EP0887105A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial - Google Patents

Vorrichtung und Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial Download PDF

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EP0887105A1
EP0887105A1 EP98110151A EP98110151A EP0887105A1 EP 0887105 A1 EP0887105 A1 EP 0887105A1 EP 98110151 A EP98110151 A EP 98110151A EP 98110151 A EP98110151 A EP 98110151A EP 0887105 A1 EP0887105 A1 EP 0887105A1
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silicon
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comminution
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    • B02—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING; PREPARATORY TREATMENT OF GRAIN FOR MILLING
    • B02C—CRUSHING, PULVERISING, OR DISINTEGRATING IN GENERAL; MILLING GRAIN
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    • B02C19/0056—Other disintegrating devices or methods specially adapted for specific materials not otherwise provided for
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    • B02C19/18—Use of auxiliary physical effects, e.g. ultrasonic waves or irradiation, for disintegrating
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    • B02C19/18—Use of auxiliary physical effects, e.g. ultrasonic waves or irradiation, for disintegrating
    • B02C2019/183—Crushing by discharge of high electrical energy

Definitions

  • the invention relates to an apparatus and a method for Shredding semiconductor material.
  • High purity Silicon is obtained, for example, by thermal decomposition more volatile and therefore simple via distillation processes silicon compounds to be cleaned, such as Trichlorosilane. It falls polycrystalline in the form of rods with typical diameters from 70 to 300 mm and lengths of 500 up to 2500 mm. A large part of the bars becomes production of crucible-drawn single crystals, of ribbons and foils or for the production of polycrystalline solar cell base material used. Because these products are made from high purity, molten Silicon are manufactured, it is necessary to use solid silicon to melt in crucibles.
  • the object of the invention was therefore a device and to provide a method that the state improved technology and in particular enables semiconductor material contamination-free and without high temperatures and crush mechanical crushing tools. This The object is achieved by the invention.
  • the invention relates to a device for comminuting of semiconductor material, which is characterized in that it has at least two spaced electrodes, which from the same material as the semiconductor material to be shredded exist and each have a heater.
  • electrodes can also be made from semiconductor material use while electrodes made of a different material a substantial entry of foreign material from the electrodes or from that used for contacting Have water.
  • FIG. 1 shows a device for comminuting according to the invention shown schematically in cross section.
  • Figure 2 shows schematically in a perspective top view the inventive method.
  • the device according to the invention is preferably used to brittle hard semiconductor material 1, such as germanium or To crush gallium arsenide and preferably silicon. It it does not matter whether there are fragments or semiconductor rods should be crushed.
  • the device is constructed in such a way that it has at least two spaced electrodes 3, which consist of the semiconductor material to be comminuted, which is germanium or gallium arsenide and preferably silicon.
  • the electrodes preferably have a diameter of 6 mm to 20 mm, particularly preferably 8 mm to 12 mm. These electrodes have a heating device which they can heat to temperatures of preferably 400 ° C. to 1200 ° C.
  • This heating device preferably has a heating cassette 6 with preferably electric heaters 5.
  • the electrodes 3 themselves are preferably connected to a high-voltage pulse generator 8 via a graphite electrode 4.
  • the electrodes 3 are movably connected so that they can be pushed axially out of the heating cassette 6 with the electric heaters 5 and can thus be pushed onto the semiconductor material to be comminuted, such as preferably a silicon rod, so that they are in contact with the semiconductor material .
  • the electrodes can also be movable by being rigidly connected to the heating device, by moving the electrodes together with the heating device on a displaceable holder 7, which is preferably made of metal.
  • a base 2 which consists of wear-resistant plastic or preferably of the same material as the semiconductor material to be comminuted, preferably silicon, in order to reduce contamination with foreign atoms.
  • the device preferably works under ambient air, at normal pressure, but it can also be operated in an atmosphere with increased dielectric strength, such as under increased pressure or under an electronegative gas such as CO 2 , or a mixture of corresponding gases.
  • Electrodes 3 are arranged so that, for example, a Rod made of semiconductor material can be shredded at once.
  • the electrodes can be placed at intervals of preferably 1 cm to 20 cm depending on the length of the semiconductor material that to be crushed in one operation will.
  • Another object of the invention is a method for comminution of semiconductor material, which is characterized is that the crushing of the semiconductor material by direct Current passage with high voltage pulses takes place as Electrodes made of the same material as the material to be shredded Semiconductor material can be used at a temperature brought in which they are conductive.
  • semiconductor material such as preferably germanium, gallium arsenide and preferred Silicon
  • a base preferably made of plastic or particularly preferably of the same material how the semiconductor material to be shredded is made up of contamination with foreign atoms is reduced.
  • the rod-shaped semiconductor material preferably a silicon rod of 60 mm to 250 mm in diameter and a length of 100 mm to 250 mm, successively the pad at intervals of preferably 1 cm to 20 cm, especially preferably from 3 cm to 8 cm, pushed. This sets up also depends on how large the grain size is during crushing should be. This can be continuously adjusted from 5 mm to 180 mm will.
  • the semiconductor material depending on what grain size is desired is, preferably between 3 cm to 8 cm over at least two electrodes pushed out. Then the two Electrodes 3 moved towards the semiconductor material so that they in Contact with this, taking the two electrodes 3 that are out the same material as the semiconductor material to be shredded exist, and are provided with a heater that a heating cassette 6 and preferably an electric heater 5, which heats the electrodes to a temperature at which they are conductive. This temperature is preferably 400 ° C to 1200 ° C.
  • a high voltage pulse generator 8 emitted at least one surge, preferably a voltage of 20 kV to 300 kV, particularly preferably of 30 kV to 150 kV, a current of 1 kA to 20 kA, particularly preferably from 3 kA to 10 kA, a pulse duration of 10 nsec to 50 msec, particularly preferably from 1 msec to 30 msec and one Pulse frequency from 0.1 Hz to 10 Hz, particularly preferably from 0.5 Hz, with a rod diameter of 60 mm.
  • the rod-shaped semiconductor material can also be in a device can be pushed, in each case one row of 2 electrodes each, preferably at intervals of 1 cm to 20 cm are arranged at the same time as the rod-shaped Semiconductor material come in contact with it at the same time at least one surge as described above shred.
  • An advantage of the method according to the invention is that it depends on the number of pulses, the level of voltage, the pulse duration and the geometric distance between the contact points large disks up to fine breakage are produced on the semiconductor material can be.
  • a silicon break with one is preferred largest dimension of 100 mm.
  • this is the invention This makes the process cost-effective and extremely environmentally friendly, because there is no waste water.

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Abstract

Beschrieben wird eine neue Vorrichtung zum Zerkleinern von Halbleitermaterial, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie mindestens zwei beabstandete Elektroden aufweist, die aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial bestehen und die jeweils eine Heizvorrichtung aufweisen.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial.
  • Für die Herstellung von Solarzellen oder elektronischen Bauelementen, wie beispielsweise Speicherelementen oder Mikroprozessoren, wird hochreines Halbleitermaterial benötigt. Die gezielt eingebrachten Dotierstoffe sind die einzigen Verunreinigungen, die ein derartiges Material im günstigsten Fall aufweisen sollte. Man ist daher bestrebt, die Konzentrationen schädlicher Verunreinigungen so niedrig wie möglich zu halten. Häufig wird beobachtet, daß bereits hochrein hergestelltes Halbleitermaterial im Verlauf der weiteren Verarbeitung zu den Zielprodukten erneut kontaminiert wird. So werden immer wieder aufwendige Reinigungsschritte notwendig, um die ursprüngliche Reinheit zurückzuerhalten. Fremdmetallatome, die in das Kristallgitter des Halbleitermaterials eingebaut werden, stören die Ladungsverteilung und können die Funktion des späteren Bauteils vermindern oder zu dessen Ausfall führen. Infolgedessen sind insbesondere Kontaminationen des Halbleitermaterials durch metallische Verunreinigungen zu vermeiden. Dies gilt insbesondere für Silicium, das in der Elektronikindustrie mit deutlichem Abstand am häufigsten als Halbleitermaterial eingesetzt wird. Hochreines Silicium erhält man beispielsweise durch thermische Zersetzung leicht flüchtiger und deshalb einfach über Destillationsverfahren zu reinigender Siliciumverbindungen, wie beispielsweise Trichlorsilan. Es fällt dabei polykristallin in Form von Stäben mit typischen Durchmessern von 70 bis 300 mm und Längen von 500 bis 2500 mm an. Ein großer Teil der Stäbe wird zur Produktion von tiegelgezogenen Einkristallen, von Bändern und Folien oder zur Herstellung von polykristallinem Solarzellengrundmaterial verwendet. Da diese Produkte aus hochreinem, schmelzflüssigen Silicium hergestellt werden, ist es notwendig, festes Silicium in Tiegeln aufzuschmelzen. Um diesen Vorgang möglichst effektiv zu gestalten, müssen großvolumige, massive Siliciumstücke, wie beispielsweise die erwähnten polykristallinen Stäbe, vor dem Aufschmelzen zerkleinert werden. Dies ist üblicherweise immer mit einer oberflächlichen Verunreinigung des Halbleitermaterials verbunden, weil die Zerkleinerung mit metallischen Brechwerkzeugen, wie Backen- oder Walzenbrechern, Hämmern oder Meißeln, erfolgt.
  • Bei der Zerkleinerung ist sorgfältig darauf zu achten, daß die Oberflächen der Bruchstücke nicht mit Fremdstoffen verunreinigt werden. Insbesondere ist die Kontamination durch Metallatome als kritisch anzusehen, da diese die elektrischen Eigenschaften des Halbleitermaterials in schädlicher Weise verändern können. Wird das zu zerkleinernde Halbleitermaterial, wie bisher überwiegend üblich, mit mechanischen Werkzeugen, wie beispielsweise stählernen Brechern, zerkleinert, so müssen die Bruchstücke vor dem Aufschmelzen einer aufwendigen und kostenintensiven Oberflächenreinigung unterzogen werden.
  • Gemäß der Offenlegungsschrift DE-38 11 091 A1 und ihrer korrespondierenden Patentschrift US-4,871,117 ist es möglich, massive, großvolumige Siliciumkörper so zu dekompaktieren, daß die mechanische Zerkleinerung schon mit Werkzeugen, deren Arbeitsflächen aus nicht oder nur gering kontaminierenden Stoffen, wie Silicium, Nitrid- oder Carbidkeramiken, bestehen, gelingt. Die Dekompaktierung wird dadurch erreicht, daß durch Wärmeeinwirkung von außen im zu zerbrechenden Siliciumstück ein Temperaturgradient erzeugt und eine Oberflächentemperatur von 400 bis 1400°C eingestellt wird, und diese rasch um einen Wert von mindestens 300° abgesenkt wird, so daß sich der Temperaturgradient zumindest teilweise umkehrt. Zur Erzeugung des Temperaturgradienten muß das massive Gut in einen Ofen gebracht und aufgeheizt werden. Dieses Verfahren hat jedoch den Nachteil, daß während der Aufheizphase die Diffusion von an der Oberfläche des Halbleitermaterials adsorbierten Fremdstoffen in Gang gesetzt und/oder beschleunigt wird. Auf diese Weise gelangen die Fremdstoffe von der Oberfläche in den Kristallverband des Halbleitermaterials und entziehen sich dadurch den Reinigungsmaßnahmen, die nur oberflächennahe Verunreinigungen zu beseitigen vermögen. Darüber hinaus ist bei dem genannten Verfahren eine Kontamination des Halbleitermaterials durch vom Ofenmaterial während des Aufheizens abgegebene Fremdstoffe praktisch nicht zu vermeiden.
  • Die Aufgabe der Erfindung bestand deshalb darin, eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Verfügung zu stellen, das den Stand der Technik verbessert und es insbesondere ermöglicht, Halbleitermaterial kontaminationsfrei und unter Verzicht auf hohe Temperaturen und mechanische Brechwerkzeuge zu zerkleinern. Diese Aufgabe wird durch die Erfindung gelöst.
  • Gegenstand der Erfindung ist eine Vorrichtung zum Zerkleinern von Halbleitermaterial, die dadurch gekennzeichnet ist, daß sie mindestens zwei beabstandete Elektroden aufweist, die aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial bestehen und jeweils eine Heizvorrichtung aufweisen.
  • Überraschenderweise lassen sich auch Elektroden aus Halbleitermaterial verwenden, während Elektroden aus einem anderen Material einen erheblichen Eintrag von Fremdmaterial aus den Elektroden beziehungsweise aus dem zur Kontaktierung verwendeten Wasser aufweisen.
  • In Figur 1 wird eine erfindungsgemäße Vorrichtung zum Zerkleinern schematisch im Querschnitt gezeigt.
  • Figur 2 zeigt schematisch in einer perspektivischen Draufsicht das erfindungsgemäße Verfahren.
  • Die erfindungsgemäße Vorrichtung wird vorzugsweise dazu genutzt, sprödhartes Halbleitermaterial 1, wie Germanium oder Galliumarsenid und vorzugsweise Silicium zu zerkleinern. Es spielt dabei keine Rolle, ob bereits Bruchstücke oder Halbleiterstäbe zerkleinert werden sollen.
  • Die Vorrichtung ist so aufgebaut, daß sie mindestens zwei beabstandete Elektroden 3 aufweist, die aus dem zu zerkleinernden Halbleitermaterial bestehen, wobei es sich um Germanium oder Galliumarsenid und vorzugsweise Silicium handelt. Die Elektroden haben vorzugsweise einen Durchmesser von 6 mm bis 20 mm, besonders bevorzugt von 8 mm bis 12 mm. Diese Elektroden weisen eine Heizvorrichtung auf, die sie auf Temperaturen von vorzugsweise 400 °C bis 1200 °C erwärmen kann. Diese Heizvorrichtung weist vorzugsweise eine Heizkassette 6 mit vorzugsweise elektrischen Heizern 5 auf. Die Elektroden 3 selbst sind vorzugsweise über eine Graphitelektrode 4 mit einem Hochspannungsimpulsgenerator 8 verbunden. Vorzugsweise sind die Elektroden 3 beweglich angeschlossen, so daß sie axial aus der Heizkassette 6 mit den elektrischen Heizern 5 geschoben werden können und so an das zu zerkleinernde Halbleitermaterial, wie vorzugsweise einen Siliciumstab, geschoben werden können, so daß sie mit dem Halbleitermaterial im Kontakt stehen. Die Elektroden können auch beweglich sein, indem sie starr mit der Heizvorrichtung verbunden sind, indem die Elektroden mit der Heizvorrichtung zusammen auf einer verschiebbaren Halterung 7 bewegt werden, die vorzugsweise aus Metall besteht. Zwischen den Elektroden 3 befindet sich eine Unterlage 2, die aus abriebfestem Kunststoff oder vorzugsweise aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial, vorzugsweise Silicium, besteht, um eine Kontamination mit Fremdatomen zu vermindern. Die Vorrichtung arbeitet vorzugsweise unter Umgebungsluft, bei Normaldruck, sie kann jedoch auch in einer Atmosphäre mit erhöhter elektrischer Durchschlagsfestigkeit betrieben werden, wie zum Beispiel unter erhöhtem Druck oder unter einem elektronegativem Gas, wie z.B. CO2, oder einem Gemisch entsprechender Gase.
  • Es besteht auch die Möglichkeit die Vorrichtung derart zu gestalten, daß eine Reihe von sich jeweils zwei gegenüberstehenden Elektroden 3 angeordnet werden, so daß zum Beispiel ein Stab aus Halbleitermaterial auf einmal zerkleinert werden kann. Auf diese Weise können die Elektroden in Abständen von vorzugsweise 1 cm bis 20 cm je nach Länge des Halbleitermaterials, das in einem Arbeitsgang zerkleinert werden soll, angeordnet werden.
  • Ein weiter Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Zerkleinerung des Halbleitermaterials durch direkten Stromdurchgang mit Hochspannungsimpulsen erfolgt, wobei als Elektroden solche aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial verwendet werden, die auf eine Temperatur gebracht werden, bei der sie stromleitend sind.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren, das vorzugsweise mit der oben beschriebenen Vorrichtung ausgeführt wird, wird Halbleitermaterial, wie vorzugsweise Germanium, Galliumarsenid und bevorzugt Silicium, auf eine Unterlage geschoben, die vorzugsweise aus Kunststoff oder besonders bevorzugt aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial besteht, damit eine Kontamination mit Fremdatomen vermindert wird. Bei einem bevorzugten Verfahren wird das stabförmige Halbleitermaterial, vorzugsweise ein Siliciumstab von 60 mm bis 250 mm Durchmesser und einer Länge von 100 mm bis 250 mm, sukzessive auf die Unterlage in Abständen von vorzugsweise 1 cm bis 20 cm, besonders bevorzugt von 3 cm bis 8 cm, geschoben. Dies richtet sich auch danach, wie groß die Korngröße bei der Zerkleinerung sein soll. Diese kann stufenlos auf 5 mm bis 180 mm eingestellt werden.
  • Das Halbleitermaterial wird, je nachdem, welche Korngröße erwünscht ist, vorzugsweise zwischen 3 cm bis 8 cm über mindestens zwei Elektroden hinaus geschoben. Sodann werden die zwei Elektroden 3 auf das Halbleitermaterial so zubewegt, daß sie in Kontakt mit diesem treten, wobei die zwei Elektroden 3, die aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial bestehen, und mit einer Heizvorrichtung versehen sind, die eine Heizkassette 6 und vorzugsweise einen elektrischen Heizer 5 aufweist, der die Elektroden auf eine Temperatur erwärmt, bei der sie stromleitend sind. Diese Temperatur beträgt vorzugsweise 400 °C bis 1200 °C. Sobald die Elektroden in Kontakt mit dem Halbleitermaterial stehen, wird über einen HochspannungsimpulsGenerator 8 zumindest ein Stromstoß abgegeben, der vorzugsweise eine Spannung von 20 kV bis 300 kV, besonders bevorzugt von 30 kV bis 150 kV, einer Stromstärke von 1 kA bis 20 kA, besonders bevorzugt von 3 kA bis 10 kA, eine Impulsdauer von 10 nsec bis 50 msec, besonders bevorzugt von 1 msec bis 30 msec und einer Pulsfrequenz von 0,1 Hz bis 10 Hz, besonders bevorzugt von 0,5 Hz aufweist, bei einem Stabdurchmesser von 60 mm. Danach wird das stabförmige Halbleitermaterial wieder ein entsprechendes Stück axial vorgeschoben und der oben beschriebene Vorgang wiederholt sich. Das stabförmige Halbleitermaterial kann auch in eine Vorrichtung geschoben werden, bei der jeweils eine Reihe von jeweils 2 Elektroden vorzugsweise in Abständen von 1 cm bis 20 cm angeordnet sind, die gleichzeitig mit dem stabfömigen Halbleitermaterial in Kontakt treten, um es gleichzeitig mit zumindest einem Stromstoß, wie oben beschrieben, zu zerkleinern.
  • Mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens kann Halbleitermaterial in polykristalliner und monokristalliner Form zerkleinert werden.
  • Ein Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahren ist es, daß in Abhängigkeit von der Anzahl der Impulse, der Höhe der Spannung, der Impulsdauer und dem geometrischen Abstand der Kontaktpunkte auf dem Halbleitermaterial große Scheiben bis feiner Bruch hergestellt werden können. Bevorzugt ist ein Siliciumbruch mit einer größten Abmessung von 100 mm. Des weiteren ist das erfindungsgemäße Verfahren dadurch kostengünstig und äußerst umweltverträglich, weil keine Abwässer entstehen.

Claims (4)

  1. Vorrichtung zum Zerkleinern von Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß sie mindestens zwei beabstandete Elektroden aufweist, die aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial bestehen und die jeweils eine Heizvorrichtung aufweisen.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektroden aus Silicium bestehen.
  3. Verfahren zur Zerkleinerung von Halbleitermaterial, dadurch gekennzeichnet, daß die Zerkleinerung des Halbleitermaterials durch direkten Stromdurchgang mit Hochspannungsimpulsen erfolgt, wobei als Elektroden solche aus dem gleichen Material wie das zu zerkleinernde Halbleitermaterial verwendet werden, die auf eine Temperatur gebracht werden, bei der sie stromleitend sind.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß als Halbleitermaterial für die Elektroden Silicium verwendet wird.
EP98110151A 1997-06-27 1998-06-04 Vorrichtung und Verfahren zum Zerkleinern von Halbleitermaterial Expired - Lifetime EP0887105B1 (de)

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