es una vista delantera del bastidor
de manipulación de hilo; y
la figura 12 es una vista en perspectiva ampliada
de parte del bastidor de manipulación de hilo.
Antes de hacer referencia a los dibujos, se
apreciará que un gas o vapor de tratamiento precursor tendrá una
densidad única y por tanto una densidad relativa única en esta
memoria descriptiva, "densidad relativa" es la relación de la
densidad de un gas con respecto a la densidad del aire ambiente a
la misma temperatura y presión. Cuando se afirma "gas de
tratamiento precursor", se hace referencia a la relación de la
densidad de ese gas con respecto a la densidad del aire ambiente a
la misma temperatura y presión. Por lo tanto, si esta relación es
menor que 1, el gas es más ligero que el aire ambiente y tenderá a
elevarse y flotar por encima del aire ambiente mientras que, si la
relación o densidad es mayor que 1, entonces el gas es más pesado
que el aire ambiente y tenderá a hundirse.
Esencialmente, el principio de la presente
invención radica en que cerrando la región de plasma en un
alojamiento de recinto que es hermético al gas, a excepción de los
montajes de boca abierta que permiten la entrada libre al plasma y
de salida del mismo mediante piezas de trabajo entonces, si los
montajes de boca abierta están situados correctamente, es posible
evitar el escape del gas de tratamiento precursor. En el caso en
que la densidad relativa del gas de tratamiento precursor es menor
que 1, entonces el montaje de boca de entrada y el montaje de boca
de salida deben estar situados en la parte más baja del alojamiento
del recinto. Cuando esto es así, entonces todo el gas de
tratamiento precursor, cuando es inyectado dentro del alojamiento
del recinto, se elevará para llenar el alojamiento del recinto de
arriba abajo expulsando debidamente todo el aire ambiente fuera del
alojamiento del recinto o al menos fuera de la región de plasma
definida por los electrodos. De modo similar, en el caso en que los
gases de tratamiento precursores tienen una densidad relativa mayor
que 1, entonces los gases de tratamiento precursores caerán
naturalmente dentro del alojamiento del recinto y por tanto el
alojamiento de recinto deberá tener sus montajes de entrada y salida
en la parte más alta del recinto de alojamiento.
No es necesario decir que, en esta memoria, más
alto y más bajo se usan en su sentido normal, es decir, siendo el
más alto el más alejado de la atracción gravitatoria de la tierra,
y siendo el más bajo el más próximo.
Haciendo referencia a los dibujos e inicialmente
a la figura 1, en ella se ilustra un sistema de plasma de presión
atmosférica (APP), indicado generalmente con el número 1 de
referencia del tipo de equilibrio no térmico que comprende un
alojamiento 2 de cierre que contiene un par de electrodos 3
montados sobre un material dieléctrico 4 formando entre ellos una
región 5 de plasma. El dieléctrico puede ser cualquier dieléctrico
adecuado tal como vidrio. Los electrodos 3 están conectados de
manera convencional mediante conductores eléctricos 6 a un
transformador 7 de RF (radiofrecuencia) conectado mediante un
cableado 8 adecuado a un suministro 9 de RF. El alojamiento 2 de
recinto es hermético a gases a excepción de un montaje de boca de
entrada, indicado en general con el número 10 de referencia, y un
montaje de boca de salida, indicado en general con el número 11 de
referencia. El montaje 10 de boca de entrada y el montaje 11 de boca
de salida tienen cada uno una abertura 12 y 13 de pieza de trabajo
y una abertura 14 y 15 de recinto de pieza de trabajo,
respectivamente. Las dos aberturas 14 y 15 de recinto de pieza de
trabajo están en esta realización, directamente encima de las
aberturas 12 y 13 de boca de pieza de trabajo. Adyacente a cada
abertura 12 y 13 de pieza de trabajo, están montados amortiguadores
16 de la circulación de gas adecuados. Los amortiguadores 16 de la
circulación de gas pueden tener la forma de obturadores labiales,
obturadores de contacto, rodillos opuestos u obturadores de
cortina, ciertamente, todos los tipos de obturador. Se proporcionan
medios para mover piezas de trabajo a través del alojamiento de
recinto mediante un transportador o banda 20, mostrado mediante
líneas discontinuas, que se desplaza a través de las poleas 21. El
transportador 20 no se muestra detalladamente, por ejemplo, no se
muestra el accionamiento o las poleas de retorno del transportador
20. No obstante, todos estos elementos son convencionales. El
transportador 20 comprende simplemente medios para mantener las
piezas de trabajo para suministrar las piezas de trabajo a través
de la región 5 de plasma. Alternativamente, si la pieza de trabajo
tiene la forma de una banda ésta es simplemente tensada sobre las
poleas 21 y arrastrada a través de la región 5 de plasma. Una
tubería 25 de alimentación de gas adecuada para la inyección de gas
de tratamiento precursor se ilustra y está conectada a una fuente
de gas de tratamiento precursor que no se muestra.
En funcionamiento, se alimenta un gas precursor
adecuado más ligero que el aire tal como, por ejemplo, helio, que
tiene una densidad relativa menor que la del aire ambiente a la
temperatura y presión ambientales que prevalezcan, es decir menor
que 1,0 como se ha definido anteriormente, dentro del alojamiento 2
de recinto a través de la tubería 25 de alimentación de gas. El gas
más ligero que el aire ocupará inicialmente la parte superior del
alojamiento 2 de recinto y llenará luego gradualmente el recinto a
medida que se alimenta expulsando aire ambiente hasta que no hay
aire ambiente en el alojamiento 2 de recinto o en cualquiera de los
montajes 10 de boca de entrada u 11 de boca de salida. Las piezas
de trabajo son colocadas sobre el transportador 20 y el
transportador 20 es accionado para que lleve las piezas de trabajo
a través de la región 5 de plasma y con el sistema de plasma
funcionando, entonces el tratamiento de plasma necesario tendrá
lugar en la región 5 de plasma.
En funcionamiento, a medida que el transportador
20 avanza a través del amortiguador 16 de la circulación de gas
dentro de la abertura 12 del lugar de trabajo, el amortiguador 16
de la circulación de gas minimizará la entrada de aire ambiente en
el sistema y por tanto garantizará que habrá poca o ninguna
perturbación en el plasma. Además, el amortiguador de la
circulación de gas garantizará que poca contaminación de aire
ambiente es arrastrada o introducida en el alojamiento 2 de recinto.
Generalmente, al salir la pieza de trabajo por la abertura 13 de
boca, el amortiguador 16 de la circulación de gas impedirá la
extracción de gas de tratamiento precursor a la atmósfera que la
rodea. La realización de la figura 1 es una simple construcción del
sistema de plasma de tratamiento atmosférico según la
invención.
La figura 2 ilustra una construcción alternativa
del sistema de APP, identificado de nuevo con el número 1 de
referencia y las partes similares a las descritas con referencia al
dibujo anterior, se identifican con los mismos números de
referencia. En esta realización, el sistema 1 de APP está destinado
a ser utilizado con gasas de tratamiento precursor cuya densidad
relativa sea mayor que 1, es decir, su densidad es mayor que la del
aire ambiente a la misma presión y temperatura. En esta realización,
se proporciona un par de analizadores 30 de gas teniendo cada uno
una sonda 31, una está situada en el montaje 10 de boca de entrada
adyacente a la abertura 14 de recinto de pieza de trabajo y la otra
en el montaje 11 de boca de salida adyacente a la abertura 13 de
boca de pieza de trabajo. Ambos analizadores 30 de gas están
conectados a un controlador 37 que a su vez está conectado al
suministro de gas precursor. Cuando los analizadores 30 de gas
indican que el montaje 10 de boca de entrada está siendo
contaminado con aire ambiente adyacente a la abertura 14 de recinto
de pieza de trabajo o que el montaje 11 de boca de salida está
extrayendo demasiado gas de tratamiento precursor a través de la
abertura 13 de boca de la pieza de trabajo, la circulación de gas
precursor puede ser consecuentemente ajustada. Cuanto mayor sea la
longitud L, es decir la distancia vertical entre la abertura de boca
de pieza de trabajo y la abertura de recinto de pieza de trabajo,
menor será la cantidad de contaminantes que entre. Los montajes de
boca formarán lo que son en efecto trampas de gas.
Haciendo referencia a la figura 3, en ella se
ilustra un sistema de APP más, identificado de nuevo en general con
el número 1 de referencia y las partes similares a las descritas
con referencia a los dibujos anteriores, se identifican con los
mismos números de referencia. En esta realización, se proporciona
un sensor 35 de la presión de gas que tiene sondas 36 y 38. El
sensor 35 de la presión de gas está conectado a un controlador 37
que está conectado a su vez al suministro de gas precursor. La sonda
36 está dentro del alojamiento 2 de recinto y la sonda 38 está
montada fuera del alojamiento 2 de recinto para detectar la presión
ambiental.
En funcionamiento, el sensor 35 de presión de gas
registra tanto la presión dentro del alojamiento 2 de recinto como
la presión fuera del alojamiento 2 de recinto y suministra ambas
señales al controlador 37, cuyo controlador 37 acciona el suministro
de gas precursor para mantener la presión dentro del alojamiento 2
de recinto a una presión superior a la presión ambiental. Mientras
sea mantenido el gas de tratamiento precursor a una presión elevada
se garantizará la pérdida de una cierta cantidad de gas, este gas,
no obstante, puede ser recogido en el montaje 10 de boca de entrada
y el montaje 11 de boca de salida como se describirá más adelante.
Puesto que la diferencia de presión es muy pequeña, se ha hallado
que, en la práctica, se pierden menos de 10 litros por minuto de un
gran sistema y, como se ha mencionado anteriormente, el gas puede
ser recogido para ser reciclado. En esta particular realización, se
muestra una mezcla de ordenaciones de electrodos horizontales y
verticales, es decir, con regiones de plasma a través de las cuales
la pieza de trabajo se desplaza en dirección horizontal o en
dirección vertical. Tal tipo de configuración puede producir en
cada región 5 de plasma, un plasma de presión atmosférica del tipo
de descarga silenciosa o barrera dieléctrica o del tipo de Descarga
Corona, o del tipo de Descarga Luminiscente, o cualquier otro tipo
de sistema de plasma, dependiendo de varios parámetros bien
conocidos tales como distancia de separación, frecuencia de
activación y geometría de los electrodos.
Con referencia ahora a la figura 4, en ella se
ilustra otra construcción del sistema de APP, indicada de nuevo en
general con el número 1 de referencia. Esta realización ilustra una
serie de electrodos 3 idénticos, dispuestos verticalmente, que
definen regiones 5 de plasma efectivamente verticales y se tendrá
en cuenta que un transportador 20 se mueve ahora hacia arriba y
hacia abajo entre el electrodo 3 o, dependiendo de cómo se
considere, hacia atrás y hacia delante entre los electrodos. Lo que
debe tenerse en cuenta en esta realización es que la tubería 25 de
alimentación de gas está montada ahora más baja que el alojamiento
2 de recinto. En esta realización, está montado un analizador 40 de
gases que tiene una sonda 41 en la porción superior del alojamiento
2 de recinto remota de los dos montajes 10 y 11 de boca. Conectado
al analizador 40 de gases hay un controlador 42 que a su vez está
conectado a un ventilador 43 extractor.
Una carenadura 44 está montada alrededor de cada
montaje 10 y 11 de boca y está conectada mediante un conducto 45 a
un ventilador extractor 46 que a su vez está conectado a una tubería
47 de extracción. Los gases que son adyacentes a los dos montajes
10 y 11 de boca serán eliminados a través del carenado 44 mediante
el ventilador 46 extractor para, si es necesario, ser reciclados.
Esta realización es particularmente útil cuando el sistema de APP
se hace funcionar a una presión mayor que la presión atmosférica. En
muchos casos, el ventilador 46 no se requiere.
El analizador 40 de gases se usa para detectar la
presencia de gases de escape que, en esta realización, se elevan
hasta la parte superior del alojamiento 2 de recinto y son por
tanto más ligeros que el gas de tratamiento precursor. Estos son
entonces eliminados por el ventilador 46 extractor para ser
descargados en la atmósfera o recogidos. Se apreciará que la
tubería 47 de extracción puede ser conectada a un colector de gases
que, cuando existe una ligera presión positiva en el recinto 2, se
debe probablemente a gas de tratamiento precursor casi puro. Los
gases de escape más pesados que el gas de tratamiento precursor son
expulsados a través de los montajes 10 y 11 de boca.
Haciendo referencia ahora a la figura 5, en ella
se ilustra todavía una construcción más de un sistema de APP,
indicado de nuevo en general con el número 1 de referencia y las
partes similares a las descritas con referencia a las realizaciones
anteriores se identifican con los mismos números de referencia. En
esta realización, se ha de tener en cuenta que el montaje 10 de
boca de entrada y el montaje de boca de salida no se forman a
partir de un alojamiento alargado cerrado sino que la abertura de
pieza de trabajo y la abertura de recinto de pieza de trabajo son
coincidentes. Se ha de tener en cuenta que en esta realización, las
regiones 5 de plasma son efectivamente horizontales y la pieza de
trabajo pasa hacia atrás y hacia delante entre los electrodos. Esta
realización se usará solamente para gases de tratamiento
precursores cuya densidad relativa sea mayor que la del aire
ambiente.
Haciendo referencia a la figura 6, en ella se
ilustra una construcción más todavía de un sistema de APP,
identificado de nuevo con el número 1. Los electrodos 3 se montan
sobre un par de miembros dieléctricos en forma de U de material
dieléctrico, es decir, un miembro 50 dieléctrico en forma de U
exterior y un miembro 51 en forma de U interior. Se ha de tener en
cuenta que el miembro 51 en forma de U interior se aloja dentro del
miembro 50 en forma de U exterior para formar la región de plasma,
identificada de nuevo con el número 5 de referencia, entre ambos.
El miembro en forma de U exterior es portador de electrodos 3 y la
superficie interior del miembro 51 en forma de U interior es
portadora de otro electrodo 3. Se apreciará que el miembro 50 de
electrodo exterior es un miembro encerrado, en otras palabras, los
extremos de la forma de U están cerrados para formar la porción
exterior de un alojamiento de recinto, como en esta realización.
Haciendo referencia ahora a las figuras 7 a 12
inclusive, en ellas se ilustra la porción de un sistema de APP
usado para la manipulación de fibra o hilo continuo, denominado en
adelante "hilo", en un sistema. El sistema comprende un sistema
de manipulación de fibra de múltiples pasos. En la figura 7 se
ilustra esta construcción de sistema de APP, indicada de nuevo en
general con el número 1 de referencia. En este sistema de APP, se
proporciona un alojamiento de recinto formado por cajas 63 de
electrodos montadas en un bastidor 60 de soporte de sistema
alojadas dentro de un bastidor 61 más, cubiertas por paneles 62 de
malla metálica que forman una jaula de Faraday. Los paneles 62 de
malla metálica están conectados a tierra para completar la jaula de
Faraday.
Haciendo referencia ahora a la figura 9, en ella
se ilustra un par de electrodos que contienen cajas 63 que forman
parte del alojamiento de recinto. Una tira 64 de obturación obtura
los lados de ambas cajas de electrodos juntas y una tapa 65 de
contención de gas completa otra pared del alojamiento de recinto.
La tapa 65 de contención de gas incluye una tubería 66 de inyección
de gas. Se proporciona un bastidor de soporte de hilo, indicado en
general con el número 70 de referencia, que comprende un bastidor
abierto 71 en el que están montadas las poleas 72 opuestas. El
bastidor 70 de soporte de hilo incluye una base 73 que constituye
eficazmente la base de alojamiento de recinto y tiene un orificio
que forma un montaje 75 de boca de entrada de hilo y un orificio que
forma una boca de salida de hilo. La porción exterior de cada caja
63 de electrodos es de material dieléctrico y alojará un electrodo,
identificado de nuevo con el número 3 de referencia, como puede
verse en la figura 10.
Se apreciará que el hilo puede ser alimentado
hacia atrás y hacia delante por medio de las poleas que
proporcionan una longitud de trayectoria y tiempo de residencia
incrementados dentro de la región de plasma.
Se apreciará que la presente invención tiene
ciertas ventajas sobre la técnica anterior porque el alto coste
implicado en la utilización de grandes cantidades de gases caros se
elimina en una gran parte. Además, la salud y la seguridad pueden
ser mejoradas, junto con una reducción en la polución atmosférica.
La presente invención proporciona un sistema más eficiente porque
los problemas de repetibilidad debidos a la contaminación de otros
gases en la región de plasma se reducen enormemente. Cualquier cosa
que pueda hacerse para reducir el arrastre de gas dentro o fuera
del alojamiento 2 de recinto será ventajosa. Por tanto, como ya se
ha mencionado, las obturaciones de labios, obturaciones de
cepillos, rodillos opuestos, cortinas de seguridad, y similares
pueden ser usados.
Se apreciará que la geometría de electrodos no
está limitada a la geometría de placas paralelas opuestas sino que
comprende prácticamente cualquier geometría, incluyendo electrodos
no planos tridimensionales, por ejemplo, electrodos de puntas, es
decir, de ordenaciones de agujas, electrodos de alambre, electrodos
cilíndricos, y similares. Se considera que una configuración tal
como la usada para el gas helio proporciona un procedimiento de
activación de superficies que puede ser aplicado a muchos
materiales incluyendo, plásticos, polímeros, inorgánicos y
metálicos.
En una realización, el helio como un gas de
tratamiento precursor, puede ser proporcionado con un suministro de
radiofrecuencia comprendida entre 50 y 80 kHz, alimentada mediante
un transformador de RF adecuado que genere de 2 a 6 kV y que use
alrededor de 1 kW de potencia. Éste activa satisfactoriamente una
banda textil poliolefínica, medida la capacidad de conformación y
la adherencia después del enlace. Se halló que cuando se extendía
de acuerdo con la presente invención se requería menos del 5% de la
cantidad de helio requerida en ausencia de la contención de gases
según la presente invención. De modo similar, puede ser usado gas
argón con sustancialmente la misma relación de potencia y
radiofrecuencia.
Han sido usados otros diversos sistemas según la
presente invención en los que el gas de tratamiento precursor
contenía una mezcla que comprendía argón, junto con un gas de
hidrocarburo halogenado que contenía flúor tal como C_{2}F_{6},
CF_{4} o CHF_{3}. Éste ha sido usado para depositar un
revestimiento de hidrocarburo fluorado de conformación sobre
cualquier banda o pieza de trabajo que pase a través del plasma. De
modo similar, una mezcla de gases que comprende argón y vapores de
siloxano deposita un revestimiento de conformación de SiO_{x}
sobre cualquier banda o pieza de trabajo que pase a través del
plasma. Un sistema potenciado con una corriente de CA de alrededor
de 5 a 100 Hz y usado con gas argón moviliza el polvo fino colocado
en la región de plasma e impregna material poroso situado en la
misma región con ese polvo.
Se considera que la presente invención se dirige
en particular a la activación y revestimiento de plasma y a la
deposición de una fina película y también al grabado químico y la
limpieza de contaminación de cualquier superficie.
En la memoria descriptiva los términos
"comprenden, comprende, comprendido y comprendiendo" o
cualquier variación de estos y los términos "incluyen, incluye,
incluido e incluyendo" o cualquier variación de ellos son
considerados totalmente intercambiables y se les debe dar la
interpretación más amplia posible.
La invención no está limitada a las realizaciones
descritas anteriormente pues pueden ser variadas tanto en la
construcción como en los detalles dentro del alcance de las
reivindicaciones.
Claims (23)
1. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) del tipo de equilibrio no térmico que
comprende:
electrodos (3) que forman una región de plasma
montada en un alojamiento (2) de recinto hermético a gases que
tiene un montaje (10) de boca de entrada y un montaje (11) de boca
de salida abiertos a la atmósfera, un gas de tratamiento precursor
de aire no ambiente que tiene una densidad relativa mayor o menor
que el aire ambiente a la misma presión y temperatura y medios (20)
para mover piezas de trabajo entre los electrodos (3) desde el
montaje (10) de boca de entrada hasta el montaje (11) de boca de
salida, caracterizado porque cada boca (10, 11) de montaje
comprende un alojamiento cerrado alargado que tiene una abertura
(12, 13) de boca de pieza de trabajo que conecta el alojamiento con
el exterior del alojamiento (2) de recinto y una abertura (14, 15)
de recinto de pieza de trabajo espaciada verticalmente que conecta
el alojamiento con el alojamiento (2) de recinto y en el que la
abertura (14, 15) de recinto de pieza de trabajo está debajo de la
abertura (12, 13) de boca de pieza de trabajo y está colocada en el
alojamiento (2) de recinto por encima de la región (5) de plasma
para un gas de tratamiento precursor con una densidad relativa
mayor que la del aire ambiente y por debajo de la región (5) de
plasma y por encima de la abertura (14, 15) de recinto de pieza de
trabajo para un gas con una densidad relativa menor que la del aire
ambiente.
2. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 1, en el que un analizador
(30) de gases está montado en el montaje (10) de boca de
entrada.
3. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según las reivindicaciones 1 ó 2, en el que un
analizador (30) de gases está situado adyacente a la abertura (14,
15) de recinto de pieza de trabajo.
4. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que un analizador (30) de gases está montado en
la boca (11) de salida.
5. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes en el que un analizador (30) de gases está montado
adyacente a la abertura (12, 13) de boca de pieza de trabajo.
6. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones 2 a 5,
en el que el analizador (30) de gases está conectado a unos medios
(37) de control para la introducción de gas de tratamiento precursor
en la cantidad de gas de tratamiento precursor detectada por el
analizador (30) que cae por debajo de un nivel predeterminado.
7. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que el gas de tratamiento precursor se mantiene
a una presión positiva por encima de la presión ambiente fuera del
alojamiento (2) de recinto.
8. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 7, en el que la presión
positiva del gas de tratamiento precursor es menor que el 10% de la
ambiente.
9. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 8, en el que la presión
positiva del gas de tratamiento precursor es del orden del 1% de la
ambiente.
10. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones 7 a 9,
en el que se proporcionan medios (37) de control mediante los
cuales la presión positiva se mantiene mediante la introducción de
gas de tratamiento precursor cuando la presión dentro del
alojamiento (2) de recinto desciende por debajo de un nivel mínimo
predeterminado.
11. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que se proporcionan medios (25) para introducir
de modo continuo gas de tratamiento precursor en el alojamiento (2)
de recinto.
12. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que se proporcionan medios (43) para la recogida
y retirada de gases adyacentes al exterior de cada montaje (10, 11)
de boca donde una pieza de trabajo entra o sale del montaje (10,
11) de boca.
13. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 12, en el que los medios
para recoger y retirar los gases comprenden un carenado (44) que
rodea los montajes de boca y un ventilador (46) de extracción
asociado con éste.
14. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 13, en el que el carenado
(44) comprende una boca de recepción de gas abierta adyacente a la
abertura (12) de boca de pieza de trabajo.
15. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según una cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que se proporciona una ventilación en el recinto
en el lado del recinto opuesto a los montajes (10, 11) de boca para
la recogida de gases de escape que tengan una densidad relativa con
respecto a los gases precursores de tratamiento por lo que estos
son atrapados en el alojamiento (2) de recinto.
16. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 15, en el que un sensor
(40) de gases de escape está montado en el alojamiento (2) de
recinto adyacente a la ventilación de gases de escape.
17. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 16, en el que medios (42)
de control están conectados al sensor (40) de gases de escape y a
la ventilación de gases de escape para el funcionamiento de la
ventilación de gases de escape cuando el nivel de los gases de
escape en el alojamiento (2) de recinto exceda un nivel
predeterminado.
18. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que están montados amortiguadores (18) de la
circulación de gas en cada montaje de boca.
19. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 18, en el que los
amortiguadores de la circulación de gas comprenden uno o más
de:
20. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones
precedentes, en el que los electrodos (3) son electrodos
sustancialmente planos.
21. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 20, en el que hay una
pluralidad de electrodos (3) dispuestos espalda con espalda y en el
que los medios para mover las piezas de trabajo entre los
electrodos comprenden un transportador (20) que se mueve hacia atrás
y hacia delante secuencialmente entre los electrodos (3).
22. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según la reivindicación 20, en el que la pieza de
trabajo es un hilo sinfín y los medios para mover la pieza de
trabajo comprenden un miembro (71) de bastidor abierto para ser
montado entre los electrodos (3), siendo portador al miembro de
bastidor de una pluralidad de poleas (72) de soporte de hilo en
lados opuestos del miembro (71) de bastidor y un mecanismo de
extracción de hilo.
23. Un sistema (1) de plasma de tratamiento
atmosférico (APP) según cualquiera de las reivindicaciones 20 a 22,
en el que los electrodos (3) comprenden un par de miembros (50, 51)
en forma de U de material dieléctrico alojados uno en el interior
de otro para definir la región (5) de plasma entre ellos que
transportan un electrodo (3) sobre la superficie exterior del
exterior de los dos miembros (50) y que transportan un electrodo
correspondiente sobre la superficie interior del otro miembro
(51).
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---|---|---|---|---|
TR200400076T4 (tr) | 2000-10-04 | 2004-02-23 | Dow Corning Ireland Limited | Bir kılıf oluşturmaya yarayan metot ve aparat |
TW200409669A (en) | 2002-04-10 | 2004-06-16 | Dow Corning Ireland Ltd | Protective coating composition |
GB0208261D0 (en) * | 2002-04-10 | 2002-05-22 | Dow Corning | An atmospheric pressure plasma assembly |
KR100415271B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2004-01-16 | 주식회사 래디언테크 | 상압 플라즈마 세정장치 |
TWI231357B (en) * | 2002-10-18 | 2005-04-21 | Sumitomo Mitsubishi Silicon | Method for measuring defect-distribution in silicon monocrystal ingot |
US7355184B2 (en) * | 2003-04-07 | 2008-04-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detecting apparatus and method for manufacturing the same |
US8586149B2 (en) * | 2003-06-18 | 2013-11-19 | Ford Global Technologies, Llc | Environmentally friendly reactive fixture to allow localized surface engineering for improved adhesion to coated and non-coated substrates |
KR101009682B1 (ko) * | 2003-12-18 | 2011-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상압 플라즈마 처리 장치 |
US8227051B1 (en) * | 2004-06-24 | 2012-07-24 | UT-Battle, LLC | Apparatus and method for carbon fiber surface treatment |
DE102004048410A1 (de) * | 2004-10-01 | 2006-05-04 | Institut für Niedertemperatur-Plasmaphysik e.V. | Anordnung zur Oberflächenbehandlung von Schüttgut in einer Plasmazone bei Atmosphärendruck |
DE102004048411A1 (de) * | 2004-10-01 | 2006-05-04 | Institut für Niedertemperatur-Plasmaphysik e.V. | Anordnung zur Oberflächenbehandlung von Schüttgut in einer Plasmazone bei Atmosphärendruck |
GB0509648D0 (en) | 2005-05-12 | 2005-06-15 | Dow Corning Ireland Ltd | Plasma system to deposit adhesion primer layers |
US7375039B2 (en) * | 2005-05-24 | 2008-05-20 | International Business Machines Corporation | Local plasma processing |
JP2006331763A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Ngk Insulators Ltd | プラズマ処理装置及びそれを用いたプラズマ処理方法 |
DE102005029360B4 (de) * | 2005-06-24 | 2011-11-10 | Softal Corona & Plasma Gmbh | Zwei Verfahren zur kontinuierlichen Atmosphärendruck Plasmabehandlung von Werkstücken, insbesondere Materialplatten oder -bahnen |
US7517561B2 (en) * | 2005-09-21 | 2009-04-14 | Ford Global Technologies, Llc | Method of coating a substrate for adhesive bonding |
US20070154650A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Atomic Energy Council - Institute Of Nuclear Energy Research | Method and apparatus for glow discharge plasma treatment of flexible material at atmospheric pressure |
DE102006003940A1 (de) * | 2006-01-26 | 2007-08-02 | Volkswagen Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Aufkleben einer Dichtung |
US20090300939A1 (en) * | 2006-05-02 | 2009-12-10 | John Kennedy | Fluid Replacement System |
ES2472732T3 (es) * | 2006-05-02 | 2014-07-02 | Dow Corning Ireland Limited | Dispositivo de sellado de bandas |
US7744984B2 (en) * | 2006-06-28 | 2010-06-29 | Ford Global Technologies, Llc | Method of treating substrates for bonding |
US20090045168A1 (en) * | 2007-08-17 | 2009-02-19 | Jacob Hanson | Surface Treater for Elongated Articles |
US9217066B2 (en) * | 2008-03-31 | 2015-12-22 | Ford Global Technologies, Llc | Structural polymer insert and method of making the same |
US8778080B2 (en) * | 2008-05-21 | 2014-07-15 | Institute Of Nuclear Energy Research, Atomic Energy Council | Apparatus for double-plasma graft polymerization at atmospheric pressure |
DE102008042237B4 (de) * | 2008-09-19 | 2010-07-15 | Airbus Deutschland Gmbh | Metallische Beschichtung |
US20100151236A1 (en) * | 2008-12-11 | 2010-06-17 | Ford Global Technologies, Llc | Surface treatment for polymeric part adhesion |
DE102009000639A1 (de) * | 2009-02-05 | 2010-08-12 | Voith Patent Gmbh | Verfahren zum Beschichten eines Bandes, insbesondere einer Papiermaschinenbespannung |
US8749053B2 (en) * | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
EP2326151A1 (fr) | 2009-11-24 | 2011-05-25 | AGC Glass Europe | Procédé et dispositif de polarisation d'une électrode DBD |
JP6068491B2 (ja) | 2011-11-08 | 2017-01-25 | インテヴァック インコーポレイテッド | 基板処理システムおよび基板処理方法 |
US8778462B2 (en) | 2011-11-10 | 2014-07-15 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for producing metalized fibrous composite sheet with olefin coating |
US8741393B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-06-03 | E I Du Pont De Nemours And Company | Method for producing metalized fibrous composite sheet with olefin coating |
JP2015528859A (ja) | 2012-06-24 | 2015-10-01 | ゲイツ コーポレイション | 強化ゴム製品用の炭素コード及びその製品 |
CN104603345A (zh) | 2012-08-09 | 2015-05-06 | 纳幕尔杜邦公司 | 改善的阻隔织物 |
JP2016502588A (ja) * | 2012-10-09 | 2016-01-28 | ユーロブラズマ エンヴェー | 表面コーティングを塗布する装置及び方法 |
CN103103493B (zh) * | 2012-11-07 | 2015-05-06 | 山东鑫汇铜材有限公司 | 一种石墨烯铜线生产装置 |
WO2014100506A1 (en) | 2012-12-19 | 2014-06-26 | Intevac, Inc. | Grid for plasma ion implant |
CN103074596B (zh) * | 2012-12-25 | 2014-12-31 | 王奉瑾 | 采用电磁加热的cvd设备 |
US9435028B2 (en) * | 2013-05-06 | 2016-09-06 | Lotus Applied Technology, Llc | Plasma generation for thin film deposition on flexible substrates |
US9988536B2 (en) | 2013-11-05 | 2018-06-05 | E I Du Pont De Nemours And Company | Compositions for surface treatments |
CN103594320A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-02-19 | 苏州市奥普斯等离子体科技有限公司 | 一种适用于常压环境材料表面等离子体处理装置 |
WO2015095019A1 (en) | 2013-12-17 | 2015-06-25 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Nonwoven fabric with low ice adhesion |
US20150325831A1 (en) | 2014-05-07 | 2015-11-12 | E I Du Pont De Nemours And Company | Polyimide web separator for use in an electrochemical cell |
WO2015187161A1 (en) * | 2014-06-05 | 2015-12-10 | Illinois Tool Works Inc. | System and method for cleaning an object |
US10613005B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-04-07 | Agilent Technologies, Inc. | Deparaffinization of tissue by electric field generation and ionization |
US10821464B2 (en) * | 2017-06-19 | 2020-11-03 | The Boeing Company | Common feed system for surface treatment and adhesive application |
US11525759B2 (en) | 2018-04-24 | 2022-12-13 | Agilent Technologies, Inc. | Deparaffinization of tissue utilizing electric field |
US11651942B2 (en) * | 2019-12-18 | 2023-05-16 | Ontos Equipment Systems, Inc. | System and method for plasma head helium measurement |
CN111299253B (zh) * | 2020-03-10 | 2022-02-22 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种等离子清洗装置 |
KR102552049B1 (ko) * | 2022-12-02 | 2023-07-06 | 이상주 | 플라즈마를 이용한 기상합성 생산장치 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3069283A (en) * | 1959-02-02 | 1962-12-18 | Radiation Res Corp | Polymerizing method and apparatus for carrying out the same |
JPS6011150B2 (ja) * | 1982-01-06 | 1985-03-23 | 株式会社山東鉄工所 | 布帛の低温プラズマ連続処理装置 |
US4501766A (en) * | 1982-02-03 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Film depositing apparatus and a film depositing method |
JPS5939649A (ja) * | 1982-08-30 | 1984-03-05 | Shimadzu Corp | フイルム条帯の連続形処理装置 |
JP2811820B2 (ja) * | 1989-10-30 | 1998-10-15 | 株式会社ブリヂストン | シート状物の連続表面処理方法及び装置 |
JP3036181B2 (ja) * | 1991-11-27 | 2000-04-24 | 東レ株式会社 | 高強度ポリ弗化ビニリデン系モノフィラメントの製造方法 |
EP0719447B1 (en) * | 1993-09-17 | 1998-07-22 | Isis Innovation Limited | Rf plasma reactor |
US5472509A (en) * | 1993-11-30 | 1995-12-05 | Neomecs Incorporated | Gas plasma apparatus with movable film liners |
US5743966A (en) * | 1996-05-31 | 1998-04-28 | The Boc Group, Inc. | Unwinding of plastic film in the presence of a plasma |
GB2324196B (en) * | 1997-04-09 | 2001-10-24 | Aea Technology Plc | Plasma processing |
KR100257903B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-08-01 | 윤종용 | 인시튜 모니터링가능한 플라즈마 식각장치, 그 인시튜 모니터링방법, 플라즈마 식각챔버내의 잔류물 제거를 위한 인시튜 세정방법 |
JP3335304B2 (ja) * | 1998-01-28 | 2002-10-15 | 宇部興産株式会社 | 表面が改質されたポリイミドフィルムの製造方法 |
FR2774400B1 (fr) * | 1998-02-04 | 2000-04-28 | Physiques Et Chimiques | Dispositif electrique pour degraissage, decapage ou passivation plasmachimique de metaux |
JP2000026632A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Sekisui Chem Co Ltd | 常圧プラズマを用いたフィルム基材への薄膜形成方法 |
JP2000063546A (ja) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Toppan Printing Co Ltd | 表面処理装置 |
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