DEP0038247DA - Halbleiterverstärker - Google Patents

Description

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PA 9/S3o/l22

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HalfcUlt«*r«retärker ι

Es ting Halb2.®iterv©rstärke? bekamt₍bei denen ein Kristallite tSa O@naaaiw»Kristall₍ verwendet wird,Dabei befinden sieb «i@i tyodea auf 4®r Oberfläche des Ky ie te X Is ,währe ad der Kristall selbst mit einer gemeinsamen Elektrode in Verbindung etehtoEin© soleh@ be*» kaante lao?dnung 1st schema-tisoh in Figur 1 dargeetellW Dabti Ist mit 1 tin Gemanlumbloek ^s^eic^uet^de? mit 4er Zuleitung $ Ι» lei« Yertindung stehteEitfe Elektroäe 4 ist als feine Spitz© auf des Kristalls aufgesetzt und stellt mit den Steuaj?kreia la

Öl© gu ferstärkenden Wechselspaanuögeö worden an den gg δ und g angelegt« üeber eine Spannungaquelle ? gelangt eine kleine positite Vofspaönuxig an die Steuerelektrode 4_eJn einem ausserorde&t·« lieh gö^ioge© Abstand von der Steuerelektrode 4 befindet sick eine gleichfalls aus einer dünnen Spitze bestehende Ausgangselektrode β auf der Oberfläche des Krietalla^sodass an den Ausgangsklemmen 9 und 10 die verstärkte Wechselspannung abgenommen werden kann« Eine Span-SUBgBquoll© Xl dient dabei dazu,eine genügende negativa Spannung en Sie Atisgangsglektrode B ea^uie^oa©

Bei BolQhen Halblaitar^arstarkera kosttat es darauf at_sdass die Kontakt» gpitaea tos Steuerelektrode und Ausgangselektrode in ausserordeatlieh g&Tiv%&& Abstand voneinander auf die KristalZoberfläche aufdrüeken.Es kofflsea Sab@i Elektrodenabetände in der Orössenordnung το η etwa 0_so5 sas in Betraoht«Der Erfindung liegt Sie Aufgabe sugrunde,einen KrieteU- ?e?&tärker zu schaff en,bei Sem die Einhaltung und die Eontrolle sol« ehe? ausserordentlich geringer Kontaktspitzsnabstände gewährleistet 1st.

Claims (1)

1. Di© Erfindung besteht äari^daes der KristaXl _ttn der Berührungastelle der Elektroden eine im wesentlichen keilförmige Gestalt feesitzt ο Die Elektroden sind dabei zweckmässig im. wesentlichen saagenartig oder in zangenartiger Halterung durch zwei sich im Ruhezustand berührende Federn gebildet,die durch den keilförmig gestalteten Kristall voneinander getrennt sind·

   Anhand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werdent Figur 2 zeigt schematisch ein Ausführungsbeispiel für einen Halbleiterverstärker nach der Erfindung,bei dem. äer Kristall keilförmig angeschliffen iet.Die Elektroden 4 und 8 sind zangonartig dureh an si eich berührende Federn ausgebildet »die gegen die Keilkanten geschoben und auf diese Weise mit Hilfe des Keiles voneinander getrennt werden„Es ist dabei möglich, de η Abstand der Berührungspunkte awisohen Elektroden und Kr is tallob erf lache veränderlich zu gestalt©»_p indem der keilförmige Kristall mehr oder woniger tief »wischen die Kontaktfedern eingeschoben wir<ä„Bei der Herstellung iiaea eolehen Halbleiterverstärker kann tfwockmässig so verfahren werden,dass durch οine entsprechend feine Verstellmöglichkeit das Einschieben doa Keiles unter gleichzeitiger elektrischer Punktionemesfung erf&lgt und dann eine Befestigung der mechanischen Teile ia einer möglichst günstigen Stellung erfolgte

   Anlagern % Figuren

   Fatcntaneprüob.9

   1« Halbleiterverstärker ,bei dem mindestens eino Stsuerelektrodo und eine Ausgangselektrode auf der Oberfläche eines Kristalle, vorzugsweise eines Germanium-Kristalle,aufgesetzt sind,dadurch gekennzeichnet,duss der Kristall an den Berührungsstell@a der Elektroden οine im wesentlichen keilförmige Gestalt besitst.

   g» Halbleiterverstärker nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, dass dis Elektroden zangenartig oder in zungenartiger Halterung durch awei eich im Ruhezustand berührende Federn gebildet sind, die durch den keilförmig gestalteten Kristall voneinander getrennt sind«