EP0054645A2 - PIN-Dioden-Schalter - Google Patents

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EP0054645A2
EP0054645A2 EP81108177A EP81108177A EP0054645A2 EP 0054645 A2 EP0054645 A2 EP 0054645A2 EP 81108177 A EP81108177 A EP 81108177A EP 81108177 A EP81108177 A EP 81108177A EP 0054645 A2 EP0054645 A2 EP 0054645A2
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EP
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pin diode
diode switch
compensation
lines
switch according
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Manfred Wondrowitz
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Siemens Corp
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Siemens AG
Siemens Corp
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/10—Auxiliary devices for switching or interrupting
    • H01P1/15—Auxiliary devices for switching or interrupting by semiconductor devices

Definitions

  • the invention relates to a PIN diode switch with high blocking attenuation.
  • BIN diodes In the area of higher frequencies, PIN diodes are often used for switching tasks. BIN diodes have an effective resistance for HF, the size of which depends on the strength of an impressed control direct current. If no direct current flows through the PIN diode, then it only has a small, very low-loss capacity without parametric effects. The capacitance is independent of the RF voltage applied.
  • diode chain is useful for microwaves, in which PIN diodes are coupled to one another via so-called inverting elements (four-pole) - in the microwave range these are preferably A / 4 lines.
  • the "inverting" elements rotate the phase of the voltage by 90 ° at the operating frequency.
  • all diodes are grounded on one side and always have the same switching state with each other.
  • the object of the invention is to provide a PIN diode switch which, with little circuit complexity, has a high blocking attenuation and a low pass loss.
  • the object is achieved in that an arrangement with two series-connected inverting four-pole is provided between an input and an output, that a PIN diode is connected as a shunt between the individual conductors of the lines in the connection point of these four-pole and that between input and output a compensation network is connected in parallel.
  • the circuit becomes particularly simple if ⁇ / 4 lines are provided as inverting four-poles.
  • the invention is based on the knowledge that a higher blocking attenuation is possible through compensation.
  • the circuit arrangement is particularly simple and space-saving.
  • the PIN diode D is switched between two ⁇ / 4 lines.
  • a decoupling network K is connected in parallel with the ⁇ / 4 lines. With this arrangement, a blocking attenuation higher than 25 dB is achieved. RF losses are generally lower than diode networks. In the case of layered circuits, the area requirement decreases and compensation of undesirable diode reactances is possible in part.
  • the il / 4 lines and the compensation network have a common ground line.
  • the compensation network consists of a parallel connection of a compensation resistor and a compensation capacitor in the series branch.
  • This simple parallel connection of a resistor with a capacitance enables the .PIN diode D to be compensated over a broadband range.
  • the PIN diode switch is implemented using layer technology and the ⁇ / 4 lines are implemented as printed conductor tracks.
  • This circuit is characterized by a particularly small footprint. The entire back of the printed circuit serves as a ground.
  • the compensation capacitance is formed by a special configuration of the feed lines of the ⁇ / 4 lines.
  • the compensation capacitance C K is generated by a special line routing.
  • Fig. 1 shows the basic circuit diagram of a PIN diode switch.
  • a generator G with the internal resistance Z I is connected to a line L via a decoupling capacitor C E1 .
  • the terminating resistor Z V is connected to the other end of the line L via a second decoupling capacitor C E2 .
  • the PIN diode e D is connected between the line L and ground in parallel to the consumer Z V or in parallel to the generator G.
  • the equivalent circuit diagram of the PIN diode consists of a parallel capacitance C P ⁇ 0.3 pF, which is parallel to the connection terminals of the PIN -Diodes lies.
  • FIG. 2 An arrangement according to the invention is shown in FIG. 2.
  • the generator G with the internal resistance Z I is connected via the first decoupling capacitor C E1 to the input E of a ⁇ / 4-long line L1 with the practically real characteristic impedance Z L.
  • the line L1 was shown as a four-pole, the second input of which is connected to the second connection of the generator G. Between the two outputs of line L1 - these are the individual conductors L11 and L12 - the PIN diode D is connected as a cross-member, which is followed by a second ⁇ / 4 line L2, at the output A of which a consumer Z v is connected via a second decoupling capacitor C E2 is switched on.
  • a further four-pole K is connected, which contains the compensation circuit - a compensation resistor R K connected between input E and output A of the arrangement, to which a compensation capacitance C K can be connected in parallel.
  • the lines L1 and L2 have the characteristic impedance Z L , which is generally the same or similar to the generator resistance Z I and the consumer resistance Zv .
  • this residual voltage causes the PIN diode to appear as a source that generates a wave propagating towards the consumer.
  • the decoupling is limited.
  • the longitudinal inductance L D of the PIN diode has to be taken into account, it can be largely compensated for by the compensation capacitor C K.
  • FIG. 3 shows the structure of the PIN diode switch according to the invention in layered technology.
  • the PIN diode D is used here in the "chip on rivet" design.
  • L1 and L2 represent the ⁇ / 4 lines.
  • the compensation is used to compensate the diode reactances resisted R K and the compensation capacitor C K.
  • the compensation capacitor C K can be simulated by a special line routing, in which the lines L1 and L2 are symmetrical and are in line with one another. move closer to each other at the transition to the supply lines Z1 and Z2.
  • the input of the circuit was designated E and the output A as in FIG.
  • the copper cladding on the back of the layer circuit serves as the ground. With such an arrangement, blocking attenuation greater than 60 dB can be achieved.
  • FIG. 4 A variant for increasing the bandwidth is shown in FIG. 4.
  • the compensation resistor R K was replaced by two compensation resistors R K1 and R K2 .
  • the compensation resistors R K1 and R K2 are arranged at a distance ⁇ L1 smaller than ⁇ / 4.
  • the distance ⁇ L2 of the second compensation resistor R K2 to the diode D is also less than ⁇ / 4.
  • the curve of the blocking attenuation as a function of the frequency f is shown in curve 3 of FIG. 5.
  • the line lengths ⁇ L1 and ⁇ L 2 damping curves of different widths can be achieved.
  • the attenuation curve of the circuit wiring was shown in FIG. 2 as curve 1.
  • curve 4 shows an uncompensated diode for comparison.

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  • Electronic Switches (AREA)
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Abstract

Die Erfindung betrifft einen PIN-Diodenschalter mit hoher Sperrdämpfung. Bei diesem PIN-Diodenschalter ist eine PIN-Diode parallel zum Verbraucherwiderstand Zv zwischen zwei λ/4-Leitungen L1 und L2 geschaltet. Bei sperrendem PIN-Diodenschalter ist die Diode durch einen Steuergleichstrom leitend geschaltet. Am Ausgang A der Schaltungsanordnung liegt jedoch eine geringe Restspannung an, da der Widerstand der durchgeschalteten Diode nicht unendlich klein ist. Über Kompensationsschaltung K, die beispielsweise aus einem Widerstand RK mit parallelgeschaltetem Kondensator CK besteht, wird dieser Restspannung eine um 180° phasenverschobene Spannung der gleichen Größe überlagert Die erzielbaren Dämpfungen liegen in der Größenordnung von 60 dB (Fig. 2). Durch mehrere Kompensationswiderstände (RKI, RK2) kann der PIN-Diodenschalter breitbandiger ausgeführt werden. Ebenso ist es möglich, durch Einstellung des PIN-Dioden-Steuerstromes innerhalb eines bestimmten Frequenzbereichs die Dämpfung der Schaltungsanordnung optimal einzustellen.

Description

  • Die Erfindung betrifft einen PIN-Diodenschalter mit hoher Sperrdämpfung.
  • Im Bereich höherer Frequenzen werden für Schaltaufgaben häufig PIN-Dioden eingesetzt. BIN-Dioden besitzen einen für HF wirksamen Widerstand, dessen Größe von der Stärke eines eingeprägten Steuergleichstromes abhängt. Fließt durch die PIN-Diode kein Gleichstrom, dann besitzt sie lediglich eine geringe, sehr verlustarme Kapazität ohne parametrische Effekte. Die Kapazität ist von der angelegten HF-Spannung unabhängig.
  • Beim Anlegen einer Gleichspannung in Flußrichtung fließt ein Diodenstrom, der zur Folge hat, daß der HF-Diodenwiderstand auf sehr kleine Werte in der Größenordnung kleiner 1 Ohm absinkt.
  • Im allgemeinen stellt man an Schalter Forderungen nach möglichst kleinen Verlusten im durchgeschalteten Zustand und einer möglichst hohen Sperrdämpfung. Bei höheren Frequenzen liegen PIN-Dioden im allgemeinen parallel zum Verbraucher. Da der Durchlaßwiderstand der durchgeschalteten PIN-Diode in der Größenordnung zwischen 0,5 und 1 Ohm liegt, werden geforderte Werte für die Sperrdämpfung in der Praxis meist nicht mit einer einzelnen Diode erreicht, sondern es sind Netzwerke aus PIN-Dioden erforderlich. Als Grundschaltung sind Netzwerke mit drei PIN-Dioden, die als π-Glied geschaltet sind, bekannt. Besonders nachteilig ist es, daß der Schaltzustand der Diode im Längszweig immer ein anderer sein muß als der Schaltzustand der Dioden in den Querzweigen des π-Gliedes. Es sind-daher getrennte Gleichstromkreise mit entsprechenden Abblockkondensatoren erforderlich. Bei hohen Frequenzen ist eine breitbandige Kompensation dieser Elemente schwierig, so daß man nur sehr schmalbandig wirksame Schaltungen erhält.
  • Für Mikrowellen ist die Verwendung einer Diodenkette sinnvoll, bei der PIN-Dioden über sog. invertierende Glieder (Vierpole) - im Mikrowellenbereich sind dies vorzugsweise A/4-Leitungen - miteinander verkoppelt sind. Die "invertierenden" Glieder drehen die Phase der Spannung um 90° bei der Betriebsfrequenz. Hier liegen alle Dioden einseitig auf Masse und haben untereinander immer den gleichen Schaltzustand.
  • Wenn alle Dioden Strom führen, stellen sie für Hochfrequenz einen niederohmigen Widerstand dar, so daß der Schalter sperrt. Auf Grund der invertierenden Glieder zwischen den Dioden addieren sich die Dämpfungen der einzelnen Dioden. Bei drei PIN-Dioden ergibt sich eine rechnerische Sperrdämpfung von ca. 75 dB bei 25 dB pro Diode. Dieser Wert wird allerdings praktisch nie erreicht, weil parasitäre Reaktanzen und Verkopplungen über die Leitung, die nicht kompensierbar sind, zu einer Reduzierung der Sperrdämpfung führen. Weiter ist zu berücksichtigen, daß die elektrische wirksame Länge der Leitungen zwischen den Dioden frequenzabhängig ist. Dadurch erhält das Netzwerk Bandsperrencharakter, d.h. die Sperrdämpfung nimmt von einem maximalen Wert bei der Mittelfrequenz ausgehend, nach beiden Richtungen ab.
  • Als weitere Nachteile von PIN-Diodennetzwerken sind noch zu nennen:
    • Beim Schaltungsaufwand.fällt besonders die Zahl der erforderlichen'PIN-Dioden ins Gewicht. Zur Durchschaltung mehrerer PIN-Dioden ist eine höhere Gleichstromleistung erforderlich. Die HF-Verluste im offenen Zustand des Schalters steigen an.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen PIN-Diodenschalter anzugeben, der bei geringem Schaltungsaufwand eine hohe Sperrdämpfung und eine geringe Durchlaßdämpfung aufweist.
  • Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß zwischen einem Eingang und einem Ausgang eine Anordnung mit zwei in Serie geschalteten invertierenden Vierpolen vorgesehen ist, daß eine PIN-Diode als Querzweig zwischen den Einzelleitern der Leitungen im Verbindungspunkt dieser Vierpole angeschaltet ist und daß zwischen Eingang und Ausgang ein Kompensationsnetzwerk parallelgeschaltet ist.
  • Die Schaltung wird besonders einfach, wenn als invertierende Vierpole λ/4-Leitungen vorgesehen sind.
  • Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß eine höhere Sperrdämpfung durch Kompensation möglich ist. Die Schaltungsanordnung ist besonders einfach und platzsparend. Die PIN-Diode D ist zwischen zwei Ä/4-Leitungen eingeschaltet. Parallel zu den λ/4-Leitungen ist ein Entkopplungsnetzwerk K geschaltet. Mit dieser Anordnung wird eine höhere Sperrdämpfung als 25 dB erreicht. Die HF-Verluste sind gegenüber Diodennetzwerken im allgemeinen geringer. Bei Schichtschaltungen sinkt der Flächenbedarf und eine Kompensation von unerwünschten Diodenreaktanzen ist zum Teil möglich.
  • Vorteilhaft ist es, daß die il/4-Leitungen und das Kompensationsnetzwerk eine gemeinsame Masseleitung haben. Durch diese Maßnahmen wird der Diodenschalter D und das Kompensationsnetzwerk K besonders einfach. Eine parallel zum Verbraucher geschaltete und einseitig auf Masse liegende PIN-Diode stellt oberhalb von ca. 1 GHz die wirksamste Lösung dar. Auch das Kompensationsnetzwerk K wird besonders einfach.
  • Besonders vorteilhaft ist es, daß das Kompensationsnetzwerk aus einer Parallelschaltung eines Kompensationswiderstandes und eines Kompensationskondensators im Längszweig besteht. Durch diese einfache Parallelschaltung eines Widerstandes mit einer Kapazität ist die .PIN-Diode D breitbandig kompensierbar. Es ist zweckmäßig, wenn der PIN-Diodenschalter in Schichttechnik ausgeführt ist und die λ/4-Leitungen als gedruckte Leiterbahnen ausgeführt sind. Diese Schaltung zeichnet sich durch besonders geringen Flächenbedarf aus. Die gesamte Rückseite der gedruckten Schaltung dient als Masse.
  • Es ist besonders vorteilhaft, wenn die Kompensationskapazität durch eine besondere Ausgestaltung der Zuleitungen der λ/4-Leitungen gebildet wird. Bei dieser Ausführungsform wird die Kompensationskapazität CK durch eine spezielle Leitungsführung erzeugt.
  • Die weiteren Ausbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird an Hand der Figuren 1 bis 5 beschrieben.
  • Es zeigen:
    • Fig. 1 das Prinzipschaltbild eines PIN-Diodenschalters,
    • Fig. 2 eine Schaltungsanordnung zur Kompensation der PIN-Diode,
    • Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel des PIN-Diodenschalters,
    • Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel zur breitbandigen Kompensation und
    • Fig. 5 ein Dämpfungsdiagramm zur breitbandigen Kompensation.
  • Fig. 1 zeigt das Prinzipschaltbild eines PIN-Diodenschalters. Ein Generator G mit dem Innenwiderstand ZI ist über einen Entkopplungskondensator CE1 an eine Leitung L angeschlossen. Über einen zweiten Entkopplungskondensator CE2 ist der Abschlußwiderstand ZV am anderen Ende der Leitung L angeschlossen. Die PIN-Diod e D ist zwischen der Leitung L und Masse parallel zum Verbraucher ZV bzw. parallel zum Generator G geschaltet Das Ersatzschaltbild der PIN-Diode besteht aus einer Parallelkapazität CP ≃ 0,3 pF, die parallel zu den Anschlußklemmen der PIN-Dioden liegt. Zu dieser Kapazität ist eine Reihenschaltung einer Längsinduktivität LD≃ 0,4 nH in Serie mit einer Parallelschaltung eines Durchlaßwiderstandes RD ≃1 Ohm in Serie mit einem die ideale Diode symbolisierenden Schalter S und einer zur Serienschaltung RD, S parallelgeschalteten weiteren Serienschaltung eines Widerstandes RB≃ 5 Ohm mit einer Kapazität CS≃ 0,5 pF angeordnet.
  • Eine erfindungsgemäße Anordnung ist in Fig. 2 dargestellt. Der Generator G mit dem Innenwiderstand ZI ist über den ersten Entkopplungskondensator CE1 an den Eingang E einer λ/4-langen Leitung L1 mit dem praktisch reellen Wellenwiderstand ZL angeschlossen. Die Leitung L1 wurde als Vierpol dargestellt, deren zweiter Eingang mit dem zweiten Anschluß des Generators G verbunden ist. Zwischen die beiden Ausgänge der Leitung L1 - dies sind die Einzelleiter L11 und L12 - ist die PIN-Diode D als Querglied angeschaltet, der eine zweite λ/4-Leitung L2 nachgeschaltet ist, an deren Ausgang A ein Verbraucher Zv über einen zweiten Entkopplungskondensator CE2 angeschaltet ist. Parallel zu dieser Anordnung ist ein weiterer Vierpol K geschaltet, der die Kompensationsschaltung - einen zwischen Eingang E und Ausgang A der Anordnung geschalteten Kompensationswiderstand RK enthält, dem eine Kompensationskapazität CK parallelgeschaltet sein kann.
  • Die Leitungen L1 und L2 haben den Wellenwiderstand ZL, der im allgemeinen gleich oder ähnlich dem Generatorwiderstand ZI und dem Verbraucherwiderstand Zv ist.
  • Wenn in Fig. 1 die parallel zum Verbraucher geschaltete PIN-Diode D aufgrund ihres restlichen Durchlaßwiderstandes RD von ca. 1 Ohm und der durch ihre mechanischen Abmessungen bestimmten Längsinduktivität LD keinen idealen Kurzschluß darstellt, bleibt am Ankoppelpunkt der Diode eine Restspannung erhalten.
  • Vom Verbraucher aus gesehen, bewirkt diese Restspannung, daß die PIN-Diode als Quelle erscheint, die eine sich in Richtung zum Verbraucher ausbreitende Welle erzeugt. Damit ist aber die Entkopplung begrenzt.
  • Eine Kompensation der Restspannungsquelle - der PIN-Diode - muß möglich sein, wenn man eine genügend breitbandige Kompensationsschaltung findet, die gleichzeitig bei offener, also hochohmiger Diode den Energiefluß zum Verbraucher möglichst wenig stört. Diese Schaltung ist in Fig. 2 dargestellt und soll näher erläutert werden. Bei sperrendem PIN-Diodenschalter ist die Diode D leitend. Hierbei ist der Durchlaßwiderstand RD kleiner 1 Ohm; die Impedanz der Längsinduktivität LD liegt bei einer Arbeitsfrequenz von ca. 1 GHz in der gleichen Größenordnung. Die zu RD parallelliegende Reihenschaltung des Widerstandes RB und des Kondensators CS wird bei diesen Betrachtungen vernachlässigt. Die am Eingang E der Leitung L1 liegende Spannung U1 entspricht betragmäßig praktisch der Leerlaufspannung des Generators G, weil die Diodenimpedanz XD = RD+jωLD über die λ/4-Leitung L1 in den hochohmigen Widerstand
    Figure imgb0001
     transformiert wird, der die Quelle nur schwach be- lastet..An der Diode steht jetzt eine Spannung UD = -j
    Figure imgb0002
    . Für die Spannung U2 am Verbraucher- widerstand ZV gilt ohne die Kompensationsschaltung K U2 = -jUD; beide Spannungen UD und U2 haben die gleiche reelle Amplitude aber 90° Phasenverschiebung. Wenn zusätzlich die im Kompens2tionszweig liegende Kompensa- sationsimpedanz XK =
    Figure imgb0003
    , die sich aus der Parallel- schaltung von RK und CK errechnet
    Figure imgb0004
    angeschaltet wird, überlagern sich am Verbraucher die Spannung UD und die über das Kompensationsnetzwerk K gelangende Spannung UKO. Diese ist wegen der Phasenverdrehung der Λ/4-Leitungen L1, L2 um 180° gegenüber der Spannung des Hauptweges in der Phase gedreht. Die resultierende Spannung U2 am Verbraucherwiderstand ZV wird 0, wenn die Bedingung
    Figure imgb0005
    erfüllt ist.
  • Bei leitendem PIN-Diodenschalter ist die PIN-Diode gespert, also hochohmig. Das entspricht dem geöffneten Schalter S in Fig.1. Der im Nebenweg liegende Widerstand RK in Fig. 2 beeinflußt jetzt die Durchlaßdämpfung, da ein kleiner Anteil der Generatorleistung in ihm verbraucht wird. Da die Spannungen U1 und U2 gegeneinander um 180° phasenverschoeben sind, liegt an den Klemmen der Kompensationsimpedanz XK die Spannung UK = 2·U1 an. Die durch RK bei Vernachlässigung von LK verursachte Zusatzdämpfung beträgt mit
    Figure imgb0006
    Figure imgb0007
    mit Z = ZI = ZV. Bei einem Abschlußwiderstand ZV= 50 Ohm ergibt sich eine Durchlaßdämpfung a = ca. 0,3 dB.
  • Ist die Längsinduktivität LD der PIN-Diode zu berücksichtigen, so kann sie durch den Kompensationskondensator CK weitgehend kompensiert werden.
  • Die Fig. 3 zeigt den Aufbau des erfindungsgemäßen PIN-Diodenschalters in Schichttechnik. Die PIN-Diode D ist hier in der Bauform."Chip auf Niete" eingesetzt. L1 und L2 stellen die λ/4-Leit ungen dar. Zur Kompensation der Diodenreaktanzen dienen der Kompensationswiderstand RK und der Kompensationskondensator CK. Der Kompensationskondensator CK kann durch eine spezielle Leitungsführung nachgebildet werden, bei der die Leitungen L1 und L2 symmetrisch ausgebildet sind und sich. beim Übergang in die Zuleitungen Z1 und Z2 einander annähern. Der Eingang der Schaltung wurde entsprechend Fig. 2 mit E und derAusgang mit A bezeichnet. Als Masse dient die Kupferkaschierung auf der Rückseite der Schichtschaltung. Mit einer solchen Anordnung ist eine Sperrdämpfung größer 60 dB erzielbar.
  • Eine Variante zur Erhöhung der Bandbreite ist in Fig. 4 dargestellt. Bei dieser Anordnung wurde der Kompensationswiderstand RK durch zwei Kompensationswiderstände RK1 und RK2 ersetzt. Die Kompensationswiderstände RK1 und RK2 sind hierbei in einem Abstand ΔL1 kleiner λ/4 angeordnet. Der Abstand ΔL2 des zweiten Kompensationswiderstandes RK2 zur Diode D ist ebenfalls kleiner als λ/4. Es ergibt sich der in Kurve 3 der Fig. 5 dargestellte Verlauf der Sperrdämpfung in Abhängigkeit von der Frequenz f. Durch Variation der Leitungslängen ΔL1 und ΔL2 können unterschiedlich breite Dänpfungskurven erzielt werden. Zum Vergleich wurde der Dämpfungsverlauf der SchaltungsaDrdnung in Fig. 2 als Kurve 1 eingezeichnet. Die Kurve 2 zeigt den Dämpfungsverlauf der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 bei einem Abschluß mit einem Verbraucherwiderstand Zv = 50 Ohm und der Wellenwiderstand ZL = 70 Ohm.der Leitungen L1 und L2, die Kurve 4 zeigt zum Vergleich eine unkompensierte Diode.
  • Abschließend soll noch auf die Möglichkeit aufmerksam gemacht werden, durch Variation des PIN-Dioden-Steuerstromes das Dämpfungsmaximum zu verschieben. Dies ist dadurch möglich, daß der HF-Widerstand der PIN-Diode vom Steuerstrom abhängig ist. Auf diese Weise ist es ähnlich wie bei der Änderung der Leitungslänge ΔL2 möglich in einem bestimmten Frequenzbereich durch Einstellen des PIN-Dioden-Steuerstromes optimale Dämpfungswerte zu erreichen.

Claims (12)

1. PIN-Diodenschalter mit hoher Sperrdämpfung, dadurch gekennzeichnet , daß zwischen einem Eingang (E) und einem Ausgang (A) eine Anordnung mit zwei in Serie geschalteten invertierenden Vierpolen (L1, L2) vorgesehen ist, daß eine PIN-Diode (D) als Querzweig zwischen den Einzelleitern (L11, L12) der Leitungen im Verbindungspunkt dieser yierpole- . (L1 , L2) angeschaltet ist und daß zwischen Eingang (E) und Ausgang (A) ein Kompensationsnetzwerk (K) parallelgeschaltet ist.
2. PIN-Diodenschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß als invertierende Vierpole λ/4-Leitungen (L1, L2) vorgesehen sind.
3. PIN-Diodenschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß die λ/4-Leitungen (L1, L2) und das Kompensationsnetzwerk (K) eine gemeinsame Masseleitung (L12) haben.
4. PIN-Diodenschalter nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet , daß das Kompensationsnetzwerk aus einer Parallelschaltung eines Kompensationswiderstandes (RK) und eines Kompensationskondensators (CK) im Längszweig besteht.
5. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der PIN-Diodenschalter in Schichttechnik ausgeführt ist und die λ/4-Leitungen (L1, L2) als gedruckte Leiterbahnen ausgeführt sind.
6. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kompensationskapazität (CK) durch eine besondere Ausgestaltung der Zuleitungen (Z1, Z2) der λ/4-Leitungen (L1, L2) gebildet wird.
7. PIN-Diodenschalter nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet , daß die Kompensationskapazität (CK) durch Annäherung der Zuleitungen (Z1, Z2) gegeneinander und der λ/4-Leitungen (L1, L2) gegeneinander im Verbindungsbereich zwischen Zuleitungen (Z1, Z2) und λ/4-Leitungen (L1, L2) gebildet wird.
8. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß zur Erhöhung der Bandbreite zwei Kompensationswiderstände (RK1, RK2) im Abstand ΔL1 kleiner λ/4 voneinander angeordnet sind und der Abstand (ΔL2) zwischen der PIN-Diode (D) und dem nächsten Kompensationswiderstand kleiner als λ/4 ist (Fig. 4) 9. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß zur Vergrößerung der Bandbreite eine Fehlanpassung des Verbraucherwiderstandes (Zv) zu dem Wellenwiderstand (ZL) der λ/4-Leitungen (L1, L2) erfolgt.
10. PIN-Diodenschalter nach-einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß eine Einrichtung zur Änderung des PIN-Diodensteuerstromes vorgesehen ist, die das Dämpfungsmaximum frequenzmäßig ändert.
11. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet , daß anstelle einer einzigen PIN-Diode mindestens zwei Dioden, insbesondere drei Dioden, im Abstand von λ/4 zueinander angeordnet sind und daß ein Kompensationsnetzwerk (K) parallel zu dieser Anordnung zwischen dem Eingang (E) und dem Ausgang (A) geschaltet ist.
12. PIN-Diodenschalter nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß mehrere PIN-Diodenschalter in Serie geschaltet werden.
13. PIN-Diodenscbalter nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß diese Anordnung in Schichtschaltung ausgeführt ist.
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