EP2174200A1 - Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur. - Google Patents

Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur.

Info

Publication number
EP2174200A1
EP2174200A1 EP08786268A EP08786268A EP2174200A1 EP 2174200 A1 EP2174200 A1 EP 2174200A1 EP 08786268 A EP08786268 A EP 08786268A EP 08786268 A EP08786268 A EP 08786268A EP 2174200 A1 EP2174200 A1 EP 2174200A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
voltage
power supply
vdd
transistor
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP08786268A
Other languages
German (de)
English (en)
Inventor
Michel Harrand
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP2174200A1 publication Critical patent/EP2174200A1/fr
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0016Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/687Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors

Definitions

  • the present invention relates to a fast response power switching device. It also relates to a power supply network equipped with such a switch.
  • the invention applies in particular to all the integrated circuits of recent technology in which it is important to reduce the leakage currents of the transistors of the unused circuit parts.
  • the invention is thus particularly applicable for most systems powered by battery or battery and more particularly for mobile phone circuits.
  • the transistors In integrated circuits of technology 130 nm or less, the transistors have a significant leakage current when they are in the open state. This results in an electrical consumption of the circuits even when they are inactive. This consumption can be very troublesome especially for circuits powered by batteries or batteries, especially when they are a large part of the time in a standby mode where only a small part of the circuit is active. This is especially true for mobile phones.
  • An effective technique for reducing this leakage current when the circuit is inactive is to cut off the power supply of this circuit.
  • Other techniques particularly that of supplying the substrate or box of a CMOS circuit with a negative voltage in order to increase the threshold voltage of the NMOS transistors, are possible but more difficult to implement.
  • a problem with the power cutoff technique is that when the power is turned back on, the current draw created by the recharge of the present capacitance between the power grids of a switched block must not cause the voltage to drop. supply upstream of the switch so as not to hinder the operation of the other blocks. It is then necessary to limit this current draw when powering up.
  • one solution consists in producing a supply switch consisting of several transistors in parallel with a progressive commutation of these transistors using a series of delay circuits.
  • a solution is described in particular in the document "Techniques for Wireless Applications by Philippe Royannez et al., ISSCC2005, paper 7.6, pages 138 and 139".
  • this switching time is determined by simulation and it is necessary to take a large margin to take into account the dispersion of the characteristics of the transistors. Due to this margin, the power-up time may be high, prohibiting the use of these solutions for too low power-off times or in the event of a rapid system response.
  • An object of the invention is in particular to allow a much lower switching time allowing the removal of the margin required for previous solutions, while not increasing the surface or bulk of the circuit.
  • the subject of the invention is a device for switching a power supply connected to a set of blocks, comprising at least one switch connecting the general power supply VDD to that of the block, the value of the supply current flowing in the switch being controlled according to the difference between the supply voltage VDD at the other blocks and a voltage threshold.
  • this voltage threshold may be greater than the voltage required for the operation of the other blocks.
  • the result of the difference in voltage between the voltage of the supply VDD at the other blocks and the voltage threshold is for example provided by a differential amplifier, the voltage of the supply VDD being connected to an input of the amplifier and the threshold being connected to another input.
  • the switch being a transistor, the output voltage of the amplifier controls for example the value of the current flowing through the transistor. If the switch is an MOS transistor P, the supply voltage VDD is for example connected to the negative input of the amplifier and the voltage threshold is then connected to the positive input.
  • the transistor is for example turned off by cutting the appropriate power supply terminal of the amplifier. In the case of a switch made by an MOS P, the interruption of the negative power supply of the amplifier causes the appearance of a positive voltage at the output of the amplifier which blocks the switching transistor.
  • the amplifier is for example connected to the power supply via a transistor, the power supply of the amplifier being cut off by putting this transistor in the off state.
  • the power supply of the amplifier is for example cut off by cutting off the power supply of its foot transistor.
  • the threshold voltage is for example equal to a percentage of a reference voltage VDDref corresponding to the nominal value of the VDD power supply.
  • the invention also relates to a power supply network of a set of blocks. Each block being connected to a power source VDD by a power bus, a block is then connected to the bus via a switching device as described above.
  • the power source is for example a battery.
  • FIG. 2 an exemplary embodiment of a device according to the invention
  • FIG. 3 a variant of one of the elements of the exemplary embodiment given in FIG. 2.
  • FIG. 1 illustrates the operating principle of a device according to the invention.
  • Figure 1 thus shows a block 1 powered by a voltage VDD.
  • VDD voltage
  • a block comprises a circuit, analog or digital, corresponding for example to a component or a functional unit comprising several components.
  • Such a block 1 even in the idle state can continue to consume an electric current if it remains connected electrically to the VDD power supply.
  • an effective solution to prevent this parasitic consumption is to cut off the power supply of the block 1.
  • a switch 3 is connected between the block 1 and the VDD power supply.
  • the switch is for example a field effect transistor.
  • a bipolar transistor could be used.
  • the block 1 when the transistor 3 is passing, the block 1 is supplied with the voltage VDD at the drain-source voltage of the transistor.
  • Vs the power supply voltage at the terminals 5 of the block
  • Vs VDD - V D s
  • V D s the voltage between the drain and the source of the transistor.
  • the voltage V D s would be replaced by the voltage between the collector and the emitter.
  • the transistor 3 is turned off, and then, to restore the voltage, the transistor is turned on. A current draw is then produced at the power supply causing the voltage VDD to drop before it rises.
  • the switch 3 is controlled so that the voltage outside the block concerned 1 remains greater than the voltage necessary for the proper operation of the other blocks by directly comparing this voltage to a reference voltage. If the voltage outside block 1 is below a given threshold, the current flowing in switch 3 is limited. The measured voltage is the voltage of the supply VDD at the level of the other blocks, the comparison is then made in upstream of the switch 3.
  • the comparator used is a differential amplifier 4 whose output controls the switch 3 which in this case is a field effect transistor type MOS P.
  • the negative input of the differential amplifier 4 is connected to the supply voltage VDD and the positive input is connected to the reference voltage VDDref, forming the comparison threshold.
  • the reference voltage is for example equal to the nominal supply voltage of the blocks minus 5%, for example 1.05V. Technologies where the invention can be advantageously used are for example technologies where the power supply is of the order of 1, 3V for the 130nm technology, at 1, 1 V for the 65nm technology. This reference voltage can be either connected directly to the input of the amplifier 4 or connected via a divider bridge 6.
  • the divider bridge makes it possible to make a comparison with a threshold corresponding to a percentage of the nominal supply voltage, and the reference voltage can be advantageously provided by the supply voltage of the circuit taken directly on the supply pads (or better, a special power pad), so as not to be impacted by voltage drops caused by currents flowing in the parasitic impedances of the supply network.
  • the divider bridge may also make it possible, for example, to obtain for example an adjustable threshold at the input of the divider bridge by varying its parameters, in particular by means of a variable resistor.
  • the voltage at the input of the differential amplifier 4 and at the output of the divider bridge 6 is substantially equal to 95% of the reference voltage VDDref.
  • the transistor 3 being MOS P type, it is controlled in the on state when its gate-source voltage is negative. This gate voltage is supplied by the output of the differential amplifier 4. Possibly an interface (not shown) is placed between the output of the amplifier 4 and the gate of the transistor 3.
  • the supply voltage is equal to VDD, greater than 95% of the voltage VDDref, itself equal to the nominal supply voltage.
  • the voltage present at the negative input of the operational amplifier 4, equal to the voltage VDD, is greater than the voltage present at the positive input, equal to 0.95 x VDDref.
  • the output of the amplifier is then negative and the transistor 3 is then in the on state.
  • transistor 3 must in particular be turned off.
  • the device may comprise a control 7 for starting the block. This control acts for example on the negative power supply of the amplifier 4.
  • the power supply of the amplifier 4 is for example cut off by means of the aforementioned control 7.
  • the power supply of the block 1 is restored when the power supply of the amplifier 4 is reestablished.
  • the transistor 3 then returns to the on state.
  • the voltage VDD shared with the other blocks
  • the output voltage of the amplifier 4 controlling the gate of the transistor 3 remains lower than VDD, leading to a gate-source voltage of the negative transistor 3.
  • the voltage drops.
  • the voltage VDD falls below 0.95 x VDDref
  • the voltage at the positive input of the amplifier becoming greater than the voltage at the negative input
  • the output voltage of the amplifier becomes positive, and proportional to the difference VDDref - VDD.
  • the current flowing in the transistor 3 is then limited, the limitation increasing with the difference VDDref - VDD.
  • a device makes it possible to switch the block 1 as fast as possible without the external supply voltage VDD falling by more than 5% of the nominal reference voltage VDDref, in the case where this threshold has been set. at 95% of VDDref.
  • Other settings are of course possible.
  • the internal voltage of the switch for example V D s , is taken into account for the comparison.
  • the external supply voltage at these blocks considered takes into account the internal voltages of the switches used.
  • FIG. 2 presents a possible embodiment with an example of implementation of the control 7 of the transistor 3.
  • This control comprises a transistor 21, for example a field effect transistor, connecting the low power supply of the amplifier 4 and that of the divider bridge 6 to zero potential, especially the mechanical mass.
  • the transistor 21 is itself controlled by a control voltage 22.
  • the cutoff, or power off of the block is done very simply by blocking the control transistor 21 which then cuts off the low power supply of the amplifier as well as that of the divider bridge.
  • the output voltage of the amplifier can only be the voltage VDD blocking the switching power supply transistor 3 MOS P, the voltage VDD being the high supply voltage of the amplifier 4.
  • current flowing in the circuit 7 is low enough so that it is not necessary to take special precautions when it is put into operation.
  • This solution has the particular advantage of also cutting the leakage currents of the differential amplifier 4.
  • FIG. 3 shows an alternative embodiment where the foot transistor 21 1 of the differential amplifier is used.
  • the existing foot transistor 21 1 of the differential amplifier is cut off in order to cut off its power supply, instead of adding the transitor 21 in series as illustrated in FIG. 2.
  • FIG. a differential amplifier It comprises two transistors 31, 32 in parallel, for example of the MOS type, connected by their drain, via a load resistor 33, 34, to the voltage VDD and by their sources to the drain of the foot transistor 21 1.
  • the amplifier inputs are formed of the gates of the transistors 31, 32.
  • the source of the foot transistor is connected to the ground and its gate is controlled by the control voltage 22.
  • the load resistors 31 and 32 can be realized by means of of transistors.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

La présente invention concerne un dispositif de commutation d'alimentation à réponse rapide. Elle concerne également un réseau d'alimentation électrique équipé d'un tel commutateur. L'alimentation électrique étant reliée à un ensemble de blocs, le dispositif comporte au moins un commutateur (3) reliant l'alimentation (VDD) et le bloc (1), la valeur du courant d'alimentation passant dans le commutateur étant commandée en fonction de la différence entre la tension de l'alimentation (VDD) au niveau des autres blocs et un seuil de tension. L'invention s'applique notamment à tous les circuits intégrés de technologie récente dans lesquelles il importe de réduire les courants de fuite des transistors des parties de circuits non utilisées. L'invention s'applique ainsi particulièrement pour la plupart des systèmes alimentés par pile ou batterie et plus particulièrement pour les circuits de téléphones portables.

Description

DISPOSITIF DE COMMUTATION D'ALIMENTATION ELECTRIQUE A REPONSE RAPIDE ET RESEAU ALIMENTATION ELECTRIQUE EQUIPE
D'UN TEL COMMUTATEUR
La présente invention concerne un dispositif de commutation d'alimentation à réponse rapide. Elle concerne également un réseau d'alimentation électrique équipé d'un tel commutateur. L'invention s'applique notamment à tous les circuits intégrés de technologie récente dans lesquelles il importe de réduire les courants de fuite des transistors des parties de circuits non utilisées. L'invention s'applique ainsi particulièrement pour la plupart des systèmes alimentés par pile ou batterie et plus particulièrement pour les circuits de téléphones portables.
Dans les circuits intégrés de technologie 130 nm ou inférieure, les transistors présentent un courant de fuite non négligeable lorsqu'ils sont dans l'état ouvert. Il en résulte une consommation électrique des circuits même lorsqu'ils sont inactifs. Cette consommation peut être très gênante notamment pour les circuits alimentés par piles ou batteries, surtout lorsqu'ils sont une grande partie du temps dans un mode veille où seule une petite partie du circuit est active. Ceci est particulièrement vrai pour les téléphones portables. Une technique efficace pour réduire ce courant de fuite lorsque le circuit est inactif consiste à couper l'alimentation électrique de ce circuit. D'autres techniques, notamment celle consistant à alimenter le substrat ou caisson d'un circuit CMOS à une tension négative afin d'augmenter la tension de seuil des transistors NMOS, sont possibles mais plus délicates à mettre en œuvre. Un problème de la technique de coupure d'alimentation est que lors de la remise sous tension, l'appel de courant créé par la recharge de la capacité présente entre les grilles d'alimentation d'un bloc commuté ne doit pas faire chuter la tension de l'alimentation en amont du commutateur afin de ne pas gêner le fonctionnement des autres blocs. Il convient alors de limiter cet appel de courant lors de la mise sous tension.
Diverses solutions sont connues pour limiter ce courant. En particulier, une solution consiste à réaliser un commutateur d'alimentation constitué de plusieurs transistors en parallèle avec une commutation progressive de ces transistors à l'aide d'une suite de circuits retardateurs. Une telle solution est notamment décrite dans le document "Techniques for Wireless Applications de Philippe Royannez et al., ISSCC2005, paper 7.6, pages 138 et 139". Dans les deux cas, ce temps de commutation est déterminé par simulation et il faut prendre une marge importante pour tenir compte de la dispersion des caractéristiques des transistors. A cause de cette marge le temps de remise sous tension peut être élevé, interdisant d'utiliser ces solutions pour des durées de mise hors tension trop faibles ou dans le cas où une réponse rapide du système est nécessaire.
Un but de l'invention est notamment de permettre un temps de commutation beaucoup plus faible autorisant la suppression de la marge nécessaire aux solutions antérieures, tout en n'augmentant pas la surface ou l'encombrement du circuit. A cet effet, l'invention a pour objet un dispositif de commutation d'une alimentation électrique reliée à un ensemble de blocs, comportant au moins un commutateur reliant l'alimentation générale VDD à celle du bloc, la valeur du courant d'alimentation passant dans le commutateur étant commandée en fonction de la différence entre la tension de l'alimentation VDD au niveau des autres blocs et un seuil de tension.
Lorsque la tension de l'alimentation passe en dessous du seuil, le commutateur est par exemple commandé pour limiter le courant d'alimentation qui le traverse. Avantageusement, ce seuil de tension peut être supérieur à la tension nécessaire au fonctionnement des autres blocs.
Le résultat de la différence de tension entre la tension de l'alimentation VDD au niveau des autres blocs et le seuil de tension est par exemple fourni par un amplificateur différentiel, la tension de l'alimentation VDD étant connectée à une entrée de l'amplificateur et le seuil étant connecté à une autre entrée. Le commutateur étant un transistor, la tension de sortie de l'amplificateur commande par exemple la valeur du courant traversant le transistor. Si le commutateur est un transistor MOS P, la tension d'alimentation VDD est par exemple connectée à l'entrée négative de l'amplificateur et le seuil de tension étant alors connecté à l'entrée positive. Le transistor est par exemple mis à l'état bloqué en coupant la borne d'alimentation électrique adéquate de l'amplificateur. Dans le cas d'un commutateur réalisé par un MOS P, la coupure de l'alimentation négative de l'amplificateur provoque l'apparition d'une tension positive à la sortie de l'amplificateur qui bloque le transistor de commutation.
L'amplificateur est par exemple relié à l'alimentation via un transistor, l'alimentation de l'amplificateur étant coupée en mettant ce transistor à l'état bloqué.
Dans un autre mode de réalisation, l'alimentation de l'amplificateur est par exemple coupée en coupant l'alimentation de son transistor de pied.
La tension de seuil est par exemple égale à un pourcentage d'une tension de référence VDDref correspondant à la valeur nominale de l'alimentation VDD.
L'invention a également pour objet un réseau d'alimentation électrique d'un ensemble de blocs. Chaque bloc étant relié à une source d'alimentation VDD par un bus de puissance, un bloc est alors relié au bus via un dispositif de commutation tel que décrit précédemment. La source d'alimentation est par exemple une batterie.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à l'aide de la description qui suit faite en regard de dessins annexés qui représentent :
- la figure 1 , une illustration du principe de fonctionnement d'un dispositif selon l'invention ;
- la figure 2, un exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention ; - La figure 3, une variante de l'un des éléments de l'exemple de réalisation donné par la figure 2.
La figure 1 illustre le principe de fonctionnement d'un dispositif selon l'invention. La figure 1 présente donc un bloc 1 alimenté par une tension électrique VDD. Cette tension est par exemple transmise à plusieurs blocs, non représentés, par un bus de puissance 2. Un bloc comprend un circuit, analogique ou numérique, correspondant par exemple à un composant ou à une unité fonctionnelle comportant plusieurs composants. Un tel bloc 1 , même à l'état inactif peut continuer à consommer un courant électrique s'il reste relié électriquement à l'alimentation VDD. Comme il a été indiqué précédemment, une solution efficace pour empêcher cette consommation parasite consiste à couper l'alimentation électrique du bloc 1. A cet effet, un commutateur 3 est connecté entre le bloc 1 et l'alimentation VDD. Le commutateur est par exemple un transistor à effet de champ. Un transistor bipolaire pourrait être utilisé. Dans l'exemple de la figure 1 , lorsque le transistor 3 est passant le bloc 1 est alimenté à la tension VDD, à la tension drain-source du transistor près. En particulier, si on note Vs la tension d'alimentation aux bornes 5 du bloc, Vs = VDD - VDs où VDs est la tension entre le drain et la source du transistor. Pour un transistor bipolaire, la tension VDs serait remplacée par la tension entre le collecteur et l'émetteur.
Pour couper la tension aux bornes 5 du bloc, on commute le transistor 3 à l'état bloqué, puis pour rétablir la tension on commute le transistor à l'état passant. Un appel de courant est alors produit au niveau de l'alimentation électrique faisant chuter la tension VDD avant que celle-ci ne remonte.
Selon l'invention, au lieu notamment de déterminer une durée de montée d'alimentation électrique a priori, le commutateur 3 est commandé de telle sorte que la tension à l'extérieur du bloc concerné 1 reste supérieure à la tension nécessaire au bon fonctionnement des autres blocs en comparant directement cette tension à une tension de référence. Si la tension à l'extérieur du bloc 1 est inférieure à un seuil donné, on limite le courant passant dans le commutateur 3. La tension mesurée est la tension de l'alimentation VDD au niveau des autres bloc, la comparaison se fait alors en amont du commutaeur 3. Dans l'exemple de réalisation de la figure 1 , le comparateur utilisé est un amplificateur différentiel 4 dont la sortie commande le commutateur 3 qui dans ce cas est un transistor à effet de champ de type MOS P. A cet effet, l'entrée négative de l'amplificateur différentiel 4 est connectée à la tension d'alimentation VDD et l'entrée positive est connectée à la tension de référence VDDréf, formant le seuil de comparaison. La tension de référence est par exemple égale à la tension nominale d'alimentation des blocs moins 5%, par exemple 1 ,05V. Les technologies où l'invention peut être avantageusement utilisée sont par exemple des technologies où l'alimentation est de l'ordre de 1 ,3V pour la technologie 130nm, à 1 ,1 V pour la technologie 65nm. Cette tension de référence peut être soit connectée directement à l'entrée de l'amplificateur 4 soit reliée par l'intermédiaire d'un pont diviseur 6. Dans ce cas, le pont diviseur permet de faire une comparaison avec un seuil correspondant à un pourcentage de la tension d'alimentation nominale, et la tension de référence peut être avantageusement fournie par la tension d'alimentation du circuit prise directement sur les plots d'alimentation (ou mieux, un plot d'alimentation spécial), de manière à ne pas être impactée par les chutes de tension provoquées par les courants circulant dans les impédances parasites du réseau d'alimentation. Le pont diviseur peut permettre aussi notamment d'obtenir par exemple un seuil réglable en entrée du pont diviseur en jouant sur ses paramètres, en particulier à l'aide d'une résistance variable. Dans l'exemple de réalisation de la figure 1 , la tension à l'entrée de l'amplificateur différentiel 4 et en sortie de pont diviseur 6 est sensiblement égale à 95% de la tension de référence VDDref. Le transistor 3 étant de type MOS P, il est commandé à l'état passant lorsque sa tension grille-source est négative. Cette tension de grille est fournie par la sortie de l'amplificateur différentiel 4. Eventuellement une interface non représentée est placée entre la sortie de l'amplificateur 4 et la grille du transistor 3.
En régime établi, la tension d'alimentation est égale à VDD, supérieure à 95% de la tension VDDref, elle-même égale à la tension d'alimentation nominale. La tension présente à l'entrée négative de l'amplificateur opérationnel 4, égale à la tension VDD, est supérieure à la tension présente à l'entrée positive, égale à 0,95 x VDDref. La sortie de l'amplificateur est alors négative et le transistor 3 est alors à l'état passant. Pour couper l'alimentation au niveau du bloc 1 il faut notamment mettre le transistor 3 à l'état bloqué. A cet effet le dispositif peut comporter une commande 7 de mise en marche du bloc. Cette commande agit par exemple sur l'alimentation négative de l'amplificateur 4. En particulier pour couper la commande du transistor 3, l'alimentation de l'amplificateur 4 est par exemple coupée au moyen de la commande 7 précitée. L'alimentation du bloc 1 est rétablie lorsque l'alimentation de l'amplificateur 4 est rétablie. Le transistor 3 repasse alors à l'état passant. Lors de cette commutation rétablissant l'alimentation du bloc, si la tension VDD, partagée avec les autres blocs, reste supérieure au seuil donné, 0,95 x VDDref par exemple, il n'y a pas de problème de chute d'alimentation. La tension en sortie de l'amplificateur 4 commandant la grille du transistor 3 reste inférieure à VDD, conduisant à une tension grille-source du transistor 3 négative. Cependant dans le cas général, la tension chute. Dans ce cas, si la tension VDD passe en deçà de 0,95 x VDDref, la tension présente à l'entrée positive de l'amplificateur devenant supérieure à la tension présente à l'entrée négative, la tension de sortie de l'amplificateur devient positive, et proportionnelle à la différence VDDref - VDD. Le courant passant dans le transistor 3 est alors limité, la limitation croissant avec la différence VDDref - VDD.
Lorsque la tension d'alimentation Vs aux bornes 5 du bloc 1 se rapproche de nouveau de la tension d'alimentation générale VDD, l'appel de courant diminue et le transistor peut être rendu plus passant. Puis lorsque la tension VDD repasse au-dessus de 0,95 x VDDref, le transistor revient à l'état passant nominal. En pratique, si l'amplificateur différentiel a un gain suffisant, le courant dans le transistor 3 est ainsi régulé de telle sorte que la chute de tension sur VDD est exactement de 5% pendant la quasi-totalité de la durée de la charge de la capacité parasite de la grille d'alimentation du bloc 1.
Avantageusement, un dispositif selon l'invention permet la commutation du bloc 1 la plus rapide possible sans que la tension d'alimentation externe VDD chute de plus de 5% de la tension nominale de référence VDDref, dans le cas où ce seuil a été réglé à 95% de VDDref. D'autres réglages sont bien sûr possibles.
Si les autres blocs sont aussi connectés à l'alimentation VDD par un commutateur, on tient compte de la tension interne au commutateur, par exemple VDs, pour la comparaison. En d'autres termes, la tension d'alimentation externe au niveau de ces blocs considérée tient compte des tensions internes des commutateurs utilisés.
La figure 2 présente un mode de réalisation possible avec un exemple de mise en œuvre de la commande 7 du transistor 3. Cette commande comporte un transistor 21 , par exemple à effet de champ, reliant l'alimentation basse de l'amplificateur 4 et celle du pont diviseur 6 au potentiel nul, notamment la masse mécanique. Le transistor 21 est lui-même commandé par une tension de commande 22. Dans ce cas la coupure, ou mise hors tension du bloc, se fait très simplement en bloquant le transistor de commande 21 qui coupe alors l'alimentation basse de l'amplificateur ainsi que celle du pont diviseur. Dans cet état la tension de sortie de l'amplificateur ne peut être que la tension VDD bloquant le transistor 3 MOS P de commutation de l'alimentation du bloc, la tension VDD étant la tension d'alimentation haute de l'amplificateur 4. Le courant circulant dans le circuit 7 est suffisamment faible pour qu'il ne soit pas nécessaire de prendre des précautions particulières lors de sa mise en fonction. Cette solution a notamment comme avantage de couper aussi les courants de fuite de l'amplificateur différentiel 4.
La figure 3 présente une variante de réalisation où on utilise le transistor de pied 21 1 de l'amplificateur différentiel. Dans cette variante de réalisation, on coupe le transistor de pied 21 1 déjà existant de l'amplificateur différentiel pour couper son alimentation, au lieu de rajouter le transitor 21 en série comme illustré sur la figure 2. La figure 3 présente une structure typique d'un amplificateur différentiel. Celui-ci comporte deux transitors 31 , 32 en parallèle, par exemple du type MOS, reliés par leur drain, via une résistance de charge 33, 34, à la tension VDD et par leurs sources au drain du transistor de pied 21 1. Les entrées de l'amplificateur sont formées des grilles des transistors 31 , 32. La source du transistor de pied est reliée à la masse et sa grille est commandée par la tension de commande 22. Les résistances de charges 31 et 32 peuvent être réalisées au moyen de transistors.
Une solution duale à celle présentée aux figures 1 et 2 est bien sûr possible. Dans cette solution duale l'alimentation négative (masse) du bloc 1 est commutée par un transistor MOS N, les entrées de la tension VDD et de la tension VDDref étant inversées au niveau de l'amplificateur.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif de commutation d'une alimentation électrique reliée à un ensemble de blocs, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un commutateur (3) reliant l'alimentation (VDD) et un bloc (1 ), la valeur du courant d'alimentation passant dans le commutateur étant commandée en fonction de la différence entre la tension de l'alimentation (VDD) au niveau des autres blocs et un seuil de tension.
2. Dispositif selon la revendication 1 , caractérisé en ce que lorsque la tension de l'alimentation passe en dessous du seuil, le commutateur (3) est commandé pour limiter le courant d'alimentation qui le traverse.
3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que le seuil de tension est supérieur à la tension nécessaire au fonctionnement des autres blocs.
4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le résultat de la différence de tension entre la tension de l'alimentation (VDD) au niveau des autres blocs et le seuil de tension est fourni par un amplificateur différentiel (4), la tension de l'alimentation (VDD) étant connectée à une entrée de l'amplificateur et le seuil étant connecté à une autre entrée.
5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le commutateur (3) étant un transistor, la tension de sortie de l'amplificateur (4) commande la valeur du courant traversant le transistor.
6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le commutateur (3) étant un transistor MOS P, la tension d'alimentation (VDD) est connectée à l'entrée négative de l'amplificateur (4) et le seuil de tension est connecté à l'entrée positive.
7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 et 6, caractérisé en ce que le transistor (3) est mis à l'état bloqué en coupant l'alimentation électrique de l'amplificateur (4).
8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'amplificateur est relié à l'alimentation via un transistor (21 ), l'alimentation de l'amplificateur étant coupée en mettant ce transistor (21 ) à l'état bloqué.
9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'alimentation de l'amplificateur (4) est coupée en coupant l'alimentation de son transistor de pied (21 1 ).
10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tension de seuil est égale à un pourcentage d'une tension de référence VDDref correspondant à la valeur nominale de l'alimentation VDD.
11. Réseau d'alimentation électrique d'un ensemble de blocs, caractérisé en ce que chaque bloc est relié à une source d'alimentation (VDD) par un bus de puissance (2), un bloc étant relié au bus (2) via un dispositif de commutation selon l'une quelconque des revendications précédentes.
12. Réseau selon la revendication 10, caractérisé en ce que la source d'alimentation est une batterie.
EP08786268A 2007-07-27 2008-07-18 Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur. Withdrawn EP2174200A1 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0705520A FR2919446B1 (fr) 2007-07-27 2007-07-27 Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur.
PCT/EP2008/059488 WO2009016052A1 (fr) 2007-07-27 2008-07-18 Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
EP2174200A1 true EP2174200A1 (fr) 2010-04-14

Family

ID=39167533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP08786268A Withdrawn EP2174200A1 (fr) 2007-07-27 2008-07-18 Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8803503B2 (fr)
EP (1) EP2174200A1 (fr)
JP (1) JP2010534992A (fr)
FR (1) FR2919446B1 (fr)
WO (1) WO2009016052A1 (fr)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481211B2 (ja) * 2010-01-20 2014-04-23 国立大学法人 東京大学 半導体集積回路装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1199556B (it) * 1984-07-09 1988-12-30 Zanussi Elettromecc Alimentatore a corrente continua con protezione contro le sovracorrenti
JP3177965B2 (ja) * 1998-11-09 2001-06-18 日本電気株式会社 電源遮断の応答機能付きモード切替手段を備えた半導体集積論理回路および半導体集積論理回路の電源供給方法
US6651138B2 (en) * 2000-01-27 2003-11-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Hot-plug memory catridge power control logic
FR2819904B1 (fr) * 2001-01-19 2003-07-25 St Microelectronics Sa Regulateur de tension protege contre les courts-circuits
JP3951773B2 (ja) * 2002-03-28 2007-08-01 富士通株式会社 リーク電流遮断回路を有する半導体集積回路
JP2004032641A (ja) * 2002-06-28 2004-01-29 Yazaki Corp 半導体スイッチ装置
JP2004229193A (ja) * 2003-01-27 2004-08-12 Renesas Technology Corp 半導体装置
US7106042B1 (en) * 2003-12-05 2006-09-12 Cypress Semiconductor Corporation Replica bias regulator with sense-switched load regulation control
KR20070034468A (ko) * 2004-05-14 2007-03-28 제트모스 테크놀로지 인코포레이티드 내부 전압 발생기 구조 및 전력 운영 방법
JP4812085B2 (ja) * 2005-12-28 2011-11-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP2007267162A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
JP5021954B2 (ja) * 2006-05-09 2012-09-12 ローム株式会社 低電圧誤動作防止回路、方法ならびにそれを利用した電源回路および電子機器
JP2008218722A (ja) * 2007-03-05 2008-09-18 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
None *
See also references of WO2009016052A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010534992A (ja) 2010-11-11
WO2009016052A1 (fr) 2009-02-05
FR2919446B1 (fr) 2009-12-18
US8803503B2 (en) 2014-08-12
FR2919446A1 (fr) 2009-01-30
US20100213912A1 (en) 2010-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1079525B1 (fr) Système de commande d'un interrupteur bidirectionnel à deux transistors
EP0674252B1 (fr) Circuit pour commander les tensions entre caisson et sources des transistors d'un circuit logique MOS et système d'asservissement de son alimentation
FR3030155A1 (fr) Multiplexeur analogique
FR2964794A1 (fr) Circuit de polarisation dynamique du substrat d'un transistor
EP1326154A1 (fr) Pompe à charge à très large plage de tension de sortie
EP0389383A2 (fr) Dispositif et procédé de détection du passage d'un courant dans un transistor MOS
FR2819652A1 (fr) Regulateur de tension a rendement ameliore
EP2913849B1 (fr) Dispositif electronique avec transistor hemt polarisé en inverse
EP2280414A1 (fr) Dispositif électronique de protection contre une inversion de polarité d'une tension d'alimentation continue, et application au domaine de l'automobile
EP2184855B1 (fr) Circuit intégré avec polarisation de grille de transistor de puissance contrôlée par le courant de fuite
EP3627275A1 (fr) Dispositif électronique capable de former un capteur de température ou une source de courant délivrant un courant indépendant de la température
EP1942577B1 (fr) Circuit integre avec mode de veille minimisant la consommation de courant
EP1977514B1 (fr) Commande d'un transistor mos
EP2174200A1 (fr) Dispositif de commutation d'alimentation electrique a reponse rapide et reseau alimentation electrique equipe d'un tel commutateur.
EP2932588A1 (fr) Circuit de comparaison d'une tension a un seuil et conversion d'energie electrique
FR3119469A1 (fr) Interface USB PD
FR2490895A1 (fr) Circuit d'entretien pour oscillateur a faible consommation de courant
WO2002052364A1 (fr) Regulateur de tension a gain statique en boucle ouverte reduit
EP4358126A1 (fr) Dispositif electronique
FR2877499A1 (fr) Procede de gestion d'une batterie rechargeable et batterie rechargeable adaptee pour mettre en oeuvre ce procede
WO2010086237A1 (fr) Dispositif de commande d'un transistor jfet
EP1047174B1 (fr) Circuit de protection pour batterie
FR2976723A1 (fr) Procede d'alimentation et de polarisation de caissons d'un systeme integre sur puce
FR2918518A1 (fr) Dispositif et procede de controle des interrupteurs d'alimentation
FR2958078A1 (fr) Procede et dispositif de contremesure contre une attaque par injection d'erreur dans un microcircuit electronique

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

17P Request for examination filed

Effective date: 20100120

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR

AX Request for extension of the european patent

Extension state: AL BA MK RS

RAP1 Party data changed (applicant data changed or rights of an application transferred)

Owner name: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES

17Q First examination report despatched

Effective date: 20100616

DAX Request for extension of the european patent (deleted)
STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: EXAMINATION IS IN PROGRESS

GRAP Despatch of communication of intention to grant a patent

Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: GRANT OF PATENT IS INTENDED

INTG Intention to grant announced

Effective date: 20180323

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN

18D Application deemed to be withdrawn

Effective date: 20180803