EP0454584B1 - Verfahren und Vorrichtung zur Dekontaminierung durch Ionenätzen - Google Patents

Verfahren und Vorrichtung zur Dekontaminierung durch Ionenätzen Download PDF

Info

Publication number
EP0454584B1
EP0454584B1 EP19910401101 EP91401101A EP0454584B1 EP 0454584 B1 EP0454584 B1 EP 0454584B1 EP 19910401101 EP19910401101 EP 19910401101 EP 91401101 A EP91401101 A EP 91401101A EP 0454584 B1 EP0454584 B1 EP 0454584B1
Authority
EP
European Patent Office
Prior art keywords
enclosure
substrate
electrically conductive
decontaminated
cathodic sputtering
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
EP19910401101
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
EP0454584A1 (de
Inventor
Philippe Bosch
Jean-Joseph Maurel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA
Original Assignee
Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Commissariat a lEnergie Atomique CEA filed Critical Commissariat a lEnergie Atomique CEA
Publication of EP0454584A1 publication Critical patent/EP0454584A1/de
Application granted granted Critical
Publication of EP0454584B1 publication Critical patent/EP0454584B1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21F—PROTECTION AGAINST X-RADIATION, GAMMA RADIATION, CORPUSCULAR RADIATION OR PARTICLE BOMBARDMENT; TREATING RADIOACTIVELY CONTAMINATED MATERIAL; DECONTAMINATION ARRANGEMENTS THEREFOR
    • G21F9/00—Treating radioactively contaminated material; Decontamination arrangements therefor
    • G21F9/001—Decontamination of contaminated objects, apparatus, clothes, food; Preventing contamination thereof
    • G21F9/005—Decontamination of the surface of objects by ablation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
    • B08B7/0035—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by radiant energy, e.g. UV, laser, light beam or the like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
    • C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents

Claims (16)

  1. Verfahren zur Dekontaminierung eines Gegenstandes (2, 2a), dessen Oberfläche durch ein kontaminierendes Material verseucht ist, Verfahren
    dadurch gekennzeichnet, daß man wenigstens einen Teil der Oberfläche durch ein Gehäuse (6) überdeckt, daß man durch Ionenätzen bzw. Rücksputtern diesen als Target genommenen Teil dekapiert bzw. reinigt, daß man das so entfernte, kontaminierende Material sammelt auf einem Substrat (12), enthalten in dem Gehäuse.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand (2) wenigstens oberflächlich elektrisch leitend ist, und daß das Target bezüglich der Erde auf eine negative Gleichspannung mit einem hohen Absolutwert gebracht wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand wenigstens oberflächlich elektrisch leitend ist, und daß das Substrat elektrisch leitend ist, und daß das Substrat bezüglich des Gegenstands auf eine negative Gleichspannung mit einem hohen Absolutwert gebracht wird.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand (2a) elektrisch isolierend ist, daß das Substrat (12) elektrisch leitend ist, und daß man an dieses Substrat eine elektrische Wechselspannung mit einem großen Maximalwert und einer hohen Frequenz legt.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß man außerdem eine Relativverschiebung des Substrats (12) in bezug auf den Gegenstand (2) ausführt, um nacheinander eine Vielzahl von Teilen der kontaminierten Oberfläche zu dekapieren.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß man die dekapierte Oberfläche überdeckt mit einer Schutzschicht (38), die die Einschließung des Restmaterials ermöglicht, wobei diese überdeckung hergestellt wird durch Kathodenzerstäubung bzw. Sputtern von einem Target 12a aus, das aus dem die Schutzschicht bildenden Material gefertigt ist.
  7. Vorrichtung zur Dekontaminierung eines Gegenstands (2), der wenigstens oberflächlich elektrisch leitend ist und dessen Oberfläche verseucht ist durch ein kontaminierendes Material, Vorrichtung
    dadurch gekennzeichnet, daß sie Einrichtungen zum Ionenätzen bzw. Sputtern enthält, um die als Target genommene Oberfläche zu reinigen, wobei diese Sputtereinrichtungen umfassen:
    - ein Gehäuse (6) zum Überdecken wenigstens eines Teils der zu dekontaminierenden Fläche,
    - ein Substrat (12) zum Sammeln des durch Kathodenzerstäubung bzw. Rücksputtern entfernten Materials, wobei dieses Substrat enthalten ist in dem Gehäuse und eine Sammelfläche aufweist, die größer oder gleich der Fläche des besagten Teils ist;
    - Vorspannungseinrichtungen (32), um das Target bezüglich der Erde auf eine negative Gleichspannung mit einem hohen Absolutwert zu bringen,
    - Pumpeinrichtungen (8) zur Herstellung von Unterdruck in dem Gehäuse, und
    - Einrichtungen (10) zur Versorgung des Gehäuses mit einem plasmaerzeugenden Gas.
  8. Vorrichtung zur Dekontaminierung eines Gegenstands (2), der wenigstens oberflächlich elektrisch leitend ist und dessen Oberfläche verseucht ist durch ein kontaminierendes Material, Vorrichtung
    dadurch gekennzeichnet, daß sie Einrichtungen zum Ionenätzen bzw. Sputtern enthält, um die als Target genommene Oberfläche zu reinigen, wobei diese Sputtereinrichtungen umfassen:
    - ein Gehäuse (6) zum Überdecken wenigstens eines Teils der zu dekontaminierenden Fläche,
    - ein elektrisch leitenes Substrat (12) zum Sammeln des durch Kathodenzerstäubung bzw. Rücksputtern entfernten Materials, wobei dieses Substrat enthalten ist in dem Gehäuse und eine Sammelfläche aufweist, die größer oder gleich der Fläche des besagten Teils ist,
    - Vorspannungseinrichtungen (14), um das Substrat bezüglich des Gegenstands auf eine positive Gleichspannung mit einem hohen Absolutwert zu bringen,
    - Pumpeinrichtungen (8) zur Herstellung von Unterdruck in dem Gehäuse, und
    - Einrichtungen (10) zur Versorgung des Gehäuses mit einem plasmaerzeugenden Gas.
  9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, das das Gehäuse (6) vorgesehen ist, um die Gesamtheit der zu dekontaminierende Fläche zu überdecken, wobei die Dekontaminierungsfläche des Substrats größer oder gleich der zu dekontaminierenden Fläche ist.
  10. Vorrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (6) elektrisch leitend ist, und daß das Substrat durch die Innenwand dieses Gehäuses gebildet wird.
  11. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 und 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse (6) vorgesehen ist, um auf die zu dekontaminierende Fläche gestellt zu werden, derart einen Teil von dieser letzteren überdeckend hinsichtlich der Dekontaminierung dieses überdeckten Teils.
  12. Vorrichtung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem Einrichtungen (28) zur Relativverschiebung des Gehäuses (6) und des Substrats (12) in bezug auf den Gegenstand (2) umfaßt, um nacheinander eine Vielzahl von Teilen der dekontaminierten Fläche zu reinigen.
  13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat einen Träger (12) und einen elektrisch leitenden, dünnen Film (26) umfaßt, der diesen Träger bedeckt.
  14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7, 8, 9 und 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (12) an die Form des Gehäuses (6) angepaßt ist und sich nahe bei diesem Gehäuse befindet.
  15. Vorrichtung zur Dekontaminierung eines Gegenstands (2a), der wenigstens oberflächlich elektrisch isolierend ist und dessen Oberfläche verseucht ist durch ein kontaminierendes Material, Vorrichtung
    dadurch gekennzeichnet, daß sie Einrichtungen zum Ionenätzen bzw. Sputtern enthält, um die als Target genommene Oberfläche zu reinigen, wobei diese Sputtereinrichtungen umfassen:
    - ein Gehäuse (6) zum Überdecken der zu dekontaminierenden Fläche,
    - ein elektrisch leitendes Substrat (12) zum Sammeln des durch Kathodenzerstäubung bzw. Rücksputtern entfernten Materials, wobei dieses Substrat enthalten ist in dem Gehäuse und eine Sammelfläche aufweist, die größer oder gleich der zu dekontaminierenden Fläche ist;
    - Vorspannungseinrichtungen (14a), um an das Substrat eine Wechselspannung mit einem großen Maximalwert und einer hohen Frequenz zu legen,
    - Pumpeinrichtungen (8) zur Herstellung von Unterdruck in dem Gehäuse, und
    - Einrichtungen (10) zur Versorgung des Gehäuses mit einem plasmaerzeugenden Gas.
  16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß sie außerdem Einrichtungen (35) zur Erzeugung eines magnetischen Feldes umfaßt, das senkrecht ist zu dem elektrischen Feld, entstanden in dem Raum, der beim Ionenätzen bzw. Rücksputtern enhalten ist zwischem dem Substrat (12) und der zu dekontaminierenden Fläche und das die Ionendichte in diesem Raum erhöht.
EP19910401101 1990-04-27 1991-04-25 Verfahren und Vorrichtung zur Dekontaminierung durch Ionenätzen Expired - Lifetime EP0454584B1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9005417A FR2661544B1 (fr) 1990-04-27 1990-04-27 Procede et dispositif de decontamination par decapage ionique.
FR9005417 1990-04-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EP0454584A1 EP0454584A1 (de) 1991-10-30
EP0454584B1 true EP0454584B1 (de) 1995-08-02

Family

ID=9396183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EP19910401101 Expired - Lifetime EP0454584B1 (de) 1990-04-27 1991-04-25 Verfahren und Vorrichtung zur Dekontaminierung durch Ionenätzen

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP0454584B1 (de)
JP (1) JP2892857B2 (de)
DE (1) DE69111671T2 (de)
FR (1) FR2661544B1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL119634A (en) * 1996-11-18 2000-12-06 Omerco Ltd Method and apparatus for the treatment of surfaces of large metal objects
JP6052538B2 (ja) * 2012-12-04 2016-12-27 清水建設株式会社 汚染コンクリート塊の除染処理方法および装置
RU2711292C1 (ru) * 2018-11-21 2020-01-16 Акционерное Общество "Российский Концерн По Производству Электрической И Тепловой Энергии На Атомных Станциях" (Ао "Концерн Росэнергоатом") Способ дезактивации элемента конструкции ядерного реактора
CN112139151A (zh) * 2020-09-11 2020-12-29 韩山师范学院 一种大型设备表面清理装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1382915A (en) * 1972-04-25 1975-02-05 British Nuclear Fuels Ltd Decontamination of fuel element sheaths
DE3114543A1 (de) * 1981-04-10 1982-12-16 Alkem Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zum dekontaminieren der oberflaeche eines koerpers von radioaktiven verunreinigungspartikeln und einrichtung zur durchfuehrung dieses verfahrens
GB2159753B (en) * 1984-03-06 1988-09-07 Asm Fico Tooling Method and apparatus for cleaning lead pins before soldering operations
BE1001027A3 (nl) * 1987-10-21 1989-06-13 Bekaert Sa Nv Werkwijze en inrichting voor het reinigen van een langwerpig metalen substraat, zoals een draad, een band, een koord, enz., alsmede volgens die werkwijze gereinigde substraten en met dergelijke substraten versterkte voorwerpen uit polymeermateriaal.

Also Published As

Publication number Publication date
DE69111671T2 (de) 1996-04-04
JP2892857B2 (ja) 1999-05-17
DE69111671D1 (de) 1995-09-07
EP0454584A1 (de) 1991-10-30
FR2661544A1 (fr) 1991-10-31
FR2661544B1 (fr) 1994-05-27
JPH04230898A (ja) 1992-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0049380B1 (de) Vorrichtung zur plasmachemischen Beschichtung
CA2700575C (fr) Procede de traitement de surface d'au moins une piece au moyen de sources elementaires de plasma par resonance cyclotronique electronique
EP1178134A1 (de) Pasma-Verfahren und -Vorrichtung zur Durchlaufbehandlung metallischer Gegenstände
FR2490399A1 (fr) Procede et appareil pour la pulverisation ou vaporisation utilisant une source d'ions amelioree
EP0454584B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Dekontaminierung durch Ionenätzen
EP2208218B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasma-behandlung substrate im durchlauf
EP0818557A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Beschichtung auf einem Substrat
EP0265320A1 (de) Anlage zur Vakuum-Auflagerung durch reaktive Kathodenzerstäubung auf eine Glasplatte
EP0413617B1 (de) Verfahren zur Abscheidung von Dünnschichten
EP0908535B1 (de) Verfahren zum Reinigen eines Substrats und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP2035597B1 (de) Reinigungsvorrichtung und reinigungsverfahren für einen plasmareaktor
JP4550959B2 (ja) 薄膜作成装置
EP0878565B1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ätzen
EP3278350A1 (de) Vorrichtung zur behandlung von gegenständen mit plasma, verwendung dieser vorrichtung und verfahren zur verwendung dieser vorrichtung
WO2022096819A1 (fr) Nettoyage d'un élément optique d'un dispositif de fabrication additive
EP1949408B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur färbung eines metallstreifens im vakuum mittels magnetron-sputtern
EP2654071B1 (de) Kapazitiv gekoppelter Plasmareaktor für Dünnfilmablagerung
FR2689143A1 (fr) Dispositif de pulvérisation cathodique utilisant un plasma engendré par des micro-ondes.
EP1949409B1 (de) Verfahren und installation zur unterdruckfärbung eines metallstreifens mittels magnetron-sputtern
EP0908924A1 (de) Vorrichtung zur Kondensationserzeugung eines Schichtes auf einem Substrat
EP0944745A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung einer beschichtung auf einem substratmittels kathodenzerstäubung

Legal Events

Date Code Title Description
PUAI Public reference made under article 153(3) epc to a published international application that has entered the european phase

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009012

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BE CH DE FR GB IT LI NL

17P Request for examination filed

Effective date: 19920410

17Q First examination report despatched

Effective date: 19941021

GRAA (expected) grant

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009210

STAA Information on the status of an ep patent application or granted ep patent

Free format text: STATUS: THE PATENT HAS BEEN GRANTED

AK Designated contracting states

Kind code of ref document: B1

Designated state(s): BE CH DE FR GB IT LI NL

RIN1 Information on inventor provided before grant (corrected)

Inventor name: MAUREL, JEAN-JOSEPH

Inventor name: BOSCH, PHILIPPE

REF Corresponds to:

Ref document number: 69111671

Country of ref document: DE

Date of ref document: 19950907

ITF It: translation for a ep patent filed

Owner name: JACOBACCI & PERANI S.P.A.

GBT Gb: translation of ep patent filed (gb section 77(6)(a)/1977)

Effective date: 19951010

PLBE No opposition filed within time limit

Free format text: ORIGINAL CODE: 0009261

26N No opposition filed
REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: CL

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: CH

Payment date: 20000128

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Payment date: 20000428

Year of fee payment: 10

Ref country code: BE

Payment date: 20000428

Year of fee payment: 10

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Payment date: 20010425

Year of fee payment: 11

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: BE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20010430

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Payment date: 20010505

Year of fee payment: 11

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: LI

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20010524

Ref country code: CH

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20010524

BERE Be: lapsed

Owner name: COMMISSARIAT A L' ENERGIE ATOMIQUE

Effective date: 20010430

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: NL

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20011101

REG Reference to a national code

Ref country code: CH

Ref legal event code: PL

REG Reference to a national code

Ref country code: GB

Ref legal event code: IF02

NLV4 Nl: lapsed or anulled due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20011101

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: GB

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20020425

PGFP Annual fee paid to national office [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Payment date: 20020426

Year of fee payment: 12

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: DE

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20021101

GBPC Gb: european patent ceased through non-payment of renewal fee

Effective date: 20020425

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: FR

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES

Effective date: 20031231

REG Reference to a national code

Ref country code: FR

Ref legal event code: ST

PG25 Lapsed in a contracting state [announced via postgrant information from national office to epo]

Ref country code: IT

Free format text: LAPSE BECAUSE OF NON-PAYMENT OF DUE FEES;WARNING: LAPSES OF ITALIAN PATENTS WITH EFFECTIVE DATE BEFORE 2007 MAY HAVE OCCURRED AT ANY TIME BEFORE 2007. THE CORRECT EFFECTIVE DATE MAY BE DIFFERENT FROM THE ONE RECORDED.

Effective date: 20050425