EP1421226A1 - Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid - Google Patents
Verfahren zum abscheiden von siliziumnitridInfo
- Publication number
- EP1421226A1 EP1421226A1 EP02758166A EP02758166A EP1421226A1 EP 1421226 A1 EP1421226 A1 EP 1421226A1 EP 02758166 A EP02758166 A EP 02758166A EP 02758166 A EP02758166 A EP 02758166A EP 1421226 A1 EP1421226 A1 EP 1421226A1
- Authority
- EP
- European Patent Office
- Prior art keywords
- silicon nitride
- silicon
- component
- furnace
- deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 32
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title abstract description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 8
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 abstract description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- -1 hydrogen molecules Chemical class 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N n-(tert-butylamino)silyl-2-methylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)(C)N[SiH2]NC(C)(C)C VYIRVGYSUZPNLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000009420 retrofitting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
Definitions
- the present invention relates to a method for depositing silicon nitride on a substrate, in which the substrate is exposed in a furnace under the action of heat to a flow containing a silicon component and a further component, in particular a nitrogen component.
- silicon nitride has been widely used in semiconductor technology for a long time.
- Two essential areas of application of silicon nitride are the formation of diffusion barriers even for very small molecules, such as hydrogen molecules, and its use as a mask in etching processes due to its etching selectivity compared to silicon dioxide.
- Silicon nitride is usually deposited on a substrate by exposing it to an essentially nitrogen and silicon flow while heating it in an oven. Usually temperatures in the furnace of well over 700 ° C are maintained. The heat budget for the production or deposition of silicon nitride layers is relatively large due to these high temperatures. The heat budget is to be understood as the integral of the amount of heat over time (cf. also US Pat. No. 5,629,043).
- silicon nitrides cannot be used since, as explained above, they hinder the penetration of hydrogen through a layer formed by them. This means that silicon nitride, despite its good properties, such as its etch selectivity to silicon di oxide, or its mechanical stability, can often not be used, since it acts as a diffusion barrier for these very small particles, such as hydrogen molecules in particular.
- BTBAS bis-tertiary-butylamino-silane
- This object is achieved according to the invention in a method of the type mentioned at the outset by setting the temperature in the oven to 600 ° C. to 645 ° C.
- the temperature is about 620 ° C.
- the temperature may at most be 650 ° C.
- an ordinary silicon furnace is used for the Erzeu ⁇ supply of silicon nitride.
- the temperature in the furnace is not set to values above 700 ° C, but only to 600 ° C to 645 ° C and in any case below 650 ° C and in particular to about 620 ° C.
- This reduced temperature means that less heat is consumed in the method according to the invention, that is to say the heat budget is considerably smaller.
- silicon nitride layers produced by the method according to the invention have a significantly higher hydrogen concentration and therefore also behave differently than silicon nitride produced by the conventional furnace process: hydrogen diffusion is not impeded, although the etching selectivity for etching processes is of the same quality as for standard silicon nitride is present.
- the properties of the silicon nitride produced by the method according to the invention are close to those of RTCVD nitrides, but the method according to the invention can be carried out much more simply and therefore less expensively. In particular, it is possible to use any conventional standard silicon nitride furnace, with no cumbersome retrofitting and therefore no additional investments being necessary.
- the silicon nitride is deposited at temperatures between 600 ° C. and 645 ° C. and in any case below 650 ° C. and preferably at about 620 ° C.
- This condition alone is sufficient to ensure a higher hydrogen content in the silicon nitride and thus also a higher permeability for small molecules, such as in particular hydrogen molecules.
- the invention is explained in more detail below with reference to the drawing, in the single figure of which a silicon nitride furnace is shown schematically.
- silicon wafers 2 lie on a base 3 and are heated there by a heating device 4.
- a mixture of dichlorosilane and ammonia flows through the silicon nitride furnace 1, so that silicon nitride is deposited on the surface of the silicon wafer 2.
- ammonia another nitrogen-containing compound can also be used.
- the temperature in the silicon nitride furnace 1 is not, as previously, to values above 700 ° C, but rather to values between 600 ° C and 645 ° C and in any case below 650 ° C, in particular 620 ° C is set.
- the deposition of silicon nitride at these lower temperatures achieves the advantages already mentioned above: the temperature budget is reduced, and the silicon nitride formed at these lower temperatures has a higher hydrogen concentration, so that it remains permeable to hydrogen or small molecules as a whole ,
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid, bei dem die Temperatur in einem Ofen(1) auf Werte unterhalb 650°C eingestellt wird. Das so gebildete Siliziumnitrid ist für kleine Moleküle, wie insbesondere Wasserstoffmoleküle durchlässig und behält dennoch seine Ätzselektivität gegenüber Siliziumdioxid.
Description
Beschreibung
Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid auf einem Substrat, bei dem das Substrat in einem Ofen unter Wärmeeinwirkung einer eine Siliziumkomponente und eine weitere Komponente, insbesondere eine Stickstoffkomponente enthaltenden Strömung ausgesetzt wird.
Bekanntlich wird Siliziumnitrid seit langer Zeit weit verbreitet in der Halbleitertechnik eingesetzt. Zwei wesentliche Anwendungsgebiete von Siliziumnitrid sind dabei die Bil- düng von Diffusionsbarrieren selbst für sehr kleine Moleküle, wie beispielsweise Wasserstoffmoleküle, und sein Einsatz als Maske in Ätzprozessen aufgrund seiner gegenüber Siliziumdioxid vorliegenden Ätzselektivität.
Siliziumnitrid wird üblicherweise auf ein Substrat abgeschieden, indem dieses in einem Ofen einer im Wesentlichen Stickstoff und Silizium enthaltenden Strömung bei gleichzeitiger Erwärmung ausgesetzt wird. Üblicherweise werden dabei im Ofen Temperaturen weit über 700 °C aufrechterhalten. Das Wärmebudget für die Erzeugung bzw. Abscheidung von Siliziumnitridschichten ist infolge dieser hohen Temperaturen relativ groß. Unter Wärmebudget ist dabei das Integral der Wärmemenge über der Zeit zu verstehen (vgl. hierzu auch US 5 629 043) .
Bei bestimmten Anwendungen ist es vorteilhaft, Wasserstoff oder andere kleine Teilchen bzw. Moleküle in ein Siliziumsubstrat einzubringen. Soll dies tatsächlich geschehen, so können Siliziumnitride nicht eingesetzt werden, da sie, wie oben erläutert wurde, das Eindringen von Wasserstoff durch eine durch sie gebildete Schicht behindern. Dies bedeutet, dass Siliziumnitrid, trotz seiner guten Eigenschaften, wie beispielsweise seiner Ätzselektivität gegenüber Siliziumdi-
oxid, oder seiner mechanischen Stabilität, oft nicht benutzt werden kann, da es als Diffusionsbarriere für diese sehr kleinen Teilchen, wie insbesondere Wasserstoffmoleküle, wirkt .
Ein anderes, mit der Verwendung von Siliziumnitrid verknüpftes Problem ist das durch die hohe Abscheidungstemperatur bedingte große Wärmebudget. Bei der Entwicklung zahlreicher neuartiger Halbleiterbausteine ist ein solches großes Wärme- budget unerwünscht, da durch dieses die Ergebnisse bereits vorgenommener, vorangehender Schritte gestört oder gar beschädigt werden.
Aus den genannten Gründen wird schon seit geraumer Zeit nach neuartigen Materialien gesucht, bei denen eine Reduzierung des Wärmebudgets möglich ist und die auch die übrigen Vorteile von Siliziumnitrid zeigen. Geeignete Kandidaten für solche Materialien sind insbesondere RTCVD-Nitride (RT = Rapid Thermal; CVD = Chemical Vapour Deposition bzw. chemische Abscheidung aus der Dampfphase) . Diese Materialien sind aber aufgrund von hohen Herstellungs- und Vorhaltekosten äußerst aufwändig. Andere, ins Auge gefasste Materialien beruhen auf neuartigen Precursoren, wie beispielsweise BTBAS (BTBAS = Bis-tertiär-Butylamino-Silan) . Ein derartiger Precursor kann zwar in einem Ofenprozess eingesetzt werden, ist aber wie die RTCVD-Nitride ebenfalls äußerst aufwändig.
Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid anzugeben, das auf einfache Weise durchführbar ist, und bei dem das Siliziumnitrid gegenüber kleinen Molekülen, wie beispielsweise Wasserstoff, durchlässig ist, ohne seine Ätzselektivität in Bezug auf insbesondere Siliziumdioxid zu verlieren.
Diese Aufgabe wird bei einem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass die Temperatur im Ofen auf 600°C bis 645°C eingestellt wird. Vorzugsweise
beträgt dabei die Temperatur etwa 620 °C. Höchstens darf die Temperatur allenfalls 650°C betragen.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird also für die Erzeu¬ gung von Siliziumnitrid ein gewöhnlicher Siliziumofen verwendet. Abweichend vom bisherigen Stand der Technik wird aber die Temperatur im Ofen nicht auf Werte über 700 °C, sondern lediglich auf 600°C bis 645°C und auf jeden Fall unter 650°C und insbesondere auf etwa 620°C eingestellt.
Durch diese reduzierte Temperatur wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren weniger Wärme verbraucht, das heißt, das Wärmebudget ist wesentlich kleiner.
Es hat sich gezeigt, dass durch das erfindungsgemäße Verfahren hergestellte Siliziumnitridschichten eine wesentlich höhere Wasserstoffkonzentration aufweisen und sich dadurch auch anders verhalten als durch den herkömmlichen Ofenpro- zess erzeugtes Siliziumnitrid: eine Wasserstoffdiffusion wird nicht behindert, obwohl die Ätzselektivität für Ätzprozesse in gleicher Qualität wie bei Standardsiliziumnitrid vorliegt. Die Eigenschaften des durch das erfindungsgemäße Verfahren erzeugten Siliziumnitrids liegen nahe bei demjenigen von RTCVD-Nitriden, wobei sich das erfindungsgemäße Ver- fahren aber wesentlich einfacher und damit weniger aufwändig durchführen lässt. Insbesondere ist es möglich, jeden gewöhnlichen Standard-Siliziumnitridofen zu verwenden, wobei keine umständliche Umrüstung und damit auch keine zusätzlichen Investitionen notwendig sind. Entscheidend ist viel- mehr, dass bei dem erfindungsgemäßen Verfahren das Siliziumnitrid bei Temperaturen zwischen 600°C und 645°C und auf jeden Fall unterhalb 650°C und vorzugsweise bei etwa 620°C abgeschieden wird. Allein diese Bedingung genügt, um für einen höheren Wasserstoffgehalt im Siliziumnitrid und damit auch für eine höhere Durchlässigkeit für kleine Moleküle, wie insbesondere Wasserstoffmoleküle zu sorgen.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert, in deren einziger Figur ein Siliziumnitridofen schematisch gezeigt ist.
In einem solchen Siliziumnitridofen 1 liegen Siliziumwafer 2 auf einer Unterlage 3 und werden dort durch eine Heizeinrichtung 4 erwärmt. Durch den Siliziumnitridofen 1 strömt ein Gemisch aus Dichlorsilan und Ammoniak (vgl. den Pfeil), so dass sich auf der Oberfläche der Siliziumwafer 2 Silizi- umnitrid abscheidet. Anstelle von Ammoniak kann auch eine andere Stickstoff enthaltende Verbindung verwendet werden.
Wesentlich an der vorliegenden Erfindung ist nun, dass die Temperatur im Siliziumnitridofen 1 nicht wie bisher auf Wer- te über 700°C, sondern vielmehr auf Werte zwischen 600°C und 645°C und auf jeden Fall unterhalb 650°C, insbesondere 620°C, eingestellt wird. Durch die Abscheidung von Siliziumnitrid bei diesen niedrigeren Temperaturen werden die oben bereits erwähnten Vorteile erzielt: das Temperaturbudget ist reduziert, und das bei diesen niedrigeren Temperaturen gebildete Siliziumnitrid weist eine höhere Wasserstoffkon- zentration auf, so dass es insgesamt für Wasserstoff bzw. kleine Moleküle durchlässig bleibt.
Bezugszeichenliste
1 Siliziumnitridofen
2 Siliziumwafer
3 Unterlage
4 Heizeinrichtung
Claims
1. Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid auf einem Substrat (2) , bei dem das Substrat (2) in einem Ofen (1) un- ter Wärmeeinwirkung (vgl. 4) einer eine Siliziumkomponente und eine weitere Komponente enthaltenden Strömung ausgesetzt wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Temperatur im Ofen (1) auf etwa 600°C bis 645°C eingestellt wird.
2. Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid auf einem Substrat (2), bei dem das Substrat (2) in einem Ofen (1) unter Wärmeeinwirkung (vgl. 4) einer eine Siliziumkomponente und eine Stickstoffkomponente (N2) enthaltenden Strömung ausgesetzt wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Temperatur im Ofen (1) auf höchstens 650°C eingestellt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass die Temperatur auf etwa 620 °C eingestellt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als Siliziumkomponente Dichlorsilan und als Stickstoffkomponente Ammoniak verwendet werden.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als Substrat ein Siliziumsubstrat verwendet wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als weitere Komponente eine Stickstoff enthaltende Komponente verwendet wird.
7. Verfahren nach Anspruch 6, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , dass als die Stickstoff enthaltende Komponente Ammoniak verwendet wird.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10142267 | 2001-08-29 | ||
| DE10142267A DE10142267A1 (de) | 2001-08-29 | 2001-08-29 | Verfahren zum Abscheiden von Siliziumnitrid |
| PCT/DE2002/003138 WO2003025248A1 (de) | 2001-08-29 | 2002-08-27 | Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EP1421226A1 true EP1421226A1 (de) | 2004-05-26 |
Family
ID=7696963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EP02758166A Withdrawn EP1421226A1 (de) | 2001-08-29 | 2002-08-27 | Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20050118336A1 (de) |
| EP (1) | EP1421226A1 (de) |
| KR (1) | KR100623800B1 (de) |
| DE (1) | DE10142267A1 (de) |
| TW (1) | TW578259B (de) |
| WO (1) | WO2003025248A1 (de) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015117991A1 (de) | 2014-02-06 | 2015-08-13 | Kgt Graphit Technologie Gmbh | Schutzschicht für pecvd-boote aus graphit |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2932569C2 (de) * | 1979-08-10 | 1983-04-07 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Reduzierung der Dichte der schnellen Oberflächenzustände bei MOS-Bauelementen |
| JPH02138471A (ja) * | 1988-11-18 | 1990-05-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜の製造方法 |
| EP0423884A1 (de) * | 1989-10-16 | 1991-04-24 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren zur Abscheidung von Siliziumnitridschichten auf Glassubstraten |
| JPH08167605A (ja) * | 1994-12-15 | 1996-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | シリコン窒化膜の製造方法 |
| AU1592899A (en) * | 1997-12-02 | 1999-06-16 | Gelest, Inc. | Silicon based films formed from iodosilane precursors and method of making th e same |
| JP2000080476A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-03-21 | Toshiba Corp | 気相成長方法および気相成長装置およびハロゲン化アンモニウム除去装置 |
| US6153261A (en) * | 1999-05-28 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Dielectric film deposition employing a bistertiarybutylaminesilane precursor |
| JP2002076308A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6268299B1 (en) * | 2000-09-25 | 2001-07-31 | International Business Machines Corporation | Variable stoichiometry silicon nitride barrier films for tunable etch selectivity and enhanced hyrogen permeability |
| EP1199743A3 (de) * | 2000-10-17 | 2004-06-30 | Texas Instruments Deutschland Gmbh | Methode zur Herstellung eines Schichtenstapels auf einem Halbleitersubtsrat bestehend aus einer Si3N4 Schicht und einer darüberliegenden SiO2 Schicht |
-
2001
- 2001-08-29 DE DE10142267A patent/DE10142267A1/de not_active Ceased
-
2002
- 2002-08-27 US US10/487,952 patent/US20050118336A1/en not_active Abandoned
- 2002-08-27 WO PCT/DE2002/003138 patent/WO2003025248A1/de not_active Ceased
- 2002-08-27 KR KR1020047002992A patent/KR100623800B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-27 EP EP02758166A patent/EP1421226A1/de not_active Withdrawn
- 2002-08-29 TW TW091119664A patent/TW578259B/zh not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| See references of WO03025248A1 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003025248A1 (de) | 2003-03-27 |
| KR20040044510A (ko) | 2004-05-28 |
| DE10142267A1 (de) | 2003-03-27 |
| KR100623800B1 (ko) | 2006-09-14 |
| TW578259B (en) | 2004-03-01 |
| US20050118336A1 (en) | 2005-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE4440857C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode einer Halbleitervorrichtung | |
| DE19829309B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines thermischen Oxidfilms auf Siliciumcarbid | |
| DE69205938T2 (de) | Verfahren zur Bildung einer Nitridschicht mit Benutzung von vorgewärmtem Ammoniak. | |
| DE69329233T2 (de) | Wärmebehandlung einer halbleiterscheibe | |
| DE60023573T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit Tantalpentoxid in einem integrierten Schaltkreis | |
| DE69206808T2 (de) | Verfahren zur herstellung von titannitridfilmen mit geringem spezifischem widerstand | |
| DE3709066C2 (de) | ||
| DE2618733C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
| DE69906033T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines nitridfilms aus drei komponenten der metall und silizium enthält | |
| DE10065454B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Aluminiumoxidfilms zur Verwendung in einem Halbleitergerät | |
| DE10123858A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Silicium-haltigen Dünnschichten durch Atomschicht-Abscheidung mittels SI2CL6 und NH3 | |
| DE3781312T2 (de) | Verfahren zur haftung einer schicht aus einem metall mit hohem schmelzpunkt auf einem substrat. | |
| DE2110289C3 (de) | Verfahren zum Niederschlagen von Halbleitermaterial und Vorrichtung zu seiner Durchführung | |
| DE112010004736T5 (de) | Aufnahmefür cvd und verfahren zur herstellung eines films unterverwendung derselben | |
| DE2161055A1 (de) | Verfahren zum Niederschlagen eines hitzebeständigen Metalls | |
| DE69128210T2 (de) | Verfahren zum Herstellen Siliciumnitrid dünner Filme und Verfahren zum Herstellen eines Dünnfilmtransistors unter Verwendung Siliciumnitrid dünner Filme | |
| EP3211114A1 (de) | Bauteil aus einer molybdän-legierung und verfahren zur ausbildung einer oxidationsschutzschicht dafür | |
| DE2217737B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leitungssystems | |
| DE2052221C3 (de) | Verfahren zum Erzeugen einer Siliciumoxidschicht auf einem Süiciumsubstrat und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens | |
| DE10236896A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum thermischen Behandeln von Halbleiterwafern | |
| DE1817354A1 (de) | Halbleitervorrichtung | |
| EP1421226A1 (de) | Verfahren zum abscheiden von siliziumnitrid | |
| EP0928498B1 (de) | Verfahren zum erzeugen einer titanmonophosphidschicht und ihre verwendung | |
| DE10245553A1 (de) | Verfahren und Ofen zur Gasphasenabscheidung von Komponenten auf Halbleitersubstrate mit veränderbarer Hauptstromrichtung des Prozessgases | |
| DE2200623A1 (de) | Verfahren zum Eindiffundieren einer Verunreinigung in einen Halbleiterkoerper |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PUAI | Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase |
Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012 |
|
| 17P | Request for examination filed |
Effective date: 20040226 |
|
| AK | Designated contracting states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB IE IT |
|
| RIN1 | Information on inventor provided before grant (corrected) |
Inventor name: OTTENWAELDER, DIETMAR Inventor name: STADTMUELLER, MICHAEL Inventor name: MORGENSCHWEIS, ANJA Inventor name: BERNHARDT, HENRY |
|
| GRAP | Despatch of communication of intention to grant a patent |
Free format text: ORIGINAL CODE: EPIDOSNIGR1 |
|
| STAA | Information on the status of an ep patent application or granted ep patent |
Free format text: STATUS: THE APPLICATION IS DEEMED TO BE WITHDRAWN |
|
| 18D | Application deemed to be withdrawn |
Effective date: 20080815 |