EP2517247B1 - Verfahren zum herstellen eines infrarotlichtdetektors - Google Patents

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EP2517247B1
EP2517247B1 EP10796386.0A EP10796386A EP2517247B1 EP 2517247 B1 EP2517247 B1 EP 2517247B1 EP 10796386 A EP10796386 A EP 10796386A EP 2517247 B1 EP2517247 B1 EP 2517247B1
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EP
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solder paste
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infrared light
housing
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Scott Freeborn
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Pyreos Ltd
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Definitions

  • the invention relates to a method for producing an infrared light detector.
  • a conventional infrared light detector has a printed circuit board and at its top a plurality of sensor chips, which are adapted to detect infrared light. So that the sensor chips can be irradiated with different wavelength bands of infrared light, the sensor chips are preceded by correspondingly formed infrared light filters, which are integrated, for example, in a housing of the infrared light detector.
  • the housing is formed by a cup-shaped housing cover and a housing bottom which terminates this, the printed circuit board with the sensor chips being arranged in the interior of the housing.
  • the sensor chips are placed facing their associated infrared light filters and operated by an electronic circuit mounted on the printed circuit board.
  • the electrical signals generated in the sensor chips can be picked up by connecting pins connected to the printed circuit board, with the connecting pins being guided from the printed circuit board through the housing bottom to the outside of the housing.
  • the pins are passed through holes in the circuit board. Due to the presence of the holes in the circuit board, however, the available space for arranging the sensor chips and the circuit is limited, whereby the component density of the infrared light detector is low.
  • the infrared light filters In order for the sensor chips to have a high measuring accuracy, it is necessary in particular for the infrared light filters to have a high degree of parallelism to their sensor chips.
  • WO 91/11833 discloses a chip interconnect wherein a first substrate comprises a number of wells containing solder. The solder in each of the wells is in solder contact with a corresponding one of a number of conductive pins. The pins extend from a flat surface of a second substrate.
  • the chip interconnect includes a dielectric layer disposed on the second substrate.
  • the object of the invention is to provide a method for producing an infrared light detector, wherein the infrared light detector has a high building density and a high accuracy of measurement.
  • the infrared light detector produced by the method according to the invention comprises the printed circuit board whose
  • the printed circuit board is positioned so that at least one of the pins is in contact with its longitudinal end with the trough base of the trough associated with the pin.
  • the liquefaction of the solder paste bodies is preferably accomplished by heating the solder paste bodies and solidifying the solder paste bodies by cooling the solder paste bodies.
  • a housing bottom arranged parallel to the horizontal plane is provided, in which a passage fit is provided for each of the pins, whereby the pin associated therewith extends through each of the through-holes, so that from the housing bottom Terminal pins are held in place in the passport passages.
  • Further preferred steps of the method for producing the infrared light detector are: provision of a cup-shaped housing cover; Attaching the housing cover with the housing bottom, so that of the housing bottom and the Housing cover is formed a housing in which the circuit board is housed. The fact that a high degree of parallelism between the housing bottom and the printed circuit board is achieved, a high parallelism between the circuit board and the housing cover is also achieved.
  • Further preferred steps are: mounting at least one sensor chip on an upper side of the printed circuit board facing away from the underside; Providing an infrared light filter in the housing cover associated with the sensor chip for its irradiation with infrared light from outside the infrared light detector.
  • an infrared light detector 1 produced according to the invention has a housing 2 which is formed by a housing cover 3 and a housing bottom 4.
  • the housing cover 3 is cup-shaped and is fastened with its outer edge on the housing bottom 4 by means of a bonded attachment 5.
  • a circuit board 6 is arranged.
  • the printed circuit board 6 has a printed circuit board upper side 7 and a printed circuit board lower side 8, the printed circuit board upper side 7 in FIG FIG. 1 above and the PCB underside 8 in FIG. 1 are arranged below.
  • On the circuit board upper side 7 are a plurality, according to FIG. 2 four, sensor chips 9 attached.
  • each of the sensor chips 9 an infrared light filter 10 is provided, each of the infrared light filters 10 being integrated in the housing cover 3.
  • a plurality of pins 11, 12 are provided, which are electrically connected to an electronic circuit (not shown) in the circuit board 6.
  • the pins 11, 12 extend vertically and through the housing bottom 4, wherein for each of the pins 11, 12 in the housing bottom 4 a fit 13, 14 is provided.
  • connection pin 11, 12 On the underside of the circuit board 8, a depression 15, 16 is provided for each connection pin 11, 12 into which the respectively associated connection pin 11, 12 projects with its longitudinal end 17, 18.
  • the pins 11, 12 are fixed with Lotbefest Trent 19, 20 and electrically connected to the electronic circuit.
  • the solder mounts 19, 20 are each formed by a solder body 21, which is made in the wells 15, 16 of solder paste.
  • the solder bodies 21 were liquefied, with a conical surface-like solder body surface 22 having formed around the connecting pin 11, 12 in each case.
  • the longitudinal ends 17, 18 of the pins 11, 12 each have a tip 23 which abut a trough base 24.
  • the following steps are to be carried out: It is to provide the printed circuit board 6, in which the troughs 15, 16 are to be produced by etching, for example.
  • the sensor chips 9 and the electronic circuit are to be attached.
  • the pins 11, 12 are parallel to each other to arrange and hold, wherein the longitudinal ends 17, 18 of the pins 11, 12 are arranged in a horizontal plane and the pins 11, 12 extend perpendicular to the horizontal plane.
  • the housing bottom 4 is provided with its fits 13, 14, wherein in each of the fits 13, 14 each one of the pins 11, 12 inserted and thereby held in place. As a result, the connection pins 11, 12 are kept stable parallel to one another and perpendicular to the housing bottom 4.
  • the pins 11, 12 and the wells 15, 16 are matched in their positions to one another that for each of the pins 11, 12 one of the wells 15, 16 is associated.
  • the troughs 15, 16 are to be uniform, for example by etching.
  • the wells are to be filled with a solder paste, wherein in each of the wells 15, 16 is the same Lotpastenmenge to bring.
  • the circuit board 6 is positioned above the terminal pins 11, 12 so that each of the terminal pins 11, 12 dives with its longitudinal ends 17, 18 into the corresponding solder paste body 21. Thereafter, the solder paste bodies 21 are heated, for example, in an oven to 300 ° C, so that the solder paste body 21 liquefy.
  • solder paste body 21 are cooled again, whereby the solder paste body 21 solidify and a mechanically strong connection in the wells 15, 16 between the circuit board 6 and the pins 11, 12 is formed and an electrically conductive connections between the pins 11, 12 and the electronic circuit via the solder paste bodies 21.
  • the housing cover 3 is slipped onto the housing bottom 4 on the circuit board 6 and the bonded attachment 5 is formed.
  • the pins 11, 12 are held in their fits 13, 14 stable and accurate in the housing bottom 4.
  • the printed circuit board 6 is arranged with the solder fasteners 19, 20 in the wells 15, 16 caused by the surface tension in the solder paste bodies 21 and the weight of the printed circuit board 6 itself centered precisely to the pins 11, 12 and thus arranged to the housing bottom 4.
  • the housing cover 3 is placed on the housing bottom 4, so that the integrated in the housing cover 3 infrared light filter 10 are arranged precisely opposite the sensor chips 9.
  • a high degree of parallelism is achieved between the sensor chips 9 and their associated infrared light filters 10, as a result of which the measuring accuracy of the infrared light detector 1 is high.
  • the entire circuit board surface 7 of the circuit board 6 is provided for the mounting of the sensor chips 9 and the electronic circuit, whereby the infrared light detector 1 has a high density.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors.
  • Ein herkömmlicher Infrarotlichtdetektor weist eine Leiterplatte und an deren Oberseite eine Mehrzahl an Sensorchips auf, die zum Detektieren von Infrarotlicht eingerichtet sind. Damit die Sensorchips mit unterschiedlichen Wellenlängenbändern von Infrarotlicht bestrahlt werden können, sind den Sensorchips entsprechend ausgebildete Infrarotlichtfilter vorgeschaltet, die beispielsweise in einem Gehäuse des Infrarotlichtdetektors integriert sind. Das Gehäuse ist von einem topfförmigen Gehäusedeckel und einem dieses abschließenden Gehäuseboden gebildet, wobei im Inneren des Gehäuses die Leiterplatte mit den Sensorchips angeordnet ist. Die Sensorchips sind ihren zugeordneten Infrarotlichtfiltern zugewandt platziert und von einer auf der Leiterplatte angebrachten elektronischen Schaltung betrieben. Die in den Sensorchips generierten elektrischen Signale sind von an die Leiterplatte angeschlossenen Anschlussstiften abgreifbar, wobei die Anschlussstifte von der Leiterplatte durch den Gehäuseboden nach außerhalb des Gehäuses geführt sind. Zum elektrischen Verbinden der Anschlussstifte mit der auf der Leiterplatte sich befindlichen elektrischen Schaltung sind die Anschlussstifte durch Löcher in der Leiterplatte geführt. Durch die Anwesenheit der Löcher in der Leiterplatte ist allerdings der zur Verfügung stehende Platz zum Anordnen der Sensorchips und der Schaltung begrenzt, wodurch die Bauteildichte des Infrarotlichtdetektors gering ist.
  • Damit die Sensorchips eine hohe Messgenauigkeit haben ist es insbesondere notwendig, dass die Infrarotlichtfilter eine hohe Parallelität zu ihren Sensorchips haben. Dadurch, dass die Sensorchips auf der Leiterplatte und die Infrarotlichtfilter in dem Gehäusedeckel integriert angeordnet sind, kommt es schließlich auf eine ausreichende Parallelität zwischen der Leiterplatte und dem Gehäusedeckel an. Hierfür sind aufwändige Maßnahmen bei der Herstellung des Infrarotlichtdetektors notwendig.
  • In US 5 406 701 A , US 2003/057426 A1 , US 5 313 021 A und JP 8 204166 A sind Verfahren um Herstellen von Lötverbindungen an elektronischen Bauteilen und deren Ausrichtungen zueinander beschrieben.
  • Dokument WO 91/11833 offenbart eine Chip-Verbindung wobei ein erstes Substrat eine Anzahl von Lötmittel enthaltenden Mulden umfasst. Das Lötmittel in jeder der Mulden ist in Lötkontakt mit einem entsprechenden aus einer Anzahl von leitenden Stiften. Die Stifte erstrecken sich von einer flachen Oberfläche eines zweiten Substrats. Die Chip-Verbindung umfasst eine auf dem zweiten Substrat angebrachte dielektrische Schicht.
  • Aufgabe der Erfindung ist es ein Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors zu schaffen, wobei der Infrarotlichtdetektor eine hohe Baudichte und eine hohe Messgenauigkeit hat.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors ist in dem unabhängigen Patentanspruch 1 definiert.
  • Weiterbildungen des Verfahrens finden sich jeweils in den nachgeordneten abhängigen Patentansprüchen 2 - 5.
  • Der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Infrarotlichtdetektor weist die Leiterplatte auf, deren
  • Oberseite frei von den Mulden ist, so dass die gesamte Oberseite der Leiterplatte für das Unterbringen der Sensorchips und von elektronischen Schaltungen zur Verfügung steht. Verglichen mit einer Leiterplatte eines mit einem herkömmlichen Verfahren hergestellten Infrarotlichtdetektors, bei dem die Leiterplatte etwa mit Durchgangslöchern für Anschlussstifte versehen ist, ist der von der Oberfläche bereitgestellte Platz für die Sensorchips und den elektronischen Schaltungen groß. Somit ist mit dem erfindungsgemäß hergestellten Infrarotlichtdetektor eine hohe Baudichte erzielbar, wodurch die geometrischen Abmaße des erfindungsgemäß hergestellten Infrarotlichtdetektors geringer sind als die geometrischen Abmaße des herkömmlich hergestellten Infrarotlichtdetektors. Außerdem wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine hohe Positioniergenauigkeit zwischen den Anschlussstiften und der Leiterplatte erzielt.
  • Bevorzugtermaßen wird die Leiterplatte so positioniert, dass mindestens einer der Anschlussstifte mit seinem Längsende mit dem Muldengrund der dem Anschlussstift zugeordneten Mulde in Berührkontakt steht. Das Verflüssigen der Lotpastenkörper wird bevorzugt durch Erhitzen der Lotpastenkörper und das Verfestigen der Lotpastenkörper durch Abkühlen der Lotpastenkörper bewerkstelligt. Ferner ist es erfindungsgemäß, dass beim Verfahren zum Herstellen des Infrarotlichtdetektors ein parallel zur Horizontalebene angeordneter Gehäuseboden bereitgestellt wird, in dem für jeden der Anschlussstifte eine Durchgangspassung vorgesehen ist, wobei sich durch jede der Durchgangspassungen der ihr zugeordnete Anschlussstift erstreckt, so dass von dem Gehäuseboden die Anschlussstifte in den Durchgangspassungen in Position gehalten werden. Dadurch wird vorteilhaft eine hohe Parallelität zwischen dem Gehäuseboden und der Leiterplatte erzielt.
  • Weitere bevorzugte Schritte des Verfahrens zum Herstellen des Infrarotlichtdetektors sind: Bereitstellen eines topfförmigen Gehäusedeckels; Befestigen des Gehäusedeckels mit dem Gehäuseboden, so dass von dem Gehäuseboden und dem Gehäusedeckel ein Gehäuse gebildet wird, in dem die Leiterplatte untergebracht wird. Dadurch, dass eine hohe Parallelität zwischen dem Gehäuseboden und der Leiterplatte erzielt ist, ist ebenfalls eine hohe Parallelität zwischen der Leiterplatte und dem Gehäusedeckel erreicht.
  • Weitere bevorzugte Schritte sind: Anbringen von mindestens einem Sensorchip auf einer der Unterseite abgewandten Oberseite der Leiterplatte; Vorsehen eines Infrarotlichtfilters in dem Gehäusedeckel, der dem Sensorchip für dessen Bestrahlung mit Infrarotlicht von außerhalb des Infrarotlichtdetektors zugeordnet ist. Somit wird mit dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren eine hohe Parallelität zwischen den Sensoren und ihren zugeordneten Infrarotlichtfiltern erzielt, da eine exakte Positionierung der Leiterplatte mit den Sensorchips via die Anschlussstifte, den Gehäuseboden und den Gehäusedeckel zu den Infrarotlichtfiltern erreicht ist. Dadurch hat der mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Infrarotlichtdetektor eine hohe Messgenauigkeit.
  • Im Folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform eines mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Infrarotlichtdetektors anhand der beigefügten schematischen Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
    • Figur 1 einen Querschnitt der Ausführungsform des Infrarotlichtdetektors,
    • Figur 2 Schnitt I aus Figur 1, und
    • Figur 3 Detail II aus Figur 1.
  • Wie es aus Figuren 1 bis 3 ersichtlich ist, weist ein erfindungsgemäß hergestellter Infrarotlichtdetektor 1 ein Gehäuse 2 auf, das von einem Gehäusedeckel 3 und einem Gehäuseboden 4 gebildet ist. Der Gehäusedeckel 3 ist topfförmig ausgebildet und ist mit seinem Außenrand auf dem Gehäuseboden 4 mit Hilfe einer gebondeten Befestigung 5 befestigt. Von dem Gehäusedeckel 3 und dem Gehäuseboden 4 wird ein Innenraum des Gehäuses 2 definiert, in dem eine Leiterplatte 6 angeordnet ist. Die Leiterplatte 6 weist eine Leiterplattenoberseite 7 und eine Leiterplattenunterseite 8 auf, wobei die Leiterplattenoberseite 7 in Figur 1 oben und die Leiterplattenunterseite 8 in Figur 1 unten angeordnet sind. Auf der Leiterplattenoberseite 7 sind eine Mehrzahl, gemäß Figur 2 vier, Sensorchips 9 angebracht. Oberhalb eines jeden der Sensorchips 9 ist jeweils ein Infrarotlichtfilter 10 vorgesehen, wobei jeder der Infrarotlichtfilter 10 in dem Gehäusedeckel 3 integriert ist. An der Leiterplattenunterseite 8 ist eine Mehrzahl an Anschlussstiften 11, 12 vorgesehen, die mit einer elektronischen Schaltung (nicht gezeigt) in der Leiterplatte 6 elektrisch verbunden sind. Die Anschlussstifte 11, 12 erstrecken sich senkrecht und durch den Gehäuseboden 4 hindurch, wobei für jeden der Anschlussstifte 11, 12 in dem Gehäuseboden 4 eine Passung 13, 14 vorgesehen ist.
  • An der Leiterplattenunterseite 8 ist für jeden Anschlussstift 11, 12 eine Mulde 15, 16 vorgesehen in die jeweils der dazugehörige Anschlussstift 11, 12 mit seinem Längsende 17, 18 ragt. In den Mulden 15, 16 sind die Anschlussstifte 11, 12 mit Lotbefestigungen 19, 20 befestigt und mit der elektronischen Schaltung elektrisch leitend verbunden. Die Lotbefestigungen 19, 20 sind jeweils von einem Lotkörper 21 gebildet, der in den Mulden 15, 16 aus Lotpaste hergestellt ist. Beim Herstellen der Lotbefestigungen 19, 20 wurden die Lotkörper 21 verflüssigt, wobei sich jeweils um den Anschlussstift 11, 12 eine kegeloberflächenartige Lotkörperoberfläche 22 ausgebildet hat. Die Längsenden 17, 18 der Anschlussstifte 11, 12 weisen jeweils eine Spitze 23 auf, die an einen Muldengrund 24 anstoßen.
  • Beim Herstellen des Infrarotlichtdetektors 1 sind die folgenden Schritte durchzuführen: Es ist die Leiterplatte 6 bereitzustellen, in die die Mulden 15, 16 beispielsweise durch Ätzen herzustellen sind. Auf der Leiterplattenoberseite 7 sind die Sensorchips 9 und die elektronische Schaltung anzubringen. Ferner sind die Anschlussstifte 11, 12 parallel zueinander anzuordnen und zu halten, wobei die Längsenden 17, 18 der Anschlussstifte 11, 12 in einer Horizontalebene angeordnet sind und die Anschlussstifte 11, 12 senkrecht zur Horizontalebene sich erstrecken. Ferner wird der Gehäuseboden 4 mit seinen Passungen 13, 14 bereitgestellt, wobei in jede der Passungen 13, 14 jeweils einer der Anschlussstifte 11, 12 eingesetzt und dadurch an Ort und Stelle gehalten ist. Dadurch sind die Anschlussstifte 11, 12 zueinander parallel und senkrecht zu dem Gehäuseboden 4 stabil gehalten.
  • Die Anschlussstifte 11, 12 und die Mulden 15, 16 sind in ihren Lagen so aufeinander abgestimmt, dass für jeden der Anschlussstifte 11, 12 eine der Mulden 15, 16 zugeordnet ist. Die Mulden 15, 16 sind gleichförmig auszubilden, beispielsweise durch Ätzen. Ferner sind die Mulden mit einer Lötpaste zu befüllen, wobei in jeder der Mulden 15, 16 die gleiche Lotpastenmenge zu bringen ist. Dann wird die Leiterplatte 6 oberhalb der Anschlussstifte 11, 12 positioniert, so dass jeder der Anschlussstifte 11, 12 mit seinen Längsenden 17, 18 in den entsprechenden Lotpastenkörper 21 taucht. Danach werden die Lotpastenkörper 21 beispielsweise in einem Ofen auf 300°C erwärmt, so dass die Lotpastenkörper 21 sich verflüssigen. Aufgrund der Oberflächenspannung der verflüssigten Lotpasten und des Eigengewichts der Leiterplatte 6 wird diese selbst zentriert zu den Anschlussstiften 11, 12 ausgerichtet. Dadurch wird die Leiterplatte 6 in eine waagrechte Lage gebracht, in der die Anschlussstifte 11, 12 senkrecht zur Leiterplatte 6 sich erstrecken.
  • Sodann werden die Lotpastenkörper 21 wieder abgekühlt, wodurch sich die Lotpastenkörper 21 verfestigen und eine mechanisch feste Verbindung in den Mulden 15, 16 zwischen der Leiterplatte 6 und den Anschlussstiften 11, 12 ausgebildet wird sowie eine elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlussstiften 11, 12 und der elektronischen Schaltung via die Lotpastenkörpern 21. Der Gehäusedeckel 3 wird auf den Gehäuseboden 4 über die Leiterplatte 6 gestülpt und die gebondete Befestigung 5 ausgebildet.
  • Die Anschlussstifte 11, 12 sind in ihren Passungen 13, 14 stabil und genau in dem Gehäuseboden 4 gehalten. Die Leiterplatte 6 ist mit den Lotbefestigungen 19, 20 in den Mulden 15, 16 hervorgerufen durch die Oberflächenspannung in den Lotpastenkörpern 21 und dem Eigengewicht der Leiterplatte 6 selbst zentriert präzise zu den Anschlussstiften 11, 12 und somit zu dem Gehäuseboden 4 angeordnet. Der Gehäusedeckel 3 ist auf dem Gehäuseboden 4 aufgesetzt, so dass die in den Gehäusedeckel 3 integrierten Infrarotlichtfilter 10 präzise gegenüber den Sensorchips 9 angeordnet sind. Dadurch ist eine hohe Parallelität zwischen den Sensorchips 9 und ihren zugeordneten Infrarotlichtfiltern 10 erreicht, wodurch die Messgenauigkeit des Infrarotlichtdetektors 1 hoch ist. Ferner ist die gesamte Leiterplattenoberfläche 7 der Leiterplatte 6 für den Verbau der Sensorchips 9 und der elektronischen Schaltung bereitgestellt, wodurch der Infrarotlichtdetektor 1 eine hohe Baudichte hat.
    • Bezugszeichenliste
    • 1
    Infrarotlichtdetektor
    2
    Gehäuse
    3
    Gehäusedeckel
    4
    Gehäuseboden
    5
    gebondete Befestigung
    6
    Leiterplatte
    7
    Leiterplattenoberseite
    8
    Leiterplattenunterseite
    9
    Sensorchip
    10
    Infrarotlichtfenster
    11
    erster Anschlussstift
    12
    zweiter Anschlussstift
    13
    erste Durchgangspassung
    14
    zweite Durchgangspassung
    15
    erste Mulde
    16
    zweite Mulde
    17
    Längsende des ersten Pins
    18
    Längsende des zweiten Pins
    19
    erste Lotbefestigung
    20
    zweite Lotbefestigung
    21
    Lotpastenkörper
    22
    Lotpastenkörperoberfläche
    23
    Anschlussstiftspitze
    24
    Muldengrund

Claims (5)

  1. Verfahren zum Herstellen eines Infrarotlichtdetektors (1), mit den Schritten:
    - Bereitstellen einer Mehrzahl an Anschlussstiften (11, 12), die parallel zueinander und mit ihren einen Längsenden (17, 18) in einer Horizontalebene angeordnet gehalten sind, wobei die Anschlussstifte (11, 12) von der Horizontalebene sich nach unten erstrecken, und einer Leiterplatte (6) mit einer ebenen Unterseite (8), in der für jeden der Anschlussstifte (11, 12) eine Mulde (15, 16) vorgesehen ist, die in dem Bereich der Leiterplatte (6) angeordnet ist, an den der der Mulde (15, 16) zugeordnete Anschlussstift (11, 12) anzubringen ist, wobei die Mulden (15, 16) jeweils dieselbe Form haben, wobei ein parallel zur Horizontalebene angeordneter Gehäuseboden (4) bereitgestellt wird, in dem für jeden der Anschlussstifte (11, 12) eine Durchgangspassung (13, 14) vorgesehen ist, wobei sich durch jede der Durchgangspassungen (13, 14) der ihr zugeordnete Anschlussstift (11, 12) erstreckt, so dass von dem Gehäuseboden (4) die Anschlussstifte (11, 12) in den Durchgangspassungen (13, 14) in Position gehalten werden;
    - Befüllen der Mulden (15, 16) mit einer Lotpaste, so dass in jeder der Mulden (15, 16) sich ein Lotpastenkörper (21) mit der gleichen Lotpastenmenge befindet;
    - Positionieren der Leiterplatte (6) oberhalb der Anschlussstifte (11, 12), so dass jeder der Anschlussstifte (11, 12) mit seinem Längsende (17, 18) sich in der ihm zugeordneten Mulde (15, 16) erstreckt und in den in der jeweiligen Mulde (15, 16) sich befindlichen Lotpastenkörper (21) taucht;
    - Verflüssigen der Lotpastenkörper (21), wobei sich jeweils um den Anschlussstift (11, 12) eine kegeloberflächenartige Lotpastenkörperoberfläche (22) ausbildet, so dass elektrisch leitende Verbindungen zwischen den Anschlussstiften (11, 12) und den Lotpastenkörpern (21) ausgebildet werden sowie auf Grund der Oberflächenspannung in den Lotpastenkörpern (21) und dem Eigengewicht der Leiterplatte (6) die Unterseite (8) der Leiterplatte (6) parallel zur Horizontalebene ausrichtet wird;
    - Verfestigen der Lotpastenkörper (21), so dass mit den Lotpastenkörpern (21) mechanisch feste Verbindungen zwischen der Leiterplatte (6) und den Anschlussstiften (11, 12) ausgebildet werden und die Ausrichtung der Unterseite (8) der Leiterplatte (6) parallel zur Horizontalebene fixiert wird;
    - Anbringen von mindestens einem Sensorchip (9) auf einer der Unterseite (8) abgewandten Oberseite (7) der Leiterplatte (6).
  2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei die Leiterplatte (6) so positioniert wird, dass mindestens einer der Anschlussstifte (11, 12) mit seinem Längsende mit dem Muldengrund (24) der dem Anschlussstift (11, 12) zugeordneten Mulde (15, 16) in Berührkontakt steht.
  3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das Verflüssigen der Lotpastenkörper (21) durch Erhitzen der Lotpastenkörper (21) bewerkstelligt wird und das Verfestigen der Lotpastenkörper (21) durch Abkühlen der Lotpastenkörper (21) bewerkstelligt wird.
  4. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, mit den Schritten:
    - Bereitstellen eines topfförmigen Gehäusedeckels (3);
    - Befestigen des Gehäusedeckels (3) auf dem Gehäuseboden (4), so dass von dem Gehäuseboden (4) und dem Gehäusedeckel (3) ein Gehäuse (2) gebildet wird, in dem die Leiterplatte (6) untergebracht wird.
  5. Verfahren gemäß Anspruch 4, mit dem Schritt:
    - Vorsehen eines Infrarotlichtfilters (10) in dem Gehäusedeckel (3), der dem Sensorchip (9) für dessen Bestrahlung mit Infrarotlicht von Außerhalb des Infrarotlichtdetektors (1) zugeordnet ist.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11205670B2 (en) * 2016-04-15 2021-12-21 Teledyne Digital Imaging, Inc. Alignment of multiple image dice in package
CN115101515B (zh) * 2022-08-25 2022-11-11 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种光电耦合器封装结构及其封装方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991011833A1 (en) * 1990-01-26 1991-08-08 Commtech International Chip interconnect with high density of vias
US5313021A (en) * 1992-09-18 1994-05-17 Aptix Corporation Circuit board for high pin count surface mount pin grid arrays

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5024372A (en) * 1989-01-03 1991-06-18 Motorola, Inc. Method of making high density solder bumps and a substrate socket for high density solder bumps
US5406701A (en) * 1992-10-02 1995-04-18 Irvine Sensors Corporation Fabrication of dense parallel solder bump connections
FR2712693B1 (fr) * 1993-11-17 1995-12-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif de détection de rayonnement, à éléments de détection aboutés, et procédé de fabrication de ce dispositif.
JPH08204166A (ja) 1995-01-23 1996-08-09 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 積層型固体撮像装置
EP0952761A4 (de) * 1996-05-31 2005-06-22 Rohm Co Ltd Verfahren zur montierung eines anschlussleiters auf einer leiterplatte und leiterplatte
JP4033439B2 (ja) * 2001-09-11 2008-01-16 シャープ株式会社 固体撮像ユニットおよびその製造方法、撮像機器
US7163830B2 (en) * 2004-10-12 2007-01-16 Salmon Peter C Method for temporarily engaging electronic component for test
JP2007194435A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Fujitsu Ltd 実装材整列基板、実装装置、実装方法及び回路基板製造方法
JP2007194434A (ja) * 2006-01-19 2007-08-02 Fujitsu Ltd 実装材整列基板、実装装置、実装方法及び回路基板製造方法
KR100790994B1 (ko) * 2006-08-01 2008-01-03 삼성전자주식회사 이미지 센서 패키지, 그 제조 방법 및 이미지 센서패키지를 포함하는 이미지 센서 모듈
DE102007024902B8 (de) * 2007-05-29 2010-12-30 Pyreos Ltd. Vorrichtung mit Membranstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung
DE102008053083B4 (de) * 2008-10-24 2011-07-28 Pyreos Ltd. Infrarotlichtdetektor und Herstellung desselben

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1991011833A1 (en) * 1990-01-26 1991-08-08 Commtech International Chip interconnect with high density of vias
US5313021A (en) * 1992-09-18 1994-05-17 Aptix Corporation Circuit board for high pin count surface mount pin grid arrays

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