EA036179B1 - Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний - Google Patents

Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний Download PDF

Info

Publication number
EA036179B1
EA036179B1 EA201800261A EA201800261A EA036179B1 EA 036179 B1 EA036179 B1 EA 036179B1 EA 201800261 A EA201800261 A EA 201800261A EA 201800261 A EA201800261 A EA 201800261A EA 036179 B1 EA036179 B1 EA 036179B1
Authority
EA
Eurasian Patent Office
Prior art keywords
solution
silicon
deposition
during
layer
Prior art date
Application number
EA201800261A
Other languages
English (en)
Other versions
EA201800261A1 (ru
Inventor
Татьяна Николаевна Воробьева
Ольга Николаевна Врублевская
Мария Геннадьевна Галуза
Антон Александрович Кудако
Алексей Михайлович Хасьянов
Валерия Романовна Елисеева
Original Assignee
Учреждение Белорусского государственного университета "Научно-исследовательский институт физико-химических проблем" (НИИ ФХП БГУ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Белорусского государственного университета "Научно-исследовательский институт физико-химических проблем" (НИИ ФХП БГУ) filed Critical Учреждение Белорусского государственного университета "Научно-исследовательский институт физико-химических проблем" (НИИ ФХП БГУ)
Priority to EA201800261A priority Critical patent/EA036179B1/ru
Publication of EA201800261A1 publication Critical patent/EA201800261A1/ru
Publication of EA036179B1 publication Critical patent/EA036179B1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/32Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
    • C23C18/34Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
    • C23C18/36Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents using hypophosphites
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/48Coating with alloys
    • C23C18/50Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)

Abstract

Изобретение относится к области осаждения пленок металлов на монокристаллический кремний, что необходимо в производстве изделий электронной техники. Задачей изобретения является создание способа осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний, позволяющего исключить использование драгоценных металлов для активации его поверхности и электрохимически осаждать покрытие из сплава Ni-Sn, обеспечивая хорошую адгезию, достаточную для резки кремния без отслаивания металла, и способность к пайке с высокой прочностью паяного соединения, сохраняющуюся не менее года. Решение поставленной задачи достигается тем, что в отличие от прототипа предлагаемый способ включает травление кремниевых пластин в две стадии: сначала в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем - в растворе NH4F 20 г в 1 дм3 концентрированной HNO3 в течение 1 мин при комнатной температуре; активацию поверхности кремния в растворе, содержащем 6-30 г/дм3 NiCl26H2O, 40 см3/дм3 HF и 10 см3/дм3 HCl, в течение 3 мин при 60°C; осаждение пленки Ni-P из раствора, включающего (г/дм3): NiCl26H2O - 37, NaH2PO2 - 12, (NH4)2HC6H5O7 - 85, NH4Cl - 62, NH3H2O - 25, в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C; формирование барьерного адгезионного слоя термической обработкой в атмосфере аргона при температуре 760°C в течение 20 мин с удалением частично окисленного слоя никеля в азотнокислом растворе фторида аммония и освежением полученной поверхности в растворе состава (г/дм3): Ni(CH3COO)24H2O - 25, NaH2PO2 - 25, NaCH3COO - 15, глицин - 20 в течение 4-7 мин при температуре 85°C; осаждение контактного способного к пайке слоя Ni-Sn из электролита состава (г/дм3): NiCl26H2O - 100, SnCl2-2H2O - 20, NaF - 30, pH 4,0 в течение 3,0-3,5 мин при 50°C и плотности тока 0,75 А/дм2.

Description

Изобретение относится к области осаждения из растворов пленок металлов на монокристаллический кремний, что необходимо в производстве интегральных схем, диодов, транзисторов и других изделий электронной техники для создания структуры полупроводниковых кристаллов с металлизацией.
Сложный и многостадийный процесс металлизации включает последовательное нанесение на пластины кремния металлических пленок, выполняющих определенные функции: барьерных слоев, предотвращающих диффузию и электромиграцию в кремний атомов металлов; слоев, обеспечивающих невыпрямляющий контакт; проводников электрического тока; слоев для пайки, сварки, защиты от окисления при длительном хранении и др. [1-3]. Важнейшими требованиями, предъявляемыми к таким последовательно нанесенным слоям, являются хорошее сцепление с основой (гладкой поверхностью кремния) и между собой, мелкозернистость, беспористость, однородность, равнотолщинность, способность к пайке, сохраняющаяся длительное время. В современной электронике для получения многослойных структур кремний - металл обычно используют вакуумные методы нанесения пленок: термическое испарение, катодное, магнетронное, плазменное напыление. Недостатками указанных способов являются их высокая стоимость, энергоемкость, необходимость дорогостоящего оборудования и специальных производственных помещений, трудности получения пленок из сплавов с заданным соотношением металлов или содержащих летучие компоненты, например, фосфор. Определенные проблемы возникают при необходимости создания многослойных структур, обеспечения однородности состава, равномерности и достаточной толщины пленок.
Альтернативный способ получения многослойных структур - осаждение металлов и сплавов из растворов. Процессы контактного, химического и электрохимического осаждения металлических пленок являются простыми и недорогими, характеризуются возможностью регулировать микроструктуру пленок, создавать нанозернистые слои, получать сплавы и многослойные структуры, варьировать их состав и толщину в широких пределах, обеспечивать однородность состава и равномерность толщины слоев. Все это в совокупности позволяет получать изделия нового качества простыми и дешевыми методами и перспективно для использования в электронной технике [4].
Реализовать потенциальные возможности процессов осаждения пленок металлов на кремниевые пластины из растворов крайне непросто из-за трудностей в обеспечении требуемой адгезии к подложке и сцепления пленок друг с другом в случае многослойных структур, ограничений из-за плохой адгезии пленок в их толщине, а также по причинам наличия в пленках пор и внутренних напряжений, необходимости активировать поверхность кремния наночастицами благородных металлов для придания образцам каталитической активности в реакциях восстановления металлов из растворов.
При создании на кремниевых пластинах многослойных структур из пленок золота, серебра, меди, алюминия, олова, свинца и их сплавов требуется формировать барьерные адгезионные слои, предотвращающие диффузию и электромиграцию в кремний атомов металлов. Обычно они представляют собой тонкие пленки тугоплавких металлов (титана, вольфрама) или соединений переходных металлов (нитридов, карбидов, силицидов титана, никеля и некоторых других), хотя наряду с ними можно использовать для указанных целей пленки никель-фосфор, осаждаемые из растворов [4, 5]. Наряду с барьерными функциями пленки Ni-P могут играть роль токопроводящего подслоя для электрохимического осаждения на них других металлов. Для увеличения адгезии пленок можно использовать термическую обработку пленок никеля на кремнии, в процессе которой образуется барьерный слой силицида никеля [6]. Таким образом, сокращается число операций и слоев, что не только экономически выгодно, но обеспечивает повышение выпуска годных изделий.
Осаждать металлические пленки из растворов на кремний можно с использованием процессов контактного вытеснения. Этим способом наносят пленки металлов с более высоким, чем у кремния, электродным потенциалом, например, меди [7-10], золота [11], палладия и серебра [12]. Ни один из указанных металлов не может выполнять функции барьерного и адгезионного слоя, в качестве которого наиболее пригодны пленки Ni-P [4] и/или силицида никеля [6].
В принципе, на кремнии возможно также контактное осаждение никеля, однако это осуществимо лишь при условии смещения значений электродных потенциалов никеля и кремния для увеличения электродвижущей силы до значений, достаточных для протекания реакции вытеснения никеля(П) из раствора. Увеличить электродвижущую силу можно, проводя процесс в среде, где присутствуют фторид-ионы, образующие комплексные ионы SiF6 2-, в результате чего электродный потенциал кремния смещается в область отрицательных значений. К сожалению, при наличии фторид-ионов электродный потенциал никеля также понижается вследствие комплексообразования. Еще большие затруднения связаны с тем, что при окислении кремния как кислородом воздуха, так и другими окислителями в водной среде, формируются оксидные пленки, препятствующие дальнейшему окислению кремния. Никель также легко окисляется кислородом с образованием оксида, что может привести к пассивации поверхности контактно осаждаемой пленки никеля. Вероятно, поэтому литературные данные о контактном осаждении никеля на кремний немногочисленны. Известны сведения о получении лишь тонких пленок никеля, не способных выполнять функции барьерного и адгезионного слоя и подслоя для других металлов. Для получения этих пленок используют растворы соли никеля в присутствии фторид-ионов в щелочной среде, в то время как из подкисленных растворов осаждение никеля на кремнии не происходит [13-16].
- 1 036179
Альтернативой является химическое осаждение пленок Ni-P на кремний, содержащий каталитически активные частицы палладия или золота [4, 17-20]. В принципе, эти частицы можно нанести контактным осаждением на кремний из растворов. При этом для активации поверхности кремния с целью последующего химического осаждения пленок Ni-P используют драгоценные металлы. Другой известный способ активации поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков палладием заключается в использовании растворов SnCl2 и PdCl2 [17-20]. Так, проведение операции обработки поверхности в подкисленных растворах SnCl2, а затем в воде приводит к образованию пленки гидроксосоединений Sn(II), выполняющей функции адгезионного подслоя и восстановителя палладия(П). Образующиеся частицы палладиевого катализатора обеспечивают химическое восстановление меди (реже пленок Ni-P) из растворов.
Реализация такого способа весьма затруднена вследствие плохой адгезии пленок Ni-P к поверхности кремния, которая является гладкой и практически не содержит функциональных групп, способных обеспечить взаимодействие осаждаемого металла с кремнием.
Для увеличения адгезии используют травление кремниевых пластин в кислотах и щелочах [17, 18, 20-22], их анодирование с созданием слоя аморфного кремния [12]. В работах [17, 18] показано, что при щелочном травлении кремниевых пластин и их последующей палладиевой активации удается химическим путем осадить из раствора пленки Ni-P и даже осаждать на них слои других металлов и сплавов (например, медь, золото, палладий, сплавы никель-палладий, олово-медь) до суммарной толщины 2-7 мкм. В указанных работах для активации поверхности кремния использовали драгоценный металл - палладий.
Наиболее близок к заявляемому способ, описанный в патенте [17], в котором для получения барьерного адгезионного слоя никель-фосфор на монокристаллическом кремнии после травления пластин кремния в щелочном растворе и активации их поверхности сенсибилизацией в водно-спиртовом растворе SnCl2 и обработкой в водном растворе PdCl2, проводят химическое осаждение пленок Ni-P из слабокислого ацетатно-гипофосфитного раствора. Далее формируют барьерный адгезионный слой термической обработкой полученных образцов (120-130 мин при 250-270°C) и электрохимически осаждают сплав CuSn или Au-Sn до суммарной толщины пленок металлов 4-7 мкм, которые не отслаиваются при скотчтесте.
Недостатки указанного способа - использование драгоценного металла, палладия, для активации поверхности кремния перед химическим осаждением пленок Ni-P, а также небольшие толщина (0,20-0,25 мкм), адгезия этих пленок, способность к пайке и сохранность этой способности. Необходимость увеличения толщины первичной химически осажденной пленки Ni-P обусловлена тем, что при отжиге пленок, требуемом для повышения адгезии и формирования барьерного слоя силицида никеля необходимой толщины, никель может полностью превратиться в силицид, что делает невозможным дальнейшее химическое или электрохимическое осаждение металлов из растворов. Недостаточность адгезии пленки Ni-P (или никеля вместе с его силицидом) даже при небольшой указанной выше толщине следует из того факта, что в патенте [17] рекомендуется на подслой Ni-P осаждать слои только из мягких, пластичных металлов и сплавов (меди, золота, олова и их сплавов). Сплавы, обладающие повышенной твердостью, износостойкостью и сохранностью способности к пайке в течение длительного времени (например, сплав Ni-Sn) в предлагаемый в прототипе список не входят. Кроме того, в прототипе не указано, выдерживают ли получаемые изделия процессы механической обработки (резки пластин) и пайки с высокой прочностью паяных соединений.
Задачей изобретения является создание способа осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний, позволяющего исключить использование драгоценных металлов для активации его поверхности и электрохимически осаждать покрытие из сплава Ni-Sn, обеспечивая хорошую адгезию, достаточную для резки кремния без отслаивания металла, и способность к пайке с высокой прочностью паяного соединения, сохраняющуюся не менее года.
Решение поставленной задачи достигается тем, что в отличие от прототипа кремний травят в две стадии сначала в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем - в растворе NH4F 20 г в 1 дм3 концентрированной HNO3 в течение 1 мин при комнатной температуре; активацию поверхности кремния проводят в растворе, содержащем 6-30 г/дм3 NiCl2-6H2O, 40 см3/дм3 HF и 10 см3/дм3 HCl в течение 3 мин при температуре 60°C; пленку Ni-P осаждают из раствора, включающего (г/дм3): NiCl2-6H2O - 37; NaH2PO2 - 12; (NH4)2HC6H5O7 - 85; NH4Cl - 62; NH3-H2O - 25, в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C; барьерный адгезионный слой формируют термической обработкой в атмосфере аргона при температуре 760°C в течение 20 мин с удалением образовавшегося частично окисленного слоя никеля в азотнокислом растворе фторида аммония и освежением полученной поверхности в растворе состава (г/дм3): Ni(CH3COO)2-4H2O - 25; NaH2PO2 -25; NaCH3COO - 15; глицин - 20 в течение 4-7 мин при температуре 85°C; контактный способный к пайке слой Ni-Sn осаждают из электролита состава (г/дм3): NiCl2-6H2O 100; SnCl2-2H2O - 20; NaF - 30, pH 4,0 в течение 3,0-3,5 мин при 50°C и плотности тока 0,75 А/дм2.
Следующие примеры доказывают преимущества заявляемого способа, которые состоят в исключении использования драгоценного металла для активации кремниевых пластин при нанесении из раство- 2 036179 ров барьерного адгезионного и токопроводящего слоев Ni-P и силицида никеля, а также в обеспечении электрохимического осаждения контактного способного к пайке слоя Ni-Sn, что позволяет получать многослойные металлические структуры, выдерживающие операции резки монокристаллического кремния и пайки с высокой прочностью паяного шва и сохранностью способности к пайке до года и более.
В приведенной после примеров таблице суммированы данные по операциям получения и свойствам многослойных металлических структур на монокристаллическом кремнии.
Пример 1 (прототип). Пластины монокристаллического кремния травят в 48-53% растворе KOH в течение 10-12 мин при 83-87°C; активацию осуществляют обработкой в 0,1-0,3% растворе SnCl2 с нейтральной водно-спиртовой средой при объемном соотношении вода : этанол, равном 3 : 1, в течение 8-15 мин при комнатной температуре, а затем в растворе, содержащем 0,3-0,6 г/дм3 PdCl2 и 1 см3/дм3 HCl, в течение 1-3 мин при комнатной температуре. После этого проводят химическое осаждение пленки Ni-P в течение 2,5-3,0 мин при температуре 40-45°C из слабокислого ацетатно-гипофосфитного раствора № 1 состава (г/дм3): Ni(CH3COO)2 - 28-32, NaH2PO2-H2O - 35-40, NH4CH3COO - 25-30, малеиновый ангидрид 0,3-0,8. В результате осаждается равномерная пленка Ni-P толщиной 0,20-0,25 мкм. При попытке дальнейшего доращивания пленка отслаивается (таблица, пример 1).
После осаждения пленки Ni-P кремниевую пластину тщательно промывают водой и сушат обдувом теплым воздухом. Затем проводят прогрев образца в муфельной печи в течение 2 часов при температуре 250-270°C. Получаемый барьерный слой не отслаивается при скотч-тесте и нанесении сетки царапин.
На получаемом барьерном слое возможно электрохимическое осаждение способного к пайке покрытия из сплава Pb-Sn (ПОС-60) толщиной 2 мкм из известного борфтористого электролита состава (г/дм3): Pb(BF4)2- 23-42, Sn(BF4)2-35-60, HBF4 - 40-100, клей столярный - 3-5, температура 20°C, плотность тока 1,5 А/дм2 [23], которое не отслаивается при скотч-тесте и нанесении сетки царапин, но отслаивается при пайке.
На получаемом барьерном слое возможно также гальваническое осаждение паяемого покрытия из сплава никель-олово толщиной 1 мкм из раствора состава (г/дм3): NiCl2-6H2O - 100; SnCl2-2H2O - 20; NaF - 30, pH 4,0 ± 0,2 при температуре 50°C и плотности тока 0,75 А/дм2. Состав раствора осаждения сплава никель-олово и условия проведения процесса на медной фольге обоснованы в работе авторов заявляемого способа [24]. Однако покрытие частично отслаивается при осаждении и полностью отслаивается на операции резки кремниевой пластины. Смачиваемость припоем удовлетворительная (таблица).
Пример 2. Пластины монокристаллического кремния травят в 48-53% растворе KOH в течение 1012 мин при 83-87°C, затем, исключив активацию поверхности кремния обработкой растворами хлорида олова(П) и хлорида палладия, проводят химическое осаждение пленки Ni-P в течение 2,5-3,0 мин при температуре 40-45°C из слабокислого ацетатно-гипофосфитного раствора № 1. В результате осаждается пленка Ni-P толщиной до 0,1 мкм. При попытке дальнейшего доращивания пленка отслаивается. После осаждения пленки Ni-P кремниевые пластины тщательно промывают водой и сушат обдувом теплым воздухом. Затем проводят прогрев образцов в муфельной печи в течение 2 часов при температуре 250270°C. Получаемая пленка характеризуется неравномерностью, отслаивается при скотч-тесте и нанесении сетки царапин и на ней невозможно дальнейшее электрохимическое осаждение паяемых покрытий Pb-Sn и Ni-Sn (таблица).
Пример 3. Пластины монокристаллического кремния травят в 48-53% растворе KOH при температуре 83-87°C в течение 10-12 мин, затем, исключив активацию поверхности кремния обработкой растворами хлорида олова(П) и хлорида палладия, пластины обрабатывают в течение 3 мин при температуре 60°C в растворе № 2 состава: NiCl2-6H2O - 6-30 г/дм3, HF - 40 см3/дм3, HCl -10 см3/дм3. Поверхность кремния при этом приобретает каталитическую активность в реакции восстановления никеля гипофосфит-ионами. Затем проводят химическое осаждение пленки Ni-P в течение 2,5-3,0 мин при температуре 40-45°C из слабокислого ацетатно-гипофосфитного раствора № 1. В результате осаждается пленка Ni-P толщиной до 0,2 мкм. При попытке дальнейшего доращивания пленка отслаивается. После осаждения пленки Ni-P кремниевую пластину тщательно промывают водой и сушат обдувом теплым воздухом. Затем проводят прогрев образца в муфельной печи при температуре 250-270°C в течение 2 часов. Получаемая пленка характеризуется неравномерностью (имеются участки, где никель отсутствует). При адгезионных испытаниях наблюдаются локальные отслаивания пленки. При электрохимическом осаждении паяемых сплавов Pb-Sn и Ni-Sn до суммарной толщины металлических структур 0,5-1,5 мкм покрытия отслаиваются. При резке кремниевых пластин и пайке металлические покрытия даже меньшей толщины отслаиваются (таблица).
Пример 4. Вместо щелочного раствора кремниевые пластины травят в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем, заменив палладиевую активацию, проводят их активацию в растворе № 2 в течение 3 мин при температуре 60°C, после чего химически осаждают пленку Ni-P в течение 3,0-4,5 мин при температуре 95-99°C из раствора № 3 состава (г/дм3): NiC^HO - 37; Nai 12PO2 - 12; (\H4);HC..H,O - 85; NHC 62; NH3-H2O -25. Пластины промывают водой и сушат обдувом теплым воздухом. В результате формируется неравномерная пленка Ni-P толщиной 0,3-0,7 мкм, которая после сушки обдувом теплым воздухом частично отслаивается при скотч-тесте и нанесении сетки царапин. При меньшей длительности оса- 3 036179 ждения пленка Ni-P несплошная, неравномерная, а при большей -происходит ее отслаивание.
Как в предыдущих примерах и в соответствии с прототипом после осаждения пленки Ni-P кремниевые пластины прогревают при температуре 250-270°C в течение 2 ч, что должно способствовать повышению адгезии никеля. После этих операций проводят электрохимическое осаждение слоев паяемых сплавов Pb-Sn и Ni-Sn до суммарной толщины металлических структур не более 0,5-1,5 мкм. Покрытия полностью или частично отслаиваются. При резке кремниевых пластин и пайке металлические покрытия даже меньшей толщины отслаиваются (таблица).
Пример 5. Как и в предыдущем примере, пластины монокристаллического кремния травят в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем активируют в растворе № 2 в течение 3 мин при температуре 60°C и химически осаждают пленку Ni-P из раствора № 3 в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C до толщины пленки 0,4-0,7 мкм. После промывки и сушки теплым воздухом пластины с пленкой Ni-P отжигают в атмосфере аргона в течение 20 мин при температуре 760°C. Условия отжига по сравнению с прототипом изменены (повышена температура, уменьшена длительность термообработки для увеличения адгезии пленки Ni-P и улучшения условий формирования барьерного слоя силицида никеля). Для удаления сформированного при отжиге частично окисленного слоя никеля отожженные пластины обрабатывают в течение 30 с при комнатной температуре в растворе NH4F (20 ± 2) г в 1 дм3 концентрированной азотной кислоты, после чего следует промывка водой. Образованная на поверхности пластин пленка неравномерная, имеются темные пятна. Она выдерживает адгезионные испытания без отслаивания.
Осадить электрохимическим путем на сформировавшуюся пленку силицида никеля с остатками никеля слои паяемых сплавов Pb-Sn и Ni-Sn невозможно. Поэтому далее вновь проводят химическое осаждение пленки Ni-P (для освежения поверхности полученных пластин) в течение 4-5 мин при температуре 85-90°C (до суммарной толщины слоя Ni-P 0,7-0,9 мкм в зависимости от назначения и последующих операций) из раствора № 4 состава (г/дм3): Ni(CH3COO)2-4H2O - 25; NaH2PO2 - 25; NaCH3COO - 15; глицин - 20. Получаемая пленка неравномерна, содержит темные пятна. Тем не менее, на ней возможно электрохимическое осаждение слоев сплавов Pb-Sn и Ni-Sn под пайку до суммарной толщины всех слоев металлов 2,0-3,0 мкм. Пластины кремния с нанесенной многослойной металлической структурой лишь частично выдерживают адгезионные испытания липкой лентой и нанесением сетки царапин, разрезаются с локальным отслаиванием, при пайке недостаточна прочность паяного соединения (таблица).
Пример 6. Вместо щелочного травления (по прототипу) кремниевые пластины подвергают двухстадийному травлению сначала в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем - в растворе NH4F (20 ± 2) г в 1 дм3 концентрированной азотной кислоты в течение 1 мин при комнатной температуре. После травления вместо палладиевой активации кремниевые пластины активируют в растворе № 2 в течение 3 мин при температуре 60°C. Затем проводят химическое осаждение пленки Ni-P из раствора № 3 в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C. В результате формируется равномерная пленка Ni-P толщиной 0,4-0,7 мкм, которая после сушки обдувом теплым воздухом не отслаивается при скотч-тесте и нанесении сетки царапин.
Как и в примере 5, пластины кремния с нанесенной пленкой Ni-P отжигают в атмосфере аргона при температуре 760°C в течение 20 мин. Для удаления сформированного при отжиге частично окисленного слоя никеля отожженные пластины обрабатывают в течение 30 с при комнатной температуре в растворе NH4F (20 ± 2) г в 1 дм3 концентрированной азотной кислоты, после чего следует промывка водой. Далее для освежения поверхности полученных пластин проводят химическое осаждение пленки Ni-P из раствора № 4 в течение 7-8 мин при температуре 85°C до суммарной толщины пленки Ni-P 1,1-1,3 мкм. Осажденное многослойное покрытие не отслаивается при скотч-тесте, нанесении сетки царапин и разрезании кремниевых пластин.
Для проверки способности к электрохимическому нанесению слоя под пайку, определения прочности получаемого после пайки соединения и сохранности способности к пайке осаждают покрытие сплавом олово-свинец толщиной 4-5 мкм. Полученное многослойное покрытие не отслаивается при скотчтесте, нанесении сетки царапин и резке кремниевых пластин, а также при пайке.
Недостатком полученной многослойной металлической структуры является потеря способности к пайке при хранении более 3 месяцев (таблица).
Пример 7. Как и в предыдущем примере, кремниевые пластины подвергают двухстадийному травлению, активируют в растворе № 2, осаждают из раствора № 3 пленку никеля толщиной 0,4-0,7 мкм, после промывки и сушки пластины кремния отжигают в атмосфере аргона, затем обрабатывают в растворе фторида аммония в концентрированной азотной кислоте и проводят химическое осаждение никеля из раствора № 4 в течение 4,0-4,5 мин при температуре 90°C до толщины слоя Ni-P 1,0-1,1 мкм. Затем, в отличие от примера 6, электрохимическим путем осаждают слой никеля толщиной 1 мкм в течение 4 мин при температуре 50°C и плотности тока 1,0 А/дм2 из раствора № 6 состава (г/дм3): NiSO4-7H2O - 120, NH4Cl - 15, Н3ВО3-15; pH 5,0-5,5 [25].
Полученное многослойное покрытие равномерно, без пятен, не отслаивается при скотч-тесте, нанесении сетки царапин и резке кремниевых пластин. Для обеспечения способности к пайке на полученный образец наносят, как в примере 6, электрохимически сплав олово-свинец с толщиной слоя 4-5 мкм. Мно- 4 036179 гослойное покрытие не отслаивается при скотч-тесте, нанесении сетки царапин и резке кремниевых пластин, образует при пайке шов с высокой прочностью.
Недостатком полученной многослойной металлической структуры является потеря способности к пайке при хранении более 3 месяцев (таблица).
Пример 8 (заявляемый способ). Как и в предыдущем примере, кремниевые пластины подвергают двухстадийному травлению, активируют в растворе № 2, осаждают из раствора № 3 в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C пленку Ni-P толщиной 0,4-0,7 мкм. После промывки и сушки пластины кремния отжигают в атмосфере аргона, затем обрабатывают в растворе фторида аммония в концентрированной азотной кислоте и проводят освежение поверхности полученных пластин в растворе № 4 в течение 4-7 мин при температуре 85-90°C (до суммарной толщины слоя Ni-P 1,0-1,3 мкм). Далее для пайки наносят электрохимически слой сплава никель-олово толщиной 1,0 ± 0,1 мкм в течение 3,0-3,5 мин при температуре 50°C и плотности тока 0,75 А/дм2 Полученное многослойное покрытие не отслаивается при скотч-тесте, нанесении сетки царапин и резке кремниевых пластин. Покрытие хорошо смачивается припоем, причем смачиваемость не ухудшается в течение года и более. При пайке образуется прочное соединение.
Полученный результат свидетельствует о решении задачи изобретения - создании способа осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний, позволяющего исключить использование драгоценных металлов для активации его поверхности и электрохимически осаждать покрытие из сплава Ni-Sn, обеспечивая хорошую адгезию, достаточную для резки кремния без отслаивания металла, и способность к пайке с высокой прочностью паяного соединения, сохраняющуюся не менее года (таблица).
При выходе за указанные пределы длительности (3,5-4,5 мин) и температуры (95-99°C) при химическом осаждении Ni-P из раствора № 3 формируется либо слишком тонкая (ниже указанных значений), либо слишком толстая (выше указанных значений) пленка. На слишком тонком подслое Ni-P невозможно электрохимическое осаждение слоя сплава Ni-Sn. Слишком толстый подслой имеет плохую адгезию и при электрохимическом осаждении слой Ni-Sn отслаивается. Кроме того, при температуре кипения раствор химического осаждения Ni-P быстро разлагается.
При выходе за указанные пределы длительности (4-7 мин) и температуры (85-90°C) при освежении полученной после отжига поверхности монокристаллического кремния в растворе № 4 становится невозможным электрохимическое осаждение слоя сплава Ni-Sn (ниже указанных пределов) или слой Ni-Sn отслаивается (выше указанных пределов).
Снижение длительности процесса менее 3,0 мин на стадии электрохимического осаждения слоя сплава никель-олово приводит к ухудшению смачиваемости покрытия припоем ПОС-61 и уменьшению прочности паяного соединения. Увеличение длительности этого процесса более 3,5 мин приводит к частичному отслаиванию покрытия на стадии резки пластин монокристаллического кремния.
Последовательно осаждаемые по заявляемому способу адгезионные барьерные токопроводящие слои и контактный способный к пайке слой Ni-Sn, на пластинах монокристаллического кремния равномерны, не содержат пятен, не отслаиваются при адгезионных испытаниях скотчем и нанесением сетки царапин, а также при резке кремниевых пластин на фрагменты. На кремниевых пластинах в результате проведения последовательных операций осаждения пленки Ni-P из раствора, включающего (г/дм3): NiCl2-6H2O - 37, NaH2PO2 - 12, (NH4)2HC6H5O7 - 85, NH4Cl - 62, NH3-H2O - 25, в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C, термической обработки в атмосфере аргона при температуре 760°C в течение 20 мин, удаления частично окисленного слоя никеля в азотнокислом растворе фторида аммония и освежения полученной поверхности в растворе состава (г/дм3): Ni(CH3COO)2-4H2O - 25; NaH2PO2 - 25; NaCH3COO - 15; глицин - 20 становится возможным последующее электрохимическое осаждение слоя сплава никель-олово толщиной 1,0 ± 0,1 мкм. Конечные покрытия хорошо смачиваются припоем ПОС61, высока прочность крепления арматуры к кристаллу кремния с припоем (более 200 Н). Способность к пайке сохраняется более 12 месяцев. Для сравнения в случае конечного покрытия припоем олово-свинец после трех месяцев хранения смачиваемость припоем уменьшается, что характерно для этого припоя.
- 5 036179
Характеристика операций получения, состава и свойств многослойных металлических структур на кремниевых пластинах
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Характеристика Толщина барьерного адгезионного токопроводящего слоя на кремнии, мкм Внешний вид барьерного адгезионного слоя на кремнии, его адгезия Электрохимическое осаждение паяемого сплава Pb-Sn или Ni-Sn. Смачиваемость покрытия припоем ПОС-61 Резка пластин кремния с многослойным покрытием Прочность крепления арматуры к кристаллу кремния с припоем,Н Пример 1 (прототип) Пример 2 Пример 3 Пример 4 Пример 5 Пример 6 Пример 7 Пример 8, заявляемый способ
0,25 Равномерная бездефектная пленка Ni-P, не отслаивается при адгезионных испытаниях Покрытие PbSn осаждается до толщины 2 мкм, но отслаивается при пайке; покрытие Ni-Sn частично отслаивается; смачиваемость припоем удовлетворительная Отслаивание слоев металла 0 Исключение палладиевой активации (отсутствие операций обработки растворами хлорида олова(П) и хлорида палладия) 0,1 Неравномерная пленка Ni-P, отслаивается при адгезионных испытаниях Отслаивание покрытий в процессе осаждения Отслаивание слоев металла Замена палладиевой активации (операций обработки растворами хлорида олова(П) и хлорида палладия) активацией в растворе № 2 на основе хлорида никеля 0,2 Неравномерная пленка Ni-P, частично отслаивается при адгезионных испытаниях Частичное отслаивание Pb-Sn, полное отслаивание Ni-Sn в процессе осаждения Отслаивание слоев металла Замена щелочного травления на травление в водном растворе HF, палладиевой активации на активацию в растворе № 2; замена раствора химического осаждения пленок Ni-P № 1 на раствор №3 0,7 Неравномерная пленка Ni-P, частично отслаивается при адгезионных испытаниях Частичное отслаивание Pb-Sn, полное отслаивание Ni-Sn в процессе осаждения Отслаивание слоев металла 40-50 По аналогии с примером 4 после травления пластин в растворе HF беспалладиевая активация в растворе № 2 и химическое осаждение пленок Ni-P из раствора № 3; изменение условий термообработки для формирования барьерного адгезионного слоя и введение операции удаления частично окисленного слоя никеля в растворе NH4F в конц. HNO3; введение операции освежения поверхности 0,9 Неравномерная пленка силицид никеля + Ni-P, имеются темные пятна, выдерживает адгезионные испытания без отслаивания Покрытие Pb-Sn осаждается до толщины 3 мкм, но отслаивается при пайке; покрытие Ni-Sn частично отслаивается при осаждении, недостаточное растекание припоя Отслаивание слоев металла 50-80 Введение двухстадийного травления пластин в растворах a) HF И б) NH4F в КОНЦ. HNO3; как в примере 5 беспалладиевая активация в растворе № 2, химическое осаждение пленок Ni-P из раствора № 3, термообработка для формирования барьерного адгезионного слоя и удаление частично окисленного слоя никеля в растворе NH4F в конц. HNO3; освежение поверхности пластин в растворе № 4 и электрохимическое осаждение покрытия сплавом 1,3 Равномерная пленка силицид никеля + Ni-P, выдерживает адгезионные испытания Покрытие Pb-Sn осаждается до толщины 4-5 мкм, хорошее растекание припоя Слои металлов не отслаиваются >200 Все операции как в примере 6, но после освежения поверхности пластин в растворе 4 следует электрохимиче ское осаждение слоя никеля, а затем способного к пайке покрытия сплавом оловосвинец 1,1 Равномерная пленка силицид никеля + Ni-P, выдерживает адгезионные испытания Покрытие Pb-Sn 4-5 мкм толщиной осаждается по подслою электрохимически осажденного никеля, хорошее растекание припоя Слои металлов не отслаиваются >200 Все операции как в примере 6, но после освежения поверхности пластин в растворе № 4 следует электрохимическое осаждение слоя сплава никель-олово толщиной 1 мкм 1,3 Равномерная пленка силицид никеля + Ni-P, выдерживает адгезионные испытания Покрытие Ni-Sn осаждается до толщины 1 мкм, хорошее растекание припоя Слои металлов не отслаиваются >200
Сохранность способности к пайке, месяцы 2 - - - 2 3 3 >12
Сущность изобретения поясняется фиг. 1 и 2.
На фиг. 1 приведена фотография кристаллов кремния, содержащих многослойное покрытие силицид никеля - Ni-P - Ni-Sn с суммарной толщиной 2,5 мкм, полученное по примеру 8, после нанесения капли припоя. Фотография иллюстрирует хорошее растекание припоя.
На фиг. 2 приведены полученные методом сканирующей электронной микроскопии фотографии поперечных сколов кремниевых пластин, содержащих с обеих сторон барьерный адгезионный токопроводящий слой силицида никеля и Ni-P, а также слой припоя Pb-Sn с суммарной толщиной 7 мкм, которые осаждены по примеру 6. Видно, что слои металлов равномерные по толщине и морфологии, мелкозернистые, плотные, неразрывно связаны друг с другом. В точках, указанных на фотографиях, методом энергодисперсионного рентгеновского микроанализа определен состав слоев, который соответствует предполагаемому, судя по последовательности операций. Так, в точках 1, 2, 5, 6 (наружный слой припоя олово-свинец) обнаружены Pb, Sn, иногда-немного никеля и следы фосфора, которые образуют барьерный адгезионный токопроводящий слой. В точках 3, 4, соответствующих внутреннему слою Ni-P, плавно переходящему в силицид никеля, обнаружены Ni, P и Si.
Приведенный пример 8, данные таблицы и фотографии доказывают, что поставленная задача осаждения из растворов на монокристаллический кремний без использования драгоценных металлов для активации их поверхности многослойных металлических структур, включающих барьерный адгезионный слои Ni-P и силицида никеля, токопроводящий слой Ni-P и контактный способный к пайке слой Ni-Sn до суммарной толщины слоев 2,0-2,5 мкм, отличающихся хорошей адгезией, достаточной для выдерживания процессов резки кремниевых пластин без отслаивания металла, и способностью к пайке с высокой прочностью паяного соединения и сохранностью этой способности не менее года, решена.
- 6 036179
Литература
1. Пичугин, И. Г. Технология полупроводниковых приборов [Текст] / И.Г. Пичугин, Ю.М. Таиров. М.: Высшая школа, 1984. С. 246-252.
2. Тилл, У. Интегральные схемы. Материалы, приборы, изготовление [Текст] / У. Тилл, Дж. Лаксон. М.: Мир, 1985. С. 391-398.
3. Епифанов, Г. И. Твердотельная электроника [Текст] / Г. И. Епифанов, Ю. А. Мома. - М.: Высшая школа, 1986. С. 143-144, 188-191, 332-338.
4. Electroless Plating: Fundamentals & Applications / Ed. by G. O. Mallory, J. B. Hajdu. Orlando: American Electroplaters and Surface Finishers Society. 1990. P. 273-291.
5. Fong, H. P. Electroless Cu deposition process on TiN for ULSI interconnect fabrication via Pd/Sn colloid activation / H. P Fong, Y. Wu, Y. Y. Wang, С. С. Wan // J. Electronic Materials. - 2003. - № 1. - P. 9-17.
6. Hsieh, S. H. Electroless nickel deposition for front side metallization of silicon solar cells / S. H. Hsieh, J.M. Hsieh, W.J. Chen, C.C. Chuang // Materials. - 2017. - Vol. 10, № 8. -P.942-948.
7. Harraz, F. A. Effect of chloride ions on immersion plating of copper onto porous silicon from a methanol solution / F. A. Harraz, T. Sakka, Y. H. Ogata // Electrochimica Acta. - 2002. - Vol. 47. - P. 1249-1257.
8. Magagnin, L. Adhesion evaluation of immersion plating copper films on silicon by microindentation measurements / L. Magagnin, R. Maboudian, С. Carraro // Thin Solid Films. - 2003. - Vol. 434. - P. 100-105.
9. Sasano, J. Re-dissolution of copper deposited onto porous silicon in immersion plating / J. Sasano, R. Murota, Y. Yamauchi, T. Sakka, Y. H. Ogata // J. Electroanalyt. Chem. - 2003. - Vol. 559. - P. 125-130.
10. Balaur, E. Electron beam-treated organic monolayers as a negative resist for Cu immersion plating on Si / E. Balaur, Y. Zhang, T. Djenizian, P. Schmuki // J. Solid State Electrochem. - 2004. - Vol. 8. - P. 772-777.
11. Warren, S. A structure study of the electroless deposition of Au on Si(l 11):H / S. Warren, A. Reitzle, A. Kazimirov [et al.] // Surf. Sci. - 2002. -Vol. 496.-P. 287-298.
12. Pap, A. E. Simultaneous chemical silver and palladium deposition on porous silicon; FESEM, ТЕМ, EDX and XRD investigation / A. E. Pap, K. Kordas, R. Peura, S. Leppavuori // Appl. Surf. Sci. - 2002. - Vol. 201. - P. 56-60.
13. Патент US 6472310, V 021/476.3, 06.05.2003.
14. Xu, C. Nickel displacements deposition of porous silicon with ultrahigh aspect ratio / С. Xu, X. Zhang, K.N. Tu, Y. Xie // J. Electrochem. Soc. - 2007. - Vol. 154, № 3. P. D170-D174.
15. Yao,Y. Uniform Plating of Thin Nickel Layers for Silicon Solar Cells / Y. Yao, J. Rodriguez, J. Cui [et al.] / Energy Procedia - 2013. - Vol. 38. P. 807-815.
16. Harraz F. A. Immersion plating of nickel onto a porous silicon layer from fluoride solutions / F.A. Harraz, T. Sakka, Y.H. Ogata // Phys. Stat. Sol. -2003. - Vol. 197, № 1. - P. 51-56.
17. Патент BY 12790, С 23С 18/31, HO 1L 21/02, 28.02.2010.
18. Воробьева, Т. Н. Осаждение из растворов многослойных пленок металлов на кремний / Т. Н. Воробьева, А. В. Кобец, О. В. Рева, О. Н. Врублевская // Сб. ст. Свиридовские чтения, Минск : БГУ, 2011. - Вып.7.- С. 34-43.
19. Свиридов, В. В. Химическое осаждение металлов из водных растворов [Текст] / В. В. Свиридов, Т. Н. Воробьева, Т. В. Гаевская, Л. И. Степанова. - Минск: Университетское, 1987. - 270 с.
20. Talanin, V. I. Physics of the formation of microdefects in semiconducting silicon / V. I. Talanin, I. E. Talanin, D. I. Levinson // Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics. - 2003. -Vol. 6, №4.-P. 431-436.
21. Юхневич, А. В. Поверхность монокристаллов как нано-технологическая среда [Текст] / А. В. Юхневич // Химические проблемы создания новых материалов и технологий. - Минск, 1998. - Вып.2. - С. 483-488.
22. Tsai, Ting-Kan. The growth morphology and crystallinity of electroless Ni-P deposition on silicon / Ting-Kan Tsai, Chuen-Guang Chao // Appl. Surf. Sci.-2004.-Vol. 233, Iss. 1-4.-P. 180-190.
23. Вячеславов, П. М. Электролитическое осаждение сплавов [Текст] / П. М. Вячеславов. -Л. : Машиностроение, 1986. С. 30-34.
24. Воробьева, Т. Н. Зависимость состава, микроструктуры и свойств электрохимических покрытий Ni-Sn от условий осаждения из фторидно-хлоридного электролита / Т. Н. Воробьева, А. А. Кудако // Журн. Белорус. гос. ун-та. Химия. - 2017. - № 2 - С. 28-35.
25. Теория и практика электроосаждения металлов [Текст] / Ю. Д. Гамбург, Дж. Зангари; пер. с англ. - М.: БИНОМ, Лаборатория знаний, 2015. С. 328-335.

Claims (1)

  1. ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ
    Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний, включающий травление кремния, активацию его поверхности, химическое осаждение пленки Ni-P, формирование барьерного адгезионного слоя термической обработкой в атмосфере аргона, электрохимическое осаждение контактного способного к пайке слоя, отличающийся тем, что кремний травят в две стадии: сначала в 40% растворе HF в течение 6 мин, затем - в растворе NH4F 20 г в 1 дм3 концентрированной HNO3 в течение 1 мин при комнатной температуре; активацию поверхности кремния проводят в растворе, содержащем 6-30 г/дм3 NiCl2-6H2O, 40 см3/дм3 HF и 10 см3/дм3 HCl, в течение 3 мин при 60°C; пленку Ni-P осаждают из раствора, включающего (г/дм3): NiCl2-6H2O - 37, NaH2PO2 - 12, (NH4)2HC6H5O7 - 85, NH4Cl - 62, NH3-H2O - 25, в течение 3,5-4,5 мин при температуре 95-99°C; барьерный адгезионный слой формируют термической обработкой в атмосфере аргона при температуре 760°C в течение 20 мин с удалением частично окисленного слоя никеля в азотнокислом растворе фторида аммония и освежением полученной поверхности в растворе состава (г/дм3): Ni(CH3COO)2-4H2O - 25, NaH2PO2 - 25, NaCH3COO - 15, глицин - 20 в течение 4-7 мин при температуре 85°C; контактный способный к пайке слой Ni-Sn наносят из электролита состава (г/дм3): NiCl2-6H2O - 100, SnCl2-2H2O - 20, NaF 30, pH 4,0 в течение 3,0-3,5 мин при 50°C и плотности тока 0,75 А/дм2.
EA201800261A 2018-04-04 2018-04-04 Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний EA036179B1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201800261A EA036179B1 (ru) 2018-04-04 2018-04-04 Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EA201800261A EA036179B1 (ru) 2018-04-04 2018-04-04 Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний

Publications (2)

Publication Number Publication Date
EA201800261A1 EA201800261A1 (ru) 2019-10-31
EA036179B1 true EA036179B1 (ru) 2020-10-09

Family

ID=68319007

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
EA201800261A EA036179B1 (ru) 2018-04-04 2018-04-04 Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний

Country Status (1)

Country Link
EA (1) EA036179B1 (ru)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU808563A1 (ru) * 1979-05-28 1981-02-28 Владимирский Политехническийинститут Электролит дл осаждени покрытийиз СплАВА ОлОВО-НиКЕль
SU1180404A1 (ru) * 1983-01-10 1985-09-23 Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина Кислый раствор дл химического никелировани
US5583073A (en) * 1995-01-05 1996-12-10 National Science Council Method for producing electroless barrier layer and solder bump on chip

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU808563A1 (ru) * 1979-05-28 1981-02-28 Владимирский Политехническийинститут Электролит дл осаждени покрытийиз СплАВА ОлОВО-НиКЕль
SU1180404A1 (ru) * 1983-01-10 1985-09-23 Всесоюзный Электротехнический Институт Им.В.И.Ленина Кислый раствор дл химического никелировани
US5583073A (en) * 1995-01-05 1996-12-10 National Science Council Method for producing electroless barrier layer and solder bump on chip

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPH-A-01185920 *

Also Published As

Publication number Publication date
EA201800261A1 (ru) 2019-10-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI408241B (zh) 用於電子機械和工具的銅合金與其製造的方法
EP0866735B1 (en) Process for the fabrication of a silicon/integrated circuit wafer
US5190796A (en) Method of applying metal coatings on diamond and articles made therefrom
US20070218312A1 (en) Whiskerless plated structure and plating method
US8101867B2 (en) Electroless Ni-P plating method and substrate for electronic component
Wang et al. Electroless plating of copper on metal-nitride diffusion barriers initiated by displacement plating
KR100807948B1 (ko) 저저항 금속 배선 형성방법, 금속 배선 구조 및 이를이용하는 표시장치
JPH052940A (ja) 電気接点材料とその製造方法
Jing et al. Electroless gold deposition on silicon (100) wafer based on a seed layer of silver
EA036179B1 (ru) Способ осаждения из растворов многослойных металлических структур на монокристаллический кремний
TWI231315B (en) Electronic part and method for manufacturing the same
KR102320245B1 (ko) 니켈 도금 피막의 형성 방법
KR100788310B1 (ko) 인듐-틴-옥사이드 전극 위에 은을 무전해 도금하는 방법
CN110565093A (zh) 一种钼铜复合材料镀覆方法
JPH0790595A (ja) チタン材料のめっき方法
Osaka et al. Fabrication of electroless CoWP/NiB diffusion barrier layer on SiO2 for ULSI devices
CN114807918A (zh) 金属置换处理液、铝或铝合金的表面处理方法
JP2003253454A (ja) 電子部品のめっき方法、及び電子部品
JP6521553B1 (ja) 置換金めっき液および置換金めっき方法
JPH0466695A (ja) 耐熱銀被覆銅線とその製造方法
JP3567539B2 (ja) 電子部品用基板及びその製造方法
ANDREEV et al. Three methods for PCB via metallization-investigation and discussion
Chou et al. Effects of molybdate concentration on the characteristics of Ni–Mo–P diffusion barriers grown by nonisothermal electroless deposition
TW512185B (en) Method of electroless plating metal lines on nitride barrier
JPH05160551A (ja) 電子部品実装窒化アルミニウム基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s)

Designated state(s): AM AZ BY KZ KG TJ TM RU