EP0166327A2 - Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten - Google Patents

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EP0166327A2
EP0166327A2 EP85107381A EP85107381A EP0166327A2 EP 0166327 A2 EP0166327 A2 EP 0166327A2 EP 85107381 A EP85107381 A EP 85107381A EP 85107381 A EP85107381 A EP 85107381A EP 0166327 A2 EP0166327 A2 EP 0166327A2
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EP
European Patent Office
Prior art keywords
wet
chemical
base plates
printed circuit
activated
Prior art date
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EP85107381A
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English (en)
French (fr)
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EP0166327A3 (en
EP0166327B1 (de
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Kirkor Dr. Sirinyan
Gerhard Dieter Dr. Wolf
Ulrich Dr. Von Gizycki
Rudolf Dr. Merten
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Bayer AG
Original Assignee
Bayer AG
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Publication date
Application filed by Bayer AG filed Critical Bayer AG
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Publication of EP0166327A3 publication Critical patent/EP0166327A3/de
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Publication of EP0166327B1 publication Critical patent/EP0166327B1/de
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28—Sensitising or activating

Definitions

  • the invention relates to a wet chemical process for the production of printed circuit boards.
  • the deposition of adherent metal layers on the usual insulating base materials requires a complex pretreatment.
  • the base plates must first be provided with an adhesion promoter layer and then treated with oxidizing liquid, preferably chromosulfuric acid, before the plates prepared in this way are activated, masked and metallized in commercially available metallization baths with ionic or colloidal noble metal solutions.
  • this technique has the disadvantage that chromium ions which have been introduced poison the baths irreversibly and that the printed circuit boards obtained have unsatisfactory electrical properties.
  • the method according to the invention has the advantage that a metal layer with a thickness of only a maximum of 10 ⁇ m, preferably 0.1-7 , 5 ⁇ m or - particularly preferably 0.1-5.0 ⁇ m - must be etched out, which results in considerable material savings.
  • the new method is characterized by less work and improved mechanical and electrical properties of the metal layers.
  • the complex compounds required to carry out the new process are generally known (cf. e.g. DE-A 31 48 280).
  • Suitable complex compounds in the activator solutions are ⁇ complexes of olefins, conjugated dienes and ⁇ , ⁇ -unsaturated ketones and chelate complexes of compounds containing nitrile, amine, carboxyl, hydroxyl, sulfonic acid and sulfonamide groups
  • Functional groups such as carboxylic acid groups, carboxylic acid halide groups, carboxylic acid anhydride groups, carbonic ester groups, carbonamide and carbonimide groups, aldehyde and ketone groups, ether groups, sulfonamide groups, sulfonic acid groups and sulfonate groups, sulfonic acid halocyclic groups, sulfonate ester groups, sulfonate ester groups, sulfonate groups as chlorotriazinyl, -pyrazinyl-, -pyrimidyl- or chloroquinoxalinyl, activated double bonds, such as at vinylsulfonate or acrylic acid derivatives, amino groups, hydroxyl groups, isocyanate groups, olefinic groups and acetylenic groups and mercapto groups and epoxy groups, and also relatively long-chain alkyl or alkenyl groups from C 8, in particular Olein, linoleic, stearin or palmiting groups
  • Functional groups such as carboxylic acid groups, carboxylic acid anhydride groups, amide groups, carboxylic acid imide groups, keto, aldehyde and ester groups are very particularly suitable.
  • activators with, for example, additional carbonyl or sulfone groups are particularly favorable for metallizing objects based on polyamide or polyester.
  • Examples include: mesityl oxide, n-buten-3-one-2, n-hepten-3-one-2, n-hexen-3-one-2, n-decen-4-one-3,5-chloro penten-3-one-2, ethyl vinyl ketone, 3-methyl-octen-5-one-4, 3-methyl-penten-3-one-2, 7-methoxy-hepten-3-one-2.
  • complexing agents are: butadiene, 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride and 4-cyclohexene-1,2-dicarboximide.
  • Their palladium complexes are particularly preferred.
  • the novel process is advantageously carried out in such a way that base materials are wetted with the above-mentioned organometallic compounds. This can be done primarily by spraying with a volatile organic solution of the activators mentioned or by dipping into these media.
  • the activator concentration should be between 0.01 g and 10 g per liter of solvent.
  • the base materials treated in this way are then, if necessary swollen in a solvent, then sensitized and metallized over the entire area in a reductive metallization bath.
  • the metal coating thus obtained is galvanically reinforced up to a maximum total thickness of 10 ⁇ m.
  • the metallized base material also called “semi-finished product” is partially provided with a mask.
  • resist layers photoresists, photoresists
  • negative resists or “positive resists”
  • positive resists are used to cover the semi-finished products. They are generally known (see, for example, Günther Hermann, "Printed Circuit Boards, Manufacturing and Pretreatment", pp. 98-103 and 125-127).
  • the unexposed parts are removed with a suitable solvent after the exposure, in the second case the exposed parts.
  • a number of special resist systems can be used to produce reliefs for electronics or for microelectronics.
  • the resist systems curable with the aid of UV radiation, electron radiation and laser radiation should be mentioned (cf. DE-A 2 007 267, DE-A 2 454 879 and DE-A 2 507 874).
  • the relief mask can also be applied by screen printing, coating or stamping.
  • Suitable substrates for the process according to the invention are plates, preferably plates made of glass fiber and glass mat reinforced epoxy resins provided with standard holes (see, for example, the plastics manual, Prof. R. Vieweg, XI, pp. 180-246, Carl Hanser Verlag, Kunststoff (1971)), fluorine-containing polymers (see, for example, reference p. 673-674) such as PTFE (polytetrafluoroethylene), thermosetting plastics such as phenol-formalin and / or melamine resins (see, for example, Prof. R. Vieweg "Plastics Manual" X, pp.
  • polypropylene polyethylene
  • ABS acrylonitrile-butadiene-styrene copolymers or graft copolymers and polycondensates
  • polycondensates for example polycarbonates, aromatic and / or aliphatic polyamides, polyesters, aromatic and / or aliphatic polyamides or polyamide imides and their mixture or cocondensates.
  • the polymer plates In individual cases, the polymer plates must be swollen with a suitable swelling agent before metallization.
  • solutions of a mixture of halides of elements of the 1st and / or 2nd main group of the periodic table with salts of weak inorganic bases and strong inorganic acids are used.
  • Suitable halides of elements of the 1st and 2nd main group are in particular the chlorides; LiCl, BeCl 2 , MgCl 2 and CaCl 2 are preferred.
  • Suitable salts of weak bases and strong acids are sulfates, nitrates and especially chlorides of metals the 3rd and 4th main and subgroup as well as base metals of the 6th - 8th subgroup.
  • FeCl 2, FeCl 3, TiCl 3, TiCl 4, BCl 3, and AlCl 3 in particular are preferred.
  • Suitable swelling agents and solvents are those as described in conventional manuals on polyamides (cf. for example "Die Polyamide” by Hopff. Müller, Wegner, Springer-Verlag (1954), and “Polymer Handbook” by Brandrup et al, New York , Volume IV (1975) and “Kunststoff Handbuch” by Vieweg / Müller; Volume IV (1966)).
  • Examples include: lower aliphatic and araliphatic alcohols, such as e.g. Methanol, ethanol, isopropanol, n-propanol, n-butanol, benzyl alcohol and phenylethyl alcohol. Methanol is particularly preferred.
  • Dimethyl sulfoxide and amide group-containing solvents such as formamide and dimethylformamide are also suitable. Mixtures of these solvents can of course also be used.
  • a particularly preferred swelling agent system is a solution of CaCl 2 / AlCl 3 mixture in methanol.
  • customary polyamide plasticizers (0.2-10% by weight or 0.5-5% by weight, based on the total amount of liquid) can also be added.
  • examples include benzenesulfonic acid monoethylamide, p-toluenesulfonic acid amide, dioxide diphenyl sulfone and dibenzyl alcohol.
  • the "activating" and “swelling” operations can be combined by dissolving the activator in the swelling agent and using this system.
  • this variant is preferably carried out by immersing these polymers in an organic, preferably anhydrous, solution such as THF (tetrahydrofuran), benzene and toluene, which additionally contains an alkali organic compound with a solitary, contains capable of forming an electron pair capable of forming a carbanion or carb cation.
  • an organic, preferably anhydrous, solution such as THF (tetrahydrofuran), benzene and toluene, which additionally contains an alkali organic compound with a solitary, contains capable of forming an electron pair capable of forming a carbanion or carb cation.
  • Naphthalene sodium, naphthalene lithium, benzene lithium, benzene sodium, biphenyl, triphenyl and butyl lithium or sodium are particularly preferred.
  • the concentration of the alkali organic compounds should be 0.01 to 250, preferably 2.5-100, particularly preferably 5-75 g per liter of solvent.
  • thermosets based on phenolic, epoxy and melamine resins which can also be used to produce base materials according to the invention, can of course be coated with an adhesion promoter (see, for example, G. Hermann, printed circuit boards, manufacture and preparation. Pp. 164-168, Eugen G. Lenze Verlag , Saulgau / Württ. (1978)), which contains a rubber-elastic component.
  • adhesion promoter see, for example, G. Hermann, printed circuit boards, manufacture and preparation. Pp. 164-168, Eugen G. Lenze Verlag , Saulgau / Württ. (1978)
  • they can be dissolved in solvents or swelling agents customary for the ABS polymers (see, for example, "Polymer Handbook” Brandrup et al. New York, Volume IV (1975)) or be treated in oxidizing media.
  • the pretreated and activated base plates have to be sensitized by reduction.
  • the reducing agents customary in electroplating such as hydrazine hydrate, formaldehyde, hypophosphite or boranes, can preferably be used for this purpose. Of course, other reducing agents are also possible.
  • the reduction is preferably carried out in aqueous solution. However, other solvents such as alcohols, ethers, hydrocarbons can also be used. Of course, suspensions or slurries of the reducing agents can also be used.
  • a very particularly preferred embodiment of the method according to the invention consists in that the reduction in the metallization bath is carried out immediately with the reducing agent of the electroless metallization. This version represents a simplification of the electroless metallization that was previously not possible.
  • This embodiment is very particularly suitable for the nickel baths containing amine borane or copper baths containing formalin, which are preferably used.
  • the first is characterized in that the non-masked areas on the semi-finished product are removed with the etching solution. In this way, printed circuit boards with a relatively thin metal coating, namely a maximum of 10 ⁇ m, are obtained.
  • the preferred procedure consists in galvanically reinforcing the non-masked areas up to a maximum of 50 ⁇ m and, if appropriate, subsequently protecting them with a tin layer before the mask and the thin layer layer underneath are removed with the aid of an etching solution.
  • the metal layers deposited using said method can also be developed in a grid-like manner using the differential etching method.
  • a 200 x 200 x 1 mm thick glass fiber reinforced (30%) and standard holes plastic plate made of polyamide-6 is 5 minutes in a solution of 1 g of 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride palladium (II) chloride in 1 1 CH 2 C1 2 activated at room temperature (RT), dried and in a bath, which contains, treated for 5 minutes at RT.
  • the plate is then made up in a bath Sensitized for 5 min at RT, rinsed with distilled water and then copper-plated in a commercially available copper plating bath at 30 ° C. up to a metal layer of approx. 1 ⁇ m.
  • the thin-layer plate produced in this way is covered with the aid of a screen printing varnish based on a styrene-butadiene copolymer, which has free comb-shaped webs of about 500 ⁇ m in width, and then in a bath which consists of exists, treated for 10 minutes.
  • a plated-through circuit board with 500 ⁇ m wide and 4.0 ⁇ m thick conductor tracks is obtained.
  • the metal coating adheres so well to the substrate surface that it cannot be removed from the polymer surface despite a 1-minute post-treatment at 265 ° C in a drying cabinet.
  • a 200 x 200 x 1 mm commercial rubber-grafted polyamide 6 plate is provided with 0.2 mm holes in a 1 liter bath.
  • CH 2 Cl 2 and 0.9 g mesityl oxide-palladium chloride activated in the course of 4 minutes at 18 ° C., dried, in a bath treated at 20 ° C for 5 minutes, sensitized according to Example 1 and then copper-plated by chemical means in a commercially available copper plating bath.
  • the thin-layer printed circuit board produced in this way is sprayed with a UV-curable lacquer based on oligomeric 1,4-polyisoprene (approx. 5% by weight in xylene) from Agfa Gevaert AG, Leverkusen) and then dried. After a week, the surface of the semi-finished product is covered with a photo mask and partially crosslinked with the help of UV radiation. The non-crosslinked prepolymer part is removed from the test specimen in methanol (very pure) after the mask has been removed. The thin-layer plate is then removed in a bath at 25 ° C developed pictorially.
  • a plated-through circuit board with 40 ⁇ m wide and 7.5 ⁇ m thick conductor tracks is obtained.
  • the peel strength of the metal pad measured according to DIN 53 494 is approx. 60 N / 25 mm and passes the 15 second solder bath test at 255 ° C.
  • a 200 x 200 x 1 mm large commercially available polytetrafluoroethylene film is provided with standard holes and in a solution which consists of is prepared, pretreated for 5 minutes.
  • the plate is then washed neutral with methanol and then in a bath which is made of consists, treated at 30 ° C for 6 minutes and then dried.
  • the plate activated in this way is in a bath which is made of
  • test specimen After about two minutes, the test specimen turns silver-gray and after about 20 minutes, an electrically well-conductive Ni layer is deposited, which is reinforced with galvanic silver to 3.5 pm.
  • the thin-layer plate produced in this way is coated with a UV-curable resist lacquer, dried and then covered with a photomask or partially crosslinked with the aid of UV radiation.
  • the non-crosslinked prepolymer portion is removed from the base material in a commercially available developer solution after removal of the mask.
  • the plate is then post-treated in the metal etching solution specified in Example 1.
  • a 200 x 300 mm aromatic polyimide film ( K apton (R) is provided with holes according to Example 1, in a solution consisting of 1.0 g of 4-cyclohexene-1,2-dicarboximide palladium chloride and 1 liter of CH 2 C1 2 exists activated, sensitized according to Example 1, metallized and then developed the metal coating according to Example 2.
  • a printed circuit board is obtained, the metal coating of which adheres so well to the substrate surface that it cannot be removed from the polymer surface despite a 1-minute aftertreatment in a commercial solder bath at 250 ° C.
  • a 100 x 100 x 1 mm 40% mineral filler-reinforced polymer plate made of polyamide-6 is made in a bath from 0.8 g of 4-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid imide palladium (II) chloride, 1500 ml of methanol, 120 g CaC1 2 and 3 g A1C1 3 adhesive activated at 30 ° C for 5 minutes.
  • the plate is then sensitized in a bath consisting of 1200 ml of ethanol, 24 ml of NH 3 solution (25%) and 500 ml of 2N-DMAB (dimethylamine borane) solution, washed for 5 minutes, in a commercially available wet-chemical copper plating bath with a approx.
  • the polymer-metal composite in methylene chloride is freed from the polymeric resist coating and 35 minutes in a Cu etching solution consisting of 100 ml HCl (37%), 30 ml H 2 0 2 (40%) and 1000 ml H 2 0 treated.
  • An electrical circuit board with 200 ⁇ m wide and approx. 42 ⁇ m thick continuous conductor tracks is obtained, consisting of approx. 5 ⁇ m chemical and approx. 35 ⁇ m galvanic copper or approx. 1 ⁇ m galvanic tin.
  • the metal coating adheres so well to the substrate surface that it cannot be removed from the polymer surface despite a two-hour aftertreatment at 160 ° C.
  • a perforated polyamide plate is activated according to Example 5 and coated with a UV-curable resist film ®Nylotron LN from BASF AG). Now the substrate surface is covered with a mask, partially cross-linked with the aid of UV radiation. The non-crosslinked prepolymer part is removed from the plate surface after removal of the mask by treatment with 1,1,1-trichloroethane.
  • the test specimen according to Example 1 is then swollen in a methanolic solution, sensitized, rinsed with distilled water and then partially copper-coated in a commercially available copper plating bath at 60 ° C. up to a metal coating of approximately 17.5 ⁇ m.
  • a finished printed circuit board is obtained, the copper layer of which adheres so well to the surface of the board that it cannot be removed from the board surface despite a one-day post-heating at 140 ° C.

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Abstract

Halbzeuge zur Herstellung von Leiterplatten erhält man auf elegante Weise ohne vorheriges Ätzen der Oberfläche, wenn man die gegebenenfalls Normlöcher aufweisenden Basisplatten mit Komplexverbindungen der I. oder VIII. Nebengruppe aktiviert und auf den so behandelten Platten stromlos eine leitfähige Metallauflage von 0,05-10 µm aufbringt.

Description

  • Gegenstand der Erfindung ist ein naßchemisches Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten.
  • Es ist allgemein bekannt, daß die Abscheidung von haftfesten Metallauflagen auf den üblichen Isolierbasismaterialien eine aufwendige Vorbehandlung erfordert. So müssen beispielsweise die Basisplatten zunächst mit einer Haftvermittlerschicht versehen und anschließend mit oxidierender Flüssigkeit, vorzugsweise Chromschwefelsäure, behandelt werden, bevor die so präparierten Platten mit ionischen oder kolloidalen Edelmetallösungen aktiviert, maskiert und in handelsüblichen Metallisierungsbädern metallisiert werden.
  • Abgesehen von der Vielstufigkeit dieser Methoden weist diese Technik den Nachteil auf, daß eingeschleppte Chromionen die Bäder irreversibel vergiften und daß die erhaltenen Leiterplatten unbefriedigende elektrische Eigenschaften zeigen.
  • Es ist daher bereits vorgeschlagen worden, die nichtleitenden Oberflächen von Substraten, beispielsweise Basisträger von Leiterplatten, ohne oxidative Vorbehandlung mit einer Lösung oder einem Lack einer Edelmetallkomplexverbindung für die anschließende chemische Metallisierung zu aktivieren /vgl. z.B. DE-A 1 696 603 und DE-A 2 116 3897.
  • Diese an sich materialschonenden Aktivierungsverfahren konnten sich jedoch bislang in der Praxis nicht durchsetzten, da sie verhältnismäßig große Aktivatormengen benötigen und die in der Elektronikindustrie geforderten hohen Abzugsfestigkeiten der Metallauflagen nicht erreichen. Aus diesem Grunde wird zumindest in der erstgenannten Patentpublikation eine Oberflächenbehandlung mit Atzmitteln empfohlen (vgl. Spalte 6, Zeile 48).
  • Es wurde nun gefunden, daß man diese Nachteile vermeiden und auf einfache Weise, d. h. ohne Ätzung, zu Halbzeugen zur Herstellung von hochwertigen Leiterplatten gelangen kann, wenn man
    • a) die Basisplatten mit einem Aktivatorsystem, enthaltend Komplexverbindungen der Elemente der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodensystems, die mindestens eine haftvermittelnde funktionelle Gruppe aufweisen, behandelt,
    • b) auf den so aktivierten Platten naßchemisch-stromlos oder kombiniert naßchemisch-stromlos/galvanisch eine elektronisch leitfähige Metallauflage mit einer Schichtdicke von 0,05-10 pm aufbringt und
    • c) die auf diese Weise metallisierten Basisplatten, die sog. Halbzeuge, in üblicher Weise zu Leiterplatten weiterverarbeitet.
  • Gegenüber dem bekannten Subtraktiv-Verfahren, bei dem bis zu 70 µm starke Metallauflagen partiell mit Hilfe von Ätzlösungen herausgelöst werden müssen, weist das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil auf, daß man Metallschicht mit einer Dicke von nur maximal 10 pm, vorzugsweise 0,1-7,5 µm bzw. - besonders bevorzugt 0,1-5,0 µm - herausätzen muß, was eine beträchtliche Materialersparnis zur Folge hat.
  • Im Vergleich zu den ebenfalls bekannten "Dünnschichtmethoden" zur Herstellung von Leiterplatten, die durch das Auflaminieren von galvanisch hergestellten Dünnschichtauflagen charakterisiert sind, zeichnet sich das neue Verfahren durch einen geringeren Arbeitsaufwand sowie verbesserte mechanische und elektrische Eigenschaften der Metallauflagen aus.
  • Die zur Durchführung des neuen Verfahrens benötigten Komplexverbindungen sind allgemein bekannt (vgl. z.B. DE-A 31 48 280).
  • Geeignete Komplexverbindungen in den Aktivatorlösungen sind π-Komplexe von Olefinen, konjugierten Dienen und α,ß-ungesättigten Ketonen sowie Chelatkomplexe von Nitril-, Amin-, Carboxyl-, Hydroxyl-, Sulfonsäure-und sulfonamidgruppen haltigen Verbindungen, die
  • außer diesen zur Metallkomplexbildung benötigten Gruppen mindestens eine weitere funktionelle Gruppe enthalten, die die Haftfestigkeit des Aktivators auf der Substratoberfläche verbessert.
  • Dieses kann durch eine chemische Reaktion mit der Substratoberfläche vorzugsweise aber durch Ausbildung von Wasserstoffbrückenbindungen oder durch die Wirkung von van der Waalsscher Kräfte erreicht werden.
  • Besonders geeignet für eine solche chemische Verankerung des Aktivators an der Substratoberfläche sind funktionelle Gruppen wie Carbonsäuregruppen, Carbonsäurehalogenidgruppen, Carbonsäureanhydridgruppen, Carbonestergruppen, Carbonamid- und Carbonimidgruppen, Aldehyd- und Ketongruppen, Ethergruppen, Sulfonamidgruppen, Sulfonsäuregruppen und Sulfonatgruppen, Sulfonsäurehalogenidgruppen, Sulfonsäureestergruppen, halogenhaltige heterocyclische Reste, wie Chlortriazinyl-, -pyrazinyl-, -pyrimidyl- oder -chinoxalinylgruppen, aktivierte Doppelbindungen, wie bei Vinylsulfonsäure- oder Acrylsäurederivaten, Aminogruppen, Hydroxylgruppen, Isocyanatgruppen, Olefingruppen und Acetylengruppen sowie Mercaptogruppen und Epoxidgruppen, ferner höherkettige Alkyl- oder Alkenylreste ab C8, insbesondere Olein-, Linolein-, Stearin- oder Palmitingruppen.
  • Ganz besonders gut geeignet sind funktionelle Gruppen wie Carbonsäuregruppen, Carbonsäureanhydridgruppen, Amidgruppen, Carbonsäure-imidgruppen, Keto-, Aldehyd- und Estergruppen.
  • Es ist zweckmäßig, die die Adsorption hervorrufenden funktionellen Gruppen auf das jeweilige Substrat abzustimmen. So verbessern z.B. langkettige Alkyl- oder Alkenyl-Gruppen im Aktivatormolekül die Haftfestigkeiten auf Substraten aus Polyethylen oder Polypropylen. Zur Metallisierung von Gegenständen auf Polyamid- oder Polyesterbasis sind dagegen Aktivatoren mit beispielsweise zusätzlichen Carbonyl- oder Sulfon-Gruppen besonders günstig.
  • Bevorzugte Aktivatoren sind organometallische π-Verbindungen der Elemente Pd, Au, Pt und Ag, wie sie z.B. in DE-A 3 148 280 beschrieben sind. Besonders bevorzugt sind die ebenfalls zum Teil bekannten bzw. nach an sich bekannten Verfahren erhältlichen Komplexverbindungen der Elemente der 1. oder 8. Nebengruppe des Periodensystems in den Oxidationsstufen 1-4 (insbesondere einwertiges Palladium) mit ungesättigten Ketonen der Formel
    Figure imgb0001
    worin
    • R1 und R4 C1-C20-Alkyl, vorzugsweise C1-C6-Alkyl,
    • R2 und R3 Wasserstoff oder C1-C4-Alkyl, vorzugsweise Methyl bedeuten.
  • Beispielhaft seien genannt: Mesityloxid, n-Buten-3-on-2, n-Hepten-3-on-2, n-Hexen-3-on-2, n-Decen-4-on-3, 5-Chlor-penten-3-on-2, Ethylvinylketon, 3-Methyl-octen-5-on-4, 3-Methyl-penten-3-on-2, 7-Methoxy-hepten-3- on-2.
  • Weitere Beispiele für bevorzugte Komplexbildner sind: Butadien, 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureanhydrid und 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureimid. Besonders bevorzugt sind deren Palladiumkomplexe.
  • Das erfindungsgemäß neue Verfahren wird zweckmäßigerweise so durchgeführt, daß man Basismaterialien mit den o.a. organometallischen Verbindungen benetzt. Dies kann vornehmlich durch Besprühen mit einer leichtflüchtigen organischen Lösung der genannten Aktivatoren oder durch Tauchen in diese Medien erfolgen. Hierbei soll die Konzentration des Aktivators zwischen 0,01 g und 10 g pro Liter Lösungsmittel betragen. Als Lösemittel kommen vorzugsweise chlorierte Kohlenwasserstoffe wie HCC13, CC14, CH2Cl2 und ClCH=CCl2, Alkohole wie C2H5OH und CH3OH bzw. deren Gemische untereinander in Betracht.
  • Die so behandelten Basismaterialien werden dann, wenn erforderlich in einem Lösemittel angequollen, anschließend sensibilisiert und in einem reduktiven Metallisierungsbad ganzflächig metallisiert.
  • Gegebenenfalls wird darin die so erhaltene Metallauflage galvanisch bis zu einer maximalen Gesamtstärke von 10 µm verstärkt.
  • Danach wird das metallisierte Basismaterial, auch "Halbzeug" genannt, partiell mit einer Maske versehen.
  • Zum Abdecken der Halbzeuge kommen in den meisten Fällen "Resistauflagen" (Photolacke, Photoresists) und zwar "Negativ-Resists" oder "Positiv-Resists" in Betracht. Sie sind allgemein bekannt (s. beispielsweise Günther Hermann, "Leiterplatten, Herstellung und Vorbehandlung", S. 98 - 103 und 125 - 127).
  • Im ersten Fall werden nach dem Belichten die unbelichteten Teile mit einem geeigneten Lösungsmittel entfernt, im zweiten Fall die belichteten Teile. Zur Herstellung von Reliefs für die Elektronik bzw. für die Mikroelektronik können eine Reihe von speziellen Resistsystemen verwendet werden. In diesem Zusammenhang seien die mit Hilfe von UV-Strahlung, Elektronenstrahlung und Laserstrahlung härtbaren Resistsysteme erwähnt (vgl. DE-A 2 007 267, DE-A 2 454 879 und DE-A 2 507 874).
  • Zum Herauslösen der nicht vernetzten Teile der Resistauflage eignen sich übliche organische Lösungsmittel, in denen das Präpolymere der Lackauflagen gut löslich ist.
  • Das Aufbringen der Reliefmaske kann auch durch Siebdrucken, Beschichten oder Bestempeln erfolgen.
  • Als Substrate für das erfindungsgemäße Verfahren eignen sich Platten, vorzugsweise mit Normlöchern versehene Platten aus glasfaser- und glasmattenverstärkten Epoxidharzen (s. beispielsweise Kunststoffhandbuch, Prof. R. Vieweg, XI, S. 180 - 246, Carl Hanser Verlag, München (1971)), fluorhaltigen Polymerisaten (s. beispielsweise o.a. Literaturstelle S. 673 - 674) wie PTFE (Polytetrafluorethylen), wärmehärtbaren Kunststoffen wie Phenol-Formalin- und/oder Melaminharze (s. beispielsweise Prof. R. Vieweg "Kunststoff-Handbuch" X, S. 19 - 59 und 63 - 128), Polypropylen, Polyethylen, ABS- (Acrylnitril-Butadien-Styrol)-Misch-oder Pfropfcopolymerisate und Polykondensate (z.B. Polycarbonate, aromatische und/oder aliphatische Polyamide, Polyester, aromatische und/oder aliphatische Polyamide bzw. Polyamid-Imide und deren Mischung-oder Cokondensate).
  • Die Polymerplatten müssen im Einzelfall vor der Metallisierung mit einem geeigneten Quellmittel angequollen werden.
  • Zur Behandlung von Platten auf der Basis von Polyamidkondensaten werden beispielsweise Lösungen eines Gemisches von Halogeniden von Elementen der 1. und/oder 2. Hauptgruppe des Periodensystems mit Salzen aus schwachen anorganischen Basen und starken anorganischen Säuren eingesetzt.
  • Geeignete Halogenide von Elementen der 1. und 2. Hauptgruppe sind insbesondere die Chloride; bevorzugt sind LiCl, BeCl2, MgCl2 und CaCl2.
  • Geeignete Salze schwacher Basen und starker Säuren sind Sulfate, Nitrate und vor allem Chloride von Metallen der 3. und 4. Haupt- und Nebengruppe sowie von Nichtedelmetallen der 6. - 8. Nebengruppe. Bevorzugt sind FeCl2, FeCl3, TiCl3, TiCl4, BCl3 und insbesondere AlCl3.
  • Geeignete Quell- und Lösungsmittel sind solche wie sie in üblichen Handbüchern über Polyamide beschrieben sind (vgl. z.B. "Die Polyamide" von Hopff. Müller, Wegner, Springer-Verlag (1954), sowie "Polymer Handbook" von Brandrup et al, New York, Band IV (1975) sowie "Kunststoffhandbuch" von Vieweg/Müller; Band IV (1966)). Beispielsweise seien genannt: niedrige aliphatische und araliphatische Alkohole, wie z.B. Methanol, Ethanol, Isopropanol, n-Propanol, n-Butanol, Benzylalkohol und Phenylethylalkohol. Besonders bevorzugt ist Methanol. Auch Dimethylsulfoxid und amidgruppenhaltige Lösungsmittel wie Formamid und Dimethylformamid kommen in Betracht. Selbstverständlich sind auch Mischungen dieser Lösungsmittel einsetzbar.
  • Ein besonders bevorzugtes Quellmittelsystem ist eine Lösung von CaCl2/AlCl3-Gemisch in Methanol.
  • Gewünschtenfalls können auch übliche Polyamidweichmacher (0,2 - 10 Gew.-%, bzw. 0,5 - 5 Gew.-%, bezogen auf die gesamte Flüssigkeitsmenge) zugesetzt werden. Beispielshaft seien Benzolsulfonsäuremonoethylamid, p-Toluolsulfonsäureamid, Dioxidiphenylsulfon und Dibenzylalkohol genannt.
  • Gemäß einer bevorzugten Verfahrensvariante können die Arbeitsgänge "Aktivieren" und "Anquellen" kombiniert werden, indem man den Aktivator in dem Quellmittel löst und dieses System zur Anwendung bringt.
  • Nach der Lösungsmittelbehandlung werden die Platten von anhaftendem Lösungsmittel befreit.
  • Das geschieht im allgemeinen durch Verdampfen, gegebenenfalls unter reduziertem Druck. Höher siedende Lösungsmittel werden zweckmäßigerweise durch Extraktion oder Spülen mit niedrigsiedenden Lösungsmitteln entfernt.
  • Werden Fluorpolymerisate als Substrate eingesetzt, geht man vorzugsweise bei der Durchführung dieser Variante so vor, daß man diese Polymerisate durch Tauchen in einer organischen, vorzugsweise wasserfreien, Lösung wie THF (Tetrahydrofuran), Benzol und Toluol, die zusätzlich eine alkaliorganische Verbindung mit einem einsamen, zur Bildung von einem Carbanion oder Carbkation befähigten Elektronenpaar enthält, behandelt. In diesem Zusammenhang sei auf die Literaturstellen "N. D. Scott et al.: Am. Soc. 58, 2443 (1936); N. D. Scott: USP 2 181 771; M. Szwar: Nature 178, 1168 (1956); M. Szwarc: Am. Soc. 78, 2656 (1956)" hingewiesen. Wobei Naphthalinnatrium, Naphthalinlithium, Benzollithium, Benzolnatrium, Biphenyl-, Triphenyl-und Butyl-lithium bzw. natrium besonders zu bevorzugen sind. Die Konzentration der alkaliorganischen Verbindungen soll 0,01 bis 250, vorzugsweise 2,5 - 100, besonders bevorzugt 5 - 75 g pro Liter Lösemittel betragen.
  • Die zur Herstellung von erfindungsgemäßen Basismaterialien ebenso einsetzbaren Duroplaste auf der Basis von Phenol-, Epoxid- und Melaminharzen können selbstverständlich mit einem Haftvermittlerlack (s. beispielsweise G. Hermann, Leiterplatten, Herstellung und Vorbereitung. S. 164-168, Eugen G. Lenze Verlag, Saulgau/ Württ. (1978)), der eine kautschukelastische Komponente enthält, beschichtet werden. Ebenso können sie nach ihrer Aktivität zur Erhöhung der Abzugsfestigkeit der im letzten Schritt abgeschiedenen Metallschicht in für die ABS-Polymerisate üblichen Löse- oder Quellmitteln (s. beispielsweise "Polymer Handbook" Brandrup et al. New York, Band IV (1975)) bzw. in oxidierend wirkenden Medien behandelt werden.
  • Die vorbehandelten und aktivierten Basisplatten müssen durch Reduktion sensibilisiert werden. Dazu können bevorzugt die in der Galvanotechnik üblichen Reduktionsmittel, wie Hydrazinhydrat, Formaldehyd, Hypophosphit oder Borane verwendet werden. Natürlich sind auch andere Reduktionsmittel möglich. Bevorzugt wird die Reduktion in wäßriger Lösung durchgeführt. Es sind aber auch andere Lösungsmittel wie Alkohole, Ether, Kohlenwasserstoffe einsetzbar. Selbstverständlich können auch Suspensionen oder Aufschlämmungen der Reduktionsmittel verwendet werden.
  • Die so sensibilisierten Oberflächen können direkt zur stromlosen Metallisierung eingesetzt werden. Es kann aber auch erforderlich sein, die Oberfläche durch Spülen von den Reduktionsmittelresten zu befreien. Eine ganz besonders bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß die Reduktion im Metallisierungsbad gleich mit dem Reduktionsmittel der stromlosen Metallisierung durchgeführt wird. Diese Ausführung stellt eine bisher nicht mögliche Vereinfachung der stromlosen Metallisierung dar.
  • Diese Ausführungsform ist ganz besonders für die bevorzugt einzusetzenden aminboranhaltigen Nickelbäder oder formalinhaltige Kupferbäder geeignet.
  • Als in dem erfindungsgemäßen Verfahren einsetzbare Metallisierungsbäder kommen handelsübliche Bäder von Nickelsalzen, Cobaltsalzen, Kupfersalzen, Gold- und Silbersalzen oder deren Gemische in Betracht.
  • Für die galvanische Verstärkung kommen folgende Metalle in Frage:
    • Ni, Co, Cu, Ag, Al, Cr und Au. Bevorzugt ist Cu.
    • Halbzeuge, d.h. die nach beliebigen Methoden mit einer stromlos-naßchemischen Dünnschichtmetallauflage versehenen Polymerplatten, auf der Basis von Polyamiden und Fluorpolymerisaten sind bisher nicht in der Literatur beschrieben worden und deshalb ebenfalls Gegenstand der Erfindung.
  • Die Halbzeugmaterialien zur Herstellung von Leiterplatten sollen folgende Eigenschaften aufweisen:
    • 1. Sie sollen im aktivierten Zustand an der Luft gegenüber Feuchtigkeit stabil sein.
    • 2. Ihre Aktivatorauflage soll nicht während des Aufbringens bzw. des Entwickelns von Fotoresistauflagen von der Oberfläche entfernbar oder gar desaktivierbar sein.
    • 3. Ihre Aktivatorauflage soll nicht während einer Quell- oder Oxidantieneinwirkung von der Oberfläche entfernt bzw. desaktiviert werden.
    • 4. Ebenso darf die Reliefauflage während des Quell-oder Abbauvorganges von der Materialoberfläche nicht abgeschwemmt werden.
    • 5. Die Abzugsfestigkeit der Metallauflage nach DIN 53 494 soll mindestens 25, vorzugsweise 50 N/25 mm betragen.
    • 6. Bei der Sensibilisierung bzw. Metallisierung dürfen keine Liganden freiwerden, die die Metallisierung- oder Sensibilisierungsbäder vergiften.
  • Die Weiterverarbeitung dieser Halbzeuge zu Leiterplatten durch partielles Maskieren, gegebenenfalls galvanische Verstärkung bis zu 50 µm und Herauslösen der nicht benötigten Metallbereiche mit geeigneten Ätzlösungen erfolgt nach üblichen Methoden.
  • Grundsätzlich bieten sich für die Weiterverarbeitung zwei Varianten an.
  • Die erste ist dadurch gekennzeichnet, daß man die nicht-maskierten Bereiche auf dem Halbzeug mit der Ätzlösung herauslöst. Auf diese Weise erhält man Leiterplatten mit einer verhältnismäßig dünnen Metallauflage, nämlich maximal 10 µm.
  • Die bevorzugte Verfahrensweise besteht dem gegenüber darin, daß man die nicht-maskierten Bereiche galvanisch bis maximal 50 µm verstärkt und gegebenenfalls anschließend mit einer Zinnauflage schützt, bevor die Maske und die darunterliegende Dünnschichtauflage mit Hilfe einer Ätzlösung abgetragen werden.
  • Selbstverständlich können die nach dem besagten Verfahren abgeschiedenen Metallauflagen auch nach dem Differenzätzverfahren rasterförmig entwickelt werden.
    • Beispiel 1
  • Eine 200 x 200 x 1 mm starke glasfaserverstärkte (30 %) und mit Normlöchern versehene Kunststoffplatte aus Polyamid-6 wird 5 Minuten in einer Lösung von 1 g 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureanhydridpalladium(II)chlorid in 1 1 CH2C12 bei Raumtemperatur (RT) aktiviert, getrocknet und in einem Bad, welches
    Figure imgb0002
    enthält, 5 Minuten bei RT behandelt. Anschließend wird die Platte in einem Bad, bestehend aus
    Figure imgb0003
    5 Min. bei RT sensibilisiert, mit destilliertem Wasser gespült und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad bei 30°C bis zu einer Metallauflage von ca. 1 µm verkupfert.
  • Die galvanische Verstärkung dieser Auflage bis zu einer Gesamtschichtdicke von 5 µm erfolgt in einem üblichen Galvanisierungsbad.
  • Die so hergestellte Dünnschichtplatte wird mit Hilfe eines Siebdrucklackes auf der Basis eines Styrolbutadiencopolymerisats, welche freie kammförmige Bahnen von etwa 500 µm Breite aufweist, bedeckt und dann in einem Bad, welches aus
    Figure imgb0004
    besteht, 10 Min. nachbehandelt.
  • Man erhält eine durchkontaktierte Leiterbahnplatte mit 500 µm breiten und 4,0 µm starken Leiterbahnen. Die Metallauflage haftet an der Substratoberfläche so gut, daß sie trotz einer 1-minütiger Nachbehandlung bei 265°C in einem Trockenschrank nicht von der Polymeroberfläche zu entfernen ist.
    • Beispiel 2
  • Eine 200 x 200 x 1 mm große handelsübliche kautschukgepfropfte Polyamid-6-Platte wird mit 0,2 mm großen Löchern versehen, in einem Bad aus 1 ltr. CH2Cl2 und 0,9 g Mesityloxid-palladiumchlorid im Verlaufe von 4 Minuten bei 18°C aktiviert, getrocknet, in einem Bad aus
    Figure imgb0005
    bei 20°C 5 Minuten behandelt, gemäß Beispiel 1 sensibilisiert und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad auf dem chemischen Wege verkupfert.
  • Nach etwa einigen Minuten färbt sich die Probenoberfläche dunkel und nach ca. 30 Min. wird eine gut elektrisch leitende Cu-Auflage abgeschieden. Diese wird auf galvanischem Wege auf ca. 7,5 µm verstärkt.
  • Die so hergestellte Dünnschichtleiterplatte wird mit einer UV-härtbaren Lack auf der Basis von oligomerem 1,4-Polyisopren (ca. 5 gew.-%ig in Xylol) der Fa. Agfa Gevaert AG, Leverkusen) besprüht und dann getrocknet. Nach einer Woche wird die Halbzeugoberfläche mit einer Fotomaske bedeckt und mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske vom Probekörper in Methanol (reinst) entfernt. Anschließend wird die Dünnschichtplatte bei 25°C in einem Bad aus
    Figure imgb0006
    bildmäßig entwickelt.
  • Man erhält eine durchkontaktierte Leiterplatte mit 40 µm breiten und 7,5 µm starken Leiterbahnen. Die Abzugsfestigkeit der Metallauflage gemessen nach DIN 53 494 beträgt ca. 60 N/25 mm und besteht den 15 sekundigen Lötbadtest bei 255°C.
    • Beispiel 3
  • Eine 200 x 200 x 1 mm große handelsübliche Polytetrafluorethylen-Folie wird mit Normlöchern versehen und in einer Lösung, welche aus
    Figure imgb0007
    angesetzt wird, 5 Min. vorbehandelt.
  • Anschließend wird die Platte mit Methanol neutralgewaschen und dann in einem Bad, welches aus
    Figure imgb0008
    besteht, bei 30°C 6 Minuten behandelt und anschließend getrocknet. Die so aktivierte Platte wird in einem Bad, welches aus
    Figure imgb0009
  • besteht bei RT 5 Min. sensibilisiert, gewaschen und dann in einem handelsüblichen Vernickelungsbad vernickelt.
  • Nach etwa zwei Minuten färbt sich der Versuchskörper silbergrau und nach ca. 20 Min. wird eine elektrisch gut leitende Ni-Auflage abgeschieden, die mit galvanischem Silber auf 3,5 pm verstärkt wird.
  • Die so hergestellte Dünnschichtplatte wird mit einem UV-härtbaren Resistlack beschichtet, getrocknet und anschließend mit einer Photomaske bedeckt bzw. mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske vom Basismaterial in einer handelsüblichen Entwicklerlösung entfernt. Anschließend wird die Platte in der in Beispiel 1 angegebenden Metallätzlösung nachbehandelt.
  • Man bekommt eine durchkontaktierte Leiterplatte. Die Metallauflage haftet an der Polymeroberfläche so gut, daß sie die Temperatur nach DIN 53 436 besteht. Diese Platte läßt sich in einem handelsüblichen Zinn-Lötbad problemlos bei erhöhter Temperatur (250-260°C) in Verlaufe von einigen Minuten löten.
    • Beispiel 4
  • Eine 200 x 300 mm große aromatische Polyimidfolie (Kapton (R), wird gemäß Beispiel 1 mit Löchern versehen, in einer Lösung, welche aus 1,0 g 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureimid-palladiumchlorid und 1 ltr. CH2C12 besteht aktiviert, gemäß Beispiel 1 sensibilisiert, metallisiert und dann die Metallauflage gemäß Beispiel 2 entwickelt.
  • Man erhält eine Leiterplatte, deren Metallauflage an der Substratoberfläche so gut haftet, daß sie trotz einer 1 minütigen Nachbehandlung in einem handelsüblichen Lötbad bei 250°C nicht von der Polymeroberfläche zu entfernen ist.
    • Beispiel 5
  • Eine 100 x 100 x 1 mm große 40 % mineralfüllstoffverstärkte Polymerplatte aus Polyamid-6 wird in einem Bad aus 0,8 g 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäure-imid-palladium-(II)-chlorid, 1500 ml Methanol, 120 g CaC12 und 3 g A1C13 bei 30°C 5 Minuten haftaktiviert. Anschließend wird die Platte in einem Bad, bestehend aus 1200 ml Ethanol, 24 ml NH3-Lösung (25 %ig) und 500 ml 2n-DMAB (Dimethylaminboran)-Lösung 5 Min. sensibilisiert, gewaschen, in einem handelsüblichen naßchemischen Verkupferungsbad mit einer ca. 5 µm starken Cu-Auflage verkupfert und dann mit einem UV-härtbaren Resistfilm der Fa. BASF AG beschichtet. Nun wird diese Halbzeugoberfläche mit einer Photomaske, welche freie, durchgehende Bahnen von ca. 200 µm aufweist, bedeckt und mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske vom Basismaterial in einer handelsüblichen Entwicklerlösung entfernt. Danach wird die freie Metalloberfläche auf galvanischem Wege mit einer 35 µm starken Cu-Auflage und anschließend mit einer 2 µm starker Zinn-Auflage versehen. Nun wird der Polymer-Metall-Verbundwerkstoff in Methylenchlorid von der polymeren Resistauflage befreit und 35 Minuten in einer Cu-Ätzlösung bestehend aus 100 ml HCl (37 %ig), 30 ml H202 (40 %ig) und 1000 ml H20 nachbehandelt.
  • Man erhält eine elektrische Leiterplatte mit 200 µm breiten und ca. 42 µm starken durchgehenden Leiterbahnen bestehend aus ca. 5 µm chemischen und ca. 35 µm galvanischem Kupfer bzw. aus ca. 1 µm galvanischen Zinn. Die Metallauflage haftet an der Substratoberfläche so gut, daß sie trotz einer zweistündigen Nachbehandlung bei 160°C nicht von der Polymeroberfläche zu entfernen ist.
    • Beispiel 6 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureimid-palladium-(I1)-chlorid
  • 10 g 4-Cyclohexen-1,2-dicarbonsäureimid werden in der fünffachen Menge Dimethylformamid gelöst, im Verlaufe von 3 Stunden mit der äquimolaren Menge Acetonitrilpalladiumdichlorid bei 45°C versetzt. DMF und Acetonitril werden bei 45°C/25 mbar abestilliert. Man erhält mit 95 %iger Ausbeute einen gelb-bräunlichen Feststoff vom Schmelzpunkt 102°C.
    • Beispiel 7
  • Eine mit Löchern versehene Polyamidplatte wird gemäß Beispiel 5 aktiviert und mit einem UV-härtbaren Resistfilm ®Nylotron LN der Firma BASF AG) beschichtet. Nun wird die Substratoberfläche mit einer Maske bedeckt, mit Hilfe von UV-Bestrahlung partiell vernetzt. Der nicht vernetzte Präpolymeranteil wird nach Entfernen der Maske von der Plattenoberfläche durch Behandeln mit 1,1,1-Trichlorethan entfernt. Danach wird der Probekörper nach Beispiel 1 in einer methanolischen Lösung gequollen, sensibilisiert, mit destilliertem Wasser gespült und dann in einem handelsüblichen Verkupferungsbad bei 60°C bis zu einer Metallauflage von ca. 17,5 um partiell verkupfert.
  • Man erhält eine fertige Leiterplatte, deren Cu-Auflage so gut an der Plattenoberfläche haftet, daß sie trotz einer eintägigen Nachtemperung bei 140°C nicht von der Plattenoberfläche zu entfernen ist.

Claims (10)

1. Verfahren zur Herstellung von Leiterplatten durch naßchemische Metallisierung von Basisplatten mit Hilfe von metallorganischen Aktivatoren, dadurch gekennzeichnet, daß man
a) die Basisplatten, mit einem Aktivatorsystem, enthaltend Komplexverbindungen der Elemente der I. oder VIII. Nebengruppe des Periodensystems, die mindestens eine haftvermittelnde funktionelle Gruppe aufweisen, behandelt,
b) auf den so aktivierten Platten naßchemisch-stromlos oder kombiniert naßchemisch-stromlos/galvanisch eine elektrisch leitfähige Metallauflage mit einer Schichtdicke von 0,05-10 µm aufbringt und
c) die auf diese Weise metallisierten Basisplatten, die sog. Halbzeuge in üblicher Weise zu Leiterplatten weiterverarbeitet.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die gegebenenfalls Normlöcher aufweisenden Basisplatten mit einem Quellmittel behandelt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Aktivatorsystem außerdem ein Quellmittel für die Basisplatten enthält.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die aktivierten Basisplatten zunächst naßchemisch-stromlos und danach galvanisch mit einer elektrisch leitenden Metallschicht von maximal 10 µm Dicke versieht.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die aktivierte Basisplatte zunächst naßchemisch-stromlos vernickelt oder verkupfert und danach auf diese Metallauflagen galvanisch mit Kupfer verstärkt.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Halbzeuge maskiert und die nicht maskierten Bereiche chemogalvanisch bis zum Erreichen einer Gesamtmetallschichtdicke von 50 µm verstärkt.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Aktivatoren Palladiumkomplexe von konjugierten Dienen oder ∞, ß-ungesättigten Ketonen verwendet.
8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man Halbzeuge auf der Basis von Plattenmaterial aus Polyamiden oder Fluorpolymerisaten herstellt.
9. Verwendung von naßchemisch metallisierten Basisplatten mit einer Metallauflage von 0,05-10 µm und einer Abzugsfestigkeit nach DIN 53 494 von mindestens 25 N/25 mm zur Herstellung von Leiterplatten.
10. Polyamid- und Fluorpolymerisat-Platten mit einer naßchemisch erzeugten Metallauflage von 0,05 - 10 µm und einer Abzugsfestigkeit nach DIN 53 494 von mindestens 25 N/25 mm.
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