DK2933828T3 - Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag - Google Patents

Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag Download PDF

Info

Publication number
DK2933828T3
DK2933828T3 DK15162329.5T DK15162329T DK2933828T3 DK 2933828 T3 DK2933828 T3 DK 2933828T3 DK 15162329 T DK15162329 T DK 15162329T DK 2933828 T3 DK2933828 T3 DK 2933828T3
Authority
DK
Denmark
Prior art keywords
fractured
absorbent element
unit
substrate
close contact
Prior art date
Application number
DK15162329.5T
Other languages
English (en)
Inventor
Didier Landru
Oleg Kononchuk
Mohamed Nadia Ben
Damien Massy
Frédéric Mazen
François Rieutord
Original Assignee
Soitec Silicon On Insulator
Commissariat Energie Atomique
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Soitec Silicon On Insulator, Commissariat Energie Atomique filed Critical Soitec Silicon On Insulator
Application granted granted Critical
Publication of DK2933828T3 publication Critical patent/DK2933828T3/da

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components
    • H01L21/762—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
    • H01L21/7624—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology
    • H01L21/76251—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques
    • H01L21/76254—Dielectric regions, e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers using semiconductor on insulator [SOI] technology using bonding techniques with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Claims (21)

1. Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag (3) til en understøtning (4), omfattende de følgende hovedtrin: - dannelse af et skrøbeligt plan (2) ved implantation af lette arter i et første substrat (1) på en sådan måde, at der dannes et anvendeligt lag (3) mellem dette plan og en overflade af det første substrat (1); - påføring af understøtningen (4) på overfladen af det første substrat (1) til dannelse af en enhed, der skal fraktureres (5), med to eksponerede sider (S1,S2); - termisk skrøbelighedsbehandling af enheden, der skal fraktureres (5); - initiering og selvopretholdende udbredelse af en frakturbølge i det første substrat (1) langs det skrøbelige plan (2); hvilken fremgangsmåde er kendetegnet ved, at mindst en af siderne (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), er i tæt kontakt, over en kontaktzone, med et absorberende element (6a, 6b), der er egnet til at opfange og sprede de akustiske vibrationer, der udsendes under initiering og/eller udbredelse af frakturbølgen.
2. Fremgangsmåde ifølge krav 1, hvor de akustiske vibrationer har en hovedfrekvens, og det absorberende element (6a, 6b) er valgt til at opfange og sprede de akustiske bølger ved denne hovedfrekvens.
3. Fremgangsmåde ifølge krav 1 eller 2, hvor kontaktzonen strækker sig over en del af udstrækningen af siden (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres.
4. Fremgangsmåde ifølge krav 3, hvor kontaktzonen positioneres på den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), som vender mod frakturbølge-initieringszonen.
5. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den termiske skrøbelighedsbehandling er mellem 150° C og 600° C i et tidsrum på fra 30 minutter til 8 timer.
6. Fremgangsmåde ifølge et af de foregående krav, hvor initieringen af frak-turbølgen opnås under trinnet med termisk skrøbelighedsbehandling.
7. Fremgangsmåde ifølge et af de foregående krav, hvor initieringen af frak-turbølgen opnås ved påføring af en mekanisk kraft i det skrøbelige plan.
8. Fremgangsmåde ifølge det foregående krav, hvor det absorberende element (6a, 6b) anbringes i tæt kontakt med den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), efter trinnet med termisk behandling og før frakturbølge-initieringstrinnet ved påføring af en mekanisk kraft.
9. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor det absorberende element (6a, 6b) fjernes efter trinnet med frakturbølgeinitie-ring og udbredelse.
10. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor et første og et andet absorberende element (6a, 6b) anbringes på hver side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5).
11. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den side (S1) af enheden, der skal fraktureres (5), er i tæt kontakt, på siden af det første substrat (1), med det første absorberende element (6a) med en akustisk impedans, der er tilpasset til det første substrats (1) akustiske impedans.
12. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den side (S2) af enheden, der skal fraktureres (5), er i tæt kontakt, på siden af understøtningen (4), med det andet absorberende element (6b) med en akustisk impedans, der er tilpasset til understøtningens (4) akustiske impedans.
13. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den tætte kontakt mellem den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), og det absorberende element (6a, 6b) opnås ved hjælp af en film (7a, 7b), der er anbragt mellem enheden, der skal fraktureres (5), og det absorbe- rende element (6a, 6b).
14. Fremgangsmåde ifølge det foregående krav, hvor filmen (7a, 7b) dannes af et klæbende materiale.
15. Fremgangsmåde ifølge krav 13, hvor filmen klæber elektrostatisk til den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), og det absorberende element (6a, 6b).
16. Fremgangsmåde ifølge krav 13, hvor filmen dannes af et ikke-klæbende materiale med et lavt Youngs modul på mindre end 5 GPa.
17. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den tætte kontakt mellem den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), og det absorberende element (6a, 6b) opnås ved påføring af tryk på det absorberende element (6a, 6b).
18. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), og det absorberende element (6a, 6b) har en overfladeru hed på mindre end 0,5 nm; den tætte kontakt mellem den side (S1, S2) af enheden, der skal fraktureres (5), og det absorberende element (6a, 6b) opnås ved direkte samling af disse.
19. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor det absorberende element (6a, 6b) er fremstillet af et materiale med en høj tabsfaktor, der er større end 0,01.
20. Fremgangsmåde ifølge det foregående krav, hvor det absorberende element (6a, 6b) dannes af et viskoelastisk materiale eller et kompositmateriale eller en sandwichudformning.
21. Fremgangsmåde ifølge et hvilket som helst af de foregående krav, hvor det absorberende element (6a, 6b) har en tykkelse, der er større end 1 mm.
DK15162329.5T 2014-04-16 2015-04-02 Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag DK2933828T3 (da)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1453400A FR3020175B1 (fr) 2014-04-16 2014-04-16 Procede de transfert d'une couche utile

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DK2933828T3 true DK2933828T3 (da) 2017-01-23

Family

ID=51726593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DK15162329.5T DK2933828T3 (da) 2014-04-16 2015-04-02 Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9589830B2 (da)
EP (1) EP2933828B1 (da)
JP (1) JP6481202B2 (da)
KR (1) KR102333997B1 (da)
CN (1) CN105023876B (da)
DK (1) DK2933828T3 (da)
FR (1) FR3020175B1 (da)
SG (1) SG10201503005RA (da)
TW (1) TWI648765B (da)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6563360B2 (ja) * 2016-04-05 2019-08-21 信越化学工業株式会社 酸化物単結晶薄膜を備えた複合ウェーハの製造方法
FR3055063B1 (fr) * 2016-08-11 2018-08-31 Soitec Procede de transfert d'une couche utile
FR3061988B1 (fr) * 2017-01-13 2019-11-01 Soitec Procede de lissage de surface d'un substrat semiconducteur sur isolant
US10679908B2 (en) * 2017-01-23 2020-06-09 Globalwafers Co., Ltd. Cleave systems, mountable cleave monitoring systems, and methods for separating bonded wafer structures
FR3093859B1 (fr) * 2019-03-15 2021-02-12 Soitec Silicon On Insulator Procédé de transfert d’une couche utile sur une substrat support
FR3093858B1 (fr) * 2019-03-15 2021-03-05 Soitec Silicon On Insulator Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support
FR3093860B1 (fr) 2019-03-15 2021-03-05 Soitec Silicon On Insulator Procédé de transfert d’une couche utile sur un substrat support
FR3108440A1 (fr) 2020-03-23 2021-09-24 Soitec Procédé de préparation d’une couche mince

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100742790B1 (ko) * 2000-04-14 2007-07-25 에스. 오. 이. 떼끄 씰리꽁 오 냉쉴라또흐 떼끄놀로지 특히 반도체 재료(들)로 제조된 기판 또는 잉곳에서 적어도 하나의 박층을 절단하는 방법 및 장치
FR2809867B1 (fr) * 2000-05-30 2003-10-24 Commissariat Energie Atomique Substrat fragilise et procede de fabrication d'un tel substrat
FR2861497B1 (fr) * 2003-10-28 2006-02-10 Soitec Silicon On Insulator Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation
JP4995626B2 (ja) * 2007-04-27 2012-08-08 信越化学工業株式会社 貼り合わせ基板の製造方法
JP5876646B2 (ja) * 2010-11-02 2016-03-02 キヤノン株式会社 電気機械変換装置
JP5704602B2 (ja) * 2011-03-17 2015-04-22 リンテック株式会社 薄型半導体装置の製造方法および脆質部材用支持体

Also Published As

Publication number Publication date
TWI648765B (zh) 2019-01-21
KR20150119822A (ko) 2015-10-26
CN105023876A (zh) 2015-11-04
EP2933828A1 (en) 2015-10-21
FR3020175B1 (fr) 2016-05-13
JP2015213161A (ja) 2015-11-26
CN105023876B (zh) 2019-05-17
US20150303098A1 (en) 2015-10-22
JP6481202B2 (ja) 2019-03-13
KR102333997B1 (ko) 2021-12-02
US9589830B2 (en) 2017-03-07
FR3020175A1 (fr) 2015-10-23
EP2933828B1 (en) 2016-10-19
SG10201503005RA (en) 2015-11-27
TW201611085A (zh) 2016-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DK2933828T3 (da) Fremgangsmåde til overføring af et anvendeligt lag
US8951886B2 (en) Method for separating a layer system comprising a wafer by precisely maintaining the position of the separating front
US9847243B2 (en) Debonding a glass substrate from carrier using ultrasonic wave
TWI718279B (zh) 具備氧化物單結晶薄膜的複合晶圓之製造方法
US20210020826A1 (en) Method for transferring a piezoelectric layer onto a support substrate
US9427948B2 (en) Manufacturing a flexible structure by transfers of layers
KR20030090706A (ko) 초기 지지물로부터 최종 지지물로 적어도 하나의 요소를선택적으로 이송하는 방법
KR20180014700A (ko) 산화물 단결정 박막을 구비한 복합 웨이퍼의 제조 방법
KR20180014701A (ko) 산화물 단결정 박막을 구비한 복합 웨이퍼의 제조 방법
JP2024022682A (ja) ハイブリッド構造
KR102671192B1 (ko) 지지 기판 상에 압전 층을 전달하기 위한 방법
CN113574654A (zh) 将有用层转移到载体衬底的方法