EP1771890A2 - Lumineszenzdiode mit einer reflexionsmindernden schichtenfolge - Google Patents

Lumineszenzdiode mit einer reflexionsmindernden schichtenfolge

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Publication number
EP1771890A2
EP1771890A2 EP05760046A EP05760046A EP1771890A2 EP 1771890 A2 EP1771890 A2 EP 1771890A2 EP 05760046 A EP05760046 A EP 05760046A EP 05760046 A EP05760046 A EP 05760046A EP 1771890 A2 EP1771890 A2 EP 1771890A2
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
layer
diode according
light
reflection
emitting diode
Prior art date
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Withdrawn
Application number
EP05760046A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Ines Pietzonka
Wolfgang Schmid
Ralph Wirth
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Publication of EP1771890A2 publication Critical patent/EP1771890A2/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H01L33/105—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector with a resonant cavity structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure

Definitions

  • the invention relates to a light-emitting diode according to the preamble of patent claim 1.
  • a DBR mirror distributed Bragg Reflection
  • a DBR mirror contains a plurality of layer pairs of epitaxially produced semiconductor layers which differ in their refractive index and their optical thickness, ie the product of the refractive index of the respective layer with the layer thickness, in each case one quarter of the wavelength of the radiation emitted by the light-emitting diode equivalent.
  • the chip surface provided for radiation decoupling also has a certain reflectivity due to the refractive index difference from the surrounding medium, which may be a potting compound, in particular an epoxy resin, so that in cooperation with the chip surface DBR mirror a resonator arises.
  • This resonator can cause unwanted resonances in the emission spectrum of the light-emitting diode.
  • the resonance effect can even lead to the emission spectrum of the light-emitting diode having a plurality of intensity maxima at different wavelengths and / or emission angles. This has a particularly disturbing effect on applications of light-emitting diodes in optical measuring methods.
  • window layers serve both for current spreading and for light extraction. Due to the thickness of the layers, the resonances are spectrally so close to each other that they usually do not interfere in applications. Such layers are also often not planar, either as a result of certain processing steps or due to the layer growth itself, which also counteracts the resonances. However, the growth of such is thicker Layers associated with a high production cost and therefore high costs.
  • the invention has for its object to provide a light emitting diode, are reduced in the resonances in the emission spectrum with a relatively low production cost.
  • the reflection-reducing layer sequence according to the invention comprises a DBR mirror formed from at least one layer pair. Mirror in the main beam direction subsequent annealing layer, and disposed between the DBR mirror and the annealing layer intermediate layer.
  • the reflectivity of the layers arranged above the active zone is reduced such that unwanted resonances in the emission spectrum of the light-emitting diode are largely avoided.
  • the residual reflectivity of the reflection-reducing layer sequence depends in particular on the number of layer pairs of the DBR mirror. It has proved to be advantageous if this is formed from between one and including ten pairs of layers, more preferably between and including one and including four pairs of layers.
  • the optical thickness of the intermediate layer is preferably equal to half the wavelength of the emitted radiation. Furthermore, it is advantageous if the optical thickness of the tempering layer is equal to an odd multiple of a quarter of the wavelength ⁇ of the emitted radiation, that is, for example, 1/4 ⁇ , 3/4 ⁇ or 5/4 ⁇ . With these layer thicknesses, a particularly good antireflection coating can be achieved.
  • the intermediate layer is preferably a semiconductor layer and can be grown epitaxially with advantageously low production costs directly on the semiconductor layers of the DBR mirror.
  • the tempering layer is, for example, a dielectric layer and may in particular contain a silicon oxide or a silicon nitride.
  • a radiation-transmissive conductive oxide (TCO-transparent conductive oxide), in particular ZnO, is also suitable.
  • the tempering layer can be doped, for example with aluminum. This is advantageous in particular when partial areas of the tempering layer are provided with electrical contacts, since in this case the tempering layer can simultaneously act as a current spreading layer.
  • An Al-doped ZnO layer is particularly suitable for this purpose.
  • the tempering layer may also form an ohmic contact with the underlying intermediate layer.
  • the light-emitting diode is preferably embedded in a potting compound, for example an epoxy resin.
  • the potting compound may also contain a luminescence conversion material in order to shift the wavelength of the radiation emitted by the luminescence diode longer wavelengths.
  • Suitable luminescence conversion materials such as YAG: CE (Y 3 Al 5 O 2 : Ce 3+ ), are described, for example, in WO 98/12757, the contents of which are hereby incorporated by reference.
  • the reflection-reducing layer sequence according to the invention for light-emitting diodes in which a second mirror, in particular a second DBR mirror, is arranged between a substrate and the active zone.
  • a second mirror in particular a second DBR mirror
  • the radiation emitted by the light-emitting diode into the substrate is prevented from penetrating into the substrate by the second mirror, whereby the risk of the occurrence of undesired resonances in the substrate is at the same time prevented by the reflection-reducing layer sequence
  • the effect of the reflection-reducing layer sequence according to the invention is independent of the distance of the reflection-reducing layer sequence to the second mirror and / or the active zone.
  • the invention is not limited to light-emitting diodes having a substrate and a second mirror applied thereto.
  • the light-emitting diode may also comprise a so-called thin-film semiconductor body, in which an epitaxial layer sequence grown on a growth substrate has been separated from the growth substrate and mounted on a carrier body.
  • thin-film semiconductor bodies contain on the side facing the carrier body a reflective layer, which can also form a resonator with the opposite surface, which is generally provided for radiation decoupling.
  • the total thickness of the reflection-reducing layer sequence is advantageously less than 2000 nm.
  • FIG. 1 shows a schematic representation of a cross section through an exemplary embodiment of a light-emitting diode according to the invention
  • FIG. 2 shows a graph of the reflectivity R of a reflection-reducing layer sequence as a function of the wavelength ⁇ for different numbers of layer pairs of the DBR mirror when using a SiN-tempering layer,
  • FIG. 3 shows a graph of the reflectivity R of a reflection-reducing layer sequence as a function of FIG Wavelength ⁇ for different numbers of layer pairs of the DBR mirror when using a ZnO-coating layer
  • FIG. 4 shows a graph of the intensity I of the emitted radiation as a function of the wavelength ⁇ without consideration of reflection losses, when using a conventional antireflection coating and when using a reflection-reducing layer sequence according to the invention with a SiN coating,
  • FIG. 5 shows a graph of the intensity I of the emitted radiation as a function of the wavelength ⁇ without consideration of reflection losses, when using a conventional antireflection coating and when using a reflection-reducing layer sequence according to the invention with a ZnO coating, and
  • Figure 6 is a schematic representation of a cross section through a light emitting diode according to the prior art.
  • the state-of-the-art luminescence diode 17 shown in FIG. 6 includes a substrate 2 and a DBR mirror 5 applied to the substrate 2 and formed of a plurality of layer pairs of the epitaxially deposited semiconductor layers 3 and 4.
  • the DBR mirror 5 reflects back radiation emitted in the direction of the substrate 2.
  • the light-emitting diode contains a radiation-emitting active zone 7, which is arranged between cladding layers 6, 8 and emits radiation in a main radiation direction 15.
  • the light-emitting diode 17 is embedded in a potting compound 10. In order to reduce reflection losses at the interface between the semiconductor material and the potting compound 10, a coating layer 9 is provided.
  • a resonator can be produced by the residual reflectivity at the boundary surfaces between the tempering layer 9 and the potting compound 10 and / or the interface between the potting compound 10 and a surrounding medium, for example air, in conjunction with the DBR mirror 5, whereby unwanted Resonances in the emission spectrum of the LED can occur.
  • the light-emitting diode 1 according to the invention shown in FIG. 1 contains a substrate 2, which may be, for example, a GaAs substrate.
  • a layer pair can each have an Al 0 . 5 Ga 0 . 5 As layer 3 and an Al 0 . 95 Ga 0 .0 5 AS layer 4 included.
  • the number of layer pairs of the DBR mirror 5 is about 20, for example.
  • the DBR mirror 5 reflects back radiation emitted in the direction of the substrate 2. In this way, the intensity of the radiation emitted in the main radiation direction 15 is increased and absorption losses in the substrate 2 are reduced.
  • the luminescence diode 1 contains a radiation-emitting active zone 7.
  • This can be, for example, an approximately 0.2 ⁇ m thick layer of Ini- ⁇ Ga x Al y P with O ⁇ x ⁇ l, O ⁇ y ⁇ l and x + y ⁇ l included to one Emission wavelength of about 600 nm to achieve.
  • the active zone may also contain other semiconductor materials and have a different emission wavelength.
  • the active region 7 is arranged, for example, between a p-type cladding layer 6 and an n-type cladding layer 8, each having a thickness of about 0.8 ⁇ m.
  • the light-emitting diode 1 may for example be embedded in a potting compound 10, in particular an epoxy resin.
  • the luminescence diode 1 contains a reflection-reducing layer sequence 16.
  • the reflection-reducing layer sequence 16 contains a DBR mirror 13 following the active zone 7 in the main beam direction 15, which is formed from one or more layer pairs.
  • the DBR mirror 13 is advantageously made of epitaxially grown semiconductor layers 11, 12 whose optical thickness corresponds to one quarter of the wavelength of the emitted radiation.
  • the DBR mirror 13 may be made of at least one pair of layers each of an Alo.sGao.sAs semiconductor layer 11 and an Alo.gsGao.osAs semiconductor layer 12.
  • the reflection-reducing layer sequence 16 contains a compensation layer 9 adjoining the potting compound whose optical thickness likewise preferably corresponds to one quarter of the wavelength of the emitted radiation, or alternatively to another odd-numbered multiple of the wavelengths ⁇ such as 3/4 ⁇ or 5/4 ⁇ .
  • the tempering layer may in particular contain a silicon nitride, a silicon oxide or a zinc oxide.
  • the reflection-reducing layer sequence 16 contains an intermediate layer 14, for example Alo. 5 Gao. Contains 5 As and has an optical thickness that corresponds to about half the wavelength of the emitted radiation.
  • the reflection-reducing layer sequence forms in this way a reflection-reducing resonator.
  • the reduction of the reflection by the reflection-reducing layer sequence 16 according to the invention depends decisively on the number of layer pairs of the DBR mirror 13. This is illustrated in the following simulation of the reflectivity of the layers arranged above the active zone 7.
  • FIG. 2 shows a simulation of the reflectivity R of a reflection-reducing layer sequence as a function of the wavelength ⁇ for different numbers of layer pairs of the DBR mirror.
  • the reflectivity R was simulated as a function of the wavelength ⁇ without a DBR mirror (curve 18), for a DBR mirror 13 with a layer pair (curve 19), with two layer pairs (curve 20) and with three layer pairs (curve 21). , The optimal antireflection is thus achieved with a DBR mirror 13, which contains only one pair of layers.
  • the reflectivity of the arranged above the active zone 7 layers was without DBR mirror (curve 22), with a DBR mirror with a pair of layers (curve 23), with two pairs of layers (curve 24), with three pairs of layers (curve 25) and four pairs of layers (curve 26) simulated.
  • the simulation calculations make clear that in this case the best antireflection with a DBR mirror 13 with two layer pairs is achieved.
  • the DBR mirror 13 In general, similar to a symmetrical Fabry-Perot resonator, the DBR mirror 13 must have approximately the same reflectivity as an outer reflector which is formed from the layer transitions between the intermediate layer 14 and the tempering layer 9 and between the tempering layer and the potting compound 10, to minimize the residual reflectivity. For this reason is at the
  • Embodiment with a coating layer 9 of ZnO compared to the embodiment with a coating layer of SiN required an additional layer pair. Since ZnO has a lower refractive index than SiN, the refractive index difference of the temper layer 9 to the adjacent intermediate layer 14 is larger, thereby increasing the reflectivity of the outer reflector. Due to the additional layer pair in the DBR mirror 13, an adaptation of the reflectivity of the DBR mirror 13 to the outer reflector is achieved in this case.
  • the DBR mirror 13 may also include layers 11, 12 whose optical thicknesses deviate from ⁇ / 4.
  • the thickness of the layer 11 could, for example, 1.2 ⁇ / 4 and the thickness of the layer 12 0.8 ⁇ / 4 be.
  • the reflectivity of the DBR mirror 13 can be adapted to the reflectivity of the outer reflector.
  • Refractive index difference of the layers 11,12 of the DBR mirror 13 are varied in order to achieve an optimum anti-reflection. This is possible, for example, with AlGaAs semiconductor layers by varying the Al content.
  • FIG. 4 shows a simulation of the intensity I of the emission (in arbitrary units) for a light-emitting diode with a SiN coating. While the emission spectrum without a DBR mirror 13 according to the invention (curve 27) is clearly influenced by resonances, the emission spectrum of a light-emitting diode with a reflection-reducing layer sequence according to the invention, which is shown in curve 28, differs only insignificantly from the emission spectrum shown in curve 29 no external reflections were considered.
  • the effect of the reflection-reducing layer sequence 16 according to the invention in the emission spectra of a luminescence diode shown in FIG. 5 with a coating layer 9 made of ZnO is even more apparent. While the emission spectrum simulated in the curve 30 has two maxima without a reflection-reducing layer sequence 16 according to the invention, the emission spectrum simulated in the curve 31 with a reflection-reducing layer sequence 16 according to the invention has a similar course to the emission spectrum of the active zone 7 simulated in the curve 32 without consideration of the outside influences.
  • the reflection-reducing layer sequence 16 according to the invention is particularly advantageous because twice or even multiple maxima in the emission spectrum when using a light emitting diode in precise optical measurement methods prove very disturbing, especially in measuring methods in which differential signals are detected, for example in temperature or thermal resistance measurement.

Abstract

Bei einer Lumineszenzdiode (1) mit einer aktiven Zone (7), die elektromagnetische Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung (15) emittiert, wobei der aktiven Zone (7) in der Hauptstrahlrichtung (15) eine reflexionsmindernde Schichtenfolge (16) nachgeordnet ist, enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge einen aus mindestens einem Schichtpaar (11, 12) gebildeten DBR-Spiegel (13), eine dem DBR-Spiegel (13) in der Hauptstrahlrichtung (15) nachfolgende Vergütungsschicht (9) und eine zwischen dem DBR-Spiegel (13) und der Vergütungsschicht (9) angeordnete Zwischenschicht (14).

Description

Beschreibung
Lumineszenzdiode mit einer reflexionsmindernden Schichtenfolge
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldungen 10 2004 037 100.8 und 10 2004 040 986.4, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Die Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiode nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Zur Steigerung der Effizienz wird in Lumineszenzdioden oftmals ein DBR-Spiegel (Distributed Bragg Reflection) verwendet. Ein DBR-Spiegel enthält in der Regel mehrere Schichtpaare aus epitaktisch hergestellten Halbleiterschichten, die sich in ihrem Brechungsindex unterscheiden und deren optische Dicke, also das Produkt aus dem Brechungsindex der jeweiligen Schicht mit der Schichtdicke, jeweils einem Viertel der Wellenlänge der von der Lumineszenzdiode emittierten Strahlung entspricht. Durch die Anordnung eines derartigen DBR-Spiegels zwischen dem Substrat der Lumineszenzdiode und der aktiven Schicht kann insbesondere erreicht werden, dass in die Richtung des Substrats emittierte Strahlung zurückreflektiert wird, wodurch Verluste durch Absorption im Substrat vermindert werden.
Allerdings weist auch die zur Strahlungsauskopplung vorgesehene Chipoberfläche aufgrund der Brechungsindexdifferenz zum Umgebungsmedium, das eine Vergussmasse, insbesondere ein Epoxidharz, sein kann, eine gewisse Reflektivität auf, so dass im Zusammenwirken mit dem DBR-Spiegel ein Resonator entsteht. Durch diesen Resonator können unerwünschte Resonanzen im Emissionsspektrum der Lumineszenzdiode auftreten. Der Resonanzeffekt kann sogar dazu führen, dass das Emissionsspektrum der Lumineszenzdiode mehrere Intensitätsmaxima bei verschiedenen Wellenlängen und/oder Emissionswinkeln aufweist. Dies wirkt sich bei Anwendungen von Lumineszenzdioden in optischen Messverfahren besonders störend aus.
Zwar mittein sich diese Resonanzen bei einer integralen Messung des Emissionsspektrums über einen breiten Winkelbereich in der Regel aus, da das Resonanzspektrum des Resonators stark winkelabhängig ist. Die Resonanzen werden aber erfasst, wenn das in einen kleinen Raumwinkelbereich emittierte Licht detektiert wird. Bei Messverfahren mit geringer numerischer Apertur, bei denen also die von einer Lumineszenzdiode emittierte Strahlung in einem kleinen Winkelbereich detektiert wird, ist es daher wünschenswert, derartige Resonanzen zu vermeiden.
Das Problem unerwünschter Resonanzen wird bei herkömmlichen Lumineszenzdioden beispielsweise durch das Aufwachsen relativ dicker Schichten, sogenannter Fensterschichten, oberhalb der aktiven Zone vermindert. Derartige Fensterschichten dienen sowohl zur Stromaufweitung als auch zur Lichtauskopplung. Aufgrund der Dicke der Schichten liegen die Resonanzen spektral so dicht beieinander, dass sie sich in Anwendungen in der Regel nicht störend auswirken. Solche Schichten sind auch häufig nicht planar, entweder als Folge bestimmter Prozessierungsschritte oder durch das Schichtwachstum selbst bedingt, wodurch den Resonanzen ebenfalls entgegengewirkt wird. Allerdings ist das Aufwachsen derartiger dicker Schichten mit einem hohen Herstellungsaufwand und damit hohen Kosten verbunden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Lumineszenzdiode anzugeben, bei der Resonanzen im Emissionsspektrum mit einem verhältnismäßig geringen Herstellungsaufwand vermindert sind.
Diese Aufgabe wird durch eine Lumineszenzdiode mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Bei einer Lumineszenzdiode mit einer aktiven Zone, die elektromagnetische Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung emittiert, wobei der aktiven Zone in der Hauptstrahlrichtung eine reflexionsmindernde Schichtenfolge nachgeordnet ist, enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge gemäß der Erfindung einen aus mindestens einem Schichtpaar gebildeten DBR-Spiegel, eine dem DBR-Spiegel in der Hauptstrahlrichtung nachfolgende Vergütungsschicht, und eine zwischen dem DBR- Spiegel und der Vergütungsschicht angeordnete Zwischenschicht .
Mit einer derartigen reflexionsmindernden Schichtenfolge wird die Reflektivität der oberhalb der aktiven Zone angeordneten Schichten derart reduziert, dass ungewünschte Resonanzen im Emissionsspektrum der Lumineszenzdiode weitestgehend vermieden werden.
Die Restreflektivität der reflexionsmindernden Schichtenfolge hängt insbesondere von der Anzahl der Schichtpaare des DBR- Spiegels ab. Es hat sich als vorteilhaft herausgestellt, wenn dieser aus zwischen einschließlich einem und einschließlich zehn Schichtpaaren, besonders bevorzugt zwischen einschließlich einem und einschließlich vier Schichtpaaren gebildet ist.
Die optische Dicke der Zwischenschicht ist vorzugsweise gleich der halben Wellenlänge der emittierten Strahlung. Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn die optische Dicke der Vergütungsschicht gleich einem ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der Wellenlänge λ der emittierten Strahlung, also beispielsweise 1/4 λ, 3/4 λ oder 5/4 λ, ist. Mit diesen Schichtdicken lässt sich eine besonders gute Entspiegelung erzielen.
Die Zwischenschicht ist bevorzugt eine Halbleiterschicht und kann mit vorteilhaft geringem Herstellungsaufwand direkt auf den Halbleiterschichten des DBR-Spiegels epitaktisch aufgewachsen werden.
Die Vergütungsschicht ist zum Beispiel eine dielektrische Schicht und kann insbesondere ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid enthalten. Auch ein strahlungsdurchlässiges leitfähiges Oxid (TCO-transparent conductive oxide) , insbesondere ZnO, ist geeignet. Weiterhin kann die Vergütungsschicht dotiert sein, beispielsweise mit Aluminium. Dies ist insbesondere dann von Vorteil, wenn Teilbereiche der Vergütungsschicht mit elektrischen Kontakten versehen sind, da die Vergütungsschicht in diesem Fall gleichzeitig als Stromaufweitungsschicht wirken kann. Eine Al-dotierte ZnO- Schicht ist hierzu besonders geeignet. Weiterhin kann die Vergütungsschicht auch einen ohmschen Kontakt zu der darunter liegenden Zwischenschicht ausbilden. Die Lumineszenzdiode ist bevorzugt in eine Vergussmasse, beispielsweise ein Epoxidharz, eingebettet. Dadurch wird einerseits die Brechungsindexdifferenz zu einem Umgebungsmedium vermindert und andererseits die Lumineszenzdiode vor Umwelteinflüssen geschützt. Weiterhin kann die Vergussmasse auch ein Lumineszenz- Konversionsmaterial enthalten, um die Wellenlänge der von der Lumineszenzdiode emittierten Strahlung größeren Wellenlängen hin zu verschieben. Geeignete Lumineszenz- Konversionsmaterialien, wie etwa YAG:CE (Y3Al5Oi2:Ce3+) , sind zum Beispiel in der WO 98/12757 beschrieben, deren Inhalt insofern hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.
Besonders vorteilhaft ist die erfindungsgemäße reflexionsmindernde Schichtenfolge für Lumineszenzdioden, bei denen zwischen einem Substrat und der aktiven Zone ein zweiter Spiegel, insbesondere ein zweiter DBR-Spiegel, angeordnet ist. In diesem Fall wird ein Eindringen der von der Lumineszenzdiode emittierten Strahlung in das Substrat durch den zweiten Spiegel verhindert, wobei durch die reflexionsmindernde Schichtenfolge gleichzeitig die Gefahr des Auftretens von unerwünschten Resonanzen im
Emissionsspektrum im Vergleich zu Lumineszenzdioden, die keine oder eine herkömmliche Entspiegelung aufweisen, reduziert wird. Die Wirkung der erfindungsgemäßen reflexionsmindernden Schichtenfolge ist dabei unabhängig von dem Abstand der reflexionsmindernden Schichtenfolge zu dem zweiten Spiegel und/oder zur aktiven Zone.
Die Erfindung ist aber nicht auf Lumineszenzdioden, die ein Substrat und einen darauf aufgebrachten zweiten Spiegel aufweisen, beschränkt. Vielmehr kann die Lumineszenzdiode auch einen sogenannten Dünnfilm-Halbleiterkörper umfassen, bei dem eine auf ein Wachstumssubstrat aufgewachsene Epitaxieschichtenfolge von dem Wachstumssubstrat getrennt und auf einen Trägerkörper montiert wurde. Oftmals enthalten solche Dünnfilm-Halbleiterkörper auf der dem Trägerkörper zugewandten Seite eine reflektierende Schicht, die mit der gegenüberliegenden, in der Regel zur Strahlungsauskopplung vorgesehenen Oberfläche ebenfalls einen Resonator ausbilden kann.
Die Gesamtdicke der reflexionsmindernden Schichtenfolge beträgt vorteilhaft weniger als 2000 nm. Dadurch ist der Herstellungsaufwand im Vergleich zu Lumineszenzdioden, bei denen unerwünschte Resonanzen im Emissionsspektrum durch das Aufbringen sehr dicker Schichten vermindert werden, vergleichsweise gering.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von
Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den Figuren 1 bis 6 näher erläutert.
Es zeigen:
Figur 1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein Ausführungsbeispiel einer Lumineszenzdiode gemäß der Erfindung,
Figur 2 eine graphische Darstellung der Reflektivität R einer reflexionsmindernden Schichtenfolge in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für verschiedene Anzahlen von Schichtpaaren des DBR-Spiegels bei Verwendung einer SiN-Vergütungsschicht,
Figur 3 eine graphische Darstellung der Reflektivität R einer reflexionsmindernden Schichtenfolge in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für verschiedene Anzahlen von Schichtpaaren des DBR-Spiegels bei Verwendung einer ZnO-Vergütungsschicht,
Figur 4 eine graphische Darstellung der Intensität I der emittierten Strahlung in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ ohne Berücksichtigung von Reflexionsverlusten, bei Verwendung einer herkömmlichen Entspiegelungsschicht und bei Verwendung einer reflexionsmindernden Schichtenfolge gemäß der Erfindung mit einer SiN-Vergütung,
Figur 5 eine graphische Darstellung der Intensität I der emittierten Strahlung in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ ohne Berücksichtigung von Reflexionsverlusten, bei Verwendung einer herkömmlichen Entspiegelungsschicht und bei Verwendung einer reflexionsmindernden Schichtenfolge gemäß der Erfindung mit einer ZnO-Vergütung, und
Figur 6 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch eine Lumineszenzdiode gemäß dem Stand der Technik.
Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die in der Figur 6 dargestellte dem Stand der Technik entsprechende Lumineszenzdiode 17 enthält ein Substrat 2 und einen auf das Substrat 2 aufgebrachten DBR-Spiegel 5, der aus einer Mehrzahl von Schichtpaaren der epitaktisch aufgebrachten Halbleiterschichten 3 und 4 gebildet wird. Durch den DBR-Spiegel 5 wird in Richtung des Substrats 2 emittierte Strahlung zurückreflektiert. Weiterhin enthält die Lumineszenzdiode eine Strahlungsemittierende aktive Zone 7, die zwischen Mantelschichten 6, 8 angeordnet ist und Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung 15 emittiert. Die Lumineszenzdiode 17 ist in eine Vergussmasse 10 eingebettet. Um Reflexionsverluste an der Grenzfläche zwischen dem Halbleitermaterial und der Vergussmasse 10 zu verringern, ist eine Vergütungsschicht 9 vorgesehen. Trotz der Vergütungsschicht 9 kann durch die Restreflektivität an den Grenzflächen zwischen der Vergütungsschicht 9 und der Vergussmasse 10 und/oder der Grenzfläche zwischen der Vergussmasse 10 und einem Umgebungsmedium, zum Beispiel Luft, in Verbindung mit dem DBR-Spiegel 5 ein Resonator entstehen, wodurch unerwünschte Resonanzen im Emissionsspektrum der Lumineszenzdiode auftreten können.
Die in der Figur 1 dargestellte Lumineszenzdiode 1 gemäß der Erfindung enthält ein Substrat 2, bei dem es sich zum Beispiel um ein GaAs-Substrat handeln kann. Auf das Substrat ist ein DBR-Spiegel 5 aufgebracht, der aus einer Mehrzahl von Schichtpaaren der epitaktisch aufgebrachten Halbleiterschichten 3 und 4 gebildet wird. Ein Schichtpaar kann zum Beispiel jeweils eine Al0.5Ga0.5As-Schicht 3 und eine Al0.95Ga0.05AS-Schicht 4 enthalten. Die Anzahl der Schichtpaare des DBR-Spiegels 5 beträgt beispielsweise etwa 20.
Durch den DBR-Spiegel 5 wird in Richtung des Substrats 2 emittierte Strahlung zurückreflektiert. Auf diese Weise werden die Intensität der in die Hauptstrahlrichtung 15 emittierten Strahlung erhöht und Absorptionsverluste im Substrat 2 vermindert .
Weiterhin enthält die Lumineszenzdiode 1 eine Strahlungsemittierende aktive Zone 7. Diese kann beispielsweise eine etwa 0,2 μm dicke Schicht aus Ini-χ-yGaxAlyP mit O≤x≤l, O≤y≤l und x+y<l enthalten, um eine Emissionswellenlänge von etwa 600 nm zu erzielen. Alternativ kann die aktive Zone auch andere Halbleitermaterialien enthalten und eine andere Emissionswellenlänge aufweisen. Die aktive Zone 7 ist zum Beispiel zwischen einer p-Typ Mantelschicht 6 und einer n-Typ Mantelschicht 8 angeordnet, die jeweils eine Dicke von etwa 0,8 μm aufweisen.
Die Lumineszenzdiode 1 kann beispielsweise in eine Vergussmasse 10, insbesondere ein Epoxidharz, eingebettet sein.
Um unerwünschte Resonanzen im Emissionsspektrum zu vermeiden, enthält die erfindungsgemäße Lumineszenzdiode 1 eine reflexionsmindernde Schichtenfolge 16. Die reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 enthält einen der aktiven Zone 7 in der Hauptstrahlrichtung 15 nachfolgenden DBR-Spiegel 13, der aus einem oder mehreren Schichtpaaren gebildet ist. Der DBR-Spiegel 13 ist vorteilhaft aus epitaktisch aufgewachsenen Halbleiterschichten 11, 12 hergestellt, deren optische Dicke einem Viertel der Wellenlänge der emittierten Strahlung entspricht. Beispielsweise kann der DBR-Spiegel 13 aus mindestens einem Schichtpaar aus jeweils einer Alo.sGao.sAs-Halbleiterschicht 11 und einer Alo.gsGao.osAs-Halbleiterschicht 12 hergestellt sein.
Weiterhin enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 eine an die Vergussmasse angrenzende Vergütungsschicht 9, deren optische Dicke ebenfalls vorzugsweise einem Viertel der Wellenlänge der emittierten Strahlung, oder alternativ einem anderen ungeradzahligen Vielfachen der Wellenlängen λ wie zum Beispiel 3/4 λ oder 5/4 λ, entspricht. Die Vergütungsschicht kann insbesondere ein Siliziumnitrid, ein Siliziumoxid oder ein Zinkoxid enthalten. Zwischen dem DBR-Spiegel 13 und der Vergütungsschicht 9 enthält die reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 eine Zwischenschicht 14, die zum Beispiel Alo.5Gao.5As enthält und eine optische Dicke aufweist, die in etwa der Hälfte der Wellenlänge der emittierten Strahlung entspricht. Die reflexionsmindernde Schichtenfolge bildet auf diese Weise einen reflexionsmindernden Resonator aus.
Die Verminderung der Reflexion durch die erfindungsgemäße reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 hängt entscheidend von der Anzahl der Schichtpaare des DBR-Spiegels 13 ab. Dies wird in der nachfolgend dargestellten Simulation der Reflektivität der oberhalb der aktiven Zone 7 angeordneten Schichten verdeutlicht .
In Fig. 2 ist eine Simulation der Reflektivität R einer reflexionsmindernden Schichtenfolge in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für verschiedene Anzahlen von Schichtpaaren des DBR-Spiegels dargestellt. Bei der Simulation wurde angenommen, dass die Vergütungsschicht 9 eine SiN-Schicht mit dem Brechungsindex n = 2,05 ist. Simuliert wurde die Reflektivität R in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ ohne einen DBR-Spiegel (Kurve 18) , für einen DBR-Spiegel 13 mit einem Schichtpaar (Kurve 19) , mit zwei Schichtpaaren (Kurve 20) und mit drei Schichtpaaren (Kurve 21) . Die optimale Entspiegelung wird demnach mit einem DBR-Spiegel 13 erreicht, der nur ein Schichtpaar enthält .
In Fig. 3 ist eine Simulation der Reflektivität R einer reflexionsmindernden Schichtenfolge in Abhängigkeit von der Wellenlänge λ für verschiedene Anzahlen von Schichtpaaren des DBR-Spiegels dargestellt, wobei der Simulation zugrundegelegt wurde, dass die Vergütungsschicht 9 mit Al dotiertes ZnO mit einem Brechungsindex n = 1,85 enthält. Die Reflektivität der oberhalb der aktiven Zone 7 angeordneten Schichten wurde ohne DBR-Spiegel (Kurve 22) , mit einem DBR-Spiegel mit einem Schichtpaar (Kurve 23) , mit zwei Schichtpaaren (Kurve 24) , mit drei Schichtpaaren (Kurve 25) und mit vier Schichtpaaren (Kurve 26) simuliert. Die Simulationsrechnungen verdeutlichen, dass in diesem Fall die beste Entspiegelung mit einem DBR-Spiegel 13 mit zwei Schichtpaaren erreicht wird.
Im allgemeinen muss ähnlich einem symmetrischen Fabry-Perot- Resonator der DBR-Spiegel 13 in etwa die gleiche Reflektivität aufweisen wie ein äußerer Reflektor, der aus den Schichtübergängen zwischen der Zwischenschicht 14 und der Vergütungsschicht 9 sowie zwischen der Vergütungsschicht und der Vergussmasse 10 gebildet wird, um die Restreflektivität zu minimieren. Aus diesem Grund ist bei dem
Ausführungsbeispiel mit einer Vergütungsschicht 9 aus ZnO im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel mit einer Vergütungsschicht aus SiN ein zusätzliches Schichtpaar erforderlich. Da ZnO einen geringeren Brechungsindex aufweist als SiN, ist die Differenz des Brechungsindex der Vergütungsschicht 9 zu der angrenzenden Zwischenschicht 14 größer, wodurch die Reflektivität des äußeren Reflektors erhöht wird. Durch das zusätzliche Schichtpaar im DBR-Spiegel 13 wird in diesem Fall eine Anpassung der Reflektivität des DBR-Spiegels 13 an den äußeren Reflektor erreicht.
Zur Erzielung einer optimalen Entspiegelung kann der DBR- Spiegel 13 auch Schichten 11,12 enthalten, deren optische Dicken von λ/4 abweichen. Die Dicke der Schicht 11 könnte zum Beispiel 1,2 λ/4 und die Dicke der Schicht 12 0,8 λ/4 betragen. Auch auf diese Weise kann die Reflektivität des DBR-Spiegels 13 an die Reflektivität des äußeren Reflektors angepasst werden. Alternativ könnte auch die
Brechungsindexdifferenz der Schichten 11,12 des DBR-Spiegels 13 variiert werden, um eine optimale Entspiegelung zu erzielen. Dies ist beispielsweise bei AlGaAs- Halbleiterschichten durch eine Variation des Al-Gehalts möglich.
In Figur 4 ist eine Simulation der Intensität I der Emission (in beliebigen Einheiten) für eine Lumineszenzdiode mit einer SiN-Vergütung dargestellt. Während das Emissionsspektrum ohne einen erfindungsgemäßen DBR-Spiegel 13 (Kurve 27) deutlich von Resonanzen beeinflusst wird, weicht das Emissionsspektrum einer Lumineszenzdiode mit einer erfindungsgemäßen reflexionsmindernden Schichtenfolge, das in Kurve 28 dargestellt ist, nur unwesentlich von dem in Kurve 29 dargestellten Emissionsspektrum ab, bei dem keine äußeren Reflexionen berücksichtigt wurden.
Noch deutlicher zeigt sich der Effekt der erfindungsgemäßen reflexionsmindernden Schichtenfolge 16 in den in Figur 5 dargestellten Emissionsspektren einer Lumineszenzdiode mit einer Vergütungsschicht 9 aus ZnO. Während das in der Kurve 30 simulierte Emissionsspektrum ohne eine erfindungsgemäße reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 zwei Maxima aufweist, zeigt das in der Kurve 31 simulierte Emissionsspektrum mit einer erfindungsgemäßen reflexionsmindernden Schichtenfolge 16 einen ähnlichen Verlauf wie das in der Kurve 32 simulierte Emissionsspektrum der aktiven Zone 7 ohne Berücksichtigung äußerer Einflüsse. Die erfindungsgemäße reflexionsmindernde Schichtenfolge 16 ist insbesondere deshalb vorteilhaft, da sich zweifache oder sogar mehrfache Maxima im Emissionsspektrum beim Einsatz einer Lumineszenzdiode in präzisen optischen Messverfahren als sehr störend erweisen, insbesondere bei Messverfahren, bei denen differentielle Signale erfasst werden, beispielsweise bei Temperatur- oder Wärmewiderstandsmessverfahren.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.

Claims

Patentansprüche
1. Lumineszenzdiode (1) mit einer aktiven Zone (7) , die elektromagnetische Strahlung in eine Hauptstrahlrichtung
(15) emittiert, wobei der aktiven Zone (7) in der Hauptstrahlrichtung (15) eine reflexionsmindernde Schichtenfolge (16) nachgeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die reflexionsmindernde Schichtenfolge (16)
- einen aus mindestens einem Schichtpaar (11,12) gebildeten DBR-Spiegel (13) ,
- eine dem DBR-Spiegel (13) in der Hauptstrahlrichtung (15) nachfolgende Vergütungsschicht (9) , und
- eine zwischen dem DBR-Spiegel (13) und der Vergütungsschicht (9) angeordnete Zwischenschicht (14) enthält .
2. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der DBR-Spiegel (13) aus zwischen einschließlich 1 und einschließlich 10 Schichtpaaren (11, 12) gebildet ist.
3. Lumineszenzdiode nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Dicke der Zwischenschicht (14) gleich der halben Wellenlänge der emittierten Strahlung ist.
4. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die optische Dicke der Vergütungsschicht (9) gleich einem ungeradzahligen Vielfachen eines Viertels der Wellenlänge der emittierten Strahlung ist.
5. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergütungsschicht (9) eine dielektrische Schicht ist.
6. Lumineszenzdiode nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergütungsschicht (9) ein Siliziumoxid oder ein Siliziumnitrid enthält.
7. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergütungsschicht (9) ein strahlungsdurchlässiges leitfähiges Oxid enthält.
8. Lumineszenzdiode nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass das strahlungsdurchlässige leitfähige Oxid ZnO enthält.
9. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergütungsschicht (9) dotiert ist.
10. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Zwischenschicht (14) eine Halbleiterschicht ist.
11. Lumineszenzdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergütungsschicht (9) einen ohmschen Kontakt mit der Zwischenschicht (14) ausbildet.
12. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lumineszenzdiode (1) in eine Vergussmasse (10) eingebettet ist .
13. Lumineszenzdiode nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse (10) ein Epoxidharz ist.
14. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gesamtdicke der reflexionsmindernden Schichtenfolge
(16) weniger als 2000 nm beträgt.
15. Lumineszenzdiode nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lumineszenzdiode (1) ein Substrat (2) aufweist und zwischen dem Substrat (2) und der aktiven Zone (7) ein zweiter Spiegel (5) angeordnet ist.
16. Lumineszenzdiode nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass der zweite Spiegel (5) ein DBR-Spiegel ist.
17. Lumineszenzdiode nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Lumineszenzdiode (1) einen Dünnfilm-Halbleiterkörper umfasst.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278355A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Fujifilm Corp 発光デバイス
TW201307460A (zh) * 2011-08-01 2013-02-16 W Green Technology Corp Sa 具特定區段波長匹配折射率之材料組成物

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5404282A (en) * 1993-09-17 1995-04-04 Hewlett-Packard Company Multiple light emitting diode module
US5397920A (en) * 1994-03-24 1995-03-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production
WO1997048138A2 (en) * 1996-06-11 1997-12-18 Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
US6055262A (en) * 1997-06-11 2000-04-25 Honeywell Inc. Resonant reflector for improved optoelectronic device performance and enhanced applicability
US6097041A (en) * 1998-08-24 2000-08-01 Kingmax Technology Inc. Light-emitting diode with anti-reflector
JP2001223384A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Toshiba Corp 半導体発光素子
JP2002026385A (ja) 2000-07-06 2002-01-25 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオード
US6542531B2 (en) * 2001-03-15 2003-04-01 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Vertical cavity surface emitting laser and a method of fabrication thereof
US6546029B2 (en) * 2001-03-15 2003-04-08 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Micro-electromechanically tunable vertical cavity photonic device and a method of fabrication thereof
JP4048056B2 (ja) 2002-01-15 2008-02-13 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP2004031513A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Sharp Corp 半導体発光素子
TW200409378A (en) * 2002-11-25 2004-06-01 Super Nova Optoelectronics Corp GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof
JP2005340567A (ja) * 2004-05-28 2005-12-08 Fuji Xerox Co Ltd 表面発光型半導体レーザ素子およびその製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO2006012818A2 *

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KR101145541B1 (ko) 2012-05-15
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TWI305692B (en) 2009-01-21
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