JP7484045B2 - フィルタおよびマルチプレクサ - Google Patents

Description

本発明は、フィルタおよびマルチプレクサに関し、例えば櫛型電極を有するフィルタおよびマルチプレクサに関する。

弾性表面波共振器では、圧電基板上に複数の電極指を有するＩＤＴ（Interdigital Transducer）および反射器が設けられている。反射器はＩＤＴが励振する弾性波を反射しＩＤＴ内に閉じ込める。ＩＤＴの中央部に電極指のピッチが一定の等ピッチ領域を設け、ＩＤＴの両端部に電極指のピッチが徐々に小さくなるグラデーション領域を設けることが知られている（例えば特許文献１）

特開２０１２－１３８９６４号公報

特許文献１によれば、スプリアスを抑制することができる。しかしながら、特許文献１の方法を用いたスプリアスの抑制は十分ではない。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、スプリアスを抑制することを目的とする。

本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、一対の第１反射器と、前記一対の第１反射器の間に設けられた第１中央領域と、前記第１中央領域の両側に設けられ電極指のピッチが前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値より小さく最も前記第１反射器に近い電極指と次に前記第１反射器に近い電極指とのピッチである第１ピッチが前記電極指のピッチのうち最も小さい一対の第１エッジ領域と、を有する一対の第１櫛型電極と、を有する第１弾性波共振器と、前記第１弾性波共振器と直列接続または並列接続され、前記圧電基板上に設けられ、一対の第２反射器と、前記一対の第２反射器の間に設けられた第２中央領域と、前記第２中央領域の両側に設けられ電極指のピッチが前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値より小さく最も前記第２反射器に近い電極指と次に前記第２反射器に近い電極指とのピッチである第２ピッチが前記電極指のピッチのうち最も小さくかつピッチの値が前記第１ピッチと異なる一対の第２エッジ領域と、を有する一対の第２櫛型電極と、を備える第２弾性波共振器と、を備え、前記第１エッジ領域の電極指の本数は２本以上であり、前記第２エッジ領域の電極指の本数は２本以上であり、前記第１エッジ領域の電極指の本数と前記第２エッジ領域の電極指の本数は等しく、前記一対の第１エッジ領域における電極指のピッチは前記第１反射器に向かって小さくなり、前記一対の第２エッジ領域における電極指のピッチは前記第２反射器に向かって小さくなり、前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値をＤ１とし、前記第１ピッチと前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値との差をΔＤ１とし、前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値をＤ２とし、前記第２ピッチと前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値との差をΔＤ２としたとき、ΔＤ１／Ｄ１とΔＤ２／Ｄ２との差は０．００１以上であり、前記第１中央領域における前記電極指のピッチの最大値と前記電極指のピッチの最小値との差は、ΔＤ１の１／１０以下であり、前記第２中央領域における前記電極指のピッチの最大値と前記電極指のピッチの最小値との差は、ΔＤ２の１／１０以下であり、前記第１中央領域における前記電極指のピッチの平均値と前記第２中央領域における前記電極指のピッチの平均値との差はＤ１＋Ｄ２の０．００５倍以下であるフィルタである。

上記構成において、Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１は０．６以下であり、Ｎ２×ΔＤ２／Ｄ２は０．６以下である構成とすることができる。

上記構成において、前記第１弾性波共振器の共振周波数と前記第２弾性波共振器の共振周波数は略等しい構成とすることができる。

上記構成において、前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器とは直列接続されている構成とすることができる。

上記構成において、前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器とは並列接続されている構成とすることができる。

上記構成において、入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続された１または複数の並列共振器と、を備え、前記１または複数の直列共振器および前記１または複数の並列共振器の少なくとも１つは前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器を含む構成とすることができる。

本発明は、上記フィルタを含むマルチプレクサである。

本発明によれば、スプリアスを抑制することができる。

図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。 図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るフィルタの回路図である。 図３は、実施例１における弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。 図４は、実施例１および比較例１におけるフィルタの通過特性を示す図である。 図５は、実施例１および比較例１から３におけるフィルタのスプリアスのピークの減衰量を示す図である。 図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１の変形例１から３における弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。 図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例２およびその変形例１から３に係るラダー型フィルタの回路図である。 図８（ａ）は、実施例２の変形例４に係るフィルタの回路図、図８（ｂ）は、実施例２の変形例５に係るデュプレクサの回路図である。

以下図面を参照し実施例について説明する。

図１（ａ）は、比較例および実施例における弾性波共振器の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ－Ａ断面図である。電極指の配列方向をＸ方向、電極指の延伸方向をＹ方向、圧電基板の法線方向をＺ方向とする。Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向は圧電基板の結晶方位とは限らないが、圧電基板が回転ＹカットＸ伝搬基板のときにはＸ方向が結晶方位のＸ軸方位となる。

図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、１ポート弾性波共振器２６では、圧電基板１０上にＩＤＴ２４および反射器２０が形成されている。ＩＤＴ２４および反射器２０は、圧電基板１０上に形成された金属膜１２により形成される。一対の反射器２０は、ＩＤＴ２４のＸ方向の両側に設けられている。

ＩＤＴ２４は、対向する一対の櫛型電極１８を備える。櫛型電極１８は、複数の電極指１４と、複数の電極指１４が接続されたバスバー１５と、を備える。一対の櫛型電極１８は、少なくとも一部において一方の櫛型電極１８の電極指１４と他方の櫛型電極１８の電極指１４とが互い違いとなるように、対向して設けられている。反射器２０は、複数の格子電極１６と、複数の格子電極１６が接続されたバスバー１７と、を備える。

一対の櫛型電極１８の電極指１４が励振する弾性波は、主にＸ方向に伝搬する。一対の櫛型電極１８のうち一方の櫛型電極１８の電極指１４のピッチがほぼ弾性波の波長λとなる。反射器２０は、弾性波を反射する。これにより弾性波のエネルギーがＩＤＴ２４内に閉じ込められる。

圧電基板１０は、例えばタンタル酸リチウム基板、ニオブ酸リチウム基板または水晶基板であり、例えば回転ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板またはニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は、例えば、単結晶サファイア基板、アルミナ基板、スピネル基板、水晶基板またはシリコン基板等の支持基板上に接合されていてもよい。圧電基板１０と支持基板との間に酸化シリコン膜または窒化アルミニウム膜等の絶縁膜が設けられていてもよい。

金属膜１２は、例えばアルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜である。アルミニウム膜、銅膜またはモリブデン膜と圧電基板１０との間にチタン膜またはクロム膜等の金属膜が設けられていてもよい。波長λは例えば５００ｎｍから２５００ｎｍ、電極指１４および格子電極１６のＸ方向の幅は例えば２００ｎｍから１５００ｎｍ、金属膜１２の膜厚は例えば５０ｎｍから５００ｎｍ、弾性波共振器２６の静電容量は例えば０．１ｐＦから１０ｐＦである。圧電基板１０上に金属膜１２を覆うように保護膜または温度補償膜として機能する絶縁膜が設けられていてもよい。

図２（ａ）および図２（ｂ）は、実施例１に係るフィルタの回路図である。図２（ａ）に示すように、端子Ｔ１とＴ２との間に弾性波共振器Ｒ１およびＲ２が直列に接続されている。図２（ｂ）に示すように、端子Ｔ１とＴ２との間に弾性波共振器Ｒ１およびＲ２が並列に接続されている。

図３は、実施例１における弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。図３内の上図は、弾性波共振器の平面図を示し、下図はＸ方向に対する電極指１４のピッチを示す。図３に示すように、ピッチは隣接する電極指１４のＸ方向の中心間の距離である。ＩＤＴ２４はＸ方向の中央に位置する中央領域２４ａと、中央領域２４ａのＸ方向の両側に設けられた一対のエッジ領域２４ｂと、を有している。

弾性波共振器Ｒ１の中央領域２４ａにおける電極指１４のピッチは、略一定であり、ピッチＤ１である。弾性波共振器Ｒ２の中央領域２４ａにおける電極指１４のピッチは、略一定であり、ピッチＤ２である。ピッチＤ１とＤ２とは略等しい。これにより、弾性波共振器Ｒ１とＲ２との共振周波数は略等しく、弾性波共振器Ｒ１とＲ２との反共振周波数は略等しい。エッジ領域２４ｂにおける電極指１４のピッチは反射器２０に向かうにしたがい小さくなる。電極指１４ａは電極指１４のうち最も反射器２０に近い電極指であり、電極指１４ｂは次に反射器２０に近い電極指１４である。弾性波共振器Ｒ１における電極指１４ａと１４ｂとのピッチＤ１ａと弾性波共振器Ｒ２における電極指１４ａと１４ｂとのピッチＤ２ａは異なる。Ｄ２ａはＤ１ａより大きい。

［シミュレーション］
図２（ａ）のように、弾性波共振器Ｒ１とＲ２とを直列に接続した実施例１および比較例に係るフィルタのシミュレーションを行った。シュミュレーション条件は以下である。
圧電基板１０：４２°ＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板
金属膜１２：圧電基板１０側から膜厚が５０ｎｍのチタン膜、膜厚が１６６ｎｍのアルミニウム膜
中央領域２４ａのピッチ ２×Ｐ０：２．０μｍ
中央領域２４ａの対数：５５対
エッジ領域２４ｂの対数：１２．５対
反射器２０のピッチ：２．２１５μｍ
反射器２０の対数：１５対
ＩＤＴ２４、反射器２０のデュティ比：５０％
ＩＤＴ２４の開口長：３０μｍ
ＩＤＴ２４および反射器２０の対数は、電極指１４および格子電極１６が２本を１対としたときの対の数である。ＩＤＴ２４および反射器２０のデュティ比は、電極指１４および格子電極１６の太さ／ピッチである。ＩＤＴ２４の開口長はＹ方向において電極指１４の重なる交差領域の長さである。

実施例１および比較例１から３において、ΔＤ１＝Ｄ１－Ｄ１ａおよびΔＤ２＝Ｄ２－Ｄ２ａとしたとき、ピッチの変化率ΔＤ１／Ｄ１およびΔＤ２／Ｄ２を％で表すと以下である。
実施例１：ΔＤ１／Ｄ１＝０．９％、ΔＤ２／Ｄ２＝０．７％
比較例１：ΔＤ１／Ｄ１＝ΔＤ２／Ｄ２＝０．７％
比較例２：ΔＤ１／Ｄ１＝ΔＤ２／Ｄ２＝０．８％
比較例３：ΔＤ１／Ｄ１＝ΔＤ２／Ｄ２＝０．９％

図４は、実施例１および比較例１におけるフィルタの通過特性を示す図である。図４に示すように、共振周波数ｆｒより低い周波数の領域にスプリアスＡ１からＡ６が生成されている。実施例１のスプリアスの大きさは比較例１より小さい。

図５は、実施例１および比較例１から３におけるフィルタのスプリアスのピークの減衰量を示す図である。図５に示すように、実施例１のスプリアスのピークの減衰量は比較例１から３のいずれよりも小さい。

実施例１において、スプリアスが小さくなる理由は、弾性波共振器Ｒ１とＲ２とでスプリアスの生成される周波数がずれるため、と考えられる。このため、図２（ｂ）のように弾性波共振器Ｒ１とＲ２が並列に接続されている場合においてもスプリアスが抑制される。

図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１の変形例１から３における弾性波共振器のＸ方向に対するピッチを示す図である。図６（ａ）に示すように、実施例１の変形例１では、エッジ領域２４ｂにおいて反射器２０に向かうにしたがいピッチの変化率が大きくなる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。図６（ｂ）に示すように、実施例１の変形例２では、エッジ領域２４ｂにおいて反射器２０に向かうにしたがいピッチの変化率が小さくなる。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。

実施例１のように、エッジ領域２４ｂにおけるピッチの変化率はＸに対し一定でもよい。実施例１の変形例１および２のように、エッジ領域２４ｂにおけるピッチの変化率はＸに対し変化してもよい。実施例１のように、エッジ領域２４ｂ内の電極指１４のピッチを一定の傾きで変化させる場合、一対の電極指１４の範囲内では電極指１４の幅および電極指１４間のギャップの幅を一定としてもよい。また、１対の電極指１４の範囲内で電極指１４の幅および電極指１４間のギャップの幅を一定の傾きで変えてもよい。上記シミュレーションは後者である。

図６（ｃ）に示すように、実施例１の変形例３では、エッジ領域２４ｂはピッチが一定な領域２４ｃおよび２４ｄに分かれている。領域２４ｄよりＩＤＴ２４に近い領域２４ｃのピッチは領域２４ｄのピッチより小さい。その他の構成は実施例１と同じであり説明を省略する。実施例１の変形例３のように、エッジ領域２４ｂはピッチが一定の１または複数の領域を有してもよい。

弾性波共振器Ｒ１におけるエッジ領域２４ｂのピッチのＸに対するプロファイルは図３、図６（ａ）から図６（ｃ）のいずれか１つであり、弾性波共振器Ｒ２のピッチのＸに対するプロファイルは図３、図６（ａ）から図６（ｃ）のうち弾性波共振器Ｒ１と異なるプロファイルでもよい。弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方の弾性波共振器において一対のエッジ領域２４ｂのピッチのＸに対するプロファイルは異なっていてもよい。

実施例１によれば、弾性波共振器Ｒ１（第１弾性波共振器）において、一対の櫛型電極１８（第１櫛型電極）の中央領域２４ａ（第１中央領域）の電極指１４のピッチは略一定である。中央領域２４ａの両側に設けられた一対のエッジ領域２４ｂ（第１エッジ領域）では電極指１４のピッチは中央領域２４ａの電極指１４の平均のピッチＤ１（すなわちピッチの平均値）より小さい。最も反射器２０（第１反射器）に近い電極指１４ａと次に反射器２０に近い電極指１４ｂとのピッチＤ１ａ（第１ピッチ）はエッジ領域２４ｂの電極指１４のピッチのうち最も小さい。

弾性波共振器Ｒ２（第２弾性波共振器）において、一対の櫛型電極１８（第２櫛型電極）の中央領域２４ａ（第２中央領域）の電極指１４のピッチは略一定である。エッジ領域２４ｂ（第２エッジ領域）では電極指１４のピッチは中央領域２４ａの電極指１４の平均のピッチＤ２（すなわちピッチの平均値）より小さい。最も反射器２０（第２反射器）に近い電極指１４ａと次に反射器２０に近い電極指１４ｂとのピッチＤ２ａ（第２ピッチ）はエッジ領域２４ｂの電極指１４のピッチのうち最も小さい。

これにより、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２のスプリアスが抑制される。しかしながら、ピッチＤ１ａとＤ２ａが同じ場合スプリアスの抑制は十分ではない。

そこで、エッジ領域２４ｂにおけるピッチＤ１ａとＤ２ａを異ならせる。これにより、スプリアスをより抑制できる。

なお、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数が異なるとスプリアス以外の通過特性が異なってしまう。そこで、中央領域２４ａの平均のピッチＤ１とＤ２を略等しくする。これにより、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の共振周波数を略等しくできる。また、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の反共振周波数を略等しくすることが好ましい。

中央領域２４ａにおける電極指１４のピッチが略一定とは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度に略一定との意味である。例えば、中央領域２４ａ内の電極指１４のピッチの最大値と最小値の差がＤ１－Ｄ１ａおよびＤ２－Ｄ２ａに比べ十分小さいことである。例えば、中央領域２４ａ内の電極指１４のピッチの最大値と最小値の差は、（Ｄ１－Ｄ１ａ）／２以下および（Ｄ２－Ｄ２ａ）／２以下であり、（Ｄ１－Ｄ１ａ）／１０以下および（Ｄ２－Ｄ２ａ）／１０以下である。

中央領域２４ａの平均のピッチＤ１とＤ２とが略等しいとは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度の略等しいとの意味である。例えば、｜Ｄ１の平均値－Ｄ２｜≦０．００５（Ｄ１＋Ｄ２）である。

弾性波共振器Ｒ１とＲ２の共振周波数が略等しいとは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度に略等しいとの意味である。例えば、弾性波共振器Ｒ１とＲ２の共振周波数の差は弾性波共振器Ｒ１とＲ２の共振周波数の平均の１％以内の範囲であることが好ましい。弾性波共振器Ｒ１とＲ２の反共振周波数の差は弾性波共振器Ｒ１とＲ２の反共振周波数の平均の１％以内の範囲であることが好ましい。

エッジ領域２４ｂの電極指１４の本数は弾性波共振器Ｒ１とＲ２とで略等しいことが好ましい。これにより、弾性波共振器Ｒ１とＲ２とでスプリアスをより抑制できる。弾性波共振器Ｒ１とＲ２とのエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数が略等しいとは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度で略等しいとの意味である。例えば弾性波共振器Ｒ１とＲ２とのエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数は±１０％程度の範囲で等しい。

同様に、同じ弾性波共振器内の一対のエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数は略等しいことが好ましい。これにより、弾性波共振器におけるスプリアスをより抑制できる。一対のエッジ領域２４ｂ間の電極指１４の本数が略等しいとは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度の略等しいとの意味である。例えば弾性波共振器Ｒ１とＲ２とのエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数は±１０％程度の範囲で等しい。

中央領域２４ａの電極指１４の本数は弾性波共振器Ｒ１とＲ２とで略等しいことが好ましい。これにより、弾性波共振器Ｒ１とＲ２とでスプリアスをより抑制できる。弾性波共振器Ｒ１とＲ２との中央領域２４ａの電極指１４の本数が略等しいとは、スプリアスの抑制する効果を奏する程度で略等しいとの意味である。例えば弾性波共振器Ｒ１とＲ２との中央領域２４ａの電極指１４の本数は±１０％程度の範囲で等しい。

実施例１およびその変形例１および２のように、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２のエッジ領域２４ｂにおける電極指１４のピッチは反射器２０に向かって小さくなる。このように、エッジ領域２４ｂの電極指１４のピッチを徐々に変化させる。これにより、エッジ領域２４ｂにおける弾性波の損失が小さくなる。

弾性波共振器Ｒ１およびＲ２のエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数をそれぞれＮ１およびＮ２とする。Ｎ１、Ｎ２、ΔＤ１／Ｄ１およびΔＤ２／Ｄ２が大きいと、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の共振器特性に影響してしまう。そこで、Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１≦０．６およびＮ２×ΔＤ２／Ｄ２≦０．６が好ましい。Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１≦０．４およびＮ２×ΔＤ２／Ｄ２≦０．４がより好ましく、Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１≦０．２およびＮ２×ΔＤ２／Ｄ２≦０．２がさらに好ましい。Ｎ１およびＮ２は８０本以下が好ましく、４０本以下がより好ましい。ΔＤ１／Ｄ１およびΔＤ２／Ｄ２は０．１以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０．０２以下がさらに好ましい。

Ｎ１、Ｎ２、ΔＤ１／Ｄ１およびΔＤ２／Ｄ２が小さいと、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２のスプリアスを抑制する効果が小さくなる。そこで、０．００１≦Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１および０．００１≦Ｎ２×ΔＤ２／Ｄ２が好ましく、０．０１≦Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１および０．０１≦Ｎ２×ΔＤ２／Ｄ２がより好ましい。Ｎ１およびＮ２は２本以上が好ましく、４本以上がより好ましい。ΔＤ１／Ｄ１およびΔＤ２／Ｄ２は０．００１以上が好ましく、０．００５以上がより好ましい。

ΔＤ１／Ｄ１とΔＤ２／Ｄ２との差は０．００１以上が好ましく、０．００５以上がより好ましく、０．０１以上がさらに好ましい。これにより、スプリアスを抑制できる。

弾性波共振器Ｒ１およびＲ２のエッジ領域２４ｂの電極指１４の本数は、中央領域２４ａの電極指１４の本数より小さいことが好ましく、中央領域２４ａの電極指１４の本数の１／２以下が好ましい。これにより、弾性波共振器Ｒ１およびＲ２の特性劣化を抑制できる。

実施例２はラダー型フィルタの例である。図７（ａ）から図７（ｄ）は、実施例２およびその変形例１から３に係るラダー型フィルタの回路図である。図７（ａ）から図７（ｄ）に示すように、入力端子Ｔ１と出力端子Ｔ２との間に、直列に１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４が接続され、並列に１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４が接続されている。直列共振器および並列共振器の個数は適宜選択できる。

図７（ａ）のように、実施例２では、少なくとも１つの直列共振器Ｓ１おいて複数の直列共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂが直列に接続されている。直列共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂをそれぞれ弾性波共振器Ｒ１およびＲ２とする。これにより、スプリアスを抑制できる。

図７（ｂ）のように、実施例２の変形例１では、少なくとも１つの直列共振器Ｓ１おいて複数の直列共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂが並列に接続されている。直列共振器Ｓ１ａおよびＳ１ｂをそれぞれ弾性波共振器Ｒ１およびＲ２とする。これにより、スプリアスを抑制できる。

図７（ｃ）のように、実施例２の変形例２では、少なくとも１つの並列共振器Ｐ１おいて複数の並列共振器Ｐ１ａおよびＰ１ｂが直列に接続されている。並列共振器Ｐ１ａおよびＰ１ｂをそれぞれ弾性波共振器Ｒ１およびＲ２とする。これにより、スプリアスを抑制できる。

図７（ｄ）のように、実施例２の変形例３では、少なくとも１つの並列共振器Ｐ１おいて複数の並列共振器Ｐ１ａおよびＰ１ｂが並列に接続されている。並列共振器Ｐ１ａおよびＰ１ｂをそれぞれ弾性波共振器Ｒ１およびＲ２とする。これにより、スプリアスを抑制できる。

実施例２およびその変形例では、直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ４のうち１つの共振器を複数の直列接続または並列接続された弾性波共振器Ｒ１およびＲ２で構成したが、直列共振器Ｓ１からＳ４および並列共振器Ｐ１からＰ４のうち少なくとも１つの共振器を複数の直列接続または並列接続された弾性波共振器Ｒ１およびＲ２で構成すればよい。

図８（ａ）は、実施例２の変形例４に係るフィルタの回路図である。図８（ａ）に示すように、１または複数の直列共振器Ｓ１からＳ４のうち２つの直列共振器が直列に接続された第１弾性波共振器Ｒ１および第２弾性波共振器Ｒ２でもよい。１または複数の並列共振器Ｐ１からＰ４のうち２つの並列共振器が並列に接続された第１弾性波共振器Ｒ１および第２弾性波共振器Ｒ２でもよい。これにより、スプリアスを抑制できる。

図８（ｂ）は、実施例２の変形例５に係るデュプレクサの回路図である。図８（ｂ）に示すように、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ４０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ４２が接続されている。送信フィルタ４０は、送信端子Ｔｘから入力された信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ４２は、共通端子Ａｎｔから入力された信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ４０および受信フィルタ４２の少なくとも一方を実施例２のフィルタとすることができる。送信フィルタ４０には大電力の高周波信号が印加される。そこで、送信フィルタ４０に実施例２のフィルタを用いることが好ましい。

マルチプレクサとしてデュプレクサを例に説明したがトリプレクサまたはクワッドプレクサでもよい。

以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

１０ 圧電基板
１２ 金属膜
１４、１４ａ 電極指
１８ 櫛型電極
２０ 反射器
２４ ＩＤＴ
２４ａ 中央領域
２４ｂ エッジ領域
４０ 送信フィルタ
４２ 受信フィルタ

Claims (7)

1. 圧電基板と、
   前記圧電基板上に設けられ、一対の第１反射器と、前記一対の第１反射器の間に設けられた第１中央領域と、前記第１中央領域の両側に設けられ電極指のピッチが前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値より小さく最も前記第１反射器に近い電極指と次に前記第１反射器に近い電極指とのピッチである第１ピッチが前記電極指のピッチのうち最も小さい一対の第１エッジ領域と、を有する一対の第１櫛型電極と、を有する第１弾性波共振器と、
   前記第１弾性波共振器と直列接続または並列接続され、前記圧電基板上に設けられ、一対の第２反射器と、前記一対の第２反射器の間に設けられた第２中央領域と、前記第２中央領域の両側に設けられ電極指のピッチが前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値より小さく最も前記第２反射器に近い電極指と次に前記第２反射器に近い電極指とのピッチである第２ピッチが前記電極指のピッチのうち最も小さくかつピッチの値が前記第１ピッチと異なる一対の第２エッジ領域と、を有する一対の第２櫛型電極と、を備える第２弾性波共振器と、
   を備え、
   前記第１エッジ領域の電極指の本数は２本以上であり、前記第２エッジ領域の電極指の本数は２本以上であり、
   前記第１エッジ領域の電極指の本数と前記第２エッジ領域の電極指の本数は等しく、
   前記一対の第１エッジ領域における電極指のピッチは前記第１反射器に向かって小さくなり、前記一対の第２エッジ領域における電極指のピッチは前記第２反射器に向かって小さくなり、
   前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値をＤ１とし、前記第１ピッチと前記第１中央領域の電極指のピッチの平均値との差をΔＤ１とし、前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値をＤ２とし、前記第２ピッチと前記第２中央領域の電極指のピッチの平均値との差をΔＤ２としたとき、ΔＤ１／Ｄ１とΔＤ２／Ｄ２との差は０．００１以上であり、
   前記第１中央領域における前記電極指のピッチの最大値と前記電極指のピッチの最小値との差は、ΔＤ１の１／１０以下であり、
   前記第２中央領域における前記電極指のピッチの最大値と前記電極指のピッチの最小値との差は、ΔＤ２の１／１０以下であり、
   前記第１中央領域における前記電極指のピッチの平均値と前記第２中央領域における前記電極指のピッチの平均値との差はＤ１＋Ｄ２の０．００５倍以下であるフィルタ。
2. 前記第１エッジ領域の電極指の本数をＮ１としたとき、Ｎ１×ΔＤ１／Ｄ１は０．６以下であり、
   前記第２エッジ領域の電極指の本数をＮ２としたとき、Ｎ２×ΔＤ２／Ｄ２は０．６以下である請求項１に記載のフィルタ。
3. 前記第１弾性波共振器の共振周波数と前記第２弾性波共振器の共振周波数は等しい請求項１または２に記載のフィルタ。
4. 前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器とは直列接続されている請求項１から３のいずれか一項に記載のフィルタ。
5. 前記第１弾性波共振器と前記第２弾性波共振器とは並列接続されている請求項１から３のいずれか一項に記載のフィルタ。
6. 入力端子と出力端子との間に直列に接続された１または複数の直列共振器と、
   前記入力端子と前記出力端子との間に並列に接続された１または複数の並列共振器と、
   を備え、
   前記１または複数の直列共振器および前記１または複数の並列共振器の少なくとも１つは前記第１弾性波共振器および前記第２弾性波共振器を含む請求項１から５のいずれか一項に記載のフィルタ。
7. 請求項１から６のいずれか一項に記載のフィルタを含むマルチプレクサ。

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