EP1368894A1 - Mit akustischen wellen arbeitende wandlerstruktur - Google Patents

Mit akustischen wellen arbeitende wandlerstruktur

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Publication number
EP1368894A1
EP1368894A1 EP02721986A EP02721986A EP1368894A1 EP 1368894 A1 EP1368894 A1 EP 1368894A1 EP 02721986 A EP02721986 A EP 02721986A EP 02721986 A EP02721986 A EP 02721986A EP 1368894 A1 EP1368894 A1 EP 1368894A1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
transducer
structure according
finger
idt
interdigital
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
EP02721986A
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Thomas Bauer
Martin BÜNNER
Andreas Detlefsen
Dietmar Ritter
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Electronics AG
Original Assignee
Epcos AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Epcos AG filed Critical Epcos AG
Publication of EP1368894A1 publication Critical patent/EP1368894A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H03H9/14544—Transducers of particular shape or position
    • H03H9/14555—Chirped transducers

Definitions

  • the invention relates to a transducer structure working with acoustic waves, in particular for a surface wave filter (SAW or SAW filter) or an S-BAR filter (bulk acoustic wave resonator).
  • a surface wave filter SAW or SAW filter
  • S-BAR filter bulk acoustic wave resonator
  • transducer structures for example SAW resonators
  • SAW resonators are used as impedance elements with acoustic waves.
  • Such a resonator is constructed from metallic electrode structures on the surface of a piezoelectric substrate and has an interdigital transducer with at least two connections, which is generally arranged between two reflectors.
  • Known resonators have interdigital transducers which are characterized by a finger period and finger width which are homogeneous over the entire transducer. Each resonator has a so-called resonance and an anti-resonance frequency. The frequency position and the intensity of resonance and anti-resonance can be influenced by varying the apertures, the number of fingers and the finger period. The frequency spacing between the resonance and anti-resonance frequencies and their shape is retained.
  • the resonators are used as impedance elements and connected to form a ladder-like arrangement.
  • resonators are arranged in a serial and at least one, but preferably a plurality of parallel branches.
  • the resonance frequency of a resonator in the serial branch is set so that it approximately corresponds to the anti-resonance frequency of a resonator in the parallel branch.
  • More complex filters with a plurality of parallel branches and serial resonators arranged in between can be constructed from a plurality of basic elements, each comprising a parallel and a serial resonator.
  • the interaction of the resonances of the individual resonators produces a desired band-pass retention of the filter.
  • the resonance frequencies of the individual resonators and the intensity of the resonances are suitably set.
  • finger periods, number of fingers and apertures of the individual resonators are the known degrees of freedom.
  • An ideal filter has good electrical adaptation, good damping behavior in the stop band and the lowest possible insertion loss in the pass band. It is disadvantageous, however, that the properties mentioned cannot usually be optimized at the same time, so that only a suitable combination of properties can always be obtained, but not an optimal filter in all properties.
  • broadband filters that have a relative bandwidth of more than 2% or with filters that are built on substrates with low electro-acoustic coupling, for example on LiTaC> 3 in conjunction with a small layer thickness or on quartz, optimization only at a non-optimal level Filters with unsatisfactory properties.
  • the object of the present invention is to provide a transducer structure which operates with acoustic waves and which has at least one further degree of freedom in the
  • a transducer structure has one or more between
  • Interdigital transducers arranged on reflectors. These in turn include electrode fingers connected to bus bars, that mesh like a comb.
  • the filter can be a DMS, a TCF or a reactance filter.
  • the reflection at the input or output of the filter can be minimized with a transducer structure with a varying finger period.
  • the standing wave ratio can be reduced in the case of a reactance filter used in the high frequency range.
  • the resonators according to the invention can be used to construct reactance filters which have an improved passband and in particular an improved insertion loss.
  • the finger spacing can be varied in such a way that the concrete values for the finger spacing (finger periods) plotted over the length of the interdigital transducer come to lie on a curve corresponding to a continuous function.
  • the concrete values for the finger spacing at a point x thus correspond to those scanned at point x
  • a quasi-continuous function is preferably selected. Such a function shows no jumps.
  • a further advantageous variation of the finger spacing is obtained if the said distribution of the finger spacing over the length of the transducer follows a function which is symmetrical about an axis perpendicular to the direction of wave propagation, the axis preferably being in the vicinity of the center of the transducer.
  • a function is preferably selected which has a maximum at the mirror axis.
  • a simple variation of the finger spacing over the length of the interdigital transducer follows a linear function in which the finger spacing increases or decreases linearly in one direction.
  • the distribution of the finger distances can be such that the increase takes place from one end to the other end of the interdigital transducer, or that the increase or decrease takes place up to the mirror axis in order to then decrease or increase again.
  • the finger distances are varied by a mean value up to a maximum of +/- 2.5%, so that there is a maximum difference of 5% between two finger distances.
  • interdigital converters according to the invention have maximum differences of 2 to 3%, for example of 3%.
  • Advantageous improvements in reactance filters are already achieved with fewer differences than, for example, strain gauge filters. The latter can take full advantage of the specified range of variation and have a difference of up to 5%.
  • a resonator according to the invention results from an additional variation in the finger widths of the electrode fingers over the length of the interdigital transducer.
  • This variation also preferably follows a continuous function.
  • the finger widths can be varied so that the metallization ratio remains constant over the length of the transducer.
  • the metallization ratio increases or decreases continuously over the length of the transducer or in which the metallization ratio of the corresponding distribution
  • ⁇ ⁇ ⁇ H- 3 0 ⁇ P- ⁇ P- p. s: Di Di P- SD rr ⁇ p- 3 rr Q tr H- LQ 3 LQ ⁇ ⁇ tn 0
  • resonators according to the invention or filters made from them are constructed in the case of poor electro-acoustic coupling, for example on lithium tantalate with a small layer thickness. Under such conditions, better electrical adaptation is achieved through improved electroacoustic behavior.
  • Figure 1 shows a known resonator.
  • Figure 2 shows a known structure for a reactance filter.
  • Figure 3 shows a resonator according to the invention.
  • FIGS. 4 to 6 show functions according to the invention for distributing the finger widths over the length of the transducer.
  • FIG. 7 compares the standing wave ratio of known reactance filters according to the invention.
  • FIG. 8 compares the transmission behavior of a reactance filter according to the invention with that of a known reactance filter.
  • FIG. 1 A resonator operating with acoustic waves is shown in FIG. 1.
  • the metallic electrode structures which consist for example of aluminum, an aluminum alloy or a multilayer structure comprising aluminum layers, are applied to a piezoelectric substrate.
  • the resonator consists of one
  • Interdigital transducer IDT which is arranged between two reflectors Ref. Each interdigital converter IDT consists of )> tt P 1 H in o in o in o in
  • the finger distances P are plotted over the number of fingers n on a preferably continuous function, in FIG. on a straight line.
  • the finger distance P falls from a maximum finger distance Pmax to a minimum finger distance Pmin over the length of the transducer.
  • distributions of the finger spacings are also possible, as are shown, for example, in FIGS. 5 and 6.
  • a linear distribution over the length of the transducer is also shown in FIG. 5, the overall distribution function being composed of two linear subfunctions which a mirror axis lying in the area of a central electrode finger Nm and vertically to the wave propagation direction X are arranged symmetrically to one another.
  • FIG. 6 shows a distribution of the finger distances P, which corresponds to a parabolic function, the maximum of which is located in the region of the center of the converter.
  • Resonator which has an interdigital transducer IDT V shown in Figure 3 with linearly varying finger spacing, used to produce a reactance filter.
  • resonators are interconnected to form a reactance filter as shown in FIG.
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Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

Zur verbesserten Anpassung eines mit akustischen Wellen arbeitenden Filters wird eine Wandlerstruktur vorgeschlagen, bei der die Abstände zwischen jeweils zwei benachbarten Elektrodenfingern eines Interdigitalwandlers (IDTV) über die Länge des Wandlers variieren. Die Variation folgt dabei vorzugsweise einer kontinuierlichen Verteilungsfunktion. Reaktanzfilter, die im seriellen Zweig mit solchen Resonatoren ausgestattet sind, zeigen eine verbesserte elektrische Anpassung im Durchlaßbereich.

Description

Mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur
Die Erfindung betrifft eine mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur, insbesondere für ein Oberflächenwellenfilter (OFW oder auch SAW-Filter genannt) oder ein S-BAR-Filter (Bulk acoustic wave resonator) .
Bei mit akustischen Wellen arbeitenden Filtern, insbesondere bei SAW Filtern, werden als Impedanzelemente mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstrukturen eingesetzt, beispielsweise SAW-Resonatoren. Ein solcher Resonator ist aus metallischen Elektrodenstrukturen auf der Oberfläche eines piezoelektrischen Substrates aufgebaut und weist einen Interdigitalwandler mit zumindest zwei Anschlüssen auf, der in der Regel zwischen zwei Reflektoren angeordnet ist.
Bekannte Resonatoren weisen Interdigitalwandler auf, die durch eine über den gesamten Wandler homogene Fingerperiode und Fingerbreite gekennzeichnet sind. Jeder Resonator besitzt dabei eine sogenannte Resonanz- und eine Antiresonanz- frequenz . Durch Variation der Aperturen, der Fingeranzahl und der Fingerperiode können die Frequenzlage und die Intensität von Resonanz und Antiresonanz beeinflußt werden. Dabei bleibt der Frequenzabstand zwischen Resonanz- und Antiresonanz- frequenz sowie deren Form erhalten.
Im Reaktanzfilter werden die Resonatoren als Impedanzelemente eingesetzt und zu einer leiterähnlichen (= ladder type) Anordnung verschaltet. Dazu werden Resonatoren in einem seriellen und zumindest einem, vorzugsweise jedoch mehrere parallelen Zweigen angeordnet. Die Resonanzfrequenz eines Resonators im seriellen Zweig wird so eingestellt, daß sie ungefähr der Antiresonanzfrequenz eines Resonators im parallelen Zweig entspricht. Aus mehreren Grundgliedern, die jeweils einen parallelen und einen seriellen Resonator umfassen, können komplexere Filter mit mehreren parallelen Zweigen und dazwischen angeordneten seriellen Resonatoren aufgebaut werden. Das Zusammenspiel der Resonanzen der einzelnen Resonatoren erzeugt ein gewünschtes Band-Pass- Nerhalten des Filters. Dazu werden die Resonanzfrequenzen der einzelnen Resonatoren sowie die Intensität der Resonanzen geeignet eingestellt. Hierfür sind Fingerperioden, Fingeranzahl und Aperturen der einzelnen Resonatoren die bekannten Freiheitsgrade.
Ein ideales Filter weist eine gute elektrische Anpassung, ein gutes Dämpfungsverhalten im Sperrbereich und eine möglichst geringe Einfügedämpfung im Durchlaßbereich auf. Nachteilig ist dabei jedoch, daß sich die genannten Eigenschaften zumeist nicht gleichzeitig optimieren lassen, so daß stets nur eine geeignete Kombination von Eigenschaften, nicht aber ein in allen Eigenschaften optimales Filter erhalten werden kann. Insbesondere bei breitbandigen Filtern, die eine relative Bandbreite von mehr als 2% aufweisen oder bei Filtern, die auf Substraten mit geringer elektro-akustischer Kopplung aufgebaut sind, beispielsweise auf LiTaC>3 in Verbindung mit geringer Schichtdicke oder auf Quarz, eine Optimierung nur zu nichtoptimalen Filtern mit unbefriedigenden Eigenschaften.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur anzugeben, welche zumindest einen weiteren Freiheitsgrad bei der
Optimierung aufweist und mit dem sich beispielsweise ein in seinen Eigenschaften verbessertes Reaktanzfilter aufbauen läßt.
Diese Aufgabe wird er indungsgemäß durch eine Wandlerstruktur nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie vorteilhafte Verwendungen sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.
Eine Wandlerstruktur weist einen oder mehrere zwischen
Reflektoren angeordnete Interdigitalwandler auf. Diese wiederum umfassen mit Busbars verbundene Elektrodenfinger, die kammartig ineinander greifen. Bei den Interdigital - wandlern erfindungsgemäßer Wandlerstrukturen sind im Gegensatz zu bekannten Wandlern die Abstände zwischen den Fingermitten (= Fingerperiode) je zweier benachbarter Elektrodenfinger nicht konstant, sondern variieren über die gesamte Länge des Interdigitalwandlers. Es hat sich gezeigt, daß mit einer solchen Variation der Fingerperiode eine bessere elektrische Anpassung in einer Resonator-Filterumgebung erhalten werden kann. Das Filter kann ein DMS-, ein TCF- oder ein Reaktanzfilter sein. Insbesondere kann mit einer Wandlerstruktur mit variierender Fingerperiode die Reflexion am Ein- bzw. Ausgang des Filters minimiert werden. Mit der Erfindung kann beispielsweise bei einem im Hochfrequenzbereich eingesetzten Reaktanzfilter das Stehwellen- Verhältnis (VSWR) reduziert werden. Letztendlich lassen sich mit erfindungsgemäßen Resonatoren Reaktanzfilter aufbauen, die ein verbessertes Passband und insbesondere eine verbesserte Einfügedämpfung aufweisen.
Die Variation der Fingerabstände kann so vorgenommen werden, daß die über die Länge des Interdigitalwandlers aufgetragenen konkreten Werte für die Fingerabstände (Fingerperioden) auf einer einer kontinuierlichen Funktion entsprechenden Kurve zu liegen kommen. Die konkreten Werte für die Fingerabstände an einem Punkt x ensprechen also den am Punkt x abgetasteten
Werten der kontinuierlichen Funktion. Vorzugsweise wird eine quasi stetige Funktion gewählt. Eine solche Funktion weist keine Sprünge auf .
Eine weitere vorteilhafte Variation der Fingerabstände wird erhalten, wenn die genannte Verteilung der Fingerabstände über die Länge des Wandlers einer Funktion folgt, die um eine Achse senkrecht zur Wellenausbreitungsrichtung symmetrisch ist, wobei sich die Achse vorzugsweise in der Nähe der Mitte des Wandlers befindet. Vorzugsweise wird eine Funktion gewählt, die an der Spiegelachse ein Maximum aufweist. Eine einfache Variation der Fingerabstände über die Länge des Interdigitalwandlers folgt einer linearen Funktion, bei der die Fingerabstände in einer Richtung linear zu- bzw. abnehmen. Die Verteilung der Fingerabstände kann so sein, daß die Zunahme von einem Ende zum anderen Ende des Interdigitalwandlers erfolgt, oder daß die Zu- oder Abnahme bis zur Spiegelachse erfolgt, um danach wieder ab- bzw. zuzunehmen.
Möglich ist es außerdem, die Fingerabstände über die Länge des Interdigitalwandlers gemäß einer nicht linearen Funktion zu verteilen, beispielsweise gemäß einer parabolischen Funktion. Auch diese kann so gewählt sein, daß sie in der Mitte des Wandlers einen Extremwert annimmt, der entweder ein Minimum oder ein Maximum darstellt.
Die Fingerabstände werden bis maximal +/- 2,5 % um einen Mittelwert variiert, so daß sich ein maximaler Unterschied zweier Fingerabstände von 5% ergibt. Typischerweise weisen erfindungsgemäße Interdigitalwandler maximale Unterschiede von 2 bis 3% auf, beispielsweise von 3%. Dabei werden vorteilhafte Verbesserungen bei Reaktanzfiltern bereits mit geringeren Unterschieden als beispielsweise bei DMS Filtern erzielt. Letztere können die angegebene Variationsbreite voll ausnutzen und bis zu 5% Unterschied aufweisen.
Eine weitere Variationsmöglichkeit eines erfindungsgemäßen Resonators ergibt sich durch eine zusätzliche Variation der Fingerbreiten der Elektrodenfinger über die Länge des Interdigitalwandlers gesehen. Auch diese Variation folgt vorzugsweise einer kontinuierlichen Funktion. Die Variation der Fingerbreiten kann so vorgenommen werden, daß das Metallisierungsverhältnis über die Wandlerlänge konstant bleibt. Möglich sind jedoch auch andere Variationen, bei denen das Metallisierungsverhältnis über die Länge des Wandlers kontinuierlich zu- oder abnimmt oder bei dem das Metallisierungsverhältnis der entsprechenden Verteilungs-
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Besonders vorteilhaft werden erfindungsgemäße Resonatoren bzw. daraus hergestellte Filter bei schlechter elektro- akustischer Kopplung aufgebaut, beispielsweise auf Lithium- tantalat mit geringer Schichtdicke. Unter solchen Bedingungen wird durch ein verbessertes elektroakustisches Verhalten eine bessere elektrische Anpassung erreicht.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispiels und der dazugehörigen 8 Figuren näher erläutert.
Figur 1 zeigt einen bekannten Resonator.
Figur 2 zeigt eine bekannte Struktur für einen Reaktanzfilter.
Figur 3 zeigt einen erfindungsgemäßen Resonator.
Figuren 4 bis 6 zeigen erfindungsgemäße Funktionen zur Verteilung der Fingerbreiten über die Länge des Wandlers .
Figur 7 vergleicht das Stehwellenverhältnis bekannter und erfindungsgemäßer Reaktanzfilter.
Figur 8 vergleicht das Durchlaßverhalten eines erfindungsgemäßen Reaktanzfilters mit dem eines bekannten Reaktanzfilters.
Ein mit akustischen Wellen arbeitender Resonator ist in Figur 1 dargestellt. Die metallischen und beispielsweise aus Aluminium, einer Aluminiumlegierung oder einer Aluminiumschichten umfassenden Mehrschichtstruktur bestehenden Elektrodenstrukturen sind auf einem piezoelektrischen Substrat aufgebracht. Der Resonator besteht aus einem
Interdigitalwandler IDT, der zwischen zwei Reflektoren Ref angeordnet ist . Jeder Interdigitalwandler IDT besteht aus ) > t t P1 H in o in o in o in
dungsgemäßen Wandler liegen die Fingerabstände P über die Anzahl der Finger n aufgetragen auf einer vorzugsweise stetigen Funktion, in der Figur 4 z.B. auf einer Geraden.- Der Fingerabstand P fällt dabei von einem maximalen Fingerabstand Pmax bis hin zu einem minimalen Fingerabstand Pmin über die Länge des Wandlers ab. Möglich sind jedoch auch Verteilungen der Fingerabstände, wie sie beispielsweise in den Figuren 5 und 6 dargestellt sind. In Figur 5 ist ebenfalls eine lineare Verteilung über die Länge des Wandlers dargestellt, wobei die Gesamtverteilungsfunktion aus zwei linearen Teilfunktionen zusammengesetzt ist, die bzgl . einer im Bereich eines mittleren Elektrodenfingers Nm und vertikal zur Wellenausbreitungsrichtung X liegenden Spiegelachse symmetrisch zueinander angeordnet sind.
Figur 6 zeigt eine Verteilung der Fingerabstände P, die einer parabolischen Funktion entspricht, deren Maximum hier im Bereich der Wandlermitte gelegen ist.
Neben den in den Figuren 4 bis 6 dargestellten Verteilungen der Fingerabstände sind weitere Funktionen möglich und vorteilhaft, die zu einem erfindungsgemäßen Resonator führen, der für daraus hergestellte Reaktanzfilter verbesserte Eigenschaften erbringt. Es ist nicht erforderlich, daß die Vertei- lungsfunktion ein wie dargestelltes Symmetrieverhalten zeigt. In bezug auf Verluste vorteilhaft ist jedoch meist, daß sich der Fingerabstand kontinuierlich ändert, daß die Verteilungsfunktion also keine Sprünge aufweist.
Als Ausführungsbeispiel wird nun ein erfindungsgemäßer
Resonator, welcher einen in Figur 3 dargestellten Interdigitalwandler IDTV mit linear variierendem Fingerabstand aufweist, zur Herstellung eines Reaktanzfilters verwendet. Dazu werden Resonatoren wie in Figur 2 dargestellt zu einem Reaktanzfilter zusammengeschaltet. Die seriellen Resonatoren Rsl bis Rs3 werden durch erfindungsgemäße Resonatoren gebildet, während die parallelen Resonatoren d 73 ≤ •fl σ D. 73 Φ Φ 0 SU LQ 73 Di < < d d= SD: ω φ Ω < d ≤ P SD ^ D M 73 tr
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Claims

Patentansprüche
1. Mit akustischen Wellen arbeitende Wandlerstruktur mit einem oder mehreren zwischen Reflektoren (Ref) angeordneten Interdigitalwandlern (IDT) , umfassend zwei ineinander greifende Elektrodenkämme mit Elektrodenfingern, bei dem die zwischen den Fingermitten je zweier benachbarter Elektrodenfinger gemessenen Fingerabstände eines Interdigitalwandlers (IDT) über die Länge des Interdigitalwandlers variieren.
2. Wandlerstruktur nach Anspruch 1, bei der die Variation der Fingerabstände über die Länge des Interdigitalwandlers (IDT) mit einer kontinuierlichen Funktion beschreibbar ist.
3. Wandlerstruktur nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Variation der Fingerabstände einer Funktion entspricht, die in der Nähe der Mitte um eine Achse senkrecht zur Wellenausbreitungsrichtung (X) symmetrisch ist .
4. Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit einer Verteilung der Fingerabstände über die Länge des Interdigitalwandlers (IDT) , die einer linearen Funktion angepaßt ist.
5. Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 3, mit einer Verteilung der Fingerabstände über die Länge des Interdigitalwandlers (IDT) , die einer parabolischen Funktion angepaßt ist.
6. Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem der Unterschied zwischen den Abständen benachbarter Elektrodenfinger über die gesamte Länge des Interdigitalwandlers (IDT) gesehen maximal 5% beträgt.
7. Wandlerstruktur nach Anspruch 6, bei dem der Unterschied maximal 2-3% beträgt.
8. Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei der zusätzlich die Breiten der Elektrodenfinger über die Länge des Interdigitalwandlers (IDT) variieren und deren Verteilung einer kontinuierlichen Funktion angepaßt ist.
9. Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 8, bei der die Fingerabstände so über die Länge des Interdigitalwandlers (IDT) verteilt sind, daß die Fingerabstände in der Mitte des Wandlers am größten sind.
10.Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 9, die in einem Reaktanzfilter angeordnet ist, welches einen seriellen und zumindest einen parallelen Zweig aufweist, in denen jeweils zumindest ein Resonator (Rs,Rp) angeordnet ist.
11.Wandlerstruktur nach Anspruch 10, die im seriellen Zweig des Reaktanzfilters angeordnet ist.
12.Wandlerstruktur nach Anspruch 11, bei der die Elektrodenfinger aller in dem seriellen Zweig angeordneter Resonatoren (R) variierende Fingerabstände und/oder variierende Fingerbreiten aufweisen.
13.Wandlerstruktur nach einem der Ansprüche 1 bis 12, bei der die Variationsbreite der Fingerabstände, bezogen auf einen mittleren Fingerabstand, +/- 0,1% bis 2,5% beträgt.
14.Verwendung einer Wandlerstruktur nach einem der vorangehenden Ansprüche in einem Reaktanzfilter mit großer relativer Bandbreite delta frei/ bei dem gilt 2% < delta frei < 5%.
15.Verwendung einer Wandlerstruktur nach einem der vorangehenden Ansprüche für Filter auf Substraten mit geringer elektro-akustischer Kopplung.
16.Verwendung einer Wandlerstruktur nach einem der vorangehenden Ansprüche für Filter mit geringer Metallisierungshöhe zur Minimierung der Fertigungsstreuungen bei der Metallisierung.
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Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679474B2 (en) * 2004-01-09 2010-03-16 Panasonic Corporation Surface acoustic wave resonator, and surface acoustic wave filter
DE102004020183B4 (de) 2004-04-22 2015-12-03 Epcos Ag Oberflächenwellen-Resonatorfilter mit longitudinal gekoppelten Wandlern
JP4668178B2 (ja) * 2004-04-28 2011-04-13 パナソニック株式会社 弾性表面波共振子
DE102004048715B4 (de) * 2004-10-06 2014-05-22 Epcos Ag SAW-Filter mit Impedanz-Transformation
DE102005051852B4 (de) 2005-10-28 2021-05-20 Snaptrack, Inc. SAW Filter mit breitbandiger Bandsperre
DE102008037091A1 (de) * 2008-08-08 2010-02-11 Epcos Ag SAW-Bauelement
JP5239741B2 (ja) 2008-10-24 2013-07-17 セイコーエプソン株式会社 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置
US8299680B2 (en) * 2008-10-24 2012-10-30 Seiko Epson Corporation Surface acoustic wave resonator, surface acoustic wave oscillator, and surface acoustic wave module unit
KR20110081865A (ko) * 2008-10-24 2011-07-14 엡슨 토요콤 가부시키 가이샤 탄성 표면파 공진자, 탄성 표면파 발진기 및 탄성 표면파 모듈 장치
CN102197591B (zh) * 2008-10-24 2014-05-14 精工爱普生株式会社 表面声波谐振器、表面声波振荡器以及表面声波模块装置
CN102244188A (zh) * 2010-05-13 2011-11-16 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管芯片的电极结构
DE102010048965B4 (de) 2010-10-20 2015-01-22 Epcos Ag Bandsperrfilter mit einer Serienverschaltung von zumindest zwei pi-Gliedern
DE102014111828A1 (de) * 2014-08-19 2016-02-25 Epcos Ag Mit akustischen Oberflächenwellen arbeitender Eintorresonator
US9853624B2 (en) 2015-06-26 2017-12-26 Qorvo Us, Inc. SAW resonator with resonant cavities
DE102017121221A1 (de) 2017-09-13 2019-03-14 RF360 Europe GmbH SAW-Resonator und diesen umfassendes Filter
US10461720B2 (en) 2017-09-21 2019-10-29 Snaptrack, Inc. Acoustic filter
US12237826B2 (en) 2018-06-15 2025-02-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US11323096B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US11146232B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with reduced spurious modes
US11936358B2 (en) 2020-11-11 2024-03-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with low thermal impedance
US11206009B2 (en) 2019-08-28 2021-12-21 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with interdigital transducer with varied mark and pitch
US11996827B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with periodic etched holes
US10637438B2 (en) 2018-06-15 2020-04-28 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power applications
US10601392B2 (en) 2018-06-15 2020-03-24 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator
US10911023B2 (en) 2018-06-15 2021-02-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etch-stop layer
US11323089B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Filter using piezoelectric film bonded to high resistivity silicon substrate with trap-rich layer
US12088281B2 (en) 2021-02-03 2024-09-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-mark interdigital transducer
US11323090B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator using Y-X-cut lithium niobate for high power applications
US11996822B2 (en) 2018-06-15 2024-05-28 Murata Manufacturing Co., Ltd. Wide bandwidth time division duplex transceiver
US10985728B2 (en) 2018-06-15 2021-04-20 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator and filter with a uniform-thickness dielectric overlayer
US11323091B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with diaphragm support pedestals
US11901878B2 (en) 2018-06-15 2024-02-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes with a wider top layer
US10998882B2 (en) 2018-06-15 2021-05-04 Resonant Inc. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US12119808B2 (en) 2018-06-15 2024-10-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US12095441B2 (en) 2018-06-15 2024-09-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely excited film bulk acoustic resonator with recessed interdigital transducer fingers
US11146238B2 (en) 2018-06-15 2021-10-12 Resonant Inc. Film bulk acoustic resonator fabrication method
US11888463B2 (en) 2018-06-15 2024-01-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Multi-port filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12191838B2 (en) 2018-06-15 2025-01-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic device and method
US11909381B2 (en) 2018-06-15 2024-02-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US11916539B2 (en) 2020-02-28 2024-02-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Split-ladder band N77 filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12113512B2 (en) 2021-03-29 2024-10-08 Murata Manufacturing Co., Ltd. Layout of XBARs with multiple sub-resonators in parallel
US12149227B2 (en) 2018-06-15 2024-11-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11876498B2 (en) 2018-06-15 2024-01-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multiple diaphragm thicknesses and fabrication method
US12301212B2 (en) 2018-06-15 2025-05-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. XBAR resonators with non-rectangular diaphragms
US12237827B2 (en) 2018-06-15 2025-02-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic filters with multiple piezoelectric plate thicknesses
US12119805B2 (en) 2018-06-15 2024-10-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Substrate processing and membrane release of transversely-excited film bulk acoustic resonator using a sacrificial tub
US11349450B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Symmetric transversely-excited film bulk acoustic resonators with reduced spurious modes
US11374549B2 (en) 2018-06-15 2022-06-28 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US10917072B2 (en) 2019-06-24 2021-02-09 Resonant Inc. Split ladder acoustic wave filters
US12155371B2 (en) 2021-03-29 2024-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Layout of xbars with multiple sub-resonators in series
US12021496B2 (en) 2020-08-31 2024-06-25 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US11967945B2 (en) 2018-06-15 2024-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversly-excited film bulk acoustic resonators and filters
US12191837B2 (en) 2018-06-15 2025-01-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic device
US11323095B2 (en) 2018-06-15 2022-05-03 Resonant Inc. Rotation in XY plane to suppress spurious modes in XBAR devices
US12095446B2 (en) 2018-06-15 2024-09-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with optimized electrode thickness, mark, and pitch
US12009798B2 (en) 2018-06-15 2024-06-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having irregular hexagon cross-sectional shapes
US10992284B2 (en) 2018-06-15 2021-04-27 Resonant Inc. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with multiple frequency setting layers
US12132464B2 (en) 2018-06-15 2024-10-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter using transversely-excited film bulk acoustic resonators with divided frequency-setting dielectric layers
US12081187B2 (en) 2018-06-15 2024-09-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US12218650B2 (en) 2018-06-15 2025-02-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator
US12463619B2 (en) 2018-06-15 2025-11-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device
US12040781B2 (en) 2018-06-15 2024-07-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package
US11349452B2 (en) 2018-06-15 2022-05-31 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic filters with symmetric layout
US12375056B2 (en) 2018-06-15 2025-07-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators
US10819309B1 (en) 2019-04-05 2020-10-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator package and method
US10826462B2 (en) 2018-06-15 2020-11-03 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with molybdenum conductors
US11949402B2 (en) 2020-08-31 2024-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Resonators with different membrane thicknesses on the same die
US12244295B2 (en) 2018-06-15 2025-03-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with two-layer electrodes having a narrower top layer
US12155374B2 (en) 2021-04-02 2024-11-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Tiled transversely-excited film bulk acoustic resonator high power filters
US11264966B2 (en) 2018-06-15 2022-03-01 Resonant Inc. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonator with diamond layers in Bragg reflector stack
US12170516B2 (en) 2018-06-15 2024-12-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filters using transversly-excited film bulk acoustic resonators with frequency-setting dielectric layers
DE112019005403T5 (de) 2018-10-31 2021-07-15 Resonant Inc. Fest montierter transversal angeregter akustischer filmvolumenresonator
CN109781087B (zh) * 2018-12-05 2022-09-16 中北大学 一种基于驻波模式的saw陀螺仪
DE102019103490A1 (de) * 2018-12-07 2020-06-10 RF360 Europe GmbH Mikroakustischer Kondensator
JP7484045B2 (ja) * 2019-01-30 2024-05-16 太陽誘電株式会社 フィルタおよびマルチプレクサ
CN113615083B (zh) 2019-03-14 2024-10-15 株式会社村田制作所 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声学谐振器
DE102019108843A1 (de) 2019-04-04 2020-10-08 RF360 Europe GmbH Modifizierter SAW-Wandler, SAW-Resonator und SAW-Filter, das diese umfasst
US12506462B2 (en) * 2020-02-28 2025-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with multi-pitch interdigital transducer
US12278617B2 (en) 2020-04-20 2025-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. High Q solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonators
US11811391B2 (en) 2020-05-04 2023-11-07 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with etched conductor patterns
US10992282B1 (en) 2020-06-18 2021-04-27 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with electrodes having a second layer of variable width
US11742828B2 (en) 2020-06-30 2023-08-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with symmetric diaphragm
US11405017B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Acoustic matrix filters and radios using acoustic matrix filters
US11405019B2 (en) 2020-10-05 2022-08-02 Resonant Inc. Transversely-excited film bulk acoustic resonator matrix filters
US12255617B2 (en) 2020-11-11 2025-03-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. Solidly-mounted transversely-excited film bulk acoustic resonators with low thermal impedance
US12166468B2 (en) 2021-01-15 2024-12-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators for high power filters
US11239816B1 (en) 2021-01-15 2022-02-01 Resonant Inc. Decoupled transversely-excited film bulk acoustic resonators
US12424999B2 (en) 2021-12-28 2025-09-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonators with gap dielectric stripes in busbar-electrode gaps
US12413196B2 (en) 2022-02-16 2025-09-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Tuning acoustic resonators with back-side coating
WO2023200670A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ladder filter with transversely-excited film bulk acoustic resonators having different pitches
US12549151B2 (en) 2022-04-12 2026-02-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transversely-excited film bulk acoustic resonator with thick dielectric layer for improved coupling
US12489417B2 (en) 2022-04-12 2025-12-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ladder filter with transversely-excited film bulk acoustic resonators having different pitches
US12489415B2 (en) 2022-10-19 2025-12-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic resonator lid for thermal transport

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2036374A5 (de) * 1969-03-12 1970-12-24 Thomson Csf
US4162465A (en) * 1977-09-14 1979-07-24 University Of Illinois Foundation Surface acoustic wave device with reflection suppression
US4473888A (en) * 1981-10-28 1984-09-25 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Saw monolithic convolver using dispersive transducers
EP0104314A3 (de) * 1982-09-07 1985-09-11 Siemens-Albis Aktiengesellschaft SAW-Filter
GB8327551D0 (en) * 1983-10-14 1983-11-16 Secr Defence Acoustic transducer
FR2638047B1 (de) * 1988-10-14 1990-11-23 Thomson Csf
DE4010310A1 (de) * 1990-03-30 1991-10-02 Siemens Ag Oberflaechenwellenwandler, insbesondere in splitfinger-ausfuehrung, mit unterdrueckung von reflexionen endstaendiger wandlerfinger
JP2847438B2 (ja) * 1991-03-29 1999-01-20 三井金属鉱業株式会社 弾性表面波素子
US5568001A (en) * 1994-11-25 1996-10-22 Motorola, Inc. Saw device having acoustic elements with diverse mass loading and method for forming same
DE19730710C2 (de) * 1997-07-17 2002-12-05 Epcos Ag Oberflächenwellenakustikfilter mit verbesserter Flankensteilheit
JP3687566B2 (ja) * 2000-07-25 2005-08-24 株式会社村田製作所 縦結合共振子型弾性表面波フィルタ

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See references of WO02073800A1 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10111959B4 (de) 2014-11-20
US7042132B2 (en) 2006-05-09
WO2002073800A1 (de) 2002-09-19
JP2004523179A (ja) 2004-07-29
DE10111959A1 (de) 2002-09-19
JP4017984B2 (ja) 2007-12-05
US20040090145A1 (en) 2004-05-13

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